模拟电子技术基础李国丽习题答案

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模拟电子技术基础李国丽习题答案

1半导体二极管

自我检测题

一.选择和填空

1.纯净的、结构完整的半导体称为

本征半导体,掺入杂质后称

杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是

电子。

2.在本征半导体中,空穴浓度

C

电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度

B

电子浓度;在P型半导体中,空穴浓度

A

电子浓度。

(A.大于,B.小于,C.等于)

3.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于

C,而少数载流子的浓度与

A

关系十分密切。

(A.温度,B.掺杂工艺,C.杂质浓度)

4.当PN结外加正向电压时,扩散电流

A

漂移电流,耗尽层

E

;当PN结外加反向电压时,扩散电流

B

漂移电流,耗尽层

D。

(A.大于,B.小于,C.等于,D.变宽,E.变窄,F不变)

5.二极管实际就是一个PN结,PN结具有

单向导电性,即处于正向偏置时,处于

导通

状态;反向偏置时,处于

截止

状态。

6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。

(A.0.1~0.3V,B.0.6~0.8V,C.小于,D.大于)

7.已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为

T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,该二极管的死区电压为

0.5

伏,反向击穿电压为

160

伏,反向电流为

10-6

安培。温度T1

小于

25℃。(大于、小于、等于)

图选择题7

8.PN结的特性方程是。普通二极管工作在特性曲线的正向区

;稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。

二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)

1.N型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。

(×)

2.在P型半导体中,掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。

(√)

3.P型半导体带正电,N型半导体带负电。

(×)

4.PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。

(√)

5.由于PN结交界面两边存在电位差,所以当把PN结两端短路时就有电流流过。(×)

6.PN结方程既描写了PN结的正向特性和反向特性,又描写了PN结的反向击穿特性。(×)

7.稳压管是一种特殊的二极管,它通常工作在反向击穿状态(√),它不允许工作在正向导通状态(×)。

习题

1.1图题1.1各电路中,忽略D的导通压降和死区电压,画出各电路相应的输出电压波形。

图题1.1

解:

(a)图中,vi>0时,二极管截止,vo=0;vi<0时,二极管导通,vo=

vi。

(b)图中,二极管导通,vo=

vi

+10。

(c)图中,二极管截止,vo=0。

1.2求图题1.2所示电路中流过二极管的电流ID和A点对地电压VA。设二极管的正向导通电压为0.7V。

图题1.2

解:(a)

(b)

1.33电路如图题1.3所示,已知D1为锗二极管,其死区电压Vth=0.2V,正向导通压降为0.3V;D2为硅二极管,其死区电压为Vth=0.5V,正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电流I1和I2。

图题1.3

解:由于D1的死区电压小于D2的死区电压,应该D1先导通。设D1通、D2截止,此时

D2两端电压=I1×100+0.3=0.45V

小于D2的开启电压,所以D2截止,因此

I2=0

1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计,反向饱和电流为10μA,反向击穿电压为

30V,并假设一旦击穿反向电压保持30V不变,不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电路的电流I。

图题1.4

解:

(a)图中,两个二极管导通,(b)图中,由于D2反向截止,所以电流为反向饱和电流10μA。

(c)图中,D2反向击穿,保持击穿电压30V,所以

(d)图中,D1导通,1.5试确定图题1.5(a)和图(b)中的二极管是否导通,并计算电压V1和V2的值(设二极管正向导通电压为

0.7V)

图题1.5

解:

(a)图中,D导通,V1=0.7+V2=8.23V

(b)D截止,I=0,V1=12V,V2=0V

1.6忽略图题1.6中二极管的死区电压,试判断图中二极管是否导通。

图题1.6

解:先将D断开,计算A、B点对地电压

(a),所以D1导通

(b),所以D2截止

1.7设图题1.7中二极管的导通压降为

0.7V,判断图中各二极管是否导通,并求出Vo的值。

图题1.7

解:

先假设所有二极管都截止,看哪个二极管的正偏电压高,先导通。

(a)图中,所以,D2先导通,导通后

VO=3-0.7=2.3V,D1截止。

(b)图中,所以,D2~D4先导通,则,D1截止,VO=-1.4V

1.8设图题1.8中二极管的导通压降为0.7V,求二极管上流过的电流ID的值。

图题1.8

解:将二极管以外的电路进行戴维宁等效

所以

1.9已知图题1.9电路中稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和9V,求电压VO的值。

图题1.9

解:(a)图中DZ1、DZ2均工作于稳压状态,(b)DZ1工作于稳压状态,DZ2工作于反向截止区,所以DZ2支路的电流近似为零,1.10已知图题1.10所示电路中,稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为5V、3V,正向导通压降均为0.7V。试画出vO的波形。

图题1.10

解:正半周时,DZ1承受正向压降,DZ2承受反向压降,在VDZ2=3V之前,DZ2反向截止,iD=0,vO=vi;上升到VDZ2=3V之后,DZ2击穿,vO=3.7V;

负半周时,DZ2承受正向压降,DZ1承受反向压降,在VDZ1=5V之前,DZ1反向截止,iD=0,vO=vi;反向电压达到VDZ1=5V之后,DZ1击穿,vO=-5.7V;

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