第一篇：面试 笔试题目 IC设计基础(流程、工艺、版图、器件)
IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）
2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知）
答案：FPGA是可编程ASIC。
ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根
据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。
与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点
3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）
4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）
5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）
6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目）
7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知）
8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未 知）
9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）
11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）
先介绍下IC开发流程：
1.）代码输入（design input)
用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码
语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL
MENTOR RENIOR
图形输入: composer(cadence);
viewlogic(viewdraw)
2.）电路仿真（circuit simulation)
将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确
数字电路仿真工具：
Verolog： CADENCE Verolig-XL
SYNOPSYS VCS
MENTOR Modle-sim
VHDL : CADENCE NC-vhdl
SYNOPSYS VSS
MENTOR Modle-sim
模拟电路仿真工具：
***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp
3.）逻辑综合（synthesis tools)
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级
仿真
中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段 进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目）
13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基
本元素？（仕兰微面试题目）
14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面
试题目）
16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）
17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）
19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.（未知）
20、什么叫Latchup?（科广试题）
21、什么叫窄沟效应?（科广试题）
22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）
23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）
24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor.Comp Are the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS proces s.（威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）
29、写schematic note（？），越多越好。（凹凸的题目和面试）
30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）
31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadenc
e,Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp-r, rm,uname。（扬智电子笔试）
第二篇：IC设计基础笔试
IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）笔试集锦
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路 相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA 等的概念）。（仕兰微面试题目）什么是MCU？
MCU(Micro Controller Unit)，又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer)，简称单片机，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机。MCU的分类
MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。MASK ROM的MCU价格便宜，但程序在出厂时已经固化，适合程序固定不变的应用场合；FALSH ROM的MCU程序可以反复擦写，灵活性很强，但价格较高，适合对价格不敏感的应用场合或做开发用途；OTP ROM的MCU价格介于前两者之间，同时又拥有一次性可编程能力，适合既要求一定灵活性，又要求低成本的应用场合，尤其是功能不断翻新、需要迅速量产的电子产品。RISC为Reduced Instruction Set Computing的缩写，中文翻译为精简执令运算集，好处是 CPU核心很容易就能提升效能且消耗功率低，但程式撰写较为复杂；常见的RISC处理器如 Mac的Power PC系列。
CISC就是Complex Instruction Set Computing的缩写,中文翻译为复杂指令运算集,它只是 CPU分类的一种,好处是CPU所提供能用的指令较多、程式撰写容易,常见80X86相容的CPU即 是此类。
DSP有两个意思，既可以指数字信号处理这门理论，此时它是Digital Signal Processing的缩写；也可以是Digital Signal Processor的缩写，表示数字信号处理器，有时也缩写为DSPs，以示与理论的区别。
2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知）答案：FPGA是可编程ASIC。
ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一 个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与 门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计 制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点
3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）otp是一次可编程（one time programme）,掩膜就是mcu出厂的时候程序已经固化到里面去了，不能在写程序进去！（4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）
5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）
6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目）
7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知）
8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）
9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）
10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）
11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）
先介绍下IC开发流程：
1.）代码输入（design input)用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码 语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL MENTOR RENIOR 图形输入: composer(cadence);viewlogic(viewdraw)2.）电路仿真（circuit simulation)将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确 数字电路仿真工具：
Verolog： CADENCE Verolig-XL SYNOPSYS VCS MENTOR Modle-sim VHDL : CADENCE NC-vhdl SYNOPSYS VSS MENTOR Modle-sim 模拟电路仿真工具：
AVANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp 3.）逻辑综合（synthesis tools)逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真 中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再 仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目）
13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元 素？（仕兰微面试题目）
14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题 目）
16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）
17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）
18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）
19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.（未知）20、什么叫Latchup?（科广试题）
21、什么叫窄沟效应?（科广试题）
22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差 别？（仕兰微面试题目）
23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微
面试题目）
24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转 移特性。（Infineon笔试试题）
25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor.Compare the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.（威 盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）
27、说明mos一半工作在什么区。（凹凸的题目和面试）
28、画p-bulk 的nmos截面图。（凹凸的题目和面试）
29、写schematic note（？），越多越好。（凹凸的题目和面试）30、寄生效应在ic设计中怎样加以克服和利用。（未知）
31、太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公 式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究。IC设计的话需要熟悉的软件: Cadence, Synopsys, Avant，UNIX当然也要大概会操作。
32、unix 命令cp-r, rm,uname。（扬智电子笔试）
2、如何成为IC设计高手？如何提高自己的设计能力？自己的感受是，IC设计不同于一般的板级电子设计，由于流片的投资更大，复杂度更高，系统性更强，所以学习起来也有些更有意思的地方。这里就斗胆跳过基本电子知识的方面，单就一些特别的地方来表达一下个体的感受。
首先，作为初学者，需要了解的是IC设计的基本流程。应该做到以下几点：基本清楚系统、前端、后端设计和验证的过程，IC设计同半导体物理、通信或多媒体系统设计之间的关系，了解数字电路、混合信号的基本设计过程，弄清楚ASIC，COT这些基本的行业模式。窃以为这点对于培养兴趣，建立自己未来的技术生涯规划是十分重要的。学习基本的设计知识，建议读一下台湾CIC的一些设计教材，很多都是经典的总结。
EDA技术的学习：对于IC设计者来说，EDA工具意义重大，透过EDA工具商的推介，能够了解到新的设计理念。国内不少IC设计者，是单纯从EDA的角度被带入IC设计领域的，也有很多的设计者在没有接触到深亚微米工艺的时候，也是通过EDA厂家的推广培训建立基本概念。同时，对一些高难度的设计，识别和选择工具也是十分重要的。如果你希望有较高的设计水平，积累经验是一个必需的过程。经验积累的效率是有可能提高的。以下几点可以参考：
1、学习借鉴一些经典设计，其中的许多细节是使你的设计成为产品时必需注意的。有些可能是为了适应工艺参数的变化，有些可能是为了加速开关过程，有些可能是为了保证系统的稳定性等。通过访真细细观察这些细节，既有收益，也会有乐趣。项目组之间，尤其是项目组成员之间经常交流，可避免犯同样错误。
2、查文献资料是一个好方法。同“老师傅”一同做项目积累经验也较快。如果有机会参加一些有很好设计背景的人做的培训，最好是互动式的，也会有较好的收获。
3、当你初步完成一项设计的时侯，应当做几项检查：了解芯片生产厂的工艺, 器件模型参数的变化,并据此确定进行参数扫描仿真的范围。了解所设计产品的实际使用环境，正确设置系统仿真的输入条件及负载模型。严格执行设计规则和流程对减少设计错误也很有帮助。
4、另外，你需要知识的交流，要重视同前端或系统的交流，深刻理解设计的约束条件。作为初学者，往往不太清楚系统，除了通过设计文档和会议交流来理解自己的设计任务规范，同系统和前端的沟通是IC设计必不可少的。所谓设计技巧，都是在明了约束条件的基础上而言的，系统或前端的设计工程师，往往能够给初学者很多指导性的意见。
5、重视同后端和加工线的交流：IC设计的复杂度太高，除了借助EDA工具商的主动推介来建立概念之外，IC设计者还应该主动地同设计环节的上下游，如后端设计服务或加工服务的工程师，工艺工程师之间进行主动沟通和学习。对于初学者来说，后端加工厂家往往能够为他们带来一些经典的基本理念，一些不能犯的错误等基本戒条。一些好的后端服务公 司，不仅能提供十分严格的Design Kit，还能够给出混合信号设计方面十分有益的指导，帮助初学者走好起步之路。加工方面的知识，对于IC设计的“产品化”更是十分关键。
6、重视验证和测试，做一个“偏执狂”：IC设计的风险比板级电子设计来的更大，因此试验的机会十分宝贵，“偏执狂”的精神，对IC设计的成功来说十分关键。除了依靠公司成熟的设计环境，Design Kit和体制的规范来保证成功之外，对验证的重视和深刻理解，是一个IC设计者能否经受压力和享受成功十分关键的部分。由于流片的机会相对不多，因此找机会更多地参与和理解测试，对产品成功和失败的认真总结与分析，是一个IC设计者成长的必经之路。
同行交流以及工作环境的重要性：IC设计的复杂性和技术的快速发展，使得同行之间的交流十分关键，多参与一些适合自己水平的讨论组和行业会议，对提高水平也是十分有益的。通过同行之间的交流，还可以发现环境对于IC设计水平的重要影响。公司的财力，产品的方向，项目的难度，很大程度上能够影响到一个设计者能够达到的最高水平。辩证地认识自己的技术提高和环境之间的相互关系，将是国内的设计者在一定的阶段会遇到的问题.芯片封装术语
1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip 用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心 距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad 表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片 焊技术。
9、DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).11、DIL(dual in-line)DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(dual in-line package)双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(dual tape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(dual tape carrier package)同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
17、flip-chip 倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。20、CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高 速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑 LSI 电路。
LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗 小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计 今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
28、L－QUAD 陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚(0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分 为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。30、MFP(mini flat package)小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷 条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产。
33、MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
35、P－(plastic)表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引 脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。40、piggy back 驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制 品，市场上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PCLP、P －LCC 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出J 形引 脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分 LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字。也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小 于QFP。日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外，还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有陶 瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。另外，有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱。QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。在逻辑LSI 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqad)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。50、QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用的 名称(见TCP)。
53、QUIL(quad in-line)QUIP 的别称(见QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中 心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
55、SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
56、SH－DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
57、SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
58、SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM 都装配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。60、SK－DIP(skinny dual in-line package)DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。61、SL－DIP(slim dual in-line package)DIP 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。62、SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。63、SO(small out-line)SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。64、SOI(small out-line I-leaded package)I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引脚数 26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM)。67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。69、SOF(small Out-Line package)小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8～44。另外，引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP；装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。70、SOW(Small Outline Package(Wide-Jype))宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
目前，集成电路蓬勃发展，在集成电路设计项目中，一套好的管理流程对项目的成败和实施效率至关重要。项目管理的基本流程包括为市场调研评估，需求分析，方案制定，文档设计，代码设计，验证，综合，仿真，总结等步骤。1）市场调研与项目评估
指项目立项之初对市场前景所作的市场分析与预测。在项目分析并立项后，则依据立项分析报告到进入到项目具体的需求分析阶段。2）项目准备
2.1）需求分析
对项目进行功能、性能、接口、方案、预期困难等方面的分析，从技术上进一步探讨项目实现的可能性和需求准备。2.2）方案设计
在完成对项目的详细的需求分析后，可以开始进行项目的具体实现方案设计，并依据需求分析，制定一个或多个方案以供讨论选择。
以上两步均为项目的准备阶段。在这个阶段除了需要确定具体的实施方案，还需要完成对项目实施时的项目规划书等指导性文档设计。3）项目实施
在项目准备的阶段制定了详细的实施方案后，开始进入到项目的实施阶段。这也是项目进展的最主要阶段。
在实施阶段之初，根据已制定的项目规划书，组建设计团队，介绍项目背景，明确管理规范，制定设计规则，确定交流方式，分配设计任务等组织活动，确保项目在实施中可以在同一个管理平台上透明和高效运作。
项目实施过程主要包含以下几个方面流程内容： 3.1）文档设计
文档设计是项目在公司中具有可继承性的重要保证，也是在各层次的代码设计中减少设计错误，提高设计效率的重要环节。事实上，在项目设计过程中，文档设计相当重要，约占设计环节的60%的时间，其余40%的时间则用于实现具体的代码设计、仿真与验证等。
文档设计重点在于对所承担模块的电路描述书设计，同时还应包括对所承担任务的任务规划书设计，仿真测试说明书，及任务的周报，月报等内容，流程如下所示：
在设计任务分配下达到设计工程师后，各工程师需要依据项目要求制定合理的任务规划书，具体说明任务进展的哪个阶段将完成哪些事情，将会出现的接口关系，并对预期出现的困难做出评估和提出解决措施等。
各任务规划书作为整体项目运作的有机组成部分，经由项目经理审核通过后，就作为各工程师所承担工程任务进度的指导性文档。在项目进展中，依据工程进展，可以对初期制定的任务规划书进行调整和维护，但原则上工程进度不能超出规定时间的最后完成期限。如有任务可能推延的情况出现（如任务进行时出现早期没有预见到的困难），则应在规划书调整时提前说明，并及时反馈到项目经理处，以便及早采取解决措施。一般来说，接手一项新任务后，制定一份成熟详细的模块设计类的规划书的约需1~2周时间。稍复杂些的模块设计规划则可能需要多一些的时间。举例而言，依据性能需求，假若制定一份MD5算法模块设计的可行的规划书需要一天，而制定ECC或RSA算法模块设计的规划书则可能需要1周时间。制定成熟可行的规划，建立在对任务的详细分析的基础上。
电路设计说明书主要是对模块或体系电路的具体的实现过程的描述，它要求详细到对模块内每一根信号的实现过程和控制的说明。电路设计说明书原则上需要达到仅依据设计说明就可进行电路设计。
电路设计说明文档是每个设计公司都很重视的重要的具可继承性的设计文档，是一个公司内的重要的设计成果积累和设计参考文献。也是每个软硬件设计工程师所应该具备的最基本的工作技能。
在进行电路设计说明的同时，即可考虑对所设计电路的测试验证计划和方法，并以此完成对所设计电路的测试验证的说明文档。测试和验证说明书一般要求根据电路功能和性能需求，具体的说明测试的目标，方法，测试环境，预期结果，激励设计的注意事项等方面内容。在进行以上的相关设计文档过程中，可随时进行项目组内的设计交流和沟通，并需要及时将关键的进展情况反馈给项目经理处。在文档设计工作完成后，即可进入具体的功能代码设计阶段。并依据设计流程直到实现最后的流片。在一个项目完成后，项目总结必不可少,不另赘述。
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