晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

第一篇：晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程.txt-两个人同时犯了错，站出来承担的那一方叫宽容，另一方欠下的债，早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。A.晶圆封装测试工序

一、IC检测

1.缺陷检查Defect Inspection 2.DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。3.CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。

二、IC封装

1.构装（Packaging）

IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。(1 晶片切割（die saw）

晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。

欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。(2 黏晶（die mount / die bond）

黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。(3 焊线（wire bond）

IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。(4 封胶（mold）

封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。(5 剪切/成形（trim / form）

剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。

(6 印字（mark）及电镀（plating）

印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。(7 检验（inspection）

晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中项目包括诸如：外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。(8 封装

制程处理的最后一道手续，通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路，再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳，并测试集成电路功能是否正常。2.测试制程（Initial Test and Final Test）(1 芯片测试（wafer sort）(2 芯片目检（die visual）(3 芯片粘贴测试（die attach）(4 压焊强度测试（lead bond strength）(5 稳定性烘焙（stabilization bake）(6 温度循环测试（temperature cycle）(7 离心测试（constant acceleration）(8 渗漏测试（leak test）(9 高低温电测试(10 高温老化（burn-in）

(11 老化后测试（post-burn-in electrical test B.半导体制造工艺流程

NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗—— UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC 检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发—— 贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：

编批——擦片 ——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）—— GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理 ——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试 ——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：

编批——擦片——前处理——一次氧化——QC 检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一硼注入——前处理——基区扩散——后处理——QC检查（Xj、R□）——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化与扩散——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）—— 后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查 ——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批 ——中测——中测检查——入中间库。

变容管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查—— N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理—— CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——铝反刻——QC检查——前处理 ——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。

P+扩散时间越长，相同条件下电容越小。稳压管（N衬底）制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——P+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——硼注入——前处理——铝下 UDO——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——扩散测试（反向测试）——前处理——是否要P+追扩——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——大片测试——中测。P+扩散时间越长，相同条件下反向击穿电压越高。肖特基二极管基本的制造工艺流程为：

编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——P+光刻——QC检查——硼注入——前处理——P+扩散与氧化——QC检查（Xj，R□，tox）——三次光刻——QC检查——前处理——铬溅射前泡酸——铬溅射——QC检查（tcr）——先行片热处理——先行片后处理——特性检测（先行片：VBR，IR）——热处理——后处理——特性测试（VBR，IR）——前处理——钛/铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金先行（VBR，IR）——氮气合金——特性测试（VBR，IR）——大片测试——中测——反向测试（抗静电测试）——中测检验 ——如中转库。

第二篇：2018年12吋存储晶圆制造基地项目可行性研究报告(目录)

2018年12吋存储晶圆制造基地项

目可行性研究报告

编制单位：北京智博睿投资咨询有限公司

本报告是针对行业投资可行性研究咨询服务的专项研究报告，此报告为个性化定制服务报告，我们将根据不同类型及不同行业的项目提出的具体要求，修订报告目录，并在此目录的基础上重新完善行业数据及分析内容，为企业项目立项、申请资金、融资提供全程指引服务。

可行性研究报告是在招商引资、投资合作、政府立项、银行贷款等领域常用的专业文档，主要对项目实施的可能性、有效性、如何实施、相关技术方案及财务效果进行具体、深入、细致的技术论证和经济评价，以求确定一个在技术上合理、经济上合算的最优方案和最佳时机而写的书面报告。

可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投

资管理中，可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。在此基础上，综合论证项目建设的必要性，财务的盈利性，经济上的合理性，技术上的先进性和适应性以及建设条件的可能性和可行性，从而为投资决策提供科学依据。

投资可行性报告咨询服务分为政府审批核准用可行性研究报告和融资用可行性研究报告。审批核准用的可行性研究报告侧重关注项目的社会经济效益和影响；融资用报告侧重关注项目在经济上是否可行。具体概括为：政府立项审批，产业扶持，银行贷款，融资投资、投资建设、境外投资、上市融资、中外合作，股份合作、组建公司、征用土地、申请高新技术企业等各类可行性报告。

报告通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究调查，在行业专家研究经验的基础上对项目经济效益及社会效益进行科学预测，从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。

报告用途：发改委立项、政府申请资金、申请土地、银行贷款、境内外融资等

关联报告：

12吋存储晶圆制造基地项目建议书 12吋存储晶圆制造基地项目申请报告

12吋存储晶圆制造基地项目资金申请报告 12吋存储晶圆制造基地项目节能评估报告 12吋存储晶圆制造基地项目市场研究报告 12吋存储晶圆制造基地项目商业计划书

12吋存储晶圆制造基地项目PPP物有所值评价报告 12吋存储晶圆制造基地项目PPP财政承受能力论证报告 12吋存储晶圆制造基地项目PPP实施方案

可行性研究报告大纲（具体可根据客户要求进行调整）第一章 12吋存储晶圆制造基地项目总论第一节 12吋存储晶圆制造基地项目概况 1.1.112吋存储晶圆制造基地项目名称 1.1.212吋存储晶圆制造基地项目建设单位 1.1.312吋存储晶圆制造基地项目拟建设地点 1.1.412吋存储晶圆制造基地项目建设内容与规模 1.1.512吋存储晶圆制造基地项目性质

1.1.612吋存储晶圆制造基地项目总投资及资金筹措 1.1.712吋存储晶圆制造基地项目建设期

第二节 12吋存储晶圆制造基地项目编制依据和原则 1.2.112吋存储晶圆制造基地项目编辑依据 1.2.212吋存储晶圆制造基地项目编制原则 1.312吋存储晶圆制造基地项目主要技术经济指标

1.412吋存储晶圆制造基地项目可行性研究结论第二章 12吋存储晶圆制造基地项目背景及必要性分析第一节 12吋存储晶圆制造基地项目背景 2.1.112吋存储晶圆制造基地项目产品背景 2.1.212吋存储晶圆制造基地项目提出理由第二节 12吋存储晶圆制造基地项目必要性

2.2.112吋存储晶圆制造基地项目是国家战略意义的需要

2.2.212吋存储晶圆制造基地项目是企业获得可持续发展、增强市场竞争力的需要

2.2.312吋存储晶圆制造基地项目是当地人民脱贫致富和增加就业的需要

第三章 12吋存储晶圆制造基地项目市场分析与预测第一节产品市场现状第二节市场形势分析预测第三节行业未来发展前景分析

第四章 12吋存储晶圆制造基地项目建设规模与产品方案第一节 12吋存储晶圆制造基地项目建设规模第二节 12吋存储晶圆制造基地项目产品方案

第三节 12吋存储晶圆制造基地项目设计产能及产值预测第五章 12吋存储晶圆制造基地项目选址及建设条件第一节 12吋存储晶圆制造基地项目选址 5.1.112吋存储晶圆制造基地项目建设地点

5.1.212吋存储晶圆制造基地项目用地性质及权属 5.1.3土地现状

5.1.412吋存储晶圆制造基地项目选址意见第二节 12吋存储晶圆制造基地项目建设条件分析 5.2.1交通、能源供应条件 5.2.2政策及用工条件 5.2.3施工条件 5.2.4公用设施条件第三节原材料及燃动力供应 5.3.1原材料 5.3.2燃动力供应

第六章技术方案、设备方案与工程方案第一节项目技术方案 6.1.1项目工艺设计原则 6.1.2生产工艺第二节设备方案

6.2.1主要设备选型的原则 6.2.2主要生产设备 6.2.3设备配置方案 6.2.4设备采购方式第三节工程方案 6.3.1工程设计原则

6.3.212吋存储晶圆制造基地项目主要建、构筑物工程方案 6.3.3建筑功能布局 6.3.4建筑结构

第七章总图运输与公用辅助工程第一节总图布置 7.1.1总平面布置原则 7.1.2总平面布置 7.1.3竖向布置

7.1.4规划用地规模与建设指标第二节给排水系统 7.2.1给水情况 7.2.2排水情况第三节供电系统第四节空调采暖第五节通风采光系统第六节总图运输

第八章资源利用与节能措施第一节资源利用分析 8.1.1土地资源利用分析 8.1.2水资源利用分析 8.1.3电能源利用分析第二节能耗指标及分析

第三节节能措施分析 8.3.1土地资源节约措施 8.3.2水资源节约措施 8.3.3电能源节约措施第九章生态与环境影响分析第一节项目自然环境 9.1.1基本概况 9.1.2气候特点 9.1.3矿产资源第二节社会环境现状 9.2.1行政划区及人口构成 9.2.2经济建设

第三节项目主要污染物及污染源分析 9.3.1施工期 9.3.2使用期

第四节拟采取的环境保护标准 9.4.1国家环保法律法规 9.4.2地方环保法律法规 9.4.3技术规范第五节环境保护措施 9.5.1施工期污染减缓措施 9.5.2使用期污染减缓措施

9.5.3其它污染控制和环境管理措施第六节环境影响结论

第十章 12吋存储晶圆制造基地项目劳动安全卫生及消防第一节劳动保护与安全卫生 10.1.1安全防护 10.1.2劳动保护 10.1.3安全卫生第二节消防

10.2.1建筑防火设计依据 10.2.2总面积布置与建筑消防设计 10.2.3消防给水及灭火设备 10.2.4消防电气第三节地震安全

第十一章组织机构与人力资源配置第一节组织机构

11.1.1组织机构设置因素分析 11.1.2项目组织管理模式 11.1.3组织机构图第二节人员配置

11.2.1人力资源配置因素分析 11.2.2生产班制 11.2.3劳动定员

表11-1劳动定员一览表 11.2.4职工工资及福利成本分析表11-2工资及福利估算表第三节人员来源与培训

第十二章 12吋存储晶圆制造基地项目招投标方式及内容第十三章 12吋存储晶圆制造基地项目实施进度方案第一节 12吋存储晶圆制造基地项目工程总进度第二节 12吋存储晶圆制造基地项目实施进度表第十四章投资估算与资金筹措第一节投资估算依据

第二节 12吋存储晶圆制造基地项目总投资估算

表14-112吋存储晶圆制造基地项目总投资估算表单位：万元第三节建设投资估算

表14-2建设投资估算表单位：万元第四节基础建设投资估算

表14-3基建总投资估算表单位：万元第五节设备投资估算

表14-4设备总投资估算单位：万元第六节流动资金估算

表14-5计算期内流动资金估算表单位：万元第七节资金筹措第八节资产形成

第十五章财务分析第一节基础数据与参数选取

第二节营业收入、经营税金及附加估算

表15-1营业收入、营业税金及附加估算表单位：万元第三节总成本费用估算

表15-2总成本费用估算表单位：万元第四节利润、利润分配及纳税总额预测

表15-3利润、利润分配及纳税总额估算表单位：万元第五节现金流量预测表15-4现金流量表单位:万元第六节赢利能力分析 15.6.1动态盈利能力分析 16.6.2静态盈利能力分析第七节盈亏平衡分析第八节财务评价表15-5财务指标汇总表

第十六章 12吋存储晶圆制造基地项目风险分析第一节风险影响因素 16.1.1可能面临的风险因素 16.1.2主要风险因素识别第二节风险影响程度及规避措施 16.2.1风险影响程度评价

16.2.2风险规避措施第十七章结论与建议

第一节 12吋存储晶圆制造基地项目结论第二节 12吋存储晶圆制造基地项目建议

第三篇：2018年6英寸砷化镓晶圆制造项目可行性研究报告(目录)

2018年6英寸砷化镓晶圆制造项目

可行性研究报告

编制单位：北京智博睿投资咨询有限公司

可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投

报告用途：发改委立项、政府申请资金、申请土地、银行贷款、境内外融资等

关联报告：

6英寸砷化镓晶圆制造项目建议书 6英寸砷化镓晶圆制造项目申请报告

6英寸砷化镓晶圆制造项目资金申请报告 6英寸砷化镓晶圆制造项目节能评估报告 6英寸砷化镓晶圆制造项目市场研究报告 6英寸砷化镓晶圆制造项目商业计划书

6英寸砷化镓晶圆制造项目PPP物有所值评价报告 6英寸砷化镓晶圆制造项目PPP财政承受能力论证报告 6英寸砷化镓晶圆制造项目PPP实施方案

可行性研究报告大纲（具体可根据客户要求进行调整）第一章 6英寸砷化镓晶圆制造项目总论第一节 6英寸砷化镓晶圆制造项目概况 1.1.16英寸砷化镓晶圆制造项目名称 1.1.26英寸砷化镓晶圆制造项目建设单位 1.1.36英寸砷化镓晶圆制造项目拟建设地点 1.1.46英寸砷化镓晶圆制造项目建设内容与规模 1.1.56英寸砷化镓晶圆制造项目性质

1.1.66英寸砷化镓晶圆制造项目总投资及资金筹措 1.1.76英寸砷化镓晶圆制造项目建设期

第二节 6英寸砷化镓晶圆制造项目编制依据和原则 1.2.16英寸砷化镓晶圆制造项目编辑依据 1.2.26英寸砷化镓晶圆制造项目编制原则 1.36英寸砷化镓晶圆制造项目主要技术经济指标

1.46英寸砷化镓晶圆制造项目可行性研究结论第二章 6英寸砷化镓晶圆制造项目背景及必要性分析第一节 6英寸砷化镓晶圆制造项目背景 2.1.16英寸砷化镓晶圆制造项目产品背景 2.1.26英寸砷化镓晶圆制造项目提出理由第二节 6英寸砷化镓晶圆制造项目必要性

2.2.16英寸砷化镓晶圆制造项目是国家战略意义的需要

2.2.26英寸砷化镓晶圆制造项目是企业获得可持续发展、增强市场竞争力的需要

2.2.36英寸砷化镓晶圆制造项目是当地人民脱贫致富和增加就业的需要

第三章 6英寸砷化镓晶圆制造项目市场分析与预测第一节产品市场现状第二节市场形势分析预测第三节行业未来发展前景分析

第四章 6英寸砷化镓晶圆制造项目建设规模与产品方案第一节 6英寸砷化镓晶圆制造项目建设规模第二节 6英寸砷化镓晶圆制造项目产品方案

第三节 6英寸砷化镓晶圆制造项目设计产能及产值预测第五章 6英寸砷化镓晶圆制造项目选址及建设条件第一节 6英寸砷化镓晶圆制造项目选址 5.1.16英寸砷化镓晶圆制造项目建设地点

5.1.26英寸砷化镓晶圆制造项目用地性质及权属 5.1.3土地现状

5.1.46英寸砷化镓晶圆制造项目选址意见第二节 6英寸砷化镓晶圆制造项目建设条件分析 5.2.1交通、能源供应条件 5.2.2政策及用工条件 5.2.3施工条件 5.2.4公用设施条件第三节原材料及燃动力供应 5.3.1原材料 5.3.2燃动力供应