2018年技能高考电气类《晶体三极管和单级低频小信号放大器》试题含答案

第一篇：2018年技能高考电气类《晶体三极管和单级低频小信号放大器》试题含答案

：级班 ：号考 ：名姓《晶体三极管和单级低频小信号放大器》试题

时间：60分钟

总分：

分

班级：

班

命题人：

一、判断题

1.晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。

（正确）

2.晶体三极管按结构分: NPN、PNP。

（正确）

3.晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是锗NPN和硅PNP两种三极管。

（错误）

4.晶体三极管功率分：小功率管、中功率管、大功率管。

（正确）

5.晶体三极管三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

（正确）

6.晶体三极管的管脚分别是发射极、门极、集电极。

（错误）

7.在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄。

（正确）

8.晶体三极管是线性器件，可用作开关或者放大器件。

（错误）

9.晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。

（错误）

10.晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，射极和集电极可相互调换使用。

（错误）

11.通常的BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。

（错误）

12.三极管有三个工作区，分别是饱和区、放大区、截止区。

（正确）

13.三极管是构成放大器的核心，模拟电路中，若要信号不失真，三极管应该工作在放大区。

（正确）

14.模拟电路中，三极管用作开关器件。

（错误）

15.晶体三极管是非线性器件。

（正确）

16.晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。（正确）

17.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。

（错误）

18.三极管是构成放大器的核心，三极管器件具有电压放大作用。

（错误）

19.当三极管发射结、集电结都反向偏置时具有放大作用。

（错误）

20.当三极管发射结、集电结都正向偏置时具有放大作用。

（错误）

21.放大电路中，硅三极管发射结工作电压是0.3V。

（错误）

22.放大电路中，硅三极管发射结工作电压是0.7V。

（正确）

23.放大电路中，锗三极管发射结工作电压是0.3V。

（正确）

24.放大电路中，锗三极管发射结工作电压是0.5V。

（错误）

25.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。

（错误）

26.晶体三极管集电极和基极上的电流一定能满足Ic=βIb的关系。

（错误）

27.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。

（错误）

28.共射组态基本放大电路是输入信号加在基极和发射极之间。

（正确）

29.电压放大电路中的电容器，起的作用是隔直流通交流。

（正确）

30.三极管放大电路中，静态是指无信号输入。

（正确）

31.放大电路的三种组态，都有功率放大作用。

（正确）

32.晶体管的放大作用主要体现在电流放大。

（正确）

33.当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流近似为为零，集电极电流和发射极电流都近似为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。

（正确）

34.放大电路主要利用三极管的控制作用放大微弱信号，输出信号在电压或电流的幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。

（正确）

35.基本放大电路，输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。

（正确）

36.放大电路工作点不稳定的原因，主要是元件参数的影响。

（错误）

37.温度升高, 三极管的输入特性曲线向左移，UBE减小。

（正确）

38.当温度升高时，三极管的集电极电流IC增大，电流放大系数β减小。

（错误）

39.当温度升高时，三极管的输出特性曲线向上移，电流放大系数β增大。

（正确）

40.静态工作点过高会产生截止失真。

（错误）

41.三极管在安全工作区的极限参数是集电极最大允许电流、集电极最大允许功率损耗、基极开路时集电极与发射极间反向击穿电压。

（正确）

42.交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示信号的变化情况，交流分量表示静态工作点。

（错误）

43.三极管放大电路中RC可有可无，不影响放大结果。

（错误）

44.共集电极放大电路也叫做射极输出器，共集电极放大电路的输入信号与输出信号同相。

（正确）

45.基极电流Ib的数值较大时，易引起静态工作点Q接近饱和区。

（正确）

46.分压偏置式共射极放大器中，基极采用分压偏置的目的是为了提高输入电阻。（错误）47.在共射极放大器中，电路其他参数不变，仅改变电源电压Vcc，电压放大倍数不会改变。

（正确）

48.三极管放大电路中，增大RB，其它参数不变，静态工作点Q接近饱和区。

（错误）49.三极管放大电路中，增大RC，其它参数不变，静态工作点Q接近饱和区。

（正确）50.三极管放大电路中，当 ui较小时，为减少功耗和噪声，静态工作点可设得低一些。（正确）

51.三极管放大电路中，为获得较大的动态范围，静态工作点可设在交流负载线中点。（正确）

52.三极管放大电路中，当实际功耗PC大于最大允许集电极耗散功率PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。

（正确）

二、单选题

1.晶体三极管放大电路，既能放大电压，也能放大电流的电路是(A)。A.共发射极

B.共集电极

C.共基极

D.共漏极 2.晶体三极管共发射极放大电路具有的作用。

（C）

A.仅放大

B.仅反相

C.放大与反相

D.电压跟随 3.放大电路的静态是指（B）。A.输入直流信号为零时的状态

B.输入交流信号为零时的状态

C.输入交直流信号为零时的状态

D.输入交流信号不为零时的状态

4.基本放大电路中，放大（C）信号是电路的工作目的。A.交流和直流

B.直流

C.交流

D.高频脉冲 5.基本放大电路中，经过晶体三极管的信号有（D）。A.高频脉冲成分

B.直流成分

C.交流成分

D.交直流成分均有

6.放大电路的交流通路是指（C）

A.电压回路

B.电流通过的路径

C.交流信号流通的路径

D.直流信号流通的路径 7.三极管的输出特性曲线中，每一条曲线与（C）对应。

A.输入电压

B.基极电压

C.基极电流

D.输出电压 8.三极管的伏安特性是指它的（C）。

A.输入特性

B.输出特性

C.输入特性与输出特性

D.输入信号与电源关系

9.为了增大放大电路的动态范围，其静态工作点应选择（C）。

A.截止点

B.饱和点

C.交流负载线的中点

D.直流负载线的中点

10.放大电路的直流负载线是指(B)条件下的交流负载线。A.RL=0

B.RL=∞

C.RL=RC D.RL=RB 11.电压放大电路的空载是指（C）

A.RC=0

B.RL=0

C.RL=∞

D.RB =∞ 12.温度升高时，三极管的电流放大倍数β值会（C）。A.不变

B.变小

C.变大

D.不确定 13.温度降低时，三极管的电流放大倍数β值会（B）。A.不变

B.变小

C.变大

D.不确定

14.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于75μA,正常工作时它的集电极电流为（A）。

A.0.925mA

B.0.75 mA

C.1.075 mA

D.1.75 mA 15.某三极管的发射极电流等于1.025mA，基极电流等于25μA,正常工作时它的电流放大

倍数β值为（B）。

A.30

B.40

C.41

D.51

16.测得某三极管集电极电流是2mA，发射极电流2.02mA，则该管的直流电流放大系数是（D）。

A.0.02

B.1

C.50

D.100

17.三极管在组成放大器时，根据公共端的不同，连接方式有（C）种。A.1

B.2

C.3

D.4

18.在阻容耦合放大器中，耦合电容的作用是(A)。

A.隔断直流，传送交流

B.隔断交流，传送直流

C.传送交流和直流

D.隔断交流和直流

19.为了放大缓慢变化的非周期信号或直流信号,放大器之间应采用(C)。A.阻容耦合电路

B.变压器耦合电路

C.直接耦合电路

D.二极管耦合电路

20.共射极放在电路的输入信号加在三极管（A）之间。

A.基极和发射极

B.基极和集电极

C.发射极和集电极

D.基极和电源 21.共射极放大电路的输出信号是取自于三极管（C）之间。

A.基极和发射极

B.基极和集电极

C.集电极和发射极

D.基极和电源

22.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（C）。

A.83

B.91

C.100

D.110

23.在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（B）

A.NPN管的发射极

B.NPN管的集电极

C.PNP管的基极

D.PNP管的集电极 24.用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（A）。A.饱和

B.放大

C.截止

D.短路

25.测得某放大电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（C）。

A.(E、B、C)

B.(B、C、E)

C.(B、E、C)

D.（C、B、E）

26.测得某放大电路中三极管各极电位分别是0V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（C）。

A.(E、C、B)

B.(C、B、E)

C.(B、C、E)

D.(B、E、C)

27.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为（B）。

A.硅PNP型

B.硅NPN型

C.锗PNP型

D.锗NPN型

28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为4V、3.7V和8V，则该三极管的类型为（D）。

A.硅PNP型

B.硅NPN型

C.锗PNP型

D.锗NPN型

29.使用三极管时，如果集电极功耗超过该三极管最大集电极耗散功率PCM，可能会发生（C）情况。A.击穿

B.正常工作

C.烧坏

D.β变小

30.测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA，3.66mA 和3.6mA。则该管的β约为（D）。

A.30

B.40

C.50

D.60

31.测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.03mA，3mA 和3.03mA。则该管的β约为（A）。A.100 B.60

C.50

D.40 32.在一个放大电路中，测得某三极管各极对地的电位为U1=3V，U2=-3V，U3=-2.7V，则可知该管为（C）。

A.PNP锗管

B.NPN硅管

C.NPN锗管

D.PNP硅管

33.已知某三极管的C、B、E三个电极电位为10V,2.3V,2V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（A）。

A.NPN型，放大状态

B.PNP型，截止状态

C.NPN型，饱和状态

D.PNP型，放大状态

34.已知某三极管的C、B、E三个电极电位为2V, 6.3V, 7V, 则可判断该三极管的类型及工作状态为（D）。

A.NPN型，放大状态

B.PNP型，截止状态

C.NPN型，饱和状态

D.PNP型，放大状态

35.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）。

A.饱和失真

B.截止失真

C.交越失真

D.饱和失真和截止失真 36.共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（A）失真。A.饱和

B.截止

C.交越

D.频率 37.静态工作点过高会产生（B）失真。A.交越

B.饱和

C.截止

D.饱和和截止

38.静态工作点过低会产生（C）失真。A.交越

B.饱和

C.截止

D.饱和和截止 39.下图所示电路中，三极管(NPN管为硅管，PNP管为锗管)不是工作在放大状态的是(C)。

40.上题电路中，三极管工作在放大状态的NPN型硅管是(A)。

41.已知某晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，UCEO=15V，在下列工作条件下，正常工作的是（B）。

A.UCE=2V，IC=40mA

B.UCE=3V，IC=10mA

C.UCE=4V，IC=30mA D.UCE=6V，IC=25mA

42.在基本单管共射放大器中，集电极电阻RC的作用是（B）。

A.限制集电极电流

B.将三极管的电流放大作用转换成电压放大作用

C.没什么作用

D.将三极管的电压放大作用转换成电流放大作用

第二篇：单级低频小信号放大电路

单级低频小信号放大电路

一、理解电路原理、和的作用：的作用：、组成什么反馈：什么作用：组成什么反馈：什么作用：的作用：的作用：的作用：

二、实验结果、测出三极管

极对地电位，判断三极管工作区域、输入端接，峰峰值为的正弦波，测出输出端的峰峰值，算出放大倍数：去掉，输入端接，峰峰值为的正弦波，测出输出端的峰峰值，算出放大倍数：哪个放大倍数大：、输入端接，峰峰值慢慢变大的正弦波，查看输出端波形变化，出现什么现象？、输入端接，峰峰值的正弦波，调节，查看输出端波形变化，出现什么现象？

第三篇：2018年技能高考电气类《集成运算放大器》试题含答案

：级班 ：号考 ：名姓《集成运算放大器》试题

时间：60分钟

总分：

分

班级：

班

命题人：

一、判断题

1.按反馈的信号极性分类，反馈可分为正反馈和负反馈。

（正确）

2.负反馈使输出起到与输入相反的作用，使系统输出与系统目标的误差增大，使系统振荡。

（错误）

3.若反馈信号与输入信号极性相同或变化方向同相，则两种信号混合的结果将使放大器的净输入信号大于输出信号，这种反馈叫正反馈。正反馈主要用于信号产生电路。（正确）4.正反馈使输出起到与输入相似的作用，使系统偏差不断增大，使系统振荡，可以放大控制作用。

（正确）

5.反馈信号与输入信号极性相反或变化方向相反，则叠加的结果将使净输入信号减弱，这种反馈叫负反馈。（正确）

6.放大电路通常采用负反馈技术。

（正确）

7.负反馈的取样一般采用电流取样或电压取样。

（正确）

8.反馈按取样方式的不同，分为电阻反馈和电流反馈。

（错误）

9.负反馈有其独特的优点，在实际放大器中得到了广泛的应用，它改变了放大器的性能。采用负反馈使得放大器的闭环增益趋于稳定。

（正确）

10.正反馈使得放大器的闭环增益趋于稳定。

（错误）

11.线性运算电路中一般均引入负反馈。

（正确）

12.在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（错误）

13.使净输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（正确）

14.集成运放处于开环状态，这时集成运放工作在非线性区。

（正确）

15.运算电路中一般引入正反馈。

（错误）

16.集成运放只能够放大直流信号，不能放大交流信号。

（错误）

17.集成运放在实际运用中一般要引入深度负反馈。

（正确）

18.集成运算放大电路是一种阻容耦合的多级放大电路。

（错误）

19.集成运放的“虚断”是指运放的同相输入端和反相输入端的电流趋于零，好像断路一样，但却不是真正的断路。（正确）

20.若放大电路的放大倍数为负值，则引入的反馈一定是负反馈。

（错误）

21.电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（正确）

22.只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

（错误）

23.反相比例运算电路中集成运放反相输入端为“虚地”。

（正确）

24.集成运算放大电路产生零点漂移的主要原因是晶体管参数受温度的影响。

（正确）25.实际集成运算放大电路的开环电压增益非常大，可以近似认为A=∞。

（正确）

26.实际集成运算放大电路的开环电压增益非常小，可以近似认为A=0。

（错误）

27.“虚短”和“虚断”是分析集成运放工作在线性区的两条重要依据。

（正确）

28.负反馈可以大大减少放大器在稳定状态下所产生的失真。

（正确）

29.理想的差动放大电路，即能放大差模信号，也能放大共模信号。

（错误）

30.由集成运放和外接电阻、电容构成比例、加减、积分和微分的运算电路工作在线性工作范围。

（正确）

二、单选题

1.理想集成运放具有以下特点：（B）。

A.开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞

B.开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0 C.开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞

D.开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0 2.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（D），则说明引入的反馈是负反馈。A.输入电阻增大

B.输出量增大

C.净输入量增大

D.净输入量减小 3.负反馈能抑制（B）。

A.输入信号所包含的干扰和噪声

B.反馈环内的干扰和噪声

C.反馈环外的干扰和噪声

D.输出信号中的干扰和噪声

4.对于集成运算放大电路，所谓开环是指（B）。A.无信号源

B.无反馈通路

C.无电源

D.无负载 5.对于集成运算放大电路，所谓闭环是指（D）。A.考虑信号源内阻

B.接入负载

C.接入电源

D.存在反馈通路 6.下面关于线性集成运放说法错误的是（D）。

A.用于同相比例运算时，闭环电压放大倍数总是大于等于1。

B.一般运算电路可利用“虚短”和“虚断”的概念求出输入和输出的关系

C.在一般的模拟运算电路中往往要引入负反馈

D.在一般的模拟运算电路中，集成运放的反相输入端总为“虚地” 7.集成运放级间耦合方式是(B)。

A.变压器耦合B.直接耦合 C.阻容耦合 D.光电耦合 8.同相比例运算电路的比例系数会（A）。

A.大于等于1

B.小于零

C.等于零

D.任意值

9.直接耦合放大器能够放大（C）。

A.只能放大直流信号

B.只能放大交流信号

C.交、直流信号都能放大

D.任何频率范围的信号都能放大 10.下面关于集成运放理想特性叙述错误的是（C）。A.输入阻抗无穷大

B.输出阻抗等于零

C.频带宽度很小

D.开环电压放大倍数无穷大

11.反相比例运算电路的电压放大倍数为（A）。A.-Rf/R1

B.R1/Rf

C.1-R1/Rf D.1+Rf/R1 12.同相比例运算电路的电压放大倍数为（D）。A.-Rf/R1

B.R1/Rf

C.1-R1/Rf D.1+Rf/R1

13.用运算放大器构成的“跟随器”电路的输出电压与输入电压（B）。A.相位相同，大小成一定比例

B.相位和大小都相同

C.相位相反，大小成一定比例

D.相位和大小都不同 14.差模输入信号是两个输入信号的（B）。A.和

B.差

C.比值

D.平均值

15.输出量与若干个输入量之和成比例关系的电路称为（A）。

A.加法比例运算电路

B.减法电路

C.积分电路

D.微分电路 16.集成运算放大器，输入端u-与输出端uo的相位关系为(B)。A.同相

B.反相

C.相位差90o

D.相位差270o 17.理想运算放大器的开环电压放大倍数是（A）。

A.无穷大

B.零

C.约120 dB

D.约10 dB 18.理想运算放大器的开环差模输入电阻Rid是(A)。

A.无穷大

B.零

C.约几百千欧

D.约几百欧姆 19.理想运算放大器的共模抑制比为(A)。

A.无穷大

B.零

C.约120 dB

D.约10 dB 20.理想运算放大器的开环输出电阻Ro是（B）。

A.无穷大

B.零

C.约几百千欧

D.约几百欧姆 21.直接耦合电路中存在零点漂移主要是因为（C）。A.晶体管的非线性

B.电阻阻值有误差

C.晶体管参数受温度影响

D.静态工作点设计不当

22.在集成运算放大电路中，为了稳定电压放大倍数，通常应引入（B）负反馈。A.直流

B.交流

C.串联

D.并联

23.在集成运算放大电路中，为了稳定静态工作点，通常应引入（A）负反馈。A.直流

B.交流

C.串联

D.并联

24.为了使放大器带负载能力强，通常引入（A）负反馈。A.电压

B.电流

C.串联

D.并联 25.引入并联负反馈，可使放大器的（C）。A.输出电压稳定

B.反馈环内输入电阻增加 C.反馈环内输入电阻减小

D.输出电流稳定

26.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入（A）。A.电流负反馈

B.电压负反馈

C.直流负反馈

D.交流负反馈 27.欲减小放大电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（A）。A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

28.欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入（D）。

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

29.工作在线性区的运算放大器应置于（A）状态。A.深度负反馈

B.开环

C.闭环

D.正反馈

30.在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输入电阻的负反馈是(B)。A.电压并联负反馈

B.电压串联负反馈

C.电流并联负反馈

D.电流串联负反馈

31.电压并联负反馈对放大器输入电阻和输出电阻的影响是（B）。A.输入电阻变大，输出电阻变小

B.输入电阻变小，输出电阻变小

C.输入电阻变大，输出电阻变大

D.输入电阻变小，输出电阻变大 32.集成运放具有很高的开环电压放大倍数，这得益于（B）。

A.输入级常采用差分放大器

B.中间级由多级直接耦合放大器构成C.输出级常采用射极输出器

D.中间级由多级阻容耦合放大器构成 33.集成运放的主要参数中，不包括以下哪项（D）。

A.输入失调电压

B.开环放大倍数

C.共模抑制比

D.最大工作电流

34.集成运放组成（B）放大器的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流。A．同相比例运算

B．反相比例运算

C．差动

D．开环

35.欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（A）。

A.反相比例运算电路

B.同相比例运算电路

C.积分运算电路

D.微分运算电路

36.集成运算放大电路调零和消振应在（A）进行。

A.加信号前

B.加信号后

C.自激振荡情况下

D.以上情况都不行 37.欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用（A）。

A.加法运算电路

B.减法运算电路

C.积分运算电路

D.微分运算电路

38.集成运算放大器对输入级的主要要求是（C）。A.尽可能高的电压放大倍数

B.尽可能大的带负载能力

C.尽可能高的输入电阻，尽可能小的零点漂移

D.尽可能小的输出电阻 39.集成运算放大器输出级的主要特点是（A）。A.输出电阻低，带负载能力强

B.能完成抑制零点漂移

C.电压放大倍数非常高

D.输出电阻高，带负载能力强

40.集成运算放大器中间级的主要特点是（C）。A.输出电阻低，带负载能力强

B.能完成抑制零点漂移

C.电压放大倍数非常高

D.输出电阻高，带负载能力强

41.集成运算放大器的共模抑制比越大，表示该组件(C)。

A.差模信号放大倍数越大

B.带负载能力越强

C.抑制零点漂移的能力越强

D.共模信号放大倍数越大

42.构成反馈通路的元器件(D)。A.只能是电阻元件

B.只能是电容元件

C.只能是三极管，集成运放等有源器件

D.可以是无源元件，也可以是有源器件

43.同相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于（D）。A.正反馈

B.串联电流负反馈

C.并联电压负反馈

D.串联电压负反馈

44.在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放(C)。A.工作在线性区，降低稳定性

B.工作在非线性区，提高稳定性

C.工作在线性区，提高稳定性

D.工作在非线性区，降低稳定性

第四篇：单级晶体管小信号放大器 - 南京航空航天大学精品课程建设

单级晶体管小信号放大器

一、实验目的

1． 掌握单级放大器的 一种设计方法

2． 掌握晶体管放大器静态工作点的放置与调整方法。3． 掌握放大器性能的测量和调整方法。

二、实验原理

1． 电路工作原理

晶体管放大器中，广泛应用工作点稳定的阻容耦合共射极放大器，如图3-2-1所示

+VccRCRB1+C1+I1UiIBQC2+C0RLU0RB2RE+CE--图3-2-

11静态工作点Q主要由RB1、RB2、RE、RC及电源电压+VCC所决定。该电路利用电阻RB1、RB2的分压○固定基极电位VBQ。如果满足条件I1>>IBQ，当温度升高时，ICQ↑→VEQ↑→VBE↓→IBQ↓→ICQ↓，结果抑制了ICQ的变化，从而获得稳定的静态工作点。

只有当I1>>IBQ时，才能保证VBQ恒定。这是工作点稳定的必要条件，一般取

I1(5~10)IBQ(硅管)

I(10~20)IBQ锗管1

VBQ(3~5)V(硅管)VBQ(1~3)V(锗管)

2此放大器是交流放大器中最常用的一种基本单元电路。交流信号经耦合电容C1加到基极，引起基极电○流作相应的变化，从而控制集电极电流作更大的变化。它将在RC上产生交流电压，通过电容C2馈送到负载电阻RL上。这个输出电压VO比输入电压VI放大了AV倍。为了使放大器正常放大，一定要设置合适的静态工作点Q。Q点应选择在三极管特性曲线的放大区的中间。对于小信号放大器。一般取ICQ=0.5~2mA，电路的静态工作点由下列关系式确定

REVBQVBEICQVBQI1VEQICQ

RB2VBQ(5~10)ICQ



RB1 VCCVBQI1

VCEQVCCICQ(RCRE)

阻容耦合放大器由于有耦合电容C1、C2及旁路电容CE的存在，将使放大器增益AV随信号频率下降而下降，幅频特性曲线如图3-2-2所示。

AvAvm0.707Avm0fLfHf图3-2-

2中间区域放大倍数最大，且基本不变，记为中频放大倍数AVM，而频率高于或低于该区域放大倍数都要下降，当AV下到0.707AVM所对应的频率应为fH和fL，分别是放大器的上限频率和下限频率。AV、fH和fL可按下式计算：

AVRC//RL rbe fH1

2(RC//RL)CO1

2Re'Ce fL

式中RE’=RE//[（RS+RBE）/（1+β）]通常RS

2． 设计举例

设计一阻容耦合单级晶体管放大器

已知 VCC=+12V，RL=1.5KΩ，VI=10MV，f=1kHz的正弦波 要求 ：AV>=40,放大器工作点稳定 解

⑴

确定电路及晶体管

因为只要求放大器工作点稳定及AV>=40而无其它要求，因此可采用图3-2-1所示的分压式偏置共射极放大器，晶体管选用高频小功率管3DC8，通常要求β>AV，故选β=60 ⑵ 计算元件参数

取ICQ=2mA，VBQ=4V得

REVBQVBEICQVBQ1.65K

取标称值1.5kΩ

RB2(5~10)ICQ20K

RB1VCCVBQVBQRB240K

rbe20026mA1.5k

ICQmA RL'AVrbe0.6K  则 RCRL'RL1K

RLRL'对于音频小信号放大器经验是：

输入、输出耦合电容C1、C2通常取（5~20）µF，在此 取10µF 射极旁路电容CE通常取（50~200）µF，在此取100µF，CO取2000pF

三、设计任务

1．预习要求

⑴掌握小信号低频放大器静态工作点的选择原则 ⑵掌握放大器主要指标的定义及其测量方法 2．设计课题：单级晶体管小信号放大器的设计

已知条件：VCC=+12V，RL=10mV，f=1kHz的正弦波 ⑴基本技术指标要求

AV>=50，放大器工作点稳定 ⑵提高性课题

设计一单级放大电路，要求 AV>=50，并能通过此电路观察Q点变化对输出波形的影响

四、实验步骤

1． 在面包板上安装电路，加+12V电源

2． 测量与调整静态工作点，VEQ、VBQ、VCQ使Q点处于三极管的放大区

3． 用低频信号发生器加输入信号，测VO同时用示波器观察VO波形应不失真，计算AV=VO/VI 4． 测放大器的输入阻抗RI，输出阻抗RO ⑴测R/

在信号源与放大器电路之间串接一个10KΩ电阻，如图3-2-4所示

R110k信号源UiUi’Ri放大器

∵Vi'Vi图3-2-4 Ri

R1Ri∴RiVi'R1

ViVi'⑵测RO

如图3-2-5所示，可将放大器等效成一个电压源VO′（即空载输出电压）和RO相串联的信号源，R0U0RLU0'图3-2-5

则 VORLVO'

RORL∴ ROVO'VORL VO

5． 测出上限频率fH和下限频率fL，f=1kHz时，将信号源频率由低向高改变，当VO减小到VO的0.707倍时，所对应的分别是fL、FH。

以上各步骤的结果应满足技术指标要求，若不满足应调整修改元件参数值，并将修改后的元件参数值标在电路图上。

六、实验报告要求

设计性实验报告要求包括： 1． 已知条件 2． 技术指标 3． 实验仪器 4． 电路原理 5． 设计步骤 ⑴选择电路形式

⑵电路设计：对所选电路中的各元件值进行计算式估算，并标于图中 6． 测试与调整。

⑴按技术要求测试数据，并整理列出表格，在方格纸上绘出波形 ⑵故障分析及说明。7． 误差分析 8． 思考题

七、思考题

1． 测量放大器静态工作点时，如果测得VCEQ< 0.5V,说明三极管处于什么工作状态？如果VCEQ≈VCC，三极管又处于什么工作状态？

2． 本实验中若出现图3-2-3 所示失真波形，试判断它们各属于哪种类型的失真？

abc图3-2-

3八、实验仪器与器件

仪器：

器件：、双踪示波器

直流稳压电源

毫伏表、万用表

低频信号发生器

三极管3DG8

电阻

电容 10μF

100μF

1000pF

一台

一台 各一 一台

1只

若干

2只 1只 1只

第五篇：2018年技能高考电气类《晶体二极管及二极管整流电路》试题含答案

允许的值。

：级班 ：号考 ：名姓《晶体二极管及二极管整流电路》试题

时间：60分钟

总分：

分

班级：

班

命题人：

一、判断题

1.半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若提高环境温度导电能力会减弱。（错误）

2.本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（正确）

3.N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（正确）

4.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错误）

5.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错误）

6.晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。

（正确）

7.半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

（正确）

8.二极管具有单向导电性。

（正确）

9.二极管是线性器件。

（错误）

10.二极管和三极管都是非线性器件。

（正确）

11.二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。

（错误）

12.二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（错误）

13.二极管的核心是一个PN结，PN结具有单向导电特性。

（正确）

14.PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。

（错误）

15.二极管两端加上反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。

（正确）

16.二极管的截止特性是其两端的反向电压增加时，而反向电流基本不变。

（正确）

17.二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。

（错误）

18.点接触型二极管其PN结的静电容量小，适用于高频电路。

（正确）

19.整流二极管多为面接触型的二极管，结面积大、结电容大，但工作频率低。

（正确）

20.整流二极管多为点接触型的二极管，结面积小、结电容大，但工作频率低。

（错误）

21.点接触型二极管只能使用于大电流和整流。

（错误）

22.制作直流稳压电源元件中，整流二极管按照制造材料可分为硅二极管和锗二极管。

（正确）

23.半导体二极管按结构的不同，可分为点接触型和面接触型，各自能承受的正向电流值有较大区别。

（正确）

24.晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错误）

25.热击穿和电击穿过程都是不可逆的。

（正确）

26.所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。

（正确）

27.二极管的最高反向工作电压是指整流二极管两端的反向电压不能超过规定的电压所

如超过这个允许值，整流管就可能击穿。

（正确）

28.整流二极管在最高反向工作电压下工作时，反向电流越大，说明整流二极管的单向导电性能越好。

（错误）

29.使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。

（错误）

30.发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。

（正确）

31.稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。

（正确）

32.稳压二极管稳压时它工作在正向导通状态。

（错误）

33.稳压二极管在起稳定作用的范围内，其两端的反向电压值，称为稳定电压。不同型号的稳压二极管，稳定电压是不同的。

（正确）

34.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在反向偏置状态，但其两端电压必须大于它的稳压值Uz，否则处于截止状态。

（正确）

35.稳压管与其它普能二极管不同，其反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常。

（正确）

36.稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。

（正确）

37.整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。

（错误）

38.用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。

（正确）

39.同种工作条件，单相半波整流电路和单相全波整流电路，其二极管承受的反向电压大小一样。

（错误）

40.同种工作条件，单相半波整流电路和单相桥式整流电路，其二极管承受的反向电压大小不同。

（错误）

41.在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（错误）

42.在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。

（正确）

43.在滤波电路中，只有电容滤波电路和电感滤波电路。

（错误）

44.电容滤波器，电容越小，则滤波效果越好。

（错误）

45.电容滤波电路的特点是：纹波成分大大减少，输出的直流电比较平滑，电路简单。

（正确）

46.滤波电路一般是由储能元件组成，主要利用储能特性把脉动直流电变为平滑的直流电。

（正确）

二、单选题

1.本征半导体是（B）。A.掺杂半导体

B.纯净半导体

C.P型半导体

D.N型半导体 2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A.三价；

B.四价；

C.五价；

D.六价。

3.N型半导体是在本征半导体中加入微量的（C）元素构成的。A.三价；

B.四价；

C.五价；

D.六价。4.P型半导体的多数载流子是（B）。

A.电子

B.空穴

C.电荷

D.电流

5.N型半导体的多数载流子是（B）。

A.电流

B.自由电子

C.电荷

D.空穴

6.关于N型半导体的下列说法，错误的是（C）。

A.自由电子是多数载流子

B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极

C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体

D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体

7.关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（A）。

A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴

B.P型半导体中只有空穴导电

C.N型半导体中只有自由电子参与导电

D.在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电

8.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（D）。A.降低/降低

B.降低/升高

C.升高/降低

D.升高/升高

9.PN结呈现正向导通的条件是(B)。A.P区电位低于N区电位

B.N区电位低于P区电位

C.P区电位等于N区电位

D.N区接地 10.二极管的反向电流随着温度降低而(B)。A.升高

B.减小

C.不变

D.不确定 11.半导体PN结的主要特性是（C）。

A.具有放大特性

B.具有改变电压特性

C.具有单向导电性

D.具有增强内电场性 12.晶体二极管的主要特性是（C）。A.放大特性

B.恒温特性

C.单向导电性

D.恒流特性 13.在半导体PN结两端施加（B）就可使其导通。A.正向电子流

B.正向电压

C.反向电压

D.反向电子流

14.硅二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（B）。A.0.1V

B.0.7V

C.0.3V

D.0.5V 15.硅二极管的死区电压约为（D）。A.0.1V

B.0.7V

C.0.3V

D.0.5V 16.锗二极管导通时，它两端的正向导通压降约为（C）。A.0.1V

B.0.7V

C.0.3V

D.0.5V

17.锗二极管的死区电压约为（A）。

A.0.1V

B.0.7V

C.0.3V

D.0.5V 18.二极管由（A）个PN结组成。A.1

B.2

C.3

D.0 19.晶体二极管的主要功能之一是(D)。A.电压放大

B.线路电流放大

C.功率放大

D.整流

20.晶体二极管的正极电位是-8V，负极电位是-2V，则该晶体二极管处于（A）。A.反偏

B.正偏

C.零偏

D.不可判断

21.晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-16V，则该晶体二极管处于（B）。A.反偏

B.正偏

C.零偏

D.不可判断 22.稳压二极管具有（B）作用。A.开关

B.稳压

C.放大

D.滤波 23.二极管的反向电阻（B）。

A.小

B.大

C.中等

D.为零

24.下列说法正确的是（C）。

A.N型半导体带负电

B.P型半导体带正电

C.PN结型半导体为电中性体

D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生 25.半导体的电阻随温度升高而（B），金属导体的电阻随温度升高而（B）。A.降低/降低

B.降低/升高

C.升高/降低

D.升高/升高 26.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。A.增大

B.不一定

C.减小

D.不变

27.锗二极管的正向导通压降比硅二极管的正向导通压降（B）。A.大

B.小

C.相等

D.无法判断 28.稳压二极管的正常工作状态是（C）。A.导通状态

B.截止状态

C.反向击穿状态

D.饱和状态 29.整流电路的目的是（A）。A.将交流变为直流

B.将高频变为低频

C.将正弦波变为方波

D.将直流变为交流 30.下列符号中表示稳压二极管的为（B）。

A.B.C.D.31.上题符号中表示发光二极管的为（C）。32.上题符号中表示光电二极管的为（D）。

33.在桥式整流电容滤波电路中，若有一只二极管断路，则负载两端的直流电压将会（A）。A.下降

B.升高

C.变为0

D.保持不变 34.稳压二极管是利用二极管的（C）特征制造的特殊二极管。A.正向导通时电压变化小

B.反向截止时电流小

C.反向击穿时电压变化小而反向电流变化大

D.单向导电 35.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的正向导通压降（A）。A.大

B.小

C.相等

D.无法判断 36.电路如图所示，则处于导通状态的二极管是(A)。A.只有D1

B.只有D2

C.D1和D2

D.D1和D2均不导通

37.在整流电路中，设整流电流平均值为，则流过每只二极管的电流平均值的电路是（B）。A.单相桥式整流电路

B.单相半波整流电路

C.单相全波整流电路

D.以上都不行

38.如图所示，两只硅稳压二极管的稳压值分别为3V和6V，如果输入电压UI为8V，则输出电压U0为（A）。A.3V

B.6V

C.9V

D.0.7V 39.半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型，点接触型二极管能承受的正向电流较（B），面接触型二极管能承受的正向电流较（B）。A.小/小

B.小/大

C.大/小

D.大/大

40.当硅晶体二极管加上0.2V正向电压时，该晶体二极管相当于（D）。A.小阻值电阻

B.一根导线

C.内部短路

D.阻值很大的电阻

41.两个硅稳压管，Uz1 =6V，Uz2=9V, 下面（D）不是两者串联时可能得到的稳压值。

A.15 V

B.6.7 V

C.9.7 V

D.3V