数字温度传感器DS18B20控制接口设计(大全)

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第一篇:数字温度传感器DS18B20控制接口设计(大全)

数字温度传感器DS18B20控制接口设计

摘 要: DS18B20是一款经典的单总线数字温度传感器芯片,较传统的温度传感器具有结构简单、体积小、功耗小、抗干扰能力强、使用简单、可组网实现多点温度测量等优点。本设计简要介绍了数字温度传感器DS18B20 的特性及工作原理,着重论述了用FPGA实现对此传感器的控制,并将测到的温度在LED数码管上显示出来。

关键词:DS18B20;温度传感器;FPGA;LED数码管

Abstract: DS18B20 is a classic single-bus digital temperature sensor chip, the more traditional temperature sensor has a simple structure, small size, low power consumption, and anti-interference ability, easy to use networking to achieve multi-point temperature measurement.The design brief describes the features and working principle of the digital temperature sensor DS18B20, focuses on the control of this sensor using FPGA, and the measured temperature is displayed on the LED digital tube.Keywords: DS18B20;temperature sensor;FPGA;LED digital tube 引言

传统的温度传感器系统大都采用放大、调理、A/ D 转换, 转换后的数字信号送入计算机处理, 处理电路复杂、可靠性相对较差, 占用计算机的资源较多。DS18B20 是一线制数字温度传感器, 它可将温度信号直接转换成串行数字信号送给微处理器, 电路简单, 成本低, 每一只DS18B20 内部的ROM 存储器都有唯一的64位系列号, 在1 根地址/ 信号线上可以挂接多个DS18B20, 易于扩展, 便于 组网和多点测量。

随着科技的发展 ,温度的实时显示系统应用越来越广泛 ,比如空调遥控器上当前室温的显示、热水器温度的显示等等。实现温度的实时采集与显示系统有很多种解决方案 ,本文使用全数字温度传感器DS18B20来实现温度的实时采集FPGA作为控制中心与数据桥梁;LED数码管作为温度实时显示器件。其中DS18B20作为FPGA的外部信号源,把所采集到的温度转换为数字信号,通过接口(113脚)传给FPGA,FPGA启动ROM内的控制程序驱动LED数码管,通过IO口和数据线把数据传送给LED数码管,将采集到的温度实时显示出来。该设计结构简单、测温准确,成本低,工作稳定可靠,具有一定的实际应用价值。DS18B20数字温度传感器介绍

DS18B20温度传感器是美国DALLAS半导体公司最新推出的一种改进型智能温度传感器,与传统的热敏电阻等测温元件相比,它能直接读出被测温度,并且可根据实际要求通过简单的编程实现9~12位的数字值读数方式。DS18B20的性能特点如下:

2.1 DS18B20的性能特点

1独特的单线接口仅需要一个端口引脚进行通信; ○2多个DS18B20可以并联在惟一的三线上,实现多点组网功能; ○3无须外部器件; ○4可通过数据线供电,电压范围为3.0~5.5V; ○5零待机功耗; ○6温度以9或12位数字; ○7用户可定义报警设置; ○8报警搜索命令识别并标志超过程序限定温度(温度报警条件)的器件; ○9负电压特性,电源极性接反时,温度计不会因发热而烧毁,但不能正常工作;○ 2.2 DS18B20的内部结构图

DS18B20采用3脚PR-35封装或8脚SOIC封装,其内部结构框图如图2-1所示。

图2-1 DS18B20内部结构框图 图2-2 DS18B20字节定义

64位ROM的结构开始8位是产品类型的编号,接着是每个器件的惟一的序号,共有48位,最后8位是前面56位的CRC检验码,这也是多个DS18B20可以采用一线进行通信的原因。温度报警触发器TH和TL,可通过软件写入户报警上下限。DS18B20温度传感器的内部存储器还包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的EERAM。高速暂存RAM的结构为8字节的存储器,结构如图2-2所示。头2个字节包含测得的温度信息,第3和第4字节TH和TL的拷贝,是易失的,每次上电复位时被刷新。第5个字节,为配置寄存器,它的内容用于确定温度值的数字转换分辨率。DS18B20工作时寄存器中的分辨率转换为相应精度的温度数值。该字节各位的定义如图3-4所示。低5位一直为1,TM是工作模式位,用于设置DS18B20在工作模式还是在测试模式,DS18B20出厂时该位被设置为0,用户要去改动,R1和R0决定温度转换的精度位数,来设置分率。2.3 DS18B20测温原理

DS18B20内部的低温度系数振荡器是一个振荡频率随温度变化很小的振荡器,为计数器1提供一个频率稳定的计数脉冲。

高温度系数振荡器是一个振荡频率对温度很敏感的振荡器,为计数器2提供一个频率随温度变化的计数脉冲。初始时,温度寄存器被预置成-55℃,每当计数器1从预置数开始减计数到0时,温度寄存器中寄存的温度值就增加1℃,这个过程重复进行,直到计数器2计数到0时便停止。初始时,计数器1预置的是与-55℃相对应的一个预置值。以后计数器1每一个循环的预置数都由斜率累加器提供。为了补偿振荡器温度特性的非线性性,斜率累加器提供的预置数也随温度相应变化。计数器1的预置数也就是在给定温度处使温度寄存器寄存值增加1℃计数器所需要的计数个数。

DS18B20内部的比较器以四舍五入的量化方式确定温度寄存器的最低有效位。在计数器2停止计数后,比较器将计数器1中的计数剩余值转换为温度值后与0.25℃进行比较,若低于0.25℃,温度寄存器的最低位就置0;若高于0.25℃,最低位就置1;若高于0.75℃时,温度寄存器的最低位就进位然后置0。这样,经过比较后所得的温度寄存器的值就是最终读取的温度值了,其最后位代表0.5℃,四舍五入最大量化误差为±1/2LSB,即0.25℃。

温度寄存器中的温度值以9位数据格式表示,最高位为符号位,其余8位以二进制补码形式表示温度值。测温结束时,这9位数据转存到暂存存储器的前两个字节中,符号位占用第一字节,8位温度数据占据第二字节。

DS18B20测量温度时使用特有的温度测量技术。DS18B20内部的低温度系数振荡器能产生稳定的频率信号;同样的,高温度系数振荡器则将被测温度转换成频率信号。当计数门打开时,DS18B20进行计数,计数门开通时间由高温度系数振荡器决定。芯片内部还有斜率累加器,可对频率的非线性度加以补偿。测量结果存入温度寄存器中。一般情况下的温度值应该为9位,但因符号位扩展成高8位,所以最后以16位补码形式读出。2.4 DS18B20供电方式

DS18B20有两种供电方式,一种是寄生电源强上拉供电方式,一种是外部供电方式,如下图:

图2-3 寄生电源强上拉供电方式电路图

在寄生电源供电方式下,DS18B20 从单线信号线上汲取能量:在信号线 DQ 处于高电平期间把能量储存在内部电容里,在信号线处于低电平期间消耗电容上的电能工作,直到高电平到来再给寄生电源(电容)充电。为了使 DS18B20 在动态转换周期中获得足够的电流供应,当进行温度转换或拷贝到 E2 存储器操作时,用 MOSFET 把 I/O 线直接拉到 VCC 就可提供足够的电流,在发出任何涉及到拷贝到 E2 存储器或启动温度转换的指令后,必须在最多 10μS 内把 I/O 线转换到强上拉状态。在强上拉方式下可以解决电流供应不走的问题,因此也适合于多点测温应用,缺点就是要多占用一根 I/O 口线进行强上拉切换。

图2-4 外部电源供电方式电路图

在外部电源供电方式下,DS18B20 工作电源由 VDD 引脚接入,此时 I/O 线不需要强上拉,不存在电源电流不足的问题,可以保证转换精度,同时在总线上理论可以挂接任意多个 DS18B20 传感器,组成多点测温系统。在外部供电的方式下,DS18B20的GND引脚不能悬空,否则不能转换温度,读取的温度总是 85℃。3 设计需求

1温度测量范围:-55℃~+125℃ ○2可编程为9位~12位A/D转换精度 ○3测温分辨率可达0.0625℃ ○4 LED数码管直读显示 ○4 设计方案

4.1 硬件设计

将[DF2C8]FPGA 核心板和[EB-F2]基础实验板连接在一起,同时使能DS18B20 模块和数码管模块:数码管使能:用“短路帽”将实验板上的JP4和JP5全部短接。DS18B20 温度传感器使能跳线JP10 全部短接,元件安装示意如下图4-1和4-2(注意方向,半圆形的一边朝板子内部,平面朝外,和板上的图示一致)。

图 4-1:数码管使能图示 图 4-2:温度传感器安装和使能图示

4.1.1 温度传感器 DS18B20 电路

基础实验板上提供了一个由DS18B20构成的温度测量模块,其原理如图4-3所示。该电路选择外部供电方式。外部电源供电方式工作稳定可靠,抗干扰能力强。

图4-3 单线制温度传感器 DS18B20 电路图

DS18B20与[DF2C8]FPGA核心板的连接关系如表4-1所示

表 4-1:DS18B20与[DF2C8]FPGA核心板连接时的管脚对应关系

4.1.2 数码管显示电路

基础实验板上具有2个共阳极的位七段数码管,构成8位构,其电路如图4-4 所示。

图 4-4:七段数码管显示电路图

数码管的控制引脚由两个跳线JP4和JP5使能(如图4-1所示)R10~R17是段码上的限流电阻,位码由于电流较大,采用了PNP三极管驱动。当位码驱动信号为低电平(0)时,对应的数码管才能操作;当段码驱动信号为低电平(0)时,对应的段码点亮。数码管不核心板连接时的管脚对应如表4-2所示:

表 4-2:数码管与[DF2C8]FPGA核心板连接时的管脚对应关系

4.2 HDL编码 4.2.1 时序

(1)复位: 使用DS18B20 时, 首先需将其复位, 然后才能执行其它命令。复位时, 主机将数据线拉为低电平并保持480Ls~ 960Ls, 然后释放数据线, 再由上拉电阻将数据线拉高15~ 60Ls, 等待DS18B20 发出存在脉冲, 存在脉冲有效时间为60~ 240Ls, 这样, 就完成了复位操作。其复位时序如图4-5所示。

图4-5:初始化时序

图4-6:写时序

(2)写时隙: 在主机对DS18B20 写数据时, 先将数据线置为高电平, 再变为低电平, 该低电平应大于1us。在数据线变为低电平后15us 内, 根据写“1”或写“0” 使数据线变高或继续为低。DS18B20 将在数据线变成低电平后15us~ 60us 内对数据线进行采样。要求写入DS18B20 的数据持续时间应大于60us 而小于120us, 两次写数据之间的时间间隔应大于1us。写时隙的时序如图4-6 所示

(3)读时隙 :当主机从DS18B20 读数据时, 主机先将数据线置为高电平, 再变为低电平, 该低电平应大于1us, 然后释放数据线, 使其变为高电平。DS18B20 在数据线从高电平变为低电平的15us 内将数据送到数据线上。主机可在15us 后读取数据线。读时隙的时序如图4-7 所示。

图4-7 :读时隙

4.2.2 DS18B20 的操作命令

主机可通过一线端口对DS18B20 进行操作, 其步骤为: 复位(初始化命令)-> ROM 功能命令-> 存储器功能命令-> 执行/ 数据, DS18B20 的ROM 命令有5个(见表1), 存储器命令有6个(见表2)。命令的执行都是由复位、多个读时隙和写时隙基本时序单元组成。因此, 只要将复位、读时隙、写时隙的时序了解清楚, 使用DS18B20 就比较容易了, 时序如上文所述。

表4-3: 存储器命令操作表 表4-4:ROM命令功能操作表

4.2.3 Verilog HDL编码

详细Verilog HDL代码参见工程文件:DF2C8_13_DS18B20 工程文件中含有三个v 文件,LED_CTL.v 是数码管显示功能模块,DS18B20_CTL.v 是温度传感器的控制模块,TEMP.v 为顶层模块,实例化了前面两个模块,并将采集的温度值送至数码管中进行显示。其中最主要的温度传感器的控制模块,DS18B20_CTL.v。该程序对DS18B20 进行控制, 不仅可以简化程序, 还可以缩短1 次温度转换所需的时间.这样的话, 1 次温度转换和数字温度值输出循环所涉及到的控制命令、数据交换和所需时隙如图4-8所示。

.图4-8:1次温度转换的控制命令和时隙 仿真测试结果

5.1 仿真波形

温度测量模块仿真结果如图6-1所示:

图5-1:仿真波形

5.2 结果显示

下载配置文件后,可在数码管上观察到带一位小数的温度数值。如果用手捏住传感器,会发现显示的温度在升高。如下图:

图5-2 测温效果图示

参考文献:

[1] 沙占友 集成传感器的应用[M].中国电力出版社.[2] 罗钧,童景琳.智能传感器数据采集与信号处理[M].化学工业出版社

[3] 周月霞,孙传友.DS18B20硬件连接及软件编程[J].传感器世界,2001,12.[4] 王晓娟,张海燕,梁延兴.基于DS18B20的温度实时采集与显示系统的设计与实现[J]., 2007:38-41.[5] 党 峰, 王敬农, 高国旺.基于DS18B20 的数字式温度计的实现[ J].山西电子技术, 2007(3)[6] 金伟正.单线数字温度传感器的原理与应用[ J].仪表技术与传感器, 2000(7): 42-43.[7]DS18B20 Datasheet [ EB/ OL].Dalla s: Dallas Semico nductor Cor po r atio n, 2005.

第二篇:数字温度传感器的应用

数字温度传感器 DS1820(DS18B20)的应用

DSl820 数字温度计提供 9 位(二进制)温度读数 指示器件的温度 信息经过单线接口送入 DSl820 或从 DSl820 送出 因此从主机 CPU 到DSl820 仅需一条线(和地线)DSl820 的电源可以由数据线本身提供而不需要外部电源 因为每一个 DSl820 在出厂时已经给定了唯一的序号 因此任意多个 DSl820 可以存放在同一条单线总线上 这允许在许多不同的地方放置温度敏感 DSl820 的测量范围从-55 到+125 增量值为 0.5 可在 l s(典型值)内把温度变换成数字.每一个 DSl820 包括一个唯一的 64 位长的序号 该序号值存放在 DSl820 内部的 ROM(只读存贮器)中 开始8 位是产品类型编码(DSl820 编码均为(10H)接着的48位是每个器件唯一的序号最后8位是前面 56位的CRC(循环冗余校验)码DSl820 中还有用于贮存测得的温度值的两个 8 位存贮器 RAM 编号为 0 号和 1号1号存贮器存放温度值的符号,如果温度为负,则 1 号存贮器 8 位全为 1,否则全为 0,0 号存贮器用于存放温度值的补码,LSB(最低位)的1表示0.5将存贮器中的二进制数求补再转换成十进制数并除以 2 就得到被测温度值(-550 125),DSl820 的引脚如图 2 26-l 所示。每只 DS18b20 都可以设置成两种供电方式 :即数据总线供电方式和外部供电方式,采取数据总线供电方式可以节省一根导线,但完成温度测量的时间较长;采取外部供电方式则多用一根导线,但测量速度较快.温度计算

1、DS18b20用9位存贮温度值,最高位为符号位。下图为 18b20 的温度存储方式,负温度

S=1,正温度 S=0,如00AAH 为+85 ,0032H 为 25,FF92H 为55

2、Ds18b20 用 12 位存贮温值度,最高位为符号位,下图为18b20的温度存储方式,负温度S=1,正温度 S=0。如0550H 为+85,0191H 为25.0625 ,FC90H 为-55

二DSl820 工作过程及时序 DSl820 工作过程中的协议如下

初始化RoM 操作命令 存储器操作命令 处理数据 1初始化

单总线上的所有处理均从初始化开始 ROM 操作品令

总线主机检测到 DSl820 的存在便可以发出 ROM 操作命令之一 代码

指令 Read ROM(读 ROM)

[33H] Match ROM(匹配 ROM)

[55H] Skip ROM(跳过 ROM]

[CCH] Search ROM(搜索 ROM)

[F0H] Alarm search(告警搜索)

[ECH] 3存储器操作命令

代码

指令

这些命令如

Write Scratchpad(写暂存存储器)

[4EH] Read Scratchpad(读暂存存储器)

[BEH] Copy Scratchpad(复制暂存存储器)

[48H] Convert Temperature(温度变换)

[44H] Recall EPROM(重新调出)

[b8H] Read Power supply(读电源)

[b4H] 4 时序

主机使用时间隙(time slots)来读写 DSl820 的数据位和写命令字的位(1)初始化

时序见图 2.25-2主机总线 to 时刻发送一复位脉冲(最短为 480us 的低电平信号)接着在 tl 时刻释放总线并进入接收状DSl820 在检测到总线的上升沿之后 等待 15-60us接DS1820 在 t2 时刻发出存在脉冲(低电平持续 60-240 us)如图中虚线所示以下子程序在 MCS51 仿真机上通过其晶振为 12M.初始化子程序

RESET PUSH B

;保存 B 寄存器 PUSH A

;保存 A 寄存器 MOV A,#4

;设置循环次数 CLR P1.0

;发出复位脉冲 MOV B,#250

;计数 250 次

DJNZ B,$

;保持低电平500us SETB Pl.0

;释放总线

MOV B,#6

;设置时间常数 CLR C

;清存在信号标志 WAITL: JB Pl.0,WH

;若总线释放 跳出循环

DJNZ B,WAITL

;总线低 等待

DJNZ ACC,WAITL

;释放总线等待一段时间 SJMP SHORT WH: MOV B,#111 WH1: ORL C,P1.0 DJNZ B,WH1

;存在时间等待 SHORT: POP A POP B RET(2)写时间隙

当主机总线 t o 时刻从高拉至低电平时 就产生写时间隙 见图 2 25 3图 2 254从 to 时刻开始 15us 之内应将所需写的位送到总线上DSl820 在 t后 15-60us 间对总线采样 若低电平写入的位是 0见图 2 25 3若高电平写入的位是 1见图 2 25 4连续写 2 位间的间隙应大于 1us

写位子程序(待写位的内容在 C 中)

WRBIT: PUSH B

;保存 B MOV B,#28;设置时间常数

CLR P1.0;写开始

NOP

;1US

NOP

;1US NOP

;1US NOP

;1US NOP

;1US MOVPl.0,C

;C 内容到总线

WDLT:

DJNZ B,WDLT

;等待 56Us POP B SETB Pl.0

;释放总线

RET

;返回 写字节子程序(待写内容在 A 中): WRBYTB: PUSH B

:保存 B MOV B #8H

;设置写位个数

WLOP: RRC A

;把写的位放到 C ACALL WRBIT

;调写位子程序 DJNZ B WLOP;8 位全写完? POP B RET(3)读时间隙

见图 2 25 5主机总线 to 时刻从高拉至低电平时,总线只须保持低电平l 7ts。之后在 t1 时刻将总线拉高,产生读时间隙,读时间隙在 t1 时刻后 t 2 时刻前有效。z 距 to 为 15捍 s,也就是说,t z 时刻前主机必须完成读位,并在 t o 后的 60 尸 s 一 120 fzs 内释放总线。读位子程序(读得的位到 C 中)

RDBIT:

PUSH B

;保存 B

PUSH A

;保存 A MOV B,#23

;设置时间常数

CLR P1.0

;读开始 图 2 25 5 的 t0 时刻

NOP

;1US

NOP

;1US

NOP

;1US

NOP

;1US

SETB Pl.0

;释放总线

MOV A,P1;;P1 口读到 A MOV C,EOH

;P1.0 内容 C NOP

;1US NOP

;1US NOP

;1US NOP

;1US RDDLT:

DJNZ B,RDDLT SETB P1.0 POP A POP B

;等待 46us RET 读字节子程序(读到内容放到 A 中)

RDBYTE: PUSH B

;保存 B RLOP MOV B,#8H

;设置读位数 ACALL RDBIT;调读 1 位子程序

RRC A

;把读到位在 C 中并依次送给 A DJNZ B,RLOP;8 位读完? POP B

;恢复B RET

三、多路测量

每一片 DSl820 在其 ROM 中都存有其唯一的 48 位序列号,在出厂前已写入片内 ROM中,主机在进入操作程序前必须逐一接入 1820 用读 ROM(33H)命令将该 l 820 的序列号读出并登录。当主机需要对众多在线1820的某一个进行操作时,首先要发出匹配 ROM 命令(55H,)紧接着主机提供 64 位序列(包括该 1820 的 48 位序列号),之后的操作就是针对该 1820 的。而所谓跳过 ROM 命令即为 之后的操作是对所有 1820 的。框图中先有跳过 ROM,即是启动所有 1820 进行温度变换,之后,通过匹配 ROM,再逐一地读回每个 1820 的温度数据。在1820组成的测温系统中,主机在发出跳过ROM 命令之后,再发出统一的温度转换启动码 44H,就可以实现所有 1820的统一转换,再经过 1s 后,就可以用很少的时间去逐一读取。这种方式使其 T 值往往小于传统方式(由于采取公用的放大电路和 A D 转换器,只能逐一转换。)显然通道数越多这种省时效应就越明显。

四、实际应用 ds1820 序列号获得

;|--------------|

;|

读出 ds1820 序列号应用程序,P1.6 接 ds1820

|;|--------------| ORG 0000H

AJMP MAIN

ORG 0020H

MAIN: MOV SP,#60H

CLR EA

;使用 ds1820 一定要禁止任何中断产生

LCALL INT

;初始化 ds1820

MOV A,#33H

LCALL WRITE

;送入读 ds1820 的 ROM 命令

LCALL READ

;开始读出当前 ds1820 序列号

MOV 40H,A

INT:

WRITE: LCALL READ MOV 41H,A LCALL READ MOV 42H,A LCALL READ

MOV 43H,A

LCALL READ

MOV 44H,A

LCALL READ

MOV 45H,A

LCALL READ

MOV 46H,A

LCALL READ

MOV 47H,A

SETB EA

SJMP $

CLR EA

L0:CLR P1.6

MOV R2,#200 L1:CLR P1.6

DJNZ R2,L1

SETB P1.6

MOV R2,#30 L4:DJNZ R2,L4

CLR C

ORL C,P1.6

JC L0

MOV R6,#80 L5:ORL C,P1.6

JC L3

DJNZ R6,L5

SJMP L0 L3:MOV R2,#240 L2:DJNZ R2,L2

RET

CLR EA

MOV R3,#8

;初始化 ds1820 子程序

;ds1820 总线为低复位电平

;总线复位电平保持 400us

;释放 ds1820 总线

;释放 ds1820 总线保持 60us

;清存在信号

;存在吗?不存在则重新来

;向 ds1820 写操作命令子程序

;写入 ds1820 的 bit 数,一个字节 8 个 bit

WR1:SETB P1.6

MOV R4,#8

RRC A

;把一个字节 data(A)分成 8 个 bit 环移给 C CLR P1.6

;开始写入 ds1820 总线要处于复位(低)状态

WR2: DJNZ R4,WR2

;ds1820 总线复位保持 16us

MOV P1.6,C

;写入一个 bit

MOV R4,#20 WR3: DJNZ R4,WR3

;等待 40us

DJNZ R3,WR1

;写入下一个 bit

SETB P1.6

;重新释放 ds1820 总线

RET

READ:

CLR EA

MOV R6,#8

;连续读 8 个 bit RE1:

CLR P1.6

;读前总线保持为低

MOV R4,#4

NOP

SETB P1.6

;开始读 总线释放

RE2:

DJNZ R4,RE2

;持续 8us

MOV C,P1.6

;从 ds1820 总线读得一个 bit RRC A

;把读得的位值环移给 A

MOV R5,#30 RE3:

DJNZ R5,RE3

;持续 60us

DJNZ R6,RE1

;读下一个 bit

SETB P1.6

;重新释放 ds1820 总线

RET 2 温度转换和读取

;|-|

;|

获取单个 ds1820 转化的温度值的应用程序,P1.6 接 ds1820

|;|-|

ORG 0000H

AJMP MAIN

ORG 0020H MAIN:

MOV SP,#60H

LCALL GET_TEMP

SJMP $ GET_TEMP:

CLR PSW.4

SETB PSW.3

;设置工作寄存器当前所在的区域

CLR EA

;使用 ds1820 一定要禁止任何中断产生

LCALL INT

;调用初使化子程序

MOV A,#0CCH

LCALL WRITE

;送入跳过 ROM 命令

MOV A, #44H

LCALL WRITE

;送入温度转换命令

LCALL INT

;温度转换完全,再次初使化 ds1820

MOV A,#0CCH

LCALL WRITE

;送入跳过 ROM 命令

MOV A,#0BEH

LCALL WRITE

;送入读温度暂存器命令

INT:

WRITE:

LCALL READ

MOV R7,A

;读出温度值低字节存入 R7

LCALL READ

MOV R6,A

;读出谩度值高字节存入 R6

SETB EA

RET

;初始化 ds1820 子程序

CLR EA

L0: CLR P1.6

;ds1820 总线为低复位电平

MOV R2,#200

L1: CLR P1.6

DJNZ R2,L1

;总线复位电平保持 400us

SETB P1.6

;释放 ds1820 总线

MOV R2,#30

L4: DJNZ R2,L4

;释放 ds1820 总线保持 60us

CLR C

;清存在信号

ORL C,P1.6

JC L0

;存在吗?不存在则重新来

MOV R6,#80

L5: ORL C,P1.6

JC L3

DJNZ R6,L5

SJMP L0

L3: MOV R2,#240

L2: DJNZ R2,L2

RET

;向 ds1820 写操作命令子程序

CLR EA

MOV R3,#8

;写入 ds1820 的 bit 数,一个字节 8 个 bit WR1: SETB P1.6

MOV R4,#8

RRC A

;把一个字节 data(A)分成 8 个 bit 环移给 C

CLR P1.6

;开始写入 ds1820 总线要处于复位(低)状态

WR2:DJNZ R4,WR2

;ds1820 总线复位保持 16us

MOV P1.6,C

;写入一个 bit

MOV R4,#20 WR3 :DJNZ R4,WR3

;等待 40us

DJNZ R3,WR1

;写入下一个 bit

SETB P1.6

;重新释放 ds1820 总线

RET

READ:

CLR EA

MOV R6,#8

;连续读 8 个 bit RE1:CLR P1.6

MOV R4,#4

NOP

SETB P1.6

RE2:DJNZ R4,RE2

MOV C,P1.6

RRC A

MOV R5,#30 RE3:DJNZ R5,RE3

DJNZ R6,RE1

SETB P1.6

RET

END

;读前总线保持为低

;开始读 总线释放

;持续 8us

;从 ds1820 总线读得一个 bit;把读得的位值环移给 A

;持续 60us

;读下一个 bit

;重新释放 ds1820 总线

第三篇:DS18B20温度传感器设计报告

传感器课程设计

专 业: 计算机控制技术

---数字温度计

年 级: 2011 级 姓 名: 樊 益 明

学 号: 20113042

指导教师: 刘 德 春

阿坝师专电子信息工程系

1.引 言

1.1.设计意义

在日常生活及工农业生产中,经常要用到温度的检测及控制,传统的测温元件有热电偶和热电阻。而热电偶和热电阻测出的一般都是电压,再转换成对应的温度,需要比较多的外部硬件支持。其缺点如下:

● 硬件电路复杂; ● 软件调试复杂; ● 制作成本高。

本数字温度计设计采用美国DALLAS半导体公司继DS1820之后推出的一种改进型智能温度传感器DS18B20作为检测元件,测温范围为-55~125℃,最高分辨率可达0.0625℃。

DS18B20可以直接读出被测温度值,而且采用三线制与单片机相连,减少了外部的硬件电路,具有低成本和易使用的热点。设计要求

2.1基本要求 1)用LCD12232实现实时温度显示温度和自己的学号。2)采用LED数码管直接读显示。2.2扩展功能

温度报警,能任意设定温度范围实现铃声报警;

33.1单片机89C52模块

单片机89C52是本设计中的控制核心,是一个40管脚的集成芯片构成。引脚部分:单片机引脚基本电路部分与普通设计无异,40脚接Vcc+5V,20脚接地。X1,X2两脚接12MHZ的晶振,可得单片机机器周期为1微秒。RST脚外延一个RST复位键,一端通过10K电阻接Vcc,一端通过10K电阻接地。AT89S52是一种低功耗、高性能的8位CMOS微控制器,具有8K的可编程Flash 存储器。使

资料准备 用高密度非易失性存储器技术制造,与工业80C51产品指令和引脚完全兼容。片上Flash允许程序存储器在系统可编程,亦适于常规编程器。在单芯片上,拥有灵巧的8位CPU和在线系统可编程Flash,使得AT89S52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。AT89S52具有以下标准功能:8K字节Flash,256字节RAM,32位I/O 口线,看门狗定时器,2个数据指针,三个16位定时器/计数器,一个6向量2级中断结构,全双工串行口,片内晶振及时钟电路。P 0口接一个470的上拉电阻。P0口0~8脚接4位共阳数码管的段选,P2口0~4脚接4位共阳数码管的位选,P3.7接DS18B20采集信号。

3.2 DS18B20简介

DALLAS最新单线数字温度传感器DS18B20简介新的“一线器件”体积更小、适用电压更宽、更经济 Dallas 半导体公司的数字化温度传感器DS1820是世界上第一片支持 “一线总线”接口的温度传感器。一线总线独特而且经济的特点,使用户可轻松地组建传感器网络,为测量系统的构建引入全新概念。DS18B20、DS1822 “一线总线”数字化温度传感器 同DS1820一样,DS18B20也支持“一线总线”接口,测量温度范围为-55°C~+125°C,在-10~+85°C范围内,精度为±0.5°C。DS1822的精度较差为± 2°C。现场温度直接以“一线总线”的数字方式传输,大大提高了系统的抗干扰性。适合于恶劣环境的现场温度测量,如:环境控制、设备或过程控制、测温类消费电子产品等。与前一代产品不同,新的产品支持3V~5.5V的电压范围,使系统设计更灵活、方便。而且新一代产品更便宜,体积更小。DS18B20、DS1822 的特性 DS18B20可以程序设定9~12位的分辨率,精度为±0.5°C。可选更小的封装方式,更宽的电压适用范围。分辨率设定,及用户设定的报警温度存储在EEPROM中,掉电后依然保存。DS18B20的性能是新一代产品中最好的!性能价格比也非常出色!DS1822与 DS18B20软件兼容,是DS18B20的简化版本。省略了存储用户定义报警温度、分辨率参数的EEPROM,精度降低为±2°C,适用于对性能要求不高,成本控制严格的应用,是经济型产品。继“一线总线”的早期产品后,DS1820开辟了温度传感器技术的新概念。DS18B20和DS1822使电压、特性及封装有更多的选择,让我们可以构建适合自己的经济的测温系统。3.3 温度传感器的工作原理

DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同,只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同,且温度转换时的延时时间由2s 减为750ms。DS18B20测温原理:低温度系数晶振的振荡频率受温度影响很小,用于产生固定频率的脉冲信号送给计数器1。高温度系数晶振 随温度变化其振荡率明显改变,所产生的信号作为计数器2的脉冲输入。计数器1和温度寄存器被预置在-55℃所对应的一个基数值。计数器1对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行减法计数,当计数器1的预置值减到0时,温度寄存器的值将加1,计数器1的预置将重新被装入,计数器1重新开始对低温度系数晶振产生的脉冲信号进行计数,如此循环直到计数器2计数到0时,停止温度寄存器值的累加,此时温度寄存器中的数值,即为所测温度。

3.4 DS18B20中的温度传感器对温度的测量

高速暂存存储器由9个字节组成,其分配如表5所示。当温度转换命令发布后,经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在 高速暂存存储器的第0和第1个字节。单片机可通过单线接口读到该数据,读取时低位在前,高位在后。

温度数据值格式

下表为12位转化后得到的12位数据,存储在18B20的两个8比特的RAM中,二进制中的前面5位是符号位,如果测得的温度大于0,这5位为0,只要将测到的数值乘于0.0625即可得到实际温度;如果温度小于0,这5位为1,测到的数值需要取反加1再乘于0.0625即可得到实际 温度。例如+125℃的数字输出为07D0H,实际温度=07D0H*0.0625=2000*0.0625=125℃。

例如-55℃的数字输出为FC90H,则应先将11位数据位取反加1得370H(符号位不变,也不作运算),实际温度=370H*0.0625=880*0.0625=55℃。

可见其中低四位为小数位。

DS18B20温度与表示值对应表

3.5 DS18B20的内部结构

DS18B20内部结构主要由四部分组成:64位光刻ROM、温度传感器、非挥发的温度报警触发器TH和TL、配置寄存器。DS18B20的管脚排列如下:

DQ为数字信号输入/输出端;

GND为电源地;

VDD为外接供电电源输入端(在寄生电源接线方式时接地)。

1)64位的ROM 光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的,它可以看作是该DS18B20的地址序列码。64位光刻ROM的排列是:开始8位(28H)是产品类型标号,接着的48位是该DS18B20自身的序列号,最后8位是前面56位的循环冗余校验码(CRC=X8+X5+X4+1)。光刻ROM的作用是使每一个DS18B20都各不相同,这样就可以实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。

2)DS18B20温度传感器的存储器

DS18B20温度传感器的内部存储器包括一个高速暂存RAM和一个非易失性的可电擦除的E2RAM,后者存放高温度和低温度触发器TH、TL和结构寄存器。

暂存存储器包含了8个连续字节,前两个字节是测得的温度信息,第一个字节的内容是温度的低八位,第二个字节是温度的高八位。第三个和第四个字节是TH、TL的易失性拷贝,第五个字节是结构寄存器的易失性拷贝,这三个字节的内容在每一次上电复位时被刷新。第六、七、八个字节用于内部计算。第九个字节是冗余检验字节。

3.6 DS18B20的时序

由于DS18B20采用的是单总线协议方式,即在一根数据线实现数据的双向传输,而对89C51单片机来说,硬件上并不支持单总线协议,因此,我们必须采用软件的方法来模拟单总线的协议时序来完成对DS18B20芯片的访问。

由于DS18B20是在一根I/O线上读写数据,因此,对读写的数据位有着严格的时序要求。DS18B20有严格的通信协议来保证各位数据传输的正确性和完整性。该协议定义了几种信号的时序:初始化时序、读时序、写时序。所有时序都是将主机作为主设备,单总线器件作为从设备。而每一次命令和数据的传输都是从主机主动启动写时序开始,如果要求单总线器件回送数据,在进行写命令后,主机需启动读时序完成数据接收。数据和命令的传输都是低位在先。

1)DS18B20的复位时序

2)DS18B20的读时序

对于DS18B20的读时序分为读0时序和读1时序两个过程。

对于DS18B20的读时隙是从主机把单总线拉低之后,在15秒之内就得释放单总线,以让DS18B20把数据传输到单总线上。DS18B20在完成一个读时序过程,至少需要60us才能完成。

3)DS18B20的写时序

对于DS18B20的写时序仍然分为写0时序和写1时序两个过程。

对于DS18B20写0时序和写1时序的要求不同,当要写0时序时,单总线要被拉低至少60us,保证DS18B20能够在15us到45us之间能够正确地采样IO总线上的“0”电平,当要写1时序时,单总线被拉低之后,在15us之内就得释放单总线。

4系统框架设计如下图所示:

按照系统设计功能的要求数字温度计总体电路结构框图如下图所示

5硬件设计

温度计采用AT89C51单片机作为微处理器,温度计系统的外围接口电路由晶振、LCD显示电路、复位电路、温度检测电路、LCD驱动电路。

温度计的工作过程是:初始化其接收需要检测的温度,并一直处于检测状态,并将检测到的温度值读取,并转化为十进制数值,通过LCD显示出来,再显示温度,方便用户来读数使用记录数据。

温度计系统的的硬件电路图如下图所示。

DS18B20测温和学号显示

6系统程序的设计

6.1主程序

主程序的主要功能是负责温度的实时显示、读出并处理DS18B20的测量温度值。温度测量每1s进行一次。

主程序流程图如图4.1.1所示。

初始化调用显示子程序1s到?YN初次上电?N读出温度值温度计算处理显示数据刷新Y发温度转换开始命令

主程序流程图

6.2读出温度子程序

读出温度子程序的主要功能是读出RAM中的9字节。在读出时须进行CRC校验,校验有错时不进行温度数据的改写。

读出温度子程序流程图如图4.2所示。

发DS18B20复位信号发跳过ROM命令CRC校验正确?发读取温度命令Y移入温度暂存器读取操作,CRC校验YNN结束9字节完?

6.3温度转换命令子程序

温度转换命令子程序主要是发温度转换开始命令。当采用12位分辨率时,转换时间大约为750ms。在本程序设计中,采用1s显示程序延时法等待转换的完成。温度转换命令子程序图如图4.3所示。

发DS18B20复位uml发跳过ROM命令发温度转换开始命令

结束

6.4计算温度子程序

计算温度子程序将RAM中读取值进行BCD码的转换运算,并进行温度值的正负判断。

计算温度子程序流程图如图4.4所示。

开始计算小数位温度BCD值温度零下?N计算整数位温度BCD值Y置“+”标志温度值补码置“—”标志结束

6.5显示数据刷新子程序

显示数据刷新子程序主要是对显示缓冲器中得显示数据进行刷新操作,当最高数据显示位为0时,将符号显示位移入下一位。

显示数据刷新子程序流程图如图4.5所示。设计总结

本设计利用89S51芯片控制温度传感器DS18B52,再辅之以部分外围电路实现对环境温度的控制,性能稳定,精度较高,而且扩展性很强。由于DS18B20支持单总线协议,我们可以将多个DS18B52并联到3根或2根线上,CPU只需一根端口线就能与诸多DS18B52通信,占用较少的微处理器的端口就可以实现多点测温监控系统。

我们在老师的指导下完成了基于DS18B20的数字温度计的设计和制作。在进行实验的过程中,我们了解并熟悉DS18B20、AT89C2051以及74LS244的工作原理和性能。并且通过温度计的制作,我们将电子技能实训课堂上学到的知识进行运用,并在实际操作中发现问题,解决问题,更加增加对知识的认识和理解。

第四篇:温度传感器课程设计

温度传感器简单电路的集成设计

当选择一个温度传感器的时候,将不再限制在模拟输出或数字输出装置。与你系统需要相匹配的传感器类型现在又很大的选择空间。市场上供应的所有温度感应器都是模拟输出。热电阻,RTDs和热电偶是另一种输出装置,矽温度感应器。在多数的应用中,这些模拟输出装置在有效输出时需要一个比较器,ADC,或一个扩音器。因此,当更高技术的集成变成可能的时候,有数字接口的温度传感器变成现实。这些集成电路被以多种形式出售,从超过特定的温度时才有信号简单装置,到那些报告远的局部温度提供警告的装置。现在不只是在模拟输出和数字输出传感器之间选择,还有那些应该与你的系统需要相匹配的更广阔的感应器类型的选择,温度传感器的类型:

图一:传感器和集成电路制造商提供的四中温度传感器

在图一中举例说明四种温度感应器类型。一个理想模拟传感器提供一个完全线性的功能输出电压(A)。在传感器(B)的数字I/O类中,温度数据通常通过一个串行总线传给微控制器。沿着相同的总线,数据由温度传感器传到微控制器,通常设定温度界限在引脚得数字输出将下降的时候。当超过温度界限的时候,报警中断微控制器。这个类型的装置也提供风扇控制。

模拟输出温度传感器:

图2 热阻和矽温度传感器这两个模拟输出温度探测器的比较。

热电阻和矽温度传感器被广泛地使用在模拟输出温度感应器上。图2清楚地显示当电压和温度之间为线性关系时,矽温度传感器比热阻体好的多。在狭窄的温度范围之内,热电阻能提供合理的线性和好的敏感特性。许多构成原始电路的热电阻已经被矽温度感应器代替。

矽温度传感器有不同的输出刻度和组合。例如,与绝对温度成比例的输出转换功能,还有其他与摄氏温度和华氏温度成比例。摄氏温度部份提供一种组合以便温度能被单端补给得传感器检测。

在最大多数的应用中,这些装置的输出被装入一个比较器或A/D转换器,把温度数据转换成一个数字格式。这些附加的装置,热电阻和矽温度传感器继续被利用是由于在许多情况下它的成本低和使用方便。数字I/O温度传感器: 大约在五年前,一种新类型温度传感器出现了。这种装置包括一个允许与微控制器通信的数字接口。接口通常是12C或SMBus序列总线,但是其他的串行接口例如SPI是共用的。阅读微控制器的温度报告,接口也接受来自温控制器的指令。那些指令通常是温度极限,如果超过,将中断微控制器的温度传感器集成电路上的数字信号。微控制器然后能够调整风扇速度或减慢微处理器的速度,例如,保持温度在控制之下。

图3:设计的温度传感器可遥测处理器芯片上的p-n结温度

图4。温度传感器可检测它自己的温度和遥测四个p-n结温度。

图5。风扇控制器/温度传感器集成电路也可使用PWM或一个线性模式的控制方案。

在图4中画是一个类似的装置:而不是检测一个p-n结温度,它检测四个结和它的自己内部的温度。因此内部温度接近周围温度。周围温度的测量给出关于系统风扇是否正在适当地工作的指示。

在图5中显示,控制风扇是在遥测温度时集成电路的主要功能。这个部分的使用能在风扇控制的二个不同的模式之间选择。在PWM模式中,微处理控制风扇速度是通过改变送给风扇的信号周期者测量温度一种功能。它允许电力消耗远少于这个部分的线性模式控制所提供的。因为某些风扇在PWM信号控制它的频率下发出一种听得见的声音,这种线性模式可能是有利的,但是需要较高功率的消耗和附加的电路。额外的功耗是整个系统功耗的一小部分。

当温度超出指定界限的时候,这个集成电路提供中断微控制器的警告信号。这个被叫做过热温度的信号形式里,安全特征也被提供。如果温度升到一个危险级别的时候温控制器或软件锁上,警告信号就不再有用。然而,温度经由SMBus升高到一个水平,过热在没有微控制器被使用去控制电路。因此,在这个非逻辑控制器高温中,过热能被直接用去关闭这个系统电源,没有为控制器和阻力潜在的灾难性故障。

装置的这个数字I/O普遍使用在服务器,电池组和硬盘磁碟机上。为了增加服务器的可靠性温度在很多的位置中被检测:在主板(本质上是在底盘内部的周围温度),在处理器钢模之内,和在其它发热元件例如图形加速器和硬盘驱动器。出于安全原因电池组结合温度传感器和使其最优化已达到电池最大寿命。

检测依靠中心马达的速度和周围温度的硬盘驱动器的温度有两个号的理由:在驱动器中读取错误增加温度极限。而且硬盘的MTBF大大改善温度控制。通过测量系统里面温度,就能控制马达速度将可靠性和性能最佳化。驱动器也能被关闭。在高端系统中,警告能为系统管理员指出温度极限或数据可能丢失的状况。

图6。温度超过某一界限的时候,集成电路信号能报警和进行简单的ON/OFF风扇控制。

图7.热控制电路部分在绝对温标形式下,频率与被测温度成比例的产生方波的温度传感器

图8。这个温度传感器传送它的周期与被测温度成比例的方波,因为只发送温度数据需要一条单一线,就需要单一光绝缘体隔离信道。

模拟正温度感应器

“模拟正量”传感器通常匹配比较简单的测量应用软件。这些集成电路产生逻辑输出量来自被测温度,而且区别于数字输入/输出传感器。因为他们在一条单线上输出数据,与串行总线相对。

在一个模拟正量传感器的最简单例子中,当特定的温度被超过的时候,逻辑输出出错:其它,是当温度降到一个温度极限的时候。当其它传感器有确定的极限的时候,这些传感器中的一些允许使用电阻去校正温度极限。

在图6中,装置显示购买一个特定的内在温度极限。这三个电路举例说明这个类型装置的使用:提供警告,关闭仪器,或打开风扇。

当需要读实际温度时,微控制器是可以利用的,在单线上传送数据的传感器可能是有用的。用微处理器的内部计数器,来自于这个类型温度感应器的信号很容易地被转换成温度的测量。图7传感器输出频率与周围温度成比例的方波。在图8中的装置是相似的,但是方波周期是与周围温度成比例的。

图9。用一条公共线与8个温度传感器连接的微控制器,而且从同一条线上接收每个传感器传送的温度数据。

图9,在这条公共线上允许连接达到八个温度传感器。当微控制器的I/O端口同时关闭这根线上的所有传感器的时候,开始提取来自这些传感器的温度数据。微控制器很快地重新装载接收来的每个传感器的数据,在传感器关闭期间,数据被编码。在特定时间内每个传感器对闸口脉冲之后的时间编码。分配给每个感应器自己允许的时间范围,这样就避免冲突。

通过这个方法达到的准确性令人惊讶:0.8 是典型的室温,正好与被传送方波频率的电路相匹配,同样适用于方波周期的装置。

这些装置在有线电线应用中同样显著。举例来说,当一个温度传感器被微控制器隔离的时候,成本被保持在一个最小量,因为只需要一个光绝缘体。这些传感器在汽车制造HVAC应用中也是很有效,因为他们减少铜的损耗数量。温度传感器的发展:

集成电路温度传感器提供各式各样的功能和接口。同样地这些装置继续发展,系统设计师将会看见更多特殊应用就像传感器与系统接口连接的新方式一样。最后,在相同的钢模区域内集成更多的电子元件,芯片设计师的能力将确保温度传感器很快将会包括新的功能和特殊接口。

总结

通过这些天的查找资料,我了解了很多关于温度传感器方面的知识。我的大家都知道温度的一些基本知识,温度是一个基本的物理量,自然界中的一切过程无不与温度密切相关。利用温度所创造出来的传感器即温度传感器是最早开发,应用最广的一类传感器。并且从资料中显示温度传感器的市场份额大大超过了其他的传感器。从17世纪初人们开始利用温度进行测量。在半导体技术的支持下,在本世纪相继开发了半导体热电偶传感器、PN结温度传感器和集成温度传感器。与之相应,根据波与物质的相互作用规律,相继开发了声学温度传感器、红外传感器和微波传感器。

这些天,我通过许多的资料了解到两种不同材质的导体,如在某点互相连接在一起,对这个连接点加热,在它们不加热的部位就会出现电位差。这个电位差的数值与不加热部位测量点的温度有关,和这两种导体的材质有关。这种现象可以在很宽的温度范围内出现,如果精确测量这个电位差,再测出不加热部位的环境温度,就可以准确知道加热点的温度。由于它必须有两种不同材质的导体,所以称它为“热电偶”。我查找的资料显示数据:不同材质做出的热电偶使用于不同的温度范围,它们的灵敏度也各不相同。热电偶的灵敏度是指加热点温度变化1℃时,输出电位差的变化量。对于大多数金属材料支撑的热电偶而言,这个数值大约在5~40微伏/℃之间。

热电偶传感器有自己的优点和缺陷,它灵敏度比较低,容易受到环境干扰信号的影响,也容易受到前置放大器温度漂移的影响,因此不适合测量微小的温度变化。由于热电偶温度传感器的灵敏度与材料的粗细无关,用非常细的材料也能够做成温度传感器。也由于制作热电偶的金属材料具有很好的延展性,这种细微的测温元件有极高的响应速度,可以测量快速变化的过程。温度传感器是五花八门的各种传感器中最为常用的一种,现代的温度传感器外形非常得小,这样更加让它广泛应用在生产实践的各个领域中,也为我们的生活提供了无数的便利和功能。

温度传感器有四种主要类型:热电偶、热敏电阻、电阻温度检测器(RTD)和IC温度传感器。IC温度传感器又包括模拟输出和数字输出两种类型。接触式温度传感器的检测部分与被测对象有良好的接触,又称温度计。温度计通过传导或对流达到热平衡,从而使温度计的示值能直接表示被测对象的温度。一般测量精度较高。在一定的测温范围内,温度计也可测量物体内部的温度分布。但对于运动体、小目标或热容量很小的对象则会产生较大的测量误差,常用的温度计有双金属温度计、玻璃液体温度计、压力式温度计、电阻温度计、热敏电阻和温差电偶等。它们广泛应用于工业、农业、商业等部门。在日常生活中人们也常常使用这些温度计。随着低温技术在国防工程、空间技术、冶金、电子、食品、医药和石油化工等部门的广泛应用和超导技术的研究,测量120K以下温度的低温温度计得到了发展,如低温气体温度计、蒸汽压温度计、声学温度计、顺磁盐温度计、量子温度计、低温热电阻和低温温差电偶等。低温温度计要求感温元件体积小、准确度高、复现性和稳定性好。利用多孔高硅氧玻璃渗碳烧结而成的渗碳玻璃热电阻就是低温温度计的一种感温元件,可用于测量1.6~300K范围内的温度。

非接触式温度传感器的敏感元件与被测对象互不接触,又称非接触式测温仪表。这种仪表可以用来测量运动物体、小目标还有热容量小或温度变化迅速(瞬变)对象的表面温度,也可以用于测量温度场的温度分布。资料显示,最常用的非接触式测温仪表基于黑体辐射的基本定律,称为辐射测温仪表。辐射测温法包括亮度法、辐射法和比色法。各类辐射测温方法只能测出对应的光度温度、辐射温度或比色温度。只有对黑体所测温度才是真实温度。如果想测定物体的真实温度,就必须进行材料表面发射率的修正。而材料表面发射率不仅取绝于温度和波长,而且还与表面状态、涂膜和微观组织等有关连,因此很难精确测量。在自动化生产中我发现往往需要利用辐射测温法来测量或控制某些物体的表面温度,如冶金中的钢带轧制温度、轧辊温度、锻件温度和各种熔融金属在冶炼炉或坩埚中的温度。在这些具体情况下,物体表面发射率的测量是相当困难的。对于固体表面温度自动测量和控制,可以采用附加的反射镜使与被测表面一起组成黑体空腔。附加辐射的影响能提高被测表面的有效辐射和有效发射系数。利用有效发射系数通过仪表对实测温度进行相应的修正,最终可得到被测表面的真实温度。最为典型的附加反射镜是半球反射镜。球中心附近被测表面的漫射辐射能受半球镜反射回到表面而形成附加辐射,这样才能提高有效发射系数。至于气体和液体介质真实温度的辐射测量,则可以用插入耐热材料管至一定深度以形成黑体空腔的方法。通过计算求出与介质达到热平衡后的圆筒空腔的有效发射系数。在自动测量和控制中就可以用此值对所测腔底温度(即是介质温度)进行修正而得到介质的真实温度。现在,我通过这些天的努力,了解了很多温度传感器及其相关的一些传感器的知识。他们在我们生活中的应用及其广泛,我们只有加紧的学习加紧的完成自己所学专业的知识,了解相关的最新信息,我们才能跟上科技前进的步伐。

参考文献:

【1】刘君华.智能传感器系统.西安电子科技大学出版社,1993.3 【2】张富学.传感器电子学.国防工业电子出版社,1992.6 【3】王家桢等.传感器与变送器[M].北京清华出版社1996.5 【4】张正伟.传感器原理与应用[M].中央广播电视大学出版社,1991.3 【5】樊尚春.传感器技术及应用.北京航空航天大学出版社,2004.8 【6】赵负图.现代传感器集成电路.人民邮电出版社,2000.8 【7】谢文和.传感器技术及应用.高等教育出版社,2004.7 【8】赵继文.传感器与应用电路设计[M].科技出版社,2002.6 【9】陈杰,黄鸿.传感器与检测技术.高等教育出版社,2002.3 【10】黄继昌,徐巧鱼,张海贵等.传感器工作原理及应用实例.人民邮电出版社,1998.6

第五篇:温度传感器的特性及应用设计

08电子李建龙081180241061 温度传感器的特性及应用设计

集成温度传感器是将作为感温器件的晶体管及其外围电路集成在同一芯片上的集成化温度传感器。这类传感器已在科研,工业和家用电器等方面、广泛用于温度的精确测量和控制。

一、目的要求 1. 2. 测量温度传感器的伏安特性及温度特性,了解其应用。

利用AD590集成温度传感器,设计制作测量范围20℃~100℃的数字

显示测温装置。3. 4. 对设计的测温装置进行定标和标定实验,并测定其温度特性。写出完整的设计实验报告。

二、仪器装置

AD590集成温度传感器、变阻器、导线、数字电压表、数显温度加热设备等。

三、实验原理图

AD590

R=1KΩ

E=(0-30V)

四、实验内容与步骤

㈠测量伏安特性――确定其工作电压范围 ⒈按图摆好仪器,并用回路法连接好线路。

⒉注意,温度传感器内阻比较大,大约为20MΩ左右,电源电压E基本上都加在了温度传感器两端,即U=E。选择R4=1KΩ,温度传感器的输出电流I=V/R4=V(mV)/1KΩ=│V│(μA)。

⒊在0~100℃的范围内加温,选择0.0、10.0、20.0……90.0、100.0℃,分别测量在0.0、1.0、2.0……25.0、30.0V时的输出电流大小。填入数据表格。

⒋根据数据,描绘V~I特性曲线。可以看到从3V到30V,基本是一条水平线,说明在此范围内,温度传感器都能够正常工作。

⒌根据V~I特性曲线,确定工作电压范围。一般确定在5V~25V为额定工作电压范围。

㈡测量温度特性――确定其工作温度范围

⒈按图连接好线路。选择工作电压为10V,输出电流为I=V/R4=V(mV)/1KΩ=│V│(μA)。

⒉升温测量:在0~100℃的范围内加热,选择0.0、10.0、20.0……90.0、100.0℃时,分别同时测量输出电流大小。将数据填入数据表格。

注意:一定要温度稳定时再读输出电流值大小。由于温度传感器的灵敏度很高,大约为k=1μA/℃,所以,温度的改变量基本等于输出电流的改变量。因此,其温度特性曲线是一条斜率为k=1的直线。⒊根据数据,描绘I~T温度特性曲线。

⒋根据I~T温度特性曲线,求出曲线斜率及灵敏度。

⒌根据I~T温度特性曲线,在线性区域内确定其工作温度范围。㈢实验数据: ⒈温度特性

结论:

由IT特性曲线可知:AD590的灵敏度为:K=1 μΑ/ ℃; 工作温度范围大于20 ℃ ~100 ℃。⒉伏安特性

由V~I特性曲线可知:温度传感器工作电压从3V到30V。(一般确定为:5V~30V)

四、探索与设计

㈠利用温度传感器,设计一个数码显示温度计

用AD590集成温度传感器制作一个热力学温度计,画出电路图,说明调节方法。

原理图 ⒈按图摆好仪器,并用回路法连接好线路。

⒉绝对零度定标:将电源负极C端认为是绝对零度T0=-273.15℃,将电路B端认为是0℃,则从C到B,温度每变化1℃,压变化1mV,所以,UBC=273.15mV。因此,调整R2、R3电阻大小,使UBC=273.15mV。这就是绝对零度定标。⒊室温TS定标:同理,将温度传感器放置于室温为TS的水中,认为电路A端是TS℃。因此,应当有UAB=│TS│mV。调整R4电阻大小,使UAB=│TS│mV。这就是室温TS定标。

⒋升温测量:如将表头分度值标定为1℃,就从0℃开始,每升高1℃测量一次输出电压(电流)大小。如将表头分度值标定为5℃,就从0℃开始,每升高5℃测量一次输出电压(电流)大小。

⒌将升降温的数据填入数据表格,准备数据处理。

⒍根据数据,描绘(电压~温度)V~T特性曲线。根据V~T特性曲线,将数字式(或指针式)电压表重新标定为温度表。

⒎温度计的改装

: 根据左图V~T特性曲线,将电压表重新标定为温度计,间隔为5 ℃

㈡利用温度传感器设计温差温度计 ⒈原理图:

⒉温差温度计的调节方法: 按A图用回路法接好电路

绝对零度定标:将C端认为是绝对零度-273.15 ℃,将B端认为是0 ℃.调整R2,R3电阻的大小(实验如图标记),使UBC=273.15mV 室温TS定标:将两个传感器置于室温TS的水中,认为A、D端是TS=20 ℃.调整R4、R5的大小(实验如图标记),使UAB= UDB =20mV 再按B图接好电路

升温测量:将D端温度保持室温(20 ℃),A端每升高5 ℃测量一次输出电压 根据数据,绘制V~T特性曲线,将电压表重新标定为温差温度计 ⒊温差温度计的改装: 改装: 根据左图V~T特性曲线,将电压表重新标定为温差温度计,间隔为5 ℃㈢创新设计的优缺点: 优点: AD590互换性好,抗干扰能力强,温度与电压呈良好的线性关系,精度高

加热设备采用水浴加热,可以防止极间短路;试管中加入煤油,保证AD590与杜瓦瓶中水之间有良好的热传递 缺点: AD590的灵敏度可能不是严格的1 μA/ ℃,使温度计误差增大 升温测量中,温度不好控制

由于条件限制,温度计只能从室温开始测温 温度计表头分度值为5 ℃,灵敏度比较小

温差温度计的升温测量的间隔温度为5 ℃,灵敏度比较小

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