半导体物理(刘恩科)概念总结2栏小字

第一篇：半导体物理(刘恩科)概念总结2栏小字

第七章

1、功函数：表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小能量。Wm=E0-(EF)mWs=E0-(EF)S2、电子亲和能：使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。Ꮠ=E0-Ec

3、接触电势差：一块金属和一块n型半导体，假定wm>ws接触时，半导体中的电子向金属流动，金属电势降低，半导体电势升高，最后达到平衡状态，金属和半导体的费米能级在同一个水平面上，他们之间的电势差完全补偿了原来费米能级的不同。Vms=(Vs-Vm)/q这个由于接触而产生的电势差称为接触电势差。

4、阻挡层与反阻挡层np

Wm>Ws阻上弯反阻上弯

Wm

阻挡层：在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此他是一个高阻的区域。

反阻挡层：Wm

5、表面势：随着金半之间距离的减少，靠近半导体一侧的半导体表面的正电荷密度增加，由于搬到一中自有电荷密度的限制，这些正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面内，即空间电荷区，这时在空间电荷区内变存在一定的电场，造成能带的弯曲，使半导体表面和内部之间存在电势差。

6、整流作用：金属和半导体接触形成阻挡层，当在金属一侧加外反向电压，金属一边的势垒不随外加电压变化，从金属到半导体的电子流是恒定的，当反向电压继续增加，使半导体到金属的电子流可以忽略不计时。反向电流达到饱和。

7、扩散理论：应用于厚阻挡层

8、发射理论：薄阻挡层

9、肖特基势垒：势垒厚度依赖于外加电压的势垒

10、欧姆接触：金属和半导体形成非整流接触，不产生明显的附加阻抗，半导体内部的平衡载流子浓度不发生明显变化。

实现：

1、WmWs时，与p形成反阻挡层。反阻挡层没有整流作用，选用适当的金属材料可得到欧姆接触。

2、实际生产中，主要利用隧道效应原理。

11、隧道二极管：具有正向负阻特性。正向电流开始随正向电压增加而迅速上升到极大值Ip，随后电流随电压增加而减少，当电压继续增加时电流随之能加。随着电压增大电流反而减少的现象称为负阻。这一电流电压特性曲线的斜线为负，这一特性为负阻特性。第八章

1、表面态：⑴、在x=0处两边，波函数都是按指数关系衰减，这表明电子的分布概率

主要集中在x=0处，即电子被局限在表面附近。

⑵、因晶格表面处突然中止，在表面的最外层的每个硅原子将有一个未配对电子，即有一个未饱和的键，与之对应的电子能态。

2、界面态：由于半导体与介质接触而形成接触电势差，在半导体一侧经会形成表面势，将这种由于接触引起的便面能级的变化称为~。晶体界面的存在使其周期场在界面处发生变化。

3、压阻效应：对半导体施加应力时，半导体的电阻率要发生改变，这种现象称为~。

4、多子堆积：Vg<0,Vs<0,表面处能带向上弯曲。热平衡时半导体费米能级应保持定值，随着向表面接近，价带顶逐渐移近甚至高过费米能级，同时价带中空穴浓度随之增加，这样表面层内出现空穴的堆积而带正电荷。

多子耗尽：Vg>0,Vs>0,表面处能带向下弯曲。这时越接近表面，费米能级离价带顶越远，价带中空穴浓度随之降低，在靠近表面附近，价带顶位置比费米能级低得多，根据珀尔兹曼分布，表面处空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离施主杂志浓度，表面层的这种状态~

少子反型：Vg进一步增大时，表面处能带进一步下弯，这时，表面出的费米能级位置可能高于禁带中央能量Ei，意味着表面处电子浓度将高过空穴浓度，形成与原来半导体衬底导电类型相反的一层叫做反省层。

6、平带电压：为了恢复平带状态，必须在金半之间加一定的负电压，抵消由于两者功函数不同引起的电场和能带弯曲，这个为了回复平带状态所需加的电压叫做平带电压。Vfb=-Vms=(Wm-Ws)/q 第九章

1、异质结：由两种不同的半导体单晶材料组成的结。

反型异质结：导电类型相反突变异质结：从一种半导体材料向另一种的过度只

发生于几个原子距离范围内。

同型异质结：缓变异质结：发生于几个扩散长度范围内

2、画能带图原则：

1、先左后右（左窄右宽）

2、以真空能级为标准，Ef不动

3、上弯下翘由内建电场决定，电子浓度下降则上弯

4、△Ec△Ev之差值不变。

3、应变异质结：在一种材料衬底上外延另一种晶格常数不匹配的材料时，生长的外延层发生了弹性形变，在平行于结面方向产生张应变或压缩应变，使其晶格常数改变为与衬底的晶格常数相匹配，同时在与结平面垂直的方向也产生相应的应变。

4、半导体超晶格：由交替生长两种半导体材料薄层组成的一维周期性结构，而其薄层厚度的周期小于电子的平均自由程的人造材料。

5、激子：半导体中电子和空穴因库伦力相互作用可形成束缚的电子空穴对。

6、量子阱：沿两种半导体材料薄层交替生长方向的势分布，是由于两种材料的禁带宽度不同而引起的附加周期势，在这种附加周期势分布中的势阱。第十章

1、本证吸收：电子由带与带之间的跃迁所形成的吸收过程。

2、直接跃迁：为满足选择定则，是电子在跃迁过程中波失保持不变，则原来在价带中状态A的电子只能跃迁到导带中的状态B，A与B在E(k)曲线上位于同一垂线上。

3、间接跃迁：除了吸收光子外还与晶格交换能量 的非直接跃迁。

5、激子吸收：如果光子能量小于Eg，价带电子受激发后虽然跃出了价带，但还不足以进入导带成为自由电子，仍然受到空穴的库伦场作用，受激电子和空穴互相束缚而结合在一起成为一个新的系统，这样的光吸收称为~。

6、自由载流子吸收：对于一般半导体，当入射光子的频率不够高，不足以引起电子从带到带的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收。这是自由载流子在同一带内的跃迁所引起的。

7、杂志吸收：束缚在杂志能级上的电子或空穴也可以引起光的吸收，电子（空穴）可以吸收光子跃迁到导带能级（价带）。

8、晶格振动吸收：晶体吸收光谱的远红外区，有时还发现一定的吸收带，这是晶格振动吸收形成的。在这种吸收中，光子能量直接转换为晶格振动动能。

9、光电导：光吸收使半导体中形成非平衡载流子，而载流子浓度的增大必须使样品电导率增大，这种由光照引起半导体电导率增加的现象。

10、在光照下光电导率逐渐上升和光照停止后光电导率逐渐下降的现象。

11、光生伏特效应：当用适当波长的光照射非均匀半导体pn结时，由于内建电场的作用，半导体内部产生电动势（光生电压），如将pn结短路，则会出现电流(光生电流)，这种由内建场引起的光电效应称为~。

12、激光发射的三个条件：

1、形成分布反转，使受激辐射占优势。

2、具有共振腔，以实现光量子放大。

3、至少达到阈值电流密度，市增益至少等于损耗。

13、与激光发射有关的跃迁过程：吸收、自发辐射、受激辐射。

14、丹倍效应;光生非平衡载流子的扩散，直接引起沿光照方向的电场，因而沿光照方向产生电势差。第十一章

1塞贝克效应：当两个不同的导体a和b两端相接，组成一个闭合线路，如两个接头A和B具有不同的温度，则线路中便会有电流。2王白耳帖效应：两不同导体a和b连接后通以电流，在接头处便有吸热或放热现象。3汤姆逊效应：当存在温度梯度的均匀导体中通有电流时，导体中除了产生和电阻有关的焦耳热以外，还要吸收或放出热量，吸收或放出热量的这个效应称为~。4热电效应的应用：温差发电器，制冷器。第十二章

1霍耳效应：把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向，电场强度为，磁场方向和电场方向垂直，沿z方向，磁感应强度为Bz，则在垂直于电场和磁场的+y和-y方向将产生一个横向电场，这个现象叫~。

2磁阻效应分为：物理磁阻效应：材料电阻率随磁场增大。几何磁阻效应：不同几何形状的样品在同样大小的磁场作用下，其电阻不同。3磁光效应有朗道能级和带间磁光吸收

4朗道效应：在磁场中电子运动的量子化而形成的子能带。

5热磁效应：电场和温度梯度同时存在时，再加磁场后引起的一些现象。

6爱延豪森效应：x方向通电流，和样品表面垂直的磁场，在样品y方向两端产生温度差。△T/b=pJxBx ,Jx=1/bd ,△T=PIBz/d

7能斯脱效应：当有热流通过样品，加以与样品表面垂直的磁场后，发现在与热能流及磁场垂直的方向产生电动势。

8里纪-勒杜克效应：当有热流通过样品，与样品表面垂直的磁场可以使样品的两旁产生温度差，磁场方向变则温度梯度方向也变。第十章思考题与自测题：

1什么是光电导？说明复合效应和陷阱效应对光电导的影响？

光电导：光吸收使半导体中形成非平衡载流子，而载流子浓度的增大必须使样品电导率增大，这种由光照引起半导体电导率增加的现象。

复合效应和陷阱效应对光电导的影响：复合中心本身起着少数载流子陷阱作用，有增加定态光电导灵敏度的作用，多数载流子陷阱增大了光电导上升和下降的弛豫过程。2区别直接跃迁和间接跃迁（竖直跃迁和非竖直跃迁）

直接跃迁：为满足选择定则，是电子在跃迁过程中波失保持不变，则原来在价带中状态A的电子只能跃迁到导带中的状态B，A与B在E(k)曲线上位于同一垂线上。间接跃迁：除了吸收光子外还与晶格交换能量 的非直接跃迁。3什么是声子？它对半导体吸收特性起什么作用？

声子：当晶格与其它物质相互作用而交换能量时，晶格原子的振动状态发生变化，格波量发生改变，但格波能量的变化只能是hw的整数倍，因此人们就把格波的能量子hwa称为。声子对半导体吸收特性作用：考虑电子与晶格的相互作用，则非直接跃迁也是有可能发生的，这是由于发射或吸收一个声子，使动量守恒原则仍然得到满足。

4、使半导体材料硅、锗和砷化镓在光照下能够产生电子–空穴对的光最大波长为多少？

0=1.24/Eg(ev)(um),Si=0=1.24/1.12=1.1;Ge=0=1.24/0.67=1.85;GaAs=0=1.24/1.43=0.867

5半导体对光的吸收有哪几种主要过程？哪些过程具有确定的长波吸收限？写出对应的波长表示式。哪些具有线状吸收光谱？哪些光吸收对光电导有贡献？

光吸收种类：本证吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂志吸收、晶格振动吸收。具有确定长波吸收限：本证吸收≧hc/Eg, 0=1.24/Eg(ev)，激子吸收=hc/Eg-｜q4m*2r/322ε0ε22rhn2｜，自有载流子吸收>c/r0，杂志吸收≦hc/Eg-Ei。线性吸收光谱：激子吸收。

对光电导有贡献：本证吸收，杂志吸收。

6本征吸收中电子吸收光子时，可能出现哪几种跃迁方式？它们有何不同？各在什么样的半导体中容易发生？试举一、二例说明。

本证吸收中电子吸收光子时，可能出现的跃迁方式：直接跃迁和间接跃迁。直接吸收发生在直接带隙半导体中，间接跃迁发生在间接带隙半导体中，不同点是直接跃迁时波失保持不变，发生间接跃迁时波失发生改变。如GaAs，InSb，InP。间接如Si Ge GaP。7什么是半导体的自由载流子光吸收？分别用经典理论和量子理论说明，并简要讨论其结果。

自有载流子吸收是自由载流子在同一带内的跃迁引起的吸收，从经典理论看自有载流子吸收中电子从低能态到高能态跃迁是在同一能带内发生的跃迁过程能满足能量守恒和动量守恒。从量子理论看，自有载流子吸收中电子的跃迁伴随吸收和发射一个声子是电子，光子，声子三者同时参与的过程，其能量关系为hv0+_Ep=△E.其动量关系为：

8要产生激光发射，为什么需要对半导体重掺杂？ 对半导体重参杂，是为了实现分布反转，产生受激辐射。平衡时，价带均为电子充满，导带则是空的，若用能量大于禁带宽度的光子激发，是价带电子不断向导带底跃迁，产生非平衡载流子，这是价带中从Ev到EFP的状态全部空出，而导带中的Ec到EFN的全部状态被电子填满，这样在EFN到EFP的范围内，导带中占满电子而价带是空的，实现分布反转，此时若注入光子能量满足Eg≦hw≦EFN-EFP，就会引起导带电子向价带跃迁，产生受激辐射，因此要产生激光发射，必须对半导体重参杂。9何谓霍耳角？与磁感应强度和载流子迁移率的关系如何？

在有垂直磁场时电场和电流不在同一方向，两者夹角称为霍耳角。Tanθ=μHBZ 10为什么半导体的霍耳效应比金属大的多？

霍耳效应：载流子在磁场最用下而偏离电场方向的一种现象。由于金属中只有一种载流子参与导电，而半导体中有两种载流子参与导电，故金属在磁场作用下产生的霍耳电场比半导体产生的霍耳电场小的多，所以~。

第二篇：浅谈如何进行物理概念教学(刘天恩)

浅谈如何进行物理概念教学

宁强县铁锁关中学 刘天恩

摘要：物理概念是物理知识的重要组成部分，是构建物理规律、建立公式和完善理论的前提和基础，对概念的正确理解是学好物理的前提条件，因此对概念的理解和掌握对物理的学习是至关重要的，各位物理教师对物理概念的教学应该高度重视，注重物理概念教学的方法是策略。

物理概念不仅是物理基础知识重要组成部分，而且是构成物理规律、建立物理公式和完善物理理论的基础和前提。由于物理规律揭示了物理概念之间的相互联系和制约关系，如果对物理概念没有理解，就谈不上对物理规律的理解和运用。因此，物理概念教学在初中物理整个物理教学中不可忽视，多年的物理教学经历告诉我，学生对物理概念的理解程度直接决定了学生对物理学的好坏。在初中阶段大部分学生感到物理难学，究其原因物理概念没弄明白，对概念一知半解，没有真正理解概念的含义。

物理是一门以实验为基础的学科，物理学本身是一门严谨的学科体系，它有系统的理论和方法，物理概念的建立、理解将影响学习的效果。因此，作为物理教师在教学中要特别注意物理概念教学。

物理概念是对大量的物理事实和复杂现象经过观察、比较、分析、综合、类比、归纳等方法抽象出来的理性知识，它是已经剥离了现象的一种更高一级的思维形态。因此，在物理教学中，物理概念的教学是首要的任务，是进一步进行物理规律、理论教学的基础。如果学生没有建立起一系列清晰、准确的物理概念，不能理解特定的字词所代表的物理概念的含义，就失去了进一步学习的基础。可见，建立起科学的物理概念是物理教学成功的关键。对概念教学，我们物理教师在备课中不仅要备好概念内含本身，还要深入了解初中学生的知识结构特点、心理状况、智能水平和思维特点，在教学设施是对学生在学习过程中可能遇到的障碍和问题要有预知能力，预先设想有效对策，以便在教学实施的过程中能从学生的实际出发，有的放矢，切实提高概念教学的质量。

一、克服前概念对学习物理的影响

人们在认识事物的过程中，把感知到的事物的共同特征抽象出来，加以概括便形成概念，它反映出客观事物一般的本质和特征。概念可以分为两类：一是生活概念，二是科学概念。前者的形成过程是从具体到抽象的归纳过程，即直接知识的获取过程；后者则是从抽象到具体的演绎过程，即间接知识的获取过程。所谓“前概念”就是生活概念，它是相对于科学概念而言的，可以说它是科学概念的前身，它是完全可以升华为科学概念的。学生的“前概念”的形成完全是学生自发形成的，它是学生完全凭自己的对外部世界直接观察得到感性经验进行构建的，是没有任何人教他，完全是凭借自己的思考和理解，站在自我的立场上对这一事物的感性认识的概括，“前概念”具有原创性和自发性，学

生们对他们能看得见、摸得着以及日常生活中经常接触到的事物都会形成“前概念”，这样的概念对事物的认识具有片面性和不完整性，虽然“前概念”是建立科学概念的基础和平台，但是他对科学的概念的学习有一定的影响，如不加以及时引导，将干预着科学概念的建立，甚至在学生回答问题、解答问题时，“前概念”会马上表现出来，它对学科知识的构建会形成严重干挠。

二、设置恰当情景引入概念，是学生体会概念的引入的重要性和形成过程

物理概念是对物理现象，物理过程的抽象而建立的。必须通过日常的感知活动或观察实验等一系列的实践活动，或者根据已有的经验事实，才能获得研究物理问题的感性材料，这是物理概念的形成基础。

1、充分利用学生所熟悉的现象引入概念。

例如：在学习质量的概念是我们可以让学生比较一张课桌和一把椅子它们含有的木材的多少，学生根据自己的经验很容易判断出课桌含有的木材多，椅子含有的木材少；再比如然学生比较一桶水和一杯水那个含有的水多？一把大锤和一颗铁钉哪一个含有的铁多？等等我们为了比较课桌和凳子含有的木材多少不同，为了比较一桶水和一杯水中水的多少不同，比较大锤和铁钉所含的贴的多少不同的这种性质，我们引入“质量”的概念！对于课桌和椅子所含的木材、一桶水和一杯水所含的水、大锤和铁钉所含的铁，把这里的“木材”“水”“铁”统称为“物质”，很显然课桌和椅子、大锤和铁钉含有的物质的多少不同，我们为了描述物体的这些不同性质引入了“质量”这个概念，物理学中把物体所含物质的多少叫质量。只有学生在了解了引入一个概念的重要性和概念的形成过程时，他们才有可能真正理解概念的含义。

2、利用学生的日常生活经验或者亲身经历引入概念 比如学习浮力时我们可以这样引入：大家都有过在河里游泳的亲身经历吧？我们在游泳时是否做过在水下摸石头的游戏？当我们摸到一块大石头时，在水中不费多大力气就抱起来了，当我们抱出水面时却感到石头很沉，这是为什么？学生自然会想到“石头在水里受到水对它向上托的力”，这是我们引入浮力这个概念：我们把石头在水里受到向上托的力叫做浮力。因为我们是农村学校，学生是百分之百的农村孩子，农村没有游泳池，夏天河流是农村人天然的游泳场所，农村学生自小到大都在河里游泳洗澡，玩摸石头潜水的游戏是家常便饭，用摸石头游戏作为引入浮力概念的情景，学生既熟悉体会又深，对浮力概念容易接受理解也深刻。同时也可以使学生感受到屋里就在身边，我们就是时时刻刻在用物理！这也符合新课程从生活走向物理的理念。

三、正确理解概念的内涵和外延

物理概念的内涵是反映在概念中的物理现象、物理过程的本质属性，是该事物区别于其他事物的本质特征。物理概念的外延即通常所说的概念的运用条件和范围。

学生只有在完全理解了物理概念的前提下，才能进一步学习物理公式、规律、理论等一系列知识，否则物理学习将无法进行。例如：在学习惯性是学生对概念的理解出现偏差，总是认为运动的物体才有惯性，没有运动的物体不具有惯性，对“惯性使物体保持静止或匀速运动状态不变的性质”或者认为“惯性是一种力”，其实惯性使物体的一种属性，它的大小只与物体的质量有关，与物体是否运动、物体运动的快慢无关！再例如有的学生常把内能和机械能混淆，内能是指物体内所有分子做无规则运动的动能和分子势能的总和，它与物体的质量和温度有关，而与物体微观运动无关；而物体的动能与势能的统称机械能，它与物体的质量、运动速度和物体所处的高度有关，它与物体的宏观运动有关。

总之，对于物理概念教学，应该根据就不同的概念采用恰当的方法，扫清学生学习障碍，促进学生对概念的理解和掌握，为物理知识的构建打下坚实的基础。

第三篇：半导体物理第七章总结复习_北邮

第七章

一、基本概念

1.半导体功函数:半导体的费米能级EF与真空中静止电子的能量E0的能量之差。

金属功函数：金属的费米能级EF与真空中静止电子的能量E0的能量之差 2.电子亲和能:要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。3.金属-半导体功函数差o:(EF)s-(EF)m=Wm-Ws 4.半导体与金属平衡接触平衡电势差:

VDWmWsq

5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层 6.电子阻挡层：金属功函数大于N型半导体功函数（Wm>Ws）的MS接触中，电子从半导体表面逸出到金属，分布在金属表层，金属表面带负电。半导体表面出现电离施主，分布在一定厚度表面层内，半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考，从半导体内到表面，能带向上弯曲，即形成表面势垒，在势垒区，空间电荷主要有带正电的施主离子组成，电子浓度比体内小得多，因此是是一个高阻区域，称为阻挡层。【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】

7.电子反阻挡层：金属功函数小于N型半导体功函数（Wm

10.半导体表面势: 取半导体体内为参考电位，半导体表面的势能Vs。.表面态: 在半导体表面处的禁带中存在着表面态，对应的能级称为表面能级。表面态一般分为施主型和受主型两种。若能级被电子占据时呈中性，施放电子后呈正电性，成为施主型表面态；若能级空着的时候为电中性，接收电子后带负电，则成为受主型表面态。一般表面处存在一个距离价带顶为qf的能级，电子刚好填满该能级以下所有表面态时呈电中性。电子填充了该能级以上部分则表面带负

qVDqVsWmWs 电，电子未填充满该能级以下的所有能级则表面带正电。

12.钉扎效应: 若表面态密度高，金属半导体接触时，电子充入或放出表面态，半导体表面形成与体内符号相反的电荷、形成高度为2/3半导体禁带宽度的表面势垒，费米能级钉住在表面中性能级上。

半导体电子逸出到金属的势垒高度基本不变，与半导体掺杂浓度、金属功函数无关，只与表面中性能级位置有关。功函数差产生的接触电势差大部分降落在金属表面与半导体表面之间，少部分降落在半导体表面势垒区。

13.施主型表面态: 电子占据时为电中性、无电子时带正电的表面态为施主型表面态。

14.受主型表面态: 无电子时为电中性，有电子时带负电的表面态为受主型表面态。

15.表面中性能级: 价带顶以上约1/3禁带宽度处的能级是表面中性能级。16.表面态密度：

17.理想欧姆接触: 非整流接触，不产生明显阻抗，不使半导体平衡载流子浓度发生显著改变，线性对称电流-电压关系。

18.接触电阻: 19.高低结: N+N 结或 P+P 结, 内建电场从高杂质浓度区指向低杂质浓度区。20.肖特基势垒二极管: 特点： <1>正向电流由半导体多子注入金属形成，注入电子在金属中不积累，直接漂移流走，高频特性好；<2>正向导通电压0.3V左右，比PN结二极管低；<3>制作工艺简单；<4>制作MS结构后，不能有高于金属-半导体合金温度的工艺；

21.MS肖特基模型: 当金属和半导体接触时，不考虑接触界面状态的影响，电子从功函数较小材料逸出到功函数较大材料，接触面附近两种材料表面状态变化，产生阻止半导体多子继续转移的接触电势差，当功函数差引起的电子转移和接触电势差阻止转移达到平衡时，金属和半导体的费米能级相等，形成稳定的MS接触势垒。

22.MS巴丁模型:<1>表面态在禁带中准连续分布；<2>价带顶以上约1/3禁带宽度处的能级是表面中性能级。<3>平衡过程中，表面中性能级高于体费米能级时，表面态放出电子带正电，表面附近体内带负电，能带下弯曲；表面中性能级低于体费米能级时，电子充入表面态带负电，表面附近体内带正电，能带上弯曲；<4>若表面态密度很高，体费米能级被“钉住”在表面中性能级，表面中性能级始终等于体费米能级。

二、图像

1.金属-N型半导体接触形成电子阻挡层情况下的能带图

2.金属-N型半导体接触形成电子反阻挡层情况下的能带图

3.正向偏压下，金属/N型半导体接触能带图表示

4.金属与半导体欧姆接触的基本结构示意图

三、论述题

1.扩散理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 答：

扩散理论在计算肖特基势垒二极管的IV特性时，以“厚势垒层”方式进行，即根据电流密度的连续性，计算通过势垒区任意点的电流密度，该电流密度包括扩散和漂移，通过对整个势垒区积分，将外加偏压的作用考虑在电流中（势垒区厚度时外加偏压的函数），从而得到IV特性。

扩散理论：半导体表面与金属自由交换电子，即使在外加电压下，半导体表面电子浓度始终等于表面平衡电子浓度，电流主要由因子exp(qV/k0T)-1决定。扩散理论适合阻挡层宽度远大于载流子平均自由程（半导体杂质浓度很低）的情况

2.热电子发射理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 答：

热电子发射理论在计算肖特基势垒二极管的IV特性时，以“薄势垒层”方式进行，通过计算垂直于MS接触面、能量高于半导体势垒顶点的电子浓度（这部分浓度与外加偏压有关）得到电流密度与偏压的关系。

热电子发射理论：金属电子进入半导体的势垒高度不随外加电压变化，其电子电流密度等于不加电压时从半导体到金属的电子电流密度（方向相反），流过MS接触的热电子发射总电流密度JJsmJmsATe2qnsk0T(eqVk0T1)JsT(eqVk0T1)，与外加电压无关，强烈依赖温度。热电子发射理论适合阻挡层宽度远小于载流子平均自由程（半导体杂质浓度很高）的情况。

【MS肖特基势垒二极管两种理论的推导不必掌握其每个步骤，只要求掌握方法】 3.形成金属与半导体欧姆接触的基本原理和手段 答: 重掺杂的pn结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。

4.肖特基势垒二极管的主要特点 答：特点：

<1>正向电流由半导体多子注入金属形成，注入电子在金属中 不积累，直接漂移流走，高频特性好；

<2>正向导通电压0.3V左右，比PN结二极管低； <3>制作工艺简单；

<4>制作MS结构后，不能有高于金属-半导体合金温度的工艺；

公式：

半导体功函数计算

按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度

3.MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率

Pe 4h2mn212x1E(x)Ex212dx

三、公式

1.半导体功函数计算；

2.按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度； 3.MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率；

第四篇：2013-2014苏科版物理期末复习(概念部分)二

苏科版八年级下物理期末复习（概念部分）

《力》

1．的力，叫做弹力。、属于弹力。

2．作用在物体上的越大，物体的就越大，根据这个特性制成弹簧测力计。

3．在国际单位制中力的单位是，符号。手托起两只鸡蛋所用的力约

为。

4．弹簧秤的使用方法：

（1）：

（2）：

（3）：

（4）：

5．发生弹性形变的物体具有，这种能叫做。

6．弹簧秤的用法：(1)要检查指针是否指在零刻度，如果不是，则要；(2)认清和；(3)轻拉秤钩几次，看每次松手后，指针是否回到零刻度，(4)完成上述三步后，即可用弹簧秤来测力了，测量力时不能超过弹簧秤的。

7．叫做重力，重力的大小简称为。符号“”

8．物体所受重力的大小与它的质量成比，两者之间的关系是，其中常数用“”表示，常数的含义是：

9．重力的方向总是的，利用这个特点可制成或。

10．叫重力势能，重力势能的大小与和有关。

重力势能和合称为势能。

11．接触面的统称为摩擦力，叫静

摩擦；叫滑动摩擦。

12．滑动摩擦的大小跟和有关，与无关它的方向跟物体运动方

向。物体间，滑动摩擦力越大，物体对接触面的越大，滑动摩擦力越大，变滑动为滚动，物体间的摩擦力变。

13．生活中的摩擦很多，鞋底制有花纹目的是，采用的方法是；刹车时握

紧刹把目的是，采用的方法是；机器相对滑部分加润滑

油目的是，采用的方法是； 许多机械转轴部分安装

滚珠轴承目的，采用的方法是。

14．气垫船和磁悬浮列车使用的方法减小摩擦的。

15．叫做力，产生力的作用至少必须个物体，物体间力的作用是的。(一个物体对别的物体施力时，也同时受到后者对它的力)。

16．当物体发生或改变时，可以判断物体受到力的作用，力的作用效果与力的、、有关，力的、、称为力的三要素。

17．力的示意图是，其中表示力的作用点，的方向表示力的方向。若同一个图中有几个力，力越大，线段应。

《压强和浮力》

1．叫做压力。压力作用在上，方向，压力的作

用效果与、有关，物理学上通常用来表示压力的作用效果的。

2．强的大小同时受、两个因素影响，压力大，不一定

大；压强大，不一定大。

3．日常生活中根据需要，有时要增大压强，有时要减小压强，增大压强的方法有：（1，（2），（3）。减小压强的方法有：（1），（2）（3）

4．举增大压强和减小压强的方法各两例：

5．菜刀用久了要磨一磨是为了，书包的背带要用而宽是为了铁路的钢轨不是

直接铺在路基上而是铺在在枕木上是为了，钢丝钳的钳口有螺纹是为了。

6．液体由于受所以液体给

7．液体内部压强向液体内部

压强随的增加而增大，液体内部的大小还与有关，在不同液体的相同深

度处大的压强大。

8．液体产生的压强只与 等无

关，液体的压强公式有、。

9．测量液体压强的工具叫，它是根据来判断液体内部压强的大小的。

10．1标准大气压为或为。大气压强会随增大而，大气压强还与、有

关。

11．最早较准确测出大气压强值的是1标准大气压强相当

于产生的压强，大气压对液体的沸点有影响，具体关系是。高压锅就是应用了原理。

12．马德堡半球实验是由国马德堡市的市长的，他还发明

了，该实验说明了（1）（2）

13．流速和压强的关系：在液体中流速越大的地方，压强。

《力与运动》

1． 浮力：一切液体的物体，都受到液体对它的力，这个力叫浮力。浮力方向

总是的。（物体在空气中也受到）

2． 物体沉浮条件：（开始是浸没在液体中）

法一：（比浮力与物体重力大小）

(1)F浮G 下沉；(2)F浮G上浮；(3)F浮G悬浮或漂浮

法二：（比物体与液体的密度大小）

(1)物液 下沉；(2)物液 上浮(3)物液 悬浮。

物体的漂浮条件：。

3． 浮力产生的原因：浸在液体中的物体受到液体对它的向上和向下的。

4． 阿基米德原理：

（浸没在气体里的物体受到的浮力大小等于它排开气体受到的重力）公式：

5． 计算浮力方法有：，(1)秤量法：F浮=(G是物体受到重力，F是物体浸入液体中弹簧秤的读数)

(2)压力差法：F浮=(3)阿基米德原理：

(4)平衡法：(适合漂浮、悬浮（注意这两者的异同））

7．浮力利用：(1)轮船：把密度大于水的材料做成，使它 能排开更多的水。

(2)潜水艇：通过改变来实现沉浮。

(3)气球和飞艇：充入小于空气的气体。他们是靠改变来实现升降。

（4）密度计的原理：

8．英国物理学家在等科学家研究的基础上，总结得出了牛顿第一定律：内容为：。(牛顿第一定律是在的基础上，通过进一步的而概括出来的，因而不能用实验来证明这一定律)。

9．物体保持的性质叫惯性。牛顿第一定律也叫做。惯性是物体的一种。

10．二力平衡：物体受到几个力作用时，如果保持或，我们就说这几个力平衡。

11．二力平衡的条件：两个力、、并且在。

12．物体在13．力是/改变）物体运动状态的原因。

第五篇：物理科教学工作的自我总结

物理科教学工作的自我总结

2011年下学期，是跨世纪的又一个学期，这对于培养跨世纪人才的教师而言，这是最具历史意义的一期。在这一期里，各级领导都提出了更深意义的思考，作出了更具意义的战略部署，那就是要紧密团结在以胡锦涛同志为核心的党中央周围，全面推进素质教育，全面提高教学质量。我本人也紧紧围绕和依靠了上级的精神和决定，顺利地完成了本学期的物理教学任务。现将一期来的工作情况作自我总结如下：

一、提高觉悟，以思想为行动指南

一期来，我时时以一个党员的标准严格要求自己，积极参加党内生活，收看、收听各类新闻报道，了解时事；在工作上发扬了一贯的任劳任怨的精神，做到不计个人得失，以校为家，以教为本；对待同事团结友爱，互相帮带，并能虚心向有经验的教师学习；对待学生则爱护有加，但决不放松严格要求。这一切行动，都源于一个思想上的目标──我要做一个优秀的人民教师，做一个合格的共产党员。

二、立足本职，积极完成物理教学任务

1，本期,我担任了的是初三年级105班的物理教学课程。为了满足学生“一滴水”的需要，我在认真备课、上课之余，还尽可能地利用了大量的休息时间来自学各类知识，以提高自身素质。最近，为了适应新的教学工作，我又在努力自学电脑基础知识，还尝试着学习电脑MIDI制作软件CAKDWALL的使用。

2，作为一名物理教师，就是要用科学的方法去指导学生的学习，把科学的知识传授给学生。教学中，我积极探讨科学的学习方法，诸如兴趣教学法、交互探求法、情感交流法等。从而，提高了学生学习科学知识的兴趣，提高了学生学习的效率。

3，我深知学生组织的重要性。在素质教育的今天，巧妙组织学生活动，体现学生“五自”显得更为重要。本学期,我精心设计、编排了以下活动，做了以下工作：（1）科技作品制作比赛；

（2）开辟物理科学知识探讨专栏；

（3）解难题竞赛活动；

（4）寻找身边科学知识的活动。

三、一分耕耘，一分收获。

本期，我所教的初105班的物理课程，在同年级的统考中，平均成绩达60分，优秀率3xxxx，及格率8xxxx，其中的肖化云同学每次的考试中均获同年级的第一名。

艺无止境，学无止境，工作亦无止境。二十一世纪才是人才培育的时期。在以后的工作道路上，我一定更加加倍努力，争取更大的进步。

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