电气工程及其自动化专业英语》课程论文（5篇）

第一篇：电气工程及其自动化专业英语》课程论文

重庆邮电大学移通学院

《电气工程及其自动化专业英语》课程论文

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Insulated-gate Bipolar Transistor Basics

【Abstract】 Modern Power Electronics makes generous use of MOSFETs and IGBTs in most applications, and, if the present trend is any indication, the future will see more and more applications making use of MOSFETs and IGBTs.For high-voltage or high-power applications, it may be necessary to realize a logical switch by connecting smaller units in parallel and series to achieve high availability, high-frequency operation, and low cost due to build-in redundancy, reduced dynamic losses, and modular use of standardized units, respectively.IGBTs are very convenient to realize such units, because of quasi-linear controllability via a gate terminal.This thesis investigates control methodologies for power MOS semiconductor switches with focus on combined parallel and series connection of IGBT/diode modules.It is proposed to provide each IGBT with primary local control to monitor and adjust the IGBT's static and dynamic behavior.Secondary(global)control synchronizes the operation of multiple IGBTs.A globally synchronous clock can also be derived locally.This makes it possible to use low-cost low-bandwidth data links between series-connected units.Thereby, a flexible master-slave approach can avoid the need of dedicated global control.That is, the entire system is manageable by the local gate drive circuitry.Keywords: IGBT applications MOSFET characteristic

Introduction: The IGBT is a semiconductor device with four alternating layers(P-N-P-N)that are controlled by a metal-oxide-semiconductor(MOS)gate structure without regenerative action.This mode of operation was first proposed by Yamagami in his Japanese patent S47-21739, which was filed in 1968.This mode of operation was first experimentally reported in the lateral four layer device(SCR)by B.W.Scharf and J.D.Plummer in 1978.[1] This mode of operation was also experimentally discovered in vertical device in 1979 by B.J.Baliga.[2] The device structure was referred to as a „V-groove MOSFET device with the drain region replaced by a p-type Anode Region‟ in this paper and subsequently as 'the insulated-gate rectifier'(IGR), the insulated-gate transistor(IGT), the conductivity-modulated field-effect transistor(COMFET)and “bipolar-mode MOSFET”.[3]

IGBT Fundamentals: The Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)is a minority-carrier device with high input impedance and large bipolar current-carrying capability.Many designers view IGBT as a device with MOS input characteristics and bipolar output characteristic that is a voltage-controlled bipolar device.To make use of the advantages of both Power MOSFET and BJT, the IGBT has been introduced.It‟s a functional integration of Power MOSFET and BJT devices in monolithic form.It combines the best attributes of both to achieve optimal device characteristics.1.The main advantages of IGBT over a Power MOSFET and a BJT are: 1.It has a very low on-state voltage drop due to conductivity modulation and has superior on-state current density.So smaller chip size is possible and the cost can be reduced.2.Low driving power and a simple drive circuit due to the input MOS gate structure.It can be easily controlled as compared to current controlled devices(thyristor, BJT)in high voltage and high current applications.3.Wide SOA.It has superior current conduction capability compared with the bipolar transistor.It also has excellent forward and reverse blocking capabilities.2.The main drawbacks are: 1.Switching speed is inferior to that of a Power MOSFET and superior to that of a BJT.The collector current tailing due to the minority carrier causes the turn-off speed to be slow.2.There is a possibility of latchup due to the internal PNPN thyristor structure.The IGBT is suitable for scaling up the blocking voltage capability.In case of Power MOSFET, the on-resistance increases sharply with the breakdown voltage due to an increase in the resistively and thickness of the drift region required to support the high operating voltage.Basic Structure: An IGBT cell is constructed similarly to a n-channel vertical construction power MOSFET except the N+ drain is replaced with a P+ collector layer, thus forming a vertical PNP bipolar junction transistor.This additional P+ region creates a cascade connection of a PNP bipolar junction transistor with the surface n-channel MOSFET.Some IGBTs, manufactured without the N+ buffer layer, are called non-punch through IGBTs whereas those with this layer are called punch-through IGBTs.The presence of this buffer layer can significantly improve the performance of the device if the doping level and thickness of this layer are chosen appropriately.Despite physical similarities, the operation of an IGBT is closer to that of a power BJT than a power MOSFET.It is due to the P + drain layer(injecting layer)which is responsible for the minority carrier injection into the N-drift region and the resulting conductivity modulation.IGBT Characteristics： Because the IGBT is a voltage-controlled device, it only requires a small voltage on the Gate to maintain conduction through the device unlike BJT‟s which require that the Base current is continuously supplied in a sufficient enough quantity to maintain saturation.Also the IGBT is a unidirectional device, meaning it can only switch current in the “forward direction”, that is from Collector to Emitter unlike MOSFET‟s which have bi-directional current switching capabilities(controlled in the forward direction and uncontrolled in the reverse direction).The principal of operation and Gate drive circuits for the insulated gate bipolar transistor are very similar to that of the N-channel power MOSFET.The basic difference is that the resistance offered by the main conducting channel when current flows through the device in its “ON” state is very much smaller in the IGBT.Because of this, the current ratings are much higher when compared with an equivalent power MOSFET.[4] The main advantages of using the Insulated Gate Bipolar Transistor over other types of transistor devices are its high voltage capability, low ON-resistance, ease of drive, relatively fast switching speeds and combined with zero gate drive current makes it a good choice for moderate speed, high voltage applications such as in pulse-width modulated(PWM), variable speed control, switch-mode power supplies or solar powered DC-AC inverter and frequency converter applications operating in the hundreds of kilohertz range.A general comparison between BJT‟s, MOSFET‟s and IGBT‟s is given in the following table.IGBT Operating area: The safe operating area is defined as the current-voltage boundary within which a power switching device can be operated without destructive failure.For IGBT, the area is defined by the maximum collector-emitter voltage V CE and collector current I C within which the IGBT operation must be confined to protect it from damage.The IGBT has the following types of SOA operations: forward-biased safe operating area , reverse-biased safe operating area and short-circuit safe operating area.1.Pulsed Collector Current(I): Within its thermal limits, the IGBT can be used to a peak current well above the rated continuous DC current.The temperature rise during a high current transient can be calculated with the help of the transient thermal impedance curve or simulated in SPICE with the parameters provided in the curve.The test circuit is shown in the data sheet.2.Collector-to-Emitter Voltage(V): Voltage across the IGBT should never exceed this rating, to prevent breakdown of the collector-emitter junction.The minimum value of the breakdown is stated in the Table of Electrical Characteristics.3.Maximum Gate-to-Emitter Voltage(V): The gate voltage is limited by the thickness and characteristics of the gate oxide layer.Though the gate dielectric rupture is typically around 80 volts, the user is normally limited to 20 or 30V to limit current under fault conditions and to ensure long term reliability.4.Clamped Inductive Load Current(I): This rating is described in Section 6 and is important in most hard-switching applications.The test circuit can be found in the data sheet(it has changed over the years)and is the same as the switching loss test circuit.This circuit exposes the IGBT to the peak recovery current of the free-wheeling diode, which adds a significant component to the turn-on losses.This rating guarantees that the device can sustain high voltage and high current simultaneously, i.e.a square switching SOA.The test conditions for I LM are specified in the data sheet.This complements the information supplied by the RBSOA.CM

CES

GELM

References: [1] B.W.Scharf and J.D.Plummer, 1978 IEEE International Solid-State Circuits Conference, SESSION XVI FAM 16.6 “A MOS-Controlled Triac Devices”

[2] B.J.Baliga, “ENHANCEMENT-AND DEPLETION-MODE VERTICAL-CHANNEL M.O.S.GATED THYRISTORS” Electronics Letters p.645(1979)[3] A.Nakagawa et al., “High voltage bipolar-mode MOSFETs with high current capability”, Ext.Abst.of SSDM, pp.309–312(1984)[4] Ralph Locher, “Introduction to Power MOSFETs and their Applications” Fairchild Semiconductor, Application Note 558, October 1998.

第二篇：电气工程自动化专业

自 荐 信

尊敬的领导：

您好！

真诚地感谢您在百忙之中浏览这份求职材料。这里有一颗热情而赤诚的心渴望得到您的了解与帮助，为了发挥自己的才能、实现自己的人生价值，谨向您毛遂自荐。我是一名即将毕业的电气工程及其自动化专业本科生，届时将获得工学学士学位。大学四年，奠定了我扎实的专业理论基础，良好的组织能力，团队协作精神，务实的工作作风。我性格开朗、待人热情、办事稳重、善于思考、自学能力动手能力强，易于接受新事物。

宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来。在大学四年中，凭着特有的坚韧和执着，我系统学习了可编程控制器及其系统，自动控制理论，电力电子技术，单片机原理及应用，模拟电子技术，C语言编程，自动化仪表与过程控制；通过四年的大学本科教育，培养了我良好的道德修养、综合素质和创新能力；品行端正，积极上进。此间，参加过多次课程设计和实习，使自己的动手能力有了很大的提高，也让我进一步巩固和掌握了专业知识。我已能够较好地胜任电子电路设计，生产线的控制与维护等方面的技术性及管理性工作。我真心的希望能从事和参与这方面的工作，我相信执着的追求和永不幻灭的热情是最好的工作动力。同时，为了拓宽知识面，我阅读了大量的课外书籍，因此我有很强的文字组织能力和语言表达能力。

在不断求索的人生历程中，我逐步形成了“以诚待人、以理服人、以德感人”的品格。“自信而不狂傲,稳重但又热情,年轻而富有朝气”是我的特点。工作中，我尽心尽职、兢兢业业、克己奉公；学习上，我刻苦钻研、敢于求索、敢于创新；生活上，我克勤克俭、吃苦耐劳、乐观豁达。我性格开朗，爱好广泛，富有热情，相信一定能在工作中与同事相处融洽，营造一种愉快而高效的工作氛围。而且在大学期间，我还多次参加勤工助学，有丰富的工作和社会经验。在努力学习和自我充实的同时，我也赢得了老师和同学的好评。因此我希望能够加入贵单位.我会踏踏实实地做好属于自己的每一份工作,竭尽全力在工作中取得好的成绩.如果您给我一个发展的机会，我会以一颗真诚的心、饱满的工作热情、勤奋务实的工作作风、快速高效的工作效率回报贵单位。即使贵单位认为我还不符合你们的条件，我也将一如既往地关注贵单位的发展，并在此致以最诚挚的祝愿。感谢您的关注，期待您的答复！

此致

敬礼！

-----吃苦趁年轻，用我的行动体现我的价值-----------------------------

第三篇：电气工程及其自动化专业认知论文

通过一个学期的专业认知课程的学习，我对电气工程及其自动化专业的认识增长了不少。一开始，我以为电气工程及其自动化主要是落脚于我们家中的形形式式的电器。但通过专业认知后，我渐渐地发现我之前的认为是不太正确的。

电气工程及其自动化专业主要包括电工基础理论、电气装备制造与应用、电力系统运行与控制三个部分。其中电工理论包括电路理论和电磁场理论；电气装备制造包括发电机、电动机、变压器等电机设备的制造，也包括开关、用电设备等电器与电气设备的制造，还包括电力电子设备的制造、各种电气、电子控制装置的制造；电力系统的运行主要指电力网的运行和控制、电气自动化等内容。

通过学习，我还了解了当今发电厂发电的主要类型。

1、火力发电：主要是靠燃烧石油、煤炭和天然气等燃料在燃烧时产生的热能来加热水，使水变成水蒸气来推动发电机发电，火力发电的三大主要设备是锅炉、汽轮机、发电机。

2、水力发电：利用水力推动水力机械（水轮机）转动，将水能变为机械能，然后带动发电机发电，这时机械能便转化为电能了。水力发电的特点为清洁、绿色、可再生。

3、核能发电：核能是指原子核裂变或核聚变反应所释放出的能量。核能发电是用铀、钚作燃料来发电的。原子核能的发现引起了世界发电能源的重大改革。

除了了解当今发电厂的几种重要发电类型外，还了解了电力系统的主要构成。电力系统包括：发电厂、变电站、输电网、配电网和电力用户等环节组成的电能生产、传输与利用系统。其中这个学期的学习最主要了解了输电网中的输电线路铁塔，按其形状一般分为：酒杯型、猫头型、上字型、干字型和桶型五种，按用途分有：耐张塔、直线塔、转角塔、换位塔、终端塔和跨越塔等。

通过观看百年电力的纪录片，我对我国以及全世界的电力发展有了一定的深入了解。从1879年我国在上海装设的第一台直流发电机开始，我国的电力发展就不断地往一个个台阶上走，直至13年底我国人均用电量为4100kwh，装机容量达到12.47亿kwh。虽然这个数字与一些发达国家比较显得微不足道，但是依照现在这样的发展状况，我们离他们并不遥远。

对于自动化的概念和应用我也是有了初步的了解。自动化，是指机器或者设备在无人干预的情况下按规定的程序或指令自动地操作或运行。自动化有两个支柱技术：一个是自动控制，一个是信息处理。自动控制是关于受控系统的分析、设计和运行的理论和技术。自动化技术已经在众多领域中不断发展，包括军事、航空、航天、医疗、交通运输、农业、工业、环境监测和我们最常接触的家用电器。自动化技术是发展迅速、应用广泛、最引人瞩目的高技术之一，是推动高技术革命的核心技术，是信息社会中不可缺少的关键技术。从某种意义上讲，自动化就是现代化的同义词。

经过一个学期的学习，不断地认识电气工程及其自动化这个专业的基本知识，让我对这个专业有了一个新的认识，有了更深一层的了解。如果有人过来问我，电气工程及其自动化这个专业是学什么的，没上课前的我会支支吾吾半天都说不到重点，而现在的我会不用思考的能回答出来，电气工程及其自动化专业是学习电路、电磁场、电机学和控制理论等课程知识。总之，专业认知这门课让我知道了电气工程及其自动化这个专业的就业方向、要学习的课程以及这个专业的技术在我们的生活中的应用、对我们生活方式的影响。我希望在大学期间，我会尽自己最大的努力去学习这门看起来简单但做起来复杂的课程，我也希望，通过大学期间的学习能够掌握电气工程及其自动化这门专业的精髓所在，为以后将我们的生活改变得更加舒适，更加环保，更加安全而努力。

第四篇：电气工程及其自动化专业

电气工程及其自动化专业

专业介绍 电气工程及其自动化的触角伸向各行各业，小到一个开关的设计，大到宇航飞机的研究，都有它的身影。本专业生能够从事与电气工程有关的系统运行、自动控制、电力电子技术、信息处理、试验技术、研制开发、经济管理以及电子与计算机技术应用等领域的工作，是宽口径“复合型”高级工程技术人才。该领域对高水平人才的需求很大。据估计，随着国外大企业的进入，在这一专业领域将出现很大缺口，那时很可能出现人才供不应求的现象。

电气工程及其自动化专业对广大考生有很强的吸引力，属于热门专业，高考录取分数线往往要比其他专业方向高许多，造成这一情况的主要原因有：①就业容易，工作环境好，收入高；②名称好听，专业内容对学生有吸引力； 社会宣传和舆论导向对其有利。该专业方向有着非常好的发展前景，研究成果较容易向现实产品转换，而且效益相当可观。他创造性的研究思路吸引着众多考生，这里的确是展示他们才能的好地方。但是鉴于国内现在的形式，考生在报考该专业的时候应该注意以下两点：

(1)充分考虑自己的兴趣。也许自己本来并不对该方向感兴趣，但是许多人都说好，于是自己就“感兴趣”了。这对以后的发展是很不利的，毕竟兴趣是最好的老师。

(2)衡量自己的综合素质。电气工程及自动化专业需要具有扎实的数学、物理基础，较强的外语综合能力，为今后能够掌握并且灵活运用专业知识做准备。该专业方向的人才需求虽然大，但可供选择的人也很多，如果没有非常强的综合素质，很难在众人之中脱颖而出，取得突出成绩。

主干学科和课程

主干学科：电气工程、控制科学与工程、计算机科学与技术

主要课程：电路理论、电子技术、电力电子技术、自动控制原理、微机原理与应用、电气工程基础、电机学、电器学、电力系统分析、电机设计、高低压电器、电机控制、智能化电器原理与应用、电力系统继电保护、电力系统综合自动化、建筑供配电等。

培养目标

培养适应社会主义建设需要、德智体美全面发展，获得工程师基本训练，能理论联系实际、具备电工技术、电子技术、控制理论、自动检测与仪表、信号处理、计算机技术与应用和网络技术等较宽广领域的工程技术基础和一定的专业知识，能在运动控制、工业过程控制、电力电子技术、检测与自动化仪表、电子与计算机技术、信息处理、管理与决策等领域研究、分析、设计、制造和应用开发的应用型高级工程技术人才。

培养要求

本专业学生主要学习电工技术、电子技术、信息控制、计算机技术、电气工程及自动化技术等方面较宽广的工程技术基础和一定的专

业知识，使学生受到电工电子、信息控制及计算机技术方面的基本训练，以及电气工程及自动化领域的专业训练，具有解决电气工程技术与控制技术问题的基本能力

学科特点

电气工程及其自动化专业是为各行各业培养能够从事电气工程及其自动化、计算机技术应用、经济管理等领域工作的宽口径、复合型的高级工程技术人才。

该专业的特色体现在：强电与弱电相结合，电工技术与电子技术相结合，软件与硬件相结合，元件与系统相结合，使学生获得电气控制、电力系统自动化、电气自动化装置及计算机应用技术等领域的基本技能，具有分析和解决电气工程技术领域技术问题的能力。就业方向 电气工程及其自动化，在当时电气控制发展迅速的背景下，就业状况与机械等一样，优势很大，就业范围广阔。绝对是个专业性很强的专业，不过因学校不同，它的偏重也不一样，有强弱电之分，这个你首先要分清楚，一般主学电力系统分析，电机学，继电保护，电网等的为强电，这个方向的电气专业因为电力行业的发展而变的非常吃香，但是有这个方向大学并不多，大多数大学的电气专业都是以弱电为主。

强电：这个方向的最好的去向个人认为是各地区的电力公司以及各大型电厂，至于这个行业的好坏我想我也就不必多说了，还有就是

一些大型外企，如：西门子，ABB等都是这个专业的消化大户;

弱电：对于弱电来说，因为其一般偏向控制，所以若想进电力行业一般进电厂比较多，电力公司相对招的人就很少了，至于其它方面与强电相差就比较少了，也可进西门子，ABB等大型外企，以及国内几家大型的电气公司。

本专业培养的学生可以从事下列工作：

1、电机电器设计、制造、控制、试验、运行维护、研制开发、生产管理工作；或电力系统与电气装备的运行、供电系统和高层建筑的电气设计与运行维护工作；或建筑电气领域电气设计、楼宇自动化、综合布线与智能建筑的系统设计、系统运行、研制开发、试验分析、工程建设与管理工作。

2、电力电子、电气传动、自动化、仪表等技术领域的研制开发工作。业务范围

1、自动控制系统、电力电子设备设计、制造、测试等工作。

2、自动化技术的理论研究及科学实验方面的工作。

3、计算机测控技术和科研开发工作。

4、工厂控制系统及设备的技术开发、应用和管理工作。

5、学校的教学、科研和管理工作。

就业前景

电气工程及其自动化专业培养的毕业生就业面宽、适应性强。该专业的毕业生主要面向电力行业就业，可从事电力设计、建设、调试、生产、运行、市场运营、科技开发和技术培训等工作，也可从事其他

行业中的电气技术工作。主要就业单位有电力公司、电力设计院、电力规划院、电力建设部门、电力生产单位、电气工程研究开发公司和研究院以及具有电气相关专业的院校。自动控制、电力电子技术、信息处理、试验分析、研制开发、经济管理以及电子与计算机技术应用等领域的工作,电气自动化专业就业前景怎样：

1，电业局

2，设计院

3，工程局

最好的是电业局。福利好，待遇高。然后是设计院，工作相对比较轻松。最艰苦的是工程局。因为要随着工程地点到处跑。但是工资也不低。总的来说是很不错的。而且还可以向自动化、电子等方向转行。这个专业，强电，弱电都有的。

“自动化”一是属于信息产业。信息产业被人们誉为“朝阳产业”，发展快、需要人才多、待遇高，是当今科技发展的趋势所在。因此，作为信息产业中的重要一员，自动化专业同样有着光辉的前途。二是自动化应用范围广。几乎所有的工业部门都可以同自动控制挂上钩，现代化的农业、国防也都与自动化息息相关。三是本专业对于个人发展非常有利。本专业课程设置的覆盖面广，所学的东西与其他学科交叉甚多。这也与本专业的来历有关，自动化专业大部分源于计算机或者电子工程系的自动控制专业。

随着我国经济的不断发展，现代化工业的不断发展使电气自动化技术方面的人才市场有着相当大的潜力。尤其是广东地区，自动化生

产技术不断提高，自动化产品不断普及，智能楼宇和智能家居的应用，智能交通的不断发展，为电气自动化技术专业提供了广阔的发展前景。

通常情况下，毕业生可以选择国有的质量技术监督部门、研究所、工矿企业等；也可以是一些外资、私营企业，待遇当然是相当可观的。

第五篇：电气工程及其自动化专业

本专业学生主要学习电工技术、电子技术、信息控制、计算机技术、电气工程及自动化技术等方面较宽广的工程技术基础和一定的专业知识，使学生受到电工电子、信息控制及计算机技术方面的基本训练，以及电气工程及自动化领域的专业训练，具有解决电气工程技术与控制技术问题的基本能力。

主要课程

电路原理、模拟电子技术基础、数字电子技术基础、计算机原理及应用、计算机软件技术基础、过程工程基础、电机与电力拖动基础、电力电子技术、自动控制理论、信号与系统分析、过程检测及仪表、运筹学、计算机仿真、计算机网络、过程控制、运动控制、系统辨识基础、计算机控制系统、系统工程导论、复变函数与积分变换、自动化概论、嵌入式系统原理与设计、PLC原理。

就业方向

主要从事与电气工程有关的系统运行、自动控制、电力电子技术、信息处理、试验分析、研制开发、经济管理以及电子与计算机技术应用等领域的工作。电气自动化在工厂里应用比较广泛，可以这么说,电气自动化是工厂里唯一缺少不了的东西，是工厂里的支柱啊！你要是对电气自动化比较精通,用人单位立刻要你，不管是什么单位,最好是电子厂，因为电子厂天天用到自动化,编程，设计。如果你对工作待遇条件要求很看重。最好的是电业局。福利好，待遇高。然后是设计院，工作相对比较轻松。最艰苦的是工程局。因为要随着工程地点到处跑。但是工资也不低。而且还可以向自动化、电子等方向转行。

电气工程及其自动化

（电力系统）(本科，四年，理工类)专业简介：电力系统专业方向是电气工程及其自动化专业中最具有优势和特色的专业方向，为国家级一类特色专业的重要组成部分，主要培养从事高压电气设备设计、制造和运行维护等方面的高级工程技术人才。该专业方向依托电气工程一级博士学位授权学科和博士后科研流动站，覆盖了高电压与绝缘技术和电介质工程2个二级博士、硕士学位授权学科，电力系统，为国家级重点学科。同时，该专业方向设置高电压绝缘技术和电气绝缘与电缆两个专业模块。主要课程：本专业主要开设公共基础课、电路、电磁场、电机学、电力电子技术、单片机原理、电气测试技术、电力工程基础、电介质物理、电气绝缘测试技术、高电压试验技术、电气绝缘结构设计原理与CAD、光电通信原理、电力系统过电压及保护、电缆材料与电缆工艺原理等专业基础课和专业方向课程。就业方向：可在电力设备制造行业从事高电压设备的设计、开发、生产和管理等工作，可在电力系统从事高压设备的运行维护方面的技术工作和管理工作，就业于电业局，供电局，发电厂，也可在高校和科研院所从事教学和科研工作。

开设学校

西安交通大学渭南师范学院华中科技大学华北电力大学天

津大学重庆邮电大学重庆交通大学重庆大学苏州大学苏州科技学院徐州师范大学金陵科技学院徐州工程学院浙江大学华南理工大学西北工业大学哈尔滨工业大学东北大学大连理工大学东南大学湖南大学中南大学武汉理工大学中国矿业大学合肥工业大学东北师范大学西华大学南华大学北华大学南京航空航天大学南京师范大学北京交通大学广东石油化工学院安徽大学安徽工业大学贵州大学云南民族大学昆明理工大学云南农业大学暨南大学沈阳工程学院西藏大学西安理工大学江南大学西安矿业学院陕西理工学院宝鸡文理学院兰州理工大学兰州交通大学青海大学新疆大学天津工业大学天津科技大学天津理工大学哈尔滨理工大学黑龙江东方学院黑龙江科技大学东北石油大学黑龙江工程学院黑龙江八一农垦大学佳木斯大学天津城市建设学院河北建筑工程学院河北农业大学河北师范大学河北大学河北工业大学河北理工大学唐山学院邯郸学院河北科技大学河北工程大学河北科技师范学院湘南学院燕山大学山西大学太原工业学院太原理工大学太原科技大学内蒙古工业大学内蒙古科技大学内蒙古农业大学沈阳工业大学辽宁大学辽宁工程技术大学大连工业大学辽宁工业大学长春理工大学长春工业大学吉林建筑工程学院上海交通大学上海电机学院上海理工大学上海师范大学上海工程技术大学上海大学上海杉达学院上海海洋大学上海海事大学上海电力学院上海应用技术学院南京工业大学江苏大学南通大学盐城师范学院盐城工学院淮海工学院扬州大学安徽大学江西理工大学南昌大学南昌工程学院湖北工业大学湖北民族学院三峡大学湖南科技大学湖南工程学院广东工业大学广西大学西南民族大学西北民族大学西北农林科技大学中国农业大学海南大学东北电力学院武汉大学长沙理工大学河海大学沈阳建筑大学武汉城市建设学院西北建筑工程学院桂林电子工业学院电子科技大学西安电子科技大学石家庄学院石家庄铁道大学大连交通大学华东交通大学大连海事大学中国民航大学华侨大学哈尔滨工程大学北京石油化工学院西安石油大学中北大学南京理工大学北京航空航天大学重庆交通大学重庆理工大学四川大学西南交通大学武汉工业学院兰州交通大学石油大学北京建筑工程学院天津工业大学河北职业技术师范学院长春工程学院浙江工业大学烟台师范学院广州大学东莞理工学院华南理工大学广州学院广州大学松田学院广东技术师范学院广东海洋大学湛江师范学院韩山师范学院西南石油大学成都理工大学四川理工学院四川师范大学西安建筑科技大学浙江科技学院漳州师范学院成都信息工程学院西南科技大学成都大学攀枝花学院华南农业大学长江大学中国地质大学东北林业大学南京农业大学