第一篇：晶硅太阳能电池组件—背板材料 产品技术 原材料 测试方法及质量问题
Chemical treatment of crystalline silicon solar cells as a method of recovering pure silicon from photovoltaic modules Renewable Energy
Photovoltaic technology is used worldwide to provide reliable and cost-effective electricity for industrial, commercial, residential and community applications.The average lifetime of PV modules can be expected to be more than 25 years.The disposal of PV systems will become a problem in view of the continually increasing production of PV modules.These can be recycled for about the same cost as their disposal.Photovoltaic modules in crystalline silicon solar cells are made from the following elements, in order of mass: glass, aluminium frame, EVA copolymer transparent hermetising layer, photovoltaic cells, installation box, Tedlar protective foil and assembly bolts.From an economic point of view, taking into account the price and supply level, pure silicon, which can be recycled from PV cells, is the most valuable construction material used.®Recovering pure silicon from damaged or end-of-life PV modules can lead to economic and environmental benefits.Because of the high quality requirement for the recovered silicon, chemical processing is the most important stage of the recycling process.The chemical treatment conditions need to be precisely adjusted in order to achieve the required purity level of the recovered silicon.For PV systems based on crystalline silicon, a series of etching processes was carried out as follows: etching of electric connectors, anti-reflective coating and n-p junction.The chemistry of etching solutions was individually adjusted for the different silicon cell types.Efforts were made to formulate a universal composition for the etching solution.The principal task at this point was to optimise the etching temperature, time and alkali concentration in such a way that only as much silicon was removed as necessary.Engineering, institutions, and the public interest: Evaluating product quality in the Kenyan solar photovoltaics industry Energy Policy
Solar sales in Kenya are among the highest per capita among developing countries.While this commercial success makes the Kenya market a global leader, product quality problems have been a persistent concern.In this paper, we report performance test results from 2004 to 2005 for five brands of amorphous silicon(a-Si)photovoltaic(PV)modules sold in the Kenya market.Three of the five brands performed well, but two performed well below their advertised levels.These results support previous work indicating that high-quality a-Si PV modules are a good economic value.The presence of the low performing brands, however, confirms a need for market institutions that ensure the quality of all products sold in the market.Prior work from 1999 indicated a similar quality pattern among brands.This confirms the persistent nature of the problem, and the need for vigilant, long-term approaches to quality assurance for solar markets in Kenya and elsewhere.Following the release of our 2004/2005 test results in Kenya, the Kenya Bureau of Standards moved to implement and enforce performance standards for both amorphous and crystalline silicon PV modules.This appears to represent a positive step towards the institutionalization of quality assurance for products in the Kenya solar market.Electrical performance results from physical stress testing of commercial PV modules to the IEC 61215 test sequence Solar Energy Materials and Solar Cells
This paper presents statistical analysis of the behaviour of the electrical performance of commercial crystalline silicon photovoltaic(PV)modules tested in the Solar Test Installation of the European Commission's Joint Research Centre from 1990 up to 2006 to the IEC Standard 61215 and its direct predecessor CEC Specification 503.A strong correlation between different test results was not observed, indicating that the standard is a set of different, generally independent stress factors.The results confirm the appropriateness of the testing scheme to reveal different module design problems related rather to the production quality control than material weakness in commercial PV modules.Efficiency model for photovoltaic modules and demonstration of its application to energy yield estimation
A new method has been proposed [W.Durisch, K.H.Lam, J.Close, Behaviour of a copper indium gallium diselenide module under real operating conditions, in: Proceedings of the World Renewable Energy Congress VII, Pergamon Press, Oxford, Elsevier, Amsterdam, 2002, ISBN 0-08-044079-7] for the calculation of the annual yield of photovoltaic(PV)modules at selected sites, using site-specific meteorological data.These yields are indispensable for calculating the expected cost of electricity generation for different modules, thus allowing the type of module to be selected with the highest yield-to-cost ratio for a specific installation site.The efficiency model developed and used for calculating the yields takes three independent variables into account: cell temperature, solar irradiance and relative air mass.Open parameters of the model for a selected module are obtained from current/voltage(I/V)characteristics, measured outdoors at Paul Scherrer Institute's test facility under real operating conditions.From the model, cell and module efficiencies can be calculated under all relevant operating conditions.Yield calculations were performed for five commercial modules(BP Solar BP 585 F, Kyocera LA361K54S, Uni-Solar UPM-US-30, Siemens CIS ST40 and Wuerth WS11003)for a sunny site in Jordan(Al Qawairah)for which reliable measured meteorological data are available.These represent mono-crystalline, poly-crystalline and amorphous silicon as well as with copper–indium-diselenide, CuInSe2 PV modules.The annual yield for these modules will be presented and discussed.Experimental validation of crystalline silicon solar cells recycling by thermal and chemical methods
In recent years, photovoltaic power generation systems have been gaining unprecedented attention as an environmentally beneficial method for solving the energy problem.From the economic point of view pure silicon, which can be recovered from spent cells, is the most important material owing to its cost and limited supply.The article presents a chemical method for recycling spent or damaged modules and cells, and the results of its experimental validation.The recycling of PV cells consists of two main steps: the separation of cells and their refinement.Cells are first separated thermally or chemically;the separated cells are then refined.During this process the antireflection, metal coating and p–n junction layers are removed in order to recover the silicon base, ready for its next use.This refinement step was performed using an optimised chemical method.Silicon wafers were examined with an environmental scanning electron microscope(ESEM)coupled to an EDX spectrometer.The silicon wafers were used for producing new silicon solar cells, which were then examined and characterized with internal spectral response and current–voltage characteristics.The new cells, despite the fact that they have no SiNx antireflective coating, have a very good efficiency of 13–15%.The impact of silicon feedstock on the PV module cost
The impact of the use of new(solar grade)silicon feedstock materials on the manufacturing cost of wafer-based crystalline silicon photovoltaic modules is analyzed considering effects of material cost, efficiency of utilisation, and quality.Calculations based on data provided by European industry partners are presented for a baseline manufacturing technology and for four advanced wafer silicon technologies which may be ready for industrial implementation in the near future.Iso-cost curves show the technology parameter combinations that yield a constant total module cost for varying feedstock cost, silicon utilisation, and cell efficiency.A large variation of feedstock cost for different production processes, from near semiconductor grade Si(30 €/kg)to upgraded metallurgical grade Si(10 €/kg), changes the cost of crystalline silicon modules by 11% for present module technologies or by 7% for advanced technologies, if the cell efficiency can be maintained.However, this cost advantage is completely lost if cell efficiency is reduced, due to quality degradation, by an absolute 1.7% for present module technology or by an absolute 1.3% for advanced technologies.Thin-film monocrystalline-silicon solar cells made by a seed layer approach on glass-ceramic substrates
Solar modules made from thin-film crystalline-silicon layers of high quality on glass substrates could lower the price of photovoltaic electricity substantially.One way to create crystalline-silicon thin films on non-silicon substrates is to use the so-called “seed layer approach”, in which a thin crystalline-silicon seed layer is first created, followed by epitaxial thickening of this seed layer.In this paper, we present the first solar cell results obtained on 10-μm-thick monocrystalline-silicon(mono-Si)layers obtained by a seed layer approach on transparent glass-ceramic substrates.The seed layers were made using implant-induced separation and anodic bonding.These layers were then epitaxially thickened by thermal CVD.Simple solar cell structures without integrated light trapping features showed efficiencies of up to 7.5%.Compared to polycrystalline-silicon layers made by aluminum-induced crystallization of amorphous silicon and thermal CVD, the mono-Si layers have a much higher bulk diffusion lifetime.Waved glass: Towards optimal light distribution on solar cell surfaces for high efficient modules
A method to improve the module efficiency of solar cells by modifying the surface of the glass cover of the solar cells module is proposed.A model is built to show that a better efficiency can be achieved by optimizing the light distribution on the cell, which reduces the shadow losses and thereby allows the finger spacing to be decreased, which in turn decreases the(resistive)ohmic losses.This method is illustrated by considering industrial crystalline silicon solar cells as an example, however, it applies to all solar cells that are characterized by a metallization pattern on the surface of the solar cell.It is estimated that this method can improve the relative module efficiency by about 5% and halve the front side losses.Analysis of series resistance of crystalline silicon solar cell with two-layer front metallization based on light-induced plating
Improving the front metallization quality of silicon solar cells should be a key to enhance cell performance.In this work, we investigated a two-layer metallization scheme involving light-induced plating(LIP)and tried to quantify its impact on the series resistance of the front grid metals and FFs on finished cells.To estimate the effect of LIP processing on a printed and fired seed layer, individual components of series resistance were measured before and after LIP processing.Among them, grid resistance and contact resistance were closely observed because of their large contribution to series resistance.To optimize the plating on the seed metal grid, the grid resistance of the two-layer metal grid structure was calculated as a function of cross section area of the plated layer.Contact resistivity of the grid before and after LIP processing was analyzed to understand the contact resistance reduction, as well.As a result, the efficiency of solar cells with 80 μm seed metal grid width increased by 0.3% absolute compared with conventional solar cells of 120 μm metal grid width.The total area of electrodes in conventional cells was 1800 mm and electrodes area of LIP processed solar cells was 1400 mm.The efficiency gain was due to reduction of shadowing loss from 7.7% to 6.0% without the increase of resistance due to two-layer front metallization.22Simulation of hetero-junction silicon solar cells with AMPS-1D
Mono-and poly-crystalline silicon solar cell modules currently represent between 80% and 90% of the PV world market.The reasons are the stability, robustness and reliability of this kind of solar cells as compared to those of emerging technologies.Then, in the mid-term, silicon solar cells will continue playing an important role for their massive terrestrial application.One important approach is the development of silicon solar cells processed at low temperatures(less than 300 °C)by depositing amorphous silicon layers with the purpose of passivating the silicon surface, and avoiding the degradation suffered by silicon when processed at temperatures above 800 °C.This kind of solar cells is known as HIT cells(hetero-junction with an intrinsic thin amorphous layer)and are already produced commercially(Sanyo Ltd.), reaching efficiencies above 20%.In this work, HIT solar cells are simulated by means of AMPS-1D, which is a program developed at Pennsylvania State University.We shall discuss the modifications required by AMPS-1D for simulating this kind of structures since this program explicitly does not take into account interfaces with high interfacial density of states as occurs at amorphous-crystalline silicon hetero-junctions.太阳能硅电池的软件仿真设计与制造
Mapping the performance of PV modules, effects of module type and data averaging 统计实验与数据收集处理：太阳能发电电池背板组件模块的效用与背板材料开发方向选取
Solar Energy A method is presented for estimating the energy yield of photovoltaic(PV)modules at arbitrary locations in a large geographical area.The method applies a mathematical model for the energy performance of PV modules as a function of in-plane irradiance and module temperature and combines this with solar irradiation estimates from satellite data and ambient temperature values from ground station measurements.The method is applied to three different PV technologies: crystalline silicon, CuInSe2 and CdTe based thin-film technology in order to map their performance in fixed installations across most of Europe and to identify and quantify regional performance factors.It is found that there is a clear technology dependence of the geographical variation in PV performance.It is also shown that using long-term average values of irradiance and temperature leads to a systematic positive bias in the results of up to 3%.It is suggested to use joint probability density functions of temperature and irradiance to overcome this bias.Outdoor performance evaluation of photovoltaic modules using contour plots 户外太阳能电池背板发电效果/转化率评估评价 Current Applied Physics
The impact of environmental parameters on different types of Si-based photovoltaic(PV)modules(single crystalline Si(sc-Si), amorphous Si(a-Si)and a-Si/ microcrystalline Si(μc-Si))which have different spectral responses were characterized using contour plots.The contour plots of PV performance as a function of module temperature and spectral irradiance distribution were created to separate the impact of the two environmental parameters.The performance of the sc-Si PV module was dominated by the module temperature while those of a-Si and a-Si/μc-Si ones were mainly influenced by the spectral irradiance distribution.Furthermore, the frequency of outdoor conditions and the reliability of the contour plots of the PV performance were discussed for the evaluation of PV modules by means of energy production.最新应用物理学学报
Solar photovoltaic charging of lithium-ion batteries 太阳能——锂电池充电器
Power Sources Solar photovoltaic(PV)charging of batteries was tested by using high efficiency crystalline and amorphous silicon PV modules to recharge lithium-ion battery modules.This testing was performed as a proof of concept for solar PV charging of batteries for electrically powered vehicles.The iron phosphate type lithium-ion batteries were safely charged to their maximum capacity and the thermal hazards associated with overcharging were avoided by the self-regulating design of the solar charging system.The solar energy to battery charge conversion efficiency reached 14.5%, including a PV system efficiency of nearly 15%, and a battery charging efficiency of approximately 100%.This high system efficiency was achieved by directly charging the battery from the PV system with no intervening electronics, and matching the PV maximum power point voltage to the battery charging voltage at the desired maximum state of charge for the battery.It is envisioned that individual homeowners could charge electric and extended-range electric vehicles from residential, roof-mounted solar arrays, and thus power their daily commuting with clean, renewable solar energy.Selective ablation with UV lasers of a-Si:H thin film solar cells in direct scribing configuration
材料配比方案与实验选择配置方法
Applied Surface Science 应用表面材料科学学报
Monolithical series connection of silicon thin-film solar cells modules performed by laser scribing plays a very important role in the entire production of these devices.In the current laser process interconnection the two last steps are developed for a configuration of modules where the glass is essential as transparent substrate.In addition, the change of wavelength in the employed laser sources is sometimes enforced due to the nature of the different materials of the multilayer structure which make up the device.The aim of this work is to characterize the laser patterning involved in the monolithic interconnection process in a different configuration of processing than the usually performed with visible laser sources.To carry out this study, we use nanosecond and picosecond laser sources working at 355 nm of wavelength in order to achieve the selective ablation of the material from the film side.To assess this selective removal of material has been used EDX(Energy Dispersive Using X-Ray)analysis, electrical measurements and confocal profiles.In order to evaluate the damage in the silicon layer, Raman spectroscopy has been used for the last laser process step.Raman spectra gives information about the heat affected zone in the amorphous silicon structure through the crystalline fraction calculation.The use of ultrafast sources, such as picoseconds lasers, coupled with UV wavelength gives the possibility to consider materials and substrates different than currently used, making the process more efficient and easy to implement in production lines.This approach with UV laser sources working from the film side offers no restriction in the choice of materials which make up the devices and the possibility to opt for opaque substrates.Keywords: laser scribing;selective ablation;a-Si:H.Use of digital image correlation technique to determine thermomechanical deformations in photovoltaic laminates: Measurements and accuracy 数字化图像匹配技术在太阳能材料评估实验中的应用：决策准确性的提高
Solar Energy Materials and Solar Cells 太阳能材料与电磁学报
An experimental technique to measure the deformation of solar cells in transparent PV modules is presented.This method uses the digital image correlation technique with a stereo camera system.Deformations resulting from thermal loading, where rather small deformations occur compared to tensile or bending experiments, are measured by viewing through the window of a climate chamber.We apply this method to measure the thermomechanical deformation of the gap between two crystalline silicon solar cells by viewing through the transparent back sheet of the laminate.Two PV laminates are prepared, each with three crystalline silicon solar cells that are embedded in transparent polymer sheets on a glass substrate.The first laminate(A)contains non-interconnected cells while the second laminate consists of a standard-interconnected cell string(B).We find the gap between two solar cells to deform 66.3±2 μm between 79.6 and −17.3 °C(laminate A)and 66.4±2 μm(laminate B)between 84.4 and −39.1 °C.We determine an accuracy of 1 μm in displacement for the gap experiment by measuring free expansion of a copper strip and averaging displacement values over regions with homogeneous deformation.Furthermore, the relative error contribution in strain due to the optical influence of the layers on top of the object surface is less than 1×10 for one camera.This is proven by a geometrical consideration.−6Nanostructure, electrical and optical properties of p-type hydrogenated nanocrystalline silicon films
太阳能发电产氢系统应用中，硅薄膜/贴膜的特性、形态及其性能优化
Vacuum In this paper, p-type hydrogenated nanocrystalline(nc-Si:H)films were prepared on corning 7059 glass by plasma-enhanced chemical vapor deposition(PECVD)system.The films were deposited with radio frequency(RF)(13.56 MHz)power and direct current(DC)biases stimulation conditions.Borane(B2H6)was a doping agent, and the flow ratio η of B2H6 component to silane(SiH4)was varied in the experimental.Films’ surface morphology was investigated with atomic force microscopy(AFM);Raman spectroscopy, X-ray diffraction(XRD)was performed to study the crystalline volume fraction Xc and crystalline size d in films.The electrical and optical properties were gained by Keithly 617 programmable electrometer and ultraviolet-visible(UV-VIS)transmission spectra, respectively.It was found that: there are on the film surface many faulty grains, which formed spike-like clusters;increasing the flow ratio η, crystalline volume fraction Xc decreased from 40.4 % to 32.0 % and crystalline size d decreased from 4.7 to 2.7nm;the optical band gap Eg increased from 2.16 to 2.4eV.The electrical properties of p-type nc-Si:H films are affected by annealing treatment and the reaction pressure.opt
第二篇：2013-2018年中国太阳能电池组件背板背膜TPT市场发展状况及及投资价值分析报告
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2013-2018年中国太阳能电池组件背板背膜TPT市场发展状况及及投资价值分析报告
第一章太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展概述 第一节太阳能电池组件背板背膜TPT的概念
一、太阳能电池组件背板背膜TPT的定义
二、太阳能电池组件背板背膜TPT的特点
第二节太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展成熟度
一、太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展周期分析
二、太阳能电池组件背板背膜TPT行业中外市场成熟度对比 第三节太阳能电池组件背板背膜TPT行业产业链分析
一、太阳能电池组件背板背膜TPT行业上游原料供应市场分析
二、太阳能电池组件背板背膜TPT行业下游产品需求市场状况
第二章2013-2018年世界太阳能电池组件背板背膜TPT行业运行现状分析 第一节2009-2012年世界太阳能电池组件背板背膜TPT行业运行综述
一、世界太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场分析
二、国外太阳能电池组件背板背膜TPT行业技术分析
第二节2009-2012年世界主要国家太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展情况解析
一、美国
二、日本
三、德国
四、其它
第三节2010-2013年世界太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展趋势分析
第三章2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业运行环境分析 第一节2009-2012年中国宏观经济环境分析
一、2012年中国宏观经济运行分析
（一）国民经济企稳回升
（二）政策刺激内需强劲增长，国外需求有所改善
（三）财政收入加快回升，企业利润明显改观，居民收入持续提高
（四）货币供应量快速增长，信贷投放总体宽松
二、经济运行中存在的突出矛盾和问题
（一）产能过剩问题突出，部分行业仍在重复建设
（二）投资增长主要依赖政策拉动，支撑投资增长的内生动力不强
（三）地方政府投融资平台贷款隐含系统性金融风险
三、2012年经济发展形势预测
（一）固定资产投资将保持适度增长
（二）社会消费品零售总额保持平稳增长
（三）外贸进出口将出现恢复性增长
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（四）价格水平将温和回升
（五）工业增速将有所加快
第二节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展政策环境分析
一、国内宏观政策发展建议
二、太阳能电池组件背板背膜TPT行业政策分析
三、相关行业政策影响分析
第三节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展社会环境分析
第四章2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场发展分析 第一节太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场发展现状
一、市场发展概况
二、发展热点回顾
三、市场存在问题及策略分析
第二节太阳能电池组件背板背膜TPT行业技术发展
一、技术特征现状分析
二、新技术研发及应用动态
三、技术发展趋势
第三节中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业消费市场分析
一、消费特征分析
二、消费需求趋势
三、品牌市场消费结构
第四节太阳能电池组件背板背膜TPT行业产销数据统计分析
一、整体市场规模
二、区域市场数据统计情况
第五节2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场发展趋势
第五章2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业主要指标监测分析 第一节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业工业总产值分析
一、2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业工业总产值分析
二、不同规模企业工业总产值分析
三、不同所有制企业工业总产值比较
第二节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业主营业务收入分析
一、2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业主营业务收入分析
二、不同规模企业主营业务收入分析
三、不同所有制企业主营业务收入比较
第三节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业产品成本费用分析
一、2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业成本费用分析
二、不同规模企业成本费用分析
三、不同所有制企业成本费用比较
第四节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业利润总额分析
一、2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业利润总额分析
二、不同规模企业利润总额分析
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三、不同所有制企业利润总额比较
第五节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业资产负债分析
一、2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产业资产负债分析
二、不同规模企业资产负债比较分析
三、不同所有制企业资产负债比较分析
第六节2009-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业财务指标分析
一、行业盈利能力分析
二、行业偿债能力分析
三、行业营运能力分析
四、行业发展能力分析
第六章中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业区域市场分析 第一节华北地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
第二节东北地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
第三节华东地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
第四节华南地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
第五节华中地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
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第六节西南地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
第七节西北地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业分析
一、2009-2012年行业发展现状分析
二、2009-2012年市场规模情况分析
三、2013-2018年市场需求情况分析
四、2013-2018年行业发展前景预测
五、2013-2018年行业投资风险预测
第七章太阳能电池组件背板背膜TPT行业竞争格局分析 第一节行业竞争结构分析
一、现有企业间竞争
二、潜在进入者分析
三、替代品威胁分析
四、供应商议价能力
五、客户议价能力 第二节行业集中度分析
一、市场集中度分析
二、企业集中度分析
三、区域集中度分析
第三节行业国际竞争力比较
一、生产要素
二、需求条件
三、支援与相关产业
四、企业战略、结构与竞争状态
五、政府的作用
第四节2008-2015年太阳能电池组件背板背膜TPT行业竞争格局分析
一、2008-2012年国内外太阳能电池组件背板背膜TPT竞争分析
二、2008-2012年我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场竞争分析
三、2013-2018年国内主要太阳能电池组件背板背膜TPT企业动向
第八章太阳能电池组件背板背膜TPT企业竞争策略分析 第一节太阳能电池组件背板背膜TPT市场竞争策略分析
一、2012年太阳能电池组件背板背膜TPT市场增长潜力分析
二、2012年太阳能电池组件背板背膜TPT主要潜力品种分析
三、现有太阳能电池组件背板背膜TPT产品竞争策略分析
四、潜力太阳能电池组件背板背膜TPT品种竞争策略选择
五、典型企业产品竞争策略分析
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第二节太阳能电池组件背板背膜TPT企业竞争策略分析
第三节太阳能电池组件背板背膜TPT行业产品定位及市场推广策略分析
一、太阳能电池组件背板背膜TPT行业产品市场定位
二、太阳能电池组件背板背膜TPT行业广告推广策略
三、太阳能电池组件背板背膜TPT行业产品促销策略
四、太阳能电池组件背板背膜TPT行业招商加盟策略
五、太阳能电池组件背板背膜TPT行业网络推广策略
第九章部分太阳能电池组件背板背膜TPT企业竞争分析 第一节苏州中来太阳能材料技术有限公司
一、企业概况
二、竞争优劣势分析
三、2009-2012年经营状况
四、2010-2013年发展战略
五、企业投资目标分析
六、企业销售渠道研究
七、企业技术现状特征及趋势研究
八、企业最新动态研究
九、企业生产扩张能力分析
十、企业规划建设研究分析
第二节浙江哈氟龙新能源有限公司
一、企业概况
二、竞争优劣势分析
三、2009-2012年经营状况
四、2010-2013年发展战略
五、企业投资目标分析
六、企业销售渠道研究
七、企业技术现状特征及趋势研究
八、企业最新动态研究
九、企业生产扩张能力分析
十、企业规划建设研究分析 第三节中国乐凯胶片集团公司
一、企业概况
二、竞争优劣势分析
三、2009-2012年经营状况
四、2010-2013年发展战略
五、企业投资目标分析
六、企业销售渠道研究
七、企业技术现状特征及趋势研究
八、企业最新动态研究
九、企业生产扩张能力分析
十、企业规划建设研究分析
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第四节苏州赛伍应用技术有限公司
一、企业概况
二、竞争优劣势分析
三、2009-2012年经营状况
四、2010-2013年发展战略
五、企业投资目标分析
六、企业销售渠道研究
七、企业技术现状特征及趋势研究
八、企业最新动态研究
九、企业生产扩张能力分析
十、企业规划建设研究分析
第五节浙江蓝珂光伏材料有限公司
一、企业概况
二、竞争优劣势分析
三、2009-2012年经营状况
四、2010-2013年发展战略
五、企业投资目标分析
六、企业销售渠道研究
七、企业技术现状特征及趋势研究
八、企业最新动态研究
九、企业生产扩张能力分析
十、企业规划建设研究分析
第六节杭州福斯特光伏材料股份有限公司
一、企业概况
二、竞争优劣势分析
三、2009-2012年经营状况
四、2010-2013年发展战略
五、企业投资目标分析
六、企业销售渠道研究
七、企业技术现状特征及趋势研究
八、企业最新动态研究
九、企业生产扩张能力分析
十、企业规划建设研究分析
第十章2013-2018年未来太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展预测 第一节未来太阳能电池组件背板背膜TPT行业需求与消费预测
一、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT产品消费预测
二、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模预测
三、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业总产值预测
四、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业销售收入预测
五、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业总资产预测
第二节2013-2018年中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业供需预测
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一、2008-2012年中国太阳能电池组件背板背膜TPT供给预测
二、2013-2018年中国太阳能电池组件背板背膜TPT产量预测
三、2013-2018年中国太阳能电池组件背板背膜TPT需求预测
四、2013-2018年中国太阳能电池组件背板背膜TPT供需平衡预测
第十一章太阳能电池组件背板背膜TPT行业投资机会与风险 第一节太阳能电池组件背板背膜TPT行业投资机会分析
一、太阳能电池组件背板背膜TPT投资项目分析
二、可以投资的电梯模式
三、2012年太阳能电池组件背板背膜TPT投资机会
四、2012年太阳能电池组件背板背膜TPT投资新方向
五、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业投资的建议
六、新进入者应注意的障碍因素分析
第二节影响太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展的主要因素
一、2013-2018年影响太阳能电池组件背板背膜TPT行业运行的有利因素分析
二、2013-2018年影响太阳能电池组件背板背膜TPT行业运行的稳定因素分析
三、2013-2018年影响太阳能电池组件背板背膜TPT行业运行的不利因素分析
四、2013-2018年我国太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展面临的挑战分析
五、2013-2018年我国太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展面临的机遇分析 第三节太阳能电池组件背板背膜TPT行业投资风险及控制策略分析
一、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场风险及控制策略
二、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业政策风险及控制策略
三、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业经营风险及控制策略
四、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业技术风险及控制策略
五、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT同业竞争风险及控制策略
六、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业其他风险及控制策略
第十二章太阳能电池组件背板背膜TPT行业投资战略研究 第一节太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展战略研究
一、战略综合规划
二、技术开发战略
三、业务组合战略
四、区域战略规划
五、产业战略规划
六、营销品牌战略
七、竞争战略规划
第二节对我国太阳能电池组件背板背膜TPT品牌的战略思考
一、企业品牌的重要性
二、太阳能电池组件背板背膜TPT实施品牌战略的意义
三、太阳能电池组件背板背膜TPT企业品牌的现状分析
四、我国太阳能电池组件背板背膜TPT企业的品牌战略
五、太阳能电池组件背板背膜TPT品牌战略管理的策略
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第三节太阳能电池组件背板背膜TPT行业投资战略研究
图表目录
图表
1、我国太阳能电池组件背板背膜TPT产业生命周期的判断
图表2、2008-2012年1-8月美国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化表 图表3、2008-2012年1-8月美国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化图 图表4、2008-2012年1-8月日本太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化表 图表5、2008-2012年1-8月日本太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化图 图表6、2008-2012年1-8月德国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化表 图表7、2008-2012年1-8月德国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化图
图表8、2008-2012年1-8月其它国家和地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化表
图表9、2008-2012年1-8月其它国家和地区太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化图
图表10、2005-2012年2季度国内生产总值统计表
图表11、2005-2012年2季度国内生产总值及增长变化图 图表12、2008年-2012年1-11月中国CPI走势
图表13、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化表 图表14、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT行业市场规模变化图 图表15、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT总产值变化表 图表16、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT总产值变化图
图表17、2006年-2012年1-11月中国不同规模太阳能电池组件背板背膜TPT工业总产值分析
图表18、2006年-2012年1-11月不同所有制太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业总产值分析
图表19、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT主营业务收入变化表 图表20、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT主营业务收入变化图
图表21、2006年-2012年1-11月中国不同规模太阳能电池组件背板背膜TPT主营业务收入分析
图表22、2006年-2012年1-11月不同所有制太阳能电池组件背板背膜TPT行业主营业务收入分析
图表23、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT成本费用变化表 图表24、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT成本费用变化图
图表25、2006年-2012年1-11月中国不同规模太阳能电池组件背板背膜TPT成本费用分析 图表26、2006年-2012年1-11月不同所有制太阳能电池组件背板背膜TPT行业成本费用分析
图表27、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT利润总额变化表 图表28、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT利润总额变化图
图表29、2006年-2012年1-11月中国不同规模太阳能电池组件背板背膜TPT利润总额分析 图表30、2006年-2012年1-11月不同所有制太阳能电池组件背板背膜TPT行业利润总额分析
图表31、2006年-2012年1-11月太阳能电池组件背板背膜TPT行业资产负债率 网 址：www.xiexiebang.com
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图表32、2006年-2012年1-11月不同规模太阳能电池组件背板背膜TPT行业资产负债率分析
图表33、2006年-2012年1-11月中国不同所有制太阳能电池组件背板背膜TPT行业资产负债率分析
图表34、2008-2012年1-8月中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业盈利能力 图表35、2008-2012年1-8月中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业偿债能力 图表36、2008-2012年1-8月中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业营运能力 图表37、2008-2012年1-8月中国太阳能电池组件背板背膜TPT行业发展能力
图表38、2008-2012年1-8月我国华北地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表39、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模增速图 图表40、2013-2018年我国华北地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表41、2013-2018年我国华北地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图
图表42、2008-2012年1-8月我国东北地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表43、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模
图表44、2013-2018年我国东北地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表45、2013-2018年我国东北地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图
图表46、2008-2012年1-8月我国华东地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表47、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模增速图 图表48、2013-2018年我国华东地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表49、2013-2018年我国华东地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图
图表50、2008-2012年1-8月我国华南地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表51、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模增速图 图表52、2013-2018年我国华南地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表53、2013-2018年我国华南地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图
图表54、2008-2012年1-8月我国华中地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表55、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模增速图 图表56、2013-2018年我国华中地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表57、2013-2018年我国华中地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图
图表58、2008-2012年1-8月我国西南地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表59、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模增速图 图表60、2013-2018年我国西南地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表61、2013-2018年我国西南地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图
图表62、2008-2012年1-8月我国西北地区太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模分析 图表63、2008-2012年1-8月我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场规模增速图 图表64、2013-2018年我国西北地区太阳能电池组件背板背膜TPT需求量分析 图表65、2013-2018年我国西北地太阳能电池组件背板背膜TPT需求量增速图 图表66、2012年我国太阳能电池组件背板背膜TPT市场集中度情况 图表67、2012年我国太阳能电池组件背板背膜TPT区域集中度分析 图表68、2008-2012年苏州中来太阳能材料技术有限公司效益指标分析 图表69、2008-2012年苏州中来太阳能材料技术有限公司偿债指标分析 图表70、2008-2012年苏州中来太阳能材料技术有限公司营运效率分析 图表71、2006-2012年浙江哈氟龙新能源有限公司效益指标分析
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图表72、2006-2012年浙江哈氟龙新能源有限公司偿债指标分析 图表73、2006-2012年浙江哈氟龙新能源有限公司营运效率分析 图表74、2006-2012年中国乐凯胶片集团公司效益指标分析 图表75、2006-2012年中国乐凯胶片集团公司偿债指标分析 图表76、2006-2012年中国乐凯胶片集团公司营运效率分析 图表77、2008-2012年苏州赛伍应用技术有限公司效益指标分析 图表78、2008-2012年苏州赛伍应用技术有限公司偿债指标分析 图表79、2008-2012年苏州赛伍应用技术有限公司营运效率分析 图表80、2006-2012年浙江蓝珂光伏材料有限公司效益指标分析 图表81、2006-2012年浙江蓝珂光伏材料有限公司偿债指标分析 图表82、2006-2012年浙江蓝珂光伏材料有限公司营运效率分析
图表83、2006-2012年杭州福斯特光伏材料股份有限公司效益指标分析 图表84、2006-2012年杭州福斯特光伏材料股份有限公司偿债指标分析 图表85、2006-2012年杭州福斯特光伏材料股份有限公司营运效率分析
图表86、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业消费量预测表 图表87、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业消费量预测图 图表88、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业市场规模预测表 图表89、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业市场规模预测图 图表90、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业总产值预测表 图表91、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业总产值预测图 图表92、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业销售收入预测表 图表93、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业销售收入预测图 图表94、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业总资产预测表 图表95、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业总资产预测图 图表96、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业供给量预测表 图表97、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业供给量预测图 图表98、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业产量预测表 图表99、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业产量预测图 图表100、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业需求量预测表 图表101、2013-2018年太阳能电池组件背板背膜TPT行业工业需求量预测图
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第三篇：无线通信产品FCC认证及测试方法介绍
无线通信产品FCC认证及测试方法介绍
凡进入美国的通信电子类产品都需要进行FCC认证，即通过由FCC直接或者间接授权的实验室根据FCC技术标准进行检测和批准。
1、FCC认证申请的基本要求
FCC对无线通信产品的要求主要包含在CFRTitle47的Part2和Part24两部分中，而工作在1920MHz-1930MHz频段的个人通信业务（PCS）相关的设备则在Part15的subpartD中作了规定，其他相关信息如费用要求、管理要求等则在Part0和Part1中描述。
基本申请信息
申请人需要准备的基本信息主要包括三类：申请人及申请产品的基本信息、产品规格和认证信息。申请人必须清晰、明确地回答有关问题，对不属于申请范围的内容要明确标注。基本信息通过网络以电子文档的形式提交给FCC。
基本信息
这些信息包括如下几方面：
（1）申请人的基本信息，如完整的法人名称、FCC注册码、通信地址、联系人信息等。对美国以外的国家或地区的申请人，可以直接获取FCC的产品授权，也可以指定由美国国内的代理人来获取产品授权。FCC要求申请人提供的联系人分为技术相关的联系人和法律、经济等非技术相关的联系人。
（2）申请人代码及产品代码。
（3）保密信息，即确定申请中涉及的信息是否有保密要求。如果不作保密要求，则其他人也可以看到申请中的相关信息，有时候这可能会造成产品关键信息的泄漏。因此从考虑申请人技术保密的要求出发，FCC允许申请人提出对部分或全部信息实行保密的要求。
（4）延迟发布产品授权信息，即确定产品授权是否需要延迟。出于某些原因（如保密等），申请人可以选择一个产品授权生效日期，在这个日期之前，所有申请信息将被保密。
（5）确定申请产品的类别。对于无线通信产品，一般属于PCB，PCE或者PUB等，视具体产品而定。
（6）说明申请类别。申请可以是针对新产品的申请。也可以是已获得授权的产品的FCCID、第Ⅱ类或者第Ⅲ类的变更申请。
（7）对于复合产品及作为其他复杂系统组成部分的产品，还需要确定除本申请之外的其他相关认证要求。
（8）提供测试实验室的信息。FCC网站上列出了所有具有FCC测试资质的实验室名称，因此申请人所提供的测试实验室也只能是表单上的某一家。
产品规格
提交申请时，必须对产品的规格做最基本的说明，包括产品工作的频率范围、额定输出功率、频率容限、发射类型、微处理器型号、产品所依据的法规、产品的标准化描述等。对发射类型的说明，FCC要求用三字符方法，即用已定义好的三个代表字符和表示方法，说明调制类型、信号特性和传输的信息的类型，并说明发射的占用带宽和必要带宽。占用带宽是指发射的总平均功率的99%所占用的带宽，且要求最低频率以下和最高频率以上部分所占的功率均为0.5%，对于多信道频率分割系统，此规定可以按有效性原则进行处理。必要带宽指在确保传输信息的速率和质量要求的前提下，占用带宽的最小值，其表示方法也遵循一套规定的体系。最后还必须对产品的一些重要特征进行描述。FCC规定了一系列标准化的描述语句，申请人以此为参考对申请的产品进行描述。
以上的这些信息必须在72小时内提交，否则，所有的相关信息将会被系统删除，下次申请时需重新提交所有的信息。确认信息
确认信息是一份确认书，即申请人对所有申请的信息的真实性进行最后的确认。如果提交的信息中，存在弄虚作假成分，申请人将会受到罚款、监禁、撤销执照、没收等处罚。申请人还要承诺满足管制药物相关的规定。
技术报告
申请人除了提供基本信息外，还必须提供一份技术报告。技术报告中至少应包含以下内容：
（1）产品制造商和认证申请人的名称和地址。
（2）FCCID。
（3）最终产品的安装和操作说明书。对于还处于原型机阶段的产品，如果暂时还不能提供最终的说明书，可以先提供草案，待完善之后再提供正式的说明书。
（4）发射类型及频率范围。
（5）正常工作时的功率值范围，或者功率级，以及相应法规规定的限值。如果功率是可调的，还要说明调节方法。
（6）正常工作时，馈入到射频放大电路的电压和电流值，并说明在正常功率或特定功率级范围内功率值的调节程序。
（7）所有与确定并稳定频率、抑制杂散、调制信号和限制功率相关的电路和元器件的电路图及相应原理的说明。
（8）产品标识或者标签的照片或者图片。
（9）产品照片，包括各种视角及内、外部结构，要求照片的尺寸为8×10英寸，并且最好在拍照时辅以尺子以说明产品的几何尺寸。外部的照片要能够清楚地显示出产品的结构、布局、控制键及按钮等；内部照片要能够反映出产品的内部结构、元器件的位置和框架结构等。如果说明书中已包含这些照片且说明书已提交给FCC。则技术报告中可以只包含必要的补充说明。
（10）对采用数字调制技术的产品，报告中必须详细说明调制系统的特征，包括滤波器的频率与相位、幅度的响应特征和产品在最大额定功率下工作时的调制波形。
（11）相关性能指标的测试方法和结果，这将在下一部分说明。
2、性能指标的测试方法
向FCC提交的技术报告中，包括了射频输出功率、调制特征、占用带宽、天线端口的杂散发射、杂散辐射场强、频率稳定性和频谱特征等方面的性能指标，FCC法规原则上规定了每种性能指标的限值和测试要求，这里仅对相应的测试方法做简单的介绍。
射频输出功率
按照功率的调节程序，调节馈入到射频放大电路的电压和电流值，使其处于最大额定功率发射状态，并在射频输出端口加上合适的负载，从而测试得最大射频输出功率。对不同的发射类型，功率调节的方法将会有所不同，在技术报告中应对此作详细说明。
调制特征
（1）对语音调制的通信产品，需测定100-5000Hz频率范围内音频调制电路的频率响应曲线。如果产品使用了音频低通滤波器，还要测定该音频滤波器的频率响应曲线。
（2）对采用调制限制处理的产品，需测定在整个调制的频率和信号功率级范围内的调制百分比—输入电压的关系曲线。
（3）对采用限制峰值包络功率电路的单边带、独立边带的无线电话发射机，需测定峰值包络输出功率—输入电压之间的关系曲线。
（4）其他类型的产品将根据申请的认证类型及相应的法规进行处理。
占用带宽 测量占用带宽时，对采用不同调制方式的产品，测量方法将有所不同，但基本原则是选择典型业务模式下调制信号具有最大幅度的情况来进行测试，并且在报告中对输入的调制信号做详细说明。
天线端口的杂散发射
除了产品有用频点处的射频功率或电压外，还需要对无用的杂散频率进行测量。测量时，可以在天线输出端口加上合适的假天线；谐波和一些比较显著的杂散发射点需要重点关注。
杂散辐射场强
该项测试主要检测产品机壳端口、控制电路模块和电源端口的谐波和一些较显著的杂散发射频点的场强。工作频率低于890MHz的产品，测量需要在开阔场或者电波暗室中进行。对于现场测试，需要对测量现场附近的射频源及明显的反射物体做详细的调查分析与说明。
频率稳定性
需要考查的频率稳定性包括环境温度和输入电压变化时，产品频率确定和稳定电路的频率的变化情况，在特殊情况下，还可能包括产品配用不同的天线或在较大的金属物体附近移动时的频率稳定性。
温度变化的范围是-30℃～+50℃，测量的温度间隔不大于10℃。测量每个温度点的频率时，都需要等待足够长的时间以使谐振电路相关的元件达到稳定状态。
电压变化的范围是额定工作电压的85%～115%，对依靠电池工作的便携产品，最低电压可以是截止电压。
频谱特征
对杂散发射和辐射场强评估和测量的频谱范围，将依据产品的工作频率来确定。进行频谱特征研究的最低频率可以选择产品实际使用的最低频率点；如果最低频率低于9kHz，则选择9kHz作为研究的最低频率点。最高频率的选择遵循以下原则：
（1）对于工作频率在10GHz以下的产品，选择最高基频的10次谐波作为评估的最高频率，如果10次谐波的频率大于40GHz，则选择40GHz作为评估的最高频率。
（2）对于工作频率在10GHz和30GHz之间的产品，选择最高基频的5次谐波作为评估的最高频率，如果5次谐波的频率大于100GHz，则选择100GHz作为评估的最高频率。
（3）对于工作频率在30GHz以上的产品，选择最高基频的5次谐波作为评估的最高频率，如果5次谐波的频率大于200GHz，则选择200GHz作为评估的最高频率。
第四篇：《信息安全技术 工业控制网络监测安全技术要求及测试评价方法》征求意见稿-编制说明
国家标准《信息安全技术 工业控制网络监测安全技术要求及测试评价方法（征求意见稿）》编制说明
一、工作简况 1.1 任务来源
《信息安全技术 工业控制网络监测安全技术要求及测试评价方法》是全国信息安全标准化技术委员会2015年下达的信息安全国家标准制定项目，由中国电子技术标准化研究院承担，参与单位包括北京匡恩网络科技有限责任公司，北京工业大学，中国信息安全测评中心、中科院沈阳自动化所、和利时集团、公安部计算机信息系统安全产品质量监督检验中心、北京交通大学、浙江大学、解放军信息工程大学、中车株洲电力机车有限公司等单位。1.2 主要工作过程
1.2015年5月到6月，联系各个参与单位，进行任务分工和任务组织；研究现有国内外工控安全相关标准，分析各自特点，学习借鉴。2.2015年7月到8月 调研国内工业控制系统安全现状，学习、研究、讨论国内外相关的标准及研究成果, 确定并编写总体框架。3.2015.8-2015.12 编写标准初稿，在工作组内征求意见，根据组内意见进行修改。4.2016年1月，向全国信息安全标准化技术委员会专家崔书昆老师和王立福老师、石化盈科等行业用户、和利时等工业控制设备制造商、公安3所等科研院所、长城网际等安全厂商征求意见，根据反馈意见多次修改。5.2016年1月，标准编制组召开第一次研讨会，根据专家在会上提出的修改意见，对标准进行修改。6.2016年5月，标准编制组在“工控系统信息安全标准和技术专题研讨会”介绍了标准草案，听取了来自轨交、石化、电力、冶金、制造业、汽车等行业专家对标准草案的意见并根据专家在会上和会后提出的修改意见，对标准进行修改。7.2016年6月，标准编制组召开专题研讨会介绍了标准草案，并根据专家在会上提出的修改意见，对标准进行修改。8.2016年10月，在信安标委举办的成都标准会议周上，项目组就本标准研制情况在会上做了汇报，经组委会成员投票，同意形成征求意见稿。
二、编制原则和主要内容 2.1 编制原则
本标准的研究与编制工作遵循以下原则：（1）通用性原则
本标准在编制过程中参考了国内外诸多标准，包括：《工业过程测量与控制安全：网络与系统信息安全》系列标准（IEC 62443）、《推荐的联邦信息系统和组织的安全控制措施》（NIST SP 800-53）、《工业控制系统信息安全指南》（NIST SP 800-82）和《信息安全技术 工业控制系统安全控制应用指南》，既确保标准科学性，又使得标准内容符合我国国情。
（2）可操作性和实用性原则
标准规范是对实际工作成果的总结与提升，最终还需要用于实践中，并经得起实践的检验，做到可操作、可用与实用。为此，在本标准的制定过程中，起草组广泛征求行业用户意见。所涉及的工业控制协议是广泛应用于各种工业控制领域的，也允许根据实际情况添加新的工业控制协议。2.2 主要内容
本标准以工业控制网络监测系统的安全功能要求为研究目标，研究工业控制系统的技术架构特点、存在的安全漏洞和面临的安全威胁，确定需要监测分析的工业控制协议和监测系统应具备的功能。
主要内容为针对工业控制网络监测系统开展产品安全等级划分、监测技术要求、安全保证要求、测试评价环境及要求、安全保证测试等，从而规定了工业控制网络监测系统的安全技术要求和测试评价方法。
三、主要试验（或验证）的分析、综述报告，技术经济论证，预期的经济效果
工业控制系统是国家关键基础设施的最重要组成部分，涉及一系列关系到国计民生的基础性行业，包括电力电网、轨道交通、石油化工以及核工业等。网络攻击破坏工业网络信息系统的同时，将极大威胁关键基础设施的安全，导致国家经济、国防等遭受重大损失。对于工控控制网络内的安全事件进行收集和分析，从中发现网络中是否有违反安全策略的行为或遭到入侵的迹象，并依据既定的策略采取一定的措施是非常必要的。
工业控制网络监测是工业网络动态安全的核心技术，其相关设备和系统是整个工业控制系统安全防护体系的重要组成部分，它能对网络环境下日新月异的入侵事件和过程做出实时响应。工业控制系统特点决定了其安全产品需满足高可用性、不频繁升级、低时延、兼容众多工业私有协议、适应严酷工业现场环境等特性。因此工业控制网络监测系统设计需要兼顾工业应用场景与控制管理等多方面因素，以优先确保系统的高可用性和业务连续性。
本标准征求意见稿是在深入研究国外工业控制系统相关标准的基础上，充分调研国内工业控制系统应用，广泛听取了专家意见和建议的基础上形成的。
本标准编制期间调研和分析了国内工业控制系统应用和安全现状，研究和分析了国外工业控制系统安全体系相关文件和标准，内容包括对网络监测系统的安全功能要求和系统自身安全要求。安全功能要求包括安全事件监测、安全事件响应、安全策略配置和安全事件审计；自身安全要求包括产品管理、产品可靠性、系统维护、访问控制和通信安全。本标准是针对用于各行业的工业控制系统网络监测系统给出的安全技术要求和测试评价方法，可以用于工业控制网络监测系统设计、开发及测评。
四、采用国际标准和国外先进标准的程度，以及与国际、国外同类标准水平的对比情况，或与测试的国外样品、样机的有关数据对比情况
本标准在编写时参考了GB/T 20275-2006 信息安全技术 入侵检测系统技术要求和测试评价方法，GB/T 26269-2010 网络入侵检测系统技术要求，和 GB/T 26268-2010 网络入侵检测系统测试方法等相关标准。
五、与有关的现行法律、法规和强制性国家标准的关系
本标准的编制，要与《工业控制系统安全控制应用指南》等相关工业控制系统信息安全标准协调一致，提供工业控制系统信息安全领域的实施层标准指导。
六、重大分歧意见的处理经过和依据
本标准编制过程中未出现重大分歧。详见标准意见汇总处理表。
七、国家标准作为强制性国家标准或推荐性国家标准的建议
建议本标准作为推荐性国家标准发布实施。
八、贯彻国家标准的要求和措施建议（包括组织措施、技术措施、过渡办法等内容）
本标准作为国家工业控制系统相关标准体系的一部分，在具体实施时建议与管理、评估类标准配合实施。
九、其他事项说明
本标准不涉及专利。
标准编制组 2016年11月
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