第一篇:广工材能电材专业 《专注猜题30年
本来不打算写这份关于薄膜的猜题资料的,但是今天上完最后的课后感觉有很多收获,有些东西不说还是好像对不起大家,故决定用2个小时的时间给大家总结一下这个薄膜的出题意向;下面就是我今天上课时,从老师的言语猜到的东西; 首先是所有人都听到的题型:
1、问答题:7*9=63分;
2、综合大题:4个问=37分;
接下来就是我猜可能出的问答题:(至于为什么我认为是这样考就不能告诉你们了)
1、真空获得的主要工具是真空泵,请试举出一种低真空泵和一种高真空泵,并试着分析泵的特点;(9分)
2、真空度的测量是由真空规测得的,请试举出一种高真空规和一种低真空规,并说明其测量原理;(9分)
3、真空度对制备薄膜的作用;(9分)Page18 记得结合平均自由程;
4、什么是物理气相沉积(PVD)法?PVD又简单地分为哪几种方法;而其中蒸发镀膜法的原理是什么,蒸发镀膜又有多少种类型,蒸发法的优缺点,一般用于制备什么薄膜;(9分)
5、溅射镀膜的原理和过程,优缺点;重点要强调怎么提高气体离化率;(9分)
6、溅射产额是什么?请举出影响产额大小的因素(3种以上)(9分)
7、什么是CVD?其原理是?而在Si的外延生长中,所利用的热化学过程共有3个类型,是哪三个类型,试各举出具体的化学式;(9分)
8、LPCVD与APCVD相比有什么优缺点;(结合边界层的概念,加以回答)(9分)
9、什么是离子镀,离子束成膜;其优缺点;可以用来制备什么薄膜;(9分)
10、分子束外延的原理及特点;(重点了解Page151的GaAs的原理图)
11、溶胶凝胶法,喷雾热分解法的原理及特点,试举出应用例子
以上的问答题只是本人根据老师的强调重点而命题的,仅可供参考;个人认为前8道题更加有可能出;但也不排除后3道题的可能性;
大题:老师已经强调了只在PECVD和蒸发法中2选一;那我们只能做2手准备了; 四小题分别是:
1、画出示意图:
这个图不管PECVD还是蒸发法都必须画出来,至于离子泵就要看是否有需要加上;画好这个图,并标注各部分就应该有9分;
2、简述PECVD和蒸发法的过程;(9分)
3、PECVD的原理和蒸发法的原理;(9分)
4、PECVD的优缺点或者蒸发法的优缺点;(10分)
至此,分析完毕;能帮到大家的就是这样了,至于题目的答案看来就要大家一起努力了;再次声明,仅供参考!
专注猜题30年,不为名,不为利,只为把每个人都变成胡志荣!