中国科学院微电子所研制成功国内首款异质结背接触(HIT-IBC)高端太阳能电池

第一篇：中国科学院微电子所研制成功国内首款异质结背接触(HIT-IBC)高端太阳能电池

中国科学院微电子所研制成功国内首款异质结背接触(HIT-IBC)

高端太阳能电池

中国科学院微电子研究所贾锐研究员带领的高效太阳能电池研究团队成功研制出国内首款异质结背接触原型太阳能电池（2cm×2cm）。

异质结背接触(HIT-IBC)电池作为高端高效太阳能电池的一种，是国际上的研究热点，也是未来太阳能电池产业化的重要组成部分。目前国际上相关研究及产业化工作进展迅速，除了欧洲外，韩国、日本等已于近两年启动了该款电池的研究计划，在大投入和产业界的助推下，进展十分迅速。

微电子研究所高效太阳能电池研究团队利用先进的半导体工艺制造设备，以及自身设备研制开发的能力，在高效插指背结背接触电池(Intergitated Back Contact Solar Cells, IBC)研究领域进行了深入的科研探索，有着深厚的积累。该团队运用自行研制的浆料形成均匀发射极，成功研制出高效IBC电池，在此基础上适时地推出了异质结背接触电池研究计划，该类电池充分结合了异质结电池高开路电压和背接触电池高短路电流实现优势互补，从而大幅提高晶体硅电池的效率。

此次研制成功的第一款异质结背接触电池是基于n型4英寸晶圆(p型衬底采用了不同的技术方案)，通过传统电池工艺如丝网印刷、PECVD沉积，并在必要步骤采用微电子光刻工艺辅助完成的。在异质结制备工艺中，采用了新型的钝化方式和异质结制备工艺，形成了自己的研究特色，为后继的产业化奠定了良好的基础。

目前，该研究团队将新型钝化和异质结形成技术已应用在n型衬底上，由于异质结的高开压特性，使其得到的新型电池开路电压达到了658mV，明显大于常规晶体硅电池的开路电压，同时还开发出了p型衬底电池工艺，这为我国异质结背接触原型太阳能电池的研究奠定了良好的基础。

图1：异质结背接触太阳电池的实物照片

图2：异质结背接触太阳电池的截面结构图