个人工作小总结——工艺办

第一篇：个人工作小总结——工艺办

个人部门工作小总结

2015年已经结束，2016已悄然到来，回望这一年来的工作历程作此总结。

一、订单打样 工艺办在接到订单打样（初样、产前样）时严格核对订单数量、颜色、面料、尺寸、款式等细节确保无遗漏在下发，有疑问时及时沟通。在这一年中通过营销部、计划部、打板室、裁床、样衣房、工艺办、后道的相互协作沟通，样衣得以及时完成发往客户。

二、大货订单工艺 对大货及订单工艺的完善。接到单时及时完善成品工艺确保工艺单同客户制单、样衣一致。如有特殊要求及时试样由客人确认。

三、上半年二等品备疵、换片 2015年上半年经各部门的协商对大货二等品采取了备疵换片的方法来减少二等品的数量。裁床将备疵片捆好、写上飞子随大货流转到工艺办后统一分类、配片最后由样衣房处理。样衣房将备好片的二等品再次细化的分类堆放，二等品要经过拆片、换片、裁片、缝制等工序才能成为正品。在2015年上半年样衣房处理了二等品3858件，经过换片成为正品共3775件，备疵片遗留制作大货共696件。

四、裁床改革 2015年下半年对裁床进行改革后工艺办在裁剪车间的协助下对大货单耗进行了细致的实验，得出各款的实际单耗、用布率和裁剪数量。改革完成后对裁片疵点、挂丝等面料质量问题进行抽检、记录。

2016年的到来带来新的气息，在新的一年中我们会再接再厉努力工作！！

2016-1-15

第二篇：焊接工艺(个人总结)

焊接工艺（个人总结）

此部分主要讲述各种材料的焊接工艺，包括（45、HT300、空冷钢、Cr12MoV、MoCr铸铁、GGG70L）。讲述的内容涉及对不同材料使用的焊条，在焊接之前焊条如何处理，基体如何处理。

第三篇：集成电路工艺个人总结

曹飞 个人版总结

引言

第一只晶体管 •第一只晶体管, AT&T Bell Lab, 1947 •第一片单晶锗, 1952 •第一片单晶硅, 1954(25mm，1英寸)•第一只集成电路（IC）, TI, 1958 •第一只IC商品, Fairchild, 1961 摩尔定律晶体管最小尺寸的极限 •价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番，1980s后下降为每18月翻一番；

•最小特征尺寸每3年减小70% •价格每2年下降50%；

IC的极限

•硅原子直径: 2.35 Å；

•形成一个器件至少需要20个原子；

•估计晶体管最小尺寸极限大约为50 Å或0.005um，或5nm。

电子级多晶硅的纯度

一般要求含si>99.9999以上，提高纯度达到99.9999999—99.999999999%（9-11个9）。其导电性介于10-4-1010  /cm。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。

1980s以前半导体行业的模式

1980s以前：大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片，如 Intel，IBM

1990s以后半导体行业的模式

F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计), 什么是Foundry

有晶圆生产线，但没有设计部门；接受客户订单，为客户制造芯片；

IC流程图:

接受设计订单→芯片设计→EDA编辑版图→将版图交给掩膜版制造商→制造晶圆→芯片测试→芯片封装

硅片制备与高温工艺单晶生长：直拉法 区熔法 高温工艺:氧化，扩散，退火。Si集成电路芯片元素组成

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■半导体（衬底与有源区）：单晶Si ■杂质（N型和P型）：P(As)、B ■导体（电极及引线）：Al、Wu（Cu、Ti）、poly-Si ■绝缘体（栅介质、多层互连介质）：SiO2、Si3N4 硅的重要性 ■储量丰富，便宜；（27.6％）

■SiO2性质很稳定、良好介质，易于热氧化生长；

■较大的禁带宽度（1.12eV），较宽工作温度范围

硅提纯 I的工艺步骤、化学反应式及纯度

从石英砂到硅锭

■石英砂（SiO2)→冶金级硅(MGS)

■HCl与MGS粉反应形成TCS■（trichlorosilane：氯硅烷）■利用汽化和冷凝提纯TCS ■TCS与H2反应形成多晶硅(EGS)■熔融EGS和拉单晶硅锭 从硅锭到硅片

单晶硅锭→整型→切片→磨片倒角→刻蚀→抛光→清洗→检查→包装 化学反应式

硅提纯I

多晶硅淀积

直拉法的拉晶过程

拉晶过程

①熔硅②引晶（下种）③收颈④放肩

直拉法的拉晶过程中收颈的作用 目的：抑制位错从籽晶向晶体延伸

直拉法与区熔法的对比

直拉法，更为常用(占75％以上)⑴便宜⑵更大的圆片尺寸(300mm已生产)⑶剩余原材料可重复使用⑷位错密度：0～104cm2 区熔法

⑴高纯度的硅单晶(不使用坩锅)（电阻率2000Ω-mm）⑵成本高，可生产圆片尺寸较小(150mm)⑶主要用于功率器件⑷位错密度：103～105cm2 定位边或定位槽的作用 ①识别晶向、导电类型及划片方向 ②硅片（晶锭）机械加工定位的参考面；

③硅片装架的接触位置

外延的定义：外延、外延层、外延片、同质外延、异质外延

外延层：单晶衬底上单晶薄膜层 外延：同质外延和异质外延

同质外延：衬底与外延层为相同晶体，晶格完全匹配 异质外延：衬底与外延层为不同晶体，晶格不匹配

双极晶体管（电路）和CMOS器件（电路）中外延层的应用

双极晶体管（电路）中外延层的应用

高阻的外延层可提高集电结的击穿电压

■低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻

CMOS器件（电路）中外延层的应用

■ 减小pnpn寄生闸流管效应降低漏电流

Si外延的源材料

■Si源气体：SiH4(硅烷), SiH2Cl2(二氯硅烷)，SiHCl3(三氯硅烷), SiCl4(四氯硅烷)■ 掺杂剂 N型掺杂剂：PH3, AsH3 P型掺杂剂：B2H6 分子束外延（MBE）的特点 高温工艺设备小结

■高温工艺通常使用炉管反应室；

■反应炉通常由控制系统、气体输运系统、反应腔、装卸片系统和尾气处理系统构成

■立式炉管使用最广泛，因为其占地面积小、污染控制好、维护量小 ■温度控制的精确性和均匀性对于高温工艺的成功至关重要

氧化膜在IC中的应用 ■掺杂阻挡层■表面钝化(保护)■隔离层■栅氧化层■MOS电容的介质材料

各种氧化层在工艺中的应用、厚度及工艺 掺杂阻挡氧化层应用

■Much lower B and P diffusion rates in SiO2than that in S

■SiO2can be used as diffusion mask

表面钝化(保护)氧化层应用

■Pad Oxide衬垫（缓冲）氧化层, Screen Oxide屏蔽氧化层 Sacrificial Oxide牺牲氧化层, Barrier Oxide阻挡氧化层 ■Normally thin oxide layer(~150Å)to protect silicon defects from contamination and over-stress

器件隔离氧化层应用

■Electronic isolation of neighboring devices ■Blanket field oxide ■Local oxidation of silicon(LOCOS)■Thick oxide, usually 3,000 to 10,000 Å

栅氧化层应用

■Gate oxide: thinnest and most critical layer ■Capacitor dielectric

1号液和2号液的配方及作用 ■SC-1－NH4OH:H2O2:H2O with 1:1:5 to 1:2:7 ratio at 70 to 80℃to remove organic contaminants.(1号液)■SC-2--HCl:H2O2:H2Owith 1:1:6 to 1:2:8 ratio at 70 to 80 ℃to remove inorganic contaminates.(2号液)

颗粒、有机粘污、无机粘污及本征氧化层的清洗 Pre-oxidation（预氧化）Wafer Clean Organic（有机）Removal ■Strong oxidants remove organic residues ■H2SO4:H2O2or NH3OH:H2O2followed by DI H2O rinse.■ High pressure scrub or immersion in heated dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125 °C).Pre-oxidation Wafer Clean Inorganic（无机）Removal ■HCl:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125℃)Pre-oxidation Wafer Clean Native Oxide Removal（本征氧化层）

■HF:H2O ■Immersion(浸入)in dunk tank or single wafer vapor etcher followed by rinse, spin dry and/or dry bake(100 to 125℃)

SiO2生长的迪尔-格罗夫模型

干氧氧化和湿氧氧化的特点与应用 干（氧）氧化

■氧化剂：干燥的O2■Si+O2→SiO2■O来源于提供的氧气；Si来源于衬底硅圆片■O2通过表面已有的氧化层向内扩散并与Si反应生长SiO2■氧化膜越厚，生长速率越低■干氧化速率最低

湿（氧）氧化

■氧化剂：O2携带H2O■Si+O2→SiO2■Si+ 2H2O →SiO2+ 2H2 ■湿氧化的生长速率介于水汽氧化与干氧化之间■实际氧化工艺：干氧+湿氧+干氧

氧化工艺应用 干氧化，薄氧化层（<1000A）

－■MOS栅氧化层（30～120A）-■衬垫氧化层（100～200A），--■屏蔽氧化层（～200A），■牺牲氧化层（<1000A），等等

湿氧化，厚氧化层

■场氧化层（3000～5000A）■扩散掩膜氧化层（400～1200A）

掺氯氧化的作用

■Cl 可以减少氧化层中的可动离子（如Na+）■MOS栅极氧化中广泛采用 ■氧化速率提高（1～5）％

影响氧化速率的因素

■温度■湿氧化或干氧化■厚度■压力■硅片晶向(<100>或<111>)■硅中杂质

氧化速率与温度

■氧化速率对温度很敏感，指数规律■温度升高会引起更大的氧化速率升高

氧化速率与圆片晶向

■<111>表面的氧化速率高于<100>表面■原因：<111>表面的Si原子密度高

氧化速率与杂质浓度

■掺杂浓度越高，氧化层生长速率越高

Si-SiO2界面特性替位式扩散、间隙式扩散、扩散系数

在Si-SiO2界面有四种不同类型的电荷：（1）可动离子电荷（2）氧化层固定电荷（3）界面陷阱电荷（4）氧化层陷阱电荷

杂质再硅晶体中的主要扩散机构有：间隙式扩散、替位式扩散。替位式扩散：杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上称为替位式扩散

间隙式扩散：杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动称为间隙式扩散

两步扩散工艺

两步法扩散分预淀积和再分布两步进行，第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定表面浓度扩散方式在硅片便面扩散一薄层杂质原子，目的在于确定进入硅片的杂质总量。第二步称为主扩散或再分布或推进扩散，在较高的温度下，采用很定杂质总量扩散方式，让淀积在表面的杂质继续往硅片中扩散，目的在于控制扩散深度和表面浓度。

扩散的局限性与应用

扩散技术的主要缺陷

■扩散是各向同性的，掩膜下方也会有杂质横向扩散 ■不能独立控制结深和掺杂浓度 扩散应用

■主要用在阱注入后的推进工艺

离子注入后为什么要退火 ■高能离子损伤晶体结构■非晶硅有很高的电阻率

■需要外部能量如热使其恢复单晶结构■只有在单晶结构中杂质才能被激活

RTP（快速热退火）的优点 ■快速升温(75 to 150 °C/sec)■更高温度(up to 1200 °C)■过程快速■使杂质扩散最小化■热预算的更好控制（节约能源）■更好的圆片间均匀性控制 薄膜淀积

真空蒸发法蒸发源加热方式

■电阻加热■电子束加热■激光加热■高频感应加热

溅射的工作原理与特点

原理；具有一定能量的入射离子对固体表面轰击时，入射离子与固体表面原子碰撞发生能量和动量的转移，将固体表面的原子溅射出来 直流溅射特点：只适于金属靶材。磁控溅射特点：淀积速率最高。

RF溅射特点：适于各种金属与非金属靶材。

PVD 与 CVD对比 ■CVD：衬底表面发生化学反应 ■PVD：衬底表面不发生化学反应

■CVD: 更好的台阶覆盖性(50% to ~100%)和空隙填充能力 ■PVD: 台阶覆盖性差(~ 15%)和空隙填充能力差 ■PVD 源: 固态材料 ■CVD 源: 气体或蒸汽

CVD氧化硅与热生长氧化硅对比 ■热生长氧化硅

•O来源于气源，Si来源于衬底•氧化物生长消耗硅衬底•高质量 ■CVD 氧化硅

•O和Si都来自气态源•淀积在衬底表面•生长温度低（如PECVD）•生长速率高

CVD介质薄膜的应用 ■浅槽隔离(STI):undopedsilicon dioxide glass, USG■侧墙隔离：USG ■金属前介质(PMD）：PSG or BPSG■金属层间介质(IMD/ILD）：USG or FSG■钝化介质(PD）：Oxide/Nitride CVD的基本过程

① 传输②吸附③化学反应④淀积⑤脱吸⑥逸出

CVD生长的两种极限：表面反应控制与质量输运（传输）控制

表面反应控制型

■化学反应速率不能满足反应剂扩散和吸附的速率，反应剂堆积在衬底表面等待反应；■淀积速率＝反应速率■淀积速率对温度很敏感 质量输运控制型

■表面化学反应速率足够高，当反应剂被吸附在衬底表面时会立即反应■淀积速率＝D dn/dx■淀积速率对温度不敏感■淀积速率主要受到气体流速的控制

CVD 的三种类型及各自的应用

■APCVD 常压化学气相淀积■LPCVD 低压化学气相淀积 ■PECVD 等离子体增强化学气相淀积

CVD淀积速率G与温度T的关系

■低温下，hg>>ks，反应控制过程，故G与T呈指数关系； ■高温下，hg<

离子注入

离子注入与热扩散的对比

离子注入的两种阻挡机制

核碰撞和电子碰撞

避免沟道效应的方法 ■倾斜硅片, 7°最常用■屏蔽氧化层（无定形）■注入前预先无定型处理

离子注入机的原理

离子注入工艺的应用及技术趋势

离子注入工艺

■CMOS工艺应用■CMOS离子注入的工艺要求■离子注入工艺的评价。

技术趋势

■超浅结(USJ)■绝缘体上硅(SOI)■等离子体沉浸离子注入(PIII)SOI的优势

■芯片速度更快，耗电更少■电路密度提高 ■SOI尤其在RF与SoC方面表现出色

SOI圆片的制造：智能剥离与注氧隔离 离子注入特点：

⑴注入温度低⑵掺杂数目受控⑶横向扩散小⑷不受固溶度限制⑸注入深度随离子能量增加而增加⑹适合化合物掺杂 光刻与刻蚀工艺（曝光、刻蚀）

光刻的需要及光刻三要素

■高分辨率■光刻胶高光敏性■精确对准

正胶与负胶的比较

光刻工艺的10个步骤（1）硅片清洗（2）预烘和底膜涂覆（3）涂光刻胶（4）前烘（5）对准（6）曝光（7）后烘（8）显影（9）坚膜（10）图形检测

前烘、后烘及坚膜工艺目的（作用）的比较 前烘作用: 促进胶膜内溶剂充分挥发，使胶膜干燥；

增加胶膜与SiO2（Al膜等）的粘附性及耐磨性

后烘作用：平衡驻波效应，提高分辨率。坚膜的作用

■蒸发PR中所有有机溶剂■提高刻蚀和注入的抵抗力■提高光刻胶和表面的黏附性■聚合和使得PR更加稳定■PR流动填充针孔 4种曝光机

■接触式曝光机■接近式曝光机■投影式曝光机■步进式曝光机

分辨率与波长及NA的关系（最小线宽）R由曝光系统的光波长λ和数值孔径NA决定，R=K1λ/NA

K1为系统常数, λ光波长, NA = 2r0/D； ■NA: 凸镜收集衍射光的能力

如何提高分辨率？ ■提高NA

更大的凸镜, 可能很昂贵而不实际 减小DOF（焦深），会引起制造困难 ■减小光波长 开发新光源, PR和设备

波长减小的极限：UV到DUV, 到EUV, 到X-Ray ■减小K1 相移掩膜

移相掩模的原理与应用 移相掩模是一种双层设计结构,通过利用干涉技术抵消某些衍射效应,可使光刻分辨率的改进达到25%～100% 两种紫外线和三种深紫外线的名称、波长及对应的最小特征尺寸 ■汞灯i-line, 365 nm：–常用在0.35 μm光刻

■DUV KrF受激准分子激光器, 248 nm：应用0.25 μm, 0.18 μm and 0.13 μm光刻 ■ArF受激准分子激光器,193 nm：–应用: < 0.13 μm

■F2受激准分子激光器：157 nm：–仍处于研发阶段, < 0.10 μm应用

■157 nm F2激光器光刻

：使用相移掩膜, 即使0.035 μm 都是可以的

下一代光刻

■超紫外■X射线■电子束

干法刻蚀与湿法刻蚀的对比 湿法刻蚀的优点

■高选择性■设备成本较低■批处理, 高产量

湿法刻蚀的缺点

■各向同性■不能刻蚀3μm以下图形■化学品使用量高■化学品危险

干法刻蚀优点：

■各向异性腐蚀强；■分辨率高；■刻蚀3μm以下线条

湿法刻蚀SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的配方及反应式

湿法刻蚀SiO2 常用配方(KPR胶）：HF: NH4F: H2O=3ml:6g:10ml

(HF溶液浓度为48％)SiO2+ 6HF →H2SiF6 + 2H2O

湿法刻蚀Si、Poly-Si HNO3-HF-H2O(HAC)混合液

湿法刻蚀Silicon Nitride

热(150 to 200 °C)磷酸H3PO4溶液

干法刻蚀的原理与种类

① 等离子体刻蚀：化学性刻蚀②溅射刻蚀：纯物理刻蚀③反应离子刻蚀（RIE）：结合①、②

干法刻蚀SiO2、Si、Poly-Si及Si3N4的腐蚀剂

刻蚀气体：CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6

金属化与多层互连

金属化的应用、三种最常用的金属及三种不同的金属化方法

应用

■栅电极材料■金半接触电极材料■互连材料

常用的金属性材料

■掺杂的poly-Si■金属硅化物■金属合金 金属化方法

多晶硅－重掺杂，LPCVD淀积 金属硅化物-淀积 合金=淀积（PVD,CVD）集成电路对金属化的基本要求

1.形成低阻欧姆接触；2.提供低阻互连线；3.抗电迁移；4.良好的附着性；5.耐腐蚀；6.易于淀积和刻蚀；7.易键合；8.层与层之间绝缘要好

90年代CMOS标准金属化：栅材料，接触孔（通孔）填充材料，阻挡层（势垒层）、黏附层、焊接层、及防反射层材料，互连材料，金半接触电极材料及工艺

Al-Si接触的尖楔现象、影响及抑制 Al/Si接触的尖楔现象：Si在Al中的溶解度及快速扩散 影响：PN结穿刺 –Al刺穿过掺杂PN结，使源/漏与衬底短路 抑制：400 ℃热退火在Si-Al界面形成Si-Al合金

Al的电迁移现象、影响及抑制 电迁移：大电流密度下发生质量（离子/晶粒）输运 现象：在阳极端堆积形成小丘或须晶，造成电极间短路；

在阴极端形成空洞，导致电极开路

影响；

■电迁移使金属线变窄变薄■残留引线中电流密度更高■电迁移影响IC的可靠性

电迁移抑制

■少量铜与铝形成的合金将大大提供Al对电迁移的抵抗，铜作为Al晶粒间的粘合剂，防止Al晶粒因电子轰击而迁移 ■Al-Cu(0.5%)最常用■使用Al-Si-Cu 合金

TiN的作用 TiN：阻挡层，防止W扩散

TiN：粘合层，帮助W与SiO2表面粘合在一起

TiN：防反射涂层ARC（Anti-reflection coating），防止反射提高光刻分辨率

Cu淀积的大马士革镶嵌工艺

① 在低K介质层上刻蚀出Cu互连线用的沟槽； ② ②CVD淀积一层薄的金属势垒层：防止Cu的扩散 ③ ③溅射淀积Cu的籽晶层：电镀或化学镀Cu需要 ④ ④沟槽和通孔淀积Cu：电镀或化学镀； ⑤400℃下退火； ⑤ Cu的CMP。

工艺集成

MOS IC与双极IC的隔离

MOS集成电路的隔离：LOCOS隔离工艺；侧墙掩蔽的隔离工艺；浅槽隔离等.双极集成电路的隔离：pn结隔离工艺；深槽隔离工艺.防止寄生场效应晶体管开启及提高寄生晶体管阈值电压的工艺方法 防止寄生场效应晶体管开启的方法

提高寄生场效应晶体管的阈值电压使寄生场效应晶体管的阈值电压高于集成电路的工作电压

4．提高寄生晶体管阈值电压的方法

1）、增加场区SiO2的厚度；（但是过厚的氧化层将产生过高的台阶，从而引起台阶覆盖的问题）

2）、增大氧化层下沟道的掺杂浓度，即形成沟道阻挡层

局部氧化（LOCOS）、侧墙掩蔽的隔离（SWAMI）及浅槽隔离（STI，Shallow Trench Isolation）工艺的特点、工艺流程及示意图 局部氧化工艺

优点：

1.可以减小表面的台阶高度；2.和高浓度杂质注入是一次光刻完成的 缺点：

1、鸟嘴侵蚀有源区；

2、不利于后序工艺中的平坦化；

3、杂质重新分布。

P阱、N阱工艺特点

P阱工艺：易实现nMOS和pMOS的性能匹配，适于静态逻辑电路 n阱工艺：易获得高性能的nMOS，适于微处理器、DRAM 熟悉双阱CMOS IC工艺流程 1）硅片准备2）阱的制备3）场区隔离：4）CMOS器件形成5）多层金属互联6）后部封装工艺

熟悉标准埋层双极集成电路工艺流程 标准埋层双极集成电路工艺流程

1）、衬底准备2）、埋层的制备3）、外延层生长4）、隔离区的形成（第二次光刻）5）、收集极接触的制备（第三次光刻）6）、基区的形成（第四次光刻）7）、发射区的形成（第五次光刻）8）、金属接触和互联（第六、七次光刻）9）、后续封装工艺

CMOS工艺流程

了解1960s、1970s和1980s集成电路工艺的特点

熟悉1990sCMOS工艺的特点：特征尺寸、衬底、隔离、光刻、刻蚀、退火、W塞及平整化 1990’s CMOS Technology Photolithography – G-line, I-line(365 nm), and DUV 248 nm – Positive photoresist – Steppers replaced projection printer – Track-stepper integrated systems • Plasma etches for patterned etch • Wet etches for blanket film stripping • Vertical furnaces

– smaller footprints, better contamination control.• RTP systems

– post-implantation annealing – silicide formation, – faster, better process and thermal budget control.• DC magnetron sputtering replaced evaporation • Multi-layer metal interconnection • W CVD and CMP(or etch back)to form plugs • Ti and TiN barrier/adhesion layer for W • Ti welding layer for Al-Cu to reduce contact resistance • TiN ARC • BPSG was popularly used as PMD.• DCVD: PE-TEOS and O3-TEOS – STI, sidewall spacer, PMD, and IMD • DCVD: PE-silane – PMD barrier nitride, dielectric ARC, and PD nitride • Tungsten CMP to form plug

• Dielectric CMP for planarization • Cluster tools became very popular • Single wafer processing systems improve wafer-to-wafer uniformity control • Batch systems is still commonly employed in many non-critical processes for their high throughput.

第四篇：编办个人工作自我总结（定稿）

一年来，在领导和同事的关心支持帮助指导下，本人认真实践“三个代表”重要思想，深入学习党的十六届六中全会精神和江泽民文选，刻苦钻研业务知识，努力提高理论知识和业务工作水平，在思想上按党员标准严格要求自己，在工作上勤勤恳恳、任劳任怨，在作风上艰苦朴素、务真求实，较好地完成领导安排的各项任务。下面,我从四个方面向领导和同志们作一个自我总结：

一、自觉加强思想政治理论和业务知识学习，不断提高自身素质，夯实工作基础

学习是个人进步和成长的不竭动力和源泉。一年来，我在深入学习“三个代表”重要思想的基础上，根据工作性质和特点，着重加强了人事编制工作的政策、办事原则、程序、业务等方面的学习，通过对《事业单位登记管理条例》、机构编制管理和公文写作技能的具体学习，初步掌握和熟悉了人事工作的方式方法，能根据领导安排拟写简单的一般性公文。此外，工作之余，还参加中央党校函授学院公共管理专业本科班的学习，并按规定修完学科课程计划。总之，通过学习，自己的思想政治素质、文化业务素质得到了提高，为进一步履行工作职责、提升工作水平提供了知识保证，奠定了业务基础。

二、以开展党员先进性教育活动及学习江泽民文选活动为契机，努力锤炼职业道德品质和工作作风

去年底，由于组织的信任和领导的关心，把我从++政府调入++工作，这时恰逢全国在基层开展党员先进性教育活动，我于2011年12月-2011年6月被抽到++镇指导开展 “学教”活动。在指导“学教”活动中，我不但指导好村级搞好活动，还积极参与到学习中，时刻牢记党员的责任和义务，严格要求自己，在任何时候都要起到模范带头作用，遵章守纪、务真求实、乐观上进，始终保持严谨认真的工作态度和一丝不苟的工作作风，发扬艰苦朴素、勤俭耐劳、乐于助人的优良传统。

今年底还积极参加局里组织的学习江泽民文选活动，安排时间进行个人自学，以胡锦涛总书记“四个必须、两个满意”的精神为指导，按照“对己清正、对人公正、对内严格、对外平等”的总要求，撰写心得体会，经过学习熏陶，真正认识到“公道正派”是人事干部的立身之本、为人之道、处事之基，是人事部门自身建设和干部职业道德建设的核心内容和永恒主题。

三、今年我与++办的同事一起围绕中心工作，对照相关标准，严以律己，较好的完成各项工作任务。

主要完成了如下工作:

（一）搞好深化行政管理体制改革和区乡机构改革的有关工作。一是认真做好政府机构改革的扫尾工作。二是搞好乡镇机构改革工作。三是配合相关部门作好新一轮的竞争上岗工作。

（二）从严控制机构和人员编制的增加，切实加强对机构编制的管理。一是切实加强对机构编制的控制和管理。二是认真做好文体局二级事业单位的机构调整工作。三是认真做好乡镇、街道办事处卫生院的机构设置及编制的调整工作。四是认真抓好每月的人员（工资）增减审核工作。五是认真做好机构编制的统计工作。

（三）认真做好事业单位登记管理工作。一是认真做好2011事业单位检验工作。二是督促区乡机构改革后涉及法人设立、变更、注销的事业单位办理相关手续。

（四）认真做好财政供养人员吃“空响”的清理。

（五）积极做好与编制管理及改革相关课题的调研。

（六）认真做好编办文件资料的打印、整理归档工作。

四、存在的问题和今后努力方向

回顾一年来的工作，我在思想上、学习上、工作上取得了新的进步，但我也认识到自己的不足之处，我的工作时间短经验还不足，理论知识水平还比较低，现代办公技能还不强，业务水平还比较底。今后，我一定认真克服缺点，发扬成绩，自觉把自己置于组织和同事的监督之下，刻苦学习、勤奋工作，做一名合格的人民公务员，为人事人才工作做出自己的贡献。

以上是我工作一年来的工作自我总结，通过以上的自我总结，能够总结出本人的一年所做的工作存在着哪些地方不足，哪些还要继续发扬的。希望在明年能够做得更好。

第五篇：生物制品工艺总结

1生物制品：指采用现代生物技术手段人为地创造一些条件，借用某些微生物、植物或动物体来生产某些初级代谢产物或次级代谢产物，或利用生物体的某一组成部分，制成作为诊断或治疗或预防疾病或达到某种特殊医学目的的医药用品，统称为生物制品。

2生物制品学：是指研究各类生物制品的来源、结构特点、应用、生产工艺、原理、现状、存在问题与发展前景等诸方面知识的一门科学。

3现代生物技术领域：基因工程、细胞工程、酶工程、发酵工程、蛋白质工程、抗体工程、生物芯片技术、人类基因组计划、糖链工程、代谢工程、自动生化药物筛选技术、后基因组计划于人类蛋白质组计划、海洋生物技术、宇航生物技术、生化工程、下游工程或高效分离纯化系统。4现代生物技术：农业生物技术、家畜生物技术、食品生物技术、环保生物技术、能源生物技术、海洋生物技术、医药生物技术、生物制品技术。

5生物制品分类：按来源分（人源生物制品、动物源生物制品、植物源生物制品、微生物源生物制品）按使用对象分（用于人的生物制品、用于家畜的生物制品、用于家禽的生物制品、用于作物的生物制品）按结构与功能（疫苗类、抗体类、人血液代用品、重组细胞因子、反义寡核苷酸、重组激素类）。

6细胞因子：是人类或动物的各类细胞分泌的具有度=多种生物活性的因子。它们是可溶性物质，是一组不均一的蛋白质分子，能调节细胞的生长和分化。7干扰素：是一类重要的细胞因子，在同种细胞上具有光谱抗病毒、抗细胞分裂和免疫调节等多种生物学活性。

8白细胞介素：是淋巴因子家族的一类，分别有单核—巨噬细胞、淋巴细胞及其他多种细胞产生。白细胞介素能激活免疫活性细胞，使之增殖分化，介导细胞间的相互作用。免疫调节功能，增强抗体免疫力。

9白细胞介素—2：能使机体内细胞毒性T淋巴细胞和自然杀伤细胞等增殖，具有杀伤和清除肿瘤细胞和病毒感染细胞的功能，在体内是免疫监视功能的基础。10细胞工程和基因工程的应用产生了两种医疗技术：细胞移植和基因治疗

11单抗最主要的特点是专一性和单克隆性，是针对一个抗原决定簇的、单一的、特异的、均质的抗体。

12盐析法：将硫酸铵或硫酸钠等中性盐加入到蛋白质溶液中，破坏蛋白质的胶体颗粒在溶液中的稳定因素而使其沉淀的方法。13有机溶剂沉淀法：在蛋白质溶液中，加入与水互溶的有机溶剂，能显著的减小蛋白质的溶解度而发生沉淀。

14选择性沉淀法包括等电点沉淀法和选择性沉淀法。15等电点沉淀法：对于两性物质，等电点时静电荷为零，是稳定的双电层及水化膜变弱或破坏，分子间排斥点位降低，吸引力增大，相互聚集产生沉淀。16变性沉淀：是根据各种蛋白质在不同理化因子作用下稳定性不同的原理，而常用于提取溶液中的杂蛋白，选择性较强，方法简单，但使用和范围较窄。17离子交换色谱：其原理是通过带电的溶质分子与离子交换剂中可交换的离子进行交换，从而达到分离的目的。

18反向色谱：是利用溶质分子中非极性基团与非极性固定相之间相互作用的大小，以及溶质分子中极性基团与流动相中极性分子之间在相反方向作用力大小的差异进行分离的。

19疏水色谱：主要是利用蛋白质表面上的疏水区域和介质的疏水基团之间的相互作用，无机盐的存在能使相互作用力增强。20疫苗：是指用人工变异或从自然界筛选获得的减毒物或无毒的、活的病原微生制成的制剂，或用理化方法将病原微生物杀死制备的生物制剂，用于人工自动免疫以使人或动物产生免疫力。

21减毒活性疫苗：是将微生物的自然强毒株通过物理的、化学的和生物学的方法，连续传代，使其对宿主丧失致病力，或只引起亚临床感染，但仍保持良好的免疫原性，遗传特性，用这种毒株制备的疫苗叫做减毒活性疫苗。22基因工程疫苗：是指使用重组DNA技术克隆并表达保护性抗源基因，利用表达的抗原产物，或重组体本身制成的疫苗。23基因工程疫苗包括：基因工程亚单位疫苗、基因工程载体疫苗、基因缺失活疫苗、核算疫苗、蛋白质工程疫苗。

24细菌性疫苗：由细菌、支原体、螺旋体等制成的疫苗。包括活菌疫苗、死菌疫苗、纯化的多糖活蛋白质成分苗。

25基因工程菌苗：指利用重组DNA技术研制的菌苗。包括保护性抗原基因在原核或真核细胞中表达的生物合成亚单位疫苗，以某些细菌为外源基因为载体的活载体苗和通过基因组突变、缺失或插入的基因缺失疫苗。26治疗性疫苗：是指在已感染病原生物或患某些疾病的机体中，通过诱生机体的特异性或非特异性免疫应答，以达到治疗或防治疾病恶化的天然、人工修饰合成或用基因重组技术表达的产品或生物制品。

27补体系统是由一系列蛋白质分子组成的，是机体的主要防御体系之一，在生物学反应中，如吞噬、调理、趋化和细胞溶解等，都有重要作用。

1新型生物反应器：①机械搅拌式生物反应器②鼓泡式生物反应器③气升式生物反应器④膜生物反应器⑤固定床和流化床生物反应器⑥自吸式生物反应器。

2国外生物技术产业特点：①现代生物技术产品销售额增长迅速②新医药是现代生物技术产业的主题产品③农业领域将掀起生物技术及产业发展的“第二个浪潮”④工业生物技术产业发展成为“第三个浪潮”。3美国发展模式：①政府和私人对生物技术研究与开发持续的大量资金投入是至关重要的后盾②政府、大学和企业间的密切伙伴关系以及完善的技术转移机制是研究成果得以迅速商品化应用的桥梁③学术界的敬业精神和企业界的创业精神是发展的动力④日趋成熟的风险投资和股票市场是产业化的保障。4美国的发展特点：①把握前沿，高度重视基础研究，特别是与生命科学相关的医学生物学研究②创造良好的机制和环境③鼓励形成集中区域和扎堆效应。5我国发展优势：①政府高度重视②研究开发条件明显改善③人才和技术已有相当的贮备④生物、遗传资源丰富6我国发展的劣势：①科技投入明显不足②技术贮备相对不足，创新成果不多③科技体制尚不能适应市场经济的需要④发展高技术产业的政策环境和机制尚不够完善

7总体战略目标：①立足创新②需求牵引③集成应用④重点突破 ⑤协调发展

8总体战略目标：努力提高生物技术在我国国民经济和社会发展中的贡献率，增强我国生物技术的创新能力和国际竞争能力。9原料的保存方法：①冷冻法②有机溶剂脱水法③防腐剂保鲜

10生物原料的预处理：①动物原料 采集后要立即处理，去除结缔组织、脂肪组织等，并迅速冷冻储存；②植物原料 要择时采集，并就地去除不用的部分，保鲜处理；③微生物原料 要及时将菌细胞与培养液分开，并进行保鲜处理。

11分离纯化技术的要求：①技术条件要温和，要抑制宿主细胞或分泌产物中相应的酶活性，防止其消化降解待提纯产物，以保持目的产物的生物活性；②选择性要好，优化选择与组合各种分离纯化技术方法以达到较高的纯化倍数③去除细胞或分泌产物中非目标产物成分，同时尽量保持交工的目标产物成分的回收率；④要能直接衔接，不需要对物料加以处理或调整⑤整个分离纯化过程要快，时间短，能够满足高生产率的要求⑥保持环境清洁，防止杂物污染。12蛋白质分离纯化方法：①盐析和有机溶剂沉淀法②按分子大小分离方法（微滤、超滤）③选择性沉淀④色谱法（离子交换色谱、凝胶过滤色谱）⑤电泳法 13含目的的产物的起始物料特点：①菌种类型及其代谢特性。包括菌种的各种生物学性质、产物和副产物种类、代谢物种类，产物类似物、毒素和能降解产物的酶等；②原材料和培养基的来源及其质量；③生产工艺和条件，包括灭菌方法和条件，生产方式，生产周期，生产能力，工艺控制条件、因素及方式等；④初始物料的生物、化学和生物学特性，包括产物浓度、主要杂质种类和浓度、盐的种类和浓度、溶解度、PH、黏度、流体力学性质和热力学性质。

14色谱优点：①分离效率高②选择性强③过程自动化操作④分离快速⑤使用范围广⑥高灵敏度的在线检测

15人源性生物制品的特点：①效价高、疗效可靠；②安全性好，不易产生副反应；③稳定性好；④资源有限，研究意义重大 16人源性生物制品的种类：①血液制品②尿液制品③胎盘制品④人体液细胞中的活性物质 17尿液中的生物活性物质：尿激酶、激肽释放酶、尿抑胃素、人尿胰蛋白酶抑制剂、人绒毛膜促性腺激素、人尿中的其他活性物质

18动物源性生物制品特点：①原料来源丰富②制种类多③要重视安全性

19动物源性生物制品：动物血红素、胰蛋白酶、胰酶、胰岛素、胸腺肽、胆红素、肝素、硫酸软骨素、溶菌酶。

20菌苗存在问题：①尽管疫苗免疫取得了巨大的成功，但小于5岁的婴幼儿每年死于传染病的数目仍很高②与病毒相比，基因工程细菌及细菌核酸苗报道明显少。

21理想菌苗条件：①安全，不能有毒性②遗传性状稳定，无致癌性，无致畸变或致流产性③结构简单清楚，可生物降解，有生物相容性，与组织抗原无免疫学交叉反映④接受疫苗接种的各年龄组人群必须能够很高比例的产生保护性免疫⑤多价，有更大的覆盖面，最好一次性免疫⑥能口服，能有效诱导黏膜免疫⑦为大量人群应用，疫苗必须廉价⑧易于生产，贮存及服务不需冷藏。

22预防性疫苗与治疗新疫苗区别：①预防性疫苗的接种对象是健康群体，对易感人群均可适用，主要起免疫预防作用，安全可靠，治疗性疫苗使用对象是感染者②治疗性疫苗与预防性疫苗实用的目的不同，后者是为了防病，前者是为了治疗或防止病情恶化③治疗性疫苗应用时必须考虑适应症与禁忌症，也可根据需要进行各种组合和调整。

1生物制品：指采用现代生物技术手段人为地创造一些条件，借用某些微生物、植物或动物体来生产某些初级代谢产物或次级代谢产物，或利用生物体的某一组成部分，制成作为诊断或治疗或预防疾病或达到某种特殊医学目的的医药用品，统称为生物制品。

2生物制品学：是指研究各类生物制品的来源、结构特点、应用、生产工艺、原理、现状、存在问题与发展前景等诸方面知识的一门科学。

3现代生物技术领域：基因工程、细胞工程、酶工程、发酵工程、蛋白质工程、抗体工程、生物芯片技术、人类基因组计划、糖链工程、代谢工程、自动生化药物筛选技术、后基因组计划于人类蛋白质组计划、海洋生物技术、宇航生物技术、生化工程、下游工程或高效分离纯化系统。4现代生物技术：农业生物技术、家畜生物技术、食品生物技术、环保生物技术、能源生物技术、海洋生物技术、医药生物技术、生物制品技术。

5生物制品分类：按来源分（人源生物制品、动物源生物制品、植物源生物制品、微生物源生物制品）按使用对象分（用于人的生物制品、用于家畜的生物制品、用于家禽的生物制品、用于作物的生物制品）按结构与功能（疫苗类、抗体类、人血液代用品、重组细胞因子、反义寡核苷酸、重组激素类）。

6细胞因子：是人类或动物的各类细胞分泌的具有度=多种生物活性的因子。它们是可溶性物质，是一组不均一的蛋白质分子，能调节细胞的生长和分化。7干扰素：是一类重要的细胞因子，在同种细胞上具有光谱抗病毒、抗细胞分裂和免疫调节等多种生物学活性。

8白细胞介素：是淋巴因子家族的一类，分别有单核—巨噬细胞、淋巴细胞及其他多种细胞产生。白细胞介素能激活免疫活性细胞，使之增殖分化，介导细胞间的相互作用。免疫调节功能，增强抗体免疫力。

9白细胞介素—2：能使机体内细胞毒性T淋巴细胞和自然杀伤细胞等增殖，具有杀伤和清除肿瘤细胞和病毒感染细胞的功能，在体内是免疫监视功能的基础。10细胞工程和基因工程的应用产生了两种医疗技术：细胞移植和基因治疗

11单抗最主要的特点是专一性和单克隆性，是针对一个抗原决定簇的、单一的、特异的、均质的抗体。

12盐析法：将硫酸铵或硫酸钠等中性盐加入到蛋白质溶液中，破坏蛋白质的胶体颗粒在溶液中的稳定因素而使其沉淀的方法。13有机溶剂沉淀法：在蛋白质溶液中，加入与水互溶的有机溶剂，能显著的减小蛋白质的溶解度而发生沉淀。

14选择性沉淀法包括等电点沉淀法和选择性沉淀法。15等电点沉淀法：对于两性物质，等电点时静电荷为零，是稳定的双电层及水化膜变弱或破坏，分子间排斥点位降低，吸引力增大，相互聚集产生沉淀。16变性沉淀：是根据各种蛋白质在不同理化因子作用下稳定性不同的原理，而常用于提取溶液中的杂蛋白，选择性较强，方法简单，但使用和范围较窄。17离子交换色谱：其原理是通过带电的溶质分子与离子交换剂中可交换的离子进行交换，从而达到分离的目的。

18反向色谱：是利用溶质分子中非极性基团与非极性固定相之间相互作用的大小，以及溶质分子中极性基团与流动相中极性分子之间在相反方向作用力大小的差异进行分离的。

19疏水色谱：主要是利用蛋白质表面上的疏水区域和介质的疏水基团之间的相互作用，无机盐的存在能使相互作用力增强。20疫苗：是指用人工变异或从自然界筛选获得的减毒物或无毒的、活的病原微生制成的制剂，或用理化方法将病原微生物杀死制备的生物制剂，用于人工自动免疫以使人或动物产生免疫力。

21减毒活性疫苗：是将微生物的自然强毒株通过物理的、化学的和生物学的方法，连续传代，使其对宿主丧失致病力，或只引起亚临床感染，但仍保持良好的免疫原性，遗传特性，用这种毒株制备的疫苗叫做减毒活性疫苗。22基因工程疫苗：是指使用重组DNA技术克隆并表达保护性抗源基因，利用表达的抗原产物，或重组体本身制成的疫苗。23基因工程疫苗包括：基因工程亚单位疫苗、基因工程载体疫苗、基因缺失活疫苗、核算疫苗、蛋白质工程疫苗。

24细菌性疫苗：由细菌、支原体、螺旋体等制成的疫苗。包括活菌疫苗、死菌疫苗、纯化的多糖活蛋白质成分苗。

25基因工程菌苗：指利用重组DNA技术研制的菌苗。包括保护性抗原基因在原核或真核细胞中表达的生物合成亚单位疫苗，以某些细菌为外源基因为载体的活载体苗和通过基因组突变、缺失或插入的基因缺失疫苗。26治疗性疫苗：是指在已感染病原生物或患某些疾病的机体中，通过诱生机体的特异性或非特异性免疫应答，以达到治疗或防治疾病恶化的天然、人工修饰合成或用基因重组技术表达的产品或生物制品。

27补体系统是由一系列蛋白质分子组成的，是机体的主要防御体系之一，在生物学反应中，如吞噬、调理、趋化和细胞溶解等，都有重要作用。

1新型生物反应器：①机械搅拌式生物反应器②鼓泡式生物反应器③气升式生物反应器④膜生物反应器⑤固定床和流化床生物反应器⑥自吸式生物反应器。

2国外生物技术产业特点：①现代生物技术产品销售额增长迅速②新医药是现代生物技术产业的主题产品③农业领域将掀起生物技术及产业发展的“第二个浪潮”④工业生物技术产业发展成为“第三个浪潮”。3美国发展模式：①政府和私人对生物技术研究与开发持续的大量资金投入是至关重要的后盾②政府、大学和企业间的密切伙伴关系以及完善的技术转移机制是研究成果得以迅速商品化应用的桥梁③学术界的敬业精神和企业界的创业精神是发展的动力④日趋成熟的风险投资和股票市场是产业化的保障。4美国的发展特点：①把握前沿，高度重视基础研究，特别是与生命科学相关的医学生物学研究②创造良好的机制和环境③鼓励形成集中区域和扎堆效应。5我国发展优势：①政府高度重视②研究开发条件明显改善③人才和技术已有相当的贮备④生物、遗传资源丰富6我国发展的劣势：①科技投入明显不足②技术贮备相对不足，创新成果不多③科技体制尚不能适应市场经济的需要④发展高技术产业的政策环境和机制尚不够完善

7总体战略目标：①立足创新②需求牵引③集成应用④重点突破 ⑤协调发展

8总体战略目标：努力提高生物技术在我国国民经济和社会发展中的贡献率，增强我国生物技术的创新能力和国际竞争能力。9原料的保存方法：①冷冻法②有机溶剂脱水法③防腐剂保鲜

10生物原料的预处理：①动物原料 采集后要立即处理，去除结缔组织、脂肪组织等，并迅速冷冻储存；②植物原料 要择时采集，并就地去除不用的部分，保鲜处理；③微生物原料 要及时将菌细胞与培养液分开，并进行保鲜处理。

11分离纯化技术的要求：①技术条件要温和，要抑制宿主细胞或分泌产物中相应的酶活性，防止其消化降解待提纯产物，以保持目的产物的生物活性；②选择性要好，优化选择与组合各种分离纯化技术方法以达到较高的纯化倍数③去除细胞或分泌产物中非目标产物成分，同时尽量保持交工的目标产物成分的回收率；④要能直接衔接，不需要对物料加以处理或调整⑤整个分离纯化过程要快，时间短，能够满足高生产率的要求⑥保持环境清洁，防止杂物污染。12蛋白质分离纯化方法：①盐析和有机溶剂沉淀法②按分子大小分离方法（微滤、超滤）③选择性沉淀④色谱法（离子交换色谱、凝胶过滤色谱）⑤电泳法 13含目的的产物的起始物料特点：①菌种类型及其代谢特性。包括菌种的各种生物学性质、产物和副产物种类、代谢物种类，产物类似物、毒素和能降解产物的酶等；②原材料和培养基的来源及其质量；③生产工艺和条件，包括灭菌方法和条件，生产方式，生产周期，生产能力，工艺控制条件、因素及方式等；④初始物料的生物、化学和生物学特性，包括产物浓度、主要杂质种类和浓度、盐的种类和浓度、溶解度、PH、黏度、流体力学性质和热力学性质。

14色谱优点：①分离效率高②选择性强③过程自动化操作④分离快速⑤使用范围广⑥高灵敏度的在线检测

15人源性生物制品的特点：①效价高、疗效可靠；②安全性好，不易产生副反应；③稳定性好；④资源有限，研究意义重大 16人源性生物制品的种类：①血液制品②尿液制品③胎盘制品④人体液细胞中的活性物质 17尿液中的生物活性物质：尿激酶、激肽释放酶、尿抑胃素、人尿胰蛋白酶抑制剂、人绒毛膜促性腺激素、人尿中的其他活性物质

18动物源性生物制品特点：①原料来源丰富②制种类多③要重视安全性

19动物源性生物制品：动物血红素、胰蛋白酶、胰酶、胰岛素、胸腺肽、胆红素、肝素、硫酸软骨素、溶菌酶。

20菌苗存在问题：①尽管疫苗免疫取得了巨大的成功，但小于5岁的婴幼儿每年死于传染病的数目仍很高②与病毒相比，基因工程细菌及细菌核酸苗报道明显少。

21理想菌苗条件：①安全，不能有毒性②遗传性状稳定，无致癌性，无致畸变或致流产性③结构简单清楚，可生物降解，有生物相容性，与组织抗原无免疫学交叉反映④接受疫苗接种的各年龄组人群必须能够很高比例的产生保护性免疫⑤多价，有更大的覆盖面，最好一次性免疫⑥能口服，能有效诱导黏膜免疫⑦为大量人群应用，疫苗必须廉价⑧易于生产，贮存及服务不需冷藏。

22预防性疫苗与治疗新疫苗区别：①预防性疫苗的接种对象是健康群体，对易感人群均可适用，主要起免疫预防作用，安全可靠，治疗性疫苗使用对象是感染者②治疗性疫苗与预防性疫苗实用的目的不同，后者是为了防病，前者是为了治疗或防止病情恶化③治疗性疫苗应用时必须考虑适应症与禁忌症，也可根据需要进行各种组合和调整。