第一篇：模电设计论文
一、.设计方案：
音频功率放大器要求：
输入信号为50mv，50~15KHz的音频信号，负载为8Ω扬声器的情况下，输出Pom≥5W。
本方案分两级设计，第一级采用集成运算放大器构成的比例放大器做为激励，主要完成对小信号的放大。要求放大倍数大，输出阻抗低，频带宽度宽，噪音低。第二级采用双电源的OCL电路做为功放输出级，功率放大器决定了整机的输出功率、非线性失真系数等指标，要求效率高、失真尽可能小、输出功率大。
二、.各部分电路分析：
1、电源部分
由于设计要求Pom为(VCCUCES)
2om5W，根据P2RL（其中RL
为8Ω，UCES一般取3V以上），所以有：
即VCC12V
本方案选用了±15V的VCC电压。
2．功放部分：
由两部分构成，前级采用集成运算放大器构成的比例放大电路，对输入的信号进行电压放大，输出级采用OCL互补输出结构的功率放大电路，对经过前级放大的信号进行功率放大。
晶体管Q1～Q4组成复合式晶体管互补对称电路。Q1、Q2为相同类型的NPN管，组成复合式的NPN管；Q3、Q4为不同类型的晶体管，组成复合式的PNP管，用于多级放大。
1.对于集成运放电压放大倍数的选取：
放大倍数决定于R9、R10和R11的选取。由公式 VCCUCES2PomRL
A1(R11R10)R9
决定。
mV，其放输入为有效值为50mV的信号，其峰-峰值为2250mV1
41大后的峰-峰值不能超过正负电压差值，即： V，2250mVAu30
所以，放大倍数不得大于213。
Urms输出功率要不小于5W，因为W，所以 8RL
2UOPPRLW2217.9V 决定了运放的输出电压需不小于17.9V
2250mV127
接入电位器R11以便于对放大倍数进行适当的微调，电路中放大倍数的调节68K68K200K范围为（1，1），即69≤Au≤269。1K1K
选取集成运放时，GBW需不小于Auf12715k2MHz
本方案选用NE5534，其GBW为10MHz，足以满足要求。
2.OCL两功率管的选取：
功率放大管的选择决定于管子的极间反向击穿电压，集电极最大电流与集电极最大功耗。
1)极间反向击穿电压UCBO=2VCC=30V。
2)集电极最大电流ICmaxIEmax(VCCUCES)，考虑留有一定余地，RL
VCCI一般取CmaxL，即所选功放管ICmax应大于1.5A。
3)集电极最大耗散功率PCM
因此选择的功放管应满足：
1.UCBO>30V；
2.ICM>1.5A；
3.PCM>1W； 2Pom20.2Pom1W
本方案选用TIP41C，它的UCBO=100V，ICM=6A，PCM=65W。足已满足要求。采用复合管可以保证一定的放大倍数更重要的是可以使用两个相同的功放管，以使两管参数更为一致。
3.用于消除交越失真的偏置电路：
R1、R15、R5和二极管D1、D2组成的支路是两对符合管的偏置电路，用于消除交越失真，设置静态工作点，使两个晶体管均工作在临界导通状态或微导通状态。UAB＝URp3＋UD1＋UD2，各大于Q1、Q3发射结开启电压之和，有微小电
流通过，静态调节R5，使
UR6IE1R6IBR60.7V（1）
Q2也临界导通。由于IE1IE2，R6R12，所以Q4也临界导通。Q1、Q3Q4提供激励电流，为Q2、这个电流不需要太大，Q1、Q3只需一般的8050和8850就可以了。但这对管的值一定要接近。本人选到一对都等于234的管。本方案试取R6、R12=220Ω。根据（1）式可得IB1IB20.136mA。因为流过二极管D1、D2的电流远大于IB1、IB2，可认为大一个数量级，即ID1ID210IB11.36mA。由此可确定R1R15R52VCCUD1UD2。ID
1UD2取决于二极管的材质，其中UD1、硅管为0.7V，锗管为0.2V。这里要与8050
和8550的材质一样，才能做静态偏置电压。而8050和8550都是硅管，所以二极管选用硅管N4148。这样可计算出R1R15R521K。其中R5用于调整复合管的微导通状态，调节范围不需太大，几百欧或1KΩ的电位器，由此可确定R1R1510K。焊接电路应使R5＝0，在调整输出级静态工作电流或输出波形的交越失真时再逐渐增大阻值。
Rp1控制音量调节取47KΩ，以保证功放的输入阻抗大于前级的输出阻抗；因为Ui＝0时要求Uo≈0，所以Rp1须接地。
R2、R7用于减小复合管的穿透电流，提高电路的稳定性，一般为几十至几百欧。本方案取100Ω。R8、R13为负反馈电阻，可改善功放的性能，并能观测功放管的静态电流，但不宜太大。一般为几欧。本方案取0.5Ω。因为末级电流较大，所以此电阻应用大功率水泥电阻。
电容C1起隔直作用，只有很小时，在交流通路中才可视为短路，所以取值：C1＝10μF。
实验证明，VCC大电压输入会对输入小信号造成很严重的干扰，所以应在VCC输入端各接一个100μF电解电容和一个0.1μF瓷片电容，用于电源的去耦。
三．个人心得
刚开始做一个电路板，首先要接触的就是protel这个软件。因为需要这个软件来进行电路原理图的设计以及pcb图的绘制。当我们拿到这次课程设计的要求后，我就马上着手准备设计所需要的电路，由于自己之前没有接触过protel这个软件，所以在开始那段时间很是纠结，后来在请教了一些学长以及上网找到了一
些视频教程之后有所进展，根据设计要求把原理图画出来了。这只是一小步，当我开始要封装，还有布线的时候，才发现原来这个才是最有难度的。在参考了很多学长的资料后，我自己一点进展都没有。不管怎样布线，最后还是会交叉重叠，出现错误。眼看时间有点紧了，所以就决定舍弃自己布线的念头。于是我就把学长们的PCB图进行修改。这个修改主要有两方面：一是由于我们班买的散热器比学长们设计的大，所以在PCB图上放散热器的空间是不够的，所以要对PCB图进行一些移动调整。二是原始的PCB图的线是布出来了，但是在某些连接以及转角位置有点瑕疵，我也对它们进行了一些修改。就这样，PCB图这一步就弄好了。
接下来就是将PCB图打印出来，这时候又遇到了一个问题：就是我在打印预览的时候看到的过孔都是灰色的，以及过孔的孔没有显示出来。于是自己就上网去找了一些资料了解了一下，但是网上的资料有点不全，没能把这个问题解决。后来我就在打印预览页面每个功能选项都看了一遍。后来发现问题出在打印页面的属性设置，要把属性“显示孔”“黑色&白色”选上，还有把“multilayer”图层移到第一位。这样的设置就没问题了。
当PCB图打印出来之后，印版腐蚀焊接方面就没什么问题了，最后一次测试通过。
第二篇：模电实验报告（范文模版）
模拟电子技术
实验报告
学院：电子信息工程学院 专业： 姓名： 学号： 指导教师：
2017年】实验题目：放大电路的失真研究
【
目录
一、实验目的与知识背景..................................................................3 1.1实验目的.......................................................................................3 1.2知识背景.......................................................................................3
二、实验内容及要求..........................................................................3 2.1基本要求.......................................................................................3 2.2发挥部分.......................................................................................4
三、实验方案比较及论证..................................................................5 3.1理论分析电路的失真产生及消除................................................5 3.2具体电路设计及仿真....................................................................8
四、电路制作及测试........................................................................12 4.1正常放大、截止失真、饱和失真及双向失真...........................12 4.2交越失真.....................................................................................13 4.3非对称失真.................................................................................13
五、失真研究思考题........................................................................13
六、感想与体会...............................................................................16 6.1小组分工.....................................................................................16 6.2收获与体会.................................................................................16 6.3对课程的建议.............................................................................17
七、参考文献...................................................................................17
一、实验目的与知识背景
1.1实验目的
1.掌握失真放大电路的设计和解决电路的失真问题——针对工程问题，收集信息、查阅文献、分析现有技术的特点与局限性。提高系统地构思问题和解决问题的能力。
2.掌握消除放大电路各种失真技术——依据解决方案，实现系统或模块，在设计实现环节上体现创造性。系统地归纳模拟电子技术中失真现象。
3.具备通过现象分析电路结构特点——对设计系统进行功能和性能测试，进行必要的方案改进，提高改善电路的能力。
1.2知识背景
1.输出波形失真可发生在基本放大、功率放大和负反馈放大等放大电路中，输出波形失真有截止失真、饱和失真、双向失真、交越失真，以及输出产生的谐波失真和不对称失真等。
2.基本放大电路的研究、乙类功率放大器、负反馈消除不对称失真以及集成运放的研究与应用。
3.射极偏置电路、乙类、甲乙类功率放大电路和负反馈电路。
二、实验内容及要求
2.1基本要求
1.输入一标准正弦波，频率2kHz，幅度50mV，输出正弦波频率2kHz，幅度1V。
2．a.输出以下各种类型的波形：（1）标准正弦波
（2）顶部、底部、双向失真（3）交越失真 b.设计电路并改进。
c.讨论产生失真的机理，阐述解决问题的办法。2.2发挥部分
a.输出不对称失真的波形。b.设计电路并改进。
c.讨论产生失真的机理，阐述解决问题的办法。
三、实验方案比较及论证
3.1理论分析电路的失真产生及消除
a.正常放大、截止失真、饱和失真及双向失真
（1）饱和失真
产生原因：静态工作点过高
如图3-1-1，当静态工作点太高时，放大器能对输入的负半周信号实施正常的放大，而当输入信号为正半周时,因太大了，使三极管进入饱和区，ic=βib的关系将不成立,输出电流将不随输入电流而变化，输出电压也不随输入信号而变化，产生输出波形的失真。这种失真是因工作点取的太高,输入正半周信号时，三极管进入饱和区而产生的失真，所以称为饱和失真。
（2）截止失真
产生原因：静态工作点过低
如图3-1-1所示为工作点太低的情况,由图可见,当工作点太低时,放大器能对输入的正半周信号实施正常的放大,而当输入信号为负半周时,因将小于三极管的开启电压,三极管将进入截止区,ib=0,ic=0,输出电压u0=uCE=Vcc将不随输入信号而变化,产生输出波形的失真。
（3）双向失真
产生原因：输入信号过大、电路放大倍数太大、直流偏置太小。
工作点偏高,输出波形易产生饱和失真；工作点偏低,输出波形易产生截止失真。但当输入信号过大时,管子将工作在非线性区,输出波形会产生双向失真。此时静态工作点合适，但输入波形的幅度超过了直流的最大幅度，当输出信号过大时可能会出现饱和失真与截止失真一块儿出现的失真现象，称之为双向失真。
消除方法：
顶部或底部失真：调节电位器，变化静态工作点； 双向失真：适当减小输入电压
b.交越失真
产生原因：
交越失真是乙类推挽放大器所特
有的失真。在推挽放大器中，由两只晶体管分别在输入信号的正、负半周导通，对正、负半周信号进行放大。而乙类放大器的特点是不给晶体管建立静态偏置，使其导通的时间恰好为信号的半个周期。但是，由于晶体管的输入特性曲线在Ube较小时是弯曲的，晶体管基本上不导通，即存在死区电压V r。当输入信号电压小于死区电压时，两只晶体管基本上都不导通。这样，当输入信号为正弦波时，输出信号将不再是正弦波，即产生了失真。这种失真是由于两只晶体管在交替工 克服交越失真：
作时“交接”不好而产生的,称为交越失真。
为了克服交越失真的影响，可以通过改进电路的方法来实现。采用甲乙类双电源互补对称电路法和甲乙类单电源互补对称电路。甲乙类互补对称法电路原理如下图1所示。由图1可见，T3组成前置放大级，T1和T2组成互补输出级。静态时，在D1，D2上产生的压降为T1，T2提供了一个适当的偏压，使之处于微导通状态。由于电路的对称，静态时 icl=ic2，iL=0，vo=0。有信号时，由于电路工作在甲乙类，即使Vi很小，基本上也可以进行线性放大。但是图1的缺点就是其偏置电压不易调整，改进电路如图2所示，在图2中流人T4的基极电流远小于流过R1、R2的电流，则由图可以求出Vce=VBE∙(R1+R2)/R2，因此，利用T4管的VBE基本为一固定值，只要调整R1、R2的比值，就可以改变T1、T2的偏压值。
图1图2
c.非对称失真
输出
产生原因：
不对称失真也是推挽放大器所特有的失真。它是由于推挽管特性不对称,而使输入信号的正、负半周不对称。
消除办法：
加入负反馈，利用失真减小失真。
3.2具体电路设计及仿真
a.正常放大、截止失真、饱和失真及双向失真
（1）仿真电路
VCCR3500kΩKey=A12VR215kΩC2+50 %XSC1_+AC1XFG110µFR115kΩQ110µFR5100kΩR41kΩ+Ext Trig2N2222A__B（2）仿真波形
静态工作点居中时，输出正常波形；适当调节滑动变阻器使得阻值变大，出现顶部失真；适当调节滑动变阻器使得阻值变小，出现底部失真。输入：
输出：
正常正弦波形 双向失真
顶部失真 底部失真
b.交越失真
（1）仿真电路
VCC12VR110kΩ+Ext Trig+_A_+B_XSC1XFG1Q1S1键 = A D11N40012N2222D21N4001Q4R215kΩR310kΩ2N4403VEE-12V（2）仿真波形 输入：
输出：
交越失真 改善后波形
c.非对称失真
（1）仿真电路
（2）仿真波形 输入：
输出：
不对称失真波形 改善后波形
四、电路制作及测试
4.1正常放大、截止失真、饱和失真及双向失真
顶部失真（截止失真）双向失真
底部失真（饱和失真）正常放大 4.2交越失真
交越失真 消除交越失真
4.3非对称失真
非对称失真 减小非对称失真 实验得，非对称失真时，失真率为：（2.26-1.87）/4.13=9.44% 引入负反馈之后，失真率为：（240-238）/478=0.42% 故可见，引入反馈后，失真得到明显改善。
五、失真研究思考题
1、NPN型组成的共射放大电路和PNP型组成的共射放大电路在截止和饱和失真方面的不同。
答：NPN型：顶部失真属于截止失真，底部失真属于饱和失真。
PNP型：顶部失真属于饱和失真，底部失真属于截止失真。
2、共基放大电路、共集放大电路与共射放大电路在截止和饱和失真方面的不同。答：共射电路及共集电路都既有饱和失真又有截止失真：截止失真是因为三极管直流工作点过低产生的失真，而饱和失真为直流工作点过高产生的失真。
共基电路有饱和失真，无截止失真，因为共基电路的解法不用考虑三极管的截止电压，故不存在截止失真。
3、改变下图射极偏置电路电路哪些参数可解决上述失真。
答：解决饱和失真：通过调大Rb1或调小Rb2，使得Rb2分压减小，Ube减小，则发射极电流减小，直流工作点降低，饱和失真得到解决。
解决截止失真：通过调小Rb1或调大Rb2，使得Rb2分压增大，Ube增大，则发射极电流增大，直流工作点升高，截止失真得到解决。
解决双向失真：调整直流工作点使其位于中间位置或减小输入信号。
4、双电源供电的功率放大器改成单电源供电会出现哪种失真？ 如何使单电源供电的功率放大器不失真？
答：单电源供电影响了输入输出电压范围，进而限制了电路的动态范围，导致信号失真。解决单电源供电失真的办法为给回路中串联一个储能电容。
5、造成单级放大电路失真的器件有哪些？Re的作用是什么？
答：造成单级放大电路失真的器件有基极电阻、直流偏置电压电源等；Re是电路的负反馈电阻，能够稳定放大电路的直流工作点。
6、负反馈可解决波形失真，解决的是哪类失真？
答：负反馈能在一定程度上抑制管子的非线性失真，但不对反馈环外的失真起作用。非线性失真包括交越失真、不对称失真等。
7、消除交越失真为什么要用二极管？
答：二极管静态时需要导通，所以产生两个0.7V的压降（硅管），而这两个压降刚好为T1与T2提供两个适当的偏置电压，使T1和T2处于微导通状态，这样就克服了因门限电压产生的交越失真。
8、放大电路加入负载后会出现失真吗？为什么？
答：会。因为负载电阻越大,放大倍数就越高，输出的信号幅度也就越大，越容易进入饱和或截止区，越容易失真。
9、如何测量放大电路的输入电阻、输出电阻和通频带。
答：测量输入电阻：分别测量出电路的输入端电压Ui和输入端的电流Ii，则输入电阻Ri＝ui/Ii，这个输入电阻可能是动态的，不同的电压下可能不相同。
测量输出电阻：分别接入不同的输出负载R1和R2，分别测量出电路的输出端电压Uo1、Uo2，则由于输出电流I1和I2分别等于I1＝Uo1/R1、I2＝Uo2/R2，输出电动势E＝I1×Ro＋Uo1＝I2×Ro＋Uo2，所以得到方程：Uo1/R1×Ro＋Uo1＝Uo2/R2×Ro＋Uo2。则解出输出电阻：Ro＝（Uo2+Uo1）×（R1＋R2）/（Uo1×R2－Uo2×R1）
测量通频带：
幅频特性及通频带的测试能使用仪器的条件下通常用扫频法：利用扫频仪直接在屏幕上显示出放大器的输出信号幅度随频率变化的曲线，即Au-f曲线。在屏幕显示的幅频特性曲线上测出通频带BW。
10、用场效应管组成的放大电路或运算放大器同样会产生所研究的失真吗？ 答：不一定。
11、当温度升高，晶体管组成的电路刚刚产生静态工作点漂移，使电路产生某种失真，此时由场效应管组成的电路也同样失真吗？为什么？
答：场效应管不会形成波形失真，但放大倍数同样会因为温度的变化发生变化。三极管的温度漂移是由于温度上升时，静态工作点向上漂移，形成饱和失真。而场效应管不同，随着温度的上升，静态工作点不会上移反而会下移，饱和失真不可能形成。另一方面，温度的上升会导致场效应管的门限电压进一步下降，因此原电路的一定能保持场效应管处于打开状态，因此也不会产生截止失真。综上所述，虽然温度漂移会对场效应管放大电路的静态工作点和放大倍数造成影响，但场效应管本身的特性决定了温度的升高并不会引起失真。
12、归纳失真现象，并阐述解决失真的技术。答：失真现象归纳见3.1 解决失真的核心技术：调节直流工作点使其合适、利用二极管抬高电平、引入负反馈。
六、感想与体会
6.1小组分工
本人在该实验中负责基本部分和发挥部分的板子焊接制作，以及参与板子的测试。
6.2收获与体会
这门基于模拟电子技术的实践课虽然时间很短，但是收获颇丰，我觉得相比于理论知识的钻研，更重要的是锻炼了实践动手能力，提升了自己分析解决问题的能力。
将近七周的时间里，我们小组完成了关于非线性失真的电路设计及焊接，对于放大电路饱和、截止、双向、不对称等非线性失真的电路结构、产生原因及失真现象的改善有了相当的认识，同时对于晶体管的型号、引脚等参数特性也有了一定的认识。
这之外的收获是，真正通过不断地实验、不断地检查纠错，拥有了不断查找板子无法调试出波形甚至三极管冒烟烧坏的错误原因。一方面是初次接触，不懂得三极管的放置也是有规律的；另一方面，焊接过程中容易犯低级错误，比如最后一个发挥部分，焊好了电路之后检查了三遍，调试了两边出现的都是乱波，冷静下来仔细分析结果，猜想应该还是焊接出错了。果不其然，再次检查发现输入引脚根本没有接入电路。所以通过这样的教训，我们也意识到平时不应该只关注理论知识的学习，还需要培养锻炼我们的实践能力、动手操作能力。
6.3对课程的建议
建议发挥部分可以多给出几个参考题目。另外感觉这门课很有价值，可以适当增加教学深度。
七、参考文献
[1]路勇，刘颖.模拟集成电路基础[M].北京:中国铁道出版社, 2016 [2]刘贵栋，电子电路的 Multisim 仿真实践，哈尔滨工业大学出版社，2008
第三篇：模电复习资料
模拟电路复习提纲
第一章 半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态 2.三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件 式子3.共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 称为穿透电流。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化） hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 四.基本放大电路组成及其原则 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。 3.静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。 4.放大器的动态范围 （1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法 1.静态分析 （1）静态工作点的近似估算 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。 2.放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 七.分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1．静态分析 2．动态分析 *电压放大倍数 在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻 在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻 八.共集电极基本放大电路 1．静态分析 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 2．动态分析 * 电压放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3.电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输出电阻低。 第三章 场效应管及其基本放大电路 一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号 2.输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 转移特性曲线 UP-----截止电压 二.绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号 2.特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。 三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS 5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件) 四.场效应管的小信号等效模型 E-MOS 的跨 导 gm--- 五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析 动态分析 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 若带有Cs，则 2.分压式偏置放大电路 * 静态分析 * 动态分析 若源极带有Cs，则 六.共漏极基本放大电路 * 静态分析 或 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 * 动态分析 第四章 多级放大电路 一.级间耦合方式 1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。 2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。 3.直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。 *零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应 1．中频段(fL≤f≤fH) 波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 2．低频段(f ≤fL) ‘ 3．高频段(f ≥fH) 4．完整的基本共射放大电路的频率特性 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 三.分压式稳定工作点电路的频率1．下限频率的估算 2．上限频率的估算 响应 四.多级放大电路的频率响应 1.频响表达式 2.波特图 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 第五章 功率放大电路 一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态 导通角为360，ICQ大，管耗大，效率低。 2.乙类工作状态 ICQ≈0，导通角为180，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态 导通角为180~360，效率较高，失真较大。 二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态 任意状态：Uom≈Uim 尽限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：Uom≈VCC oo oo2.输出功率3.直流电源提供的平均功率 4.管耗 Pc1m=0.2Pom 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 5.效率 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出 理想时为78.5% 在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。 动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。 动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点 1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β 2 第六章 集成运算放大电路 一.集成运放电路的基本组成 1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。 2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。 3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。 4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。 二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程---- 当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。 Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。 2静态分析 1)计算差放电路IC 设UB≈0，则UE=－0.7V，得 2)计算差放电路UCE • • • 双端输出时 单端输出时(设VT1集电极接RL) 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 对于VT1： 对于VT2： 3.动态分析 1）差模电压放大倍数 • • 双端输出 单端输出时 从VT1单端输出 ： 从VT2单端输出 ： 2）差模输入电阻3）差模输出电阻 • • 双端输出：单端输出: 三.集成运放的电压传输特性 当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ： 四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈 * 电路特点——“虚短”和“虚断”: 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 “虚短”--- “虚断”---2)运放工作在非线性区 * 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点—— 输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时，uo=+Uom 当u+ i+=i-=0 第七章 放大电路中的反馈 一.反馈概念的建立 ＊开环放大倍数－－－Ａ ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ ＊环路增益－－－ＡＦ： 1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。 2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。 3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。 4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二．反馈的形式和判断 1.反馈的范围----本级或级间。 2.反馈的性质----交流、直流或交直流。 直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。 3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。 （输出短路时反馈消失） 电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失） 4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端） 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法： （1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号 的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）确定反馈信号的极性。 （4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。 三.反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带 4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。 2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 第八章 信号的运算与处理 分析依据------“虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路 R2 =R1//Rf 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1//R2//R3//Rf 4.同相求和运算电路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5.加减运算电路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 二.积分和微分运算电路 1.积分运算 2.微分运算 第九章 信号发生电路 一.正弦波振荡电路的基本概念 1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈) 自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件： 2.起振条件: 幅值条件 ：相位条件:3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 (1)放大电路-------建立和维持振荡。 (2)正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-------以选择某一频率进行振荡。 (4)稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类 (1)RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。二.RC正弦波振荡电路 1.RC串并联正弦波振荡电路 2.RC移相式正弦波振荡电路 三.LC正弦波振荡电路 1.变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法： 断回路、引输入、看相位 2.三点式LC振荡器 *相位条件的判 断 ------“ 射 同 基 反 ” 或 “ 三 步曲法” 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 (1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路) (2)电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路) (3)串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路） (4)并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路） (5)四.石英晶体振荡电路 1.并联型石英晶体振荡器 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 2.串联型石英晶体振荡器 第十章 直流电源 一.直流电源的组成框图 08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 • • • • • 电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。稳压电路：自动保持负载电压的稳定。二.单相半波整流电路 1．输出电压的平均值UO(AV) 2．输出电压的脉动系数S 3．正向平均电流ID(AV) 4．最大反向电压URM 三.单相全波整流电路 1．输出电压的平均值UO(AV) 2．输出电压的脉动系数S 3．正向平均电流ID(AV) 4．最大反向电压URM 四.单相桥式整流电路 UO(AV)、S、ID(AV) 与全波整流电路相同，08自动化一班 306雄霸天下 模拟电路复习提纲 URM与半波整流电路相同。 五.电容滤波电路 1． 放电时间常数的取值 2.输出电压的平均值UO(AV) 3.输出电压的脉动系数S.整流二极管的平均电流I D(AV) 六.三种单相整流电容滤波电路的比较 七.并联型稳压电路 1.稳压电路及其工作原理 *当负载不变，电网电压 变化时的稳压过程: *当电网电压不变，负载变化时的稳压过程 : 2.电路参数的计算 * 稳压管的选择 常取UZ=UO；IZM=(1.5~3)IOmax * 输入电压的确定 一般取UI(AV)=(2~3)UO * 限流电阻R的计算 R的选用原则是：IZmin 08自动化一班 306雄霸天下 河南理工大学万方科技学院 模拟电子课程设计 对讲机放大电路的设计 专业班级 ：电气13-3 姓 名 ：何水源 学 号 ：1316301140 一 设计方案 1．确定前置级电路方案： ①根据总的电压放大倍数，确定放大电路的级数，实际电路中，为使放大电路的性能稳定，都引入了一定深度的负反馈，所以，放大倍数应留有一定余量。②．根据输入，输出阻抗及频率响应等方面的要求，确定晶体管的组态（共射，共基，共基）及静态偏置电路。 ③．根据三种耦合方式（阻容耦合，变压器耦合，直接耦合）的不同特点，选用合适的耦合方式。本电路级间耦合采用阻容耦合方式。 本电路电压增益为100倍，考虑到电路的输入电阻不很高（ri>15K）,输出阻抗也不太低，负载取得电流也不太大（RL=2K）,因此前置级电路采用共射极电路。由于单级放大器的电压增益为35db左右，两级放大器的增益为65db左右，考虑到要引入一定深度的负反馈（一般为1+AF=10左右），而电路的增益要求为100倍，所以前置级用两级共射极电路组成。静态偏置采用典型的工作点稳定电路。 2.确定功率放大器电路方案： 功率放大器的电路形式很多，有双电源的OTL互补对称功放电路、单电源供电的OTL功放电路、BTL桥式推勉功放电路和变压器耦合功放电路等。这些电路各有特点，可根据要求和具备的实验条件综合考虑，做出选择。 本方案的输出功率较小，可采用单电源供电的OCL功放电路，OTL功率放大器由推动级、输出级组成。推动级采用普通的共射极放大电路，输出级由互补推动输出，工作在甲乙类状态下，得到较大的输出功率。 图1-4是一个OTL功放电路，T4是前置放大级，只要适当调节Rp，就可以使IRH、UB5和UB6达到所需数值，给T5、T6 提供一个合适的偏置，从而使A点电位UA=UC6=VCC/2。 当Ui=Uimsinwt时，在信号的负半周，经T4放大反相后加到T5、T6基极，使T6截止、T5导通，这时有电流通过RL，同时电容C5被充电，形成输出电压Uo的正半周波形，在信号的正半周，经T4放大反相后加到T5、T6基极，使T5导通、T6截止，则已充电的电容C5起着电源的作用，并通过RL，和T5放电，形成输出电压Uo的负半周波形。当Ui周而复始变化时，T5、T6交替工作，负载RL上就可以得到完整的正弦波。 为使输出电压达到最大峰值UCC/2，采用自举电路的OTL功放电路。 当Ui=0时，UA=VCC/2，UB=VCC-iR11R2，电容C3两端电压UC3=UB-UA=VCC/2-iR11R2。当R11C4乘积足够大时，则可以认为UC4基本为常数，不随Ui而变化。这样，当Ui为负半周时，T5导通，UA向更正的方向变化。由于B点电位UB=UC4+UA，B点电位也将自动随着A点电位升高。因而，即使输出电压Uo幅度升的很高也有足够的电流通过T5基极，使T5充分导电。这种工作方式叫“自举“，意思是电路本身把UB提高了。 四、计算原件参数 依据基本设计方案计算元件参数 电路方案确定以后，要根据给定的技术要求进行元件参数的选择。在确定元件参数时，可以先从后级开始，根据负载条件确定后级的偏置电路，然后再计算前级的偏置电路，进一步由放大电路的频率特性确定耦合电容和旁路电容的电量，最后由电压放大倍数确定负反馈网络的参数。1).确定电源电压 Vcc应满足要求： Vcc 〉2Vom+VE+VCES Vom= 1.4V VE为三极管发射极电压，一般取1~3V，VCES为晶体管饱和压降，一般取1V。 2．前置放大级参数确定 a）确定T2级的参数 集电极电阻R8，发射极电阻R9，T3型号，基极偏置电阻R6、R7。 Vcc-VCEQ2=ICQ2 R8+VE2 VCEQ2= ICQ2 VCEQ2 > Vom+VCES R9=VE2/ICQ2 指标中，RL=2KΩ，取VE2=3V，VCES=1V； 确定R8=3.5KΩ，R9=1.5KΩ，取标称值，R8=3.3KΩ，R9=1.5KΩ，则静态值ICQ=2mA，VCEQ2=2.4V。确定T2级三极管参数： 晶体管的选取主要依据晶体管的三个极限参数： BVCEO > 三极管c-e间最大电压VCEmax ICM>三极管工作时的最大电流ICmax PCM > 三极管工作时的最大功耗PCmax VCE最大值为: VCE2max=Vcc IC2的最大值为: IC2max =2ICQ2 T2的最大功耗为：PCmax= VCEQ2 · ICQ 因此T2的参数应满足： BVCEO > 12V ICM>2ICQ2 = 4mA PCM > VCEQ2 · ICQ2 = 4.8mW 选用3DG系列小功率三极管，β2=80。确定T2级基极电阻参数： 选取原则： 1.基极电压VB2越稳定，则电路的稳定性越好，需满足IR ＞ ＞ IB 2.IR不能过大，否则R6、R7的值太小。会增加电源的消耗；使第二级的输入电阻降低，从而使第一级的放大倍数降低。 为了使VB2稳定同时第二级的输入电阻又不致太小，按下式选取IR的值： IR=（5 ~ 10）IBQ 硅管 IR=（10 ~ 15）IBQ 锗管 本电路选用硅管，取 IR= 5 IBQ，则： T1级发射极、集电极电阻及静态工作点： 因为T1级是放大器的输入级，其输入信号比较小，放大后的输出电压也不大，所以对于第一级失真度和输出幅度的要求比较容易实现，主要考虑如何减小噪声，三极管的噪声大小与工作点的选取有很大关系，减小静态电流对降低噪声是有利的，但对提高放大倍数不利，所以静态电流不能太小。在工程计算中，一般对小信号的输入级都不详细计算，而是凭经验直接选取： I CQ1 = 0.1~1 mA 硅管 I CQ1 = 0.1~2 mA 锗管 本电路选用硅管，取IR=5IBQ 取标称值R1=12K，R4=56，R5=5.6K。T1级三极管参数： BVCEO > 12V，ICM > 0.5 mA，PCM > 1.5 mW 选用3DG—三极管可以满足要求。确定T1级基极电阻参数： 取IR= 10 IBQ1，VE1 = 3V 耦 合 电 容 ： 2 ～ 10 μF 发射极旁路电容： 150 ～ 200 μF d）反馈网络的计算 Rf = 100R4-R4=5.5K 取Rf = 5.6K，Cf=10μF 根据上述的计算结果，得到电路图1-6，可将电路仿真，如不能达到设计要求，修改电路使其达到设计要求。然后将仿真后的电路实际安装调试。 五、对讲机的安装 (1)熟悉电路元件，发对讲机装配零件，检查和熟悉各种零件 周二，老师首先让我们熟悉对讲机的电路图和熟悉电路元件，这一天的工作是相对轻松的，仅仅是熟悉电路图和学习使用常用电子仪器仪表，和识别检测常用的电子元件。 这一天最重要的就是常用电子元件的识别和检测。我们常见的电子元件就是电阻、电容、二极管和三极管。电阻上的色带是就是电阻的色环标记法，通过色环来表示电阻的大小，有效数字、倍率和允许误差。现在见到的电阻的色环有四道和五道的，四道环的有效数字是前两道环所代表，而五道环是由前三道所代表。接着识别电容器，电容用于交流耦合、滤波、隔断直流、交流旁路和组成振荡电路等，电容的标注分为直接标注和色标法。通过学习，我明白了直接标注的电容是用数字直接表示电容量，不标单位。标注1～4位整数时，其单位是pF，标注为小数时，其单位是µF。也有用三位数字表示容量大小，默认单位是pF，前两位是有效数字，第三位是有效倍率（10m），当第三位是9时，则对有效数字乘以0.1。而色标法则同电阻器的标注。检测电容的方法是利用电容的充放电特性，一般用万用表电阻档测试电容的充放电现象，两只表笔触及被测电容的两条引线时，电容将被充电，表针偏转后返回，再将两表笔调换一次测量，表针将再次偏转并返回。用相同的量程测不同的电容器时，表针偏转幅度越大说明容量越大。测试过程中，万用表指针偏转表示充放电正常，指针能回到∞，说明电容没短路，可视为电容完好。现在说明在模拟电路中常见的二极管，通常二极管有整流、检波、稳压、发光、发电、变容、和开关二极管等。检测二极管我们利用的是二极管的正向导电性，正向导通反向截止，可以判断管子的好坏。最后说明三极管的识别和检测，很明显，一般的三极管就是三个管脚，很容易识别，所以识别三极管重要的是识别三极管是NPN或PNP型，以及各管脚所代表的极性。而这些的判断都需要使用万用表。判断极性：对圆柱型三极管，若管脚处接头有突出物，则将管脚冲上，顺时针依次为EBC极若没有突出物，则管脚根处间隙较大的两跟管脚对向自己，顺时针依次为EBC极。对半圆型三极管，将管脚向上，半圆向自己，顺时针为EBC极。判断三极管的类型：在基于以上极性判断的前提下，NPN管，基极接黑表笔，测得电阻较小。PNP管正好相反。以上就是我对常用电子元件的识别和检测方法。 (2)焊接各种零件并交对讲机 周二下午，我们就真正进入到电子技术实习的操作中去了，以前虽然接触过电烙铁，但毕竟很少有实际操作过，总是怀有几分敬畏之心。而电子电路主要是基于电路板的，元器件的连接都需要焊接在电路板上，所以焊接质量的好坏直接关系到以后制作对讲机的成败。因此对电烙铁这一关我们是不敢掉以轻心的。 最终我们在这一天的实习中，焊接了十几个元件，起初没经验，将电阻立得老高，这样既不美观也不牢靠容易形成虚焊，之后有了经验就采取卧式法，既美观又牢靠，只是拆卸时稍微麻烦，需要别人帮忙。焊接时虽然胆战心惊，但还是总结出了心得，就是焊锡要用一点点下去，电烙铁要在锡水熔化后产生光亮就拿开，这样就能焊出光亮圆滑的焊点了。将他们插好后就依次拆卸下来，先焊接电阻，再焊接电容，焊接电容时一定要特别注意电容的正负极。然后是三极管，焊接时注意三极管的极性，管脚要放入相应位置。另外，由于这次课程设计使用的电路板并不是印刷好的电路板，所已焊接时电路板上元件的连接要用导线来连接，这就要求我们在焊接之前就要先把原件布局好。焊接完电路板的电子元件后，就要处理电源同电路板的连接，这需要我们引出导线以方便接下来的调试和数据测量。 六、调试方法 1．仿真调试步骤：通过仿真测试，如不能达到设计要求，则应修改电路，使其满足要求。 ⑴使用仿真软件画出电路原理图，标出节点。 ⑵对电路进行直流分析，判断放大电路及功放级的电路状态。⑶对电路进行交流分析，通过对不同节点的分析观察其幅频特性和相频特性是否满足设计要求。 ⑷对电路进行瞬态分析（示波器），观察放大级输出的波形，波形不失真，输出电压、失真度、带宽等指标达到要求。 2．实际电路调试 在仿真的基础上，焊好电路并检查无误后，即可进行调试。如果设计正确，前置放大级一般不必调整就可以正常工作。3．OTL输出级的简单调整方法： ①调解Rp使A点电位为Vcc/2。②调解R13使ICQ4、5 =（5 ~ 10）m A 其中 1）、2）两步要反复调解，直到达到要求为止。经上述调试后，放大器就能正常工作。按图1-1 接好线路，K拨在图中位置，对着Y2讲话时，Y1处应能听到Y1放出的清晰、宏亮的声音。当K拨到另一位置时，对着Y1讲话时，Y2处应能听到Y1放出的清晰、宏亮的声音。 最后需要说明的是，如按图1-1 接好线路后，扬声器中有广播电台的声音，则应放在放大器的输入端与地之间接一电容，其容量为0.01μF，也可由试验确定。 七、实际电路测量数据： 信号源电压：Us=10mV 输入电压：Ui=9.66mV 输入电阻：Ri=[Ui/（Us-Ui）]R=34.7K 前置级输出电压：Uo1=0.975V 放大倍数：Av=Vo1/Ui=97.5 频宽：29Hz~~2.03MHz 输出电压：Uo=2.43V 三极管各极电压： T1：VEQ=2.8V;VBQ=3.4V;VCQ=6V T2：VEQ=2.7V;VBQ=3.3V;VCQ=5.6V T3：VEQ=5V;VBQ=5.7V;VCQ=12V T4：VEQ=2.1V;VBQ=2.8V;VCQ=5.8V T5：VEQ=6.2V;VBQ=6.8V;VCQ=12V T6：VEQ=6.4V;VBQ=5.8V;VCQ=0V 八、所用仪器设备 1.计算机及电路仿真软件。2.信号发生器。3.示波器。4.稳压电源。5.稳压电源。6.晶体管毫伏表。7.万用表。 九、心得体会 一周的课程设计在充忙的生活中很快过去了，经过一周的课程设计的学习，我已经自己能制作一个对讲机，这其中的兴奋是无法用言语表达的。学习模电这段时间也是我们一学期最忙的日子，不仅面临着期末考试，而且中间还有一些其他科目的实验，本周必须完成模电的课程设计。任务对我们来说，显得很重。为了较好的完成模电的课程设计，我经常放学好在实验室加班。相关知识缺乏给学习它带来很大困难，为了尽快掌握它的用法，我照着原理图学习视频一步一步做，终于知道了如何操作。通过这次设计，我懂得了学习的重要性，了解到理论知识与实践相结合的重要意义，学会了坚持、耐心和努力，这将为自己今后的学习和工作铺展了道路。另外，课堂上也有部分知识不太清楚，于是我又不得不边学边用，时刻巩固所学知识，这也是我作本次课程设计的一大收获。 十、参考资料： 电子技术基础（模拟部分）康华光 高等教育出版社 模拟电子技术基础 童诗白 华成英 高等教育出版社 模拟电子技术课程设计 电气工程系 中原工学院电子电工教研室 电子线路课程设计 华永平华南大学出版社 电子技术基础实验与课程设计 高吉祥 电子工业出版社 电工电子技术实习与课程设计 华荣茂 电子工业出版社 姓名: 王凯 年级专业: 06物理 备注: 量子力学/电子线路1导生 姓名：王凯 年级专业：06应用物理学 备注：电子线路1 模拟电子线路学习心得 首先，可以说，模电是一门稍微难学的课程；但是，在培养理工科学生学习专业知识的过程中，它起到了非常重要的作用。它不仅要为今后学习有关的后续课程打下基础，而且模电课程本身涉及的一些基本概念、基本原理和基本分析方法，对于培养分析问题和解决问题的能力也十分重要。因此，本课程通常被列为有关专业的重要技术基础课。 这门课程的性质和特点。 首先，作为一门技术基础课，模拟电子技术既不同于专业课——本课程强调基本概念、基本原理和基本分析方法，为将来在工作中应用电子技术解决实际问题打下牢固的基础；又不同于某些基础理论课——本课程的内容更接近工程实际。在学习电子电路的工作原理时要紧紧抓住基本概念和基本分析方法；在分析和计算时又常常需要从实际情况出发，抓住主要矛盾，忽略次要矛盾。 其次，大家要时刻记住，今天的学习是为今后的工作和进一步学习打下基础，所以，在本课程的学习中，一方面要抓住基本，另一方面要注意能力的培养，包括学习新知识、新技术的能力。 最后，电子技术是一门实践性很强的课程。因此，实践环节和动手能力的培养在课程中占有重要的地位。通过实验，不仅固化和深化书本上学到的知识，而且倡导理论联系实际的精神，提高电子技术方面的动手能力，培养严谨踏实的科学作风。 学习模拟电子技术应注意的几个问题 第一，注意正确理解和掌握模拟电路的基本概念和重要术语，例如，PN结，单项导电性，放大作用，截止、放大和饱和，直流通路和交流通路等等。 第二，注意掌握模拟电路常用的分析方法，例如，分析放大电路静态工作情况和分析波形失真常用的图解法，分析放大电路动态性能； 第三，注意通过模拟电子技术课程的学习，培养分析问题和解决问题的能力，例如，初步的电子电路读图能力，估算基本电路主要性能指标的初步能力。 个人一些学习方法和技巧 接下来，说一下本人的一些学习方法，对于我来说，初次接触这门课程也还是有点困难的，但困难总是暂时的，你必须通过努力去战胜困难。学习这门课，有一本好的辅导资料，是非常重要的，利用好图书馆资源，也是你大学学习的一个重要环节。除了图书馆的资源外，网络上还有很多有用的资源，你大可利用好这些很好的补充材料。有了这些资料外，关键还是在于你自己肯不肯去学，课前预习，上课时认真听讲，课后认真复习也不可少。我可能重点放在课后复习上，如果有什么不懂的，我会在课后去询问老师，或者去问一些同学，不要把问题留到考试时才解决，那已太晚了。 以上是本人的一些建议和心得，希望对学习者有所帮助。第四篇：模电课程设计
第五篇：模电学习心得
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