第一篇：EMI测试整改和方法总结1
实例 水平与垂直读值的差异
EMI 辐射测试整改和方法总结 一.文章写得不错，值得推荐，这本书 《 EMC 电磁兼容设 计与测试案例分析》（第 2 版）也不错可以看看，呵呵 关于电磁干扰的对策，许多刚接触的工程师往往面临一个问题，虽然看 了不 少对 策的 书 籍，但 是却 不知 要用 书中 的那 些方 法来 解 决产 品 的 EMI 问 题。这 是 一 个 很 实 际 的 问 题，看 别 人 修 改 似 乎 没 什 么 困 难，对策加了噪声便能适当的降低，而 自己修改时下了一大 堆对策，找 了 一大堆的问题点，却总不能有效地降低噪声。
事实上，这往往也是 EMI 修改最耗时间的地方，笔者把一些基本 的判断方法做详细的介绍，以提供刚入门或正面临 EMI 困扰问题的读 者参考，整理了一些原则与判断技巧，希望能够对读者有帮助。
二.水平、垂 直判断 技 巧 EMI 的 测 试接 收天 线分 为水平与 垂 直二 个极 化，亦即要分别测 试 记录此二个天线方向的最大读值，噪声必须要在天线为水平及垂直测 量时皆能符合规格，测量天线要测量量水平及垂直二个方向，除了要 记录到噪声最大时的读值外，也能显示出噪声的特性，由这个特性的 显示，我们可初步判断造成 EMI 问题的重点，对于细部的诊断是很有 帮助的，通常这个方法是很容易为修改对策人员所忽略。在本期的分 析中，笔者要介绍几种 EMI 的判图技巧，也就是如何从静态的频谱分 析仪所得到的 噪声频谱图做初步的分析，另外也会介绍一般对策修改人员最常用的 一些动态分析技巧。
许多工程师常常花了许多时间与精神，却感觉无法掌握到重点，可能就是缺乏基本分析的技巧，在噪声的判断上有一些混淆，如果能 够掌握一些分析方法，可以节省不少对策的时间。这里所提的一些方 法，一直被不少资深的 EMI 工程师视为秘诀，因为其中往往是累积了 多年的心得与经验才体悟出来的方法，而这些方法通常都是非常有效 的。
射天线 接收天线
1.这是 Modem &Telepho ne 的产品，读者可以很明显地看出来，天线水平时的噪声和垂直时的噪声有很大的差异，那么这其中 代表了什么意义呢？ 分析讨论 要清楚的认识这个问题，首先必须要了解天线的基本理论，我们 先假设发射与接收天线皆为偶极天线。
上图为当发射天线与接收天线同方向时，由于所产生的电磁波极化相 同，故此时接收天线可得到最大的共振接收强度说明：
发射天线 接收天线
当发射天线与接收天线不同方向时，则由于发射天线的电磁波为水平极化，而接收 天线的电磁波为垂直极化，故在共振接收的强度上最小。
以上述这个观念来分析水平与垂直噪声的强度差异，当接收天线 为水平时噪声强度较高，可以推测此噪声来源主要是由产品内或外的 水平线所造成，而当接收天线为垂直时噪声强度较高，可以推测此噪 声来源主要是由产品内或外的垂直线所造 成，也就是从天线共振的角度去思考问题，把产品的辐射源也想象成 一假想的天线，那么在相同方向其所造成的共振效应会最大。
以这个观点来看问题有时往往很快能找到问题的重点，尤其是一 些比较复杂的产品其内部及外部皆有许多导线、连接线的产品，如果 能先以水平、垂直的读值做初步的分析，则比较不容易误判造成噪声 的机制。
实例二 水平与垂直读值的差异
差异: 1.图 3 是接收天线为水平极化方向 2.图 4 是接收天线为垂直极化方向 说明：
1.此为 CCD 勺产品，这两张图不同于实例四是垂直噪声的读值明显比 水平噪声高。
分析讨论 关于水平与垂直噪声的判断，笔者在此再做更详细的说明，水平噪声较高，一般必须注意在待测桌上水平部份较长的线以及产品内部 水平部份的线，而垂直噪声如果是比水平噪声高，那么就必须考虑在 垂直方向的线，是否造成辐射的问题，而通常最容易被忽略的就是 AC 电源线，因为 AC 电源线一般皆沿桌面下垂，所以当 AC 电源线被耦 合到噪声，则会使得天线在垂直方向噪声增大，但是因为 AC 电源线 无法拔掉来判断噪声是否存在，所以不容易很快判断。
在此介绍二种方法以供读者使用，对于低频的噪声（小于 200MHz）
可以用数个 Core 夹上，看噪声是否降低，如果噪声降低则表示噪声是 由电源线所辐射出来，对于高频的噪声（大于 200MHz）则可将电源线 位置改变或左右摇动，看噪声是否有变大或变小，如果噪声会随线的 位置而改变，那么便表示噪声是由电源线所辐射出来。
另外由于产品所造成的噪声频率点往往不只一点，而各点可能由 不同的辐射机制所造成，所以可以针对单一点的噪声将频谱分析仪的频宽 展开，然后天线转成水平及垂直来比较，这个方法看似简单，但对于比较复杂的 系统与产品，其内部及外部连接了许多排线，通常可以有效地锁定问题的范围。
笔者亦曾经处理过一件拖延甚久的案子，由于其在 OPEN SITE 测 试时，垂直读值明显高过水平读值 10dB 以上，且当人一靠近机器噪声 亦明显降低，针对这两个现象来思考，结果发现有一短的垂直电缆线 连接上下机体造成，当问题找到确定后，再做适当的对策将是非常有 效。
也许读者会问，水平和垂直噪声的读值一样高则如何来判断，若 碰到这种情形，通常表示噪声源非常强，故内部的各种导线很容易受 到耦合，例如使用某些噪声较强的 IC 或 CPU，这时因为噪声能量较大，往往要从电路板内部与组件的 Lay-out、Placement 及 Ground 来下手，当然对策方法不止一种，诊断的方法也不只一种，可以用其它方法再 仔细的分析问题。为使读者能够由实例中了解，笔者亦选取下列数例 以帮助读者更了解及运用。
电源线的判断 图(a)图（图（a）为 Desktop PC 的噪声辐射结果，而图（b）则为在 AC Power 电 源线加上数个 Core 电源线的判断 图（d）
图（c）为 Desktop PC 在 300-500MHZ 的噪声辐射结果，而图（d）则为改变 AC Power 电源线的形状，结果噪声有明显的差异 单点噪声的判断 图 ⑹
图（f）3
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图（SI(P L.MOO Gtn
图（e）为将频谱分析仪的 Span 降低，单独看 172MHz 的噪声，此时天 线为水平的方向，而图⑴ 则为同一角度，将天线转成垂直来看，比 较二者的差异便可以知道主要为水平线辐射所造。
三•最大角度判断技巧 在 EMI 测试时，除了天线要测试水平与垂直二个极化方向外，待 测物的桌子并且要旋转 360 度，记录最大的噪声读值，因此当发现噪 声无法符合时，除了先判断水平和垂直噪声的差异外，便是要将待测 物旋转到最大的噪声位置，由于电子产品其噪声的辐射往往会在某一 个角度最大，而此时待测物面向天线的位置，往往是造成辐射的来源，通常要分析这位置附近的组件、导线及屏蔽效果，如此则较容易锁定 范围，再仔细分析问题。
实例三 最大角度的判断
差异：
1.图 5 是待测物正面对向接收天线 2.图 6 是待测物侧面对向接收天线图 5 图 6
说明：
1.这两张图是待测物面对接收天线不同的角度，由于角度的不同，很 明显地噪声的强度也有很大的差别。
分析讨论 比较上两图，由于待测物面对天线的位置不同，则噪声强度明显 的不同，这也说明了噪声源是在产品的某一部份，亦即靠近天线最大 时的位置部份必须仔细分析诊断。
这个判断方法也是如前一样，可能会遇到不管桌子是转在那一个角 度，噪声强度皆是一样高，如果碰到这种产品，一般而言是较难处理 的，因为待测物的每一个方向噪声皆一样强，表示此噪声源已将机器 内的每一部份皆感染，处理这一类机器的 EMI 问题，通常要花一些时 间，有时则要使用金属弹片、铜箔或喷导电漆来抑制噪声。
最大角度的判断
图（g）
图（h）
图（g）为将 PC 待测物转到最大角度，而图（h）则为用手按前面喷导电漆 的塑料壳，结果噪声明显降低，故表示要加强导电漆与金属铁壳的密 合导通效果。
最大角度的判断
图(i)为将将 PG 寺测物转到最大角度，而图(j)则为用铜箔贴在面对天 线的 PC 前缘外壳上，结果噪声明显降低，故表示要加强该处的屏蔽密 合效果 四.Com mon mode 与 Differe ntial mode 的判 断技巧 关于 Com mon mode 和 Differe ntial mode 的分析，相信只要接触过电 磁干扰理论的读者都略知一二，许多书中也强调 Common mode 和 Differential mode 的重要，并有详尽的图解说明其分别造成的机制，有的文章甚且长篇大论分析了一大堆理论，看了之后 对 Common mode 和 Differential mode 是了解许多，但是对于如 何应用 与判断，可能还是有雾里看花，摸不着头绪的感觉。这主要的原因便 是缺少实际测试图形的配合分析，因此笔者将重点放在实际应用分析 来说明 Common mode 和 Differential mode。图(i)图(j)STOP
实例四 共模与异模的判断
差异：
1.图 7 是含有共模和异模噪声的 CC 产品 2.图 8 是待测物电源关闭后的背景噪声。
说明：
1.这两张图是比较共模和异模的判断 分析讨论 图 7 是一般测试时最常见到的噪声频谱图形，在此我们做一详细 的分析。首先看整个频带的基线(Base line)，其特性为一宽带的噪声，比较图 8 为机器关机时频谱分析仪的图形，愈高频基线愈高是因加了
STAHT 3Q.D Ktt W 300.0 *0 图 8
天线因子(Antenna Factor)的原因，亦即高于图 8 基线的整个宽带噪 声，我们可以视为 Common mode 的噪声，而其上一支支单独的噪声 可 以视为Differential mode 噪声。将噪声分布情 形分成 Com mon mode 和 Differential mode 的作用为何，主要便是要判断其分别造成的辐射 来源机制，如此帮助找到问题点及对策的方法。
造成 Common mode 的原因主要是接地(Grou nd)与屏蔽(Shield)，也就是当发现 Common mode 的噪声非常高时，则要先考 虑产品内的接地与屏蔽的问题。而造成 Differe ntial mode 的原因则 主要是线的问题，包括电路板上的 trace 线、产品内部的各种导线及外 部的连接线，故要从各各在线来找出问题，能够从这两个方面先把问 题厘清，对于深入细部的修改是很有帮助的。
为使读者能更清楚认识与运用这个观念，笔者再以下例详细说明
实例五 共模 的分析 图 9
差异：
1.图 9 是一次侧接地和二次侧的地连接在一起。
2.图 10 是将一次侧接地和二次侧的地分开。
说明：
1.此为切换式电源供应器的产品，这两张图是说明不同接地方式所造成的影响。
实例六 异模的分析
差异：
1.图 11 是传真机接上电话线。
2.图 12 是传真机的电话线取下 说明：
图 11 NK 1 if 凤霸 START K.O STOP 3004 毗 图 12
1.这两张图是说明因为外接线所造成异模辐射的效应。
分析讨论 关于共模和异模的分析，在实际的产品噪声辐射中，往往是相互 混合的，有时无法单纯的将其分成共模和异模，这点在对策考虑时也 必须做多方的判断，以噪声能量的观点来看，当噪声能量大多分布在 Ground 上，则此时在频谱仪上则会看到 Broadband 的噪声明显升高，若噪声能量大多分布在 Trace 上，则此时在频谱仪上会看到 Differential mode 的 Narrowband 噪声 会增加。
但是在实际电路板上，噪声的能量是同时会分布在 Grou nd 和 Trace 上，所以当 Ground 的面积加大（R G 减小）
或 Ground 的噪声减小（I N 减 小），不仅 Com mon mode 的辐射可降低，同 时 Differe ntial mode 也会 随之降低，因为原先在 Trace 上噪声的能量一部份可被 Grou nd 所吸收，而将 Trace 的路径减短或面积减小，则除了降低 Differential mode 的 噪声外，因为辐射的天线减小后，相对地 Ground 噪声藉 Trace 所辐射 的量自然也就比较小，因此这二者之间往往存在着相互转换的关系。
对于这个观念必须能够清楚地了解与认识，这一点在电路板的 Layout 与对策上是非常重要的，也就是对噪声的防制要能够有整体的 认识，而非单独针对几个组件下对策。事实上，从许多的例子可以看 到，只是单纯在 Crystral 上加一些电阻、电容和电感（Bead），通常无 法有效地去抑制噪声噪声，下面这个例子即是实际在 Termi nal 产品上 针对 Oscillator 对策的电路图
上述的范例在早期一直被一些对策人员视为秘籍，许多初学者看 到后总觉得如 Grou nd V
N = I N R
G V N 出 I A nt en na Trace N A” L T
CAP 1BEAD dUf am BEAD vcc
获至宝，像上例为了抑制噪声，共使用了三个电容、四 个电感和一个电阻，工程可谓浩大，但是否表示就可以有效抑制噪声 的辐射，答案是否定的。
这也是许多 R&D 工程师刚开始遇到 EMI 困扰时，总是信心满满认 为只要在适当的地方加上滤波对策即可，结果花了许多时间却一直不 能放弃噪声而感到困扰与挫折。这是因为没有对噪声的特性先做一评 估，又缺少 EMI 整体对策的观念，所以有时低频噪声抑制下来，结果 高频却又无法符合，或者 120MHz 噪声减低，但 160MHz噪声却又升高，如此反反复覆是非常耗时的。
五.Harm on ic 谐波的判 断技巧 大部份噪声测试的频谱图，皆可以看到如下之一支支等距的 噪声，这一支支等距的噪声亦即为噪声的谐波，通常可由其判断噪 声的来源。
实例七 谐波的分析
差异：
1.图 13 是使用 28MH 的 CC 产品，经过除频后为 2.图 14 是使用 14MH 的无线麦克风的产品 说明：
1.这两张图是介绍谐波分析的技巧，计算一支支等距噪声的频率差 分析讨论 计算每一支等距噪声差为 14MHz，此表示出有一个 14MHz 的 Clock 信号所造成，或者是经过除频后有 14MHz 的信号产生。由于在电路板 上往往会使用数个不同频率的 Crystal，以致有时无法判断是那一个 Crystal 所造成，利用这个方法有时可以很快的确定是那一个 Crystal 造成，然后再做对策，如此可省除逐一拆除 Crystal 判断，或者在电 路板上逐一割线判断的麻烦。
六.噪声点展开的判断技巧
图 13 14MHz
除了使用谐波的观念来判断噪声的来源外，尚可将噪声点展 开来判断，也就是将频谱分析仪的 Span 减小，然后研究造成的机制＜ 实例八 噪声展开的分析
差异：
1.图 15 是 TV Gam 由 30-300MHZ 勺噪声辐射。
2.图 16 是将其中较高的噪声展开，1
—WZ SMP 凰 1 諒加御■朋 I 即T ~ : r ▼ f h
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W K5 ZNTER 201.340557 HHz SPAN a.000 kHz 图 16
说明：
1.这两张图是介绍噪声展开分析的技巧。
分析讨论 由于造成辐射噪声的成因很多，而产品也可能有多种功能组件会 引起噪声干扰，通常频谱分析仪设定由 30MHz 测到 300MHz，如此可 以很快看出有那些噪声无法符合，但是因为频宽设定太大，故噪声几 乎都是一支一支的状态显现，如果我们将频谱的 Span 减小，此时便可 发现展开后的波形是不一样的。
如上例中在 30MHz 到 300MHz 的图中是单支噪声，但是将 Span 降至 100KHz 时，可看出类似方波的波形上还载有另一种波形，透过这种 分析也可做为噪声来源的判断，为使读者能更加了解，下列为一些常 见到的波形 噪声展开之分析
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图（l）
图（k）为 Clock 的信号，而图（I）则为 Video 的信号 噪声展开之分析 图（CENltn 33E 戟 SPM lM.t kH>
图（m）
图（n）
图（m）为马达控制的信号，而图（n）则为 Clock Generator 的信号 上述所介绍的分析技巧主要为静态的分析，也就是可以先将各种 噪声的特性与状况画出来，然后做一个初步的研究分析，这个方法所 得到的结论是偏向猜测性与预测性的，有时可能如所分析的结果然而 有时则可能和所分析的看法相距甚远。
笔者要再次强调 EMI 的对策是有系统、有方法的，有些步骤看似 多余的，但是如此做可以避免事后的许多误判而钻入牛角尖，切忌直 接判断问题就蒙着头一直加对策，这样往往会多花许多时间与金钱。
在此笔者为加强读者的印象，将重点整理如下 1.水平、垂直判断技巧---T 确认产品内外的水平或垂直部
份辐射
2.最大角度判断技巧----确认产品那 部份辐射最强
3.共模与异模的判断技巧---—确认产品噪声辐射主要是接地 或在线造成4•谐波的判断技巧---—确认产品内主要辐射的 k Clock 源
5.噪声展开的判断技巧----确认噪声的特性与来源 这篇文章写得不错，看来以后很有启发，我是做 EMC 测试工作的，觉得写得符合实际，告诉我们做 EM 要有目的性，不要盲目的去加磁环，力卩 丫 电容，加屏蔽，要 先确定被干扰点或面，也或者输入输出在进行整改！
第二篇：EMI对症分析-EMI整改
1MHZ 以内----以差模干扰为主
1.增大X 电容量；
2.添加差模电感；
3.小功率电源可采用PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合，采用输入端并联一系列X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，1.对于差模干扰超标可调整X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107 一对普通整流二极管1N4007。
5M---以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3 圈会对10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20--30MHZ，1.对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；
2.调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改变PCB LAYOUT；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在输出整流管两端并联RC 滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9.可以用增大MOS 驱动电阻.30---50MHZ 普遍是MOS 管高速开通关断引起，1.可以用增大MOS 驱动电阻；
2.RCD 缓冲电路采用1N4007 慢管；
3.VCC 供电电压用1N4007 慢管来解决；
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5.在MOSFET 的D-S 脚并联一个小吸收电路；
6.在变压器与MOSFET 之间加BEAD CORE；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8.PCB 心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能的小；
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50---100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起，1.可以在整流管上串磁珠；
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz之间大部分出于PFC MOSFET及PFC 二极管,现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有效果,水平方向基本可以解决问题,但垂直方向就很无奈了
200MHZ 以上 开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。
传导冷机时在0.15-1MHZ超标，热机时就有7DB余量。主要原因是初级BULK电容DF值过大造成的，冷机时ESR比较大，热机时ESR比较小，开关电流在ESR上形成开关电压，它会压在一个电流LN线间流动，这就是差模干扰。解决办法是用ESR低的电解电容或者在两个电解电容之间加一个差模电感。.........
第三篇：EMI整改经验(实战精炼)
我们经常接触用电的东西大概分 ITE，音视频，家用电器，和灯具，当然还有其他的。这些东西 的一般都需要测试传导，空间辐射/骚扰功率，谐波，电压闪烁。根据标准不同而不同。
传导主要是通过导线传播的。所以我们整改时主要在滤波方面入手。和辐射一样针对不同频率，所用的方法有一定差异。很多东西涉及到 PCB 设计，排版。这方面我就不讲了，我也不是很懂 啊。现在我们就讲成品的整改好了。
以我接触的产品看来，开关电源类产品的频率大概分四段：150K-400K-4M-20M-30M，这样 分的好处是找问题迅速，一般前一段的主要问题在于滤波元器件上。小功率开关电源用一个合适 的 X 电容和一个共模电感可消除，从增加的元件对测试结果来看，一般电感对 AV 值有效，电容 对 QP 值有效。当然，这只是一般规律。电容越大，滤除的频率越低。电感越大（适可而止），滤除的频率越高。400K-4M 这一段主要是开关管，变压器等的干扰。可以在管与散热片之间加 屏蔽层（云母片），或者在引脚上套磁珠。吸收电路上套磁珠有时也很有效。变压器初次级之间 的 Y 电容也是不容忽视的。次级对初级高压端合适还是低压端有时候对这段频率影响很大。除 此之外，调整滤波器也可以抑制其骚扰。4M-20M 这段主要是变压器等高频干扰，在没有找到根 源前，大概通过调整滤波，接地，加磁珠等手段解除，有时也可能是输出端的问题。20M 以后 主要针对齐纳二级管，输出端电源输入端整改。一般是用到磁珠，接地等。值得注意的是，滤波 器件因该远离变压器，散热器，否则容易耦合。
镇流器整改原理和开关电源类似，但是前部分超标并非调整滤波器件就都可以解除，最有效的 办法是 Y 电容金属外壳，外壳再连接地线。磁珠对高频抑制效果不错。其他的大同小异。
家电类很多都涉及到马达，好的马达，一般一个 X 电容就可以通过传导。频率高一点可以考虑 加磁环。很多马达是需要用到 Y 电容的，通常是电刷对机壳。机壳接地或不接根据情况来。
下面说说空间辐射吧，想必大家也参加过不少培训，从原理到设计到走线。。后悔没专心。现在我讲点实用的，拿大家熟悉的 PC 来举例吧。我也是分几部分来查原因。30-300-600-1000M，这些都不是一个准确的频率。前一段主要是通过引线传播，解决问题先得找到问题。所以你就找 个超标点，把 EUT 调到超标最严重的位置，一个一个拔。频率降了，就说明这个有问题。频率 再高点，拨光所有周边虽然频率有点改善还是超标，你不妨用手去挡或者接触机壳。或者打开机 壳摆弄一下走线，只到找到最有影响的原因。最后一段自然就是空隙的原因了。如果不在 PCB 上找解决的方法，只有加吸收材料，接地和屏蔽这几种方法，不过这也是几种比较适用有效的方 法。所以我们手里通常要有以下材料：导电泡棉（塞缝的），铜/铝箔，扣式磁环，弹片等等。辐射就象个水塔，哪里有口就往哪里跑，有时候这边好了，那边又不行。所以要注意内部的走线 等防止耦合等。
对于家电和音视频，功率辐射超标现象也很常见。回说到功率辐射，今天恰好改了一个吹风机，就拿这个样品做例子吧，这玩意 120V，功率辐射在 114M 以 上突然一路狂飚，到 300M 的时候基本在 70dbu/W，观察其机构：电源线进来套一磁环，跨一 X 电容，然 后就发热丝，分压后整流给 24V 直流马达供电。象这种结构按理说不会有太大干扰，看到突然增高的频率，马上想到可能是某个元件失效，或者某个元件工作频率。于是做了一部分整改，比如电极端加电容，加磁珠等，结果还是余量不足。因为问题很明显出在电机，为了不增加成本，让整改变得有意义，所以让客户 提供了两款小马达，和新样品。测试结果很低很理想。以上废话的心得是：在无法接受成本的时候，就换核心部件。马达类产品最好备不同厂家的样品，如果 是测试马达，就多备用几个。交流马达的碳刷产生的干扰比较常见，可以整改电感和电容。磁环在这类产 品中优势比较明显。
第四篇：EMI处理方法
技术应用-开关电源的EMI处理新方法
关键字： 技术应用 开关电源 EMI 处理 方法 2009-05-11
一、开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法。
1MHZ以内，以差模干扰为主。
①增大X电容量；
②添加差模电感；
③小功率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，①对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量；
②对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
③也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管1N4007。
5M以上，以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
20-30MHZ，①对于一类产品可以采用调整对地Y2 电容量或改变Y2 电容位置；
②调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；
③在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
④改变PCB LAYOUT；
⑤输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
⑥在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
⑦在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE； ⑧在变压器的输入电压脚加一个小电容。
⑨可以用增大MOS驱动电阻.30-50MHZ，普遍是MOS管高速开通关断引起。
①可以用增大MOS驱动电阻； ②RCD缓冲电路采用1N4007 慢管；
③VCC供电电压用1N4007 慢管来解决；
④或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
⑤在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
⑥在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；
⑦在变压器的输入电压脚加一个小电容；
⑧PCB心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
⑨变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50-100MHZ，普遍是输出整流管反向恢复电流引起。①可以在整流管上串磁珠；
②调整输出整流管的吸收电路参数；
③可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
④也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）；
⑤增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
200MHZ以上，开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。
补充说明:
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的，以上未加缀述。开关电源是高频产品，PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点。
开关电源若有机械外壳，外壳的结构对辐射有很大的影响，请密切注意此点。主开关管、主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异，对 EMC 有一定的影响，请密切注意此点。
二、EMI滤波器设计原理 在开关电源中，主要的EMI骚扰源是功率半导体器件开关动作产生的DV/DT和DI/DT，因而电磁发射EME(Electromagnetic Emission)通常是宽带的噪声信号，其频率范围从开关工作频率到几MHz。所以，传导型电磁环境（EME）的测量，正如很多国际和国家标准所规定，频率范围在0.15～30MHz。设计EMI滤波器，就是要对开关频率及其高次谐波的噪声给予足够的衰减。基于上述标准，通常情况下只要考虑将频率高于150kHz的EME衰减至合理
范围内即可。
在数字信号处理领域普遍认同的低通滤波器概念同样适用于电力电子装置中。简言之，EMI滤波器设计可以理解为要满足以下要求：
1）规定要求的阻带频率和阻带衰减；（满足某一特定频率fstop有需要Hstop的衰减）；
2）对电网频率低衰减（满足规定的通带频率和通带低衰减）； 3）低成本。
三、开关电源EMI设计
1.开关电源的EMI源
开关电源的EMI干扰源集中体现在功率开关管、整流二极管、高频变压器等，外部环境对开关电源的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。
（1）功率开关管
功率开关管工作在On-Off快速循环转换的状态，DV/DT和DI/DT都在急剧变换，因此，功率开关管既是电场耦合的主要干扰源，也是磁场耦合的主要干扰源。
（2）高频变压器
高频变压器的EMI来源集中体现在漏感对应的di/dt快速循环变换，因此高频变压器是磁场耦合的重要干扰源。
（3）整流二极管
整流二极管的EMI来源集中体现在反向恢复特性上，反向恢复电流的断续点会在电感（引线电感、杂散电感等）产生高dv/dt，从而导致强电磁干扰。
（4）PCB
准确的说，PCB是上述干扰源的耦合通道，PCB的优劣，直接对应着对上述EMI源抑制的好坏。
2.开关电源EMI传输通道分类（1）传导干扰的传输通道
1）容性耦合 2）感性耦合 3）电阻耦合
a.公共电源内阻产生的电阻传导耦合； b.公共地线阻抗产生的电阻传导耦合；
c.公共线路阻抗产生的电阻传导耦合；（2）辐射干扰的传输通道
1）在开关电源中，能构成辐射干扰源的元器件和导线均可以被假设为天线，从而利用电偶极子和磁偶极子理论进行分析；二极管、电容、功率开关管可以假设为电偶极子，电感线圈可以假设为磁偶极子；
2）没有屏蔽体时，电偶极子、磁偶极子，产生的电磁波传输通道为空气（可以假设为自由空间）； 3）有屏蔽体时，考虑屏蔽体的缝隙和孔洞，按照泄漏场的数学模型进行分析处理。3.开关电源EMI抑制的9大措施
在开关电源中，电压和电流的突变，即高DV/DT和DI/DT，是其EMI产生的主要原因。实现开关电源的EMC设计技术措施主要基于以下两点：
（1）尽量减小电源本身所产生的干扰源，利用抑制干扰的方法或产生干扰较小的元器件和电路，并进行合理布局；
（2）通过接地、滤波、屏蔽等技术抑制电源的EMI以及提高电源的EMS。分开来讲，9大措施分别是：
①减小DV/DT和DI/DT（降低其峰值、减缓其斜率）；
②压敏电阻的合理应用，以降低浪涌电压； ③阻尼网络抑制过冲
④采用软恢复特性的二极管，以降低高频段EMI ⑤有源功率因数校正，以及其他谐波校正技术 ⑥采用合理设计的电源线滤波器 ⑦合理的接地处理 ⑧有效的屏蔽措施
⑨合理的PCB设计
4.高频变压器漏感的控制
高频变压器的漏感是功率开关管关断尖峰电压产生的重要原因之一，因此，控制漏感成为解决高频变压器带来的EMI首要面对的问题。
减小高频变压器漏感两个切入点：电气设计、工艺设计。
（1）选择合适磁芯，降低漏感。漏感与原边匝数平方成正比，减小匝数会显著降低漏感。
（2）减小绕组间的绝缘层。现在有一种称之为“黄金薄膜”的绝缘层，厚度20～100um，脉冲击穿电压可达几千伏。
（3）增加绕组间耦合度，减小漏感。
5.高频变压器的屏蔽
为防止高频变压器的漏磁对周围电路产生干扰，可采用屏蔽带来屏蔽高频变压器的漏磁场。屏蔽带一般由铜箔制作，绕在变压器外部一周，并进行接地，屏蔽带相对于漏磁场来说是一个短路环，从而抑制漏磁场更大范围的泄漏。
高频变压器，磁心之间和绕组之间会发生相对位移，从而导致高频变压器在工作中产生噪声（啸叫、振动）。为防止该噪声，需要对变压器采取加固措施：
（1）用环氧树脂将磁心（例如EE、EI磁心）的三个接触面进行粘接，抑制相对位移的产生；
（2）用“玻璃珠”（Glass beads）胶合剂粘结磁心，效果更好。
四、几种新的抑制传导干扰的方法
开关电源技术是一项综合性技术，我们可以利用先进半导体设计技术、磁性材料、电感元件技术以及开关器件技术等来有效地减少和抑制EMI信号干扰。目前，开关电源日益广泛地应用到各种控制设备、通信设备以及家用电器中，其电磁干扰问题、及与其它电子设备的电磁兼容问题已日益成为人们关注的热点，未来电磁干扰及其相关问题必将得到更多研究。
1．新的控制方法—调制频率（Modulated Frepuecy）控制。电磁干扰是根据开关频率周期变化的，干扰能量集中在离散的开关频率点上，很难满足EMI标准的要求。如果把开关信号的能量调制分布在一个很宽的频带上，产生一系列分立边频带，则可以将干扰频谱展开，使干扰能量分布在各个频段上，这样更容易达到EMI标准。频率调制方法就是根据这种原理实现对开关电源电磁干扰的抑制。最初人们采用随机频率控制，其主要思想是：在控制回路中加入一个随机扰动分量，使开关间隔（占空比D）进行不规则变化。则开关噪声频谱由原来离散的尖峰脉冲噪声变成连续分布噪声，其峰值大大下降。
2．新的无源缓冲电路设计。开关变换器中主要的电磁干扰是在开关管开关时刻产生的。以整流二极管为例，在开通时，其反向恢复电流不仅引起大量的开通损耗，还产生很大的di/dt。导致电磁干扰；在关断时，其两端的电压快速升高，有很大的dv/dt，从而产生电磁干扰。缓冲电路不仅可抑制开通时di/dt变化率、限制关断时dv/dt的变化，还具有电路简单、成本低的特点，因而得到广泛应用。
3．无源补偿技术。应用无源补偿技术，则可以在不影响主电路工作的情况下较好地抑制电路的共模干扰，并可减少LCM、节省成本。由于共模干扰是由开关器件的寄生电容在高频时的di/dt产生的，因此，用一个额外的变压器绕组在补偿电容上产生一个180度的反向电压，产生的补偿电流再与寄生电容上的干扰电流迭加，从而消除干扰。这就是无源补偿的原理。
由于布线的原因，信号通过地线、电源和传输线的阻抗互相耦合而形成的噪声。因电源滤波不佳造成泄漏，甚至形成寄生振荡。电磁耦合会在PCB/变压器和输入/出端引起所谓差模噪声和共模噪声，见图1的示意图。这完全由电磁干扰在两电源线上产生的耦合电流的方向来决定，噪声电流IN与差模信号电流IS方向相同时，产生差模噪声；噪声电流IN在两输入线上方向相同，则产生共模噪声。差模噪声和共模噪声往往同时产生。
图1(a)差模噪声(b)共模噪声
4．屏蔽 屏蔽就是在电子电路中将噪声干扰源屏蔽起来。例如将变压器屏蔽起来，因为变压器是一个很大的电磁干扰源。变压器的干扰一般具有方向性，改变方向也能有效降低干扰强度。
最怕受干扰的部分屏蔽起来。例如放大器的输入回路。屏蔽分电场屏蔽和磁场屏蔽，屏蔽材料可用铜、铝、铁的箔片制成，也可采用铁淦氧和坡莫合金等材料。铁淦氧是绝缘导磁材料，可屏蔽磁场，坡莫合金是良好的导电、导磁材料，可有效屏蔽电场和磁场。在要求高的场合，可以采用多层屏蔽。典型的屏蔽原理图见图2。
图2 静电屏蔽原理 磁屏蔽原理
5．滤波和去耦
滤波是将交流电源整流后的交流分量抑制掉。滤波后，直流电源中的纹波对电子电路各级的影响是不同的。因此需要对敏感部分或源加去耦合电路，去耦电路就是一个RC电容滤波电路，见图3。
合理布置电源的供电走线，将流有大电流的走线和输入级的供电线分开，供电线成网状分布，以降低印制电路板的铜箔电阻。
图3 RC去耦电路
6．合理接地
合理接地十分重要，它可以基本消除电流流过地线形成的耦合。通过地线的耦合示意图见图4。采用一点接地可有效消除之间通过地线的不良耦合。
一点接地就是将电子电路各级的接地点接在一点，特别要注意噪音源地线与退耦电容的接地点要尽可能地接在一点。
图4 正确接地的方法
7．抑制从变压器串入的干扰
功率器件开关干扰，特别是高频干扰，可通过变压器进入线/PCB中。抑制这种干扰的方法是给变压器原副绕组之间加屏蔽层，加输入低通滤波器。这些技术措施如图5所示。
图5 抑制高频干扰的方法
第五篇：App测试方法总结
一、安全测试 1.软件权限
1）扣费风险：包括短信、拨打电话、连接网络等。
2）隐私泄露风险：包括访问手机信息、访问联系人信息等。
3）对App的输入有效性校验、认证、授权、数据加密等方面进行检测 4）限制/允许使用手机功能接入互联网 5）限制/允许使用手机发送接收信息功能 6）限制或使用本地连接
7）限制/允许使用手机拍照或录音 8）限制/允许使用手机读取用户数据 9）限制/允许使用手机写入用户数据
10）限制/允许应用程序来注册自动启动应用程序 2.安装与卸载安全性
1）应用程序应能正确安装到设备驱动程序上
2）能够在安装设备驱动程序上找到应用程序的相应图标 3）安装路径应能指定
4）没有用户的允许，应用程序不能预先设定自动启动 5）卸载是否安全，其安装进去的文件是否全部卸载 6）卸载用户使用过程中产生的文件是否有提示 7）其修改的配置信息是否复原 8）卸载是否影响其他软件的功能 9）卸载应该移除所有的文件 3.数据安全性
1）当将密码或其它的敏感数据输入到应用程序时，其不会被存储在设备中，同时密码也不会被解码。2）输入的密码将不以明文形式进行显示。
3）密码、信用卡明细或其他的敏感数据将不被存储在它们预输入的位置上。4）不同的应用程序的个人身份证或密码长度必须至少在4-8个数字长度之间。
5）当应用程序处理信用卡明细或其它的敏感数据时，不以明文形式将数据写到其他单独的文件或者临时文件中。以防止应用程序异常终止而又没有删除它的临时文件，文件可能遭受入侵者的袭击，然后读取这些数据信息。
6）党建敏感数据输入到应用程序时，其不会被存储在设备中。7）应用程序应考虑或者虚拟机器产生的用户提示信息或安全警告
8）应用程序不能忽略系统或者虚拟机器产生的用户提示信息或安全警告，更不能在安全警告显示前，利用显示误导信息欺骗用户，应用程序不应该模拟进行安全警告误导用户。
9）在数据删除之前，应用程序应当通知用户或者应用程序提供一个“取消”命令的操作。10）应用程序应当能够处理当不允许应用软件连接到个人信息管理的情况。
11）当进行读或写用户信息操作时，应用程序将会向用户发送一个操作错误的提示信息。12）在没有用户明确许可的前提下不损坏删除个人信息管理应用程序中的任何内容。13）如果数据库中重要的数据正要被重写，应及时告知用户。14）能合理的处理出现的错误。15）意外情况下应提示用户。4.通讯安全性
1）在运行软件过程中，如果有来电、SMS、蓝牙等通讯或充电时，是否能暂停程序，优先处理通信，并在处理完毕后能正常恢复软件，继续其原来的功能。2）当创立连接时，应用程序能够处理因为网络连接中断，进而告诉用户连接中断的情况。3）应能处理通讯延时或中断。
4）应用程序将保持工作到通讯超时，进而给用户一个错误信息指示有链接错误。5）应能处理网络异常和及时将异常情况通报用户。6）应用程序关闭网络连接不再使用时应及时关闭，断开。5.人机接口安全测试
1）返回菜单应总保持可用。2）命令有优先权顺序。
3）声音的设置不影响使用程序的功能。4）声音的设置不影响应用程序的功能
5）应用程序必须能够处理不可预知的用户操作，例如错误的操作和同时按下多个键。
二、安装、卸载测试
验证App是否能正确安装、运行、卸载、以及操作过程和操作前后对系统资源的使用情况 1.安装
1）软件安装后是否能够正常运行，安装后的文件夹以及文件是否写到了指定的目录里。2）软件安装各个选项的组合是否符合概要设计说明。3）软件安装向导的UI测试
4）安装后没有生成多余的目录结构和文件。2.卸载
1）测试系统直接卸载程序是否有提示信息。
2）测试卸载后文件是否全部删除所有的安装文件夹。3）卸载是否支持取消功能，单击取消后软件卸载的情况。4）系统直接卸载UI测试，是否有卸载状态进度条提示。
三、UI测试
1）测试用户界面（如菜单、对话框、窗口和其他控件）布局、风格是否满足要求、文字是否正确、页面是否美观、文字、图片组合是否完美、操作是否友好等。
2）UI测试的目标是确保用户界面会通过测试对象的功能来为用户提供相应的访问或浏览功能。确保用户界面符合公司或行业的标准。包括用户友好性、人性化、易操作性测试。1.导航测试
1）按钮、对话框、列表和窗口等；或在不同的连接页面之间需要导航。2）是否易于导航，导航是否直观。3）是否需要搜索引擎。4）导航帮助是否准确直观。
5）导航与页面结构、菜单、连接页面的风格是否一致。2.图形测试
1）横向比较，各控件操作方式统一。
2）自适应界面设计，内容根据窗口大小自适应。3）页面标签风格是否统一。4）页面是否美观。
5）页面的图片应有其实际意义而要求整体有序美观。3.内容测试
1）输入框说明文字的内容与系统功能是否一致。2）文字长度是否加以限制。3）文字内容是否表意不明。4）是否有错别字。5）信息是否为中文显示。
四、功能测试
根据软件说明或用户需求验证App的各个功能实现，采用如下方法实现并评估功能测试过程： 1）采用时间、地点、对象、行为和背景五元素或业务分析等方法分析、提炼App的用户使用场景，对比说明或需求，整理出内在、外在及非功能直接相关的需求，构建测试点，并明确测试标准。2）根据被测功能点的特性列出相应类型的测试用例对其进行覆盖，如：设计输入的地方需要考虑等价、边界、负面、异常、非法、场景回滚、关联测试等测试类型对其进行覆盖。
3）在测试实现的各个阶段跟踪测试实现与需求输入的覆盖情况，及时修正业务或需求理解错误。1.运行
1）App安装完成后的试运行，可正常打开软件。2）App打开测试，是否有加载状态进度提示。3）App页面间的切换是否流畅，逻辑是否正确。4）注册
同表单编辑页面 用户名密码长度 注册后的提示页面
前台注册页面和后台的管理页面数据是否一致 注册后，在后台管理中页面提示
5）登录
使用合法的用户登录系统
系统是否允许多次非法的登录，是否有次数限制 使用已经登录的账号登录系统是否正确处理 用户名、口令（密码）错误或漏填时能否登陆 删除或修改后的用户，原用户名登陆
不输入用户口令和重复点“确定/取消”按钮，是否允许登录 登陆后，页面中登录信息 页面中有注销按钮 登录超时的处理
2.应用的前后台切换
1）App切换到后台，再回到App，检查是否停留在上一次操作界面。2）App切换到后台，再回到App，检查功能及应用状态是否正常。
3）App切换到后台，再回到前台时，注意程序是否崩溃，功能状态是否正常，尤其是对于从后台切换回前台数据有自动更新的时候。
4）手机锁屏解锁后进入App注意是否会崩溃，功能状态是否正常，尤其是对于从后台切换回前台数据有自动更新的时候。
5）当App使用过程中有电话进来中断后再切换到App，功能状态是否正常。6）当杀掉App进城后，再开启App，App能否正常启动。
7）出现必须处理的提示框后，切换到后台，再切换回来，检查提示框是否还存在，有时候会出现应用自动跳过提示框的缺陷。
8）对于有数据交换的页面，每个页面都必须要进行前后台切换、锁屏的测试，这种页面最容易出现崩溃。3.免登陆
很多应用提供免登陆功能，当应用开启时自动以上一次登录的用户身份来使用App。1）考虑无网络情况时能否正常进入免登录状态。
2）切换用户登陆后，要校验用户登录信息以及数据内容是否相应更新，确保原用户退出。
3）根据Mtop的现有规则，一个账户只允许登陆一台机器。所以，需要检查一个账户登录多台手机的情况。原手机里的用户需要被退出，给出友好提示。4）App切换到后台，在切换回前台的校验。5）切换到后台，再切换回到前台的测试。
6）密码更换后，检查有数据交换时是否进行了有效身份的校验。
7）支持自动登录的应用在进行数据校验时，检查系统是否能自动登录成功并且数据操作无误。8）检查用户主动退出登录后，下次启动App，应停留在登录界面。4.离线浏览
很多应用会支持离线浏览，即在本地客户端会缓存一部分数据供用户查看。1）在无线网络情况可以浏览本地数据。2）退出App再开启App时能正常浏览。3）切换到后台再回到前台可以正常浏览。4）锁屏后再解锁回到应用前台可以正常浏览。
5）在对服务器段的数据有更新时回给予离线的相应提示。5.App更新
1）当客户端有新版本时，有更新提示。
2）当版本为非强制升级版时，用户可以取消更新，老版本能正常使用。用户在下次启动App时，仍出现更新提示。
3）当版本为强制升级版时，但给出强制更新后用户没有做更新时，退出客户端。下次启动App时，仍出现强制升级提示。4）当客户端有新版本时，在本地不删除客户端的情况下，直接更新检查是否能正常更新。
5）当客户端有新版本时，在本地不删除客户端的情况下，检查更新后的客户端功能是否是新版本。6）当客户端有新版本时，在本地不删除客户端的情况下，检查资源同名文件如图片是否能正常更新成最新版本。如果以上无法更新成功的，也都属于缺陷。6.定位、照相机服务
1）App有用到相机，定位服务时，需要注意系统版本差异。
2）有用到照相机服务的地方，需要进行前后台的切换测试，检查应用是否正常。3）测试照相机服务时，需要采用真机进行测试。7.PUSH测试
1）检查Push消息是否按照指定的业务规则发送。
2）检查不接收推送消息时，用户不会在接收到Push消息。
3）如果用户设置了免打扰的时间段，检查在免打扰时间段内，用户接收不到Push。在非免打扰时间段内，用户能正常收到Push。
4）当Push消息是针对登录用户的时候，需要检查收到的Push与用户身份是否相符，没有错误的将其他人的消息推送过来。一般情况下，只对手机上最后一个登录用户进行消息推送。5）测试Push时，需要采用真机进行测试。
五、性能测试
1）响应能力测试：测试App中的各类操作是否满足用户响应时间要求。
App安装、卸载的响应时间 App各类功能性操作的响应时间
2）压力测试，反复/长期操作下，系统资源是否占用异常。
App反复进行安装卸载，检查系统资源是否正常 其他功能反复进行操作，检查系统资源是否正常
六、交叉事件测试
针对智能终端应用的服务等级划分方式及实时特性所提出的测试方法。交叉测试又叫事件或冲突测试，是指一个功能正在执行过程中，同时另外一个事件或操作对该过程进行干扰的测试。如：App在前/后台运行状态时与来电、文件下载、音乐收听等关键运用的交互情况测试等。交叉事件测试非常重要，能发现很多应用中潜在的性能问题。1）多个App同时运行是否影响正常功能。2）App运行时前/后台切换是否影响正常功能。3）App运行时拨打/接听电话。4）App运行时发送/接收信息。5）App运行时发送/收取邮件。6）App运行时浏览网络。
7）App运行时使用蓝牙传送/接收数据。
8）App运行时使用相机、计算器等手机自带设备。
七、兼容测试
主要测试内部和外部兼容性 1）与本地及主流App是否兼容
2）与各种设备是否兼容，若有跨系统支持则需要检验是否在个系统下，各种行为是否一致。
不同手机屏幕分标率的兼容性 不同手机品牌的兼容性
八、回归测试
1）Bug修复后且在新版本发布后需要进行回归测试。2）Bug修复后的回归测试在交付前、要进行大量用例的回归测试。
九、用户体验测试
以主观的普通消费者的角度去感知产品或服务的舒适、有用、易用、友好亲切程度。通过不同个体、独立空间和非经验的统计复用方式去有效评价产品的体验特性，提出修改意见提升产品的潜在客户满意度。
1）是否有空数据界面设计，引导用户去执行操作。2）是否滥用用户引导。
3）是否有不可点击的效果，如：你的按钮此时处于不可用状态，那么一定要灰掉，或者拿掉按钮，否则会给用户误导。4）菜单层次是否太深。5）交互流程分支是否太多。6）相关的选项是否离的很远。7）一次是否载入太多的数据。8）界面中按钮可点击范围是否适中。
9）标签页是否跟内容没有从属关系，当切换标签的时候，内容跟着切换。10）操作应该有主次从属关系。
11）是否定义Back的逻辑。涉及软硬件交互时，Back键应具体定义。12）是否有横屏模式的设计，应用一般需要支持横屏模式，即自适应设计。
十、手势操作测试
1）手机开锁屏对运行中的App的影响。2）运行中的App前后台切换的影响。3）多个运行中的App的切换。4）App运行时关机。5）App运行时重启系统。6）App运行时充电
7）App运行时Kill掉进程再打开
十一、客户端数据库测试 1）一般的增、删、改、查测试。
2）当表不存在时是否能自动创建，当数据库表被删除后能否再自建，数据是否还能自动从服务器中获取回来并保存。
3）在业务需要从服务器端取回数据保存到客户端的时候，客户端能否将数据保存到本地。
4）当业务需要从客户端取数据时，检查客户端数据存在时，App数据是否能自动从客户端数据中取出，还是仍然会从服务器端获取？检查客户端数据不存在时，App数据能否自动从服务器端获取到并保存到服务器端。
5）当业务对数据进行了修改、删除后，客户端和服务器端是否会有相应的更新。
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