模拟电子技术基础B总结

第一篇：模拟电子技术基础B总结

第一章 半导体基础和二极管（以概念为主）

1、半导体的基本概念；

2、二极管的基本特性：单向导电性、伏安特性、反向击穿特性；

3、稳压管的伏安特性；

4、二极管和稳压管的主要参数；

第二章 双极型晶体三极管和基本放大电路（重点）

1、双极型晶体管工作在放大状态的外部条件；（内部载流子的运动不要求）

2、双极型晶体管输入输出特性曲线（三个不同的工作区及特点）

3、放大的概念，放大电路工作在放大状态需要满足的条件；

4、放大电路的分析方法：先直流后交流，先静态后动态，区分直流通路和交流

通路；

5、静态工作点的位置对输出波形的影响；

6、晶体管的低频等效小信号模型及微变等效电路；（不要求推导）

7、三种基本放大电路（共射、共集、共基）的特点（交流参数）和求解，包括 静态工作点和动态参数的求解（共集电路相对比较难）。

第三章 场效应晶体管和基本放大电路（重点）

1、已知场效应管的三个电极电位，会判断管子工作在何种状态；

2、电路是否能正常放大；

3、场效应管的低频等效小信号模型及微变等效电路；（不要求推导）

4、共源、共漏基本放大电路的静态分析计算与动态分析计算。

5、第四章 多级放大电路和集成运算放大电路

1、多级放大电路的几种耦合方式和优缺点；（基本概念）

2、多级阻容耦合放大电路的分析方法（如果共集电路作为输出级和输入级，解

算输入电阻和输出电阻会比较难）；

3、差动放大电路的组成和抑制温漂的原理；

4、双入双出差动放大电路静态和动态电路分析（半电路法），共模抑制比的概念。（区分其和单管放大电路的区别）。

5、集成运放的基本组成（基本概念）。

第五章 功率放大电路

1、功率放大电路的特点和要求、晶体管工作状态的分类；

2、甲乙类互补功率放大电路的组成和工作原理；

3、甲乙类互补功率放大电路的分析计算，包括输出功率、效率的计算，晶体管 的选择等。

第六章 放大电路的频率响应（基本概念）

1、放大电路频率响应的基本概念；

2、单管共射放大电路的频率响应；

（参考课后作业和课件内容）

第七章 放大电路中的反馈（会看，会判，会算，会连）

1、什么是反馈；

2、会看：有无反馈，直流还是交流，正反馈还是负反馈；

3、会判：四种基本组态；（交流负反馈才需要判断组态）；

4、负反馈在放大电路中的重要作用和性质；

5、负反馈对放大电路性能的影响；

6、会算：深度负反馈条件下的计算会算，深度负反馈的特点，反馈量等于输入 量，净输入量近似为零。会算的步骤：判断组态，计算放大倍数，得到电压放大

倍数；

7、放大电路中反馈的正确引入，深度负反馈对电路性能的影响：稳定放大倍数，改变输入电阻和输出电阻等；

8、会连：根据电路要求引入负反馈。

第八章 集成运算放大电路信号的线性应用

1、集成运放的应用分类：线性应用和非线性应用；

2、集成运放应用电路的分析方法；（线性应用和非线性应用）；

3、基本运算电路：比例，加减、积分运算电路。（对于 RP=RN，计算可以简化）；

4、模拟乘法器的符号和输入输出关系；

5、滤波电路的频率特性、分类和主要参数 ：有源滤波电路的种类和各自特点（不

涉及具体电路）

第九章 波形发生电路和和集成运算的非线性应用

（集成运放处于非线性工作状态）

1、正弦波发生电路的自激条件；

2、正弦波发生电路的组成和组成方法，判断电路是否可能产生正弦波振荡的方 法和步骤；在正弦波振荡电路中通常包含正反馈和负反馈，通常引入正反馈的是 选频网络；选频网络掌握 RC 串并联；

3、电压比较电路的特点（开环或正反馈），电压比较电路电压传输特性（三要素）；

4、两种不同的电压比较器：单限比较器和滞回比较器（重点在滞回比较器）；

5、非正弦波发生电路：矩形波发生电路、三角波发生电路，会定性画出对应的 波形。

第十章 直流电源

1、直流稳压电源原理框图及波形图，各组成部分和功能

2、两种不同的整流电路（半波整流和桥式整流）的工作原理、参数的计算和二 极管的选择；

3、线性串联型稳压电路的工作原理及计算；

4、集成稳压电路 78××的输出和应用（重点是电压扩展应用）。

一张 A4 纸，正反面都可以使用，要求自己手写。

认真复习，一定要掌握基本概念和基本分析方法。

答题时注意试卷要求，所有答案都写在答题纸上。

预祝大家考出好成绩。

第二篇：模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章

半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子

----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:

在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:

在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*

PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*

PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若

V阳

>V阴（正偏)，二极管导通(短路);

若

V阳

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2)

等效电路法

Ø

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若

V阳

>V阴（正偏)，二极管导通(短路);

若

V阳

*三种模型

Ø

微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章

三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

*

共发射极电流放大系数

(表明三极管是电流控制器件

式子

称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

*

输出特性曲线

(饱和管压降，用UCES表示

放大区---发射结正偏，集电结反偏。

截止区---发射结反偏，集电结反偏。

4.温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

三.低频小信号等效模型（简化）

hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE

确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1）改变Rb

：Q点将沿直流负载线上下移动。

2）改变Rc

：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。

2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---

连接Q点和V

CC’点

V

CC’=

UCEQ+ICQR

L’的直线。

3.静态工作点与非线性失真

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。

*消除方法---减小Rb，提高Q。

（2）

饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。

4.放大器的动态范围

（1）

Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

（2）范围

*当（UCEQ－UCES）＞（VCC’

－

UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’

－

UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2

（UCEQ－UCES）。

*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’

－

UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。

六.放大电路的等效电路法

1.静态分析

（1）静态工作点的近似估算

（2）Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。

2.放大电路的动态分析

*

放大倍数

*

输入电阻

*

输出电阻

七.分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法

1．静态分析

2．动态分析

*电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

*

输出电阻

八.共集电极基本放大电路

1．静态分析

2．动态分析

*

电压放大倍数

*

输入电阻

*

输出电阻

3.电路特点

*

电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。

*

输入电阻高，输出电阻低。

第三章

场效应管及其基本放大电路

一.结型场效应管（JFET）

1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

转移特性曲线

UP

-----

截止电压

二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。

结构示意图和电路符号

2.特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

*

N-EMOS的转移特性曲线

式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。

*

N-DMOS的输出特性曲线

注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。

三.场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流IDSS

2.夹断电压Up

3.开启电压UT

4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm

(表明场效应管是电压控制器件)

四.场效应管的小信号等效模型

E-MOS的跨导gm

---

五.共源极基本放大电路

1.自偏压式偏置放大电路

*

静态分析

动态分析

若带有Cs，则

2.分压式偏置放大电路

*

静态分析

*

动态分析

若源极带有Cs，则

六.共漏极基本放大电路

*

静态分析

或

*

动态分析

第五章

功率放大电路

一.功率放大电路的三种工作状态

1.甲类工作状态

导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。

2.乙类工作状态

ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。

3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。

二.乙类功放电路的指标估算

1.工作状态

Ø

任意状态：Uom≈Uim

Ø

尽限状态：Uom=VCC-UCES

Ø

理想状态：Uom≈VCC

2.输出功率

3.直流电源提供的平均功率

4.管耗

Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想时为78.5%

三.甲乙类互补对称功率放大电路

1.问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。

2.解决办法

Ø

甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

Ø

甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容

C2

上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。

动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。

四.复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。

2.类型取决于第一只管子的类型。

3.β=β1·β

第六章

集成运算放大电路

一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。

二.长尾差放电路的原理与特点

1.抑制零点漂移的过程----

当T↑→

iC1、iC2↑→

iE1、iE2

↑→

uE↑→

uBE1、uBE2↓→

iB1、iB2↓→

iC1、iC2↓。

Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。

2静态分析

1)

计算差放电路IC

设UB≈0，则UE=－0.7V，得

2)

计算差放电路UCE

双端输出时

单端输出时(设VT1集电极接RL)

对于VT1：

对于VT2：

3.动态分析

1）差模电压放大倍数

双端输出

单端输出时

从VT1单端输出

：

从VT2单端输出

：

2）差模输入电阻

3）差模输出电阻

双端输出：

单端输出:

三.集成运放的电压传输特性

当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域

：

四.理想集成运放的参数及分析方法

1.理想集成运放的参数特征

*

开环电压放大倍数

Aod→∞；

*

差模输入电阻

Rid→∞；

*

输出电阻

Ro→0；

*

共模抑制比KCMR→∞；

2.理想集成运放的分析方法

1)

运放工作在线性区:

*

电路特征——引入负反馈

*

电路特点——“虚短”和“虚断”:

“虚短”

---

“虚断”

---

2)

运放工作在非线性区

*

电路特征——开环或引入正反馈

*

电路特点——

输出电压的两种饱和状态:

当u+>u-时，uo=+Uom

当u+

两输入端的输入电流为零:

i+=i-=0

第七章

放大电路中的反馈

一.反馈概念的建立

＊开环放大倍数－－－Ａ

＊闭环放大倍数－－－Ａｆ

＊反馈深度－－－１＋ＡＦ

＊环路增益－－－ＡＦ：

1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。

2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞

。放大器处于

“

自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断

1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存

在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈

则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）

电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）

4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）

串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）

5.反馈极性-----瞬时极性法：

（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升

高用

+

表示，降低用

－

表示）。

（3）确定反馈信号的极性。

（4）根据Xi

与X

f的极性，确定净输入信号的大小。Xid

减小为负反

馈；Xid

增大为正反馈。

三.反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串

联（并联）负反馈。

四.负反馈对放大电路性能的影响

1.提高放大倍数的稳定性

2.3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声

5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍

*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍

*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍

*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍

五.自激振荡产生的原因和条件

1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为：

第八章

信号的运算与处理

分析依据------

“虚断”和“虚短”

一.基本运算电路

1.反相比例运算电路

R2

=R1//Rf

2.同相比例运算电路

R2=R1//Rf

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加减运算电路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.积分和微分运算电路

1.积分运算

2.微分运算

第九章

信号发生电路

一.正弦波振荡电路的基本概念

1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)

自激振荡的平衡条件

:

即幅值平衡条件：

相位平衡条件：

2.起振条件:

幅值条件

：

相位条件:

3.正弦波振荡器的组成、分类

正弦波振荡器的组成(1)

放大电路-------建立和维持振荡。

(2)

正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。

(3)

选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4)

稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。

*

正弦波振荡器的分类

(1)

RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;

(2)

LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;

(3)

石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。

第三篇：模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳

该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法



直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳

 微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章 三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

式子

称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线

(饱和管压降，用UCES表示

放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响

温度升高，输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输 常用β表示；

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

比，五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。

2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。

3.静态工作点与非线性失真

（1）截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。

4.放大器的动态范围

（1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围

*当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。

*当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法 1.静态分析

（1）静态工作点的近似估算

（2）Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。2.放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七.分压式稳定工作点共 放大电路的等效电1．静态分析

射 路法

2．动态分析 *电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

* 输出电阻

八.共集电极基本放大电路 1．静态分析

2．动态分析 * 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3.电路特点

* 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输出电阻低。

第三章 场效应管及其基本放大电路

一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）

转移特性曲

线 UP-----截止电压

二.绝缘栅型场效应管（MOSFET）

分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号

2.特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线

注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT

4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)

四.场效应管的小信号等效模型

E-MOS 的跨导gm---

五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析

动态分析

若带有Cs，则

2.分压式偏置放大电路 * 静态分析

* 动态分析

若源极带有Cs，则

六.共漏极基本放大电路

* 静态分析

或

* 动态分析

第四章 多级放大电路

一.级间耦合方式

1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。

2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。

3.直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应 1．中频段(fL≤f≤fH)

波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。

2．低频段(f ≤fL)

‘

3．高频段(f ≥fH)

4．完整的基本共射放大电路的频率特性

三.分压式稳定工作点电路率响应

1．下限频率的估算

2．上限频率的估算 的频

四.多级放大电路的频率响应 1.频响表达式

2.波特图

第五章 功率放大电路

一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态

导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态

ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态

 任意状态：Uom≈Uim  尽限状态：Uom=VCC-UCES  理想状态：Uom≈VCC

2.输出功率3.直流电源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想时为78.5% 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法

 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。

动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β 2

第六章 集成运算放大电路

一.集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程----当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析

1)计算差放电路IC 设UB≈0，则UE=－0.7V，得

2)计算差放电路UCE • 双端输出时

• 单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1：

对于VT2：

3.动态分析

1）差模电压放大倍数

• 双端输出 •

• 单端输出时

从VT1单端输出 ：

从VT2单端输出 ：

2）差模输入电阻3）差模输出电阻 • 双端输出：

• 单端输出:

三.集成运放的电压传输特性

当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ：

四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0；

* 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈

* 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短”---

“虚断”---2)运放工作在非线性区

* 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点——

输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时，uo=+Uom

当u+

两输入端的输入电流为零: i+=i-=0

第七章 放大电路中的反馈

一.反馈概念的建立

＊开环放大倍数－－－Ａ ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ ＊环路增益－－－ＡＦ：

1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二．反馈的形式和判断

1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）

电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）

4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）

串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：

（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升

高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）确定反馈信号的极性。

（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反

馈；Xid 增大为正反馈。

三.反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串

联（并联）负反馈。

四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为：

第八章 信号的运算与处理

分析依据------“虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路

R2 =R1//Rf

2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加减运算电路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.积分和微分运算电路 1.积分运算

2.微分运算

第九章 信号发生电路

一.正弦波振荡电路的基本概念

1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件：

2.起振条件: 幅值条件 ：相位条件:

3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成

(1)放大电路-------建立和维持振荡。

(2)正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4)稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类

(1)RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。

第四篇：模拟电子技术基础教案

教案

2014/ 2015 学年，第一学期

课程名称

电路与模拟电子技术

任课教师

周拓

本学期学时数

专业、班级

14物联网

学生用教科书：《模拟电子技术基础》刘国巍主编

学生用参考书：

教案：

教案是教师以章节或每次课为单元，根据教学大纲和教学内容，针对不同层次、不同专业学生，对授课的知识群和知识点进行思考设计，周密组织编写出的整个教学过程方案。

教案也是具体授课的计划，是实施教学过程的演义方案。它反映了教师的教学水平、教学思路、教学经验和自身素质，反映了教师钻研教学大纲、熟悉教材、拓展知识、准确把握教学方式方法和责任心的程度。要求：

教案作为教学实施文件，应在充分备课的基础上对教学目的、主要内容、重点、难点、学时分配及教学方式方法做出具体设计。

教案的编写要按章（节）或每次课为单元。

关于讲课方式方法，主要包括：传统教学、多媒体电子课件教学，其中某节采用讨论式、现场教学、或是放录像、放录音，听力训练、习题课等。

第 1 章（次）：半导体器件本章学时数： 12学时

主要内容：本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。

重点：PN结，二极管、三极管的内部结构及特性

难点：二极管、三极管的内部结构

讲授方式方法及要求：采用多媒体课件教学，板书为辅，实物观察要求学生能够理解半导体器件的内部结构及工作原理，掌握二极管三极管等半导体器件的特性及作用。

第 2 章：基本放大电路本章（次）学时数：12学时

主要内容：基本共射放大电路，放大电路的分析方法，静态工作点的稳定以及放大电路的频率特性

重点：放大电路的分析方法，基本共射放大电路

难点：放大电路的分析方法

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生掌握放大电路的分析方法。

第 3 章：集成电路运算放大器本章（次）学时数：10学时

主要内容：多级放大电路，长尾式差动放大电路

重点：长尾式差动放大电路

难点：长尾式差动放大电路

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生掌握长尾式差动放大电路的分析方法和作用。

第 4 章：电路中的负反馈本章（次）学时数：4学时

主要内容：反馈的概念，反馈的分类，反馈对放大电路性能的影响

重点：反馈的分类，反馈对放大电路性能的影响

难点：反馈对放大电路性能的影响

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生能够理解反馈的概念并判断反馈的种类，并能分析反馈对放大电路性能的影响。

第 5 章：集成运算放大器本章（次）学时数：8学时

主要内容：基本运算放大器，集成运算放大器的应用

重点：基本运算放大器

难点：集成运算放大器的应用

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生能够掌握基本运算电路的性能及应用。

第 6 章：功率放大电路本章（次）学时数：6学时

主要内容：功率放大电路的特点，功率放大电路中的问题

重点：功率放大电路的特点

难点：功率放大电路的特点

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生了解功率放大电路的特点，能够预见功率放大电路中常见的问题。

第 7 章：波形产生电路本章（次）学时数：6学时

主要内容：正弦波振荡电路的振荡条件，RC、LC正弦波振荡电路

重点：RC、LC正弦波振荡电路

难点：RC、LC正弦波振荡电路

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生了解振荡电路的振荡条件和振荡的频率特性。

第 8 章：直流稳压电源本章（次）学时数：8学时

主要内容：单项整流电路，滤波电路，稳压电路，开关稳压电路

重点：滤波电路，稳压电路

难点：滤波电路，稳压电路

讲授方式方法及要求：板书为主，多媒体课件为辅，同时采用讨论式、现场教学、案例教学等方式，采用共创模式活跃课堂气氛，引发学生学习兴趣。要求学生了解直流稳压电路的特征。

第 9 章：实验本章（次）学时数：12学时

主要内容：各种半导体器件的认识，基本共射放大电路的性能分析，负反馈放大电路的研究

重点：负反馈放大电路的研究

难点：负反馈放大电路的研究

讲授方式方法及要求：软件模拟。

总结复习本章（次）学时数：6学时

主要内容：各章知识点

重点：各章知识点

难点：各章知识点

讲授方式方法及要求：板书。

习题课本章（次）学时数：12学时

主要内容：各章课后作业

重点：各章课后作业

难点：各章课后作业

讲授方式方法及要求：板书。

第五篇：模拟电子技术基础学习心得

模拟电子技术基础——电容篇（读书心得）

一、电容的不同用途

1.应用于电源电路，实现旁路、去耦、滤波和储能的作用。下面分类详述之：

1）旁路：旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去耦：又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等；而去耦合电容一般较大，可能是10μF或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3）退耦是指对电源采取进一步的滤波措施，去除两级间信号通过电源互相干扰的影响。耦合常数是指耦合电容值与第二级输入阻抗值乘积对应的时间常数。2.退耦三个目的：

1）将电源中的高频纹波去除，将多级放大器的高频信号通过电源相互串扰的通路切断；

2）大信号工作时，电路对电源需求加大，引起电源波动，通过退耦降低大信号时电源波动对输入级/高电压增益级的影响；

3）形成悬浮地或是悬浮电源，在复杂的系统中完成各部分地线或是电源的协调匹有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地。

4）滤波：从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。滤波就是充电，放电的过程。

5）储能：储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF之间的铝电解电容器（如B43504或B43505是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

3.应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：

1）耦合：举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。

耦合指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合

2）振荡/同步：包括RC、LC振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。3）时间常数：这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述： i =(V / R)e-(t / CR)。

二、电容的分类

1、铝电解电容：电容容量范围为0.1μF ～ 22000μF，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解耦等场合。

2、薄膜电容：电容容量范围为0.1pF ～ 10μF，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是X、Y安全电容、EMI/EMC的首选。

3、钽电容：电容容量范围为2.2μF ～ 560μF，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。

4、陶瓷电容：电容容量范围为0.5pF ～ 100μF，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。

5、超级电容：电容容量范围为0.022F ～ 70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。

去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF，这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。

总结如下：对于低频信号，用100μF电解电容。对于高频信号，用0.1μF的瓷片电容。

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