模拟电子技术基础课程教学改革方案及实施情况总结

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第一篇:模拟电子技术基础课程教学改革方案及实施情况总结

《模拟电子技术基础》课程教学改革方案及实施情况总结

为贯彻落实《教育部关于进一步深化本科教学改革全面提高教学质量的若干意见》(教高[2007]2号)文件精神,深化课程教学改革,提高教学水平和教学质量,培养高素质创新人才,特制定《模拟电子技术基础》课程教学改革方案并实施。

一、教学改革的指导思想

以学校办学思想和人才培养目标为指导,严格遵循高等教育教学规律,坚持知识、素质和能力协调发展的原则,深化人才培养模式、课程体系、教学内容和教学方法等方面的改革,实现从注重知识传授向更加重视能力和素质培养的转变。结合《模拟电子技术基础》课程的自身特点,积极开展教学方式和考试方式的改革,改变过去“一考定成败”的教学模式,将教学过程考核与期末考核有机结合,重视学生个性化的发展和创造力的培养,使教学真正起到检验学生学习效果的作用,并以教学方式的改革推动教学内容的创新、教学手段与方法的变革和学生学习能力的培养,从而促进本科教学水平和人才培养质量的不断提高。

二、教学改革的基本目标

积极开展教学改革,丰富教学形式,将课程考核贯穿到课程教学的全过程,在原有课程教学考核学生对基础知识、基本理论和基本技能掌握情况的基础上,突出对学生分析问题和解决问题能力、动手能力的考察,重视学生实践能力、创新意识和学习能力的培养,促进学生个性发展,充分调动学生学习的积极性、主动性和创造性,从而推动本科人才培养模式的改革,全面推进素质教育,提高教育质量,培养社会需要的具有创新精神和创新能力的高素质人才。

三、教学改革的基本原则

教学改革既要解放思想、开拓创新,又要科学分析、实事求是,应本着一切从课程的自身特点和培养目标的实际需要出发,有利于提高课程教学质量,有利于促进学生自主学习,有利于形成良好学风考风,有利于培养学生创新精神和创新能力,有利于促进全体学生全面发展和个性发展相结合的原则。

四、教学改革的方法

1、理论与实践紧密结合,采用理论、实践、应用三结合教学方式,加强实践教学环节,重视应用能力的培养。教学组织上采用“一体两翼“的教学形式,即以课堂教学为主体,以“实验教学”和“科技活动”为两翼,全面培养学生分析问题和解决问题能力,动手能力和科技制作能力。实践教学中,我们努力把课堂教学、课外活动和社会实践有机地整合在一起,充分发挥第一课堂优势,重点培养学生基本的电子技能和方法。积极开展科技活动,提高学生发现和解决实际问题的能力,提高学生的电子技术应用能力和开发能力,积极参加各种电子竞赛活动,提高学生的就业能力。

2、将多媒体教学与传统教学方式有机结合,灵活运用启发式教学、交互式教学、自主式学习、项目式学习的方法,激发学生的学习兴趣,营造活跃的课堂教学氛围和课外学习环境。

教学课件设计集声音、图像、视频和文字等媒体为一体,具有形象性、多样性、新颖性、趣味性、直观性、丰富性等特点。根据教学目的、要求和教学内容,创设了形象逼真的教学环境、声像同步的教学情景、动静结合的教学图像、生动活泼的教学气氛。对于传统教学中教师难以表达、学生难以理解的抽象内容、复杂的变化过程等,通过动画模拟、过程演示等手段予以解决,不但在教学中起到事半功倍的效果,而且有利于提高学生的学习兴趣和分析问题解决问题的能力,大大提高了教学效率和质量。

采用的教学动画:本征激发、PN结的形成、PN结的单向导电性、三极管载流子的分配、输出特性曲线、JFET结构、JFET工作原理、MOSFET结构、MOSFET工作原理、FET转移特性、FET输出特性、共射电路组成、共射基本电路、共射输出特性、工作点设置、动态图解分析、分压式偏置电路、微变等效电路画法、微变分析、温度对工作点的影响、频率失真、反馈的基本概念、反馈组态判断、瞬时极性反馈增益、负反馈对性能的影响、差模和共模信号、差放电路输入、虚短与虚断、抑制零点漂移、运放、求和运算、功放类型与效率、基本互补电路分析、交越失真、单电源供电OTL乙类互补对称电路、振荡条件、桥式整流、电容滤波等。几乎所有重要的知识点都有相应的动画。

自主式学习内容:半导体型号命名方法、半导体二极管和三极管电极的判别、集成运算放大器的应用等。

项目式学习内容:设计一个防盗报警器、三端稳压集成电路的应用设计等。

3、运用虚拟仪器进行数字化课堂演示实验和实验教学。

数字化课堂演示实验:单级低频放大器实验、集成运算放大器实验、负反馈放大器实验、整流和滤波电路实验等。

数字化实验教学:08和09级电子信息工程和物理专业均采用了数字化实验仪器进行模拟电子技术实验。

4、考试方式的改革

将期末教学与平时成绩的考核有机结合起来,课程成绩由平时成绩(占总成绩的30%)和期末教学成绩(占总成绩的70%)综合评定而成。平时成绩考核应该包括课堂出勤、课堂讨论、课程设计、课堂问答、作业、案例分析等内容,课堂出勤成绩原则不超过总成绩的5%。

为了理论联系实际,突出考核学生的实践动手能力,期末教学采用课程综合设计的方法,要求学生设计和制作一个完整的电路,并进行测试,以此作为期末教学成绩。

实施方案:设计并制作一个1kHz的正弦信号发生器和一个1W的功率放大器及电源电路。

通过《模拟电子技术基础》课程的教学改革,充分调动了学生学习的积极性、主动性和创造性,学生分析问题和解决问题的能力、动手能力和实践能力、创新意识和学习能力得到了很好的发展,教学质量有了较大的提高,受到了学生的欢迎和好评。

李文联 2011年6月

第二篇:模拟电子技术教学改革方案

模拟电子技术教学改革方案

一、目的:引导学生自主性学习、研究性学习,加强团队合作,提高创新意识。

二、内容:第8章:直流稳压电源

三、教学方式:自主性学习与研究性学习

1、考核题目

(1)利用7805、7905设计一个输出±5V、1A的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出电压;

5)说明三端稳压器输入、输出端电容的作用及选取的容值。(2)利用7809、7909设计一个输出±9V、1A的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出电压;

5)说明三端稳压器输入、输出端电容的作用及选取的容值。(3)利用7812、7912设计一个输出±12V、1A的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出电压;

5)说明三端稳压器输入、输出端电容的作用及选取的容值。(4)利用7815、7915设计一个输出±15V、1A的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出电压;

5)说明三端稳压器输入、输出端电容的作用及选取的容值。

(5)利用7805、7905设计一个输出±(5~9)V、1A的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的最大输出电压;

5)求电路中固定电阻阻值和可调电阻的调节范围。

(6)利用7809、7909设计一个输出±(9~12)V、1A的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的最大输出电压;

5)求电路中固定电阻阻值和可调电阻的调节范围。

(7)利用7805设计一个输出5V、2A(扩大输出电流)的直流稳压电源;

要求:1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出最大电压;

(8)利用7809设计一个输出9V、2A(扩大输出电流)的直流稳压电源;

要求: 1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出最大电压;

(9)用LM117设计一个输出1A的恒压源,输出电压为3-10V;

要求: 1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出最大电压;

5)求电路中固定电阻阻值、可调电阻调节范围。

(10)用7812设计一个输出0.5A的恒流源;

要求: 1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期);

4)求滤波电路的输出最大电压;

5)求电路中固定电阻阻值。

(11)用LM137设计一个输出1A的恒压源,输出电压为-3~-10V;

要求: 1)画出系统电路图,并画出变压器输出、滤波电路输出及稳压输出的电压波形;画出变压器副边电流的波形。

2)输入工频220V交流电的情况下,确定变压器变比;

3)在满载情况下选择滤波电容的大小(取5倍工频半周期); 4)求滤波电路的输出最大电压;

5)求电路中固定电阻阻值、可调电阻调节范围。

2、总体要求

(1)画出完整的电路图;

(2)画出整流、滤波、稳压各环节的电压波形;(3)选择各环节所用器件的参数。

四、组织与考核

1、组织:每3个同学组成一个学习小组(自由组合),从11个题目中抽取一题。通过自学、讨论,设计出该电路。每小组提交一篇报告即可。

2、考核:以班级为单位组织答辩,由班长、课代表、班级代表负责组织临班进行答辩,根据设计报告(50分)、讲述(40分)、回答问题(30分)、EDA软件仿真出结果的(30分)。

3、给出一个总分数,其中优20%,良40%,中30%,其他10%。

4、本设计占期末总成绩的15%。

五、说明

1、要求掌握全章的所有内容,答辩过程中可提问本章所有概念或与本设计无关或关系不大的问题。

2、要求独立完成,答辩过程中发现有抄袭现象的按零分处理。

第三篇:《 模拟电子技术基础 》 课程教学大纲

《 模拟电子技术基础 》 课程教学大纲

课内学时数: 96

实验学时数: 24

适用的专业范围及层次:全日制高职高专专科电子类专业

一、说明

1、教学目的和要求

《模拟电子技术基础》是继《电路》课程后,电气类、自控类和电子类等专业学生在电子技术方面入门性质的技术基础课,是电子技术基础的一个部分,其任务是让学生获得模拟电路的基本知识,为以后深入学习电子技术某些领域中的内容打下基础。通过本课程的学习,使学生掌握模拟电子电路的基本知识、基本理论、基本分析方法和基本实验技能,学会查阅手册和正确选择使用电子元器件,树立理论联系实际的工程观点和提高学生分析和解决问题的能力,为模拟电子技术在专业中的应用打好基础。

本课程要求学生掌握以下几个方面的内容:

• 掌握常用的半导体器件的基本工作原理、特性和主要参数,并能合理选择和正确使用。

• 了解线性集成电路的电路结构、工作原理,掌握主要性能和使用方法。

• 掌握共射、共集放大器、差动放大器及基本运算放大器等的电路结构、工作原理和性能。• 熟悉功率放大器、振荡器、整流器、稳压器及由集成“运放”组成的某些功能电路等的电路组成,工作原理,性能和应用。

• 熟悉放大器中的负反馈,掌握负反馈的基本方式及其对放大电路性能的影响,掌握负反馈放大器的分析方法。

• 掌握放大电路的图解分析法,能确定静态工作点

• 掌握微变等效电路分析法,能求放大倍数,输入和输出电阻。

• 熟悉对某些功能电路的近似估算。

• 熟悉一般实验中常用的电子仪器:如示波器、信号源、交流毫伏表、直流稳压电源等的正确使用方法。

• 掌握基本的电子测试技能,了解常用器件和电路的主要参数和技术指标的测试方法,初步具有检测故障的知识。

• 进一步提高编写实验报告的能力。

• 具有查阅电子器件和集成电路手册的初步能力。

• 初步掌握阅读和分析电子电路原理图的一般规律。

2、课程内容和学时分配

根据教学计划规定的学时数,理论课 72 学时,实验 24 学时,具体学时分配如下表。

课程内容和学时分配表 章数

内 容 半导体二极管及其基本应用电路 半导体三极管及其基本放大电路 集成运算放大器电路基础 负反馈放大电路 集成运算放大器在信号处理方面的应用6 信号发生电路 功率放大电路 直流稳压电源 电力电子电路

合 计

二、教学内容

§ 1 半导体二极管及其基本应用电路

§ 1.1 半导体二极管

§ 1.1.1 PN 结及其单向导电性

§ 1.1.2 半导体二极管的构成与类型

§ 1.1.3 半导体二极管的伏安特性

§ 1.1.4 半导体二极管的使用常识

§ 1.2 半导体二极管的电路模型

理论课时

实验课时 2 6 10 2 8 2 10 2 8 2 6 4 8 2 6 2 72

小计 16 12 10 12 10 10 10 8 96

§ 1.3 半导体二极管的基本应用

§ 1.3.1 单相桥式整流滤波电路

§ 1.3.2 硅高压整流堆简介

§ 1.3.3 限幅电路

§ 1.4 特殊二极管

§ 1.4.1 稳压管

§ 1.4.2 变容二极管

§ 1.4.3 光电器件

【本章教学目的和要求】

• 了解本征半导体、杂质半导体和 PN 结的形成。

• 理解普通二极管、稳压二极管的工作原理,掌握它们的特性和主要参数。

• 掌握二极管在电路中的运用。

§ 2 半导体三极管及其基本放大电路

§ 2.1 双极型三极管 § 2.1.1 BJT 的结构

§ 2.1.2 BJT 的电流分配与放大原理

§ 2.1.3 BJT 的特性曲线

§ 2.1.4 BJT 的使用常识

§ 2.2 共发射极基本放大电路

§ 2.2.1 共发射极放大电路各元件作用

§ 2.2.2 共发射极放大电路的静态分析

§ 2.2.3 用图解法分析动态工作情况

§ 2.2.4 BJT 的三个工作区域及放大电路的非线性失真

§ 2.2.5 用小信号模型法分析动态工作情况

§ 2.3 稳定静态工作点的放大电路 —— 射极偏置电路

§ 2.3.1 温度对静态工作点的影响

§ 2.3.2 射极偏置电路

§ 2.4 共集电极放大电路和共基极放大电路

§ 2.4.1 共集电极放大电路 § 2.4.2 共基极放大电路

§ 2.5 场效应管及其基本放大电路

§ 2.5.1 绝缘栅场效应管

§ 2.5.2 结型场效应管

§ 2.5.3 场效应管的主要参数、特点及使用注意事项

§ 2.5.4 其他类型场效应管

§ 2.5.5 FET 的偏置电路及静态分析

§ 2.5.6 FET 放大电路的小信号模型分析法

§ 2.6 三极管及场效应管放大电路和开关电路的应用举例

§ 2.7 特殊三极管

§ 2.7.1 光电三极管

§ 2.7.2 光电耦合器

§ 2.8 放大电路的频率特性

§ 2.8.1 频率特性的基本概念

§ 2.8.2 频率特性的定性分析及其指标 § 2.8.3 对数频率特性曲线 —— 波特图

§ 2.8.4.BJT 的频率参数

§ 2.8.5 多级放大电路的频率特性

§ 2.8.6 共射一共基直接耦合放大电路及其频率特性

【本 章教学目的和要求】

• 理解晶体管基本放大电路的组成、工作原理及性能特点。

• 掌握放大电路静态工作点和动态参数的分析方法。

• 能识别三极管放大电路的三种组态及其特性。

§ 3 集成运算放大器电路基础

§ 3.1 差分放大电路

§ 3.1.1 双端输入的基本差分放大电路

§ 3.1.2 单端输入的差分放大电路

§ 3.2 恒流源

§ 3.2.1 差分放大电路中恒流源的作用 § 3.2.2 集成运放中的恒流源

§ 3.3 集成运算放大器

§ 3.3.1 集成运算放大器的基本结构及其特点

§ 3.3.2 集成运放一些特殊参数含义

§ 3.4 集成运算放大器的分析方法及其基本运算电路

§ 3.4.1 理想集成运放及其传输特性

§ 3.4.2 基本运算电路

【本章教学目的和要求】

• 理解差分放大电路的组成和工作原理。

• 了解典型集成运放的组成及其各部分的特点,掌握其电压传输特性和主要参数。

• 掌握几种基础运算电路的结构形式。

• 能画出运放电路的输出电压。

§ 4 负反馈放大电路

§ 4.1 反馈的基本概念 § 4.1.1 反馈的概念

§ 4.1.2 反馈的极性与类型

§ 4.2 负反馈放大电路的方框图及增益分析方法

§ 4.2.1 负反馈放大电路的方框图

§ 4.2.2 负反馈放大电路增益的一般表达式

§ 4.2.3 负反馈对放大电路性能的影响

§ 4.2.4 四种深度负反馈放大电路的分析方法一

§ 4.2.5 负反馈放大电路应用举例——音调控制电路

§ 4.3 负反馈放大电路的稳定性问题

§ 4.3.1 产生自激振荡的条件和原因

§ 4.3.2 消除自激振荡的常用方法

【本章教学目的和要求】

• 掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法。

• 理解反馈、反馈深度的概念。

• 掌握负反馈放大增益的一般表达式及负反馈对放大电路性能的影响。• 会计算深度负反馈放大电路的电压放大倍数。

§ 5 集成运算放大器在信号处理方面的应用

§ 5.1 有源滤波电路

§ 5.1.1 基本概念

§ 5.1.2 一阶低通滤波电路(LPF)

§ 5.1.3 一阶高通滤波电路(HPF)

§ 5.1.4 带通滤波电路和带阻滤波电路

§ 5.2 精密仪用放大电路

§ 5.2.1 精密差分测量放大电路

§ 5.2.2 集成精密测量放大器

§ 5.3 高精度整流电路

§ 5.4 集成隔离放大器

§ 5.5 集成运放在使用中的一些问题

【本章教学目的和要求】 • 了解典型有源滤器的组成和特点。

• 了解有源滤波器的分析方法。

• 知道测量放大电路的基本结构、特点与用途,高精度半波整流电路的特点,集成隔离放大器的用途。

• 会计算一阶低通滤波电路的截止频率或电阻、电容值,测量放大电路的输出电压。

§ 6 信号发生电路

§ 6.1 正弦波振荡电路

§ 6.1.1 正弦波振荡电路的基本概念

§ 6.1.2 RC 正弦波振荡电路

§ 6.1.3 LC 正弦波振荡电路

§ 6.1.4 石英晶体振荡电路

§ 6.2 非正弦信号发生电路

§ 6.2.1 电压比较器

§ 6.2.2 方波发生电路

§ 6.2.3 8038 集成函数波形发生器 【本章教学目的和要求】

• 知道正弦波振荡电路的振荡条件,RC 串并联及 LC 并联谐振网络的选频性特点及电路的基本构成。

• 会计算正弦波振荡电路的振荡频率、RC 串并联正弦波振荡放大电路中对阻值要求、单值和迟滞比较器的阈值电压、方波发生器的振荡频率。

• 会画出电压比较器的电压传输特性及输出与输入波形关系。

§ 7 功率放大电路

§ 7.1 功率放大电路的特殊问题

§ 7.2 乙类互补对称功率放大电路

§ 7.2.1 双电源基本互补对称功率放大电路(OCL)及其工作原理

§ 7.2.2 乙类双电源功率放大电路功率参数分析计算

§ 7.3 甲乙类互补对称功率放大电路

§ 7.3.1 实用的甲乙类双电源互补对称功率放大电路

§ 7.3.2 甲乙类单电源互补对称功率放大电路(OTL)

§ 7.4 集成功率放大器

§ 7.5 功率放大电路应用举例 § 7.6 功率管的散热问题

【本章教学目的和要求】

• 了解功率放大电路的类型及特点。

• 理解功率放大电路的最大输出功率和转换效率的分析方法。

• 了解功率放大电路应用中的相关问题。

• 会判别复合管的管型。

§ 8 直流稳压电源

§ 8.1 概述

§ 8.2 稳压管稳压电路

§ 8.3 具有放大环节的串联型稳压电路

§ 8.4 稳压电路的质量指标

§ 8.5 集成三端式稳压器

§ 8.5.1 概述

§ 8.5.2 三端式固定输出集成稳压器 § 8.5.3 三端式可调集成稳压器

§ 8.6 开关型稳压电源

§ 8.6.1 开关型稳压电源的特点和类型

§ 8.6.2 他激式开关型稳压电源的基本工作原理

§ 8.6.3 SW3524 ――集成单片脉宽调制式开关稳压电源

【本章教学目的和要求】

• 掌握单相整流电路的工作原理和分析方法。

• 了解典型滤波电路的工作原理及电容滤波电路输出电压平均值的估算。

• 理解线性串联型稳压电路的工作原理,掌握集成稳压器的应用。

• 会画出三端式固定输出集成稳压器单电压输出电路。

§ 9 电力电子电路

§ 9.1 概述

§ 9.2 晶闸管的结构和工作原理

§ 9.2.1 晶闸管的符号和外形 § 9.2.2 晶闸管的工作原理

§ 9.2.3 晶闸管的主要参数及型号

§ 9.3 单相可控整流电路及触发电路

§ 9.3.1 电阻性负载的单相半控桥式整流电路

§ 9.3.2 触发电路

§ 9.3.3 晶闸管、单结晶体管电路应用举例

【本章教学目的和要求】

• 知道晶闸管导通及其关断条件、控制角与导通含义及之间关系、可控整流基本原理、单结晶体管构成的触发电路基本原理及同步含义。

• 会计算电阻性负载的单相半控桥式整流电路的输出直流平均电压和电流对晶闸管和整流二极管参数要求、单结晶管触发电路控制角及移相范围。

三、实验内容

实验

一、常用电子仪器的使用

实验

二、测试晶体二极管与晶体三极管 实验

三、单管交流放大电路

实验

四、差分放大器设计与性能测试

实验

五、基础运算电路的设计与测试

实验

六、反馈对放大电路参数的影响

实验

七、OTL 低频功率放大器的设计与测试

实验

八、串联型晶体管直流稳压电源性能测试。

实验

九、集成稳压器性能测试,整流滤波电路测试。

主要参考书

• 寇戈等编: 《模拟电路与数字电路》 电子工业出版社

• 陈大钦等编:《模拟电子技术基础》

高等教育出版社

• 康华光等编:《电子技术基础》

高等教育出版社

• 童诗白等编:《模拟电子技术基础》

高等教育出版社

第四篇:模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章

半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子

----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:

在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体:

在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*

PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

*

PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

V阳

>V阴(正偏),二极管导通(短路);

V阳

1)图解分析法

该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2)

等效电路法

Ø

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:

V阳

>V阴(正偏),二极管导通(短路);

V阳

*三种模型

Ø

微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章

三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触

面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理

1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

*

共发射极电流放大系数

(表明三极管是电流控制器件

式子

称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

*

输出特性曲线

(饱和管压降,用UCES表示

放大区---发射结正偏,集电结反偏。

截止区---发射结反偏,集电结反偏。

4.温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。

三.低频小信号等效模型(简化)

hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比,常用β表示;

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。

2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

五.放大电路的图解分析法

1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。

*画法---电容视为开路。

*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE

确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1)改变Rb

:Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变Rc

:Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。

3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。

2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。

*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---

连接Q点和V

CC’点

V

CC’=

UCEQ+ICQR

L’的直线。

3.静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。

*消除方法---减小Rb,提高Q。

(2)

饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。

*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。

4.放大器的动态范围

(1)

Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。

(2)范围

*当(UCEQ-UCES)>(VCC’

UCEQ)时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当(UCEQ-UCES)<(VCC’

UCEQ)时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2

(UCEQ-UCES)。

*当(UCEQ-UCES)=(VCC’

UCEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。

六.放大电路的等效电路法

1.静态分析

(1)静态工作点的近似估算

(2)Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc。

2.放大电路的动态分析

*

放大倍数

*

输入电阻

*

输出电阻

七.分压式稳定工作点共射

放大电路的等效电路法

1.静态分析

2.动态分析

*电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

*

输出电阻

八.共集电极基本放大电路

1.静态分析

2.动态分析

*

电压放大倍数

*

输入电阻

*

输出电阻

3.电路特点

*

电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。

*

输入电阻高,输出电阻低。

第三章

场效应管及其基本放大电路

一.结型场效应管(JFET)

1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)

转移特性曲线

UP

-----

截止电压

二.绝缘栅型场效应管(MOSFET)

分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。

结构示意图和电路符号

2.特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

*

N-EMOS的转移特性曲线

式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。

*

N-DMOS的输出特性曲线

注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。

三.场效应管的主要参数

1.漏极饱和电流IDSS

2.夹断电压Up

3.开启电压UT

4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm

(表明场效应管是电压控制器件)

四.场效应管的小信号等效模型

E-MOS的跨导gm

---

五.共源极基本放大电路

1.自偏压式偏置放大电路

*

静态分析

动态分析

若带有Cs,则

2.分压式偏置放大电路

*

静态分析

*

动态分析

若源极带有Cs,则

六.共漏极基本放大电路

*

静态分析

*

动态分析

第五章

功率放大电路

一.功率放大电路的三种工作状态

1.甲类工作状态

导通角为360o,ICQ大,管耗大,效率低。

2.乙类工作状态

ICQ≈0,导通角为180o,效率高,失真大。

3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o,效率较高,失真较大。

二.乙类功放电路的指标估算

1.工作状态

Ø

任意状态:Uom≈Uim

Ø

尽限状态:Uom=VCC-UCES

Ø

理想状态:Uom≈VCC

2.输出功率

3.直流电源提供的平均功率

4.管耗

Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想时为78.5%

三.甲乙类互补对称功率放大电路

1.问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。

2.解决办法

Ø

甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

Ø

甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容

C2

上静态电压为VCC/2,并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。

动态指标按乙类状态估算,只是用VCC/2代替。

四.复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。

2.类型取决于第一只管子的类型。

3.β=β1·β

第六章

集成运算放大电路

一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。

二.长尾差放电路的原理与特点

1.抑制零点漂移的过程----

当T↑→

iC1、iC2↑→

iE1、iE2

↑→

uE↑→

uBE1、uBE2↓→

iB1、iB2↓→

iC1、iC2↓。

Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。

2静态分析

1)

计算差放电路IC

设UB≈0,则UE=-0.7V,得

2)

计算差放电路UCE

双端输出时

单端输出时(设VT1集电极接RL)

对于VT1:

对于VT2:

3.动态分析

1)差模电压放大倍数

双端输出

单端输出时

从VT1单端输出

从VT2单端输出

2)差模输入电阻

3)差模输出电阻

双端输出:

单端输出:

三.集成运放的电压传输特性

当uI在+Uim与-Uim之间,运放工作在线性区域

四.理想集成运放的参数及分析方法

1.理想集成运放的参数特征

*

开环电压放大倍数

Aod→∞;

*

差模输入电阻

Rid→∞;

*

输出电阻

Ro→0;

*

共模抑制比KCMR→∞;

2.理想集成运放的分析方法

1)

运放工作在线性区:

*

电路特征——引入负反馈

*

电路特点——“虚短”和“虚断”:

“虚短”

---

“虚断”

---

2)

运放工作在非线性区

*

电路特征——开环或引入正反馈

*

电路特点——

输出电压的两种饱和状态:

当u+>u-时,uo=+Uom

当u+

两输入端的输入电流为零:

i+=i-=0

第七章

放大电路中的反馈

一.反馈概念的建立

*开环放大倍数---A

*闭环放大倍数---Af

*反馈深度---1+AF

*环路增益---AF:

1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。

2.当AF=0时,表明反馈效果为零。

3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4.当AF=-1时,Af→∞

。放大器处于

自激振荡”状态。

二.反馈的形式和判断

1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存

在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈

则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。

(输出短路时反馈消失)

电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

(输出短路时反馈不消失)

4.反馈的方式-----并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端)

串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端)

5.反馈极性-----瞬时极性法:

(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。

(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升

高用

+

表示,降低用

表示)。

(3)确定反馈信号的极性。

(4)根据Xi

与X

f的极性,确定净输入信号的大小。Xid

减小为负反

馈;Xid

增大为正反馈。

三.反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串

联(并联)负反馈。

四.负反馈对放大电路性能的影响

1.提高放大倍数的稳定性

2.3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声

5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍

*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍

*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍

*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍

五.自激振荡产生的原因和条件

1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。

2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为:

第八章

信号的运算与处理

分析依据------

“虚断”和“虚短”

一.基本运算电路

1.反相比例运算电路

R2

=R1//Rf

2.同相比例运算电路

R2=R1//Rf

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加减运算电路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.积分和微分运算电路

1.积分运算

2.微分运算

第九章

信号发生电路

一.正弦波振荡电路的基本概念

1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)

自激振荡的平衡条件

:

即幅值平衡条件:

相位平衡条件:

2.起振条件:

幅值条件

相位条件:

3.正弦波振荡器的组成、分类

正弦波振荡器的组成(1)

放大电路-------建立和维持振荡。

(2)

正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。

(3)

选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4)

稳幅环节-------使波形幅值稳定,且波形的形状良好。

*

正弦波振荡器的分类

(1)

RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;

(2)

LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;

(3)

石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。

第五篇:模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通,反向截止。*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳

该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏),二极管导通(短路);若 V阳

 微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章 三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触

面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。

二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态

2.三极管内各极电流的分配

* 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件

式子

称为穿透电流。

3.共射电路的特性曲线

*输入特性曲线---同二极管。

* 输出特性曲线

(饱和管压降,用UCES表示

放大区---发射结正偏,集电结反偏。截止区---发射结反偏,集电结反偏。4.温度影响

温度升高,输入特性曲线向左移动。

温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型(简化)hie---输出端交流短路时的输入电阻,常用rbe表示;

hfe---输出端交流短路时的正向电流传输 常用β表示;

四.基本放大电路组成及其原则

1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。

比,五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析

*概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点

*直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。

*电路参数对静态工作点的影响

1)改变Rb :Q点将沿直流负载线上下移动。

2)改变Rc :Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3)改变VCC:直流负载线平移,Q点发生移动。2.交流通路与动态分析

*概念---交流电流流通的回路

*画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。

*交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。

3.静态工作点与非线性失真

(1)截止失真

*产生原因---Q点设置过低

*失真现象---NPN管削顶,PNP管削底。*消除方法---减小Rb,提高Q。(2)饱和失真

*产生原因---Q点设置过高

*失真现象---NPN管削底,PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。

4.放大器的动态范围

(1)Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2)范围

*当(UCEQ-UCES)>(VCC’ - UCEQ)时,受截止失真限制,UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。

*当(UCEQ-UCES)<(VCC’ - UCEQ)时,受饱和失真限制,UOPP=2UOMAX=2(UCEQ-UCES)。

*当(UCEQ-UCES)=(VCC’ - UCEQ),放大器将有最大的不失真输出电压。六.放大电路的等效电路法 1.静态分析

(1)静态工作点的近似估算

(2)Q点在放大区的条件

欲使Q点不进入饱和区,应满足RB>βRc。2.放大电路的动态分析

* 放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

七.分压式稳定工作点共 放大电路的等效电1.静态分析

射 路法

2.动态分析 *电压放大倍数

在Re两端并一电解电容Ce后

输入电阻

在Re两端并一电解电容Ce后

* 输出电阻

八.共集电极基本放大电路 1.静态分析

2.动态分析 * 电压放大倍数

* 输入电阻

* 输出电阻

3.电路特点

* 电压放大倍数为正,且略小于1,称为射极跟随器,简称射随器。* 输入电阻高,输出电阻低。

第三章 场效应管及其基本放大电路

一.结型场效应管(JFET)1.结构示意图和电路符号

2.输出特性曲线

(可变电阻区、放大区、截止区、击穿区)

转移特性曲

线 UP-----截止电压

二.绝缘栅型场效应管(MOSFET)

分为增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两种。结构示意图和电路符号

2.特性曲线

*N-EMOS的输出特性曲线

* N-EMOS的转移特性曲线式中,IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线

注意:uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP,此曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT

4.直流输入电阻RGS

5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件)

四.场效应管的小信号等效模型

E-MOS 的跨导gm---

五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析

动态分析

若带有Cs,则

2.分压式偏置放大电路 * 静态分析

* 动态分析

若源极带有Cs,则

六.共漏极基本放大电路

* 静态分析

* 动态分析

第四章 多级放大电路

一.级间耦合方式

1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立;能有效地传输交流信号;体积小,成本低。但不便于集成,低频特性差。

2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立,可以实现阻抗变换。体积大,成本高,无法采用集成工艺;不利于传输低频和高频信号。

3.直接耦合----低频特性好,便于集成。各级静态工作点不独立,互相有影响。存在“零点漂移”现象。

*零点漂移----当温度变化或电源电压改变时,静态工作点也随之变化,致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应 1.中频段(fL≤f≤fH)

波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数,相频曲线是φ=-180o。

2.低频段(f ≤fL)

3.高频段(f ≥fH)

4.完整的基本共射放大电路的频率特性

三.分压式稳定工作点电路率响应

1.下限频率的估算

2.上限频率的估算 的频

四.多级放大电路的频率响应 1.频响表达式

2.波特图

第五章 功率放大电路

一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态

导通角为360o,ICQ大,管耗大,效率低。2.乙类工作状态

ICQ≈0,导通角为180o,效率高,失真大。3.甲乙类工作状态

导通角为180o~360o,效率较高,失真较大。二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态

 任意状态:Uom≈Uim  尽限状态:Uom=VCC-UCES  理想状态:Uom≈VCC

2.输出功率3.直流电源提供的平均功率

4.管耗 Pc1m=0.2Pom

5.效率

理想时为78.5% 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出

在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。2.解决办法

 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。

动态指标按乙类状态估算。

 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2,并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。

动态指标按乙类状态估算,只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点

1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β 2

第六章 集成运算放大电路

一.集成运放电路的基本组成

1.输入级----采用差放电路,以减小零漂。

2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路,以提高放大倍数。

3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。

4.偏置电路----多采用电流源电路,为各级提供合适的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程----当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。

Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用,被称为“共模反馈电阻”。2静态分析

1)计算差放电路IC 设UB≈0,则UE=-0.7V,得

2)计算差放电路UCE • 双端输出时

• 单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1:

对于VT2:

3.动态分析

1)差模电压放大倍数

• 双端输出 •

• 单端输出时

从VT1单端输出 :

从VT2单端输出 :

2)差模输入电阻3)差模输出电阻 • 双端输出:

• 单端输出:

三.集成运放的电压传输特性

当uI在+Uim与-Uim之间,运放工作在线性区域 :

四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞; * 差模输入电阻 Rid→∞; * 输出电阻 Ro→0;

* 共模抑制比KCMR→∞; 2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈

* 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短”---

“虚断”---2)运放工作在非线性区

* 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点——

输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时,uo=+Uom

当u+

两输入端的输入电流为零: i+=i-=0

第七章 放大电路中的反馈

一.反馈概念的建立

*开环放大倍数---A *闭环放大倍数---Af *反馈深度---1+AF *环路增益---AF:

1.当AF>0时,Af下降,这种反馈称为负反馈。2.当AF=0时,表明反馈效果为零。

3.当AF<0时,Af升高,这种反馈称为正反馈。

4.当AF=-1时,Af→∞。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二.反馈的形式和判断

1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈,交流通路中存 在反馈则为交流反馈,交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈:反馈量取样于输出电压;具有稳定输出电压的作用。

(输出短路时反馈消失)

电流反馈:反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。

(输出短路时反馈不消失)

4.反馈的方式-----并联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电

流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端)

串联反馈:反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端)5.反馈极性-----瞬时极性法:

(1)假定某输入信号在某瞬时的极性为正(用+表示),并设信号的频率在中频段。

(2)根据该极性,逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性(升

高用 + 表示,降低用 - 表示)。(3)确定反馈信号的极性。

(4)根据Xi 与X f 的极性,确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反

馈;Xid 增大为正反馈。

三.反馈形式的描述方法

某反馈元件引入级间(本级)直流负反馈和交流电压(电流)串

联(并联)负反馈。

四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带

4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻

*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因

附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件

若表示为幅值和相位的条件则为:

第八章 信号的运算与处理

分析依据------“虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路

R2 =R1//Rf

2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf

3.反相求和运算电路

R4=R1//R2//R3//Rf

4.同相求和运算电路

R1//R2//R3//R4=Rf//R5

5.加减运算电路

R1//R2//Rf=R3//R4//R5

二.积分和微分运算电路 1.积分运算

2.微分运算

第九章 信号发生电路

一.正弦波振荡电路的基本概念

1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件: 相位平衡条件:

2.起振条件: 幅值条件 :相位条件:

3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成

(1)放大电路-------建立和维持振荡。

(2)正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-------以选择某一频率进行振荡。

(4)稳幅环节-------使波形幅值稳定,且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类

(1)RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。

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