第一篇：微机电系统心得体会
微机电系统心得体会
万琼声
电子工程学院，2011211205班，2011211047
这个学期我们学习了微机电系统（Micro-Electro-Mechanical System），这门课主要介绍了MEMS的理论基础，MEMS材料、加工工艺和检测技术，传感器和执行器，MEMS器件及其系统。对这个之前很陌生的领域有了一定程度上的了解。
微机电系统是微米大小的机械系统，其中也包括不同形状的三维平板印刷产生的系统。这些系统的大小一般在微米到毫米之间。在这个大小范围中日常的物理经验往往不适用。比如由于微机电系统的面积对体积比比一般日常生活中的机械系统要大得多，其表面现象如静电、润湿等比体积现象如惯性或热容量等要重要。它们一般是由类似于生产半导体的技术如表面微加工、体型微加工等技术制造的。其中包括更改的硅加工方法如压延、电镀、湿蚀刻、干蚀刻、电火花加工等等。
微机电系统是一种先进的制造技术平台。它是以半导体制造技术为基础发展起来的。MEMS技术采用了半导体技术中的光刻、腐蚀、薄膜等一系列的现有技术和材料，因此从制造技术本身来讲，MEMS中基本的制造技术是成熟的。但MEMS更侧重于超精密机械加工，并要涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面也扩大到微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理学的各分支。
微机电系统具有体积小、重量轻、功耗低、耐用性好、价格低廉、性能稳定等优点。微机电系统是微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成，尺寸通常在毫米或微米级，自八十年代中后期崛起以来发展极其迅速，被认为是继微电子之后又一个对国民经济和军事具有重大影响的技术领域，将成为21世纪新的国民经济增长点和提高军事能力的重要技术途径。
微机电系统的出现和发展是科学创新思维的结果，使微观尺度制造技术的演进与革命。微机电系统是当前交叉学科的重要研究领域，涉及电子工程、材料工程、机械工程、信息工程等多项科学技术工程，将是未来国民经济和军事科研领域的新增长点。
MEMS发展的目标在于，通过微型化、集成化来探索新原理、新功能的元件和系统，开辟一个新技术领域和产业。MEMS可以完成大尺寸机电系统所不能完成的任务，也可嵌入大尺寸系统中，把自动化、智能化和可靠性水平提高到一个新的水平。21世纪MEMS将逐步从实验室走向实用化，对工农业、信息、环境、生物工程、医疗、空间技术、国防和科学发展产生重大影响。人们不仅要开发各种制造MEMS的技术，更重要的是如何将MEMS技术与航空航天、信息通信、生物化学、医疗、自动控制、消费电子以及兵器等应用领域相结合，制作出符合各领域要求的微传感器、微执行器、微结构等MEMS器件与系统。根据维基百科的描述，MEMS研究人员使用一系列的工程软件工具来对他们的设计进行仿真和原型测试。MEMS设计中经常用到有限元分析。对动态力，热度等等的仿真可以通过ANSYS，COMSOL、IntelliSuite和CoventorWare-ANALYZER等软件来实现。其他软件，比如ConvertorWare-ARCHITECT和MEMS-PRO，被用来开发更适合加工制造的产品布局，甚至用来仿真嵌入型的MEMS系统。当原型机开发完成后，研究人员能够用各种仪器比如激光多普勒扫描振动计，显微镜，频闪观测仪等来对它们进行测试。
随着时间的推移和技术的逐步发展，MEMS所包含的内容正在不断增加，并变得更加丰富。世界著名信息技术期刊《IEEE论文集》在1998年的MEMS专辑中将MEMS的内容归纳为：集成传感器、微执行器和微系统。人们还把微机械、微结构、灵巧传感器和智能传感器归入MEMS范畴。制作MEMS的技术包括微电子技术和微加工技术两大部分。微电子技术的主要内容有:氧化层生长、光刻掩膜制作、光刻选择掺杂(屏蔽扩散、离子注入)、薄膜(层)生长、连线制作等。微加工技术的主要内容有:硅表面微加工和硅体微加工(各向异性腐蚀、牺牲层)技术、晶片键合技术、制作高深宽比结构的LIGA技术等。利用微电子技术可制造集成电路和许多传感器。微加工技术很适合于制作某些压力传感器、加速度传感器、微泵、微阀、微沟槽、微反应室、微执行器、微机械等，这就能充分发挥微电子技术的优势，利用MEMS技术大批量、低成本地制造高可靠性的微小卫星。
MEMS技术是一个新兴技术领域，主要属于微米技术范畴。MEMS技术的发展已经历了10多年时间，大都基于现有技术，用由大到小的技术途径制作出来的，发展了一批新的集成器件，大大提高了器件的功能和效率，已显示出了巨大的生命力。MEMS技术的发展有可能会像微电子一样，对科学技术和人类生活产生革命性的影响，尤其对微小卫星的发展影响更加深远，必将为大批量生产低成本高可靠性的微小卫星打开大门。
作为一名学习电子工程的学生，我觉得MEMS技术将会成为造福人类的新技术，具有划时代的意义，坚信在不久的将来，MEMS技术将会运用在我们生活的各个角落，也将极大地便利我们的生活，提高我们的生活水平，简化我们的生活方式。因此，我们需要给予这门技术足够的关注和信心，投身于这项发展人类文明的事业中去，世界的未来掌握在我们手中，我们要肩负起我们应有的责任，不仅仅满足个人温饱，还要将视野放宽全球，不能局限在这个狭小的知识网络里面，更不能安于现状，要勇于开拓创新，要将自己的最后一份力也用在造福全人类上。
最后，感谢老师这个学期的悉心教导！
第二篇：MEMS微机电系统总结
一，简答题
1，微机电制造工艺及每种工艺的用途、技术特征或者步骤
微电子集成工艺是基础。此外，它们主要是体微加工技术、微表面加工技术、高深度比微加工技术、组装与键合技术、超微精密加工技术。
（1），体微加工技术是为制造三维结构而发展起来的，即按照设计图形在硅片上有选择的去除一部分硅材料，形成微机械结构。体微加工技术的关键技术是刻蚀，它包括干法和湿法刻蚀。
（2），表面微加工技术是以硅为基片，通过淀积与光刻形成多层薄膜图形，再把下层的牺牲层经刻蚀去除，保留上面的结构图形的加工方法。表面微加工不同于体加工，它不对基片本身进行加工。在基片上有淀积的薄膜，它们被有选择的保留或者去除以形成所需的图形。表面微加工的主要工艺是湿法刻蚀、干法刻蚀和薄膜淀积。牺牲层的刻蚀是表面微加工的基础。表面微加工技术的步骤：首先在基片上淀积绝缘层和牺牲层，然后淀积结构层，经光刻得到微结构图形。对此进行湿法刻蚀，把牺牲层sio2去除，便可得到无支撑的微结构。（3），高深度比微加工技术
LIGA技术被认为是最佳高深度比的微加工技术，加工宽度为几微米，深度高达1000um.且可实现微器件的批量生产。该技术的优点是能制造三维微结构器件，获得的微结构具有较大的深度比和精细的结构，侧壁陡峭，表面平整，它是X光深层光刻、微电铸和微塑铸三种工艺的有机结合。LIGA技术的主要工艺：X光掩膜制造、X光深度光刻技术和微铸电技术。(4).键合技术
上述工艺制造的微构件都是通过键合技术来制成微机械的器件，键合技术组要分为硅熔融键合和静电键合两种
2．微机电制造过程中常用的材料及其优缺点。陶瓷、金属、硅材料。常用的是硅。硅的优点？回答出主要特征。
根据应用场所，微机电系统的制作材料分为 微结构材料、微制动材料 和 微传感器材料。根据材料性能，微机电系统的制作材料分为 结构材料 功能材料
智能材料
MEMS 常用材料
半导体材料：硅及其化合物等。
硅：特殊的晶体结构使其具有各项异性，通过掺杂获得的p型硅和n型硅具有不同的导电性能和机械性能。
储量丰富，成本低；材质的内含杂质极少，易于提纯，纯型硅的杂质含量可降至十亿分之一，因而本身的内耗少，力学性能稳定。硅材料质量轻，密度是不锈钢的 1／3.5。弯曲强度高，为不锈钢的3.5倍。硅的熔点高（1400），约为铝的两倍，高熔点使其具有良好的高温稳定性。硅的热膨胀系数比钢小8倍，比铝小10倍。
具有很好的导热性，是不锈钢的5倍。
机械品质因数可高达 1000000，硅没有机械迟滞性能，是理想的传感器和致动器材料。
与微电子集成电路工艺兼容，易与微机械和微电子线路集成；便于实现批量化生产。硅氧化物：掺杂破坏的纯硅材料电子的平衡，促使电子流动加剧，导电性能得到提高。掺杂浓度越高，电阻率越低，越容易导电，多晶硅的特点
1、具有较宽的工作温度范围（－60度～＋300度）；
2、可调的电阻率特性；
3、可调的的温度系数；
4、较高的应变灵敏系数及容易调整。
5、与单晶硅压阻膜相比，多晶硅压阻膜可以在不同的材料衬底上制作,而且可以更有效地抑制温度漂移，有利于长期稳定性的实现。电致伸缩材料：压电陶瓷、氧化锌、石英等。
压电陶瓷：用于致动器和传感器元件的压电陶瓷，具有价廉、质轻小巧、易于与基体结合、响应速度快等优点。此外，它对结构的动力学特性的影响很小，并且通过分布排列可实现大规模的结构驱动，因而具有较强的驱动能力和控制作用。
由于压电陶瓷具有微小位移且精度高这一突出优势，适应微机械、微机器人微小位移控制的要求，用作压电驱动器是比较理想的。压电陶瓷的极限应变小，目前还不能作为结构材料。具有较高的饱和磁致伸缩系数，即当磁化饱和时，材料沿磁化方向的伸缩比 较大，其值约为
微应变。磁致伸缩材料：镍铁合金等。
磁致伸缩材料在磁场中的伸缩量很小，可以用在微机电系统中作为驱动器（磁－机转换）和接收器（机－磁转换）等。形状记忆材料：镍钛合金等。其它：特殊功能聚合物、复合材料及人工构造薄膜材料、电流变液或磁流变液材料、纳米相材料等。
硅的优点：微机械加工技术源于微电子集成制造,所以在微机电系统中，硅是最常用的材料。硅属硬脆材料，同时也有一定的弹性。硅材料常分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。单晶硅具有良好的机械、物理性质，其机械品质因数可高达106数量级，滞后和蠕变极小。多晶硅薄膜与单晶硅有相近的敏感特性、机械特性，它在微机械加工中多用作中间加工层材料。硅具有良好的机电合一特性。它既有足够的机械强度，又有优良的电性能，便于实现机电器件的集成化。硅的加工精度比较高，容易生成绝缘薄膜。硅具有多种优异的传感特性，如压阻效应、霍尔效应等。硅材料质量轻，密度为不锈钢的1/3，而弯曲强度却为不锈钢的3.5倍，它具有高的强度密度比和高的刚度密度比。大部分微机械传感器都使用硅制作的另一个重要理由是应用硅微机械加工技术可以制作出尺寸从亚微米到毫微米级的微元件和微机构，并且可达到极高的加工精度。
3．在制造微机电系统时，其中最主要的环节是框架，主要由哪几种工艺构成的，每一种工艺的条件，制作薄膜有几种工艺，每一种工艺的优缺点。答：标准工艺有体硅工艺和表面工艺。体硅工艺：
1、定义键合区；光刻，刻蚀键槽。
2、扩散参杂；离子注入形成接触区，用于轻掺杂沉底。
3、形成金属电极；光刻，腐蚀玻璃形成浅槽，溅射Ti/Pt/Au，剥离形成金属电极。
4、硅/玻璃阳极键合；双面对准，误差5um。
5、硅片减薄；减薄（80-100um）KOH腐蚀，机械减薄，玻璃面划片。
6、ICP刻蚀；溅射AI，光刻，刻蚀AI，IPC刻蚀Si，释放结构。表面工艺：
1、上层电极；淀积氧化硅，淀积氮化硅，淀积多晶硅，光刻，掩模，刻蚀多晶硅。
2、下层电极：淀积氧化硅，淀积氮化硅，淀积多晶硅，光刻，掩模，刻蚀多晶硅。
3、牺牲层：淀积PSG，光刻，刻蚀PSG。
4、刻蚀支撑点：光刻，刻蚀PSG。
5、淀积多晶硅：点击多晶硅，应力调整。
6、刻蚀多晶硅：光刻，刻蚀多晶硅。
7、释放结构：牺牲层腐蚀，防粘附处理。制作薄膜方法:
1、2、化学沉积：源材料通过化学反应生成所材料沉积到沉底表面。（气相和液相）
物理沉积：源材料直接转移到沉底表面形成薄膜。（通常为气相淀积）
制作薄膜工艺：PVD工艺，CVD工艺； PVD工艺：物理气相沉积（PVD）；
基本原理：在真空状态下，加热源材料，是原子或分子从源材料表面 逸出从而在衬底上生长薄膜的方法。优点：
设备简单、操作容易、薄膜纯度高、成膜速率快。缺点：
薄膜与衬底附着力小、台阶覆盖差。CVD工艺： 特点：反应物和副产物为气体，成膜速度快，薄膜的成分精确可控，淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好，极佳的台阶覆盖能力，可以获得平滑的沉积表面，CVD某些成膜温度远低于体材料的熔点，可得到高纯度、结晶完全的膜层。
4.如何来制作一个悬臂梁？工艺有哪些？主要考牺牲层工艺。答：
第1 步,在清洗后的硅约束基底上长215 μm厚的PSG膜。
第2 步,利用光刻得到制作覆盖在PSG表面的用于刻蚀PSG膜的掩模1 ,采用等离子干法刻蚀方 法(RIE ,Reactive Ion Etch)刻蚀PSG膜。
第3 步,利用光刻得到制作覆盖在PSG表面的用于沉积氮化硅(SiNx)和铝(Al)膜的掩模2。第4 步,利用掩模2 ,在硅约束基底和PSG膜上长0.5μm 厚的氮化硅(SiNx)膜。第5 步,在氮化硅(SiNx)膜上溅射0.3 μm 厚铝膜,形成双材料梁。
第6 步,最后把余留的光刻胶和其上的Au 一起去除,最后,牺牲层的释放。
工艺：备片，淀积，退火。光刻，刻蚀，去胶，光刻，淀积，退火，溅射，去胶，释放。
MEMS 可变电容的制作工艺中的牺牲层释放
牺牲层技术：是制造表面微机械结构的关键与核心技术,所谓牺牲层技术就是利用不同材料在1 种腐蚀液(或腐蚀气体)中腐蚀速率的巨大差异,选择性的腐蚀去掉结构层薄膜下面的1 层材料(即牺牲层材料),从结构层下面将牺牲层选择性的腐蚀掉,留下的结构层与衬底表面分开(这一步腐蚀牺牲层工艺一般称之为释放),形成了表面距离等于牺牲层厚度的悬空梁结构。牺牲层技术的关键在于牺牲层材料及腐蚀液,要使该腐蚀液对牺牲层腐蚀得很快而对牺牲层上、下方的结构膜材料腐蚀得很慢,二者的腐蚀速率之比越大,机构膜层受影响就越小,实现 的机构就越精确与理想。二 概念题
1．尺寸效应：所谓的尺寸效应是指在经典宏观规律适用的条件下，结构和器件的性能随特征尺度减小发生的变化。
2.微机电系统： 微机电系统是由关键尺寸在亚微米至亚毫米范围内的电子和机械元件组成的器件或系统，它将传感、处理与执行融为一体，以提供一种或多种特定功能。
3.凝胶：柔软而具有一定强度，在溶剂中不溶解，加热不熔化的轻度化学交联的聚合物。4.压电材料：压电材料是受到压力作用时会在两端面间出现电压的晶体材料。
5.硅片键合技术：硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。阳极键合
阳极键合又称静电键合或场助键合。阳极键合技术可将硅与玻璃、金属及合金在静电场作用下键合在一起，中间勿需任何粘接剂。键合界面具有良好的气密性和长期稳定性。阳极键合技术已被广泛使用。硅与玻璃的键合可公大气或真空环境下完成。键合温度为180一500℃，接近于玻璃的退火点，但在玻璃的熔点(500一900℃)以下。
三 计算题
悬臂梁陈述制作工艺。悬臂梁制作加速度计，测量原理。定量说明梁的弯曲与加速度的关系。MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)加速度计就是使用MEMS技术制造的加速度计。由于采用了微机电系统技术，使得其尺寸大大缩小，一个MEMS加速度计只有指甲盖的几分之一大小。MEMS加速度计具有体积小、重量轻、能耗低等优点。
梳状驱动电极。静电力梳状驱动电极理论上推导出力和能量之间的关系。
梳状驱动器操作通过使用边缘领域拉一套驱动到其他驱动里。在微机电系统梳状驱动器是其中较为常见的致动器。
第三篇：MEMS微机电系统考试总结
1、微机电制造工艺有哪些，及其主要技术特征是哪些？
目前，常用的制作微机电系统器件的技术主要有三种。
第一种是以日本为代表的利用传统机械加工手段，即利用大机器制造小机器，再利用小机器制造微机器的方法。
第二种是以美国为代表的利用化学腐蚀或集成电路工艺技术对硅材料进行加工，形成硅基微机电系统器件。
第三种是以德国为代表的LIGA(即光刻、电铸和塑铸)技术，它是利用X射线光刻技术，通过电铸成型和塑铸形成深层微结构的方法。
上述第二种方法与传统IC工艺兼容，可以实现微机械和微电子的系统集成，而且适合于批量生产，已经成为目前微机电系统的主流技术。LIGA技术可用来加工各种金属、塑料和陶瓷等材料，并可用来制做深宽比大的精细结构(加工深度可以达到几百微米)，因此也是一种比较重要的微机电系统加工技术。LIGA技术自八十年代中期由德国开发出来以后得到了迅速发展，人们已利用该技术开发和制造出了微齿轮、微马达、微加速度计、微射流计等。第一种加工方法可以用于加工一些在特殊场合应用的微机械装置，如微型机器人、微型手术台等。
2、在微机电系统制造过程中，常用的材料有哪几种，每一种材料的优缺点。陶瓷、金属、硅材料。常用的是硅。硅的优点？回答出主要特征。答：压电材料、记忆合金、巨磁材料、半导体材料：硅及其化合物等
电致伸缩材料：压电陶瓷、氧化锌、石英等 磁致伸缩材料：镍钛合金
压电材料的优点
1、充当容性负载, 在静态操作时需要非常小的功率,简化电源需求。
2、充当容性负载,需要非常小的功率在静态操作,简化电源需求。
3、可达到大约1/1000的张力
记忆合金的优点
1、产生很大的力
2、比着其他材料有很大的变形
3、没有污染和噪声 缺点 1 延迟效应
2、根据专门的应用必须分类
硅是用来制造集成电路的主要原材料。由于在电子工业中已经有许多实用硅制造极小的结构的经验，硅也是微机电系统非常常用的原材料。硅的物质特性也有一定的优点。单晶体的硅遵守胡克定律，几乎没有弹性滞后的现象，因此几乎不耗能，其运动特性非常可靠。此外硅不易折断，因此非常可靠，其使用周期可以达到上兆次。一般微机电系统的生产方式是在基质上堆积物质层，然后使用平板印刷和蚀刻的方法来让它形成各种需要的结构。硬度非常强，相对较轻
3、在制造微机电系统时，其中最主要的环节是框架，主要由哪几种工艺，每一种工艺的条件制作薄膜有几种工艺，每一种工艺的优缺点。
硅表面微机械加工技术包括制膜工艺和薄膜腐蚀工艺。制膜工艺包括湿法制膜和干式制膜。湿法制膜包括电镀（LIGA工艺）、浇铸法和旋转涂层法、阳极氧化工艺。其中LIGA工艺是利用光制造工艺制作高宽比结构的方法，它利用同步辐射源发出的X射线照射到一种特殊的PMMA感光胶上获得高宽比的铸型，然后通过电镀或化学镀的方法得到所要的金属结构。干式制膜主要包括CVD（Chemical Vapor Deposition）和PVD（Physical Vapor Deposition）。薄膜腐蚀工艺主要是采用湿法腐蚀，所以要选择合适的腐蚀液。
3、在制造微机电系统时，其中最主要的环节是frame，主要由哪几种工艺，每一种工艺的条件 制作薄膜有几种工艺，每一种工艺的优缺点。答：标准工艺有体硅工艺和表面工艺。体硅工艺：
1、定义键合区；光刻，刻蚀键槽。
2、扩散参杂；离子注入形成接触区，用于轻掺杂沉底。
3、形成金属电极；光刻，腐蚀玻璃形成浅槽，溅射Ti/Pt/Au，剥离形成金属电极。
4、硅/玻璃阳极键合；双面对准，误差5um。
5、硅片减薄；减薄（80-100um）KOH腐蚀，机械减薄，玻璃面划片。
6、ICP刻蚀；溅射AI，光刻，刻蚀AI，IPC刻蚀Si，释放结构。表面工艺：
1、上层电极；淀积氧化硅，淀积氮化硅，淀积多晶硅，光刻，掩模，刻蚀多晶硅。
2、下层电极：淀积氧化硅，淀积氮化硅，淀积多晶硅，光刻，掩模，刻蚀多晶硅。
3、牺牲层：淀积PSG，光刻，刻蚀PSG。
4、刻蚀支撑点：光刻，刻蚀PSG。
5、淀积多晶硅：点击多晶硅，应力调整。
6、刻蚀多晶硅：光刻，刻蚀多晶硅。
7、释放结构：牺牲层腐蚀，防粘附处理。制作薄膜方法:
1、2、化学沉积：源材料通过化学反应生成所材料沉积到沉底表面。（气相和液相）物理沉积：源材料直接转移到沉底表面形成薄膜。（通常为气相淀积）
制作薄膜工艺：PVD工艺，CVD工艺； PVD工艺：物理气相沉积（PVD）；
基本原理：在真空状态下，加热源材料，是原子或分子从源材料表面逸出从而在衬底上生长薄膜的方法。优点：
设备简单、操作容易、薄膜纯度高、成膜速率快。缺点：
薄膜与衬底附着力小、台阶覆盖差。CVD工艺：
特点：反应物和副产物为气体，成膜速度快，薄膜的成分精确可控，淀积膜结构完整、致密，与衬底粘附性好，极佳的台阶覆盖能力，可以获得平滑的沉积表面，CVD某些成膜温度远低于体材料的熔点，可得到高纯度、结晶完全的膜层。
第四题：简单的回答题
10分 如何来制作一个悬臂梁？工艺有哪些？主要考牺牲层工艺。答：
第1 步,在清洗后的硅约束基底上长215 μm厚的PSG膜。
第2 步,利用光刻得到制作覆盖在PSG表面的用于刻蚀PSG膜的掩模1 ,采用等离子干法刻蚀方 法(RIE ,Reactive Ion Etch)刻蚀PSG膜。
第3 步,利用光刻得到制作覆盖在PSG表面的用于沉积氮化硅(SiNx)和铝(Al)膜的掩模2。第4 步,利用掩模2 ,在硅约束基底和PSG膜上长0.5μm 厚的氮化硅(SiNx)膜。第5 步,在氮化硅(SiNx)膜上溅射0.3 μm 厚铝膜,形成双材料梁。第6 步,最后把余留的光刻胶和其上的Au 一起去除,最后,牺牲层的释放。
工艺：备片，淀积，退火。光刻，刻蚀，去胶，光刻，淀积，退火，溅射，去胶，释放。
MEMS 可变电容的制作工艺中的牺牲层释放
牺牲层技术：是制造表面微机械结构的关键与核心技术,所谓牺牲层技术就是利用不同材料在1 种腐蚀液(或腐蚀气体)中腐蚀速率的巨大差异,选择性的腐蚀去掉结构层薄膜下面的1 层材料(即牺牲层材料),从结构层下面将牺牲层选择性的腐蚀掉,留下的结构层与衬底表面分开(这一步腐蚀牺牲层工艺一般称之为释放),形成了表面距离等于牺牲层厚度的悬空梁结构。牺牲层技术的关键在于牺牲层材料及腐蚀液,要使该腐蚀液对牺牲层腐蚀得很快而对牺牲层上、下方的结构膜材料腐蚀得很慢,二者的腐蚀速率之比越大,机构膜层受影响就越小,实现 的机构就越精确与理想。
4、所谓“表面牺牲层”技术，即在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中，先在下层薄膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件，再用化学刻蚀剂将此层薄膜腐蚀掉，但不损伤微结构件，然后得到上层薄膜结构（空腔或微结构件）。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用，故称其为牺牲层
尺寸效应：所谓的尺寸效应是指在经典宏观规律适用的条件下，结构和器件的性能随特征尺度减小发生的变化。尺寸效应对MEMS的影响：在当前MEMS所能达到的尺度下，宏观世界基本的物理规律仍然起作用，但由于尺寸缩小带来的影响，许多物理现象与宏观世界有很 大区别，相应物理量的作用可能发生急剧变化，而且与尺寸不一定成线性关系。原先在宏观结构中占主导作用的物理量在微结构和器件中的作用可能下降，而另一些 次要作用力却上升到主导地。
凝胶：柔软而具有一定强度，在溶剂中不溶解，加热不熔化的轻度化学交联的聚合物。压电材料：压电材料是受到压力作用时会在两端面间出现电压的晶体材料。
硅片键合技术：硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。
第四篇：机电系统整改措施
机电系统整改措施
目前存在的主要缺陷主要是：矿井供电为单回路、井下通风机未实现三专、临时主排水设备单台运行，无备用泵，排水管路不完善，现入井电源电缆采用YJV非矿用电缆。
1、为集中抓好矿井供电、排水系统的不足，首先重点解决矿井供电双回路王家庄至正文35KV线路跨铁路段的线路架设，预计11月底完成该线路的架设。实现矿井供电双回路。井下完成集中胶带机头变电所设备安装工作，作为井下临时供电的主配电室，实现10KV入井电源双回路。机头变电所内安装一台200KVA风机专用变压器，实现局扇通风机“三专”，矿井供电由6KV单回路改为10KV双回路供电。同时撤出现入井6KV电源。风井井底、副井井底临时水仓各增设1台主排水泵，分别为：型号：MD85—45×7，功率：132KW；型号：D46—30×8，功率：55KW。使临时主排水系统实现1台运行1台备用，双回路供电。作为矿井二期工程施工的供电与排水系统，以上各项工程11月底完成。
2、进一步做好井下主变电所、主排水泵的安装准备工作，11月底完成35KV变电站至井下主变电所两条3×240mm²电缆的敷设工作，为下一步永久供电、排水系统的形成做好准备工作。
第五篇：机电系统汇报材料
机电系统汇报材料
机运系统在两级公司和矿党政正确领导下，紧紧围绕安全示范矿井建设，以管理、装备、培训为工作重点，大力开展整章建制，完善标准，质量标准化，示范工程建设，系统建设完善，重大隐患治理活动。以机运系统能力核定，地面库房、厂房专项整治及治理达标为重点工作，大力开展亮点工程建设、系统建设。机运系统各项工作进展有序，循序展开，取得了较好成绩。
二、供电理方面：
1、以红头文件形式下发了春、秋两季电气预防性检查工作安排，并对检查项目进行一一落实考核。
2、五采区2#变电所已高达标治理完成，成为集团公司井下变电所的亮点工程。
3、金山沟风机房、变电所高标准投用。
4、对平峒6KV变电所617、618回路进行了调整，北区中央变带五采区1#变电所二回路高开进行了合并、更换，目前井上下双回路供电实现了分列运行，提高了供电系统的可靠性。
5、矿井双电源环供问题：积极与汾河公司、临汾供电工程公司联系，目前刘家垣站已改造完成，由于铺设时下1-4#杆塔下方有八趟10KV线路，线路只铺设完成，预计十月中旬可投用。
6、对电缆进行了高标准治理，治理效果井下电缆全部整挂一条线。
7、由于季节变化，井下潮湿比较严重为了保证矿井供电系统的正常运行，降低事故发生率，组织相关人员对井下所有电器设备及各队组的防潮台帐进行了全面检查。
8、35KV站主变增容改造基建工程全部完工，十月中旬全部手续审批完毕后可投用。
9、井上、下电网监测、监控系统”现网线敷设以全部完工，十月十五日前可调试投用。
10、对井下各变电所进行系统调整实现机电下发供电系统要求一台高开带一台移变的供电系统。
二、机电运输管理方面：
1、修订完善了《机电管理制度》、《各机电工种岗位责任制》、《机电工种岗位危险源辨识》，并装订成册。
2、制定下发了《机电包机组管理责任制考核制度》、《关于开展机电质量标准化达标及示范工程建设活动的工作安排》、《矿井关键环节设备定期强制检修管理规定》、《示范主胶带输送机标准》、《示范主提升机房标准》、《示范井下人车站台标准》、《钢丝绳管理规定》、《关于开展机电运输隐患专项整治活动工作的安排》等文件。
3、抓好机电培训工作，一是开展好电钳工岗位练兵培训人人过关活动，培训合格率100%。
4、机电科加大了井下电气设备完好，防爆检查力度，并按标准进行评分考核。
5、机分车间分区检修，规类摆放、程序化作业，成为我矿地面亮点工程一次通达标验收条，受到集团公司领导高度赞扬。
6、北区站台架空线高标准治理投用。
7、顺利完成了金山沟风机安装投用工作，解决了原风机老化风叶不能调整问题，现风机运行良好。
8、对南北区煤库安装投用了三套电 动漏煤斗，实现了自动漏煤提了装车效率降低了工人劳动强度。
9、对地面原煤系统104皮带机减速器进行了进口化改造，解决了104皮带独苗问题，实现了104皮带有备用有检修。
10、对21台电机车进行了完好治理，并对10台电机车进行了载波改造，已投用效果良好，对人车进行了全面检修，并进行喷漆防腐；
11、对地面原煤矸石山安装可视挡车器一套；
12、组织运输工区对矸石山翻矸架进行了更换，且使用效果良好。
13、根据山西焦煤、霍州煤电两级公司的有关文件精神及安排，我矿成立了核算领导组，并严格遵照《煤矿生产能力核定与管理指南》有关要求，对矿井机电系统进行认真调查、反复核算，依此完成了报告书。
14、根据矿统一安排开展各种工种“岗位描述手指口述”活动，机电科安排检查落实，并进行了详细分工，由科长牵头各负责人参加对机电系统电各单位的皮带司机、采煤机司机、刮板机司机、综掘机司机、绞车司机、电机车司机、配电工、维修工、主扇司机、矿灯发放工等工种进行“岗位描述手指口述”熟练程度检查。共检查 569人，截止9月25日以全部合格。
15、五采区水仓基建工程已全部完成，设备已入井，安装所需材
料配件于26日可回矿，10月10日前可安装完成。
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