半导体物理第七章总结复习_北邮

第一篇：半导体物理第七章总结复习_北邮

第七章

一、基本概念

1.半导体功函数:半导体的费米能级EF与真空中静止电子的能量E0的能量之差。

金属功函数：金属的费米能级EF与真空中静止电子的能量E0的能量之差 2.电子亲和能:要使半导体导带底的电子逸出体外所需的最小能量。3.金属-半导体功函数差o:(EF)s-(EF)m=Wm-Ws 4.半导体与金属平衡接触平衡电势差:

VDWmWsq

5.半导体表面空间电荷区 : 由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在表面相当厚的一层表面层内，即空间电荷区。表面空间电荷区=阻挡层=势垒层 6.电子阻挡层：金属功函数大于N型半导体功函数（Wm>Ws）的MS接触中，电子从半导体表面逸出到金属，分布在金属表层，金属表面带负电。半导体表面出现电离施主，分布在一定厚度表面层内，半导体表面带正电。电场从半导体指向金属。取半导体内电位为参考，从半导体内到表面，能带向上弯曲，即形成表面势垒，在势垒区，空间电荷主要有带正电的施主离子组成，电子浓度比体内小得多，因此是是一个高阻区域，称为阻挡层。【电子从功函数小的地方流向功函数大的地方】

7.电子反阻挡层：金属功函数小于N型半导体功函数（Wm

10.半导体表面势: 取半导体体内为参考电位，半导体表面的势能Vs。.表面态: 在半导体表面处的禁带中存在着表面态，对应的能级称为表面能级。表面态一般分为施主型和受主型两种。若能级被电子占据时呈中性，施放电子后呈正电性，成为施主型表面态；若能级空着的时候为电中性，接收电子后带负电，则成为受主型表面态。一般表面处存在一个距离价带顶为qf的能级，电子刚好填满该能级以下所有表面态时呈电中性。电子填充了该能级以上部分则表面带负

qVDqVsWmWs 电，电子未填充满该能级以下的所有能级则表面带正电。

12.钉扎效应: 若表面态密度高，金属半导体接触时，电子充入或放出表面态，半导体表面形成与体内符号相反的电荷、形成高度为2/3半导体禁带宽度的表面势垒，费米能级钉住在表面中性能级上。

半导体电子逸出到金属的势垒高度基本不变，与半导体掺杂浓度、金属功函数无关，只与表面中性能级位置有关。功函数差产生的接触电势差大部分降落在金属表面与半导体表面之间，少部分降落在半导体表面势垒区。

13.施主型表面态: 电子占据时为电中性、无电子时带正电的表面态为施主型表面态。

14.受主型表面态: 无电子时为电中性，有电子时带负电的表面态为受主型表面态。

15.表面中性能级: 价带顶以上约1/3禁带宽度处的能级是表面中性能级。16.表面态密度：

17.理想欧姆接触: 非整流接触，不产生明显阻抗，不使半导体平衡载流子浓度发生显著改变，线性对称电流-电压关系。

18.接触电阻: 19.高低结: N+N 结或 P+P 结, 内建电场从高杂质浓度区指向低杂质浓度区。20.肖特基势垒二极管: 特点： <1>正向电流由半导体多子注入金属形成，注入电子在金属中不积累，直接漂移流走，高频特性好；<2>正向导通电压0.3V左右，比PN结二极管低；<3>制作工艺简单；<4>制作MS结构后，不能有高于金属-半导体合金温度的工艺；

21.MS肖特基模型: 当金属和半导体接触时，不考虑接触界面状态的影响，电子从功函数较小材料逸出到功函数较大材料，接触面附近两种材料表面状态变化，产生阻止半导体多子继续转移的接触电势差，当功函数差引起的电子转移和接触电势差阻止转移达到平衡时，金属和半导体的费米能级相等，形成稳定的MS接触势垒。

22.MS巴丁模型:<1>表面态在禁带中准连续分布；<2>价带顶以上约1/3禁带宽度处的能级是表面中性能级。<3>平衡过程中，表面中性能级高于体费米能级时，表面态放出电子带正电，表面附近体内带负电，能带下弯曲；表面中性能级低于体费米能级时，电子充入表面态带负电，表面附近体内带正电，能带上弯曲；<4>若表面态密度很高，体费米能级被“钉住”在表面中性能级，表面中性能级始终等于体费米能级。

二、图像

1.金属-N型半导体接触形成电子阻挡层情况下的能带图

2.金属-N型半导体接触形成电子反阻挡层情况下的能带图

3.正向偏压下，金属/N型半导体接触能带图表示

4.金属与半导体欧姆接触的基本结构示意图

三、论述题

1.扩散理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 答：

扩散理论在计算肖特基势垒二极管的IV特性时，以“厚势垒层”方式进行，即根据电流密度的连续性，计算通过势垒区任意点的电流密度，该电流密度包括扩散和漂移，通过对整个势垒区积分，将外加偏压的作用考虑在电流中（势垒区厚度时外加偏压的函数），从而得到IV特性。

扩散理论：半导体表面与金属自由交换电子，即使在外加电压下，半导体表面电子浓度始终等于表面平衡电子浓度，电流主要由因子exp(qV/k0T)-1决定。扩散理论适合阻挡层宽度远大于载流子平均自由程（半导体杂质浓度很低）的情况

2.热电子发射理论模型对肖特基势垒二极管电流-电压关系的解释 答：

热电子发射理论在计算肖特基势垒二极管的IV特性时，以“薄势垒层”方式进行，通过计算垂直于MS接触面、能量高于半导体势垒顶点的电子浓度（这部分浓度与外加偏压有关）得到电流密度与偏压的关系。

热电子发射理论：金属电子进入半导体的势垒高度不随外加电压变化，其电子电流密度等于不加电压时从半导体到金属的电子电流密度（方向相反），流过MS接触的热电子发射总电流密度JJsmJmsATe2qnsk0T(eqVk0T1)JsT(eqVk0T1)，与外加电压无关，强烈依赖温度。热电子发射理论适合阻挡层宽度远小于载流子平均自由程（半导体杂质浓度很高）的情况。

【MS肖特基势垒二极管两种理论的推导不必掌握其每个步骤，只要求掌握方法】 3.形成金属与半导体欧姆接触的基本原理和手段 答: 重掺杂的pn结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。

4.肖特基势垒二极管的主要特点 答：特点：

<1>正向电流由半导体多子注入金属形成，注入电子在金属中 不积累，直接漂移流走，高频特性好；

<2>正向导通电压0.3V左右，比PN结二极管低； <3>制作工艺简单；

<4>制作MS结构后，不能有高于金属-半导体合金温度的工艺；

公式：

半导体功函数计算

按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度

3.MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率

Pe 4h2mn212x1E(x)Ex212dx

三、公式

1.半导体功函数计算；

2.按肖特基功函数模型计算MS接触电势差、势垒高度； 3.MS接触中，电子隧道穿透半导体表面势垒的几率；

第二篇：北邮专业课复习经验Document

一直想着结果出来后写点什么，现在终于能够静下心来写下这篇文章，来回馈论坛。感谢那些曾经帮助过我的人，感谢张师姐，从初试到成绩出来后直到复试都一直帮助我，感谢网上的朋友（枫哥，超哥…），感谢BYR论坛，里面好多热心的师兄师姐，感谢我的女朋友陪伴我走过了考研这辛苦但又充实的一年，更加感谢我的父母，一直默默无闻的在背后支持我。废话有点多了，先说下我自己的情况，以便给13考研的学弟学妹们一点参考。我本科是一所很很普通的2本，本科读的是信息安全专业，出于对本专业的热爱，经过深思再三最终报考了北邮计算机院的信息安全专业，本科没有啥项目经历。

好了，我的804今年是123分，不算高的分数，所以就我自己的经历说下804的复习，以供参考。有啥说的不对的地方，还希望有人可以更正。

我是快到9月份才开始确定报考北邮的，起初的定的是北交和北邮2所高校。北交的信安专业课是操作系统，北邮的是804，那时候网上报名的时候也是申请了2个号，2个学校都报考了，等到定的时候，最终还是选择了北邮，因为我想拼一把！

我本科学习过信号系统，所以基础还是有的，我就先用了一个月的时间把《信号与系统》上下册的那种对照着考试大纲，看了一遍，这个过程大概用了一个月的时间。这个时候就10月份了，然后又再网上买了本804必备的《信号系统考研指导》吕玉琴老师编写的。买好书后大概就到10月10号左右了（我的进度确实是有点慢），这个慢的主要原因：是我的犹豫不决导致的（在北邮和北交2所学校徘徊），这个很吃亏，所以我提醒13年考试的一定要尽早选定学校，要不到最后耽误的是自己！

买好参考书后，我用了大概1个多月的时间又把参考书过了一遍。上面的公式及其推到过程都自己证明和思考了一遍，这种思考是很有必要的，一定要经常思考，不能照搬书上的。这样的学习才能有效率！另外要对着大纲看书。离散的好多年没有考过了，信号这几年考试都没有离散信号方面的。

这2本书看完后，大概就到了11月中旬了吧，当时我感觉就看这2本书是远远不够的。11月中旬到12月中旬，这1个月我又买了804的视频，当时时间紧迫，这1个月我就每天下午看《指导》，晚上看视频，视频我每天都是晚上10点回去，洗洗然后就坐在那看，一直到晚上2点。看视频的日子持续了有半个月，那段时间真的是熬得不行了，晚上2点睡觉后，早上还要7点多点就起床，去背英语和政治。因为我前期浪累了太多的时间。看视频前要有笔有纸，这样可以一边看，一边演算，一边思考。这1个月那个《指导》我又看了3遍。题目也是每题都自己演算。视频看了1遍。中间还穿插这真题（《指导》后面带的有）。这过程下来后，就大概就快到考试了，最后的时间也是温习前面做过的题目。个人的感觉：804这几年题量大，题目难度有逐步上升的趋势。所以一定要练习下自己的做题速度，在考场上也要懂得取舍，今年题目我就有1个半大题没有写完。不过要保证你做过的小题都是对的！这才是王道！

804必备神器：1.《信号与系统》上下册，或者1本的都行郑君里编。

2.《信号与系统考研指导》吕玉琴编

3.真题，不过2中包含的有，也不用打印了。

考试前，我1过了1遍，2过了4遍，3过了2遍。

考研个人经验：1.一定要尽早确定报考院校，不要徘徊不定。

2.尽量找几个志同道合的人一块复习。

3.初试分数要尽可能的高。

4.要对自己有信心！这点是最重要的！

就写这么多吧，仅供13年的学弟学妹们参考。

PS：视频是绑定电脑的，所以无法分享。

第三篇：内蒙古大学半导体物理期末复习简答题

第一章

1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。

答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。

当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。5.简述有效质量与能带结构的关系；

答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。

6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？ 外场对电子的作用效果有什么不同；

答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F作用下，电子的波失K不断改变，fhdk,其变化率与外力成正dt比，因为电子的速度与k有关，既然k状态不断变化，则电子的速度必然不断变化。7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度? 答：沿不同的晶向，能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带，这个时候的能量就是最小能量，也就是禁带宽度。

2.为什么半导体满带中的少量空状态可以用具有正电荷和一定质量的空穴来描述? 答：空穴是一个假想带正电的粒子，在外加电场中，空穴在价带中的跃迁类比当水池中气泡从水池底部上升时，气泡上升相当于同体积的水随气泡的上升而下降。把气泡比作空穴，下降的水比作电子，因为在出现空穴的价带中，能量较低的电子经激发可以填充空穴，而填充了空穴的电子又留下了一个空穴。因此，空穴在电场中运动，实质是价带中多电子系统在电场中运动的另一种描述。因为人们发现，描述气泡上升比描述因气泡上升而水下降更为方便。所以在半导体的价带中，人们的注意力集中于空穴而不是电子。第二章

1.说明杂质能级以及电离能的物理意义。为什么受主、施主能级分别位于价带之上或导带之下,而且电离能的数值较小？

答：被杂质束缚的电子或空穴的能量状态称为杂质能级，电子脱离杂质的原子的束缚成为导电电子的过程成为杂质电离，使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量成为杂质电离能。杂质能级离价带或导带都很近，所以电离能数值小。

2.纯锗,硅中掺入III或Ⅴ族元素后,为什么使半导体电学性能有很大的改变？杂质半导体(p型或n型)应用很广,但为什么我们很强调对半导体材料的提纯? 答：因为掺入III或Ⅴ族后，杂质产生了电离，使得到导带中得电子或价带中得空穴增多，增强了半导体的导电能力。极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响，当然，也严重影响着半导体器件的质量。

3.何谓深能级杂质，它们电离以后有什么特点？

答：杂质电离能大，施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。特点：能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级。

4.为什么金元素在锗或硅中电离后可以引入多个施主或受主能级？

答：因为金是深能级杂质，能够产生多次电离，每一次电离相应的有一个能级，因此，金在硅锗的禁带往往能引入若干个能级。5.说明掺杂对半导体导电性能的影响。

答：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。

6.说明半导体中浅能级杂质和深能级杂质的作用有何不同？

答：深能级杂质在半导体中起复合中心或陷阱的作用。

浅能级杂质在半导体中起施主或受主的作用

7.什么叫杂质补偿，什么叫高度补偿的半导体，杂质补偿有何实际应用。答：当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先相互抵消，剩余的杂志最后电离，这就是杂质补偿，若施主电子刚好填充受主能级，虽然杂质很多，但不能向导带和价带提供电子和空穴，这种现象称为杂质的高度补偿。利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。8.什么是半导体的共掺杂答：掺入两种或两种元素以上 第三章

1.半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态，其物理意义如何？ 载流子激发和载流子复合之间建立起动态平衡时称为热平衡状态，这时电子和空穴的浓度都保持一个稳定的数值，处在这中状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。

2.什么叫统计分布函数，费米分布和玻耳兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者可以过渡到后者，为什么半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述？

统计分布函数描述的事热平衡状态下电子在允许的量子态如何分布的一个统计分布函数。当E-EF>>kT时，前者可以过度到后者。

3.说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。

费米能级的意义：当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统增加一个电子所引起的系统自由能的变化，等于系统的化学能。n型掺杂越高，电子浓度越高，EF就越高。

4.在半导体计算中,经常应用这个条件把电子从费米能级统计过渡到玻耳兹曼统计,试说明这种过渡的物理意义。E-EF>>kT时，量子态为电子占据的概率很小，适合于波尔兹曼分布函数，泡利原理失去作用，两者统计结果变得一样了。5.半导体本征载流子浓度的表达式及其费米能级 载流子浓度：ni=n0p0=(NcNv)1/2exp(-Eg/2kT)费米能级：Ei=Ef=（Ec+Ev）/2+(3kT/4)*ln(mp/mn)8.为什么硅半导体器件比锗器件的工作温度高？

硅的禁带宽度比锗大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。

6.当温度一定时,杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n,弱n型半导体与强p,弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。决定因素：掺杂浓度，掺杂能级，导带的电子有效态密度等。

费米能级比较 ：强n>弱n>本征>弱p>强p 7.如果向半导体中重掺施主杂质,就你所知会出现一些什么效应？

费米能级深入到导带或者价带中 第四章

1.试从经典物理和量子理论分别说明载流子受到散射的物理意义。

经典：电子在运动中和晶格或者杂质离子发生碰撞导致载流子速度的大小和方向发生了改变。量子理论：电子波仔半导体传播时遭到了散射。2.半导体的主要散射机制。

电离杂质散射；

晶格振动散射，包括声子波和光学波散射；

其他因素散射：等能谷散射，中性杂质散射，位错散射，合金散射，等。3.比较并区别下述物理概念:电导迁移率，漂移迁移率和霍耳迁移率。电导迁移率：

漂移迁移率：载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小

霍尔迁移率：Hall系数RH与电导率σ的乘积，即│RH│σ，具有迁移率的量纲，Hall迁移率μH实际上不一定等于载流子的电导迁移率μ, 因为载流子的速度分布会影响到电导迁移率

4.什么是声子? 它对半导体材料的电导起什么作用? 声子是晶格振动的简正模能量量子，声子可以产生和消灭，有相互作用的声子数不守恒，声子动量的守恒律也不同于一般的粒子，并且声子不能脱离固体存在。

电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。5.平均自由程，平均自由时间，散射几率

平均自由程：电子在受到两次散射之间所走过的平均距离；平均自由时间：电子在受到两次散射之间运动的平均时间；

散射几率:用来描述散射的强弱，代表单位时间内一个载流子受到散射的 次数。

6.一块本征半导体样品,试描述用以增加其电导率的两个物理过程。提高迁移率和和提高本征载流子浓度

7.如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体, 问哪一个材料的少子浓度高，为什么？

锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。

8.光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？ 光学波散射：弹性散射，散射前后电子能量基本不变。主要在离子性晶体中起作用声学波散射：非弹性散射，散射前后电子能量发生改变。主要在共价性晶体中起作用。

8.说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化？

迁移率随温度的升高逐渐降低

9.电导有效质量和状态密度有效质量有何区别？ 它们与电子的纵向有效质量和横向有效质量的关系如何？

当导带底的等能面不是球面时，不同方向的电导的有效质量就不同，且态密度分布可能不同，通过把不同的电导有效质量进行加权平均，就可以换算得到状态密度的有效质量。

10.对于仅含一种杂质的锗样品,如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量 ？进行霍尔系数测量和回旋共振法测有效质量。11.解释多能谷散射如何影响材料的导电性。

多能谷之间有效质量不同导致迁移率不同，当电子从一能谷跃迁到另一能谷时，迁移率会减低，导致导电性降低。

12.解释耿氏振荡现象，振荡频率取决于哪些参数？

耿氏振荡来源于半导体内的负微分电导，振荡频率决定于外加电压和器件的长度。14.半导体本征吸收与本征光电导

本征吸收：半导体吸收光子能量大于带隙的光子，使电子直接跃迁到导带。

又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

13.光电导灵敏度与光电导增益因子

光电导灵敏度：单位光照度所引起的光电导

增益因子：铜一种材料由于结构不同，可以产生不同的光电导效果，用增益因子来表示光电导的增强。第五章

1.区别半导体平衡状态和非平衡状态有何不同？ 什么叫非平衡载流子？ 什么叫非平衡载流子的稳定分布？

半导体的热平衡状态是相对的，有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平衡态的半导体比平衡态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。1.掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？ 试从物理模型上予以说明。

掺杂：增加浓度，温度：增加本征载流子 光照：产生非平衡载流子，增加载流子数目

2.在平衡情况下，载流子有没有复合这种过程？为什么着重讨论非平衡载流子的复合过程？

3.为什么不能用费米能级作为非平衡载流子浓度的标准而要引入准费米能级？费米能级和准费米能级有何区别？

当热平衡状态受到外界影响，遭到破坏, 使半导体处于非平衡状态,不再存在统一的费米能级,因为费米能级和统计分布函数都是指热平衡状态下而分别就价带和导带中的电子来说,它们各自基本上处于平衡状态,导带和价带之间处于不平衡状态，准费米能级是不重合的。

4.在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的，但为什么说半导体处于非平衡状态？光照是外部条件，5.说明直接复合、间接复合的物理意义。

直接：电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起的电子和空穴的复合消失过程 间接复合：电子空穴通过禁带中的能级复合；

6.区别: 复合效应和陷阱效应，复合中心和陷阱中心，俘获和复合，俘获截面和俘获几率。复合效应：

陷阱效应：积累非平衡载流子的作用。相应的杂质和缺陷为陷阱中心

8非辐射复合主要有哪几种？非辐射复合：表面复合；深能级复合；俄歇（Auger）复合；

第四篇：北邮数据库期中知识点总结

Chapter 1.Introduction to Database 数据库很重要

数据库的前身是文件系统： 概念 自己管自己 –> 数据孤立 冗余 数据依赖性差(一个改了与它相关的全部重写)文件格式不相容

查询固定 应用程序翻新 数据库的定义

数据库表现了实体（staff）属性（staffno）逻辑关系（外键）DBMS 定义

提供了DDL DML 语句 视图机制 环境五要素 硬件（电脑）

软件（APPDBMS自身）数据

过程（登陆）

人（DA DBA，DB designer，app developer，user）

历史

第一代 SYSTEM R 第二代 关系DBMS 第三代 面向对象的 对象关系的

优缺点

Chapter 2.Database Environment 最常用的DBMS就是ANSI-SPARC结构

目标 结构

外部 用户 【视图】 概念 团体 【表】 内部 文件 【索引】

层与层之间的关系

外部/概念映射 概念/内部映射

Chapter 4.Relational Algebra 根据2.3 data model 我们知道 数据模型分为：

面向对象的 基于关系的：

Relation data model

Network data model Physical data model 物理的

而数据模型的三个组成部分为： ·结构[由一组创建数据库的规则组成]（SEE IN CHAPTER 3）

数据模型之关系模型的结构是用表表示的，表的组成，也就是表的结构，如行，列等在第三章讲过。

·操作

这一章主要讲关系模型的操作，该操作是通过关系代数来完成的。

·完整性

SEE IN 3.3 关系模型的完整性：

NULL 没有值得时候用NULL表示 而不是0或空格 Entity integrity 主键不能为空

Reference 如果一个键是外键 不能凭空在这里加东西 Enterprise 自定义约束

关系的操作是闭包的，关系的运算结果还是关系。五大基本关系运算：

·选择selection 相当于WHERE ·投影projection =SELECT ·笛卡儿积cartesian product ·并 union ·集合差 set difference Join连接 intersection 交 division 除 都能用五大基本操作表示 其中 选择和投影是一元操作

·选择：σpredicate(R)= select* from R where predicate=‘’ i.e.σsalary > 10000(Staff)·投影：Πcol1,..., coln(R)= select col1,..., coln from R ΠstaffNo, fName, lName, salary(Staff)= select staffno, fname,lname

From staff ·并 Πcity(Branch)∪ Πcity(PropertyForRent)·减 ·交 ·笛卡尔 ·连接

Theta join(θ-join)R FS = σF(R Χ S)R与S 在F 条件下连接 自然连接 有公共的连接起来

左外连

有公共的+左边的 右外连

有公共+右边 全外连 有公共+全部

半连接 参与θ

连接的左边的属性

·除

第五篇：半导体物理课程教学大纲

《半导体物理》课程教学大纲

课程编号：C030001 适用专业：微电子技术，微电子学

学时数：72（实验12）学分数：4．5

先修课程：《热力学与统计物理学》、《量子力学》和《固体物理学》

考核方式：闭卷

执笔者：刘诺

编写日期：2004.5

一、课程性质和任务

《半导体物理学》是面向电子科学与技术方向本科生所开设的微电子技术专业和微电子学专业的一门专业基础课和学位课，是培养方案中的核心课程之一。开设的目的是使学生熟悉半导体物理的基础理论和半导体的主要性质，以适应后续专业课程的学习和将来工作的需要。

二、教学内容和要求

理论教学（60学时）

半导体中的电子状态（8学时）：

理解能带论。掌握半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机构、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。半导体中的杂质和缺陷能级（5学时）：

掌握锗、硅晶体中的杂质能级，Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体的杂质能级。理解缺陷、位错能级。

热平衡时半导体中载流子的统计分布（10学时）：

掌握状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。理解一般情况下的载流子的统计分布。了解简并半导体。半导体的导电性（8学时）：

掌握载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程。了解电导的统计理论。理解强电场效应，热载流子。

非平衡载流子（8学时）：

掌握非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、爱因斯坦关系，理解连续性方程。

p-n结（0学时）：

了解p-n结及能带图，p-n结的电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿和p-n结隧道效应。

异质结（0学时）：

了解异质结及其能带图和异质结的电流输运机构。金属和半导体的接触（10学时）：

掌握金属和半导体接触的整流理论。理解少数载流子的注人，欧姆接触。

半导体表面理论（10学时）：

掌握表面态、表面电场效应，MIS结构的电容一电压特性，理解硅一二氧化硅系统，表面电导及迁移率。

半导体磁效应（1学时）：

掌握霍耳效应。

为巩固课堂讲授的基本概念和基本理论，培养学生分析问题和解决问题的能力．每章讲完后，需布置一定分量的课外作业。必做题约40道，选做题平均每章3－5题。

2.实验教学（12学时）

“ 半导体物理实验 ” 包括了六个实验，MOS结构高频C－V特性测试、MOS结构准静态C－V特性测试、MOS结构中可动电荷测试、霍尔效应、椭偏法测SiO2 层的厚度及折射率、及参数测试以及高频光电导衰减法测量Si单晶少子寿命。教师根据实验设备数量选做四个实验。

教师在课堂讲解每个实验的基本原理、测试内容及实验要求，交待实验注意事项。•

学生分组做实验，每组2人。要求学生必须自已动手做实验，独立处理实验数据，完成实验报告，回答思考题。

三、建议教材和参考资料

1.教材：（半导体物理学），西安交大刘恩科主编

2.参考资料：

（1）Fundamental of Solid-State Electronics，Chih-Tang Sah（U.S.A.）

（2）《半导体物理学》，叶良修编

（3）《半导体物理学》，顾祖毅编

（4）《半导体物理实验指导书》，自编讲义