k线分析实验

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第一篇:k线分析实验

K线分析实验

一、实验目的熟悉和掌握常见K线形态的分析研判

二、实验要求

1.根据实验目的,确定实验具体对象、设计实验思路。

2.自己拟定实验步骤,用文字、图表、流程图、表格等形式记录实验分析过程。

3.根据实验步骤,结合其他因素分析之后,总结实验,得出实验结论。

三、实验内容

1.选择若干股票或同一股票近期的K线走势图,分析日线图中最后一根K线的实体和影线。

2.选择若干股票或同一股票近期的K线走势图,分析日线图中最后若干根K线的构成的组合。

3.选择若干股票或同一股票近期的K线走势图,分析周线图中最后一根K线以及K线组合。

4.选择若干股票或同一股票近期的K线走势图,分析其他周期或其他股票走势图中的K线。

四、实验步骤

(自己拟定)

五、实验结论

第二篇:线损分析

配电网的电能损耗不仅与电网的结构和负荷性质有关,而且还与企业的管理水平有关。在供电所的线损管理中,管理线损是左右统计线损的一个重要因素。由于这种损失无规律可循,又不易测算,通常又称之为不明损耗。因管理不到位形成的电能损失在整个实际线损中占有较大的比重,在某些地方,部分环节甚至还相当严重。通过线损分析,可以深入了解本单位线损的起因、性质、各组成部分所占比例等因素,找出影响损失的主要因素,并有针对性地采取相应的措施,以较少的投入取得较大的降损效果和经济效益。

一、线损分析方法

1、分片分析

线损分析应按电压等级、分线路、分台区进行,以掌握线损电量的组成,找出薄弱环节,明确主攻方向。

2、扣除无损电量分析

将无损的用户专用线、专用配电变压器、通过用户的转供电等相应的售电量扣除后进行统计分析,以求得真实的线损率。

3、与历史同期比较分析

有些用电负载与季节有关系。随季节变化而变化(如农业用电)。而且,同期的气象条件也基本一致,所以与历史同期的参数值比较,有很大的可比性,通过比较能够发现问题。

4、与平均线损率比较分析

一个连续的时间较长的平均线损率,能够消除因负载变化、时间变化、抄表时间差等因素造成的线损波动现象,这样的平均线损率能反映线损的实际状况。与该平均线损相比较,就能发现当时的线损是否正常。

5、与理论线损对比分析

实际线损与理论线损的偏差的大小,能看出管理上的差距,能分析出可能存在的问题,并结合其他分析方法,找出管理中存在的问题,然后采取相应措施。

6、电能平衡分析

计量总表与分表电量的比较,用于监督电能计量设备的运行情况和变电站本身耗能情况。这是很有效的分析方法,经常开展这项活动能够及时发现问题,及时采取措施,使计量装置保持在正常运行状态。

7、与先进水平比

将本单位的线损完成情况,与周围单位比,就能发现本单位在电网结构和管理中存在的差距。

二、对几个影响线损的因素定性研究

1、线损电能损失分布规律

在线路中,电能损失不是平均分布的,线路前端损失大,主干损失大于分支损失。

2、线路结构对损失的影响

电源应放在负荷中心,使电网呈网状结构,线路向周围辐射,这种电网结构,损失最小。应尽量避免采用链状结构。

3、功率因数对线损的影响

在电网中存在着大量感性负载使得线路功率因数低。在同样的功率下,功率因数越低,负载电流就越高,线路损失成平方比增加。要减少损失,就必须减少电流。

4、电能表对低压线损的影响

DD28、DD862机械表表损分别为2W、1.5W,单相电子表表损为0.5W左右,一个月电能损耗分别为1.4Kwh、1kwh和0.4kwh左右。由于我县农村每户用电量仅8度左右,使用不同种类的电表,电能将对线损率水平产生重大影响。

5、三相负荷不平衡对线损的影响 采用三相四线制供电方式,由于用户较为分散(外出用电户多),线路长,如果三相不平衡,则零线中有电流通过,损耗将显著增加。至此,当三相负荷不平衡时,不论在三相线路上是何种负荷分配情况,电流不平衡越大,线损增量也越大,且与电流不平衡度成正比。线损理论计算方法

线损理论计算是降损节能,加强线损管理的一项重要的技术管理手段。通过理论计算可发现电能损失在电网中分布规律,通过计算分析能够暴露出管理和技术上的问题,对降损工作提供理论和技术依据,能够使降损工作抓住重点,提高节能降损的效益,使线损管理更加科学。所以在电网的建设改造过程以及正常管理中要经常进行线损理论计算。

线损理论计算是项繁琐复杂的工作,特别是配电线路和低压线路由于分支线多、负荷量大、数据多、情况复杂,这项工作难度更大。线损理论计算的方法很多,各有特点,精度也不同。这里介绍计算比较简单、精度比较高的方法。理论线损计算的概念 1.输电线路损耗

当负荷电流通过线路时,在线路电阻上会产生功率损耗。(1)单一线路有功功率损失计算公式为 △P=I2R

式中△P--损失功率,W;

I--负荷电流,A;

R--导线电阻,Ω(2)三相电力线路 线路有功损失为

△P=△PA十△PB十△PC=3I2R(3)温度对导线电阻的影响:

导线电阻R不是恒定的,在电源频率一定的情况下,其阻值

随导线温度的变化而变化。

铜铝导线电阻温度系数为a=0.004。

在有关的技术手册中给出的是20℃时的导线单位长度电阻值。但实际运行的电力线路周围的环境温度是变化的;另外;负载电流通过导线电阻时发热又使导线温度升高,所以导线中的实际电阻值,随环境、温度和负荷电流的变化而变化。为了减化计算,通常把导线电阴分为三个分量考虑:

1)基本电阻20℃时的导线电阻值R20为

R20=RL 式中R--电线电阻率,Ω/km,;L--导线长度,km。

2)温度附加电阻Rt为

Rt=a(tP-20)R20

式中a--导线温度系数,铜、铝导线a=0.004;

tP--平均环境温度,℃。

3)负载电流附加电阻Rl为

Rl= R20 4)线路实际电阻为 R=R20+Rt+Rl(4)线路电压降△U为

△U=U1-U2=LZ 2.配电变压器损耗(简称变损)功率△PB

配电变压器分为铁损(空载损耗)和铜损(负载损耗)两部分。铁损对某一型号变压器来说是固定的,与负载电流无关。铜损与变压器负载率的平方成正比。

配电网电能损失理论计算方法

配电网的电能损失,包括配电线路和配电变压器损失。由于配电网点多面广,结构复杂,客户用电性质不同,负载变化波动大,要起模拟真实情况,计算出某一各线路在某一时刻或某一段时间内的电能损失是很困难的。因为不仅要有详细的电网资料,还在有大量的运行资料。有些运行资料是很难取得的。另外,某一段时间的损失情况,不能真实反映长时间的损失变化,因为每个负载点的负载随时间、随季节发生变化。而且这样计算的结果只能用于事后的管理,而不能用于事前预测,所以在进行理论计算时,都要对计算方法和步骤进行简化。为简化计算,一般假设:

(1)线路总电流按每个负载点配电变压器的容量占该线路配电变压器总容量的比例,分配到各个负载点上。

(2)每个负载点的功率因数cos 相同。

这样,就能把复杂的配电线路利用线路参数计算并简化成一个等值损耗电阻。这种方法叫等值电阻法。等值电阻计算

设:线路有m个负载点,把线路分成n个计算段,每段导线电阻分别为R1,R2,R3,…,Rn,1.基本等值电阻Re 3.负载电流附加电阻ReT

在线路结构未发生变化时,Re、ReT、Rez三个等效电阻其值不变,就可利用一些运行参数计算线路损失。

均方根电流和平均电流的计算

利用均方根电流法计算线损,精度较高,而且方便。利用代表日线路出线端电流记录,就可计算出均方根电流IJ和平均电流IP。

在一定性质的线路中,K值有一定的变化范围。有了K值就可用IP代替IJ。IP可用线路供电量计算得出,电能损失计算

(1)线路损失功率△P(kW)

△P=3(KIP)2(Re+ReT+ReI)×10-3

如果精度要求不高,可忽略温度附加电阻ReT和负载电流附加电阻ReI。

(2)线路损失电量△W(3)线损率

(4)配电变压器损失功率△PB(5)配电变压器损失电量△WB(6)变损率 B

(7)综合损失率为 + B。

另外,还有损失因数、负荷形状系数等计算方法。这些计算方法各有优缺点,但计算误差较大,这里就不再分别介绍了。低压线路损失计算方法

低压线路的特点是错综复杂,变化多端,比高压配电线路更加复杂。有单相供电,3×3相供电,3×4相供电线路,更多的是这几种线路的组合。因此,要精确计算低压网络的损失是很困难的,一般采用近似的简化方法计算。

简单线路的损失计算 1.单相供电线路

(1)一个负荷在线路末端时:

(2)多个负荷时,并假设均匀分布:

2.3×3供电线路

(1)一个负荷点在线路末端

(2)多个负荷点,假设均匀分布且无大分支线

3.3×4相供电线路

(1)A、B、C三相负载平衡时,零线电流IO=0,计算方法同3×3相线路。

由表6-2可见,当负载不平衡度较小时,a值接近1,电能损失与平衡线路接近,可用平衡线路的计算方法计算。

4.各参数取值说明

(1)电阻R为线路总长电阻值。

(2)电流为线路首端总电流。可取平均电流和均方根电流。取平均电流时,需要用修正系数K进行修正。平均电流可实测或用电能表所计电量求得。

(3)在电网规划时,平均电流用配电变压器二次侧额定值,计算最大损耗值,这时K=1。

(4)修正系数K随电流变化而变化,变化越大,K越大;反之就小。它与负载的性质有关。

复杂线路的损失计算

0.4kV线路一般结构比较复杂。在三相四线线路中单相、三相负荷交叉混合,有较多的分支和下户线,在一个台区中又有多路出线。为便于简化,先对几种情况进行分析

第三篇:线痕分析

硅片线痕分析

pv600.硅片线痕分析

分类:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下:

1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。

表现形式:(1)线痕上有可见黑点,即杂质点。

(2)无可见杂质黑点,但相邻两硅片线痕成对,即一片中凹入,一片凸起,并处同一位置。

(3)以上两种特征都有。

(4)一般情况下,杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法:(1)改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。

(2)改善切片工艺,采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关:硅锭杂质除会产生杂质线痕外,还会导致切片过程中 出现“切不动”现象。如未及时发现处理,可导致断 线而产生更大的损失。

2、划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中,SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间,无法溢出,造成线痕。

表现形式:包括整条线痕和半截线痕,内凹,线痕发亮,较其它线痕更加窄细。

改善方法:(1)针对大颗粒SIC(2.5~3D50),加强IQC检测;使用部门对同一批次SIC先进行试用,然后再进行正常使用。

(2)导致砂浆结块的原因有:砂浆搅拌时间不够;SIC水分含量超标,砂浆配制前没有进行烘烤;PEG水分含量超标(重量百分比<0.5%);SIC成分中游离C(<0.03%)以及<2μm微粉超标。

其它相关:SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等,各项性能对于切片都有很大的影响。

3、密布线痕(密集型线痕):由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回

路系统问题,造成硅片上出现密集线痕区域。

表现形式:(1)硅片整面密集线痕。

(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。

(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。

(4)部分不规则区域密集线痕。

(5)硅块头部区域密布线痕。

改善方法:(1)硅片整面密集线痕,原因为砂浆本身切割能力严 重不足引起,包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等,可针对性解决。

(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切 割能力不够,回收砂浆易出现此类情况,通过改 善回收工艺解决。

(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机

台内砂浆循环系统问题,如砂浆喷嘴堵塞。在清

洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。

(4)部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度

不均匀,部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决

此问题。

(5)硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。

4、错位线痕:由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板

上有残余胶水,造成液压装置与托板不能完全夹紧,以及托板螺丝松动,而产生的线痕。

表现形式:

改善方法:规范粘胶操作,加强切片前检查工作,定期清洗机床。

5、边缘线痕:由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。

表现形式:一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处,贯穿整片硅片。

改善方法:规范粘胶操作,加强检查和监督。

二、TTV(Total Thickness Variety)

TTV不良,都是由于各种问题导致线网抖动而产生的硅片不良,包括设备精度问题、工作台问题、导轮问题、导向条粘胶问题等。

1、设备精度:

导轮径向跳动<40μm,轴向跳动<20μm。改善方法:校准设备。

2、工作台问题:

工作台的不稳定性会导致大量TTV不良的产生。改善方法:维修工作台。

3、导轮问题:

因导轮问题而产生的TTV不良,一般出现在新导轮和导轮磨损很大的时候。改善方法:更换导轮。

4、导向条粘胶问题:

当导向条下的胶水涂抹不均匀,出现部分空隙,在空隙位置的硅片,易出现TTV不良问题。

改善方法:规范粘胶操作。

三、台阶

台阶的出现,是由切片过程中的钢线跳线引起,而导致钢线跳线的原因,包括设备、工艺、物料等各方面的问题,部分如下:

1、砂浆问题:

砂浆内含杂质过多,没有经过充分过滤,造成钢线跳线。改善方法:规范砂浆配制、更换,延长切片的热机时间和次数。

2、硅块杂质问题:

硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶。

改善方法:改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。

3、单晶停机、切起工艺问题:

单晶相对多晶硬度较大,在异常停机并重新切起的过程中,采用违规操作产生的钢线跳线。

改善方法:严格遵循工艺操作。

4、线、砂工艺匹配问题:

钢线、砂浆型号不匹配造成切片跳线,此种情况很少出现

第四篇:实验分析

2010

34.小林用纸杯、塑料片和水做实验。他将纸杯装满水,用塑料片把杯口盖严,一只手按住

塑料片,另一只手抓住杯底,在空中将纸杯倒过来。移开按塑料片的手后,他发现塑料片和杯子里的水都不落下来,如图19所示。

小林对这一现象的解释是:塑料片和杯子里的水都不落下来是由于

塑料片被水粘住了,与大气压无关。请你利用上述器材再补充必要的辅助器材,设计一个实验证明小林的解释是错误的。请你写出实

验步骤和实验现象。

35.实验桌上有如下实验器材:满足实验要求的电源、阻值已知的定值电阻各1个,电阻箱

(电路图符号)一个,已调零的电流表两块,开关两个,导线若干。请选用上述实验器材,设计一个实验证明“两个电阻R1与R2并联时,如果R1的阻值保持不变,则电阻R1与R2并联的等效电阻R跟电阻R2的关系为:图19 11=+ b(b为常量)”。请你RR

2画出实验电路图,写出实验步骤,画出实验数据记录表。

201

135.小丽用伏安法测量标有“2.5V 0.5A”的小灯泡L的电功率,她正确连接如图所示实物电路后,闭合开关S,发现小灯泡L不发光。于是她认为:小灯泡L不发光,一定是由于小灯泡L所在电路断路或小灯泡L短路造成的。经老师检查发现,图中电路元件均无故障,且电路连线完好。请你选用图所示电路中的元件,设计一个实验证明小丽的观点是错误的。请你画出实验电路图,并简述实验步骤和实验现象。

36.实验桌上有满足实验需要的如下器材:天平、砝码、体积不同的铝块、细线、大烧杯、量筒、水。请你利用上述器材设计一个实验证明:浸在水中的物体所受的浮力大小跟物体排开水的体积成正比。请你写出实验步骤,画出实验数据记录表。

201

235.利用一支温度计、一个小烧杯、一瓶酒精,设计一个实验,证明:酒精蒸发过程中吸热。请你写出实

验步骤和实验现象。

36.为了探究平面镜成像时,像到平面镜的距离v与物到平面镜的距离u的关系,现将泡沫塑料板放在水

平桌面上,再将白纸平放并固定在泡沫塑料板上,在白纸中间画一条直线MN,把一块带支架的平面镜(不透明)沿直线MN放置,使平面镜底边与直线MN重合,且使平面镜垂直于纸面,如图16所示。请你在图16装置的基础上,利用一把刻度尺和一盒大头针设计一个实验,证明:平面镜成像时,像到平面镜的距离v等于物到平面镜的距离u。请写出实验步骤,画出实验数据记录表。

图16

201

337在探究滑动摩擦力的大小跟哪些因素有关时,小东认为物体所受滑动摩擦力的大小跟

物体对接触面的压强有关。水平桌面上有符合实验要求的带滑轮的木板,两大大小不同、材料相同、表面粗糙程度相同的带挂钩的立方体木块A和B,弹簧测力计和细线。请你利用上述器材设计实验证明小东的观点是错误的。请你写出主要实验步骤和实验现象。

38实验桌上有符合实验要求的橡皮筋一根、弹簧测力计(量程0-5N)一个、钩码(每个

钩码的质量为50g)一盒、带横杆的铁架台一个、刻度尺一把、细线若干。请你选用上述实验器材设计一个实验证明:如果同一直线上的两个力F1与F2的方向相反,且F1

大于F2,则F1与F2的合力为F=F1-F2。请你写出实验步骤(可画示意图辅助说明),画出实验数据记录表格。

第五篇:硅片线痕分析

硅片线痕分析

分类:线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下:

1、杂质线痕:由多晶硅锭内杂质引起,在切片过程中无法完全去除,导致硅片上产生相关线痕。

表现形式:(1)线痕上有可见黑点,即杂质点。

(2)无可见杂质黑点,但相邻两硅片线痕成对,即一片中凹入,一片凸起,并处同一位置。

(3)以上两种特征都有。

(4)一般情况下,杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法:(1)改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。

(2)改善切片工艺,采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关:硅锭杂质除会产生杂质线痕外,还会导致切片过程中 出现“切不动”现象。如未及时发现处理,可导致断 线而产生更大的损失。

2、划伤线痕:由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中,SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间,无法溢出,造成线痕。

表现形式:包括整条线痕和半截线痕,内凹,线痕发亮,较其它线痕更加窄细。改善方法:(1)针对大颗粒SIC(2.5~3D50),加强IQC检测;使用部门对同一批次SIC先进行试用,然后再进行正常使用。

(2)导致砂浆结块的原因有:砂浆搅拌时间不够;SIC水分含量超标,砂浆配制前没有进行烘烤;PEG水分含量超标(重量百分比<0.5%);SIC成分中游离C(<0.03%)以及<2μm微粉超标。

其它相关:SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等,各项性能对于切片都有很大的影响。

3、密布线痕(密集型线痕):由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题,造成硅片上出现密集线痕区域。

表现形式:(1)硅片整面密集线痕。(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。

(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。

(4)部分不规则区域密集线痕。

(5)硅块头部区域密布线痕。

改善方法:(1)硅片整面密集线痕,原因为砂浆本身切割能力严

重不足引起,包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等,可针对性解决。

(2)硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切 割能力不够,回收砂浆易出现此类情况,通过改 善回收工艺解决。

(3)硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机

台内砂浆循环系统问题,如砂浆喷嘴堵塞。在清

洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。

(4)部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度

不均匀,部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决

此问题。

(5)硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。

4、错位线痕:由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板

上有残余胶水,造成液压装置与托板不能完全夹紧,以及托板螺丝松动,而产生的线痕。

表现形式:

改善方法:规范粘胶操作,加强切片前检查工作,定期清洗机床。

5、边缘线痕:由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。

表现形式:一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处,贯穿整片硅片。

改善方法:规范粘胶操作,加强检查和监督。

二、TTV(Total Thickness Variety)TTV不良,都是由于各种问题导致线网抖动而产生的硅片不良,包括设备精度问题、工作台问题、导轮问题、导向条粘胶问题等。

1、设备精度:

导轮径向跳动<40μm,轴向跳动<20μm。改善方法:校准设备。

2、工作台问题:

工作台的不稳定性会导致大量TTV不良的产生。改善方法:维修工作台。

3、导轮问题:

因导轮问题而产生的TTV不良,一般出现在新导轮和导轮磨损很大的时候。改善方法:更换导轮。

4、导向条粘胶问题:

当导向条下的胶水涂抹不均匀,出现部分空隙,在空隙位置的硅片,易出现TTV不良问题。

改善方法:规范粘胶操作。

三、台阶

台阶的出现,是由切片过程中的钢线跳线引起,而导致钢线跳线的原因,包括设备、工艺、物料等各方面的问题,部分如下:

1、砂浆问题:

砂浆内含杂质过多,没有经过充分过滤,造成钢线跳线。改善方法:规范砂浆配制、更换,延长切片的热机时间和次数。

2、硅块杂质问题:

硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶。

改善方法:改善原材料或铸锭工艺,改善IPQC检测手段。

3、单晶停机、切起工艺问题:

单晶相对多晶硬度较大,在异常停机并重新切起的过程中,采用违规操作产生的钢线跳线。改善方法:严格遵循工艺操作。

4、线、砂工艺匹配问题:

钢线、砂浆型号不匹配造成切片跳线,此种情况很少出现

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