第一篇：半导体封装模具模盒内主要部件材料选型
半导体封装模具模盒内主要部件材料选型
摘 要：通过对半导体封装模具模盒内的零件在不同工作环境和不同受力情况的分析，来合理的选用各零部件的材料，以达到模具的结构稳定性和提高模具的使用寿命。
关键词：环氧树脂；耐磨性；脱模性
中图分类号：TP391.72 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）10-0050-01
半导体的封装模具是将芯片、金线以及引线框架一起用热固性环氧树脂保护起来的一种设备，该类模具一般250秒左右为一个开合模周期，每个周期根据封装制品类型的不同，可封装出几十甚至数千只成品，且模具上设置有加热装置，使模具长期处在180度左右的高温下工作，合模时的压力也根据封装制品的种类和数量的不同而有差异，一般合模工作压力在150吨至350吨之间，由于半导体元器件的特殊工作环境，要求其具有良好的电性能和散热能力，同时抗老化性、焊接性、抗压性等都要较高的要求，因此引线框架、环氧树脂等选型有较大的局限性，而半导体封装模具是一种低温热作、多腔位、热固性挤塑模具，其结构和材料选型等需要在满足模具相对狭窄的条件下使用，既要保证其稳定性，又要达到一定的使用寿命，还要结构轻巧，操作方便。MGP模和AUTO模是目前市场上使用最为广泛的封装模具结构，本文主要针对其中的模盒部分的材料选型和热处理来做部分阐述。半导体封装模具的工作环境及状态
模盒部分是模具的核心部分，环氧树脂在这里完成软化，流动，成型，固化，制品脱模等过程，由于环氧树脂内含有硅粉等填料，流动的过程中对模具摩擦，产生热能，使模具表面慢慢磨损、氧化，特别是流道、浇口等狭窄的进料部位，磨损尤为严重，同时，模具为上下合模的方式运动，为保证合模的精度，每个模盒一般都设计四个方向的定位导向机构，用来防止上下模错位而导致的模面受损和制品上下腔体错位等缺陷，且模具长期在180度左右的高温和较高的压力下工作，模盒部分的零件需要满足以下的技术特点：
1.1 加工特性良好
半导体产品对外观要求非常严格，亚光面的产品需要外形粗糙度均匀一致，无表面异常凸起、花斑等现象，光面的产品需要产品表面平整无色差，这样在后续激光打标的步骤中才会使制品表面字迹清晰，不易擦花，因此对于封装模具，必须提高钢材纯净度和保证组织均匀，一般通过电渣重熔钢（ESR）或真空弧溶解法（VAR）的冶炼方法来实现，粉末冶金也可实现，但成本会提高，一般用在较为重要的镶件上。
1.2 基体刚性和耐压性能
模具长期在高压环境下工作，从而需要一定的刚性，如果刚性和耐压强度不够，会造成零件变形甚至开裂，成型部分和浇口部分的镶条由于尺寸较小，刚性和韧性更为重要，要求材料硬度在HRC60以上，其余承压部件的基体硬度要求HRC55以上。
1.3 耐磨损性
模具在工作当中，浇道、浇口、腔体不断与含有硅粉、玻璃纤维等填料的树脂接触，不断摩擦并产生大量热量，会使镶条的流道的表面磨损，脱模斜度变小，浇口尺寸变大，增加树脂用量的同时还不易制品脱模，影响了产品质量，因此镶件部分必须具有高耐磨性、超硬性等。
1.4 尺寸稳定性
模具上核心零部件的尺寸公差一般在0.005mm以内，且模具不一定24小时一直在工作，停机的时候加热装置不加热，模具会冷却至室温状态，需要工作的时候再重新加热，为保证模具在反复加热冷却后尺寸不能发生变化，工作过程中还要保持零件尺寸稳定，最少要求30万模次内镶条长度变化小于0.02mm。
1.5 良好的脱模性和耐腐蚀性
优良的脱模性可以保证产品品质和生产效率，模具工作温度在180℃附近，与环氧树脂接触，内中解腐的塑料分子会对零件有腐蚀，洗模和脱模胶条也对镶条有腐蚀作用，一般通过选用耐腐蚀性材料和对零件表面处理实现。
1.6 运动轴类件需要有一定的耐磨性和抗拉强度
大部分轴类零件主要承受拉力和摩擦力，且受产品外形和模盒大小的限制，部分轴类零件（例如顶杆）的直径尺寸较小，目前常用的顶杆直径从0.5mm到3不等，所以要选用基体韧性强，表面硬度高的材料。化学成分对材料的特性的影响
材料所具有的性能是由其化学成分组成所决定的，一般来讲各种不同的合金元素决定和组合决定了钢材的性能，尽管这些性能可能需要通过热处理工艺实现，但本质上还是其成份决定，合金元素的添加对材料的物理性能、化学性能、组织结构的影响非常重要，例如碳的作用是提高钢材淬透性，增加钢材基体强度和耐磨性，但对钢的韧性有一定的损失；铬的作用可以极大程度提高钢材淬透性，增加耐磨性、耐腐蚀性，资料表明含铬12%以上的钢材均具有良好的耐蚀性，同时铬的存在与碳作用形成合金碳化物，进一步提高了耐磨性；钼（Mo）、钨（W）、钒（V）、钴（Co）等元素的添加有效地提高了钢材在高温下的搞回火稳定性，保持组织稳定，制约了钢材在高温加热时晶粒长大的趋势，降低了钢材的过热敏感性，从而提高了钢材的韧性。模盒内不同部位零件的材料选型：
3.1 成型镶条、浇口镶条的材料选型
模盒内的成型镶条、浇口镶条一般选用耐磨性好、硬度高、加工性能良好的粉末冶金钢，如ASP23，ASP30等，此等材料要求在热处理工艺中通过多次深冷处理与高温回火来保证，并要求在200℃*72h时效后，前后尺寸变化值（RCD）为±10*10-6范围内，工件需要在真空状态下回火，脱碳氧化，且采用多段不同温度回火，保证了材料的光亮和表面洁净度，深冷处理需要在氮气保护下进行，避免了水气泄露对工件外观成色的损害，对于特殊要求的产品浇口部位可以采用拼装硬质合金材料，例如F20、CD650等。
3.2 起支撑作用的零部件材料选型
对于支撑基体零件，例如镶件座、支撑柱、顶针推板等，一般选用淬火硬度HRC57-HRC60左右、材料热膨胀系数与镶条接近的冷作模具钢，例如Cr12Mo1V1，SLD等；而对于模盒垫板这类经常拆卸模盒时来回运动的零件，考虑其刚性摩擦的工作环境，一般选用SUS440C，此类材料作为垫板使用，表面可不用电镀，避免摩擦引起的铬层脱落导致厚度尺寸变化。
3.3 轴类零件的材料选型
模盒内的轴类零件分为两类，一类是参与注射成型的pot和plunger，该零件是向树脂传递压力的主要零件，且两个零件之间一直在做往复的轴类运动，两者之间的间隙中还有树脂粉末随着一起运动，受到的挤压力和摩擦力非常大，不管是与树脂接触的断面，还是两个零件之间相互摩擦的面，都特别容易磨损，所以该零件的选材一般选用硬质合金，例如F10，同时表面和内壁需要研磨至镜面，或者选用淬火后韧性较强的工具钢M2，加工成品后表面做纳米涂层处理，增加摩擦面的表面硬度和耐磨性，另一类轴类零件是起顶出作用的顶杆和复位杆，该类零件主要起封装制品的顶出脱模作用，且数量众多，单个零件受压力不大，主要是复位的时候受拉力和运动时与孔的摩擦力，所以一般选用淬火后硬度HRC60左右的材料，列如SKH51，该类材料基体韧性较强，特别是尾端做部分退火处理，降低肩部硬度，可以避免回退的时候拉断。
3.4 定位及导向类零部件材料选型
起上下模定位和导向作用的零件一般称之为精定位块，该类零件是使模具对模准确以及保证封装制品偏错位的重要零件，其主要承受上下运动的摩擦力和横向的剪切力，且一般四个方向均设计有精定位块，所以该类零件一般选用硬度HRC68以上的粉末冶金钢，例如ASP60，或者硬质合金，例如CD650、F10等，表面需要精磨或者抛光处理，减小摩擦阻力。结语
半导体封装模具的发展也有很长一段时间，而目前使用绿色环保树脂已经是行业内的标准，树脂的牌号也在不断更新，其流动性、粘度、电性能都在不断的变化，为适应不同牌号的树脂，模具的材料?x型也在不断变化，但不管选用何种材料，最终的目的是能在封装出合格制品的前提下提高模具寿命，降低维护成本，提升加工性能。
第二篇：半导体封装项目经济可行性研究报告2
半导体封装项目经济可行性研究报告2.txt不要放弃自己！-------（妈妈曾经这样对我说，转身出门的一刹那，我泪流满面，却不想让任何人看见！）看到这一句 小编也心有感触，想起当初离家前往几千里外的地方的时候，妈妈也说过类似的话，但是身为男儿，必须创出一片天，才能报答父母的养育之恩！
半导体封装项目经济可行性研究报告 用于投资者前期的市场调查、项目预可研。第一章 半导体封装项目建设计划
一、项目建设目标
二、项目建设计划的构成
第二章 半导体封装项目行业背景分析
一、中国宏观经济形势分析
二、行业发展分析
（一）行业发展现状
（二）金融危机对半导体封装行业发展的影响
（三）行业发展趋势
第三章 半导体封装项目市场分析
一、供需分析
二、价格分析
三、产业链分析
四、竞争分析
（一）行业核心竞争力分析
（二）竞争策略分析
（三）替代性分析
第四章 半导体封装项目业务发展
一、发展战略
（一）战略定位
（二）发展策略
二、经营目标及其实现模式
三、业务发展计划
（一）人员扩充计划
（二）市场开发战略
第五章 半导体封装项目投资估算与资金筹措
一、投资估算依据
二、投资估算
第六章 半导体封装项目实施进度
一、项目实施计划
二、项目进度及施工期测算
第七章 半导体封装项目财务分析
一、项目收益期及折现率的测算
（一）财务预测说明
（二）项目收益期的确定
（三）折现率的选取
二、项目收益测算
（一）营业收入测算与销售税金及附加估算
（二）项目主营业务成本测算
（三）项目期间费用估算
（四）项目利润测算
（五）项目还款资金测算
三、项目净现金流的测算
四、项目财务指标分析
五、财务预测假设条件
六、经济效益分析结果
第八章 半导体封装项目风险分析
一、政策风险
二、产业链风险
三、市场风险
四、其他风险
第九章 结论与建议
一、结论
二、项目建议
编制机构：千讯（北京）信息咨询有限公司 半导体封装项目可行性研究报告 政府立项、申请土地、银行贷款、招商引资、投资合作等。第一章 总论
一、半导体封装项目背景 1．项目名称 2．承办单位概况
3．半导体封装项目可行性研究报告编制依据 4．半导体封装项目提出的理由与过程
二、半导体封装项目概况
1．半导体封装项目拟建地点
2．半导体封装项目建设规模与目的 3．半导体封装项目主要建设条件
4．半导体封装项目投入总资金及效益情况 5．半导体封装项目主要技术经济指标
三、项目可行性与必要性
四、问题与建议
第二章 市场预测
一、半导体封装产品市场供应预测
1．国内外半导体封装市场供应现状 2．国内外半导体封装市场供应预测
二、产品市场需求预测
1．国内外半导体封装市场需求现状 2．国内外半导体封装市场需求预测
三、产品目标市场分析
1．半导体封装产品目标市场界定 2．市场占有份额分析
四、价格现状与预测
1．半导体封装产品国内市场销售价格 2．半导体封装产品国际市场销售价格
五、市场竞争力分析
1．主要竞争对手情况
2．产品市场竞争力优势、劣势 3．营销策略
六、市场风险
第三章 资源条件评价
一、半导体封装项目资源可利用量
二、半导体封装项目资源品质情况
三、半导体封装项目资源赋存条件
四、半导体封装项目资源开发价值
第四章 半导体封装项目建设规模与产品方案
一、建设规模
1．半导体封装项目建设规模方案比选 2．推荐方案及其理由
二、产品方案
1．半导体封装项目产品方案构成 2．半导体封装项目产品方案比选 3．推荐方案及其理由
第五章 半导体封装项目场址选择
一、半导体封装项目场址所在位置现状 1．半导体封装项目地点与地理位置
2．半导体封装项目场址土地权所属类别及占地面积 3．土地利用现状
二、半导体封装项目场址建设条件 1．地形、地貌、地震情况 2．工程地质与水文地质 3．气候条件
4．城镇规划及社会环境条件 5．交通运输条件
6．公用设施社会依托条件（水、电、气、生活福利）7．防洪、防潮、排涝设施条件 8．环境保护条件 9．法律支持条件
10．征地、拆迁、移民安置条件 11．施工条件
三、半导体封装项目场址条件比选 1．半导体封装项目建设条件比选 2．半导体封装项目建设投资比选 3．半导体封装项目运营费用比选 4．半导体封装项目推荐场址方案 5．半导体封装项目场址地理位置图
第六章 半导体封装项目技术方案、设备方案和工程方案
一、半导体封装项目技术方案
1．半导体封装项目生产方法（包括原料路线）2．半导体封装项目工艺流程 3．半导体封装项目工艺技术来源
4．推荐方案的主要工艺（生产装置）流程图、物料平衡图，物料消耗定额表
二、半导体封装项目主要设备方案 1．半导体封装项目主要设备选型
2．半导体封装项目主要设备来源（进口设备应提出供应方式）3．半导体封装项目推荐方案的主要设备清单
三、半导体封装项目工程方案
1．半导体封装项目主要建、构筑物的建筑特征、结构及面积方案 2．半导体封装项目矿建工程方案 3．半导体封装项目特殊基础工程方案
4．半导体封装项目建筑安装工程量及“三材”用量估算 5．半导体封装项目主要建、构筑物工程一览表
第七章 半导体封装项目主要原材料、燃料供应
一、主要原材料供应
1．半导体封装项目主要原材料品种、质量与年需要量 2．半导体封装项目主要辅助材料品种、质量与年需要量 3．半导体封装项目原材料、辅助材料来源与运输方式
二、燃料供应
1．半导体封装项目燃料品种、质量与年需要量 2．半导体封装项目燃料供应来源与运输方式
三、主要原材料、燃料价格
1．半导体封装项目原材料、燃料价格现状 2．半导体封装项目主要原材料、燃料价格预测
四、编制主要原材料、燃料年需要量表
第八章 总图、运输与公用辅助工程
一、半导体封装项目总图布置 1．平面布置 2．竖向布置
（1）场区地形条件
（2）竖向布置方案
（3）场地标高及土石方工程量 3．总平面布置图
4．总平面布置主要指标表
二、半导体封装项目场内外运输 1．场外运输量及运输方式 2．场内运输量及运输方式 3．场内运输设施及设备
三、半导体封装项目公用辅助工程 1．半导体封装项目给排水工程
（1）给水工程。用水负荷、水质要求、给水方案
（2）排水工程。排水总量、排水水质、排放方式和泵站管网设施 2．半导体封装项目供电工程
（1）供电负荷（年用电量、最大用电负荷）
（2）供电回路及电压等级的确定
（3）电源选择
（4）场内供电输变电方式及设备设施 3．半导体封装项目通信设施
（1）通信方式
（2）通信线路及设施 4．半导体封装项目供热设施
5．半导体封装项目空分、空压及制冷设施 6．半导体封装项目维修设施 7．半导体封装项目仓储设施
第九章 半导体封装项目节能措施
一、节能措施
二、能耗指标分析
第十章 半导体封装项目节水措施
一、节水措施
二、水耗指标分析
第十一章 半导体封装项目环境影响评价
一、场址环境条件
二、项目建设和生产对环境的影响
1．半导体封装项目建设对环境的影响
2．半导体封装项目生产过程产生的污染物对环境的影响
三、环境保护措施方案
四、环境保护投资
五、环境影响评价 第十二章 半导体封装项目劳动安全卫生与消防
一、危害因素和危害程度 1．有毒有害物品的危害 2．危险性作业的危害
二、安全措施方案
1．采用安全生产和无危害的工艺和设备 2．对危害部位和危险作业的保护措施 3．危险场所的防护措施
4．职业病防护和卫生保健措施
三、消防设施
1．火灾隐患分析 2．防火等级 3．消防设施
第十三章 半导体封装项目组织机构与人力资源配置
一、半导体封装项目组织机构
1．半导体封装项目法人组建方案
2．半导体封装项目管理机构组织方案和体系图 3．半导体封装项目机构适应性分析
二、半导体封装项目人力资源配置 1．生产作业班次
2．劳动定员数量及技能素质要求 3．职工工资福利
4．劳动生产率水平分析 5．员工来源及招聘方案 6．员工培训计划
第十四章 半导体封装项目实施进度
一、半导体封装项目建设工期
二、半导体封装项目实施进度安排
三、半导体封装项目实施进度表（横线图）
第十五章 半导体封装项目投资估算
一、半导体封装项目投资估算依据
二、半导体封装项目建设投资估算 1．半导体封装项目建筑工程费
2．半导体封装项目设备及工器具购置费 3．半导体封装项目安装工程费
4．半导体封装项目工程建设其他费用 5．半导体封装项目基本预备费 6．半导体封装项目涨价预备费 7．半导体封装项目建设期利息
三、半导体封装项目流动资金估算
四、半导体封装项目投资估算表 1．半导体封装项目投入总资金估算汇总表 2．半导体封装项目单项工程投资估算表 3．半导体封装项目分年投资计划表 4．半导体封装项目流动资金估算表
第十六章 半导体封装项目融资方案
一、半导体封装项目资本金筹措
二、半导体封装项目债务资金筹措
三、半导体封装项目融资方案分析
第十七章 半导体封装项目财务评价
一、半导体封装项目财务评价基础数据与参数选取 1．财务价格
2．计算期与生产负荷 3．财务基准收益率设定 4．其他计算参数
二、半导体封装项目销售收入估算（编制销售收入估算表）
三、半导体封装项目成本费用估算（编制总成本费用估算表和分项成本估算表）
四、半导体封装项目财务评价报表
1．半导体封装项目财务现金流量表 2．半导体封装项目损益和利润分配表 3．半导体封装项目资金来源与运用表 4．半导体封装项目借款偿还计划表
五、半导体封装项目财务评价指标 1．半导体封装项目盈利能力分析
（1）项目财务内部收益率
（2）资本金收益率
（3）投资各方收益率
（4）财务净现值（5）投资回收期
（6）投资利润率
2．半导体封装项目偿债能力分析（借款偿还期或利息备付率和偿债备付率）
六、半导体封装项目不确定性分析
1．半导体封装项目敏感性分析（编制敏感性分析表，绘制敏感性分析图）2．半导体封装项目盈亏平衡分析（绘制盈亏平衡分析图）
七、半导体封装项目财务评价结论
第十八章 半导体封装项目国民经济评价
一、半导体封装项目影子价格及通用参数选取
二、半导体封装项目效益费用范围调整 1．半导体封装项目转移支付处理
2．半导体封装项目间接效益和间接费用计算
三、半导体封装项目效益费用数值调整 1．半导体封装项目投资调整 2．半导体封装项目流动资金调整 3．半导体封装项目销售收入调整 4．半导体封装项目经营费用调整
四、半导体封装项目国民经济效益费用流量表 1．半导体封装项目国民经济效益费用流量表
2．半导体封装项目国内投资国民经济效益费用流量表
五、半导体封装项目国民经济评价指标 1．半导体封装项目经济内部收益率 2．半导体封装项目经济净现值
六、半导体封装项目国民经济评价结论
第十九章 半导体封装项目社会评价
一、半导体封装项目对社会的影响分析
二、半导体封装项目与所在地互适性分析
1．半导体封装项目利益群体对项目的态度及参与程度 2．半导体封装项目各级组织对项目的态度及支持程度 3．半导体封装项目地区文化状况对项目的适应程度
三、半导体封装项目社会风险分析
四、半导体封装项目社会评价结论
第二十章 半导体封装项目风险分析
一、半导体封装项目主要风险因素识别
二、半导体封装项目风险程度分析
三、半导体封装项目风险防范和降低风险对策
第二十一章 半导体封装项目可行性研究结论与建议
一、半导体封装项目推荐方案的总体描述
二、半导体封装项目推荐方案的优缺点描述 1．优点 2．存在问题
3．主要争论与分歧意见
三、半导体封装项目主要对比方案 1．方案描述
2．未被采纳的理由
四、结论与建议
第二十二章 附图、附表、附件
一、附图
1．半导体封装项目场址位置图 2．半导体封装项目工艺流程图 3．半导体封装项目总平面布置图
二、附表
1．半导体封装项目投资估算表
（1）半导体封装项目投入总资金估算汇总表（2）半导体封装项目主要单项工程投资估算表（3）半导体封装项目流动资金估算表 2．半导体封装项目财务评价报表
（1）半导体封装项目销售收入、销售税金及附加估算表
（2）半导体封装项目总成本费用估算表
（3）半导体封装项目财务现金流量表
（4）半导体封装项目损益和利润分配表
（5）半导体封装项目资金来源与运用表
（6）半导体封装项目借款偿还计划表 3．半导体封装项目国民经济评价报表
（1）半导体封装项目国民经济效益费用流量表
（2）半导体封装项目国内投资国民经济效益费用流量表
第三篇：晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程
晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程.txt-两个人同时犯了错，站出来承担的那一方叫宽容，另一方欠下的债，早晚都要还。-不爱就不爱,别他妈的说我们合不来。A.晶圆封装测试工序
一、IC检测
1.缺陷检查Defect Inspection 2.DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy 用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。3.CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。
二、IC封装
1.构装（Packaging）
IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。(1 晶片切割（die saw）
晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。(2 黏晶（die mount / die bond）
黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。(3 焊线（wire bond）
IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin），称之为打线，作为与外界电路板连接之用。(4 封胶（mold）
封胶之主要目的为防止湿气由外部侵入、以机械方式支持导线、內部产生热量之去除及提供能够手持之形体。其过程为将导线架置于框架上并预热，再将框架置于压模机上的构装模上，再以树脂充填并待硬化。(5 剪切/成形（trim / form）
剪切之目的为将导线架上构装完成之晶粒独立分开，并把不需要的连接用材料及部份凸出之树脂切除（dejunk）。成形之目的则是将外引脚压成各种预先设计好之形状，以便于装置于电路板上使用。剪切与成形主要由一部冲压机配上多套不同制程之模具，加上进料及出料机构所組成。
(6 印字（mark）及电镀（plating）
印字乃将字体印于构装完的胶体之上，其目的在于注明商品之规格及制造者等资讯。(7 检验（inspection）
晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之检验之目的为确定构装完成之产品是否合与使用。其中项目包括诸如：外引脚之平整性、共面度、脚距、印字是否清晰及胶体是否有损伤等的外观检验。(8 封装
制程处理的最后一道手续，通常还包含了打线的过程。以金线连接芯片与导线架的线路，再封装绝缘的塑料或陶瓷外壳，并测试集成电路功能是否正常。2.测试制程（Initial Test and Final Test）(1 芯片测试（wafer sort）(2 芯片目检（die visual）(3 芯片粘贴测试（die attach）(4 压焊强度测试（lead bond strength）(5 稳定性烘焙（stabilization bake）(6 温度循环测试（temperature cycle）(7 离心测试（constant acceleration）(8 渗漏测试（leak test）(9 高低温电测试(10 高温老化（burn-in）
(11 老化后测试（post-burn-in electrical test B.半导体制造工艺流程
NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗—— UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC 检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下CVD——QC检查（tox、R□）——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查（ts）——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发—— 贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。GR平面品种（小功率三极管）工艺流程为：
编批——擦片 ——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一GR光刻（不腐蚀）—— GR硼注入——湿法去胶——前处理——GR基区扩散——QC检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC检查（tox）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理 ——POCl3预淀积（R□）——后处理——前处理——铝下CVD——QC检查（tox）——前处理——氮气退火——三次光刻——QC检查——双结测试 ——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——正向测试——五次光刻——QC检查——大片测试——中测编批——中测——中测检查——入中间库。双基区节能灯品种工艺流程为：
编批——擦片——前处理——一次氧化——QC 检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区干氧氧化——QC检查（tox）——一硼注入——前处理——基区扩散——后处理——QC检查（Xj、R□）——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化与扩散——QC检查（Xj、tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——磷注入——前处理——发射区氧化——前处理——发射区再扩散——前处理——POCl3预淀积（R□）—— 后处理——前处理——HCl退火、N2退火——三次光刻——QC检查——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查 ——前处理——氮氢合金——氮气烘焙——正向测试（ts）——外协作（ts）——前处理——五次光刻——QC检查——大片测试——测试ts——中测编批 ——中测——中测检查——入中间库。
变容管制造的工艺流程为：
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查—— N+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——P+注入——前处理——N+扩散——P+光刻——QC检查——硼注入1——前处理—— CVD（LTO）——QC检查——硼注入2——前处理——LPCVD——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——电容测试——是否再加扩——电容测试——......（直到达到电容测试要求）——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——铝反刻——QC检查——前处理 ——氢气合金——氮气烘焙——大片测试——中测——电容测试——粘片——减薄——QC检查——前处理——背面蒸发——综合检查——入中间库。
P+扩散时间越长，相同条件下电容越小。稳压管（N衬底）制造的工艺流程为：
外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查——P+光刻——QC检查——前处理——干氧氧化——QC检查——硼注入——前处理——铝下 UDO——QC检查——前处理——P+扩散——特性光刻——扩散测试（反向测试）——前处理——是否要P+追扩——三次光刻——QC检查——前处理——铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——大片测试——中测。P+扩散时间越长，相同条件下反向击穿电压越高。肖特基二极管基本的制造工艺流程为：
编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——P+光刻——QC检查——硼注入——前处理——P+扩散与氧化——QC检查（Xj，R□，tox）——三次光刻——QC检查——前处理——铬溅射前泡酸——铬溅射——QC检查（tcr）——先行片热处理——先行片后处理——特性检测（先行片：VBR，IR）——热处理——后处理——特性测试（VBR，IR）——前处理——钛/铝蒸发——QC检查（tAl）——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金先行（VBR，IR）——氮气合金——特性测试（VBR，IR）——大片测试——中测——反向测试（抗静电测试）——中测检验 ——如中转库。
第四篇：第一章 半导体器件 模电教师教案
模拟电子技术
教案
授课人：王旭东
第一章 半导体器件
课时分配: 6学时
目的要求：了解半导体二极管；稳压管；晶体管和MOS场效应管的工作原理和主要参数。
重 点：PN结的单向导电特性；二极管的伏安特性曲线；三极管的电流分配方式和电流放大作用。
难 点：二极管的基本电路及分析方法；二极管的伏安特性曲线；三极管的电流分配方式和电流放大作用。
教 学
方法手段: 结合多媒体电子课件, 启发式、互动式讲解；屏幕投影、黑板、模型实物及实物投影四体合一课堂教学手段；理论讲解和电路仿真同步。
教 具： 电子课件、计算机、投影、电子展台。
新 授： 0 引言
模拟电子电路的核心是半导体器件，而半导体器件是由半导体材料制成的。因此，我们必须首先了解半导体的有关知识，尤其应当了解半导体的导电特性。1.1 半导体的特性
物质按其导电能力的强弱，可分为导体、绝缘体和半导体。
一、导体
导电能力很强的物质，叫导体。如低价元素铜、铁、铝等。
二、绝缘体
导电能力很弱，基本上不导电的物质,叫绝缘体.如高价惰性气体和橡胶、陶瓷、塑料等高分子材料等.三、半导体
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，叫半导体。如硅、锗等四价元素，其简化原子结构模型如图1.1.1所示。
为什么物质的导电能力有如此大的差别呢？这与它们的原子结构有关，即与它们的原子最外层的电子受其原子核束缚力的强弱有关。1.1.1 本征半导体
纯净且呈现晶体结构的半导体，叫本征半导体。
一、本征半导体结构
通过特殊工艺加工，可以使硅或锗元素的原子之间靠共有电子对—共价键，形成非常规则的晶体点阵结构。结果每个原子外层相对排满８个电子，形成相对稳定的状态。这种结构整齐且单一的纯净半导体，叫本征半导体。如图1.1.3所示
二.本征激发
在常温下，由于热能的激发，使本征半导体共价键中的价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子。同时，在共价键中留下一个空位，叫空穴。这种产生自由电子和空穴对的现象，叫本征激发。温度一定，自由电子和空穴对的浓度也一定。
由于本征激发而在本征半导体中存在一定浓度的自由电子（带负电荷）和空穴（带正电荷）对，故其具有导电能力，但其导电能力有限。1.1.3 杂质半导体
在本征半导体中掺入适量且适当的其他元素（叫杂质元素），就形成杂质半导体，其导电能力将大大增强。
一、Ｎ型半导体
在硅或锗本征半导体中掺入适量的五价元素（如磷），则磷原子与其周围相邻的四个硅或锗原子之间形成共价键后，还多出一个电子，这个多出的电子极易成为自由电子参与导电。同时,因本征激发还产生自由电子和空穴对。结果,自由电子成为多数载流子(称多子),空穴成为少数载流子(称少子)。这种主要依靠多数载流子自由电子导电的杂质半导体，叫N型半导体，如图1.1.4所示。
二、P型半导体
在硅或锗本征半导体中，摻入适量的三价元素（如硼），则硼原子与周围的四个硅或锗原子形成共价键后，还留有一个空穴。同时，因本征激发 还产生自由电子和空穴对。结果，空穴成为多子，自由电子成为少子。这种主要依靠多子空穴导电的杂质半导体，叫P型半导体。如图1.1.5所示。
无外电场作用时，本征半导体和杂质半导体对外均呈现电中性，其内部无电流。
本征半导体、P型和N型半导体都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元。1.2 半导体二极管
半导体二极管是利用杂质半导体做成的。1.2.1 PN结的形成
一、多数载流子的扩散
在P型和N型半导体交界面两侧,电子和空穴的浓度差很大。在浓度差的作用下，P区中的多子空穴向N区扩散,在P区一侧留下杂质负离子,在N区一侧集中正电荷;同时，N区中的多子自由电子向P区扩散，在N区一侧留下杂质正离子，在P区一侧集中负电荷。结果，在P型和N型半导体交界面处形成空间电荷区，自建内电场ε内（从N区指向P区），如图1-6所示。
二、少数载流子的漂移
在内电场的作用下，P区中的少子自由电子向N区漂移，而N区中的少子空穴向P区飘移，使内电场削弱。
三、扩散与漂移的动态平衡 当内电场达到一定值时，多子的扩散运动与少子的漂移运动达到动态平衡时，空间电荷区不再变化，这个空间电荷区，就称为PN结。
空间电荷区无载流子停留，故曰耗尽层，又叫阻挡层或势垒层。无外电场作用时，PN结内部虽有载流子运动，但无定向电流形成。1.2.2 PN结的单向导电特性
一、PN结加正向电压
PN结加正向电压（正偏）时，外电场与内电场反方向，使空间电荷区变窄，多子的扩散运动远大于少子的漂移运动，由浓度大的多子扩散形成较大的正向电流，PN结处于导通状态。此时，其正向通态电阻很小，正向通态管压降也很小。
二、PN结加反向电压
PN结加反向电压（反偏）时，外电场与内电场同方向，使空间电荷区变宽，多子扩散运动大大减弱，而少子的漂移运动相对加强，由浓度很小的少子漂移形成很小的反向饱和电流IS,PN结处于截止状态。此时，反向电阻很大。
PN结正偏时导通，反偏时截止，故具有单向导电特性。其特性曲线如 图1-8所示，电压U与电流I的关系式为
ID=IS（e1）
三、反向击穿
当PN结所加反向电压达到UB时，其反向电流急剧增加，叫反向击穿，UB叫击穿电压。
PN结有雪崩击穿和齐纳击穿两种击穿状态。无论处于何种击穿时，反向电流只要不超过允许值，去掉反向电源后，仍能恢复单向导电性。
四、PN结的电容效应 1.势垒电容CT 当PN结的反偏电压变化时，空间电荷区随之变宽（相当于充入电荷）或变窄（相当于放出电荷），故具有电容效应，叫势垒电容，用CT表示。2.扩散电容CD 当PN结的正偏电压变化时，P区和N 区中多子的浓度和浓度梯度均随之变化，也具有一定的电容效应，叫扩散电容，用CD表示 3.PN结的结电容CJ CJ=CT+CD
正偏时，CD起主要作用；反偏时，CT起主要作用。1.2.3 半导体二极管 一、二极管的结构
给PN结加上两个引线（管脚）和管壳即成二极管，接P区的管脚称阳极，接N区的管脚称阴极。二、二极管的类型 1.按结构区分
点接触型：PN结面积小，工作电流小，PN结电容小，工作频率高。面接触型：PN结面积大，工作电流大，PN结电容大，工作频率低。2.按工作频率区分 有高频管和低频管。3.按功率区分
有大功率管和小功率管。4.按用途区分
有普通管、整流管、稳压管、开关管等等。三、二极管的特性
1.正向特性，与PN结相同 UPUT2.反向特性，与PN结相同 3.击穿特性，与PN结相同
4.温度特性，温度升高时，二极管的正反向特性曲线均向纵轴靠近。
四、主要参数
1.最大整流电流IF，又叫额定电流。2.最大反向工作电压UR，又叫额定电压。3.反向饱和电流IS。
4.反向电流IR，二极管未击穿时的电流值。5.最高工作频率fM。
6.直流电阻RD：RD=UD/IF，如图1-14所示。
7.交流电阻rd：RD=ΔUD/ΔID=dud/did,如图1-15所示。
rd系指某一工作点的动态电阻。常温下，rd=UT/ID=26(mv)/IDQ IDQ为直流工作点的电流，单位为mA 1.2.4 稳压二极管
一、结构
结构与普通二极管相似，只是掺杂浓度比普通二极管大得多，通常为硅材料稳压二极管。
二、特性
正向特性曲线与普通二极管的正向特性曲线相似；反响未击穿的特性曲线与普通二极管的反向击穿时的特性曲线相似。但稳压二极管的反向击穿特性曲线很陡。如图1-16所示。
三、参数
1.稳定电压UZ 2.稳定电流IZ 3.额定功率PZ
4.动态电阻rZ，rZ=ΔUZ/ΔIZ，rZ很小。
5.电压温度系数α。α=ΔUZ/Ut × 100%。UZ>7V时，α为正温度系数；UZ<5V时，α为负温度系数；5V 一、发光二极管 将电能转换为光能的半导体器件。正偏时，有正向电流通过而发光，其正向通态管压降为1.8—2.2V.二、光电二极管 将光能转换为电能的半导体器件。反向偏置下，当光线强弱改变时，光电二极管的反向电流随之改变。 三、光电耦合器 光电耦合器由光电二极管和发光二极管组合封装而成。发光二极管为输入端，光电二极管输出端。 四、变容二极管 变容二极管的势垒电容随外加反向电压变化而变化。1.3 双极型三极管 半导体三极管又称为晶体管或双极性三极管，是组成各种电子电路的核心器件。 1.3.1 三级管的结构和类型 一、结构 三极管有两个结，三个电极，三个区组成。 两个结：发射结和集电结 三个极：发射极E，基极B，和集电极C 三个区：发射区；参杂浓度大。 基区；很薄，参杂浓度很小。 集电区:参杂浓度小，但面积大。 这种特殊结构是三极管具有电流放大作用的内部依据。 二、类型 1.按结构区分：有NPN型和PNP型。2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。 3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管。 三、工作条件 三极管有电流放大作用大外部条件。 1.NPN型三极管：VC>VB>VE 2.PNP型三极管：VC 1.共发射极接法：发射极为交流输入和输出信号的公共端。2.共集电极接法：集电极为交流输入和输出信号的公共端。3.共基极接法： 基极为交流输入和输出信号的公共端。1.3.3 三极管的电流放大原理 一、载流子传输过程 以NPN型三极管为例进行分析。 1.发射。发射结正偏，发射区中的多子电子大量地向基区扩散，形成发射极电流。 2.复合。从发射区扩散到基区的电子，很少一部分与基区中的空穴相复合，形成基极电流的主要部分ICN。 3.收集。从发射区扩散到基区的电子，除很少部分被复合掉外，绝大部分电子向集电结扩散，且在集电结反偏电压的作用下，迅速漂移过集电结被集电区所收集，形成集电极电流的主要部分。同时，集电区少子空穴在集电结反偏电压的作用下向基区漂移，形成集电结反向饱和电流ICBO，它是集电极电流的极小部分，也是基极电流的一部分。如图1-32所示。 二、各极电流的关系 IC=ICN+ICBO ICN=IC-ICBO IB=IBN-ICBO IBN=IB+ICBO IE≈ICN+IBN=IC-ICBO+IB+ICBO IE=IC+IB 三、电流放大系数 1.直流电流放大系数β β=ICN/IBN=(IC-ICBO)/(IB+ICBO)≈IC/IB(IC>>IB>>ICBO)2.交流电流放大系数β β≈ΔIC/ΔIB 3.穿透电流ICEO ICEO=(1+β)ICBO 1.3.4 三极管的特性曲线 一、输入特性 iB=f(ube)∣UCE=常数 1.UCE =0V时 三极管的输入特性曲线，相当于二级管的正向特性曲线，如图1-34所示。2.UCE =1V时 三极管的输入特性曲线将向右移。3.UCE >1V时 三极管的特性曲线几乎与UCE =1V时的输入特性曲线重合。 二、输出特性 iC=f(uCE)∣IB=常数 输出特性曲线有三个主要区域。如图1-35所示。1.截止区 UBE≤0V,IB≤0,IC=ICEO,三极管几乎不导通，叫截止状态。2.放大区 UBE>0.5—0.7（硅管）,UBE>0.1—0.3V(锗管)，UCE>>UBE,当UCE不变时，IC=βIB 3.饱和区 UBE>0.5—0.7（硅管）,UBE>0.1—0.3V(锗管)，UCE 一、电流放大系数 β=ΔIC/ΔIB∣UCE=常数 二、极间反向电流 ICBO ICEO=(1+β)ICBO 三、极限参数 1.集电极最大允许电流ICM 2.集电极最大允许功率损耗PCM PCM=UCEIC 3.反向击穿电压 BUCBO>BUCEO>BUEBO 为了安全起见，应使三极管的UCE 四、温度对三极管参数的影响 1.对VBE有影响 2.对ICBO和ICEO有影响 3.对β有影响 如温度升高时，VBE↓,ICBO↑,ICEO↑,β↑；反之，亦反之。1.4 场效应三极管 场效应管(简称FET)是一种电压控制(电场效应控制)器件(uGS~ iD)，工作时，只有一种(多数)载流子参与导电，因此它是单极型器件。 场效应管分为两大类：绝缘栅场效应管和结型场效应管。1.4.1 结型场效应管 一、结构 在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域,用P+表示,形成两个P+N结。 N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。 二、工作原理 首先，假如在G—S间加上反向电压VGS，则PN结反向偏置。显然,改变VGS将改变耗尽层的宽度。 其次，由于PN结两边，P区掺杂浓度很高，N区掺杂浓度相对较低；PN结中N区一侧的正离子数与P区一侧的负离子数相等，因而交界面两侧的宽度并不相等。掺杂程度低的N沟道层宽比P区层宽大很多。 故此,可以认为,当耗尽层展宽时主要向着导电沟道的一侧。 UGS、UDS影响ID电流的大小。VGS越负，沟道越窄，VGD越负，沟道越窄。 三、特性曲线 JFET的特性曲线有两条：转移特性曲线和输出特性曲线。 转移特性描述栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用。转移特性有两个重要参数：夹断电压UP和饱和漏极电流IDSS。 输出特性描述当栅源电压UGS不变时，漏极电流ID与漏源电压UDS的关系。 1.4.2 绝缘栅型场效应管(IGFET)分为： 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道 一、N沟道增强型MOS管 1.结构 四个电极：漏极D，源极S, 栅极G和 衬底B。 2.工作原理 ①栅源电压UGS的控制作用 ②漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 3.特性曲线 ①输出特性曲线： ID=f(UDS)UGS=const ②转移特性曲线： ID=f(UGS)UDS=const 4．重要参数--跨导gm gm=iD/uGSuDS=const(单位mS)gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用.在转移特性曲线上，gm为的曲线的斜率。 二、N沟道耗尽型MOSFET 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。特点：当UGS=0时,就有沟道，加入UDS，就有ID。 三、P沟道MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。 四、例题 例1.4.1 绝缘栅场效应管工作状态分析 1.4.3 场效应管的主要参数 一、直流参数 二、交流参数 三、极限参数 课堂讨论： 1.何谓本征半导体？其导电能力由什么因素决定。2.P型和N型半导体的特点？ 3.半导体的导电能力与哪些因素有关？ 4.三极管如何实现放大功能？ 5.场效应管与三极管如何区分？ 小 结： 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时，可根据不同情况，使用不同的二极管模型。 4．BJT是由两个PN结构成的。工作时,有两种载流子参与导电，称为双极性晶体管。BJT是一种电流控制电流型的器件,改变基极电流就可以控制集电极电流。BJT的特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。BJT有三个工作区：饱和区、放大器和截止区。 5．FET分为JFET和MOSFET两种。工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性晶体管。FET是一种电压控制电流型器件。改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。FET的特性可用转移特性曲线和输出特性曲线来描述。其性能可以用一系列参数来表征。 布置作业:P45-1.3 P46-1.4；1.5；1.8 P47-1.12；1.13 P48-1.15 P49-1.19 模具的快速定位安装整改报告 由于产品种类较多，模具更换频繁，换模时间又长，严重影响生产效率，而且公司在人员和设备的配备上存在一定的弱势，如果看见哪台冲床空闲就装哪台的话就势必会影响车间的整个流程（每个产品多有不少工序），从而影响公司的整个生产计划，进而影响公司的效益。以下有几种方法可供参考： 1、每台冲床加装一套夹模器(举模、上夹模、下夹模都是油压锁固) 2、冲床床台后侧安装两个定位肖(定位肖固定的位置要根据生产事先计算好的) 3、模具的下模座加工两个V型曹 架模过程:将模具放在举模器上,模具的V曹对准床台的定位肖推入定位,放下举模器,上夹模、下夹模锁固模座,完成架模.下模与上模相反 同吨位的机台全部安装定位肖,模具的下模座同样根据(模具的中心线对准床台的中心线,冲压的左右负荷也最好较平均)全部加工V型曹这样每套模只要推进定位肖定位就好.安装夹模器也是为了快速锁模 裂纹和破裂产生的原因主要是由于大型曲面制件局部毛坯受到的拉应力超过了强度极限所致。具体影响的原因有： 1.材料的冲压性能不符合工艺要求。 2.板料厚度超差－当板料厚度超过上偏差时，局部间隙小的 区域进料时卡死，冲压变形困难，材料不易通过该处凹模内而被拉断。当板料厚度超过下偏差时，材料变薄了，横剖面单位面积上的压应力增大，或者由于材料变薄，阻力减小，流入凹模内的板料过多而先形成皱纹，这时，材料不易流动而被拉裂。 3.冲压件材料表面质量差－划痕引起应力集中、锈蚀增大后阻力。 4.压料面的进料阻力过大－毛坯外形大、压料筋槽间隙小、凹模圆角半径过小、外滑块调的过深、拉深筋过高、压料面和凹模圆角半径光洁度差。 5.局部拉深量太大，拉深变形超过了材料变形极限。 6.在操作中，把毛坯放偏，造成一边压料过大，一边压料过小。过大的一边则进料困难，造成开裂；过小的一边，进料过多，易起皱，皱后进料困难，引起破裂。7.不按工艺规定涂润滑剂，后阻力增大，造成进料困难而开裂。8.冲模安装不当或压力机精度差，引起间隙偏斜，造成进料阻力不均。 这里讲到是的生产中经常会遇到的问题，还有其他很多不可能预见的现象等待大家来挖掘，希望大家能多提宝贵的意见和多方交流。坤顺公司是专业生产和经营冲压件的企业，模具师傅也是从广东请来的元老泰斗，经验雄厚，技术先进，为大家提供更多完善的服务。第五篇：模具快速换模改善方案
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