第一篇：模电2知识点,考试必备
半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。
半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。
半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移
常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。
半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。
本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。
其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。
载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。
内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。
在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。
外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。
PN结的单向导电性。
正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流
双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：
放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。
一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。
单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。
Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)
一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。
差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。
Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝
集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。
集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移
理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。
引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。
负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。
正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R
电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。
电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。
三点式电路的判断：射同余反。
功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）
直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。
三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路
特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。
半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。
半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。
半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移
常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。
半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。
本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。
其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。
载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。
内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。
在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。
外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。
PN结的单向导电性。
正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流
双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：
放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。
一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。
单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。
Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)
一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。
差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。
Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝
集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。
集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移
理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。
引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。
负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。
正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R
电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。
电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。
三点式电路的判断：射同余反。
功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）
直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。
三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路
特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。
半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。
半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。
半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移
常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。
半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。
本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。
其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。
载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。
内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。
在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。
外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。
PN结的单向导电性。
正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流
双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：
放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。
一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。
单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。
Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)
一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。
差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。
Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝
集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。
集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移
理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。
引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。
负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。
正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R
电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。
电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。
三点式电路的判断：射同余反。
功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）
直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。
三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路
特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。
第二篇：模电知识点总结
第一章 绪论
1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真 2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大 第二章 预算放大器
1.集成运放适合于放大差模信号
2.判断集成运放2个输入端虚短虚断 如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈
4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。5.根据输入输出表达式判断电路种类
同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。
反相：虚地。
第三章 二极管及其基本电路
1.二极管最主要的特征：单向导电性
2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路
4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂
6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容
9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况
正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧 反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管
13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升
14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路 第四章 双极结型三极管及放大电路
1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏 饱和区,发射结集电极正偏 截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断
5.工作在放大区的三极管，若当Ib以12A增大到22A时，Ic从1mA变为2mA，约为100 6.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点，若工作点选的太高——饱和失真。选得太低——截止失真 7.顶部削平——截止失真。底部削平——饱和失真
8.共集电极放大电路，电压增益小于1而接近于1，输出电压与输入电压同相，输入电阻高，输出电阻低，起阻抗变换的作用——缓冲级，输入级，输出级，有电压跟随作用 9.共射级放大电路的电压和电流增益都大于1，输入电阻在三中组态中，输出电阻与集电极电阻有关，作为中间级 10.共基极放大电路只有电压放大作用，没有电流放大作用，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，集成电路兼有点位移动的功能
11.共射—共集：总的电压增益是多级电压增益乘积，要考虑级间互相影响 12.共集—共集：复合管电流放大系数等于各组成管电流放大系数乘积 13.放大电路需加合适的直流电源才能工作 14.影响放大器工作点的主要因素是温度 15.电压放大倍数空载是指RL=
16.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用共射放大电路 17.带负载能力强的放大器一定是输出电阻低 18.射级跟随器是共集电极放大电路
19.双极型三极管是电流控制器件，工作在放大区时，发射结正偏，发射结正偏，集电结反偏 20.场效管是电压控制器件 21.各级放大电路增益关系
22.获得输入电压中的低频信号，选用低通滤波电路
23.已知输入信号12KHz-14KHz，为防止干扰信号混入，选用带通滤波电路
24.为使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时，滤波特性不变，选用有源滤波电路 第五章 场效应管放大电路
1.场效管本质上是一个电压控制电流源器件
2.在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路 3.场效应管的类型：金属—氧化物—半导体场效管，结型场效管 4.场效管的输出特性分为几个区：可变电阻区，饱和区，截止区 5.场效管工作在饱和区
6.对MOS管中的漏极和源级接入电路能对调使用
7.增强型与耗尽型差别：VDS=0时，增强型无沟道，耗尽型有沟道 8.栅极电流受参数控制：VGS 第六章 模拟集成电路
1.镜像电流源电路——毫安级。微电流源电路——微安级 2.典型差动放大电路的公共射级电阻Re，对共模信号有抑制作用
3.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的差，共模输入信号等于两个输入信号的算术平均值
4.差模信号和共模信号一般是用电压信号来描述的。两输入电压之差称为差模电压。两输出电压的算术平均值称为共模电压 5.差动放大器对共模信号具有较强的抑制作用，真正要放大的是差模信号
6.通用型集成运放的输入级一般采用差分式放大电路，主要目的是抑制零点漂移 第七章 反馈放大电路
1.对于放大电路，开环指无反馈通路，闭环指有反馈通路 2.直流负反馈的作用：稳定静态工作点 3.负反馈四种组态及其特点
电压串并负反馈——稳定电压
电流串并负反馈——稳定电流
4.并联反馈——减小输入电阻。串联反馈——增大输入电阻
5.在深度负反馈时，闭环增益与开环增益无关
6.使净输入信号量比没有引入反馈时减小了，称这种反馈为负反馈。
性能影响：
1.闭环增益下降 2.提高增益的稳定性 3.减小非线性失真 4.抑制反馈环内噪声 第八章 功率放大电路
1.功放的分类：甲类，乙类，甲乙类 2.每种运放的特点
第九章 信号处理与信号产生电路 1.振荡条件和起振条件
2.RC桥式振荡电路的振荡频率 第十章 直流稳压电源 1.直流稳压电源电路组成
2.常用滤波器：电容滤波器，电感滤波器，形滤波器 3.接线对调，极性不会相反
4.三端集成稳压器定义：最简单的集成稳压电源只有输入、输出、公共引出端，故称为三端集成稳压器 5.具有放大环节的稳压电路中，电源调整工作在放大状态。在开关电源中，调整管工作在开关状态
第三篇：模电实验考试
实验三单级低频放大器的设计、安装和调试
1．RC和RL的变化对静态工作点有否影响？
答：RC的变化会影响静态工作点，如其它参数不变，则RC↑==>VCE↓。RL的变化对静态工作点无影响，原因是C2的隔直作用。
2．RC和RL的变化对放大器的电压增益有何影响？
RL答：本实验电路中AUrbe，RL′= RC // RL，RL′增加时，∣AU∣的值变大，反之则减小。
3．放大器的上、下偏置电阻RB1和RB2若取得过小，将对放大器的静态和动态指标产生什么影响?
答：上、下偏置电阻RB1和RB2取得很小时，静态稳定性提高，但静态功耗大增而浪费能源，而且还会使放大器的输入动态电阻减小以致信号分流过大。
4．C3若严重漏电或者容量失效而开路，两种器件故障分别对放大器产生什么影响？
答：C3若严重漏电会使R4短路失效，放大器不能稳定工作，严重时会造成放大器处于饱和工作状态，而不能放大信号。
C3容量失效而开路时，由于R4的作用，使放大器处于深度负反馈工作状态，不能放大信号，AU≈-1。
Au=VOL/Vi>>1，所以Vi< 实验八集成运放的线性应用 1．集成运放用于交流信号放大时，采用单、双电源供电时各有什么优缺点？ 答：运放采用单电源供电：优点：电源种类少。缺点：电路中需增加器件，运放输出端的静态电位不为零（VCC/2或-VCC/2）。 采用双电源供电：优点：应用电路相对简单，输出端静态电位近似为零。缺点：电源种类多。 2．理想运放具有哪些最主要的特点？ 答：（1）差模电压增益Ad为无穷大；（2）共模电压增益AC为零；（3）输入阻抗Rin为无穷大；（4）输出阻抗RO为零；（5）有无限的带宽，传输时无相移；（6）失调、温漂、噪声均为零。 3．集成运放用于直流信号放大时，为何要进行调零? 答：实际的集成运放不是理想的运放，往往存在失调电压，为了提高实验测量精度，所以要进行调零。 实验十负反馈放大器 1．负反馈放大器有哪四种组成形式，各种组成形式的作用是什么？ 答：负反馈放大器有电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈四种组成形式。电压串联负反馈具有稳定输出电压，降低输出电阻，提高输入电阻的作用。电压并联负反馈具有稳定输出电压、降低输出电阻和输入电阻的作用。电流串联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻和输入电阻的作用。电流并联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻，降低输入电阻的作用。 2．如果把失真的信号加入到放大器的输入端，能否用负反馈的方式来改善放大器的输出失真波形？ 答：不能。因为负反馈放大器只能改善和消除电路内部因素造成的失真。 实验十一 电平检测器的设计与应用 4）二极管VD1和VD2分别起什么作用？ 答：分别保证发射极和集电极的偏置。 5）实验中，驱动二极管V的基极电阻Rb的阻值如何确定？取值过大或者过小产生什么问题？ 答：Rb1420.71420.725.2k过大或者过小影响集电极电流的值，过大无法驱动继电器，过小烧坏三极管，红灯不亮。ICQ/50/100 实验三单级低频放大器的设计、安装和调试 1．RC和RL的变化对静态工作点有否影响？ 答：RC的变化会影响静态工作点，如其它参数不变，则RC↑==>VCE↓。RL的变化对静态工作点无影响，原因是C2的隔直作用。 2．RC和RL的变化对放大器的电压增益有何影响？ RL答：本实验电路中AUrbe，RL′= RC // RL，RL′增加时，∣AU∣的值变大，反之则减小。 3．放大器的上、下偏置电阻RB1和RB2若取得过小，将对放大器的静态和动态指标产生什么影响? 答：上、下偏置电阻RB1和RB2取得很小时，静态稳定性提高，但静态功耗大增而浪费能源，而且还会使放大器的输入动态电阻减小以致信号分流过大。 4．C3若严重漏电或者容量失效而开路，两种器件故障分别对放大器产生什么影响？ 答：C3若严重漏电会使R4短路失效，放大器不能稳定工作，严重时会造成放大器处于饱和工作状态，而不能放大信号。 C3容量失效而开路时，由于R4的作用，使放大器处于深度负反馈工作状态，不能放大信号，AU≈-1。 Au=VOL/Vi>>1，所以Vi< 实验八集成运放的线性应用 1．集成运放用于交流信号放大时，采用单、双电源供电时各有什么优缺点？ 答：运放采用单电源供电：优点：电源种类少。缺点：电路中需增加器件，运放输出端的静态电位不为零（VCC/2或-VCC/2）。 采用双电源供电：优点：应用电路相对简单，输出端静态电位近似为零。缺点：电源种类多。 2．理想运放具有哪些最主要的特点？ 答：（1）差模电压增益Ad为无穷大；（2）共模电压增益AC为零；（3）输入阻抗Rin为无穷大；（4）输出阻抗RO为零；（5）有无限的带宽，传输时无相移；（6）失调、温漂、噪声均为零。 3．集成运放用于直流信号放大时，为何要进行调零? 答：实际的集成运放不是理想的运放，往往存在失调电压，为了提高实验测量精度，所以要进行调零。 实验十负反馈放大器 1．负反馈放大器有哪四种组成形式，各种组成形式的作用是什么？ 答：负反馈放大器有电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈四种组成形式。电压串联负反馈具有稳定输出电压，降低输出电阻，提高输入电阻的作用。电压并联负反馈具有稳定输出电压、降低输出电阻和输入电阻的作用。电流串联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻和输入电阻的作用。电流并联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻，降低输入电阻的作用。 2．如果把失真的信号加入到放大器的输入端，能否用负反馈的方式来改善放大器的输出失真波形？ 答：不能。因为负反馈放大器只能改善和消除电路内部因素造成的失真。 实验十一 电平检测器的设计与应用 4）二极管VD1和VD2分别起什么作用？ 答：分别保证发射极和集电极的偏置。 5）实验中，驱动二极管V的基极电阻Rb的阻值如何确定？取值过大或者过小产生什么问题？ 答：Rb 1420.71420.725.2k过大或者过小影响集电极电流的值，过大无法驱动继电器，过小烧坏三极管，红灯不亮。ICQ/50/100 华南理工大学广州学院电子信息工程系 华南理工大学广州学院 模拟电子技术课程设计报告 题目：集成功率放大器 专业： 电子信息工程 班级： 电信一班 姓名： 钟志敏 同组队员： 黄楚然、胡白云、陈杰华 梁书华、冯海东、李纯、王秋秋 学号： 201038795044 日期：2011年 6 月 华南理工大学广州学院电子信息工程系 一、设计目的 1、解集成功率放大器内部电路工作原理 2、掌握其外围电路的设计与主要性能参数测试方法 二、设计要求和设计指标 1、技术指标 （1）功率放大器输出负载为一个 不失真功率（2）低频截止频率范围为（3）集成功放选择： 2、设计要求 （1）选定元器件和参数，并设计好电路原理图；（2）组装调试所设计的电路，使其正常工作；（3）在万能板或面包板上进行电路安装调测；（4）测量最大不失真输出功率（5）低频截止频率（6）写出设计报告，提出元器件清单。 三、设计方案 可用于音频功率放大器的芯片有很多，比如LA4100等。考虑到性能以及价格等因素，本次设计采用的是设计方案采用集成器件的LM系列功放集成电路是一种比较常用的功率放大器件，本电路采用LM384作为核心功放器件，8Ω/0.5w≥500mW； fL≤80Hz； LM384功率5W,电源电压Pomax是否满足设计要求；fL是否满足设计要求； OTL电路。 优点是不需要复杂的计算，12--26V, LM386、TDA1514A8的扬声器，最大输出 Pomax负载欧。 、LM384。外接元件 华南理工大学广州学院电子信息工程系 少，调试方便，布局方便。如图所示为LM384的外部电路典型接法，本设计方案便采用此图。该集成块电源电压范围为12—26V，当电源电压为22V，负载RL为8Ω时，最大输出不失真功率不小于0.5W，低频截止频率小于80Hz,足以满足设计要求。 四、工作原理说明和结果分析 1、集成功放LM384内部原理图 华南理工大学广州学院电子信息工程系 2、总原理图 华南理工大学广州学院电子信息工程系 如图，集成功放的电压增益为32dB，利用10千欧的可变电阻可调节扬声器的音量。2.7欧的电阻与0.1微法的电容串联可低通滤波，去高频声。 静态时输出电容上电压为Vcc/2,LM384的最大输出不失真电压的峰-峰值约为电源电压Vcc。设负载电阻为Rl,最大输出功率表达式为 P=Vcc*Vcc/8RL,当Vcc=22V,RL=8ΩSHI ,P=7.5W。符合最大不失真功率大于0.5W的要求。 五、本设计改进建议 我认为本次课程设计不错，只是时间有点紧张，我们没有更好地设计出更理想的结果。缺点是有的，比如在焊接时，没有考虑到整体的布局和美观，导致把导线和元件焊在了同一面上。这样虽然不影响功放的效果，但造成了电路整体布局的不规范和不美观。我的建议是将导线和元件焊接在电路板正反两面，这样视觉效果会好一点。 六、总结（感想和心得等） 在本学期中，模电的课程设计是我们的重要课程实践。在实践中，华南理工大学广州学院电子信息工程系 我们学到了许多课本以外的知识，比如LM384的使用，电路板的焊接，整体电路的调试和测量等。 两周时间就过了，虽然时间短了点，而且由于我们的知识有限，因此设计较为简单没有太过仔细，不过我感觉收获良多。我们这次设计的是一个集成功率放大电路，为了实现功率的放大，经过查阅资料与组员的商讨，最终我们形成方案进行设计。上面的电路就是我们的努力成果，它是由一个集成功放，几个电阻和几个电容组成的。其基本功能是对输入的音频信号进行功率放大。 我们利用设计好的电路图，用仿真软件进行多次的仿真设计分析。在此过程中，我们对集成功放的功能进一步的了解，同时掌握了集成功放的原理。接下来便是电路的焊接，由于不太熟悉，所以出现了许多可以避免的错误，比如没有合理安排元件的位置，导致有些元件放不下，将电容的两极弄错，导致电容烧毁。最后我们还是一一克服了这些问题。然后是对已经完成的电路板进行最后的测试，结果让我们还算满意。 两个星期的课程设计，让我们受益匪浅。不仅学到了新知识，还培养了我们的实际动手能力，团队合作能力等。令我们认识到，要珍惜和认真对待每一次自己动手的机会，从中学到一些课堂上学习不到的东西。在往后的日子，在学习理论的同时要更多的注重实践，让自己的知识更丰富。 七、元器件清单 1、实验电路板：1个； 华南理工大学广州学院电子信息工程系 2、LM384：1个； 3、扬声器（8Ω/0.5w）：1个； 4、可变电阻（0-10KΩ）：1个； 5、电阻（2.7Ω）：1个； 6、电解电容（500微法/25V）：1个； 7、电容（5.0微法/50V）：1个； 8、电容（0.1微法）：2个。 八、参考文献 1、《模拟电子技术基础（第4版） 2、《电子技术试验与课程设计（第版社 3、《Multisim&Ultiboard 10原理图与子工业出版社 第 7 页 华成英主编，高等教育出版社3版）》 毕满清主编，机械工业出PCB设计》 7 页 》 刘刚等主编，电 共 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态 2.三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3.共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化） hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 四.基本放大电路组成及其原则 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3.静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。 4.放大器的动态范围 （1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围 *当（UCEQ－UCES)＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。 *当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六.放大电路的等效电路法 1.静态分析 （1）静态工作点的近似估算 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。 2.放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 七.分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1．静态分析 2．动态分析 *电压放大倍数 在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻 在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻 八.共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分* 电压放 析 大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3.电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输出电阻低。 第三章 场效应管及其基本放大电路 一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号 2.输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 转移特性曲线 UP-----截止电压 二.绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号 2.特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS 5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件) 四.场效应管的小信号等效模型 E-MOS 的跨导gm--- 五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析 动态分析 若带有Cs，则 2.分压式偏置放大电路 * 静态分析 * 动态分析 若源极带有Cs，则 六.共漏极基本放大电路 * 静态分析 或 * 动态分析 第四章 多级放大电路 一.级间耦合方 1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；式体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3.直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。 *零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应 1．中频段(fL≤f≤fH) 波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。 2．低频段 (f ≤ fL) ‘ 3．高频段(f ≥fH) 4．完整的基本共射放大电路的频率特性 三.分压式稳定工作点电路的频率响应 1．下限频率的估算 2．上限频率的估算 四.多级放大电路的频率响应 1.频响表达式 2.波特图 3.五章 功率放大电路 一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态 导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态 ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态 导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态 任意状态：Uom≈Uim 尽限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：Uom≈VCC 2.输出功率3.直流电源提供的平均功率 4.管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想时为78.5% 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出 在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。 2.解决办法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。 动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。 动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点 1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β 2 第六章 集成运算放大电路 一.集成运放电路的基本组成 1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。 2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。 4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程----当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。 Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析 1)计算差放电路IC 设UB≈0，则UE=－0.7V，得 2)计算差放电路UCE • 双端输出时 • 单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1： 对于VT2： 3.动态分析 1）差模电压放大倍数 • 双端输出 • 单端输出时 从VT1单端输出 ： 从VT2单端输出 ： 2）差模输入电阻 3）差模输出电阻 • 双端输出：• 单端输出: 三.集成运放的电压传输特性 当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ： 四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈 * 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短”---“虚断”---2)运放工作在非线性区 * 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点—— 输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时，uo=+Uom 当u+ 第七章 放大电路中的反馈 一.反馈概念的建立 ＊开环放大倍数－－－Ａ ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ ＊环路增益－－－ＡＦ： 1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。 3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。 4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二．反馈的形式和判断 1.反馈的范围----本级或级间。2.反馈的性质----交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。 3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。 （输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 （输出短路时反馈不消失） 4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端） 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法： （1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。 三.反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带 4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 第八章 信号的运算与处理 分析依据------“虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路 R2 =R1//Rf 2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1//R2//R3//Rf 4.同相求和运算电路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5.加减运算电路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 二.积分和微分运算电路 1.积分运算 2.微分运算 第九章 信号发生电路 一.正弦波振荡电路的基本概念 1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件： 2.起振条件: 幅值条件 ：相位条件: 3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成 (1)放大电路-------建立和维持振荡。 (2)正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-------以选择某一频率进行振荡。 (4)稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类 (1)RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。二.RC正弦波振荡电1.RC串并联正弦波振 2.RC移相式正弦波振荡电路 路 荡电路 三.LC正弦波振荡电路 1.变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法： 断回路、引输入、看相位 2.三点式LC振荡器 *相位条件的判断------“射同基反”或 “三步曲法” (1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路) (2)电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路) (3)串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路） (4)并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路） (5)四.石英晶体振荡电路 1.并联型石英晶体振荡器 2.串联型石英晶体振荡器 第十章 直流电源 一.直流电源的组成框图 • 电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。 • 整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。• 滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。 • 稳压电路：自动保持负载电压的稳定。• 二.单相半波整流电路 1．输出电压的平均值UO(AV) 2．输出电压的脉动系数S 3．正向平均电流ID(AV) 4．最大反向电压URM 三.单相全波整流电路 1．输出电压的平均值UO(AV) 2．输出电压的脉动系数S 3．正向平均电流ID(AV) 4．最大反向电压URM 四.单相桥式整流电路 UO(AV)、S、ID(AV) 与全波整流电路相同，URM与半波整流电路相同。 五.电容滤波电路 1． 放电时间常数的取值 2.输出电压的平均值UO(AV) 3.输出电压的脉动系数S.整流二极管的平均电流I D(AV) 六.三种单相整流电容滤波电路的比较 七.并联型稳压电路 1.稳压电路及其工作原理 *当负载不变，电网电压 变化时的稳压过程: *当电网电压不变，负载变化时的稳压过程 : 2.电路参数的计算 * 稳压管的选择 常取UZ=UO；IZM=(1.5~3)IOmax * 输入电压的确定 一般取UI(AV)=(2~3)UO * 限流电阻R的计算 R的选用原则是：IZmin 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若 V阳 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若 V阳 *三种模型 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。 2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态 2.三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3.共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β三.低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入 常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 四.基本放大电路组成及其原则 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2用。 2.组成原则----能放大、不失真、输。 能传的作电阻，均增加。偏。五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3.静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。 4.放大器的动态范围 （1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。 *当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六.放大电路的等效电路法 1.静态分析 （1）静态工作点的近似估 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。 2.放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 算 * 输出电阻 七.分压式稳定工 放大电路的1．静态分析 2．动态分析 *电压放大倍数 在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻 在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻 作点共射 等效电路法 八.共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分析 * 电压 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3.电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。 场效应管及其放大电路 一.结型场效应管（JFET） 1.结构示意图和电路符号 2.输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、区、击穿区） 转移特性曲线 截止UP-----截止电压 二.绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号 2.特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线第四篇：模电课程设计报告 (2
第五篇：模电考试精华总结版
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