第一篇：电信专业模电考试大纲.（推荐）
《模拟电子技术》课程考试大纲
适用专业：电子信息及相关专业
考试时间：120分钟卷面总分：100分
考试题型：选择题、填空题、分析题、计算题等。
第-章 半导体器件
考核知识点：
本征半导体与PN结的形成、PN结的单向导电、半导体二极管及基本电路、特殊二极管、晶体三极管。
考核要求：
1、识记：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区、PN结、PN结形成等概念。
2、领会：二极管的单向导电，外特性及主要参数的物理意义，稳压管的稳压原理，二极
管的基本应用电路，晶体管的放大作用，外特性及主要参数的物理意义，以及三个工作区域的特点。
3、简单应用：利用外加电压判断二极管的二个极和管子的好坏。
第二章 基本放大电路
一、考核知识点：
放大的概念，放大电路的组成原则，放大电路的主要性能指标，放大电路的分析方法，三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数（电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻）的计算方法，微变等效电路及其应用.二，考核要求：
1、识记：基本概念和定义：放大、静态工作点、饱和失真与截止失真、直流通道和交流通
道、放大倍数、输入电阻和输出电阻、静态工作点的稳定, 差分放大电路的组成、工作原理以及抑制零点漂移的原理等概念。
2、领会：组成放大电路的原则和各种基本放大电路的工作原理及特点，差分放大电路的静态工作点和动态指标的计算以及输出与输入的相位关系.3、简单应用：能够根据具体要求选择电路的类型，了解稳定静态工作点的必要性及稳定
方法。
4、综合应用：掌握放大电路的分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点，会画微变等效电路，并能正确计算动态参数Au、Ri和R0，正确分析电路的输出波形和产生
截止失真、饱和失真的原因。多级放大电路组成，级之间耦合方式.第四章 功率放大电路
一、考核知识点：
功率放大电路组成及工作原理，最大输出功率和效率的估算。
二、考核要求：
1.识记：概念：晶体管的甲类、乙类和甲乙类工作状态，最大输出功率，转换效率。
2.领会：正确理解功率放大电路的组成原则，掌握OCL、OTL电路的工作原理，并了解
其它类型功率放大电路的特点。
3.简单应用：正确估算功率放大电路的最大输出功率和效率。
第五章 集成电路运算放大电路
一、考核知识点：
集成运放的结构特点、电路的组成、主要性能指标。
理想运放及其参数、基本运算放大电路及其分析方法、电压比较器。
二、考核要求：
1、识记：理想运放的性能指标、虚短路、虚断路等概念。
2、领会：主要指标参数的物理意义。理想运放在线性区和非线性区的特点、理解基本运
放电路的分析方法。
3、简单应用：掌握比例、加减、积分电路的工作原理及运算关系，并能够运用“虚短”和“虚断”的概念分析各种运算电路输出和输入电压之间的关系，能够根据需要合理的选择电路。
第六章 负反馈放大电路
一、考核知识点：
反馈的基本概念、负反馈放大电路的方块图及一般表达式、负反馈对放大电路性能的影响、反馈的判断方法、深度负反馈条件下放大倍数的估算分析方法、根据需要正确引入负反馈的方法。
一、考核要求：
1.识记：正反馈、负反馈、直流反馈、交流反馈、开环增益、闭环增益等概念。正弦波振
荡电路的组成及分类、判断电路可否振荡的方法和步骤。
2.领会：能够正确判断电路中的是否引入了反馈以及反馈的性质,如是直流反馈还是交流反馈,是正反馈还是负反馈;如为交流负反馈,是哪种组态的反馈等? 熟练掌握电路产生正弦波振荡的幅值平衡条件和相位平衡的条件, 正弦波振荡电路的组成,起振条件和振荡频率.了解变压器反馈式,电感反馈式,电容反馈式和石英晶体正弦波振荡电路的工作原理,正确理解它们的振荡频率与电路参数的关系。
3.简单应用：正确理解负反馈放大电路放大倍数Af 在不同反馈组态下的物理意义,并能够
估算深度负反馈条件下的放大倍数.能够根据相位平衡条件和幅值条件正确判断电路是否可能产生正弦波振荡。
4.综合应用：掌握负反馈四种组态对放大电路性能影响,并能够根据需要在放大电路中引入合适的交流负反馈.第八章 直流电源
一、考核知识点：
直流稳压电源的组成，各部分电路的工作原理和各种不同类型电路的结构及工作特点、性能指标。
二、考核要求：
1.识记：直流稳压电源的组成及各部分的作用.2.领会：能够分析整流电路的工作原理,估计输出电压及电流的平均值.3.简单应用：了解滤波电路工作原理,能够估算电容滤波电路输出电压平均值.掌握稳压管稳压电路的工作原理.4.综合应用：正确理解串联型稳压电源的工作原理,能够估算输出电压的调节范围.了解集成稳压器的工作原理及使用方法，了解开关型稳压电路的工作原理。
第二篇：模电实验考试
实验三单级低频放大器的设计、安装和调试
1．RC和RL的变化对静态工作点有否影响？
答：RC的变化会影响静态工作点，如其它参数不变，则RC↑==>VCE↓。RL的变化对静态工作点无影响，原因是C2的隔直作用。
2．RC和RL的变化对放大器的电压增益有何影响？
RL答：本实验电路中AUrbe，RL′= RC // RL，RL′增加时，∣AU∣的值变大，反之则减小。
3．放大器的上、下偏置电阻RB1和RB2若取得过小，将对放大器的静态和动态指标产生什么影响?
答：上、下偏置电阻RB1和RB2取得很小时，静态稳定性提高，但静态功耗大增而浪费能源，而且还会使放大器的输入动态电阻减小以致信号分流过大。
4．C3若严重漏电或者容量失效而开路，两种器件故障分别对放大器产生什么影响？
答：C3若严重漏电会使R4短路失效，放大器不能稳定工作，严重时会造成放大器处于饱和工作状态，而不能放大信号。
C3容量失效而开路时，由于R4的作用，使放大器处于深度负反馈工作状态，不能放大信号，AU≈-1。
Au=VOL/Vi>>1，所以Vi< 实验八集成运放的线性应用 1．集成运放用于交流信号放大时，采用单、双电源供电时各有什么优缺点？ 答：运放采用单电源供电：优点：电源种类少。缺点：电路中需增加器件，运放输出端的静态电位不为零（VCC/2或-VCC/2）。 采用双电源供电：优点：应用电路相对简单，输出端静态电位近似为零。缺点：电源种类多。 2．理想运放具有哪些最主要的特点？ 答：（1）差模电压增益Ad为无穷大；（2）共模电压增益AC为零；（3）输入阻抗Rin为无穷大；（4）输出阻抗RO为零；（5）有无限的带宽，传输时无相移；（6）失调、温漂、噪声均为零。 3．集成运放用于直流信号放大时，为何要进行调零? 答：实际的集成运放不是理想的运放，往往存在失调电压，为了提高实验测量精度，所以要进行调零。 实验十负反馈放大器 1．负反馈放大器有哪四种组成形式，各种组成形式的作用是什么？ 答：负反馈放大器有电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈四种组成形式。电压串联负反馈具有稳定输出电压，降低输出电阻，提高输入电阻的作用。电压并联负反馈具有稳定输出电压、降低输出电阻和输入电阻的作用。电流串联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻和输入电阻的作用。电流并联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻，降低输入电阻的作用。 2．如果把失真的信号加入到放大器的输入端，能否用负反馈的方式来改善放大器的输出失真波形？ 答：不能。因为负反馈放大器只能改善和消除电路内部因素造成的失真。 实验十一 电平检测器的设计与应用 4）二极管VD1和VD2分别起什么作用？ 答：分别保证发射极和集电极的偏置。 5）实验中，驱动二极管V的基极电阻Rb的阻值如何确定？取值过大或者过小产生什么问题？ 答：Rb1420.71420.725.2k过大或者过小影响集电极电流的值，过大无法驱动继电器，过小烧坏三极管，红灯不亮。ICQ/50/100 实验三单级低频放大器的设计、安装和调试 1．RC和RL的变化对静态工作点有否影响？ 答：RC的变化会影响静态工作点，如其它参数不变，则RC↑==>VCE↓。RL的变化对静态工作点无影响，原因是C2的隔直作用。 2．RC和RL的变化对放大器的电压增益有何影响？ RL答：本实验电路中AUrbe，RL′= RC // RL，RL′增加时，∣AU∣的值变大，反之则减小。 3．放大器的上、下偏置电阻RB1和RB2若取得过小，将对放大器的静态和动态指标产生什么影响? 答：上、下偏置电阻RB1和RB2取得很小时，静态稳定性提高，但静态功耗大增而浪费能源，而且还会使放大器的输入动态电阻减小以致信号分流过大。 4．C3若严重漏电或者容量失效而开路，两种器件故障分别对放大器产生什么影响？ 答：C3若严重漏电会使R4短路失效，放大器不能稳定工作，严重时会造成放大器处于饱和工作状态，而不能放大信号。 C3容量失效而开路时，由于R4的作用，使放大器处于深度负反馈工作状态，不能放大信号，AU≈-1。 Au=VOL/Vi>>1，所以Vi< 实验八集成运放的线性应用 1．集成运放用于交流信号放大时，采用单、双电源供电时各有什么优缺点？ 答：运放采用单电源供电：优点：电源种类少。缺点：电路中需增加器件，运放输出端的静态电位不为零（VCC/2或-VCC/2）。 采用双电源供电：优点：应用电路相对简单，输出端静态电位近似为零。缺点：电源种类多。 2．理想运放具有哪些最主要的特点？ 答：（1）差模电压增益Ad为无穷大；（2）共模电压增益AC为零；（3）输入阻抗Rin为无穷大；（4）输出阻抗RO为零；（5）有无限的带宽，传输时无相移；（6）失调、温漂、噪声均为零。 3．集成运放用于直流信号放大时，为何要进行调零? 答：实际的集成运放不是理想的运放，往往存在失调电压，为了提高实验测量精度，所以要进行调零。 实验十负反馈放大器 1．负反馈放大器有哪四种组成形式，各种组成形式的作用是什么？ 答：负反馈放大器有电压串联、电压并联、电流串联和电流并联负反馈四种组成形式。电压串联负反馈具有稳定输出电压，降低输出电阻，提高输入电阻的作用。电压并联负反馈具有稳定输出电压、降低输出电阻和输入电阻的作用。电流串联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻和输入电阻的作用。电流并联负反馈具有稳定输出电流，提高输出电阻，降低输入电阻的作用。 2．如果把失真的信号加入到放大器的输入端，能否用负反馈的方式来改善放大器的输出失真波形？ 答：不能。因为负反馈放大器只能改善和消除电路内部因素造成的失真。 实验十一 电平检测器的设计与应用 4）二极管VD1和VD2分别起什么作用？ 答：分别保证发射极和集电极的偏置。 5）实验中，驱动二极管V的基极电阻Rb的阻值如何确定？取值过大或者过小产生什么问题？ 答：Rb 1420.71420.725.2k过大或者过小影响集电极电流的值，过大无法驱动继电器，过小烧坏三极管，红灯不亮。ICQ/50/100 半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。 半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。 半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移 常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。 半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。 本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。 其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。 载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。 内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。 在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。 外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。 PN结的单向导电性。 正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流 双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 （NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压： 放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。 一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。 单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。 Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力) 一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。 差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。 Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝 集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。 集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移 理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。 引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。 负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。 正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R 电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。 电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。 三点式电路的判断：射同余反。 功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0） 直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。 三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路 特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。 半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。 半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。 半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移 常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。 半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。 本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。 其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。 载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。 内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。 在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。 外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。 PN结的单向导电性。 正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流 双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 （NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压： 放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。 一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。 单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。 Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力) 一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。 差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。 Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝 集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。 集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移 理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。 引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。 负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。 正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R 电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。 电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。 三点式电路的判断：射同余反。 功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0） 直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。 三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路 特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。 半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。 半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。 半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移 常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。 半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。 本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。 其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。 载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。 内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。 在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。 外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。 PN结的单向导电性。 正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流 双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 （NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压： 放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。 一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。 单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。 Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力) 一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。 差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。 Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝 集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。 集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移 理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。 引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。 负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。 正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R 电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。 电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。 三点式电路的判断：射同余反。 功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0） 直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。 三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路 特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。*二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路);若 V阳 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态 2.三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3.共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化） hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 四.基本放大电路组成及其原则 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。2.组成原则----能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。*画法---电容视为开路。*作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用---分析信号被放大的过程。*交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3.静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。 4.放大器的动态范围 （1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围 *当（UCEQ－UCES)＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。 *当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六.放大电路的等效电路法 1.静态分析 （1）静态工作点的近似估算 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。 2.放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 七.分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1．静态分析 2．动态分析 *电压放大倍数 在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻 在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻 八.共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分* 电压放 析 大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3.电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。* 输入电阻高，输出电阻低。 第三章 场效应管及其基本放大电路 一.结型场效应管（JFET）1.结构示意图和电路符号 2.输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 转移特性曲线 UP-----截止电压 二.绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号 2.特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS 5.低频跨导gm(表明场效应管是电压控制器件) 四.场效应管的小信号等效模型 E-MOS 的跨导gm--- 五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析 动态分析 若带有Cs，则 2.分压式偏置放大电路 * 静态分析 * 动态分析 若源极带有Cs，则 六.共漏极基本放大电路 * 静态分析 或 * 动态分析 第四章 多级放大电路 一.级间耦合方 1.阻容耦合----各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；式体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2.变压器耦合---各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3.直接耦合----低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。 *零点漂移----当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点”而作随机变动。二.单级放大电路的频率响应 1．中频段(fL≤f≤fH) 波特图---幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是φ=-180o。 2．低频段 (f ≤ fL) ‘ 3．高频段(f ≥fH) 4．完整的基本共射放大电路的频率特性 三.分压式稳定工作点电路的频率响应 1．下限频率的估算 2．上限频率的估算 四.多级放大电路的频率响应 1.频响表达式 2.波特图 3.五章 功率放大电路 一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态 导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态 ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态 导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态 任意状态：Uom≈Uim 尽限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：Uom≈VCC 2.输出功率3.直流电源提供的平均功率 4.管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想时为78.5% 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出 在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。 2.解决办法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。 动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。 动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四.复合管的组成及特点 1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2.类型取决于第一只管子的类型。3.β=β1·β 2 第六章 集成运算放大电路 一.集成运放电路的基本组成 1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。 2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。 4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程----当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。 Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析 1)计算差放电路IC 设UB≈0，则UE=－0.7V，得 2)计算差放电路UCE • 双端输出时 • 单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1： 对于VT2： 3.动态分析 1）差模电压放大倍数 • 双端输出 • 单端输出时 从VT1单端输出 ： 从VT2单端输出 ： 2）差模输入电阻 3）差模输出电阻 • 双端输出：• 单端输出: 三.集成运放的电压传输特性 当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ： 四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成运放的分析方法 1)运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈 * 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短”---“虚断”---2)运放工作在非线性区 * 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点—— 输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时，uo=+Uom 当u+ 第七章 放大电路中的反馈 一.反馈概念的建立 ＊开环放大倍数－－－Ａ ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ ＊环路增益－－－ＡＦ： 1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。 3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。 4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。放大器处于 “ 自激振荡”状态。二．反馈的形式和判断 1.反馈的范围----本级或级间。2.反馈的性质----交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。 3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。 （输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 （输出短路时反馈不消失） 4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端） 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法： （1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用 + 表示，降低用 － 表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据Xi 与X f 的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。 三.反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带 4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 第八章 信号的运算与处理 分析依据------“虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路 R2 =R1//Rf 2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1//R2//R3//Rf 4.同相求和运算电路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5.加减运算电路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 二.积分和微分运算电路 1.积分运算 2.微分运算 第九章 信号发生电路 一.正弦波振荡电路的基本概念 1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈)自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件： 2.起振条件: 幅值条件 ：相位条件: 3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成 (1)放大电路-------建立和维持振荡。 (2)正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。(3)选频网络-------以选择某一频率进行振荡。 (4)稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。* 正弦波振荡器的分类 (1)RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下;(2)LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上;(3)石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。二.RC正弦波振荡电1.RC串并联正弦波振 2.RC移相式正弦波振荡电路 路 荡电路 三.LC正弦波振荡电路 1.变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法： 断回路、引输入、看相位 2.三点式LC振荡器 *相位条件的判断------“射同基反”或 “三步曲法” (1)电感反馈三点式振荡器(哈特莱电路) (2)电容反馈三点式振荡器(考毕兹电路) (3)串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路） (4)并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路） (5)四.石英晶体振荡电路 1.并联型石英晶体振荡器 2.串联型石英晶体振荡器 第十章 直流电源 一.直流电源的组成框图 • 电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。 • 整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。• 滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。 • 稳压电路：自动保持负载电压的稳定。• 二.单相半波整流电路 1．输出电压的平均值UO(AV) 2．输出电压的脉动系数S 3．正向平均电流ID(AV) 4．最大反向电压URM 三.单相全波整流电路 1．输出电压的平均值UO(AV) 2．输出电压的脉动系数S 3．正向平均电流ID(AV) 4．最大反向电压URM 四.单相桥式整流电路 UO(AV)、S、ID(AV) 与全波整流电路相同，URM与半波整流电路相同。 五.电容滤波电路 1． 放电时间常数的取值 2.输出电压的平均值UO(AV) 3.输出电压的脉动系数S.整流二极管的平均电流I D(AV) 六.三种单相整流电容滤波电路的比较 七.并联型稳压电路 1.稳压电路及其工作原理 *当负载不变，电网电压 变化时的稳压过程: *当电网电压不变，负载变化时的稳压过程 : 2.电路参数的计算 * 稳压管的选择 常取UZ=UO；IZM=(1.5~3)IOmax * 输入电压的确定 一般取UI(AV)=(2~3)UO * 限流电阻R的计算 R的选用原则是：IZmin 第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8.PN结的伏安特性 二.半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若 V阳 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点Q。 2)等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴(正偏)，二极管导通(短路); 若 V阳 *三种模型 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。 2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态 2.三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3.共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反截止区---发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以及β三.低频小信号等效模型（简化）hie---输出端交流短路时的输入 常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 四.基本放大电路组成及其原则 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2用。 2.组成原则----能放大、不失真、输。 能传的作电阻，均增加。偏。五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线---连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的 直线。 3.静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法---减小Rb，提高Q。（2）饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。 4.放大器的动态范围 （1）Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。 *当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六.放大电路的等效电路法 1.静态分析 （1）静态工作点的近似估 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。 2.放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 算 * 输出电阻 七.分压式稳定工 放大电路的1．静态分析 2．动态分析 *电压放大倍数 在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻 在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻 作点共射 等效电路法 八.共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分析 * 电压 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3.电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。 场效应管及其放大电路 一.结型场效应管（JFET） 1.结构示意图和电路符号 2.输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、区、击穿区） 转移特性曲线 截止UP-----截止电压 二.绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号 2.特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线 《电信业务员》考核大纲 江苏省通信行业职业技能鉴定中心 2012年3月 1 2012电信业务员理论考核大纲--初级 第一部分 第一章 职业道德 1、了解电信职业道德具有的4个特点。 2、掌握电信职业道德体现的服务方针。 3、了解电信职业道德的作用。 4、掌握通信行业职业守则5点。 第二章 法律法规 1、了解《电信条例》的指导原则 2、了解电信条例的定义及其相关执行范围 3、了解电信管理体制 4、了解电信条例相关概念及监管体系。 5、熟悉电信条例确定的各项基本原则。 6、熟悉电信业行业的2项制度。 7、掌握电信条例的其他七项规定。 8、了解电信资费、电信服务质量、电信建设、电信法律规定 9、了解反不正当竞争法的概念 10、熟悉反不正当竞争的11项条款内容。 11、了解消费者的权利保护法的概念12、8、熟悉消费者的权利和经营者的义务 13、掌握消费争议解决的途径 14、了解合同法的概念。 15、熟悉合同法的特征。 16、熟悉订立合同的原则、程序、主要条款。 17、熟悉合同的变更与解除。 18、掌握合同担保的定金与保证的异同。 19、熟悉合同纠纷解决途径。 第三章 现代商务知识 1、了解礼貌、礼节、礼仪的涵义。 2、熟悉礼仪的原则及个人礼仪。 3、掌握沟通的要素。 4、掌握沟通的4个技巧。 5、掌握客户购买的8种动机。 6、掌握影响居民、集团客户购买行为的因素。 7、熟悉商务谈判的原则。 8、掌握商务谈判的6个阶段。 第四章 统计分析 1、了解统计的定义。 2、熟悉统计调查的四种基本方法。 3、了解电信业务统计分析报告 第五章 应用文写作基础 1、了解应用文的特点和写作要求。 2、了解调查报告的特点和写作格式。 3、掌握工作总结的特点和写作格式。 第六章 计算机基础知识 1、了解计算机硬件系统组成。 2、了解计算机软件系统的分类。 3、熟悉操作系统的功能。 4、熟悉计算机网络的概念。 5、熟悉计算机病毒的预防与消除。 第七章 电信营销英语基础知识 1、掌握英语口语基础 2、熟悉英语服务用语。 第八章 市场营销基础 1、了解市场营销的定义。 2、熟悉市场营销的6点核心概念。 3、掌握传统市场营销3个观念和新市场营销观念。 4、社会营观念应该具有那些特征？ 5、掌握战略营销观念的核心要素。 第九章 市场分析 1、了解市场营销环境的涵义。 2、熟悉市场营销的宏观环境的六大要素。 3、掌握市场营销的微观环境因素。 4、了解市场调研的概念和作用。 5、熟悉市场调研8个步骤。 6、熟悉市场调研的基本内容、种类、方法。 7、了解市场细分的涵义及作用。 8、熟悉市场细分的依据的4点 9、掌握行为细分的7个要点。 10、熟悉团体市场的细分依据。 11、了解市场细分的程序的7个步骤。 12、熟悉目标市场的5种模式及其特点。 13、熟悉三种目标市场策略的特点。 14、了解影响目标市场策略选择的因素。 第十章 市场营销组合 1、掌握市场营销组合4P’S的概念。 2、了解产品整体概念模型，产品的5个层次。 3、熟悉产品生命周期理论。 4、熟悉产品组合的概念，掌握产品组合策略的选择。 5、熟悉产品差异化的概念，掌握产品差异化的实现方法。 6、了解产品包装策略的概念。 7、熟悉服务营销策略的特点，结合电信市场特点，掌握售前、售中、售和服务的内容和形式。 8、掌握现代五大促销手段方法和内容。 第十一章 服务营销 1、了解服务的定义和分类。 2、掌握服务的基本特征。 3、熟悉服务质量的内容和评价标准。 4、了解服务质量与有形产品的质量在内涵上的区别。 5、掌握服务营销质量管理。 6、熟悉提高服务质量的策略。 7、掌握通信行业提高服务质量的方法。 第十二章 市场营销理念的新发展 1、了解客户关系管理的含义和基本内容。 2、掌握客户关系管理的实施3个方面。 3、熟悉关系营销的市场模型。 4、熟悉关系营销的三个层次和成功的必要条件。 5、了解整合营销的基本概念。 6、了解其它市场营销新理念。 提示： 1、教材第二部分不在理论考试范围。 2、教材第三部分仅作参考。 2012电信业务员理论考核大纲—中级 第一部分 第一章 职业道德 1、了解电信职业道德具有的4个特点。 2、掌握电信职业道德体现的服务方针。 3、了解电信职业道德的作用。 4、掌握通信行业职业守则5点。 第二章 法律法规 1、了解《电信条例》的指导原则 2、了解电信条例的定义及其相关执行范围 3、了解电信管理体制 4、了解电信条例相关概念及监管体系。 5、熟悉电信条例确定的各项基本原则。 6、熟悉电信业行业的2项制度。 7、掌握电信条例的其他七项规定。 8、了解电信资费、电信服务质量、电信建设、电信法律规定 9、了解反不正当竞争法的概念 10、熟悉反不正当竞争的11项条款内容。 11、了解消费者的权利保护法的概念 12、熟悉消费者的权利和经营者的义务 13、掌握消费争议解决的途径 14、了解合同法的概念。 15、熟悉合同法的特征。 16、熟悉订立合同的原则、程序、主要条款。 17、熟悉合同的变更与解除。 18、掌握合同担保的定金与保证的异同。 19、熟悉合同纠纷解决途径。 第三章 应用文写作 1、熟悉应用文的特点和写作要求。 2、掌握调查报告和工作总结的特点和写作格式。 第四章 电信营销英语 1、掌握英语口语基础。 2、熟悉英语服务用语。 第五章 服务礼仪 1、了解礼貌、礼节、礼仪的涵义。 2、熟悉礼仪的8项原则。 3、熟悉个人礼仪4个要点。 4、掌握5个方面社交礼仪。 5、掌握接待客户和拜访客户的礼仪。 6、了解回答客户要求的礼仪技巧。 第六章 沟通技巧 1、了解沟通的定义。 2、掌握沟通的七个要素。 3、了解沟通的分类。 4、熟悉沟通3个阶段的主要内容。 第七章 客户消费心理与购买行为 1、掌握客户购买8个动机。 2、了解客户购买行为。 3、掌握影响消费者购买行为的主要4个因素内容。 4、了解组织市场的含义 5、掌握组织市场的总体特征 6、掌握产业购买的决策和主要因素。 第八章 市场营销基础知识 1、了解市场营销的基本概念 2、了解市场营销理论的产生与发展。 3、掌握生产观念、产品观念和推销观念的特点。 4、掌握市场营销观念、社会营销观念的特点和主要内容。 5、熟悉服务营销观念、网络营销观念、关系营销观念、整合营销观念的特征。 第九章 简单的市场调研法 1、了解市场调研的类型。 2、了解第二手资料的调查。 3、掌握实地调研方法的几种形式。 4、了解设计问卷的注意事项。 5、熟悉问句基本类型。 第十章 市场营销策略常识 1、了解市场细分的意义和要求。 2、掌握市场无差异性市场策略、差异性市场策略、集中性市场策略的含义和特点。 3、熟悉四种产品――市场组合策略的含义。 4、熟悉市场营销组合的内容和特点。 5、熟悉产品组合策略、产品包装策略、产品差异化策略、产品服务策略。 6、掌握价格策略、促销策略的运用。 7、了解销售渠道策略的内容。 第二部分 第一章 财税知识 1、熟悉会计要素、会计等式，了解会计法规。 2、掌握支付结算方法。 3、了解税收的概念、特征和种类。 第二章 营销计划 1、了解市场营销计划的定义和作用。 2、熟悉市场营销计划的内容。 3、掌握市场营销计划的步骤。 4、了解利润方程、销售反应函数以及如何制定利润最大化规划。 5、了解市场营销战略规划的主要方面和层次。 6、熟悉波士顿模型。 7、熟悉业务战略计划的步骤。 第三章 市场分析 1、掌握市场营销微观环境分析方法，熟悉市场营销宏观环境分析方法。 2、熟悉影响行业竞争类型的主要因素，掌握影响行业竞争格局转变的主要力量。 3、掌握对竞争者的分析内容和方法。 4、熟悉市场领先者、市场挑战者、市场追随者、市场补缺者的战略类型和特点。 5、熟悉消费行为模式和消费者的购买决策过程。 6、熟悉产业购买者行为模式，了解产业市场的购买决策过程。 第四章 市场定位 1、掌握市场细分的内涵与层次。 2、了解市场细分的标准和原则。 3、掌握目标市场的选择策略。 4、掌握市场定位的方法和步骤。 第五章 营销组合策略 1、了解产品整体概念、熟悉产品在不同生命周期的特点和营销战略。 2、了解新产品开发过程。 3、熟悉不同市场结构价格的决策因素，市场购买心理对企业定价的影响。 4、掌握价格决策方法。 5、掌握新产品定价策略、系列产品定价策略、心理定价策略、折扣定价策略。 6、熟悉我国的电信资费体制。 7、了解促销和沟通的概念。 8、了解广告媒体的类型和特征。 9、掌握服务人员推销的优点和指导原则。 10、熟悉营销渠道的特征，11、了解影响渠道选择的主要因素。12掌握渠道方案的选择和评估方法。 13、了解营销渠道的发展。 第六章 网络营销 1、了解网络营销的理论基础和技术基础以及对传统营销的影响。 2、熟悉网络营销的优势与不足。了解网络营销的职能。 3、掌握网络营销的分类和层次，熟悉网络营销的运作过程。 4、掌握网络营销的管理模式。 5、了解电子商务的分类和交易过程。 第七章 电信业务演示 1、了解电信业务演示的基本原则。 3、掌握业务演示的基本技巧。 提示： 1、教材第三部分不在理论考试范围。10 2012电信业务员理论考核大纲—高级 第一部分 第一章 商务谈判 1、了解商务谈判的原则。 2、熟悉商务谈判的过程。 3、掌握商务谈判的策略和技巧。 4、了解商务谈判的六大误区。 第二章 营销艺术和技巧 1、了解潜在客户的含义和原则。 2、掌握识别潜在客户的方法。 3、熟悉潜在客户的评估和管理方法。 4、了解客户购买的利益点。 5、熟悉达成交易的障碍以及达成协议的时机与准则。 6、掌握达成协议的技巧。 7、熟悉运用启发式营销的方法。 第三章 顾客异议处理 1、了解顾客异议的含义。 2、熟悉异议产生的原因。 3、掌握处理异议的原则、策略和技巧。 第四章 市场预测 1、了解市场预测的种类。 2、熟悉市场预测的内容。 3、了解市场预测的程序和定性预测方法。 4、熟悉定量预测方法。 第五章 营销策划 1、了解营销策划的内容和特征。 2、熟悉营销策划的分析方法。 3、熟悉四种类型的营销策划方式。 第六章 营销管理 1、了解营销管理的内涵。 2、熟悉营销管理的实施程序和任务。 3、掌握营销管理规划、组织、指挥和控制等内容。 第七章 服务营销 1、了解服务与服务业的概念、服务营销组合和核心。 2、掌握顾客满意服务战略的内涵和实现策略。 3、熟悉服务企业的营销策略。 第八章 消费行为分析 1、了解消费行为的概念和特征。 2、熟悉消费者行为的4种研究方法。 第九章 品牌管理 1、了解品牌的含义与价值、品牌定位及原则。 2、熟悉品牌形象的内涵、品牌形象的塑造。 3、了解品牌形象的代言。 4、掌握品牌战略的特征、品牌战略的决策。 4、熟悉品牌3个方面维系 5、熟悉品牌创新过程的三阶段 6、了解品牌价值传递。 第十章 市场营销发展的新趋势 1、了解网络营销的概念、2、熟悉网络营销的策略。 3、了解绿色营销的产生和发展，4、熟悉绿色营销的概念和特点。 5、掌握绿色营销的策略。 6、了解全球营销的内涵、战略和策略。 7、了解蓝海战略的价值创新 8、熟悉寻找蓝海的六种方式。 9、了解长尾理论的由来及含义 10、熟悉长尾理论的三种力量。 第二部分 第一章 营销渠道 1、熟悉营销渠道的概念和作用，了 2、解营销渠道的基本类型。 3、掌握影响营销渠道选择的因素、选择原则和策略。 4、熟悉营销渠道评估的方法。 5、掌握营销渠道的管理标准和管理措施。 6、熟悉不同营销渠道的特点。 7、掌握代理商渠道的管理方法。 第二章 营销沟通 1、了解营销沟通的含义、作用和沟通方式。 2、了解沟通营销沟通模式、3、熟悉沟通营销决策的5个内容。4了解沟通预算的确定的内容 5、了解沟通5种方法及特点 6、掌握沟通技巧的3个方面 7、掌握9种类型客户沟通的应对技巧。 第三章 促销组合 1、了解广告的概念和分类，2、熟悉广告决策过程。 3、掌握广告预算决策、广告信息决策、广告媒体决策的内容。 4、了解广告效果的评价方法。 4、了解广告设计的原则。 5、熟悉广告设计的要素。 6、了解公共关系的概念和特点。 7、熟悉公共关系的活动程序和方式。 8、熟悉危机的含义和特点 9、熟悉危机管理的目的。 10、熟悉危机管理的核心。 11、了解制定危机管理计划的原则。 12、熟悉应对公众、媒体、网络的危机管理要领。 第四章 市场策划 1、了解产品策划的目的和方法。 2、熟悉产品策划的产品定位、品牌策划、产品组合策划的内容。 3、了解产品生命周期的阶段性策划内容。 4、了解营销体系策划的目的和模式、以及结构安排。 5、掌握营销合作伙伴选择原则，熟悉合作伙伴的评价标准。 6、了解信息沟通与促销要求。 7、掌握促销组合设计方法。 8、熟悉广告策划方法。 9、了解企业形象的分类、熟悉企业形象的要素。 10、熟悉企业理念和企业行为与企业形象的关系。11了解公共关系的基本概念及主要方式。 12、掌握通过营销提升企业形象的方法。 第五章 电信营销活动组织技能 1、了解营销活动的原则。 2、熟悉营销活动方案的制订要素。 3、了解会议组织管理技能。 第七章 团队管理技能 1、了解团队的定义和要素。 2、熟悉确定团队目标的5个原则 3、了解团队成员的9种角色的作用 4、了解团队角色的答配和挑选成员的步骤。 5、熟悉激励团队成员的方法 6、掌握有效处理团队冲突的六个步骤 7、掌握处理团队冲突的5种策略。提示： 教材第四部分不是理论考试的范围。第三篇：模电2知识点,考试必备
第四篇：模电考试精华总结版
第五篇：2012电信业务员理论考试大纲
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