太阳能电池的优势及其发展

第一篇：太阳能电池的优势及其发展

太阳能电池的优势及其发展

太阳能电池这个名词相信大家都略有所闻，但是对它的了解程度相信大家都不高，相信此文会带给大家更深认识。

其实早在50年前，太阳能电池就被发明出来，但是当时的太阳能电池的转换效率低下，并且价格极其昂贵，主要用作卫星、灯塔和电子计算器等的电源；直到90年代，太阳能电池的效率才有了一定的提高，开始应用进入家庭和大楼；而现在，太阳能电池正向全球扩展。

太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。一光电效应工作的薄膜式太阳能电池为主流，它是一种能将太阳光直接转化为电能的器件，算是一种特别的小型电源。太阳能电池大有前途，可以长期使用，具有永久性、清洁性和灵活性三大优点。它可以只靠太阳光转化成电能，相对于火力发电、核能发电来说，它不会引起环境污染；而相对于水力发电、风力发电来说，它所需要的金钱是较少，所消耗的资源也是无限的，对于普通城市的人来说更加方便，它也减少了电在导线上的消耗；相对于普通太阳能板来说，它能够直接应用到各种的生活家用电器，在国外甚至还有以太阳能电池作为电源的特种跑车竞赛活动，所应用的范围比太阳能板广泛；而对于普通干电池来说，它所能提供的电是普通干电池无法攀比的，并且它的使用期叫、较长，不会在短时期内丢弃或消耗完电能，从客观方面看是减少了垃圾排放，更加环保；所以，综合以上全部，太阳能电池无论在哪一个方面都占有一定优势。

2009年哥本哈根联合国气候变化大会呼吁全球节能减排，走“低碳经济”的道路。而太阳能是一种取之不尽，没有噪声，还不排放二氧化碳的资源，我们使用太阳能电池正正是符合“低碳经济”这一点。使用太阳能电池，不用消耗煤消耗石油消耗天然气，就能使用各类电器，减少了极大部分的二氧化碳排放，实现减排，即保护了环境，保护了人类，也能间接地“保护”我们的钱包，相信这点还是很多人看重的！

其实在未来，太阳能电池也是大有市场的，因为它可以应用于各个范围：

1、家庭发电系统；

2、无线通讯；

3、各类电子产品，如计算机、收音机等；

4、交通运输，如汽车、灯塔等；

5、农业生产；

6、其它。并且迈入21世纪，科技日新月异，各类新型的电子产品被研发出来，并进入平民百姓的生活，但是这些产品都需要有电源供应，缺了电源，这些新产品还是“英雄无用武之地”！而在我们的太阳能电池被不断推广到全球后，这个问题将会成为历史。其实太阳能电池可以应用于各方面，例如：作为一种特别电源，可以用在半导体收音机上，变成有阳光就可以听广播，这个使用于物资贫乏的西北部贫瘠地区；它还可以用与手机上，就像在为手机进行慢性充电，延长普通手机电池的使用期；还有，对于几个月才换一次电池的手表之类的，如果用的是太阳能电池，那么可以说是彻底免去了更换电池的麻烦„„如果有厂家研发出类似这样的产品，那么相信其市场肯定是十分的大！

太阳能电池已经经历了过去“被研发”与现在“被提高，被推广”两个阶段，相信到未来“被广泛使用”这一阶段不会再遥远，它在将来会占据世界能源消费的重要席位，不但要替代部分常规能源，而且将成为世界能源供应的主体！

第二篇：发展优势

存忠：对黑龙江发展优势的几点认识

(2005-2-7 9:25:38)

中共哈尔滨市委副书记、市纪委书记方存忠：老工业基地留给我们的究竟是包袱还是财富，是阻力还是动力？黑龙江省所处的区位究竟是优势还是劣势？与国内其他省市相比，黑龙江省具备六个方面的比较优势：基础雄厚的产业优势，成为加快发展的重要引擎；丰富充裕的资源优势，为加快发展奠定坚实基础；无与伦比的生态优势，为加快发展拓展广阔空间；潜能巨大的地缘优势，为加快发展创造有利条件；鲜明独特的人文优势，为加快发展营造了社会环境；重点倾斜的政策优势，为加快发展提供了重要保障。

在新一轮加快发展的热潮中，黑龙江省具备其他省份所无法比拟的六个方面的优势。

一、基础雄厚的产业优势，加快发展的重要引擎

产业竞争力是区域竞争力的核心。以装备制造业为主要特征的老工业基地，曾为我们赢得了“共和国长子”的荣耀与自豪，同时也承受了国家在改革开放初期补轻工业短腿的冷遇与无奈，虽然我们还存在经济总量增长缓慢、资本不足、产业结构不合理等诸多问题，但是，已经形成较为完备的工业体系，拥有一批国家重点大中型骨干企业，支柱产业基本形成，产业集聚效应初步显现，竞争优势逐步增强，具有极大的发展潜力。

1.装备制造业独领风骚，为经济发展提供重要支撑。制造业是国民经济的物质基础和产业主体，是经济社会发展的基石，也是增强竞争力的前提。黑龙江省最大的产业优势在装备制造业，现已形成了以发电设备、机床设备、机车车辆、农业机械、工程机械、微型汽车、石油化工、煤化工及食品等为主的门类较为齐全的工业体系，拥有“三大动力”、哈航集团、轴承集团、一重集团、大庆油田等一批“国宝”级企业，许多产业和产品处于我国装备制造业的最高水平，如锅炉及原动机制造、化学药品原料药制造、木制品等行业比较优势在全国居第一位，石油制品、人造原油生产等行业比较优势在全国居第二位。实力雄厚的装备制造业在黑龙江省工业中已占有举足轻重的地位，成为推动黑龙江全省工业经济迈上新台阶的重要支撑。在黑龙江全省经济总量中，工业增加值占国内生产总值（GDP）的比重超过50%，工业增长的贡献率超过60%。黑龙江省所拥有的世界上少有的配套齐全、结构合理且发展势头强劲的装备制造业，恰恰迎合了全球产业结构调整、发达国家装备制造业加快向发展中国家转移的趋势，完全有能力有条件舞起振兴工业的龙头，黑龙江的振兴恰逢其势，并非梦想。同时，我国正处于工业化发展的中期阶段，东南沿海发达地区的产业升级主要依靠国外装备和技术，黑龙江省依托良好的重化工业基础，增强产业竞争优势，承接新一轮产业转移，抢占国际国内庞大市场正当其时，潜力非凡。

2.十大主导产业竞争优势增强，成为加快发展的驱动轮。主导产业对整个经济的发展具有巨大的牵动作用。除了装备制造业以外，黑龙江省确立的石化、食品、医药、电子、汽车、煤炭、机械、电力等十大主导产业不仅符合国家宏观调控政策，而且具有明显的比较优势，市场前景广阔，发展潜力巨大。目前，十大主导产业基础雄厚，规模较大，一大批大型企业集团在国内同行业居重要地位，仅石化、食品、能源、医药等六大主导产业，规模在全国同行业居前列的龙头企业已达33家，生产能力居亚洲或国内前列，生产的产品在全国位居第一的已达12种，产品数量也很可观，如原油、木材、电站成套设备等产品产量居全国首位，天然气、工具量具、中小轴承等产品产量居全国第二位。十大主导产业对黑龙江全省工业经济发展的推动作用越来越突出，机械、石化、食品三大传统支柱产业的总产值占黑龙江全省工业总产值的比重已达到41%，电子信息、生物制药、新材料三个新兴产业的工业增加值5年增长了70%，成为黑龙江省工业经济

增长的一大亮点。黑龙江全省工业在已经连续四年保持两位数增长的基础上，2004年又继续保持了良好的态势。可见，依托强大的主导产业，牵动黑龙江全省经济整体发展和快速发展是完全可能的。

3.六大产业基地集聚效应初显，为经济发展增强核心竞争力。经济全球化的今天，产业集群对区域经济具有巨大的引领和带动作用，集群战略已经成为加快区域经济发展的战略模式。黑龙江省产业集中度不断提高，重点发展了装备制造、石化、能源、食品、医药、森工六大基地。目前，六大基地建设成效显著，产业集聚初露端倪，带动效应不断扩大。如装备工业龙头企业核心竞争力进一步增强，配套协作体系不断完善，哈尔滨、齐齐哈尔两市装备制造业的集中度不断提高；以大庆为龙头的石化产业带初步形成；能源工业、食品工业加大了产业集中度，增强了发展后劲，其中，哈尔滨、绥化南部区域的制奶业已有百家以上大企业；医药工业以哈药集团为龙头，园区建设迈出了新步伐，医药工业整体竞争力不断提高，等等。资料显示，2004年1-10月，六大产业群实现销售收入2572亿元，占黑龙江全省规模以上工业销售收入的91.3%；实现利税和利润分别占全部工业利税和利润的96.6%、98.7%。黑龙江象表明，六大产业基地已成为提高黑龙江省竞争力的主要力量，为不断推动黑龙江省形成快发展大发展的强势，在日益崛起的“第四增长极”中占有重要位置提供了现实基础。

二、丰富充裕的资源优势，加快发展的坚实基础

21世纪，谁掌控了资源，谁就掌握了发展的主动权。自然资源作为资源的重要组成部分，是经济发展的重要物质基础，对经济增长具有稳固的支撑作用。黑龙江省的煤、木、粮、油和土地及淡水资源，在新一轮竞相发展中具有明显的比较优势，为我省传统产业调整改造、换代升级提供了难得的机遇。

1.土地资源丰富，是吸引投资的最重要因素。同时，工商建设用地后备资源充裕。即将建设的哈大齐工业走廊，近中期规划用地451平方公里，相当于香港面积的5倍；远期还将规划420平方公里，把土地开发和盐碱地整治结合起来，使其成为黑龙江省具有吸引力的一大亮点。耕地后备资源丰富，通过对现有耕地整理、灾毁土地整理、撤村并屯土地整理等措施，预计到2005年黑龙江全省可新增耕地264万亩，是1999年以来5年间建设用地总量的4.9倍。

2.电力资源供应充足，为加快发展提供重要的动力源。经济要增长，电力必先行。电力是经济发展的命脉，是必不可少的动力源。近年来，我国多数地区电力供应十分紧张，已经成为制约地区经济发展的“瓶颈”。而黑龙江省作为能源工业基地，电力供应充裕，现有电力装机容量1200万千瓦，到2010年可达到2200万千瓦。不仅如此，生产电力的煤炭资源丰富，储量高达221亿吨，占东北三省的72%。黑龙江省电力供应稳定，电价较低，每度电的平均价格大约只有南方省份的一半。特别是可利用地缘条件低价从俄罗斯输入电能，为发展高耗能产业提供可能。可见，黑龙江省电力资源无论在总量上还是在电价成本上，都具有较大优势，将对黑龙江省加快发展起到重要的拉动作用。

3.煤、木、粮、油自然资源开发潜力巨大，为加快发展提供重要的能源和原材料支撑。我国正处于工业化中期，经济的增长对自然资源的依存度虽有所下降，但仍建立在强大的能源供给规模基础上，尤其是对煤、木、粮、油等自然资源的需求，而黑龙江省在这方面具有明显优势。占全国采掘工业的1/4。许多大企业看好了这一点，大唐、国电、华电、华能及山东鲁能将分别在双鸭山、鹤岗、七台河建设煤矿和大坑口电厂。煤的深加工也可带来丰厚的经济效益，以原煤发展煤化工，其附加值可增加十数倍。此外，在国家把资源型城市的经济转型作为一项长期战略任

务，强调要在资源合理开发利用和增值转化上下功夫，并相继出台一系列支持措施之际，黑龙江省煤、木、粮、油等开发潜力就是加快发展的后发优势，更是吸引省外投资者的竞争优势。如果我们抓住机遇，大力发展接续、替代产业，实施“以化补油”战略，抓好煤的“四转一开发”，促进林木资源由采伐向培育保护转型，实施林浆纸一体化，就能把资源优势转化为经济竞争优势，不断增强黑龙江省经济发展后劲。

4.淡水资源充沛，为投资者生产经营及生活提供重要条件。水是不可替代的自然资源和战略性的经济资源，是人类生存和发展的基本条件。而东北则是降水和可开发的水资源相对多，耕地资源也相对多的唯一地区，其水土资源配置以黑龙江省为最佳。”可见，面对国家淡水资源严重紧缺，不惜巨资“南水北调”的严峻形势，黑龙江省充沛的水资源，不仅成为我们加快发展的又一亮点，而且为投资者舒心生活、企业正常生产提供重要条件，更为我们坚持科学发展观，发展循环经济提供了宝贵的财富。

三、无与伦比的生态优势，加快发展的广阔空间

良好的生态环境是可持续发展的必备条件，是一个地区发展潜能的重要标志。为此，世界各地不惜巨资建设生态城市和地区，联合国每年都要评出一批适合人居的城市。黑龙江要实现大发展快发展和可持续发展，就必须充分发挥得天独厚的生态优势，为我省经济社会的健康发展提供重要依托。

1.独具特色的生态资源是支撑黑龙江省可持续发展的重要条件。三江平原是我国面积最大、分布最为集中的湿地，已被列入亚洲重要湿地名录。在全球生态环境急剧恶化的情况下，黑龙江省这种独具特色的生态资源，将成为黑龙江全省乃至全国未来发展的稀缺资源，成为支撑黑龙江省经济社会可持续发展弥足珍贵的物质基础。

2.优势明显的绿色农业是加快发展的特有品牌。近年来，随着可持续发展的深入和健康理念的变化，人们对绿色食品的需求迅猛增长。据有关机构预测，未来二三十年是绿色食品生产和销售高速成长的时代，到2030年，绿色食品的生产销售将占总量的80%。面对这样一个巨大的发展空间，作为农业大省，大力发展绿色农业，黑龙江省绿色农业在全国的领先地位，应该成为我们巩固农业基础地位、加快现代化农业发展的巨大资本。特别是加入WTO之后，面对发达国家的“绿色壁垒”，我们的农业要实现与国际市场的对接，应对各种风险和挑战，赢得迈入国际市场门槛的“绿色护照”，必须发挥这一独特的优势，“打绿色牌、走特色路”，大力发展绿色经济。

3.前景看好的生态旅游资源将成为拉动黑龙江省经济增长的重要因素。旅游作为一个新兴的经济形态，已经成为一种朝阳产业。这是我们在新一轮全国旅游发展竞争中的强项，我们只要充分发挥这些基础性、资源性、区位性的独特优势，就一定能够按照“春季活力世界、夏季清凉世界、秋季多彩世界、冬季冰雪世界”的目标，把黑龙江省打造成蜚声全国、名扬海外的旅游热点城市。

四、潜能巨大的地缘优势，加快发展的有利条件

从传统经济地理学角度看，黑龙江省地处祖国东北边陲，是中心经济发展的末端和边缘，但是，在世界经济全球化，区域经济一体的时代潮流中，国与国之间、地区与地区之间的交流与合作日趋频繁，特别是在对外开放的领域和范围不断扩大的情况下，我们所处的区位正由“边缘”向“中心”、“末端”向“前沿”转化，传统的劣势已变成现实的优势。我们必须运用时代的眼光，站

在世界经济发展的高度来看待我们的地缘优势。

1.地处“南沈北哈”轴心经济带，为扩大开放提供了重要支撑。东北振兴是区域的振兴，是整体的振兴。在实施国家振兴老工业基地战略过程中，由于经济的互补和产业的关联，东北三省已经构成了以“南沈北哈”轴心经济带为骨架，以“沈大长哈”都市圈为基础的区域经济共同体。在这个经济共同体中，黑龙江以其辽阔的腹地，为东北的振兴提供重要支撑。我们可以充分发挥哈尔滨的辐射牵动作用，以装备制造和石油化工为重点，打造哈大齐重化工业带，使之与“南沈北哈”轴心经济带优势互补、分工协作，共同参与国际分工，共同创造对外竞争优势。

2.与俄毗邻，是扩大对俄科技经贸合作的桥头堡。毗邻俄罗斯的地缘优势，是国内其他省份无法替代的天然条件，对俄开展科技经贸合作是黑龙江省的传统优势，也是打破末端经济状况的关键所在。从地理位置看，黑龙江省的东部和北部与俄罗斯远东地区有3045公里水陆边界线，是国内通往俄罗斯的重要通道。凭借沿边地理优势，经过多年的开发和建设，我们已经开通了25个对俄贸易口岸，构成了水陆空健全、陆海空联运、客货运兼有的过境通商方式。同时，近年来，省内以哈尔滨、黑河、绥芬河、同江等城市为重点，坚持“南联北开”，为吸引国内发达地区参与对俄科技经贸合作，开发建设了一批对俄出口加工、科技合作、商贸、物流、旅游及金融服务等项基础设施，这些都将成为黑龙江省及全国各地加大对俄开放的阵地和平台。占据这样一个独一无二的地缘优势，黑龙江对俄科技经贸合作的龙头地位当之无愧。

3.位居东北亚中心，是区域经济发展的重要基地。面对世界经济全球化、区域经济一体化的发展趋势，我们打开国门、打破国界，把黑龙江省放在区域经济发展的大格局中去考量，黑龙江省正处在东北亚经济贸易区的中心位置，西部与内蒙古自治区毗邻，南部与吉林省接壤，北部和东部以黑龙江、乌苏里江为界与俄罗斯相邻，境内有松花江、黑龙江、乌苏里江从俄罗斯出海，直达俄罗斯远东地区、日本、韩国等国家，以哈尔滨为枢纽的滨绥、滨洲铁路大动脉，经满洲里、绥芬河直通俄罗斯，省内有直接飞往俄罗斯、日本、韩国的航线7条，这些都为东北亚各国间的贸易往来创造了便利条件，同时，已经开通的25个沿江贸易口岸和若干个中俄贸易互市区，为东北亚区域内各国、各地区的经贸合作奠定了坚实基础。

五、重点倾斜的政策优势，加快发展的重要保障

经济发展，既需要产业基础、自然资源、地缘优势等内生力，也需要外在支持力。国家实施振兴老工业基地战略、加大对粮食主产区的扶持力度、完善城镇社会保障体系试点等一系列倾斜政策相继出台，无疑为黑龙江省加快发展创造了有利条件，为加快老工业基地振兴注入了新的活力。

1.实施振兴老工业基地国策，为催生“眼球经济”效应、加快老工业基振兴注入了“强心剂”。在国际新一轮产业转移、资本转移步伐加快和国内新一轮加快发展之际，国家相继出台的一系列支持东北老工业基地振兴的优惠政策，为奋进乏力的黑龙江省老工业基地吹来了一股强劲的“春风”，成为国内外关注和投资兴业的一个新热点和新亮点，加快了振兴腾飞的步伐。如国家实施加大国有骨干企业重大项目的资本金投入、在8个行业试行增值税转型试点、对具备条件的矿山和油田适当降低资源税额标准、实行扩大增值税抵扣范围和企业所得税优惠等税收政策，特别是出台的灵活处理银行不良贷款、分离企业办社会职能、豁免陈欠税金等优惠政策，为国企改革扫除障碍、攻克堡垒、加快转制创造了条件。目前，黑龙江省已对诸多国有企业不良贷款进行集中处置，通过卸包袱吸引了国内外诸多投资者前来投资与合作。今年中央经济政策取向仍向东北地区倾斜，支持重大装备制造业发展，加大石油、煤炭等行业技术改造投入；选择煤炭、森工、石

油等陷入困境的资源型城市进行建立资源开发补偿机制和衰退产业援助机制试点，等等。这些优惠政策无疑将对黑龙江省集聚域外资本、人才、技术，攻克体制性问题，突破结构性矛盾，加快发展振兴步伐起到积极的促进作用，带来更大的商机。

2.国家加大对粮食主产区的扶持力度，为推动粮食生产稳定发展创造了良好条件。粮食生产是东北农业的核心。建设东北商品粮基地是实现东北老工业基地产业结构优化的资源基础，也是确保国家粮食安全的战略举措。中央把黑龙江省作为先行免征农业税改革试点地区，并实行粮食直接补贴、良种补贴、大型农机具补贴及主要粮食品种实行保护价收购等一系列扶持措施，其力度之大、含金量之高前所未有。党和国家的一系列重大政策和措施，极大地调动了黑龙江省农民种粮的积极性，粮食生产大丰收，四大作物种植面积增加1200多万亩，预计粮食总产627亿斤，超过历史最高水平；农民人均收入增加500元，全年达到3000元。正是得益于对农民实行“两免”、“三补”政策，不仅降低种粮成本，减轻农民负担，而且改善了农民种粮条件，对更大范围地吸引跨国公司和著名企业来黑龙江省建立新的粮食产业生产加工基地，迅速提升黑龙江省食品加工业的产业市场竞争力，有效解决“三农”问题，不断推动黑龙江省农业经济大发展快发展，创造了良好条件。

3.黑龙江省被纳入国家推进社会保障体制改革试点，为引入战略投资者提供了可靠保障。国有企业改革重组是振兴老工业基地的首要任务，而国企改革的核心就是产权制度改革，突出的矛盾是妥善解决职工的安置问题。随着黑龙江省国企改革的不断深入，将有大批职工与企业解除劳动关系。能否解决好下岗失业人员的再就业和基本生活保障问题，事关全社会的稳定，事关振兴老工业基地战略的成败。国家把黑龙江省纳入实施完善城镇社会保障体系试点，为我们有效破解这一难题，加快建立健全与市场经济发展相适应、与老工业基地振兴相配套的社会保障体系，提供了难得的机遇。目前，黑龙江省已初步形成了以“三条保障线”为基础，“两个确保”为重点，养老、失业、医疗、工伤和生育保险“五险合一”的社会保障体系框架。截至目前，黑龙江省已有886户企业、50.4万人启动国有企业下岗职工生活保障向失业保险并轨；黑龙江全省新增就业50.2万人，有49.5万名下岗失业人员实现了再就业，为黑龙江省经济的腾飞解除了后顾无忧。由于解决企业冗员，减轻企业负担，推动了企业改制，现已有60%的企业正在与有实力的战略投资者进行招商洽淡。2005年还有80万国有企业职工与企业解除劳动关系，将会引来更多的国内外投资者参与企业改革和发展，为加快我省老工业基地振兴献力。

综上所述，黑龙江省蕴含着巨大的发展优势和发展潜力，认清省情，发掘优势，是把握发展方向、明确发展定位、创新发展举措、加快发展步伐的重要前提。着眼时代，充分利用“两种资源”、“两个市场”，引入战略投资者，是加快发展、实现振兴的必然选择。发扬“四大精神”，坚忍不拔，脚踏实地，艰苦创业是加快发展、实现振兴的必要条件；目前省委已经明确了发展思路，只要我们解放思想、与时俱进、求真务实、真抓实干，就一定能够迎来辉煌的明天，创造更加美好的未来。

第三篇：硅基太阳能电池的发展及应用

..硅基太阳能电池的发展及应用

摘要：太阳能电池是缓解环境危机和能源危机一条新的出路，本文介绍了硅基太阳能电池的原理，综述了硅基太阳电池的优点与不足，以及硅基太阳能电池和其他太阳能电池的横向比较，硅基太阳能电池在光伏产业中的地位，并展望了发展趋势及应用前景等。

关键词：硅基

太阳能电池

转换效率

1引言

二十一世纪以来，全球经济增长所引发的能源消耗达到了空前的程度。传统的化石能源是人类赖以生存的保障，可是如今化石能源不仅在满足人类日常生活需要方面捉襟见肘，而且其燃烧所排放的温室气体更是全球变暖的罪魁祸首。随着如今全球人口突破70亿，能源的需求也在过去30年间增加了一倍。特别是电力能源从上世纪开始，在总能源需求中的比重增长迅速。中国政府己宣布了其在哥本哈根协议下得承诺，至2020年全国单位国内生产总值二氧化碳排放量比2005年下降40%--45%，非化石能源占一次能源消费的比重提高至少15%左右【6】。

目前太阳能电池主要有以下几种：硅太阳能电池，聚光太阳能电池，无机化合物薄膜太阳能电池，有机化合物薄膜太阳能电池，纳米晶薄膜太阳能电池，叠层薄膜太阳能电池等，其材料主要包括产生光伏效应的半导体材料，薄膜衬底材料，减反射膜材料等【5】。

（图1：太阳能电池的种类）

太阳电池的基本工作原理是：在被太阳电池吸收的光子中，那些能量大于半导体禁带宽度的光子，可以使得半导体中原子的价电子受到激发，在p区、空间电荷区和n区都会产生光生电子左穴对，也称光生载流子。这样形成的光生载流子由于热运动，向各个方向迁移。光生载流子在空间电荷区中产生后，立即被内建电场分离，光生电子被推进n区，光生空穴被推进p区。因此，在p-n结两侧产生了正、负电荷的积累，形成与内建电场相反的光生电场。这个电场除了一部分要抵消内建电场以外，还使p型层带正电，n型层带负电，因此产生了光生电动势，这就是光生伏特效应(简称光伏)。

图1典型的晶体硅太阳电池结构图【6】

由于太阳能能源有如此优越的特性，因此，大力发展可再生能源成为了当今世界的热门研究领域，从长远角度来看，在各种可再生能源技术光伏发电自20世纪90年代后半期进入了快速发展时期，最近10年和最近5年的太阳电池的年均增长率都达到了爆发性的水平。我国太阳能光伏产业的发展在世界光伏市场的拉动下快速发展起来。2007年我国太阳电池产量达到了1088 MW，占世界总产量的27.2%，超过了日本(920 MW)和欧洲(1062.8 MW)，成为世界太阳电池的第一大生产国。到了2010年中国光伏电池产量己超过全球总产量的50%，目前己有数十家公司在海外上市，行业年产值超过3000亿人民币。太阳能光伏发电技术具有可持续发展的特点;最丰富的资源来源(太阳)和最洁净的发电过程【4】。

由于太阳电池研究涉及的学术与技术内容过于广泛，而且据近几年市场数据分析，硅基太阳能电池占太阳能电池总产量的98%，故本文只对当前生产化主要的硅基太阳能电池材料进行论述。

硅基太阳能电池的原理与特点

根据硅片厚度的不同，可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池两大类。本文主要论述以下几种硅基太阳能电池的基本原理：单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池，多晶硅薄膜太阳能电池，非晶硅薄膜太阳能电池，微晶硅薄膜太阳能电池。

晶体硅的发电过程大致如下：P型晶体硅经过掺杂磷可得N型 硅，形成P-N结，当光线照射到硅晶体的表面时，一 部分光子被硅材料吸收，光子的能量传递给硅原子，使电子发生跃迁，成为自由电子，在P-N结两侧聚 集，产生电位差。当外部接通电路时，在该电压的作 用下，将有电流流过外部电路产生一定的输出功率。

2.1 单晶硅太阳能电池

硅系列太阳能电池中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关的成热的加工处理工艺基础上的。现在单晶硅的电地工艺己近成熟，在电池制作中，一般都采用表面织构化、发射区钝化、分区掺杂等技术，开发的电池主要有平面单晶硅电池和刻槽埋栅电极单晶硅电池。提高转化效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。在此方面，德国夫朗霍费费莱堡太阳能系统研究所保持着世界领先水平。该研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一13nm。厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合．通过改进了的电镀过程增加栅极的宽度和高度的比率：通过以上制得的电池转化效率超过23%，是大值可达23．3％。Kyocera公司制备的大面积（225cm2）单电晶太阳能电池转换效率为19．44%，国内北京太阳能研究所也积极进行高效晶体硅太阳能电池的研究和开发，研制的平面高效单晶硅电池（2cm X 2cm）转换效率达到19.79%，刻槽埋栅电极晶体硅电池（5cm X 5cm）转换效率达8.6%。

2.1.1 单晶硅的优点和不足

单晶硅太阳能电池转换效率无疑是最高的，在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，虽然其转换效率高，但是制作单晶硅太阳能电池需要大量的高纯度硅材料，且工艺复杂，电耗很大池工艺影响，且太阳能电池组件平面利用率低，致使单晶硅成本价格居高不下。要想大幅度降低其成本是非常困难的。为了节省高质量材料，寻找单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳能电池，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池就是典型代表。

2.2多晶硅太阳能电池

目前，太阳能使用的多晶硅材料，多半是含有大量单晶硅颗粒的集合体，或用废弃单晶硅材料和冶金基硅材料熔化浇筑而成，其工艺过程是选择电阻率为100-300cm的多晶块料或单晶硅头尾料，经破碎，用1:5的氢氟酸液混合进行适当的腐蚀，然后用离子水冲洗呈中性，并烘干，用石英坩埚装好许多硅料，加入适当硼硅，放入浇铸炉，在真空状态下加以熔化，熔化后保持约20min,然后注入石墨铸模中，慢慢冷却后即基硅锭，然后切片加工成太阳能电池片，即多晶硅太阳能电池。

2.2.1 多晶硅太阳能电池的优点和不足

它的成本和单晶硅差不多，其转换约为12%左右，稍低于单晶硅太阳能电池，但是材料制造简便，总的生产成本较低，因此得到了大量发展。

2.3 多晶硅薄膜太阳能电池

通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350－450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池【3】。2.3.1多晶硅薄膜太阳能电池的优缺点

多晶硅薄膜电池由于所使用的硅远较单晶硅少，又无效率衰退问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本远低于单晶硅电池，而效率高于非晶硅薄膜电池，因此，多晶硅薄膜电池不久将会在太阳能电地市场上占据主导地位。2.4 非晶硅薄膜太阳能电池

非晶态硅，其原子结构不像晶体硅那样排列得有规则，而是一种不定形晶体结构的半导体。非晶硅属于直接带系材料，对阳光吸收系数高，只需要1 ùm厚的薄膜就可以吸收80%的阳光。非晶硅薄膜太阳能电池于1976年问世，非晶硅薄膜太阳能电池的成本低，便于大规模生产。由于硅原料不足和价格上涨，促进了高效使用硅的技术和非晶硅薄膜系太阳能电池的开发。非晶硅薄膜电池低廉的成本弥补了其在光电转换效率上的不足，未来将在光伏发电上占据越来越重要的位置。但是由于非晶硅缺陷较多，制备的太阳能电池效率偏低，且其效率还会随着光照衰减，导致非晶硅薄膜太阳能电池的应用受到 限制。目前非晶硅薄膜电池研究的主要方向是与微晶硅结合，生成非晶硅/晶硅异质结太阳能电池，这种电池不仅继承了非晶硅电池的优点，而且可以延缓非晶硅电池的效率随光照衰减的速度，目前单结非晶硅薄膜电池的最高转换效率为17.4%【3】。

2.4.1非晶硅薄膜太阳能电池优点与缺陷

非晶硅薄膜太阳能电池与晶体硅太阳能电池相比，具有重量轻、工艺简单、成本低、耗能少和便于大规模生产等优点，因此受到人们 重视，并得到迅速的发展。非晶硅薄膜太阳能电池首先实现商品化，也是目前产业规模最大的薄膜电池。

虽然非晶硅薄膜太阳能电池得到了广泛的研究和应用。但是，依然存在着很多问题需要去解决:y光学禁带宽度为1.7 eV，使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域吸收不敏感，限制了其光电转换效率;(2)光电转换效率随着光照时间的增长而衰弱，即所谓的光致衰退(S W)【2】效应，使得电池性能不稳定;(3)制备过程中，非晶硅的沉积速率较低，影响了非晶硅薄膜太阳能电池的商业化生产;(4)电池组件的后续加工困难，如Ag电极的处理问题;(5)在薄膜沉积过程中存在大量的负面杂质，如Oz , Nz和C等，影响薄膜的质量和电池的稳定性。2.5 微晶硅薄膜太阳能电池

微晶硅薄膜可采用与非晶硅兼容的技术制备，鉴于非晶硅良好的短波响应特性和微晶硅良好的长波响应特性，常用微晶硅作底电池，形成非晶硅/微晶硅叠层结构，可大幅度提高转换效率。通过诸多实验室的努力，微晶硅电池自1994年被报道以来，转换效率得到明显的提高。目前，单结微晶硅电池的效率已超过10%，微晶硅薄膜的制备方法有:基于高氢气稀释比，高功率密度的PECVI〕技术;用氢等离子体退火处理a-Si:H薄膜;电子回旋共振担CR)等离子体淀积技术;用热丝法(VV1J或Cat)技术【1】。2.5.1微晶硅薄膜太阳能电池的优势与不足

微晶硅薄膜太阳能电池具有过渡层结构，几乎没有s-w效应，稳定性好，可拓展太阳光谱范围，使其转换效率高，具有与非晶硅材料相同的低温工艺、工艺简单、便于大面积生产的优点，主要存在的问题就是其生长速率较低的问题，不利于降低制造成本。这将成为今后重点的研究方向。主流太阳能电池材料的比较

单晶硅太阳能电池是开发得最早、使用最广泛的一种太阳能电池，其结构和生产工艺已定型，产品已广泛应用于空间技术和其它方面单晶硅太阳能电池是由高质量的单晶硅材料制成的.目前，商用晶体硅光伏产品的光转化率约为20%左右.由于单品硅材料的制作成木昂贵，而半导体薄膜太阳能电池材料只需几微米厚就能实现光电转换.是降低成本和提高光子循环的理想材料，非晶硅薄膜太阳能电池是用非晶硅半导体材料制备的一种薄膜电池。非晶硅薄膜太阳能电池可以用玻璃、特种塑料、陶瓷、不锈钢等为衬底.多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上作为太阳电池的激活层。纳米Ti0:半导体的化学性质稳定.纳米Ti0:半导体用做太阳能电池材料的原理与硅半导体相同.但TiO:是宽禁带(3.2eV)半导体化合物，应用于太阳能电池只有波长较短的太阳光（λ ≥387nm)才能被吸收.而这部分紫外线((300--400nm)只占到达地面上的太阳光能的4%-6%，太阳能利用率很低.提高太阳能吸收效率的途径是缩短Tin:半导体的禁带宽度使其吸收光谱向可见光扩展，可以通过金属离子掺杂、非金属离子注人、半导体复合以及染料敏化等几个方法来缩短Ti0:的禁带宽度。

从20世纪70年代起开始探索一些具有大共扼结构的有机化合物或金属配合物用做太阳能电池材料与无机半导体太阳能电池相比，有机材料制备太阳能电池具有制造面积大、制作简单、廉价、并且可以在可卷曲折叠的衬底上制备具有柔性的太阳能电池等优点.有机太阳能电池材料主要是一些具有大共扼结构的有机小分子花类化合物、有机染料分子、富勒烯及其衍生物等.有机小分子化合物的主要优势是制备和表征比较简单，化学结构很容易修饰，可以根据需要进行设计和改变官能团。

过渡金属配合物是一类新型的光电材料化合物，它可以兼有过渡金属离子的变价特性和有机分子结构的多样性，这类化合物的特点是过渡金属离子被有机配体所环绕，有机配体易于进行分子设计和分子裁剪，而过渡金属离子的d轨道或漱道上具有未成对电子，能形成特有的光电性质。目前用做太阳电池材料的金属配合物主要有菁类化合物和具有共扼结构的联毗啶过渡金属配合物。

染料敏化太阳能电池(Dye-sensitized Soar Cells, DSSCs).以半导体 Ti02薄膜为光阳极，并引入了染料敏化剂，使电池效率达到7.1%，这种电池的出现为太阳能电池的发展带来了新方法，它将带有发色团的染料分子引人到半导体中，大大增强了半导体TiO,捕获太阳光的能力。由于现在对界面电荷的分离机理还不是很明确，当电荷分离形成之后就会发生电荷的迁移电子移向正极而空穴移向负极，从而在两极间形成一定的电势，但在电荷的迁移过程中，也伴随着电荷的重新结合(重合)。电荷重合浪费了界面电荷分离所储存的电势能，极大地降低光电转化的效率.目前染料敏化太阳能电池材料还存在光电转换率低，或是电池材料的寿命短.因此寻找光转换效率高寿命长的光敏染料是染料敏化太阳能电池材料研究的重要方向。硅基太阳能电池的发展和应用前景 4.1 硅基的发展历程

硅基太阳能电池的发展可划分为三个阶段（如图1所示），每一阶段效率的提升都是因为新技术的引入。

图1电池效率发展路程图

1954年贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6%的单晶硅太阳能电池到1960年为第一发展阶段，导致效率提升的主要技术是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升，这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段，背电场电池（BSF）技术、“浅结”结构、绒面技术、密栅金属化是这一阶段的代表技术，电池效率提高到17%，电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段，光伏科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率：表面与体钝化技术、Al/P吸杂技术、选择性发射区技术、双层减反射膜技术等。许多新结构新技术的电池在此阶段相继出现，如效率达24.4%钝化发射极和背面点接触（PERL）电池。目前相当多的技术、材料和设备正在逐渐突破实验室的限制而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%，多晶将超过17%。

4.2 硅基太阳能电池的应用前景

目前，硅基电池已广泛应用于工业、农业、商业、通信、军事、航火等领域。还包括家用电器以及公用设施。硅基电池的应用主要可分为3种类型:并网型、离网和家用电器产品。

4.2.1 并网

进入21纪以来，全球太阳能光伏并网发电并网容址增长了44.1倍.从2000年的28 7MW递增至2008年的29.85MW，年均增长率 达60.99%，同比2007年增长了72.65%.全球太阳能光伏并网发电并网累积总里增长10.5倍，从2000的1.435G增至2008年的16.4GW，年增长率为35.6%。世界各国都在楼宇和家居屋顶应用了太阳能电池，所发的电大都可以并网。4.2.2离网应用

与井网发电相比，离网发电具有灵活等特点，特点，始终占据着重的市场份领，如用于通信联络中继站的供电、边远山区小功率的生活用电等场合。在不少偏远地区如远离城市的农场、山区、葡萄园采用离网方式发电，如水泵的供电系统。功率可高达441.3KW。

4.2.3 家用电器应用

太阳能发电虽受昼夜、晴雨、季节的影响，但可以分散地进行，所以它适合于各家各户分散进行发电，而且要联接到供电网络上。太阳电池日益成为家用电器的“能源心脏”。

1.太阳能电话。以太阳能作能源的无线电话已在英国一家无线电公司问世。它利用顶端上装的太阳能接收板，可以不断给电池充电。使用者的声音通过无线电波输入附近的电话交换机，再传送到各地电话通讯网去。巴黎伏德瓦特公司制作的太阳能收费公用电话，耗电量极低，只要在阳光下充电几小时，便足够使用10多天。

2.太阳能冰箱。法国的太阳能冰箱以甲醇为制冰剂，每24小时可制冰10公斤，保鲜30公斤食物。印度研制出一种仓库用的大型太阳能冰箱，上部装的抛物线镜面将阳光集中在半导体网孔上，把光转换成电流，箱内温度保持在－2℃，可冷藏500公斤食品，每天还可制出25公斤冰来。

3.太阳能空调器。日本夏普电器公司制造的这种空调装置，当天气晴朗时，全部动力都由阳光供给，多云或阴天时才使用一般电源。期间的转换由控制系统自动完成，用它可使一间18平方米的居室室温保持在20℃左右，并较一般空调器节约电费60％以上。

4.太阳能电视机。芬兰研制的太阳能电视机只要白天把半导体硅光电池转换器放在有阳光的窗台上，晚上不需电源便可观看电视。转换器贮存的电能，可供工作电压为12伏的电视机使用3至4小时。印度研制的太阳能电视机，其能源吸收系统只要每天工作4小时，即使连续3天无太阳，也能正常接收信号播放节目。

5.太阳能照相机。日本制作的世界上第一架太阳能照相机，重量仅有475克，机内装有先进的太阳能电池系统，其蓄电池可连续使用4年。美国一家公司生产了一种新型的135照相机。它的光圈、速度均由微电脑自动控制，电力则由太阳能硒光电池提供，只要有光线就能供电。

5.总结

目前晶体硅电池仍然是硅基太阳能电池的主要部分，但由十成木、环保等发而的制约。为了寻找晶硅电池的替代品，人们除开发了硅基薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化嫁III-V族化合物、硫化福、硫化福及铜锢硒薄膜电 池等。但这些材料有些含有剧毒而制约其发展。

硅基薄膜凭借其而积大、成木低、工艺设备成熟、易集成、无毒、有多种廉价衬底选择以及适合制备柔性电池等优势，己经成为工业生产的一个重要组成部分。随着研究的深入，技术的进步和成木的进一步下降，薄膜电池将占据越来越多的市场份额，最终取代体硅材料成为太阳能电池的主要材料。薄膜电池的另一个优点是适合作为光伏建筑一体化(BIFV)的材料，非氢化非晶硅薄膜电池的生产线己有很多条，但其红外波段的响应较弱，受到光致衰

减效应的影响，组件效率较低。为了充分利用光谱减小光致衰减效应以提高效率，非晶微晶叠层电池己成为目前研究的一个热点。多晶硅薄膜电池的制备温度较高，耐高温衬底的成本

大致为组件制造成本的三分之一，因此寻找低成本的衬底和高效的低温制备技术和工艺艺是目前研究的一个重点。

参考文献

【1】申兰先。薄晶体硅太阳能电池。昆明，云南师范人学太阳能研究所。

【2】 鲁源坤，张敏刚。硅基薄膜太阳能电池及硅锗薄膜在其中的应用。山西太原，太原科技大学。

【3】铁生年，李星，李昀珺。太阳能硅材料的发展现状。青海西宁，青海大学先进材料重点实验室。

【4】 王昊鹰，近几年太阳能电池的研究进展与发展趋势。辽宁大连 大连理工大学。

【5】黄庆举，林继平，魏长河，.姚若河。硅太阳能电池的应用研究与进展。广东广州。华南理工大学电子信息学院，茂名学院物理系。

【6】汪建军，刘金霞。太阳能电池及材料研究和发展现状。宁波

第四篇：太阳能电池专业英语

A 1.中文：暗饱和电流

英文：Dark Saturation Current 解释：没有光照的条件下，将PN结反偏达到饱和时的电流。降低暗饱和电流利于提高电池品质

在以下的理想二极管公式中，I =流过二极管的总电流;I0 = “暗饱和电流”, V = 加在二极管两端的电压

B 1.中文：包装密度

英文：Packing density 解释：组件中被太阳能电池覆盖的面积对比于整个组件的面积。它影响了组件的输出功率及工作温度

2.中文：背电场

英文：Back Surface Field 解释：在电池背面由于重掺杂引起的电场。该电场会排斥少数载流子以使它们远离高复合率的背表面

3.中文：背面反射/底面反射

英文：Rear Surface Reflection 解释：穿过电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池，增大吸收概率

4.中文：本底掺杂 英文：Background Doping 解释：电池衬底的掺杂浓度

5.中文：表面制绒

英文：Surface Texturing 解释：用物理或化学的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙，增大光捕获，减小反射

6.中文：并网系统

英文：Grid-connected Systems 解释：并网系统指由光伏组件供电的，接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池

7.中文：薄膜太阳能电池

英文：Thin-film Solar Cells 解释：薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的，厚度从几微米到几十微米不等。成本较低

但效率普遍较低

8.中文：复合

英文：Recommbination 解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。

9.中文：表面复合速率

英文：Surface Recombination Velocity 解释：当少子在表面消失时，由于浓度梯度，少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复合的强弱。C 1.中文：掺杂

英文：Doping 解释：在本征半导体里加入施主或受主杂质（通常是磷或硼）使半导体内自由载流子浓度变高并使其具有p型或n型半导体的性质

2.中文：串联电阻

英文：Series Resistance 解释：由电池体、电极接触等产生的分压电阻。电池运作时，部分电压降在电池的串联电阻上，影响了电池输出效率

D 1.中文：大气质量/大气光学质量

英文：Air Mass 解释：定义为1/cos(太阳与法线夹角）。表征太阳光到达电池前穿越的大气厚度。不同的AM值还对应不同的太阳光谱

2.中文：带隙

英文：Band Gap 解释：半导体导带与价带之间的能级差。常温下，本征硅的带隙是1.1eV 3.中文：导带 英文：Conduction Band 解释：又名传导带，是指半导体或是绝缘体材料中，一个电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价带（valence band），而所有在导带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。

4.中文：电池工作温度

英文：Cell Operating Temperature 解释：太阳能电池在受到光照激发产生电流时的实际温度。工作温度通常高于标准测试条件（STC)规定的25摄氏度，并且会影响电池的开路电压

5.中文：电池互联

英文：Cell Interconnection 解释：将电池板串联一起组成电池组件

6.中文：电池降格

英文：Cell Degradation 解释：电池降格指组件在户外工作一段时间后，效能降低。对晶硅电池来说原因包括：电极脱落或被腐蚀，电极金属迁移透过P-N节而降低了并联电阻，减反膜老化，P型材料中形成了硼氧化物 等

7.中文：电流电压特性

英文：Current-Voltage Charateristic 解释：又称为伏安特性，是电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性，常用伏安特性曲线来表征。8.中文：电子空穴对

英文：Electron-hole Pair 解释：半导体中，吸收了一个光子能量的电子离开原子束缚，成为自由载流电子，原来的原子则产生了正电荷，等效于一个孔穴，它们合称电子空穴对

9.中文：独立系统

英文：Stand-alone Systems 解释：不接入公用电网的独立光伏发电系统，通常需要蓄电池蓄能以备夜间及阴天使用，也常装备柴油发电机作为补充

10.中文：短路电流

英文：Short Circuit Current(Isc)

解释：在光照下将电池短路，此时流过电池的电流为短路电流。表征电池能产生的光电流强度。

11.中文：多晶硅

英文：Polycrystalline/Multicrystalline silicon

解释：在硅晶体里面，晶向的分布式随机的而不是同一的，相较于单晶硅生产成本低但材料品质也较差

12.中文：等离子增强化学气相沉积法

英文：Plasma enhanced, Chemical Vapor Deposition(PECVD)

解释：一种镀膜技术。常用于在晶硅电池表面镀氮化硅，二氧化硅，氧化铝等薄膜。

E 1.中文：额定功率

英文：Rated Power/Rated Watt 解释：太阳能电池板在国际通行标准条件下（光谱AM1.5，光强1000W／平米，温度25C）测试出来的输出功率，实际的输出功率受使用环境影响

F 1.中文：反偏

英文：Reverse Bias 解释：对于p-n节来说,指n-type接高电势，p-type接低电势

2.中文：方块电阻率/薄层电阻率

英文：Sheet Resistivity 解释：通常表征发射极掺杂浓度的高低。高掺杂则电阻率低但削弱蓝光响应。可通过四点探针测量

3.中文：非晶硅/无定形硅

英文：Amorphous Silicon 解释：硅的一种同素异形体，它的原子间的晶格网络呈无序排列，不存在晶体硅的延展性晶格结构。无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)，虽然可以被氢所填充，但在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退。

4.中文：分布式光伏系统

英文：Distributed PV Systems 解释：小型模块化、分散式、布置在用户附近的，依靠光伏组件发电的电力系统。

5.中文：分流电阻/并联电阻

英文：Shunt Resistance 解释：在太阳能电池等效电路中，并联于电池两端的漏电阻。该电阻会分流掉部分光电流，因此并联电阻越大越好

6.中文：封装

英文：Encapsulation 解释：指将已互联的电池通过层压密封到电池组件里。封装可以实现电池组件防水，防潮，并且增强电池的机械性能。

7.中文：峰瓦

英文：Peak Watts 解释：组件在理想的标准测试条件下的输出功率，该功率值也是组件的额定功率。

8.中文：峰值日照小时数

英文：Peak Sun Hours 解释：这是一个等效概念，表征一天中太阳的辐射总能量。数值上等于一天中太阳的总辐射能量(千瓦时/平方米)除以1 千瓦/平方米

9.中文：伏安特性曲线

英文：I-V Curve 解释：用来表征电子器件的在外部电压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性曲线。10.中文：复合

英文：Recommbination

解释：又称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。

11.中文：复合损失

英文：Recombination Loss

解释：在被电极收集之前 电子与空穴的复合使电能流失。

12.中文：副栅线

英文：Fingers

解释：太阳能电池的电极的一部分，用于收集积累于电池表面的电荷从而形成外电路电流。副栅线通常由丝网印刷金属浆料或者电镀金属形成，宽度小于130微米，与主栅（bus bar）相连。

G 1.中文：跟踪

英文：Tracking 解释：在电池组件上安装智能的制动系统使组件始终朝向太阳以获得最大辐射量

2.中文：光捕获/光陷阱

英文：Light Trapping 解释：通过散射与折射使光进入电池后就被限制在电池内部传播直至大部分被完全吸收

3.中文：光伏效应 英文：Photovoltaic Effect 解释：指在光照激发下的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电势差的现象。由于材料内部的参杂不均匀，在内建电场的作用下，受到激励的电子和失去电子的空穴向相反方向移动，而形成了正负两级。此效应最早于1839年由法国物理学家亚历山大·埃德蒙·贝克勒尔发现。

4.中文：光谱响应

英文：Spectral Response 解释：指电池对不同波长的单色光的响应。通常以量子效率来呈现这种响应。

5.中文：光学损失

英文：Optical Loss 解释：入射光由于受到电池的表面反射，电极遮挡等因素影响而无法在电池中激发载流子形成的损失。通过光陷阱的设计和对电极遮挡的优化可以有效减少光学损失。

6.中文：光照强度

英文：Light Intensity 解释：单位面积接收到的光照功率，单位是 瓦/平方米

7.中文：光子

英文：Photon 解释：是传递电磁相互作用的基本粒子，也是电磁辐射的载体。光子具有波利二象性：既能表现经典波的折射、干涉和衍射等性质，作为粒子性的光子只能传递量子化的能量，即： E=hv，其中h是普朗克常数，v是光波的频率。8.中文：光伏建筑一体化

英文：Building Integrated PV(BIPV)解释：是使用太阳能光伏材料取代传统建筑材的一种应用方式，通常利用天窗和外墙是作为最大的接光面，使建筑物本身能够为自身提供能源，可以部分或全部供应建筑用电，而不必用外加方式加装太阳能板。由于在建筑设计阶段提前规划，所以发电率和成本比值最佳。

H 1.中文：耗尽区/耗尽层

英文：Depletion Region 解释：指在P-N节中P型与N型的交界面周围的区域，通常有几个微米宽。由于该区域内建电场的存在，多数载流子被排斥而形成耗尽区。

J 1.中文：激光刻槽埋栅太阳能电池

英文：Laser Ｇrooved, Buried Ｃontact Ｓolar Cells 解释：由新南威尔士大学研究中心开发的电极设计。激光刻槽使副栅线深埋入电池，在减少电极遮光的同时保持良好的导电。

2.中文：寄生电阻

英文：Parasitic Resistance 解释：电池串联电阻与并联电阻的总称。

3.中文：价带 英文：Valence Band 解释：通常是指半导体中在绝对零度下能被电子占满的最高能带。全充满的价带中的电子不能在固体中自由运动。

4.中文：交错背接触电池

英文：Interdigitated Back Contact(IBC)Cell 解释：电池的正负极接触都在背面，并且相互交叉，其结构如图所示。

5.中文：减反膜

英文：Antireflection Coating 解释：在电池表面镀上的薄膜，它使入射光由于干涉相消而减少反射率，理想情况下，单层减反膜可使一个特定波长的光的反射率降为零

6.中文：金属化（形成电极）

英文：Metallisation 解释：在电池的正表面或背表面上加上金属使电池形成电极接触 7.中文：金字塔（表面制绒结构）

英文：Pyramids 解释：碱溶液对单晶硅的腐蚀是各项异性的，在制绒过程中单晶硅的特定晶面会暴露出来，使得制绒后的硅表面出现数微米高的金字塔

8.中文：禁带

英文：Forbidden Gap 解释：在能带结构中能态密度为零的能量区间。常用来表示价带和导带之间的能态密度为零的能量区间。

9.中文：单晶硅/晶体硅

英文：Crystalline Silicon/Monocrystalline Silicon 解释：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构，纯度高。

10.中文：接触电阻

英文：Contact Resistance

解释：指电流流过半导体与电极金属界面所克服的电阻。该电阻是电池总串联电阻的一部分

11.中文：间接带隙半导体

英文：Indirect Band-gap semiconductor

解释：指半导体的能带图上导带底与价带顶不在同一动量上。需要光子与声子共同作用来激发电子孔穴对。硅就是常见的间接带隙半导体

12.中文：聚光光伏

英文：Concentrator PV(CPV)

解释：通过光学器件将太阳光聚集到电池表面，等效于太阳能电池有了更大的受光面积

K 1.中文：开路电压

英文：Open Circuit Voltage(Voc)解释：电池光照下并且电路处于开路状态时，正负电极之间产生的电势差。开路电压衡量了电池可以达到的最高电压。

2.中文：扩散

英文：Diffusion 解释：是粒子通过随机运动从高浓度区域向低浓度区域的网状的传播。在光伏应用中，扩散用于向衬底中参杂施主或受主原子以形成p-n结或高低结

3.中文：扩散长度/载流子扩散长度

英文：Diffusion Length 解释：半导体中载流子在复合前平均移动的距离。与少子寿命及扩散系数成正比，一般扩散长度越长材料的质量越高。

L 1.中文：理想二极管定律

英文：Ideal Diode Law 解释：电池在无光照情况下的电流电压关系满足如下理想二极管公式 I=I_0*(exp(qV/kT)-1)2.中文：理想因子

英文：Ideality Factor 解释：用于描述电池等效电路模型中的二极管和理想二极管的接近程度。由于理想二极管方程有一些前提假设，而实际二极管会因一些二阶效应的影响表现出与理想二极管不同，理想因子被用于表征这种差异。

3.中文：硫化（蓄电池）

英文：Sulfation 解释：由于长期处在低充电量状态下，蓄电池电极出现硫酸铅晶体的现象称为硫化。硫化会使电池容量及充放电效率降低。

M 1.中文：漫射辐射

英文：Diffuse Radiation 解释：通常指阴天条件下的太阳光辐射，其特点是辐射能量沿各个方向传播且光强低。

2.中文：冥王星电池

英文：Pluto solar cells 解释：由尚德电力主导研发的一种高效率太阳能电池。它具备激光参杂，选择性发射级，以及背表面局部接触等特点。2012年初，其在6英寸直拉单晶硅片转换效率达到20.3%。

N 1.中文：N 型（半导体）

英文：Ｎ-type(semiconductor)解释：在半导体中由于掺入施主元素而使得电子成为半导体内的多数载流子。常用来制成N型半导体的施主元素为磷

2.中文：逆变器

英文：Inverter 解释：又称变流器、反流器，或称反用换流器、电压转换器，是一个利用高频电桥电路将直流电变换成交流电的电子器件，其目的与整流器相反。

P 1.中文：P-N 结

英文：p-n junction 解释：P型与N型半导体相接处形成的特殊界面。由于内建电场存在，电流容易从P型流向N型，反之则困难。太阳能电池利用P-N节将被光激发的少数载流子从P-N节的一端迁移到另一端

2.中文：P 型（半导体）

英文：p-type(semiconductor)解释：在半导体中由于掺入受主元素而使得空穴成为半导体内的多数载流子。常用来制成P型半导体的施主元素为硼

3.中文：旁路二极管 英文：Bypass diode 解释：是电池组件中用于防止组件由于遮挡产生局部过热而附加的安全器件。旁路二极管与其所保护的电池并联，但是二极管极性与电池相反。

R 1.中文：日照常数

英文：Solar Constant 解释：数值上等于峰值日照小时数，没有单位。

S 1.中文：砷化镓

英文：Gallium Arsenide 解释：由ⅢA族元素Ga和ⅤA族元素As化合而成的半导体材料。分子式为GaAs。室温下禁带宽度为1.42eV，属直接跃迁型能带结构。

2.中文：失谐损失

英文：Mismatch Losses 解释：如果组件中串联的电池板输出电流的不一致，则总电流受最小电流限制，因而造成功率损失。

3.中文：死层

英文：Dead Layer 解释：参杂浓度过高的电池前表面参杂区域。这会导致表层载流子寿命显著减少，电池对短波长光谱反映严重衰减。T 1.中文：体电阻

英文：Bulk Resistance 解释：电流流穿电池衬底时所需克服的电阻。由电池的本底掺杂浓度决定

2.中文：填充因子

英文：Fill Factor 解释：定义了电池最大输出功率和开路电压与短路电流乘积的比值。在图形上，填充因子描述了电池伏安特性曲线的“直方性”。填充因子越大，伏安曲线约接近于方形。

3.中文：铜铟镓硒薄膜电池

英文：CuInxGa(1-x)Se2(CIGS)解释：具有稳定性好、抗辐照性能好、成本低、效率高等优点。但也面临三个主要的问题：制程复杂，投资成本高；关键原料的供应不足；缓冲层CdS具有潜在的毒性。

4.中文：同质节

英文：Homojunctions 解释：P-N节两端由同种半导体组成，例如晶硅太阳能电池

5.中文：太阳光谱

英文：solar spectrum 解释：太阳光在各个波长的辐射能量分布。不同的太阳光谱可能导致不同的电池效率，即使总光强一致。通常测试所用光谱的 AM1.5的太阳光谱

X 1.中文：吸收系数

英文：absorption coefficient 解释：吸收系数决定了某一波长的光在材料中被吸收前能穿透的深度。例如蓝光在硅中的吸收系数高，所以蓝光在穿透很薄的硅后就被吸收了

2.中文：效率

英文：efficiency 解释：又称为光电转换效率，是衡量电池质量的最重要标准之一。电池效率由电池的最大输出功率和输入功率的比值决定。在标准测试条件（STC）下，输入功率为：1瓦每平方米 X 电池面积。

Y 1.中文：异质结

英文：Heterojunctions 解释：P-N节两端由不同的半导体组成

Z 1.中文：载流子寿命

英文：carrier lifetime 解释：是一个等效概念，指载流子从产生到复合经历的平均时长。载流子寿命高的材料通常能做出电压更高的电池。

2.中文：遮光

英文：shading 解释：电池运作时部分面积被遮挡而接收不到光照。

3.中文：遮光损失

英文：shading losses 解释：由于遮光到来的光电流乃至效率的损失

4.中文：折射率

英文：refractive index 解释：简单来说，某材料的折射率表征光在真空中的速度与光在该材料中的速度之比率。

5.中文：主栅线

英文：busbars 解释：电池受光面上较粗的导电电极。通常有两三根贯穿整个电池，宽度几毫米

6.中文：阻流二极管 /阻滞二极管

英文：blocking diode 解释：串联在组件上，阻止与之并联的其它组件向其输送电流的二极管

7.中文：组件 英文：modules 解释：具有封装及内部连接的、能单独提供直流电输出的、不可分割的太阳能电池组合装置。通常由太阳能电池片、钢化玻璃、EVA、透明TPT背板以及铝合金边框组成。

8.中文：最大功率点

英文：maximum power point 解释：指电池或组件在特定光照条件下输出功率最大的工作点

9.中文：最大功率点跟踪器

英文：maximum power point tractor 解释：整合到光伏系统电路中能自动调整组件运作电压使其输出功率达到最大的电子器件

10.中文：载流子注入

英文：carrier injection

解释：指多过剩流子的注入。可以通过在电池上加正偏电压或提供光照来实现

11.中文：杂质

英文：Impurities

解释：半导体中除了半导体材料本身以外的其它杂质。

12.中文：直接带隙半导体

英文：direct band-gap semiconductor

解释：指半导体的能带图上导带底与价带顶在同一动量上。单一光子作用即可激发电子空穴对。砷化镓是常见的直接带隙半导体

第五篇：太阳能电池最新政策

太阳能光电建筑应用财政补助资金管理暂行办法

第一条 根据国务院《关于印发节能减排综合性工作方案的通知》（国发[2007]15号）及《财政部建设部关于印发<可再生能源建筑应用专项资金管理暂行办法>的通知》（财建[2006]460号）精神，中央财政从可再生能源专项资金中安排部分资金，支持太阳能光电在城乡建筑领域应用的示范推广。为加强太阳能光电建筑应用财政补助资金（以下简称补助资金）的管理，提高资金使用效益，特制定本办法。

第二条 补助资金使用范围

（一）城市光电建筑一体化应用，农村及偏远地区建筑光电利用等给予定额补助。

（二）太阳能光电产品建筑安装技术标准规程的编制。

（三）太阳能光电建筑应用共性关键技术的集成与推广。

第三条 补助资金支持项目应满足以下条件：

（一）单项工程应用太阳能光电产品装机容量应不小于50kWp；

（二）应用的太阳能光电产品发电效率应达到先进水平，其中单晶硅光电产品效率应超过16％，多晶硅光电产品效率应超过14％，非晶硅光电产品效率应超过6%；

（三）优先支持太阳能光伏组件应与建筑物实现构件化、一体化项目；

（四）优先支持并网式太阳能光电建筑应用项目；

（五）优先支持学校、医院、政府机关等公共建筑应用光电项目。

第四条 鼓励地方出台与落实有关支持光电发展的扶持政策。满足以下条件的地区，其项目将优先获得支持。

（一）落实上网电价分摊政策；

（二）实施财政补贴等其他经济激励政策；

（三）制定出台相关技术标准、规程及工法、图集；

第五条 本通知印发之日前已完成的项目不予支持。

第六条 2009年补助标准原则上定为20元/Wp，具体标准将根据与建筑结合程度、光电产品技术先进程度等因素分类确定。以后补助标准将根据产业发展状况予以适当调整。

第七条 申请补助资金的单位应为太阳能光电应用项目业主单位或太阳能光电产品生产企业，申请补助资金单位应提供以下材料：

（一）项目立项审批文件（复印件）；

（二）太阳能光电建筑应用技术方案；

（三）太阳能光电产品生产企业与建筑项目等业主单位签署的中标协议；

（四）其他需要提供的材料。

第八条 申请补助资金单位的申请材料按照属地原则，经当地财政、建设部门审核后，报省级财政、建设部门。

第九条 省级财政、建设部门对申请补助资金单位的申请材料进行汇总和核查，并于每年的4月30日、8月30日前联合上报财政部、住房和城乡建设部（附表）。

第十条 财政部会同住房城乡建设部对各地上报的资金申请材料进行审查与评估，确定示范项目及补助资金的额度。

第十一条 财政部将项目补贴总额预算的70％下达到省级财政部门。省级财政部门在收到补助资金后，会同建设部门及时将资金落实到具体项目。

第十二条 示范项目完成后，财政部根据示范项目验收评估报告，达到预期效果的，通过地方财政部门将项目剩余补助资金拨付给项目承担单位。

第十三条 补助资金支付管理按照财政国库管理制度有关规定执行。

第十四条 各级财政、建设部门要切实加强补助资金的管理，确保补助资金专款专用。对弄虚作假、冒领、截留、挪用补助资金的，一经查实，按国家有关规定执行。

第十五条 本办法由财政部、住房城乡建设部负责解释。

第十六条 本办法自印发之日起执行。

附表：太阳能光电技术建筑应用财政补助资金申请汇总表（略）