关于沈阳计算机研究所招生简章

第一篇：关于沈阳计算机研究所招生简章

中国科学院沈阳计算技术研究所

2012年博士&硕士研究生招生简章

一、所简况

中国科学院沈阳计算技术研究所创建于1958年，是我国首批建立的计算机科学技术与工程研究的专业机构之一，全所现有职工500余人，科技人员400余人。每年在岗博士生和硕士生导师百余人。所里设有五个相应学科的研究室和一个高档数控国家工程研究中心。其学术水平在国际、国内都有较高的知名度。本所还设有一个国家级博士后科研工作站，本所主编的《小型微型计算机系统》是中国计算机学会会刊和国家自然科学核心期刊之一。

二、研究方向

经过五十多年的发展，本所已形成了学科种类齐全、集基础研究、应用开发于一体的新型科研机构。目前，在计算机系统结构、专用计算机技术、系统软件、数控技术、应用系统工程技术、IP通信技术、非数值应用软件、系统集成、网络技术、RISC技术、多媒体技术、ATM技术研究、机械与电子CAD/CAM等领域，都具有良好的科研基础和技术攻关能力。

近年来，本所承担国家、中科院和省市重点科技攻关项目，其中包括国家科技重大专项、国家科技支撑计划项目、国家发改委项目、中科院知识创新工程等各部委、省市政府科研项目。本所创造科技成果200多项，获得国家技术专利70多项，各级政府奖励100多项。在机电一体化、通讯、能源和工业自动控制等应用领域，都做出了卓有成效的工作。

三、学科点与招生条件

本所是中科院研究生院博士和硕士研究生培养单位之一，1978年以来，共招收三十三届近千名研究生，已毕业的学生全部获得了学位，除有部分毕业生直接攻读博士学位外，每年毕业生的社会需要供不应求，就业率100%。本所与多所高校建立了联合实验室，每年还派出部分科技人员出国进修或学术交流，并与世界上20多个国家及地区的大学和研究机构建立了合作关系。

本所十分关心研究生的生活待遇，攻读学位课程期间硕士研究生的助学奖学金为每月900元，博士生的助学奖学金为每月1000元。进入课题组后，根据各研究室的不同情况，各研究室为硕士生每月提供500元的助研补贴，为博士生每月提供800元至1500元的助研补贴。另外，该所还提供180元午餐补贴及个人医疗保险，每学期给优秀的学生颁发优秀奖学金，还给动手能力强的学生增发助研奖金，学生与在职职工享受同等的福利待遇。

本所是“计算机应用技术”博士学位培养点，也是“计算机系统结构”、“计算机软件与理论”和“计算机应用技术”三个专业的学术型及“计算机技术”、“软件工程”二个全日制专业型学位培养点。热忱欢迎计算机、自动化、应用数学及通迅与通信等相关专业的在职人员和应届本科毕业生报考。

第二篇：中科院沈阳自动化研究所2012年硕士招生简章

2012年沈阳自动化研究所在计算机应用技术、控制理论与控制工程、机械电子工程、模式识别与智能系统四个专业预计招收51名学术型硕士生，在控制工程专业预计招收11名全日制专业学位硕士生。实际招生计划数以教育部下达的计划数为准。

一、培养目标

学术型硕士研究生旨在培养德智体全面发展，爱国守法，在本学科内掌握坚实的基础理论和系统的专门知识，具有从事科学研究、教学、管理或独立担负专门技术工作能力、富有创新精神的高级专门人才。

全日制专业学位硕士研究生面向社会需求，面向科技前沿，适应工程技术发展和创新需要，培养德智体全面发展，爱国守法，掌握相关专业领域坚实的基础理论和宽广的专业知识，具有较强的解决实际问题的能力，能够承担专业技术或管理工作，具有良好职业素养的高层次应用型专门人才。

二、报考条件

(一)报名参加硕士研究生全国统一考试，须符合下列条件：

1.中华人民共和国公民。

2.拥护中国共产党的领导，愿为社会主义现代化建设服务，品德良好，遵纪守法。

3.考生的学历必须符合下列条件之一：

（1）国家承认学历的应届本科毕业生；

（2）已取得国家承认的大学本科毕业学历的人员（包括通过高等自学考试或国家承认学历的成人高考获得本科毕业文凭的人员）；

（3）已获硕士、博士学位的人员（只能报考委托培养）；

（4）达到与大学本科毕业生同等学力的人员。

其中同等学力人员是指：

①获得国家承认的高职高专毕业学历后，满2年（从高职高专毕业到录取为硕士生当年的9月1日，下同），且达到我所根据培养目标提出的具体业务要求的人员；

②国家承认学历的本科结业生；

③成人高校（含普通高校举办的成人高等学历教育）应届本科毕业生。

4．年龄一般不超过40周岁，报考委托培养的考生年龄不限。

5．身体健康状况符合规定的体检标准。

6．同等学力人员报考，还应具备下列条件：

（1）已取得报考专业大学本科8门以上主干课程的合格成绩（由教务部门出具成绩证明或出具本科自学考试成绩通知单）；

（2）已在公开出版的核心学术期刊发表过本专业或相近专业的学术论文，或获得过与报考专业相关的省级以上科研成果奖（为主要完成人），或主持过省级以上科研课题。

(二)自考生和网络教育学生须在报名现场确认截止日期前取得国家承认的大学本科毕业证书方可报考。

(三)已经在读的研究生报考，须在报名前征得所在培养单位同意。

(四)沈阳自动化研究所接收具有推荐免试资格的高等学校优秀应届本科毕业生免试为硕士生（学术型或专业学位）。推荐免试生需达到学校相关资格标准，占用学校推荐免试生指标。能在高校取得推荐免试资格的考生，可尽早同沈阳自动化研究所联系推免生接收事宜。推免生应通过中国科学院研究生院招生信息网“网上报名”→“推免申请系统”提出网上申请（网址：http://admission.gucas.ac.cn/index.asp），并按照沈阳自动化研究所的要求提交推荐免试材料和进行相关考核。被确定接收的推荐免试考生应按时参加全国统一的研究生网上报名和现场确认（详见下条）。

三、报名

考生报名前应仔细核对本人是否符合报考条件。在复试阶段将进行报考资格审查，凡不符合报考条件的考生将不予复试和录取，相关后果由考生本人承担。

所有考生一律采取网上报名方式报考。考生在报名期间因公外出，可就地上网报名。考生在网上报名时所选择的报名点和参加考试的考点应一致。在北京参加考试的考生应选择“中国科学院研究生院报考点”（报考点代码为1188）。报名包括网上报名和现场确认两个阶段。

1．第一阶段：网上报名

报名时间：以教育部公布的网报时间为准。

报名和查询网址：中国研究生招生信息网（http://yz.chsi.com.cn或http://yz.chsi.cn）、北京教育考试院信息网(http://www.xiexiebang.com)。

考生登录网上报名主页后，在选择招生单位及报考点过程中弹出的重要公告信息，务必要认真阅读，并按其要求填报。凡未按公告要求报名、网报信息误填、错填或填报虚假信息所造成的一切后果，由考生本人承担。

考生应选择所要报考的沈阳自动化研究所所在的省市为“辽宁”，“招生单位所在地区”选择“辽宁”，“招生单位”选择“80147中科院沈阳自动化所”,“院系所名称”栏不选。之后选择报考专业等报考信息。

2．第二阶段：现场确认

现场确认时间：以教育部公布的网报时间为准，具体时间见报考点公告。逾期不再补办。

现场确认地点：在北京参加入学考试的考生必须到中国科学院研究生院中关村教学园区现场确认，在外地参加入学考试的考生到各省（市、自治区）高校招生办公室指定的报名点进行现场确认。

现场确认手续：所有考生均须持本人居民身份证（军人持军官证等）、本科毕业证书（应届生凭学生证）原件及网上报名号确认报考资格，并办理交费和现场照相等手续。

选择北京报考点的考生必须网上支付报名费，选择京外报考点的考生，报名费支付方式以各地规定为准。

自考生和网络教育学生须持国家承认的大学本科毕业证书办理现场确认手续。

3．报名注意事项

(1)推荐免试生必须在10月25日前到相关研究所或院系办理接收手续。被接收的推荐免试生须在网报规定的报名时间内到指定的报考点进行网上报名，并办理现场确认手续。被接收的推荐免试生不得再报名参加全国统一考试。

(3)考生在报名时只能填报一个我所的一个专业。在复试和录取阶段，达到国家复试基本分数线的考生若不能被我所原专业录取时，可进行调剂。

(4)在网上报名期间，考生可自行修改自己的网报信息。在现场确认期间，考生必须对报名信息进行认真核对并确认。经考生本人确认的报名信息在考试、复试及录取阶段一律不作修改，因考生填写错误引起的一切后果由其自行承担。

(5)考生（含推免生）要准确填写个人信息，特别是要如实填写在参加国家教育考试过程中因违规、作弊所受处罚情况。对弄虚作假者，按《国家教育考试违规处理办法》（教育部令〔第18号〕进行处理。

(6)网报和现场确认结束后，我所将对考生的报名信息进行全面审查，对符合报考条件的考生准予考试。对考生的学历、学籍等信息有疑问的，我所可要求考生在规定时间内提供权威机构出具的认证证明。审查过程中发现伪造的证件时，可扣留伪造证件。

四、初试

1．初试日期：以教育部公布的考试日期为准。

2．初试科目设置四个单元：思想政治理论、外国语、基础课、专业基础课，每个单元的考试时间为3小时。其中思想政治理论、外国语、基础课使用全国统一命题，专业基础课由我所自行组织命题。具体考试科目见《中国科学院沈阳自动化研究所2012年硕士研究生招生专业目录》。

3．考试地点由考生现场报名点所在省市高校招生办指定。

4．思想政治理论和外国语的满分各为 100分，基础课和专业基础课的满分各为 150分。

五、复试

1．我所在复试前对复试考生的有效身份证件、学历证书、学生证等报名材料原件及考生资格再次进行严格审查，对不符合教育部规定者，不予复试。对考生的学历（学籍）信息仍有疑问的，可要求复试考生在规定时间内提供权威机构出具的认证证明。

2．我所依照考生初试成绩进行差额复试。原则上按不低于录取数与参加复试人数1：1.2的比例，由高到低确定复试名单。具体差额比例和初试、复试成绩所占权重在复试前确定。

3．复试名单以及复试时间、地点、科目、方式等由我所在复试前通过我所招生网页等形式向考生公布。

4．复试包括业务能力、综合素质、思想品德、外语听力和口语等内容。

5．对同等学力考生须在复试阶段加试至少两门本科主干课程（闭卷笔试），每门加试科目考试时间为3小时。加试科目不及格者不予录取。

6.复试成绩不及格者不予录取。

六、体格检查

体检由我所在复试阶段组织考生在二级甲等以上医院进行。体检标准执行教育部、卫生部、中国残联印发的《普通高等学校招生体检工作指导意见》（教学[2003]3号）。新生入学后需进行体检复查。

七、录取

我所按国家下达的招生计划，根据考生的考试成绩（含初试和复试成绩），并结合思想政治表现以及身体健康状况，择优确定录取名单。思想品德不合格者，不予录取。

定向生必须在录取前签署三方定向培养协议。

八、调剂

报考我所的上线考生，符合国家调剂规定的，可优先考虑在中国科学院系统内调剂。我所将积极帮助考生联系和落实调剂单位。具体调剂政策按教育部在初试结束后制定的相关要求执行。

九、学习年限

学术型脱产硕士生基本学习年限为3年。

全日制专业学位硕士研究生基本学习年限为3年。

十、收费及待遇

我所2012年招收的学术型硕士研究生和全日制专业学位硕士研究生，一律不收学费（定向委托培养者除外）。所有研究生在学期间享受奖助学金等待遇（在职人员除外）。

十一、硕博连读

硕博连读研究生的基本学习年限为5年。报考硕博连读的考生，应按我所的要求在规定时间内提出硕博连读申请。硕博连读生的具体选拔和确认办法由我所公布。全日制专业学位硕士研究生不得进行硕博连读。

十二、毕业生就业

由毕业研究生自行联系用人单位，按毕业生与用人单位“双向选择”的方式，落实就业去向。定向或委托培养硕士生毕业后按培养协议到定向或委托单位就业。

十三、违纪处罚

对于考生弄虚作假、考试作弊及其它违反招生规定的行为，将按教育部《国家教育考试违规处理办法》及相关规定予以严肃处理。

十四、其它

1．考生因报考研究生与原所在单位或委培、定向及服务合同单位产生的纠纷由考生自行处理。若因上述问题导致我所无法调取考生档案，造成考生不能复试或无法被录取的后果，我所不承担责任。

2．现役军人报考硕士生，按解放军总政治部的规定办理。

3．考生可通过我所研究生教育信息网:http://www.xiexiebang.com

第三篇：中国科学院半导体材料研究所招生简章

半导体研究所

2011年硕士招生专业目录

中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其 应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实 验室、2个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科研仪器设备和设施，承担着一 批国家重点科技支撑项目（如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等），及地方、企业委托项目等。

半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位，是

中国科学院博士生重点培养基地之一，现有3个博士后流动站、4个博士学位授权点、5个 学术型硕士学位授权点及3个专业学位硕士（工程硕士）授权点。

研究所现有在职职工640余人，其中科技人员460余人，中国科学院院士7名、中国工 程院院士2名，研究员及正高级工程技术人员79名、副研究员及高级工程技术人员119名，中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者36名、国家百千万人 才工程入选者6名。半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合 理的研究生指导教师队伍，现有研究生导师106人，其中博士生导师68人。

研究所目前在学研究生536名，博士后在站人员28名，研究生已经成为半导体所科研 工作的生力军。自知识创新工程启动以来，半导体所累计有4人次获全国百篇优秀博士论 文，4人次获院长奖学金特别奖，29人次获院长奖学金优秀奖，其他奖项49项。半导体所 实行研究生兼任研究助理的方式，为研究生提供优越的科研和生活条件，研究生可以直接 参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。

半导体所2011年预计招收学术型硕士学位研究生102名、专业学位硕士研究生（工程 硕士）10名，所有招生专业（含工程硕士）均接收推荐免试生，共拟接收推免生50～60 名。热忱欢迎广大考生报考！

网址：http://www.xiexiebang.com

单位代码：80136北京市海淀区清华东路邮政编码:100083地址： 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

070205凝聚态物理共..半导体掺杂机制和纳米01.112 人 ①101思想政治理论②201..材料的研究英语一③301数学一④977 固体物理或978量子力学

半导体低维结构材料、02.同上..宽带隙半导体材料、半 导体光伏材料与器件和 半导体材料物理

半导体量子结构中自旋03.同上..相关的物理过程研究

半导体微纳结构理论04.同上..半导体中磁性杂质电子05.同上免试推荐和硕博..态的自旋特性与操控连读

半导体自旋电子的实验06.同上要求硕博连读..第1页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 研究

半导体自旋电子学07.同上 半导体自旋电子学基础08.同上 物理理论研究

单光子/纠缠光子发射09.同上 器件、单量子点中电子 /空穴/核自旋相互作用

低维纳米结构、材料和10.同上 新量子器件原理

石墨烯光电子学；低维11.同上要求硕博连读 纳米材料光学性质

石墨烯和拓扑绝缘体12.同上

铁磁半导体器件研究及13.同上具有较强的动手 碳基电子学器件的研究能力和扎实的物 理基础

固体量子计算和量子通14.同上 信的基础物理研究

半导体低维量子结构的15.同上 电子态

自旋相关的电子输运和16.同上 光学性质

半导体与金属复合微纳17.同上 结构中光电耦合效应 080501材料物理与化学

GaN同质衬底的制备01.①101思想政治理论②201 英语一③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

半导体低维结构材料02.同上 宽带隙半导体材料03.同上

半导体低维结构材料物04.同上物理系毕业及有 理科研经历者优先

第2页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136 联系部门：研究生部

北京市海淀区清华东路地址： 甲35号

电话：010-82304321 邮政编码:100083 联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

宽带隙半导体材料和材05.同上 料物理

半导体低维纳米材料制06.同上 备及其器件应用

半导体功能材料及其器07.同上 件应用

半导体光伏材料与器件08.同上 和半导体材料物理

半导体纳米功能材料及09.同上 其器件应用

宽带隙半导体材料与应10.同上 用

半导体纳米结构及器件11.同上 研究

氮化物LED材料和器件12.同上 研究

III族氮化物材料生长13.同上 用MOCVD等重大装备研 制；半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

氮化物材料生长与应用14.同上 研究；新型高效太阳电 池制备与性能研究；新 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

低成本太阳能级多晶提15.同上 纯技术、材料性能与电 池制备；CdTeCIGS材 料制备及薄膜太阳能电 池应用 高功率全固态激光器及16.同上

第3页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136 联系部门：研究生部

北京市海淀区清华东路地址： 甲35号

电话：010-82304321 邮政编码:100083 联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 其应用研究

高效硅基薄膜太阳电池17.同上..相关技术研究

红外量子材料及器件(18.同上..量子级联激光器、探测 器；太赫兹材料及器件..)化合物半导体(GaSb、I19.同上..nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、杂质及物性研究

宽禁带半导体材料物理20.同上..与应用

全固态激光器及非线性21.同上..频率变换

新型高效率太阳电池技22.同上..术研究；GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

有机/无机复合半导体23.同上..材料与器件

有机电致发光材料和器24.同上..件应用

太阳电池制备与性能研25.同上..究

080901物理电子学

Si基高效太阳电池研究01.①101思想政治理论②201..英语一③301数学一④976 半导体物理或977固体物 理

半导体光电探测器、单02.同上..光子探测及电路；高效 太阳电池基础研究 半导体量子点材料与量03.同上..第4页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 子器件，半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

大功率半导体激光器04.同上学习过半导体或 光电子课程，硕 博连读

氮化镓基激光器；新型05.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化镓基蓝紫光激光器06.同上 和太阳盲紫外焦平面探 测器的设计和研制；基 于III-V族半导体的红 外焦平面探测器

非线性全光逻辑及全光07.同上 信号处理；芯片光互连、高速光调制/光开关 ；通讯用有源、无源光 器件

高效硅基太阳电池08.同上物理系毕业者优 先

光电子与信号处理、光09.同上 纤传感技术

光通信、光传感系统与10.同上 器件

光子晶体材料、物理、11.同上物理类学生优先 器件与集成

光子微结构材料物理光12.同上物理或光电子专 学特性及其器件研究业考生优先

硅基光波导无源器件、13.同上物理、电子、电 光波导传感器力或生物专业

基于硅基光电子的波导14.同上硕博连读

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单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 器件、光开关、调制器 和片上光互连系统，光 移相器与慢光器件等

量子点及锑化物二类超15.同上 晶格MBE材料生长，量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱16.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究；新型 高效太阳能电池研究

锑化物二类超晶格红外17.同上 激光器的研究、表面等 离子激元材料及器件研 究、纳米光源的研究

微波功率晶体管、量子18.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微纳光电子器件及集成19.同上熟悉光波导基本 研究理论及半导体光 电子器件

微纳光子学器件物理、20.同上 微腔激光器及光集成

新型半导体材料和器件21.同上 研究

新型光电子器件；硅基22.同上 光子学研究

新型光电子器件及其应23.同上 用

新型信息光电子器件、24.同上

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联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

利用光子学和微纳加工25.同上硕博连读..技术研制基因测序芯片、Lab on chip等生物 传感器

量子点红外探测器及锑26.同上..化物二类超晶格红外探 测器的研究；锑化物二 类超晶格红外激光器的 研究；大功率半导体激 光器的研究

080902电路与系统

半导体人工神经网络硬01.①101思想政治理论②201..件化实现及其应用研究英语一③301数学一④856 电子线路或859信号与系 统

光电信息探测及成像02.同上..光电应用03.同上..目标探测、识别与跟踪04.同上..技术、系统

图像处理与模式识别新05.同上..理论、新方法

先进射频毫米波集成电06.同上..路设计

高速智能图像传感器芯07.同上..片设计

智能感知与先进计算模08.同上..型、算法及其应用技术

多信息融合技术09.同上..时空三维重建可视化技10.同上..第7页2010年8月27日10时46分12秒

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联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）总招生 考 试 科 目备 注 研究方向人数

术

11.机器学习与智能计算技 同上 术、系统

080903微电子学与固体电子业务课二:选光电

学子方向为976半导 体物理与977固体 物理，二选一；选 微电子方向为976 半导体物理与856 电子线路，二选一

01.新型微电子、光电子器 ①101思想政治理论②201 件及其集成技术的研究

英语一③301数学一④856、开发、中试规模的生

电子线路或976半导体物 产（微电子、光电子方

理或977固体物理 向均可）

02.新型微电子、光电子器 同上

件及其集成技术的研究、开发与应用（微电子、光电子方向均可）

03.量子阱红外探测器（微 同上

电子、光电子方向均可）

04.半导体纳米器件和电路 ①101思想政治理论②201 英语一③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

05.高速数模混合电路系统 同上 集成研究

06.高速智能图像传感器芯 同上 片设计

07.图画与动漫的自动生成 同上

硕博连读

08.微纳机电系统 同上

硕博连读

09.先进射频毫米波集成电 同上 路设计

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考 试 科 目备 注

新型微机电（MEMS）器10.同上 件与系统的研究

新型信息光电子器件、11.同上 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

半导体低维结构材料、12.①101思想政治理论②201 宽带隙半导体材料、半英语一③301数学一④976 导体光伏材料与器件和半导体物理或977固体物 半导体材料物理理

半导体材料与器件物理13.同上 半导体光电探测器、单14.同上 光子探测及电路；高效 太阳电池基础研究

半导体量子点材料与量15.同上 子器件，半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

半导体新型量子结构器16.同上 件

大功率半导体激光器17.同上学习过半导体或 光电子课程，硕 博连读

大功率宽禁带SiC外延18.同上微电子专业考生 材料与器件制造技术研 究

氮化镓基激光器；新型19.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化物材料生长与应用20.同上 研究；新型高效太阳电 池制备与性能研究；新

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联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

III族氮化物材料生长21.同上..用MOCVD等重大装备研 制；半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

高效硅基太阳电池22.同上物理系毕业者优..先

光电子集成器件；新型23.同上学过固体物理、..光伏材料和器件半导体物理、量 子力学、光电子 学课程，动手能 力较强

光电子学、集成光电子24.同上..、光子晶体材料、物理、器件与集成

光通信、光传感系统与25.同上..器件

光子晶体材料、物理、26.同上物理类学生优先..器件与集成

硅基光电子材料和器件27.同上..红外量子材料及器件(28.同上..量子级联激光器、探测 器；太赫兹材料及器件..)基于InP光电子器件的29.同上..集成

宽禁带半导体材料生长30.同上..与光电子器件研制

新型光电子器件及其应31.同上..用

第10页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

宽禁带半导体材料物理32.同上 与应用；半导体纳米功 能材料及其器件应用

量子点及锑化物二类超33.同上 晶格MBE材料生长，量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱34.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究；新型 高效太阳能电池研究

微波功率晶体管、量子35.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微波光电子学36.同上

新型光电子器件；硅基37.同上 光子学研究

用于光通信与光信息处38.同上 理的片上集成光子器件 与系统；并行超高速光 学数字信号处理器

针对光纤通信和光网络39.同上 的基于InP的光电子集 成

高迁移率CMOS器件40.同上物理学、光学、光电、材料专业 者优先

量子点晶体管探测器、41.同上 高效太阳能电池

微纳结构在高增益弱光42.同上

第11页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 探测中的应用

光子集成、光子晶体43.同上..新型高效硅薄膜电池的44.同上半导体物理基础..结构设计好，半导体光电 相关专业

085204材料工程

GaN基半导体材料及其01.①101思想政治理论②204..应用、产业化开发英语二③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

薄膜和微结构半导体材02.同上..料科学技术

纳米电子、光子材料及03.同上..器件

LED光效率提升研究04.同上..GaN LED外延技术开发05.同上..新型高效率太阳电池技06.同上..术研究；GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

GaN基第三代半导体发07.同上..光器件关键技术工程化 研究

石墨烯光电子学08.同上..半导体照明及其重大装09.同上..备

085208电子与通信工程

表面等离子激元材料及01.①101思想政治理论②204..器件研究，新型半导体英语二③301数学一④856 激光器研究电子线路或976半导体物 理

GaN基半导体材料及其02.同上..应用、产业化开发

第12页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136 联系部门：研究生部

北京市海淀区清华东路地址： 甲35号

电话：010-82304321 邮政编码:100083 联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

GaN基第三代半导体发03.同上 光器件关键技术工程化 研究

光纤激光器与光纤传感04.同上 用于光通信与光信息处05.同上 理的片上集成光子器件 与系统

085209集成电路工程

数模混合集成电路01.①101思想政治理论②204 英语二③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

半导体纳米器件和电路02.同上 激光器驱动与探测模块03.同上

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第四篇：2016年北京生物制品研究所招生简章

凯程考研辅导班，中国最强的考研辅导机构，http://www.xiexiebang.com，以下简称“研招网”)浏览报考须知，按教育部、省级教育招生考试管理机构、报考点以及报考招生单位的网上公告要求报名，凡不按要求报名、网报信息误填、错填或填报虚假信息而造成不能考试或录取的，后果由考生本人承担。在报名期间，考生可自行修改网报信息。

3、考生报名前应仔细核对本人是否符合报考条件，报考考生的资格审查将在复试阶段进行。凡不符合报考条件的考生将不予录取，相关后果由考生本人承担。

4、采取网上报名并提交报考信息的方式，考生须如实填写各项信息，凡有违背者一律取消入学资格。具体报名时间请按照国家教育部统一部署时间进行。

（1）北京考生，应选择报考点北京第二外国语学院。

（2）外阜考生，可在当地报考点报名并参加考试。

（3）如外地考生选择了北京报考点，则必须在北京参加考试。

（4）报名费按照相关文件规定收取。

（5）考生填写报名信息时务必将全部内容核对正确，尤其注意姓名、身份证号码、通讯地址，邮政编码和联系电话，以保证日后能够正常办理录取。

（6）2015年12月14日至12月28日，考生可凭网报用户名和密码登录“研招网”下载打印《准考证》。《准考证》正反两面在使用期间不得涂改。考生凭下载打印的《准考证》及居民身份证参加考试。

六、入学考试

1、入学考试分为初试和复试两部分。

2、初试时间及要求按照国家教育部统一部署进行。

3、复试时间按照国家教育部统一部署进行具体说明如下：

我所实行差额复试，在达到复试分数线基础上，根据差额复试的比例确定考生的复试资格。复试内容包括综合素质、外语、专业知识的考核，形式为笔试、口试等，主要考核学生的综合素质、综合分析与解决实际问题的能力和动手能力等。

七、初试考试科目内容 免疫学、病原生物学: 考试科目为①101思想政治理论 ②201英语一 ③601免疫学④901生物化学

2015年12月26日至12月27日(每天上午8:30-11:30，下午14:00-17:00)。2015年12月26日上午 思想政治理论 2015年12月26日下午 外国语 2015年12月27日上午 免疫学 2015年12月27日下午 生物化学

八、本所只招“全国统考”（非定向）的考生。人事档案须转入我所研究生按国家有关就业政策办理。

九、学习方式及学习年限：硕士研究生学习方式为全日制。基本学习年限为3 年。

十、我所不出售历年考研试题，不举办考研辅导班。

十一、如与2016年国家出台的研究生招生政策有相悖之处，以国家标准为准。

十三、联系地址：北京经济技术开发区经海二路38号 北京生物制品研究所 科研管理部 101111

凯程考研，考研机构，10年高质量辅导，值得信赖！以学员的前途为已任，为学员提供高效、专业的服务，团队合作,为学员服务，为学员引路。凯程考研辅导班，中国最强的考研辅导机构，http://www.xiexiebang.com

考研就找凯程考研，学生满意，家长放心，社会认可！

凯程教育：

凯程考研成立于2005年，国内首家全日制集训机构考研，一直从事高端全日制辅导，由李海洋教授、张鑫教授、卢营教授、王洋教授、杨武金教授、张释然教授、索玉柱教授、方浩教授等一批高级考研教研队伍组成，为学员全程高质量授课、答疑、测试、督导、报考指导、方法指导、联系导师、复试等全方位的考研服务。凯程考研的宗旨：让学习成为一种习惯；

凯程考研的价值观口号：凯旋归来，前程万里； 信念：让每个学员都有好最好的归宿；

使命：完善全新的教育模式，做中国最专业的考研辅导机构； 激情：永不言弃，乐观向上；

敬业：以专业的态度做非凡的事业；

服务：以学员的前途为已任，为学员提供高效、专业的服务，团队合作，为学员服务，为学员引路。

如何选择考研辅导班：

在考研准备的过程中，会遇到不少困难，尤其对于跨专业考生的专业课来说，通过报辅导班来弥补自己复习的不足，可以大大提高复习效率，节省复习时间，大家可以通过以下几个方面来考察辅导班，或许能帮你找到适合你的辅导班。

师资力量：师资力量是考察辅导班的首要因素，考生可以针对辅导名师的辅导年限、辅导经验、历年辅导效果、学员评价等因素进行综合评价，询问往届学长然后选择。判断师资力量关键在于综合实力，因为任何一门课程，都不是由

一、两个教师包到底的，是一批教师配合的结果。还要深入了解教师的学术背景、资料著述成就、辅导成就等。凯程考研名师云集，李海洋、张鑫教授、方浩教授、卢营教授、孙浩教授等一大批名师在凯程授课。而有的机构只是很普通的老师授课，对知识点把握和命题方向，欠缺火候。

对该专业有辅导历史：必须对该专业深刻理解，才能深入辅导学员考取该校。在考研辅导班中，从来见过如此辉煌的成绩：凯程教育拿下2015五道口金融学院状元，考取五道口15人，清华经管金融硕士10人，人大金融硕士15个，中财和贸大金融硕士合计20人，北师大教育学7人，会计硕士保录班考取30人，翻译硕士接近20人，中传状元王园璐、郑家威都是来自凯程，法学方面，凯程在人大、北大、贸大、政法、武汉大学、公安大学等院校斩获多个法学和法硕状元，更多专业成绩请查看凯程网站。在凯程官方网站的光荣榜，成功学员经验谈视频特别多，都是凯程战绩的最好证明。对于如此高的成绩，凯程集训营班主任邢老师说，凯程如此优异的成绩，是与我们凯程严格的管理，全方位的辅导是分不开的，很多学生本科都不是名校，某些学生来自二本三本甚至不知名的院校，还有很多是工作了多年才回来考的，大多数是跨专业考研，他们的难度大，竞争激烈，没有严格的训练和同学们的刻苦学习，是很难达到优异的成绩。最好的办法是直接和凯程老师详细沟通一下就清楚了。

建校历史：机构成立的历史也是一个参考因素，历史越久，积累的人脉资源更多。例如，凯程教育已经成立10年（2005年），一直以来专注于考研，成功率一直遥遥领先，同学们有兴趣可以联系一下他们在线老师或者电话。

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有没有实体学校校区：有些机构比较小，就是一个在写字楼里上课，自习，这种环境是不太好的，一个优秀的机构必须是在教学环境，大学校园这样环境。凯程有自己的学习校区，有吃住学一体化教学环境，独立卫浴、空调、暖气齐全，这也是一个考研机构实力的体现。此外，最好还要看一下他们的营业执照。

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第五篇：中国科学院微电子研究所2014年招生简章

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网页：http://www.xiexiebang.com/ 太奇考研网http://www.xiexiebang.com/

殷华湘男 1974年出生研究员博士生导师

欧文男 1969年出生研究员硕士生导师

欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师

杨清华男 1976年出生副研究员硕士生导师

粟雅娟女 1975年出生副研究员硕士生导师

景玉鹏男 1963年出生研究员硕士生导师

李超波男 1979年出生副研究员硕士生导师

陈波男 1972年出生研究员硕士生导师

刘键男 1963年出生研究员硕士生导师

w 集成电路与系统设计技术

该方向为二室、五室、六室、七室、十一室的主要研究方向。本研究方向从系统应用需求出发，研究信号处理算法、低功耗电路、嵌入式处理器内核、多频多模的射频收发系统、SOC和可重构多处理器的芯片架构及设计方法。本研究方向涉及通讯系统理论、信号处理、基带算法、图像压缩算法、数模混合低功耗电路设计、嵌入式处理器设计、软硬件协同SOC芯片设计、可重构多核处理器架构、射频及模拟集成电路等研究领域，是一个学科交叉性强的研究方向。

导师简介

叶甜春男 1965年出生研究员博士生导师所长

周玉梅女 1962年出生研究员博士生导师副所长

黑勇男 1974年出生研究员博士生导师

梁利平男 1969年出生研究员博士生导师

于芳女 1960年出生研究员博士生导师

陈杰男 1964年出生研究员博士生导师

阎跃鹏男 1963年出生研究员博士生导师

张立军男 1963年出生研究员博士生导师

陈岚女 1968年出生研究员博士生导师

任卓翔男 1957年出生研究员博士生导师

张海英女 1964年出生研究员博士生导师

袁国顺男 1966年出生研究员博士生导师

马成炎男 1963年出生研究员博士生导师

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韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师

胡国荣男 1966年出生研究员博士生导师

蒋见花女 1976年出生副研究员硕士生导师

赵野男 1977年出生副研究员硕士生导师

张锋男 1977年出生副研究员硕士生导师

吴斌男 1976年出生研究员硕士生导师

乔树山男 1981年出生副研究员硕士生导师

杨骏男 1966年出生研究员硕士生导师

张浩男 1975年出生副研究员硕士生导师

杜占坤男 1975年出生副研究员硕士生导师

李金海男 1978年出生副研究员硕士生导师

吴玉平男 1968年出生研究员硕士生导师

吕志强男 1974年出生副研究员硕士生导师

程亚奇男 1958年出生副研究员硕士生导师

郝学飞男 1973年出生副研究员硕士生导师

卢小冬男 1973年出生副研究员硕士生导师

罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师

周莉女 1977年出生副研究员硕士生导师

鲁振鹏男 1969年出生副研究员硕士生导师

巴晓辉男 1980年出生副研究员硕士生导师

鲁郁男 1974年出生副研究员硕士生导师

徐建华男 1963年出生高级工程师硕士生导师

李晓江男 1972年出生高级工程师硕士生导师

莫太山男 1979年出生副研究员硕士生导师

w 高性能器件与电路集成技术

该方向为一室、二室、四室的主要研究方向。本研究方向针对空间等辐射应用环境的电子系统，进行高可靠性半导体集成电路与功率器件研究。研究内容包括SOI集成电路及半导体功率器件的辐射效应、辐射机理、辐射加固技术、辐射试验方法等。通过这些方面的研究可以探索集成电路及半导体功率器件可靠性的科学问题，培养科技人才，为保障我国的航天工程电子系统的可靠性奠定坚实基础。

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导师简介

韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师

周玉梅女 1962年出生研究员博士生导师副所长

于芳女 1960年出生研究员博士生导师

陈杰男 1964年出生研究员博士生导师

刘洪刚男 1974年出生研究员博士生导师

贾锐男 1974年出生研究员博士生导师

杜寰男 1963年出生研究员硕士生导师

朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师

孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师

李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师

王立新男 1976年出生研究员硕士生导师

刘刚男 1979年出生副研究员硕士生导师

w 射频、微波器件与电路集成技术

该方向为四室、六室、十一室的主要研究方向。本研究方向针对射频、微波电路的应用和发展趋势开展研究：针对射频电路的应用，致力于基于各种标准的射频集成电路及模块研发、射频集成电路IP核设计、医疗电子和医疗信息化硬件开发等方面的应用研究;针对系统在小型化、高功率的要求，采用GaN宽禁带半导体发展高功率密度的微波器件和单片集成电路的研究;针对通信大容量、探测高精度的发展趋势，采用InP材料研究实现毫米波和亚毫米波器件和电路。

导师简介

吴德馨女 1936年出生中科院院士博士生导师

刘新宇男 1973年出生研究员博士生导师副所长

金智男 1970年出生研究员博士生导师

刘洪刚男 1974年出生研究员博士生导师

阎跃鹏男 1963年出生研究员博士生导师

张立军男 1963年出生研究员博士生导师

张海英女 1964年出生研究员博士生导师

万里兮男 1955年出生研究员博士生导师

申华军男 1977年出生副研究员硕士生导师

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陈晓娟女 1979年出生副研究员硕士生导师

郑英奎男 1973年出生高级工程师硕士生导师

魏珂男 1971年出生高级工程师硕士生导师

杨浩男 1978年出生副研究员硕士生导师

尹军舰男 1974年出生副研究员硕士生导师

张轩雄男 1963年出生研究员硕士生导师

白云女 1978年出生副研究员硕士生导师

罗卫军男 1981年出生副研究员硕士生导师

樊晓华男 1976年出生研究员硕士生导师

郝明丽女 1979年出生副研究员硕士生导师

黄水龙男 1975年出生副研究员硕士生导师

w 三维集成与系统封装技术

该方向为九室的研究方向。研究内容涉及多学科：数学、化学、物理、电子技术、半导体技术、机械等等，是一个综合性很强的新学科。除专门从事先进封装技术的研究，还进行光互连技术研究。主要研究先进电子封装技术与应用开发，包括高密度先进封装、三维封装、系统级封装等封装技术，以及高速并行光互连技术等。承担了包括国家重大专项，863项目在内的多项国家科学研究任务。

导师简介

万里兮男 1955年出生研究员博士生导师

曹立强男 1974年出生研究员博士生导师

王慰男 1969年出生研究院博士生导师

于大全男 1976年出生研究员博士生导师

李志华男 1975年出生副研究员硕士生导师

李宝霞女 1977年出生副研究员硕士生导师

w 新型纳米器件与集成技术

该方向为三室、四室研究方向。本研究方向以国家重大需求为导向，瞄准先进的纳米加工技术和新结构纳米电子器件及集成系统中基础性、前瞻性的科学问题，加强先进的纳米加工的基础研究，不断探索新的纳米加工手段，设计和研制基于新原理、新结构的器件;围绕新结构纳米电子器件和集成系统在超高频、低功耗、大输出功率密度和新原理的特点，对基础的科学问题进行深入探索。

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导师简介

马俊如男研究员博士生导师研究所顾问

刘明女 1964年出生研究员博士生导师

谢常青男 1971年出生研究员博士生导师

霍宗亮男 1975年出生研究员博士生导师

李冬梅女 1965年出生研究员硕士生导师

龙世兵男 1977年出生副研究员硕士生导师

姬濯宇男 1979年出生副研究员硕士生导师

朱效立男 1977年出生副研究员硕士生导师

李泠男 1976年出生研究员硕士生导师

周静涛男 1975年出生副研究员硕士生导师

w 物联网与传感器技术

该方向为二室、六室、十室、十一室、物联网中心的研究方向。物联网是国家战略新兴产业之一，同时也是信息技术发展的新阶段。物联网与传感技术方向重点研究物理信息处理及网络化服务相关核心关键技术，为物联网规模化应用提供核心技术。重点研究内容包括物联网新系统结构、传感器加工技术、物联网核心芯片、新型传感器、传感与处理融合芯片、智能传感器、新型链状网络技术、物联网主动安全与车联网应用解决方案等。

导师简介

叶甜春男 1965年出生研究员博士生导师所长

陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师副所长

陈岚女 1968年出生研究员博士生导师

黑勇男 1974年出生研究员博士生导师

梁利平男 1969年出生研究员博士生导师

王慰男 1969年出生研究院博士生导师

钟汇才男 1973年出生研究员博士生导师

殷华湘男 1974年出生研究员博士生导师

于大全男 1976年出生研究员博士生导师

胡国荣男 1966年出生研究员博士生导师

马成炎男 1963年出生研究员博士生导师

牟荣增男 1972年出生研究员硕士生导师

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陈曙东女 1977年出生研究员硕士生导师

李庆男 1972年出生副研究员硕士生导师

郎宝军男 1963年出生研究员硕士生导师

慕福奇男 1957年出生研究员硕士生导师

王玮冰男 1977年出生副研究员硕士生导师

徐静波男 1979年出生副研究员硕士生导师

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