第一篇：常用的十大电子元器件Datasheet
常用的十大电子元器件Datasheet
元器件数据表（datasheet）是电子工程师项目开发时经常使用到的手册。Datasheet（数据手册）包含了电子芯片的各项参数，电性参数，物理参数，甚至制造材料，使用建议等，一般由厂家编写，内容形式一般为说明文字，各种特性曲线，图表，数据表等。下面介绍一下常用的十大电子元件：
1、DS18B20温度传感器273W百度收录总数
常用指数：★★★★★
DS18B20是Dallas公司生产的数字温度传感器，具有体积小、适用电压宽、经济灵活的特点。它内部使用了onboard专利技术，全部
传感元件及转换电路集成在一个形如三极管的集成电路内。DS18B20有电源线、地线及数据线3根引脚线，工作电压范围为3～5.5 V，支持单总线接口。
免费下载：21icsearch2、TL431可控精密稳压源244W
常用指数：★★★★
TL431是由德州仪器生产，所谓TL431就是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地
设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值(如图1)。该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在很多应用中可以用它代替齐纳二极管，例如，数字电压表，运放电路、可调压电源，开关电源等等。
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LM358双运算放大器238W
常用指数：★★★★
LM358双运算放大器，适合于电源电压范围很宽的单电源使用，也适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的使用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的使用运算放大器的场合。
免费下载：21icsearch4、LM324四路运算放大器236W
常用指数：★★★★
LM324系列是低成本的四路运算放大器，具有真正的差分输入。在单电源应用中，它们与标准运算放大器类型相比具有几个明显的优
势。该四路放大器可以工作于低至3.0 V或高达32 V的电源电压，静态电流是MC1741的五分之一左右（每个放大器）。共模输入范围
包括负电源，因此在众多应用中无需外部偏置元器件。输出电压范围也包括负电源电压。
免费下载：21icsearch5、DAC0832数模转换芯片157W
常用指数：★★★
DAC0832是8分辨率的D/A转换集成芯片。与微处理器完全兼容。这个DA芯片以其价格低廉、接口简单、转换控制容易等优点，在单
片机应用系统中得到广泛的应用。D/A转换器由8位输入锁存器、8位DAC寄存器、8位D/A转换电路及转换控制电路构成。
免费下载：21icsearch6、7805三端稳压集成电路4850W
常用指数：★★★★★★★
7805三端稳压集成电路，电子产品中，常见的三端稳压集成电路有正电压输出的78 ×× 系列和负电压输出的79××系列。顾名思义，三端IC是指这种稳压用的集成电路，只有三条引脚输出，分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管，TO-220 的标 准封装，也有9013样子的TO-92封装。
免费下载：21icsearch7、MAX232电平装换芯片188W
常用指数：★★★
MAX232是一种双组驱动器/接收器，片内含有一个电容性电压发生器以便在单5V电源供电时提供EIA/TIA-232-E电平。这就是说，如果你想用单片机和PC机通过串口进行通信，尽管单片机有串行通信的功能，但单片机提供的信号电平和RS232的标准不一样，因此要通过max232这种类似的芯片进行电平转换。
免费下载：21icsearch8、NE555时基集成电路204W
常用指数：★★★★
555 定时器成本低，性能可靠，只需要外接几个电阻、电容，就可以实现多谐振荡器、单稳态触发器及施密特触发器等脉冲产生与变
换电路。它也常作为定时器广泛应用于仪器仪表、家用电器、电子测量及自动控制等方面。
免费下载：21icsearch9、1N4148开关二极管368W
常用指数：★★★★★
IN4148是一种小型的高速开关二极管，参数是:75V,150mA，电流和反峰电压都比较低,基本上什么二极管都能代替(当然不包括稳压管
等)。广泛用于信号频率较高的电路进行单向导通隔离，通讯、电脑板、电视机电路及工业控制电路。
免费下载：21icsearch10、PC817光电耦合器257W
常用指数：★★★★
PC817是一款光电耦合器，简称“光耦”。当输入端的LED被点亮时，输出端的三极管导通。PC817光电耦合器广泛用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，简化电路设计。
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第二篇：常用电子元器件简介
常用电子元器件简介
电阻器
△作用：电阻器在电路中主要起分压，流限，分流，负载等作用，基本单位是欧姆(Ω),常用单位还有千欧(k), 兆欧(M)。
△类别：按照制造电阻所用的材料划分,有金属膜电阻,金属膜氧化电阻,绕线电阻,精密合金电阻,玻璃釉电阻等。
△系列值：电阻是按系列值生产的,国际上通常采用E24系列。
△表示法：有文字和色环两种表示方法，文字表示是将电阻的参数直接标在电阻体上，色环标称是近几年来因适应电子自动化装配而广泛采用的。
△功率：额定功率指允许在电阻器上长期负载得最大功率,额定功率及符号如图(小功率电阻一般不标注)。在使用中选用电阻的额定功率应大于其实际功率的1.5~2倍,以留有余量.△可变电阻：又称电位器,用于可变衰减,分压调节等场合.△敏感电阻：常有热敏、压敏、光敏、磁敏等,它是非线性元件,能将其他物理量转化为电量,常用于自动控制电路的检测元件.电感器:
△电感器是一种储存磁场能的元件,可用于滤波、振荡、耦合、磁电转换、阻抗匹配、高压发生等场合。基本单位是亨利H,常用单位有毫亨(mH)、微亨(μH)。
△电感器有自感、互感之分：自感包括高频阻流圈、低频阻流圈、例如日光灯镇流器。互感包括电源变压器、各种信号传输变压器等。
电容器:
△作用：电容器是储存电场能的元件。在电路中起耦合、滤波、振荡、隔直、旁路等作用。基本单位是法拉F,常用单位有微法μF、皮法pF。
△类别：按所用电介质可分为三类：有机介质电容器包括纸介电容、金属化纸介电容、有机薄膜电容、涤纶电容。无机介质电容器包括瓷介电容、独石电容、云母电容。电解电容器包括铝电解、钽电解、铌电解电容器等。气体介质电容器如空气电容器。
△系列值：电容器的系列值依所有材料而论。对于无机介质及高频有机薄膜电容器，其容量系列值同电阻一样，采用E24系列。有机介质低频有机薄膜。
△表示法：有文字表示和三位数码表示。文字表示是直接将参数标在电容体上。
△耐压：是指规定工作温度范围内电容器两端长时间承受最大直流电压,其数值有6.3V、10V、16V、25V、40V、63V、100V、160V、250V、300V、450V、630V、1000V。使用中,额定耐压值应大于实际承受电压值的1.5~2倍。以防电容被击穿。
△可变电容：指通过改变两极间相对位置来改变容量的电容.常用在接收机的调谐回路中选台或振荡回路中改变频率,有单联、双联两种。
△微调电容：也称半可变电容，有瓷介微调和拉线电容两种。
晶体管：
☆二极管
△作用：二极管具有单向导电性，由一个PN组成。在电路中起检波、开关、稳压、整流、隔离、钳位等作用。
△类别：可分为普通、稳压、整流、变容、开关、发光二极管等各种类别。
△参数：最大反向工作电压：二极管所能承受的最大反向电压。最大允许电流：在长期正常工作条件下允许通过的最大正向电流值。
☆三极管:
△作用：三级管具有两个PN 结,能以小的ΔIb 引起大的ΔIc,因此具有放大作用,属于电流控制器件，而场效应管则是电压控制器件。
△类别: 频率分可分为高频管、低频管；按功率分有小、中、大功率管；按材料分分为硅管、锗管等。场效应管按结构差异，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。△参数：三级管的主要参数有电流放大倍数β，集电级最大允许电流IcM,最大功耗PcM,截止频率fT , CE极的击穿电压BVceo等。
△场效应管的主要参数与三级管大致相同。
☆可控硅：
作用：用低电压去控制大功率电路的一种无触点的半导体器件，常用在可控整流、交流调压、无触点开关等控制器中。
△类别：有双向、单向可控硅。
△参数：有最小开启电压、最小保持电流，最大允许通过电流。
集成电路:
△集成电路指在半导体制造工艺的基础上,采用光刻等工艺,把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定的电子电路。英文缩写成IC。
△按工艺分,有薄膜IC、厚膜IC、半导体IC、和混合IC。
△按功能分,有模拟IC、数字IC、接口IC和特殊IC。还可分为通用和专用,模拟IC如运算放大器、模拟乘法器、集成稳压器、功率IC等。数字IC目前使用最多的是TTL型和COMS型,另外还有微处理器类如单片机(MCU),数字信号处理器(DSP)等。接口IC又可分为外围驱动器、电平转换器、显示驱动器、A/D和D/A转换器。
△按用途分可分为专用IC。专用IC针对性很强,又可分为集成化传感器、专用通信IC、消费类电路。
△按有源器件类型分：可分为双极型，单极型,双极-单极混合型。
△按规模分可分为：小规模集成电路(SSI)，集成度为1~12门/片。
中规模(MSI)：集成度13~99门/片。
大规模(LSI)：集成度100~1000门/片。
超大规模(VLSI):集成度大于1000门/片。
电声器件:
常见的电声器件有扬声器、拾音器、耳机、话筒、压电陶瓷片(蜂鸣器)、录音机用磁头、放像机用磁鼓。电表用电磁或磁电式表头。
光电器件:
△作用：光电器件的主要功能是完成光能与电能的转换。通常包括光电耦合器、半导体光敏器件、半导体发光器件、数码和图像显示器件。
△光耦具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强等优点.常用于隔离线路、开关电路、数模转换、逻辑电路、长线传输、过流保护、高压控制、电平匹配等。常见类型有晶体管型、高灵度达林顿晶体管型、光可控硅型。
△半导体光敏器件有光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。光敏二极管电流线性好、响应速度快。光敏三极管把光敏二极管和普通三极管直接制在一起,自身具有放大作用。硅光电池能把太阳能转化为电能。
△半导体发光器件主要有发光二极管(LED)、红外发射接收二极管、电平指示发光二极管。光电激光LED的寿命长、功耗小、驱动电压低、响应速度快。通常有红黄绿蓝等颜色。光电激光器是一种新兴器件,主要用在激光唱机(CD机),激光视盘机(VCD机),激光光盘存储设备(如光盘驱动器)等。
△数码和图像显示器件有荧光数码管,LEDT段式数码管,LED点阵,LED显示器等。荧光数码管体积大、驱动电压高、现已基本淘汰。LEDT段式数码管体积小、驱动电压低、广泛应用于数字化仪表、计算机终端做数字显示。
LED 接点阵一般将发光二极管做成8x8点阵,用来显示图像。有单色、双色、三色等。广泛应用于广场、车站、体育场等大型显示屏。
LCD显示器是利用液晶的特殊物理性质和光电效应制成的。耗电低但本身不发光,属于被动显示器件,需外光源照明。广泛应用于手机、传呼机、笔记本电脑等便携电子产品。开关件、插接件:
开关件在电路中用于换接电路.常用的有波段开关、钮子开关、按钮开关、微动开关、按键开关、凸轮开关如继电器等。插接件在电路中可实现简便连接，常用的有:Q9型插头座、香蕉插头座、针孔式插头座、耳机,电源用插头座、接线板、面包板等。
电子管:
电子管为真空器件。是在抽成真空的玻璃体中装入电极做成的，多见于早期电子设备中,现
已基本淘汰.但在一些音响发烧友的胆管功放中还能见到它。有二极管、三极管双二极管、双三极管、五极管、七极管等多种形式。
滤波器:
滤波器是指对频率有一定选择作用的二端网络或四端网络。常见的有陶瓷滤波器、晶体滤波器、声表面滤波器等。
熔断器:
熔断器:又称保险器.主要有插入式熔断器、保险丝管、快速保险器、自动可恢复保险丝等。
第三篇：电子元器件采购网介绍
电子元器件采购网介绍
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第四篇：电子元器件失效分析
电子元器件失效分析
1.失效分析的目的和意义
电子元件失效分折的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象.分辨其失效模式和失效机理.确定其最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议。防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。失效分折是产品可靠性工程的一个重要组成部分，失效分析广泛应用于确定研制生产过程中产生问题的原因，鉴别测试过程中与可靠性相关的失效，确认使用过程中的现场失效机理。
在电子元器件的研制阶段。失效分折可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期；在电子器件的生产，测试和试用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元件失效的责任方。根据失效分析结果。元器件生产厂改进器件的设计和生产工艺。元器件使用方改进电路板设汁。改进元器件和整机的测试，试验条件及程序，甚至以此更换不合格的元器件供货商。因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度.提高器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。
失效分折对元器件的生产和使用都有重要的意义.如图所列。
元器件的失效可能发生在其生命周期的各个阶段.发生在产品研制阶段，生产阶段到使用阶段的各个环节，通过分析工艺废次品，早期失效，实验失效及现场失效的失效产品明确失效模式、分折失效机理，最终找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的选择、整机计划等方面，元器件生产方在产品的可靠性方案设计过程，都必须参考失效分折的结果。通过失效分折，可鉴别失效模式，弄清失效机理，提出改进措施，并反馈到使用、生产中，将提高元器件和设备的可靠性。
2.失效分析的基本内容
对电子元器件失效机理，原因的诊断过程叫失效分析。进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的任务是确定失效模式和失效机理.提出纠正措 施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。因此，失效分析的主要内容包括：明确分析对象。确定失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出预防措施（包括设计改进)。
2.1 明确分析对象
失效分析首先是要明确分析对象及失效发生的背景。失效分析人员应该了解失效发生时的状况.确定在设计，生产，检测，储存，传送或使用哪个阶段发生的失效，如有可能，要知道失效发生时的现象以及失效发生前后的操作过程。在条件许可的情况下.尽可能的复现失效。
2.2 确定失效模式
失效的表面现象或失效的表现形式就是失效模式。失效模式的确定通赏采用两种方法，即电学测试和显微镜现察。根据测试、观察到的现象与效应进行初步分析，确定出现这些现象的可能原因，或者与失效样品的哪一部分有关；同时通过立体显微镜检查，观察失效样品的外观标志是否完整，是否存在机械损伤，是否有腐蚀痕迹等；通过电特性试，判断其电参数是否与原始数据相符.分析失效现象可能与失效样品中的哪一部分有关；利用金相显微镜和扫描电子显微镜等设备观察失效部位的形状，大小，位置，颜色，机械和物理结构，物理特性等，准确的描述失效特征模式。
失效模式可以定位到电（如直流特性、漏电）或物理（如裂纹、侵蚀）失效特征，根据失效发生时的条件（如老化、静电放电、环境），结合先验知识，区分失效位置.减少诊断失效机理要求的工作量。
2.3 判断失效原因
根据失效模式，失效元器件的材料性质、制造工艺理论和经验，结合观察到的相应失效部位的形状、大小、位置、颜色以及化学组成、物理结构、物理特性等因素，参照失效发生的阶段、失效发生时的应力条件和环境条件，提出可能的导致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如设计缺陷，材料质量问题，制造过程问题、运输或储藏条件不当，在操作时的过载等，而大多数的失效包括一系列串行发生的事件。对一个复杂的失效，需要根据失效元器件和失效模式列出所有可能导致失效的原因，确定正确的分析次序，并且指出哪里需要附加的数据来支撑某个潜在性因素。失效分析时根据不同的可能性，逐个分折，最终发现问题的根源。
2.4 研究失效机理
对于失效机理的研究是非常重要的，需要更多的技术支撑。
在确定失效机理时，需要选用有关的分析、试验和观测设备对失效样品进行仔细分析，验证失效原因的判断是否属实，并且能把整个失效的顺序与原始的症状对照起來，有时需要用合格的同种元器件进行类似的破坏实验，观察是否产生相似的失效现象。通过反复验证，确定真实的失效原因，以电子元器件失效机理的相关理论为指导。对失效模式、失效原因进行理论推理，并结合材枓性质、有关设 计和工艺理论及经验，提出在可能的失效条件下导致该失效模式产生的内在原因或具体物理化学过程。如存可能, 更应以分子、原了学观点加以阐明或解释。
2.5提出预防措施及设计改进方法
根据分析判断。提出消除产生失效的办法和建议，及时地反馈到设计、工艺、使用单位等各个方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出现。失效分析要求
随着科技水平的发展和工艺的进歩.电子产品越来越微型化、复杂化和系统化，而其功能却越来越强大，集成度越来越高，体积越来越小。随着科技的发展各种新材料、新器件也不断出现，对失效分析的要求也越来越高；用于失效分析的新技术，新方法和新设备也越来越多。但在实际的失效分析过程中，遇到的样品多种多样，失效情况也各不相同。因此，根据失效分析的目的与实际，选择合适的分析技术与方法，从大到小，从外到内，从非破坏到破坏，从定性到定量，使失效分析迅速、准确、可靠。
电子元器件失效分析的就是要做到模式准确、原因明确、机理清楚、措施得力、模拟再现、举一反三。
3.1 模式准确
如前所述，失效模式是指失效的外在直观失效表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式。如开路、短路、参数漂移、功能失效等。模式准确，就是要将失效的性质和类型判断准确。
失效模式的判断应首先从失效环境的分析入手，细心收集失效现场数据。失效现场数据反映了失效的外部环境，对确定失效的责任方有重要意义。有些看来与现场无直接关系的东西可能是决定性的。例如,失效现场数据表明，工作人操作无误，供电系统正常，而整机上的器件出现了早期失效，说明元器件生产厂应对元器件失效负责，应负责整改，排除工艺缺陷，提高产品可靠性。
收集失效现场数据主要包括：失效坏境、失效应力、失效发生期、失效现象及过程和失效样品在失效前后的电测量结果。
失效环境包括：温度、湿度、电源环境，元器件在电路图上的位置、作用，工作条件和偏置状况。失效应力包括：电应力、温度应力、机械应力、气候应力和辐射应力。如样品经可靠性试验而失效，需了解样品经受实验的应力种类和时间
失效发生期包括：失效样品的经历、失效时间、失效发生的阶段，如研制、生产、测试、试验、储存、使用等。
3.2
原因明确
失效原因的判断通常是整个失效分析的核心和关键，对于确'定失效机理，提出预防措施具有总要的意义。
失效原因通常是指造成电子元器件失效的直接关键性因素，其判断建立在失效模式判断的基础上。通过失效原因的分析判断，确定造成失效的直接关键因素处于设汁、材料、制造工艺、使用及环境的哪―环节。
失效现场数据为确定电子元器件的失效原因提供了重要线索。失效可分为早期失效、随机尖效和磨损失效。而早期失效主要由工艺缺陷、原材料缺陷、筛选不充分引起。随机失效主要由整机开关时的浪涌电流、静电放电、过电损伤引起。磨损失效主要由电子元器件自然老化引起。根据失效发生期，可估计失效原因，加快失效分析的进度。此外，根据元器件失效前或失效时所受的应力种类和强度，也可大致推测失效的原因，加快失效分析的进程。如表：
然而失效原因的确定是相当复杂的,其复杂性表现为失效原因具有的一些特点。如原因的必要性、多样性、相关性、可变性和偶然性，需要综合多方面情况及元器件特点进行。
3.3 机理清楚
失效机理是指失效的物理、化学变化过程。微观过程可以追溯到原子、分子尺度和结构的变化，但与此相对的是它迟早也要表现出一系列宏现（外在的）性能，性质变化，如疲劳、腐蚀和过应力等。失效机理是对失效的内在本质、必然性和规律性的研究，是人们对失效内在本质认识的理论提高和升华。
失效原因通常可以分为内因和外因两种.失效机理就是失效的内因。它是导致电子元器件发生失效的物理、化字或机械损伤过程。失效机理研是失效的深层次内因或内在本质.即酿成失效的必然性和规律性的研究。要清楚地判断元器件失效机理就必须对其失效机理有所了解和掌握。如在集成电路中金属化互连系统可能存在着电迁移和应力迁移失效，这两种失效的物理机制是不同的，产生的应力条件也是不同的。对于失效机理的研究和判断需要可靠性物理方面的专业知识。
3.4 措施得力，模拟再现，举一反三
措施得力，模拟再现，举一反三是建立在前面对失效模式、失效原因和失效机理深入分折和准确把握的基础上。当然制定预防措施也应考虑长远的手段和产品使用问题。以及工程上的可行性、经济性等方面。模拟再现则要分折模拟的可能性和必要性，同时，随着计算机技术的高速发展，计算机模拟仿真也成为模拟再现的一个重要手段。
失效分析是一个复杂的、综合性的过程.它不仅仅只是失效分析工程师的工作.而且需要设计工程师、制造工程师、使用工程师的密切配合。只有在各个方面的团结协作下，才能找到产品失效的真实原因，准确判断其失效机理，揭示引起产品失效的过程，起到改进产品设计，提高产品固有可靠性和使用可靠性目的。
另外，为了得到一个成功的失效分析结果，避免犯一些常见的错误，所有可能涉及失效现象处理的人，都应该具备—些处理故障现象的基本知识。
1.保护实物证据 2.避免过多的加电测试
3.保证失效元器件在到达失效分析工程师之前不再受到损伤 4.制定失效分析方案 5.确定失效现象 6.失效分析的基本
失效分析应遵循先光学后电学、先面后点、先静态后动态、先非破坏后破坏、先一般后特殊、先公用后专用、先简单后复杂、先主要后次要的基本原则，反复测试、认真比较。同时结合电子元器件结构、工艺特点进行分析，避免产生错判、误判。主要失效模式及其分布
电子元器件的种类很多，相应的失效模式和失效机理也很多。总体来说，电子元器件的失效主要是在产品的制造，试验，运输，储存和使用等过程中发生的。与原材料、设计、制造、使用密切相关。下图给出了一些电子元器件现场使用失效模式及其分布的数据统计结果：
5.失效的主要机理及其定义
失效机理是指引起电子元器件失效的实质原因，即引起电子元器件失效的物理或化学过程.通常是指由于设计上的弱点（容易变化和劣化的材料的组合）或制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生的失效及其机理。
为了通过物理、化学的方法分析失效发生的现象，理解和解释失效机理，需要提供模型或分析问题的思维方法，这就是失效物理模型。元器件的失效物理模型大致分为反应论模型、应力强度模型、界限模型、耐久模型、积累损伤（疲劳损伤）模型等.如下表所列。对于半导体元器件来说.失效机理通常有两种失效物理模型：反应论模型和应力强度模型。
失效机理是电子元器件失效的物理或化学本质，从研究原始缺陷或退化进入失效点的物理过程。进一步确定导致失效的表面缺陷、体缺陷、结构缺陷。确定电学、金属学、化学及电磁学方面的机理。电子元器件种类繁多，导致失效的机理也很多，不同失效机理对应的失效摸式不一样。甚至相问的失效机在不同电子元器件导致的失效模式都不一样，因此需要在失效分析时认真对待,严格区分。
5.1 机械损伤
机械损伤在电子元器件制备电极及电机系统工艺中经常出现，如果在元器件的成品中，存在金属膜的划伤缺陷而末被剔除，则划伤缺陷将是元器件失效的因素，必将影响元器件的长期可靠性。.2結穿刺（结尖峰）
结穿刺即指PN结界面处为一导电物所穿透。在硅上制作欧姆接触时，铝-硅接触系统为形成良好的欧姆接触必须进行热处理，这时铝与硅相连接是通过450-550摄氏度热处理后在分立的点上合金化形 成的。在该合金化温度范围内，硅在铝的固溶度很大，但铝在硅中的固溶度要低很多，固溶度之差导致界面上的硅原子净溶解在铝中，同时界面上的铝也扩散到硅中填充硅中的空位。这就是在铝膜加工过程中，发生由于硅的局部溶解而产生的铝“穿刺”透入硅衬底问题的问题。结穿刺经常导致PN结短路失效。
5.3 铝金属化再结构
由于铝与二氧化硅或硅的热膨胀系数不匹配，铝膜的热膨胀系数比二氧化硅或者硅大，党元器件在间歇工作过程中，温度变化或者高低温循环试验时，铝膜要受到张应力和压应力的影响，会导致铝金属化层的再结构。铝金属化层再结构经常表现为铝金属化层表面粗糙甚至表面发黑，显微镜下可见到表面小丘、晶须或皱纹等。
5.4 金属化电迁移
当元器件工作时，金属互连线的铝条内有一定强度的电流流过，在电流作用下，金属离子沿导体移动，产生质量的传输，导致导体内某些部位产生空洞或晶须（小丘）这就是电迁移现象。在一定温度下，金属薄膜中存在一定的空位浓度，金属离子热振动下激发到相邻的空位，形成自扩散。在外电场作用下.金属离子受到两种力的作用，一种是电场使金属离子由正极向负扱移动，一种是导电电子和金属离子间互相碰撞发生动量交换而使金属离子受到与电子流方向一致的作用力，金属离子由负极向正极移动，这种作用力俗称“电子风”。对铝、金等金属膜，电场力很小，金属离子主要受电子风的影响，结果使金属离子与电子流一样朝正极移动，在正极端形成金属离子的堆积，形成晶须，而在负极端产生空洞，使金属条断开。
产生电迁移失效的内因是薄膜导体内结构的非均匀性，外因是电流密度。
5.5 表面离子沾污
在电子元器件的制造和使用过程中，因芯片表面沾污了湿气和导电物质或由于辐射电离、静电电荷积累等因素的影响，将会在二氧化硅氧化层表面产生正离子和负离子，这些离子在偏压作用下能沿表面移动。正离子聚积在负电极周围，负离子聚积在正电极周围，沾污严重时足以使硅表面势垒发生相'当程度的改变。这些外表面可动电荷的积累降低了表面电导，引起表面漏电和击穿蠕变等；表面离子沾污还会造成金属的腐浊，使电子元器件的电极和封装系统生锈、断裂。
5.6 金属的腐蚀
当金属与周围的介质接触时，由于发生化学反应或电化学作用而引起金属的破坏叫做金属的腐蚀。在电子元器件中，外引线及封装壳内的金属因化学反应或电化学作用引起电性能恶化直至失效，也是主要的失效机理。
根据金属腐蚀过程的不同特点，可分为化学腐蚀和电化学腐蚀。金属在干燥气体或无导电性的非水溶液中，单纯由化学作用而引起的腐蚀就叫做化学腐蚀，温度对化学腐蚀的影响很大。当金属与电解质溶液接触时，由电化学作用而引起的腐蚀叫做电化学腐蚀，其特点是形成腐蚀电池，电化学腐蚀过程的本质是腐蚀电池放电的过程，在这个过程中，金属通常作为阳极，被氧化而腐蚀，形成金属氧化物，而阴极反应则跟据腐蚀类型而异，可发生氢离子或氧气的还原，析出氢气或吸附氧气。
5.7 金铝化合物失效
金和铝两种金属，在长期储存和使用后，因它们的化学势不同，它们之间能产生金属间化合物，如生成AuAl2，AuAl，Au2Al等金属间化合物。这几种金属间化合物的晶格常数、膨胀系数、形成过程中体积的变化、颜色和物理性质是不同的，且电导率较低。AuAl3浅金黄色，AuAl2呈紫色，俗称紫斑，Au2Al呈白色.称白斑，是一种脆性的金属间化合物，导电率低，所以在键合点处生成了Au-Al间化合物之后，严重影响相恶化键合界面状态，使键合强度降低，变脆开裂，接触电阻增大等，因而使元器件出现时好时坏不稳定现象，最后表现为性能退化或引线从键合界面处脱落导致开路。
5.8 柯肯德尔效应
在Au-Al键合系统中，若采用金丝热压焊工艺，由于在高温（300摄氏度以上）下，金向铝中迅速扩散。金的扩散速度大于铝的扩散速度，结果出现了在金层—侧留下部分原子空隙，这些原子空隙自发聚积，在金属间化合物与金属交界面上形成了空洞，这就是可肯德尔效应，简称柯氏效应。当可肯德尔空洞增大到一定程度后，将使键合界面强度急剧下降，接触电阻增大，最终导致开路。柯氏空洞形成条件首先是Au-Al系统，其次是温度和时间。
5.9 银迁移
在电子元器件的贮存及使用中，由于存在湿气、水分，导致其中相对活泼的金属银离子发生迁移，导致电子设备中出现短路，耐压劣化及绝缘性能变坏等失效。银迁移基本上市一种电化学现象，当具备水分和电压的条件时，必定会发生银迁移现象。空气中的水分附在电极的表面，如果加上电压，银就会在阳极处氧化成为带有正电荷的银离子，这些离子在电场作用下向阴极移动。在银离子穿过介质的途中，银离子被存在的湿气和离子沾污加速，通常在离子和水中的氢氧离子间发生化学反应，形成氢氧化银，在导体之间出现乳白色的污迹，最后在阴极银离子还原析出，形成指向阳极的细丝。
5.10 过电应力
电子元器件都在其参数指标中设定了使用时所能承受的最大应力，包括最高工作环境温度或壳温，最大额定功率，最大工作电压、电流，峰值电压，最大输入、输出电流、电压等。如果在使用时所加的电应力超过了元器件规定的最大应力.即使是瞬间超过，也将造成电子元器件的损伤，这种电应力就称为过电应力，其造成的损伤主要表现为元器件性能严重劣化或失去功能。过电应力通常分为过压应力和 过流应力。在过电应力作用下，电子元器件局部形成热点，当局部热点温度达到材料熔点时使材料熔化，形成开路或短路，导致元器件烧毁。
5.11 二次击穿
二次击穿是指当元器件被偏置在某一特殊工作点时（对于双极型晶体管，是指V平面上的一点），电压突然跌落，电流突然上升的物理现象，这时若无限流装置及其它保护措施，元器件将被烧毁。凡是有杂质浓度突变的元器件（如PN结等）都具有二次击穿的现象，二次击穿是一种体内现象，对于双极型器件，主要有热不稳定理论（热模式）和雪崩注入理论（电流模式）两种导致二次击穿的机理。对于MOS元器件，诱发二次击穿的机理是寄生的双极晶体管作用。
5.12 闩锁效应
闩锁效应是CMOS电路中存在的一种特殊的失效机理。所谓闩锁（latch-up）是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地之间形成低阻大电流通路的现象CMOS电路的基本逻辑单元是由一个P沟道MOS场效应管和一个N沟道MOS场效应管以互补形式连接构成，为了实现N沟道MOS管与P沟道MOS管的隔离,必须在N型衬底内加进一个P型区（P阱）或在P型衬底内加进一个N型区（N阱），这样构成了CMOS电路内与晶闸管类似的PNPN四层结构，形成了两个寄生的NPN和PNP双极晶体管。在CMOS电路正常工作状态时，寄生晶体管处于截止状态。对CMOS电路的工作没有影响，如CMOS电路的输入端、输出瑞、电源端或者地端受到外来的浪涌电压或电流，就有可能使两只寄生晶体管都正向导通，使得电源和地之间出现强电流。这种强电流一开始流动，即使除去外来触发信号也不会中断，只有关断电源或将电源电压降到某个值以下才能解除，这种现象就是CMOS电路的闩锁效应。
5.13 静电损伤
处于不同静电电位的两个物体间发生的静电电荷转移就形成了静电放电，这种静电放电将给电子元器件带来损伤，引起产品失效。电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式，突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移；潜在性失效是指静电放电电能量较低，仅在元器件内部造成轻微损伤，放电后元器件的电参数仍然合格或略有变化，但元器件的抗过电应力能力已明显削弱，或者使用寿命已明显缩短，再受到工作应力或经过一段时间工作后将进一步退化，直至造成彻底失效。
静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流热致失效。过电压场致失效是指高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端的电极因接受了高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使电极之间的介质发生击穿失效，过电压场致失效多发生于MOS元器件，包括含有MOS电容的双极型电路和混合电路；过电流热致失效是由于较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大使局部区域温升超过材料的熔点，导致材料发生局部熔融使元器件失效，过电流热致失效多发生于双极元器件，包括输人用PN结二极管保护的MOS电路、肖特基二极管以及含有双极元器件的混合电路。
5.14 介质的击穿机理
介质击穿，从应用角度可分为自愈式击穿和毁坏性击穿。自愈式击穿是局部点击穿后，所产生的热量将击穿点处的金属蒸发掉，使击穿点自行与其他完好的介质隔离；毁坏性击穿是金属原子彻底侵入介质层，使其绝缘作用完全丧失。根据引起击穿的原因之可将介质击穿分为非本征击穿和本征击穿两种：前者是在介质中的气孔、微裂缝、灰尘、纤维丝等疵点附近，因气体放电、等离子体、电孤、电热分解等引起的击穿；后者是外加电场超过了介质材料的介电强度引起的击穿。无论是非本征击穿还圮本征击穿，按其本质来看，则均可能归结于电击穿、热击穿或热点反馈造成的热电击穿。
5.15 与时间有关的介质击穿（TDDB)TDDB是影响MOS元器件长期可靠性的一种重要的失效机理，当对二氧化硅薄膜施加低于本征击穿场强的电场强度后，经过一段时间后会发生介质击穿现象，这就是与时间有关的介质击穿。它的击穿机理，可以分为两个阶段：第一阶段是建立阶段，在高电场、高电流密度应力的作用下，氧化层内部发生电荷的积聚，积累的电荷达到某一程度后，使局部电场增高到某一临界值；第二阶段实在热或电的正反馈作用下，迅速使氧化层击穿，氧化层的寿命由第一阶段中电荷的累计时间确定。
5.16 热栽流子效应
所谓热载流子，是指其能量比费米能寄大几个KT以上的载流子，这些载流子与晶格处于热不平衡状态，载流子的温度超过了晶格温度。热载流子的能量达到或超过Si-SiO2界面势垒的能量时，便会注入到SiO2中去，产生界面态、氧化层陷阱或被氧化层中陷阱所俘获，由此产生的电荷积累引起元器件电参数不稳定。表现为MOS元器件的阈值电压漂移或跨导值降低，双极元器件的电流增益下降，PN结击穿电压蠕变，使元器件性能受到影响，这就是热载流子效应。
5.17“爆米花效应”
“爆米花效应”是指塑封元器件塑封材料内的水汽在高温下受热膨胀，是塑封料与金属框架和芯片间发生分层效应，拉断键合丝，从而发生开路失效。塑封元器件是以树脂类聚合物材料封装的，其中的水汽包括封装时残留于元器件内部、表面吸附，经材料间的缝隙渗入及外界通过塑料本身扩散进入。
5.18软误差
电子元器件的封装材料（如陶瓷管壳，作树脂填充剂的石英粉等）中含有微量元素铀等放射性物质，它们衰变时会放出高能射线。当这些射线或宇宙射线照射到半导体存储器上时，引起存储数据位的丢失或变化，在下次写入时存储器又能正常工作，它完全是随机的发生，随意把这种数据位丢失叫软误差。引起软误差的根本原因是射线的电离效应。
第五篇：电子元器件中英文对照
中英文对照
1.电阻
固定电阻：RES
半导体电阻：RESSEMT
电位计；POT
变电阻；RVAR
可调电阻;res1.....2.电容
定值无极性电容；CAP
定值有极性电容;CAP
半导体电容：CAPSEMI
可调电容：CAPVAR
3.电感：INDUCTOR
4.二极管：DIODE.LIB
发光二极管：LED
5.三极管 :NPN1
6.结型场效应管：JFET.lib
7.MOS场效应管
8.MES场效应管
9.继电器：PELAY.LIB
10.灯泡:LAMP
11.运放:OPAMP
12.数码管：DPY_7-SEG_DP(MISCELLANEOUS DEVICES.LIB)
13.开关;sw_pb
14．电池：battery
原理图常用库文件：
Miscellaneous Devices.ddb
Dallas Microprocessor.ddb
Intel Databooks.ddb
Protel DOS Schematic Libraries.ddb
PCB元件常用库：
Advpcb.ddb
General IC.ddb
Miscellaneous.ddb
部分 分立元件库元件名称及中英对照
AND 与门
ANTENNA 天线
BATTERY 直流电源
BELL 铃,钟
BVC 同轴电缆接插件
BRIDEG 1 整流桥(二极管)
BRIDEG 2 整流桥(集成块)
BUFFER 缓冲器
BUZZER 蜂鸣器
CAP 电容
CAPACITOR 电容
CAPACITOR POL 有极性电容
CAPVAR 可调电容
CIRCUIT BREAKER 熔断丝
COAX 同轴电缆
CON 插口
CRYSTAL 晶体整荡器
DB 并行插口
DIODE 二极管
DIODE SCHOTTKY 稳压二极管
DIODE VARACTOR 变容二极管
DPY_3-SEG 3段LED
DPY_7-SEG 7段LED
DPY_7-SEG_DP 7段LED(带小数点)
ELECTRO 电解电容
FUSE 熔断器
INDUCTOR 电感
INDUCTOR IRON 带铁芯电感
INDUCTOR3 可调电感
JFET N N沟道场效应管
JFET P P沟道场效应管
LAMP 灯泡
LAMP NEDN 起辉器
LED 发光二极管
METER 仪表
MICROPHONE 麦克风
MOSFET MOS管
MOTOR AC 交流电机
MOTOR SERVO 伺服电机
NAND 与非门
NOR 或非门
NOT 非门
NPN NPN三极管
NPN-PHOTO 感光三极管
OPAMP 运放
OR 或门
PHOTO 感光二极管
PNP 三极管
NPN DAR NPN三极管
PNP DAR PNP三极管
POT 滑线变阻器
PELAY-DPDT 双刀双掷继电器
RES1.2 电阻
RES3.4 可变电阻
RESISTOR BRIDGE ? 桥式电阻
RESPACK ? 电阻
SCR 晶闸管
PLUG ? 插头
PLUG AC FEMALE 三相交流插头
SOCKET ? 插座
SOURCE CURRENT 电流源
SOURCE VOLTAGE 电压源
SPEAKER 扬声器
SW ? 开关
SW-DPDY ? 双刀双掷开关
SW-SPST ? 单刀单掷开关
SW-PB 按钮
THERMISTOR 电热调节器
TRANS1 变压器
TRANS2 可调变压器
TRIAC ? 三端双向可控硅
TRIODE ? 三极真空管
VARISTOR 变阻器
ZENER ? 齐纳二极管
DPY_7-SEG_DP 数码管
SW-PB 开关
其他元件库
Protel Dos Schematic 4000 Cmos.Lib（40.系列CMOS管集成块元件库）4013 D 触发器
4027 JK 触发器
Protel Dos Schematic Analog Digital.Lib（模拟数字式集成块元件库）
AD系列 DAC系列 HD系列 MC系列
Protel Dos Schematic Comparator.Lib（比较放大器元件库）
Protel Dos Shcematic Intel.Lib（INTEL公司生产的80系列CPU集成块元件库）Protel Dos Schematic Linear.lib（线性元件库）
例555
Protel Dos Schemattic Memory Devices.Lib（内存存储器元件库）
Protel Dos Schematic SYnertek.Lib（SY系列集成块元件库）
Protes Dos Schematic Motorlla.Lib（摩托罗拉公司生产的元件库）
Protes Dos Schematic NEC.lib（NEC公司生产的集成块元件库）
Protes Dos Schematic Operationel Amplifers.lib（运算放大器元件库）
Protes Dos Schematic TTL.Lib（晶体管集成块元件库 74系列）
Protel Dos Schematic Voltage Regulator.lib（电压调整集成块元件库）
Protes Dos Schematic Zilog.Lib（齐格格公司生产的Z80系列CPU集成块元件库）
元件属性对话框中英文对照
Lib ref 元件名称
Footprint 器件封装
Designator 元件称号
Part 器件类别或标示值
Schematic Tools 主工具栏
Writing Tools 连线工具栏
Drawing Tools 绘图工具栏
部分分立元件库元件名称及中英对照
Power Objects 电源工具栏
Digital Objects 数字器件工具栏
Simulation Sources 模拟信号源工具栏
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