电子元器件分销商发展之路

第一篇：电子元器件分销商发展之路

电子元器件独立分销商发展概述

北京昊天诚业科技有限公司

电子元器件发展前景展述

电子元器件处于电子信息产业链上游，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，对电子信息产业的发展起着至关重要的作用。

2010年我国电子元器件市场发展较好，无论从数量还是价格上都有增长，使得整个中国电子行业外部环境有所好转。2010年1-12月，电子元件制造业销售收入总额达到（规模以上工业企业销售收入之和）10110.621亿元，同比增长32.52%；利润总额达到493.713亿元，同比增长63.57%。2010年1-11月，电子器件制造业销售收入总额达到（规模以上工业企业销售收入之和）7816.691亿元，利润总额达到359.267亿元。

2011年2月，国务院发布了《进一步鼓励软件产业和集成电路产业的若干政策》，从税收、投融资、研发、进出口、人才等方面对软件和集成电路产业进行优先扶持。2011年1-12月，电子元件制造业销售收入总额达到12054.529亿元，利润总额达到548.099亿元。2011年1-12月，电子器件制造业销售收入总额达到10966.262亿元，利润总额达到466.347亿元。国内外电子信息产业的迅猛发展给上游电子元器件产业带来了广阔的市场应用前景。汽车电子、PDA、互联网应用产品、机顶盒等产品的迅速启动及飞速发展，将极大地带动中国电子元器件市场的发展。在通讯类产品中，移动通信、光通信网络，普通电话等都需要大量的元器件。另外，计算机及相关产品、消费电子产品等领域的需求依然强劲，这些都将成为中国电子元器件市场发展的动力。基于市场需求的新特点，电子元器件正在向超微化、片式化、数字化、智能化、绿色化方向发展，中国电子元器件行业发展前景乐观。

电子元器件目前概况

希腊加入欧元区之后，2009年开始，欧洲开始爆发金融危机，包括意大利、西班牙等诸多西方发达国家受到波及，2010年-2011年，欧债危机愈演愈烈，波及到世界范围，各国企业，尤其是以外贸为主的企业受到了不同程度的打击。对于中国，对外贸易出口额明显下滑，部分企业因冲击而破产，温州企业倒闭潮，鄂尔多斯企业倒闭潮则是最好的见证。国内典型的电子元器件分销商士兰微电子和武汉力源在年度和季度报告中都体现出了营业利润大幅衰退的数据。在国内外市场出现危机的情况下，国内各大分销商目前正在努力保持市场份额，推迟扩张规模的战略，实行紧缩的或者无变的战略方针，从而集中精力进一步梳理产品线，细化客户服务，其代价就是几乎近半的利润额削减。

电子元器件独立分销商举措

近年来中国电子工业持续高速增长，带动电子元器件产业强劲发展。我国许多门类的电子元器件的产量已稳居全球第一位，电子元器件行业在国际市场上占据很重要的地位。我国已经成为扬声器、铝电解电容器、显像管、印制电路板、半导体分立器件等电子元器件的世界生产基地。

随着授权代理商逐渐转向混合式分销商，其对小单关注度提升，开始与独立分销商争抢市场，随着授权分销商提供及时供货和备货系统，授权分销商由原来的期货供应到目前现货供应并为客户进行原材料储存。独立分销商的及时供货的优势随之而失去，在产品质量上的先天性无法保障因此更加凸显出独立分销商的缺点所在，又由于授权分销商采取降低成本的和降低利润的营销策略，使得独立分销商在价格上失去优势，市场份额被进一步挤压。作为全国知名的独立分销商驰创电子从06年开始实行电子元器件销售方式的多元化战略，目前公司销售模式包括直销、代理、寄售等多种国内新颖的销售模式，与此同时，驰创开始了拓宽代理产品线的措施，重点关注市场上重点发展的行业的解决方案，如LED照明，电源等新兴的，同时具有极大市场潜在价值的领域。

公司的基本情况

北京昊天诚业科技有限公司创建于2001年，是中国最大的电子元器件独立分销商之一。公司总部位于北京，业务遍及国内各大城市，分别在深圳、成都设有办事处，目前公司已有170余人。尤其在华北地区，昊天科技有着举足轻重的地位。根据华北以京津为中心的地区的市场特点，公司市场拓展逐渐形成了以为科研提供支持和为加工生产提供支持双管齐下的营销策略，目前已成为一些研究院和高校的科研院所的稳定供应单位，及时的采购和送货系统，孜孜不倦的为客户寻找短缺物料成为客户选择的前提条件，采购自有的比价系统以及先进的质检体系成为了客户信赖的基础。客户之间相互的推荐成为我公司客户来源的重要渠道之一。

公司下一步将继续致力于为客户提供更加优质的服务，继续梳理公司的采购渠道，进行公司内部整合，降低公司整体运营成本。在质和量上为客户提供最大的保证，同时加强对技术工程师投入力度，全力为客户提供技术支持和技术解决方案。

2012年对于我公司是个挑战，世界经济整体趋于下滑，元器件行业的整体利润在下滑，市场竞争更加激烈。面对这一情况，昊天人发扬了创业初期勤俭节约的精神，节约每一度电，每一页纸，将更多地利润用于服务客户，保留客户，因为没有老客户的支持，公司不会有今天，没有新客户的加入，公司不会持续发展。在此再次表示对广大客户的衷心的感谢。

第二篇：新形势下电子元器件分销商创新管理之道

新形势下电子元器件分销商创新管理之道

摘要：XX公司是台湾著名电子元器件分销商，在大陆及亚太地区也取得了巨大的成功。在新的经济形势下，企业应该适当调整组织结构，转变经营策略，提升企业形象，以创新管理引领企业走向真正的国际化，谋求更大的发展。关键词：科学管理；创新管理；企业文化；电子元器件分销商

Abstract:

Keywords: scientific management,XX企业于1980年5月创立，主要为半导体电子零组件供应商提供销售服务，其主要业务为半导体电子元器件分销服务工作，代理品牌包括三星电子、ST、Fairchild、德州仪器等超过30家以上国内外知名电子元器件供应商，是Samsung 及 STMicroelectronics 亚太地区最大代理商。XX拥有意法和三星长达20多年合作关系，在NAND闪存的供应独树一帜，业绩一直保持较高的增长势头，并在日本、新加坡、马来西亚、香港及中国大陆等地设立多个分支机构，拥有数个相关子公司，随着近几年的一系列并购活动，已经成为台湾地区排名第二的电子元器件分销商。

一、公司现有管理模式及其存在的问题

1、矩阵式组织结构

在公司组织结构形式上，XX采用了现今众多大型组织和跨国企业所采用的矩阵结构，实行以产品部门化和区域部门化相融合的二维矩阵组织，区域分公司形成矩阵组织的横向结构，而产品事业部则形成矩阵组织的纵向结构。这一结构中的执行人员(业务人员)既受横向的各事业群领导，又同时接受纵向的、为执行某一专项功能而设立的产品经理的领导，这种组织架构保证了产品和客户的稳定性，不会因为员工的流失而导致客户的流失和市场的削弱。

2、以多样化产品和低利润率的经营战略

XX保留了台湾地区分销商的一贯作风，以低毛利运作为主要策略，其主要产品的毛利润一般维持在3-5%左右。由于多年的运作，台湾分销商跟随台湾地区IT产业链而成长，经历了IT产业大起大落、高度竞争的训练，分销行业成熟，利润率水平相对透明，面向的客户群多为大型ODM/EMS工厂和PC行业，使得他们主要靠量来支撑业务发展。而且近几年来，需求下滑使得供过于求趋势明显，产品的价格变得极为敏感，XX作为大代理商具有价格优势，财务状况良好，具有较强的资金规模优势，能提供快速机动的供货和更灵活的付款方式，大采购商更倾向于与其合作。

3、基于“经济人”的满足型激励措施无法满足“复杂人”的需求

凡是有组织的地方就有激励，激励是组织管理的核心，它能够激发导致高绩效水平的行为。激励影响人们的内在需求或动机，从而加强、引导和维持行为的活动或过程。企业激励机制最根本的作用是正确引导员工的工作动机，使他们实现企业目标的同时实现自身需要，增加其满意度，从而长久保持其积极性和创造性，以提高工作绩效。

二、电子元器件分销行业的特点及未来趋势

作为贸易分销这一环的电子分销商企业既不是生产的主体，也不是流通的主体，但其因为灵活、无孔不入的特点渗透到整个产业链和供应链的方方面面，起到了连接上游原材料生产提供商和下游成品制造需求商的桥梁作用。

但是，在金融风暴疯狂肆虐之际，电子元器件行业也在经历着同样的风暴。面向出口的制造商订单锐减，需求下降时大型国际制造商将EMS代工部分收回，全球外部环境冰冷。《国际电子商情》组织的“2009年中国电子元器件分销商调查”显示，分销商们普遍认为2009年所面临的挑战包括：需求减少、竞争激烈、人才紧缺、利润减少等。竞争越来越大，市场越来越规范，信息传递加快，价格更加透明化，分销市场已经不是以卖方市场为主的时代了，竞争的无序化和激烈化让分销商措手不及。

三、以创新管理引领企业走向真正的国际化

纵观XX的管理之道，以纵横交错的管理体系加强对人的管理，以多样化的产品保证公司的业绩增长，但是，这种管理方式基本还处在以绩效为中心的科学管理阶段，要真正的实

现把企业做大做强的目标，必须转换管理方式，实现以流程整合为中心的创新管理。

1、根据管理战略和目标的不同，适当调整公司组织结构

任何一个企业在选择了一种组织结构后，并非可以一劳永逸。组织结构决不是静止不变的，根本不存在一种惟一的、最好的组织结构，企业的组织结构必须随着企业战略、外部环境、企业规模和发展阶段适时调整。组织结构是用来达到组织目标的一种手段，组织的目标是由组织的战略决定的，组织结构应该服从组织战略。经济环境的变动又对组织战略有非常大的影响，继而影响组织结构的变化。

2、改变对人的管理方法

在以人为中心的组织创新方式中，管理人员首先致力于改变人员的态度、思路，导致人员行为的修正，从而提高工作绩效，鼓励和支持人们在组织里的创造性和冒险精神。以“海尔”为例，在公司内部推行保障机制和激励政策相辅相成，显示出其公开性和公正性，海尔的组织人事制度创新根据岗位的重要程度和人员实际能力的大小逐步调整, 消除旧有不合理的利益格局, 营造一种公平、进取、和谐的企业内部环境, 在人才选拔、人事考核、分配和奖赏制度等方面做了大量卓有成效的工作。

3、建立自己的企业文化

文化是某组织成员或某一划分方式下的人群所具有的精神气质方面的集体性特征。同时, 文化意味着一个公司的价值观, 比如进取、守成或是灵活, 这些价值观成为员工活动、意见和行为的规范。组织文化的作用是通过人的行为来表现, 但它是以整个组织为主体, 它表现为整个组织在文化上的特性。人作为企业最重要的资源, 直接关系到组织经营管理的活动，组织文化绝不是片面地发掘员工的劳动力, 更重要的是发掘员工的智力资源, 更注重于人的主观能动性因素。

4、适当调整产品结构

XX拥有三星、意法半导体和德州仪器半导体三大强力产品线，与其他台湾分销商一样，XX早期代理的产品线相对单一，依靠主力代理产品线获得营收是起家的法宝。近年来，力求代理产品线的多样化,以降低经营风险。

竞争优势的主要来源不再仅仅是不断研究变化中的环境以及相应的有效战略的能力，而是以不断变换的方法调动其资源以成功地实施战略的能力，即公司的组织管理能力。对于现在的XX，改变传统的科学管理方式，转向以流程控制为中心的现代柔性管理方式；改变原来以制度为中心的管理，成为以价值引导为中心的管理；改变原来分解为中心管理，成为以流程重组为中心的管理；从只注重有形资产增殖，转而关注无形资产积累；从而实现由经营型

企业向品牌型企业的转变，才能成为行业中的龙头。

参考文献：

[2]陈荣耀.百年管理史的文化诠释[J].上海市经济管理干部学院学报,2008,6(5): 34-41

[3]刘丽芳.试论我国企业激励机制失效的原因与对策分析[J].商场现代化,2008(12):

[4]曹艺.创新是管理的实质[J].内蒙古林业,2008(3):28-29

[5]陈荣耀.中国企业的战略困惑与战略提升[J].社会科学,2006(5): 49-53

[7]罗明新.集团公司组织结构变革趋势探讨[J].北方经济, 2008(3):74-75

[8]姚建峰.跨国公司组织结构的变革与发展[J].经济问题探索,2005(2):41-43

[9]王维,傅毓维,张铁男.基于熵的企业创新管理理念与机制[J].现代管理科学,2008(6): 25-26

[10]刘锋.中国电子元器件分销商现状简析[J].基础电子,2008(1/2):71-75

[11]戴更新,耿化忠.电子元器件分销商提升供应链竞争力的策略分析[J].电子产品世界,2006(8):34-36

[12]傅蜜蜜.试论组织文化对创新管理的影响[J].肇庆学院学报,2008,29(1):46-50

XX电子（上海）有限公司，上海，200032

第三篇：常用电子元器件简介

常用电子元器件简介

电阻器

△作用：电阻器在电路中主要起分压，流限，分流，负载等作用，基本单位是欧姆(Ω),常用单位还有千欧(k), 兆欧(M)。

△类别：按照制造电阻所用的材料划分,有金属膜电阻,金属膜氧化电阻,绕线电阻,精密合金电阻,玻璃釉电阻等。

△系列值：电阻是按系列值生产的,国际上通常采用E24系列。

△表示法：有文字和色环两种表示方法，文字表示是将电阻的参数直接标在电阻体上，色环标称是近几年来因适应电子自动化装配而广泛采用的。

△功率：额定功率指允许在电阻器上长期负载得最大功率,额定功率及符号如图(小功率电阻一般不标注)。在使用中选用电阻的额定功率应大于其实际功率的1.5~2倍,以留有余量.△可变电阻：又称电位器,用于可变衰减,分压调节等场合.△敏感电阻：常有热敏、压敏、光敏、磁敏等,它是非线性元件,能将其他物理量转化为电量,常用于自动控制电路的检测元件.电感器:

△电感器是一种储存磁场能的元件,可用于滤波、振荡、耦合、磁电转换、阻抗匹配、高压发生等场合。基本单位是亨利H,常用单位有毫亨(mH)、微亨(μH)。

△电感器有自感、互感之分：自感包括高频阻流圈、低频阻流圈、例如日光灯镇流器。互感包括电源变压器、各种信号传输变压器等。

电容器:

△作用：电容器是储存电场能的元件。在电路中起耦合、滤波、振荡、隔直、旁路等作用。基本单位是法拉F,常用单位有微法μF、皮法pF。

△类别：按所用电介质可分为三类：有机介质电容器包括纸介电容、金属化纸介电容、有机薄膜电容、涤纶电容。无机介质电容器包括瓷介电容、独石电容、云母电容。电解电容器包括铝电解、钽电解、铌电解电容器等。气体介质电容器如空气电容器。

△系列值：电容器的系列值依所有材料而论。对于无机介质及高频有机薄膜电容器，其容量系列值同电阻一样，采用E24系列。有机介质低频有机薄膜。

△表示法：有文字表示和三位数码表示。文字表示是直接将参数标在电容体上。

△耐压：是指规定工作温度范围内电容器两端长时间承受最大直流电压,其数值有6.3V、10V、16V、25V、40V、63V、100V、160V、250V、300V、450V、630V、1000V。使用中,额定耐压值应大于实际承受电压值的1.5~2倍。以防电容被击穿。

△可变电容：指通过改变两极间相对位置来改变容量的电容.常用在接收机的调谐回路中选台或振荡回路中改变频率,有单联、双联两种。

△微调电容：也称半可变电容，有瓷介微调和拉线电容两种。

晶体管：

☆二极管

△作用：二极管具有单向导电性，由一个PN组成。在电路中起检波、开关、稳压、整流、隔离、钳位等作用。

△类别：可分为普通、稳压、整流、变容、开关、发光二极管等各种类别。

△参数：最大反向工作电压：二极管所能承受的最大反向电压。最大允许电流：在长期正常工作条件下允许通过的最大正向电流值。

☆三极管:

△作用：三级管具有两个PN 结,能以小的ΔIb 引起大的ΔIc,因此具有放大作用,属于电流控制器件，而场效应管则是电压控制器件。

△类别: 频率分可分为高频管、低频管；按功率分有小、中、大功率管；按材料分分为硅管、锗管等。场效应管按结构差异，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。△参数：三级管的主要参数有电流放大倍数β，集电级最大允许电流IcM,最大功耗PcM,截止频率fT , CE极的击穿电压BVceo等。

△场效应管的主要参数与三级管大致相同。

☆可控硅：

作用：用低电压去控制大功率电路的一种无触点的半导体器件，常用在可控整流、交流调压、无触点开关等控制器中。

△类别：有双向、单向可控硅。

△参数：有最小开启电压、最小保持电流，最大允许通过电流。

集成电路:

△集成电路指在半导体制造工艺的基础上,采用光刻等工艺,把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上，构成特定的电子电路。英文缩写成IC。

△按工艺分,有薄膜IC、厚膜IC、半导体IC、和混合IC。

△按功能分,有模拟IC、数字IC、接口IC和特殊IC。还可分为通用和专用,模拟IC如运算放大器、模拟乘法器、集成稳压器、功率IC等。数字IC目前使用最多的是TTL型和COMS型,另外还有微处理器类如单片机(MCU),数字信号处理器(DSP)等。接口IC又可分为外围驱动器、电平转换器、显示驱动器、A/D和D/A转换器。

△按用途分可分为专用IC。专用IC针对性很强,又可分为集成化传感器、专用通信IC、消费类电路。

△按有源器件类型分：可分为双极型，单极型,双极-单极混合型。

△按规模分可分为：小规模集成电路(SSI)，集成度为1~12门/片。

中规模(MSI)：集成度13~99门/片。

大规模(LSI)：集成度100~1000门/片。

超大规模(VLSI):集成度大于1000门/片。

电声器件:

常见的电声器件有扬声器、拾音器、耳机、话筒、压电陶瓷片(蜂鸣器)、录音机用磁头、放像机用磁鼓。电表用电磁或磁电式表头。

光电器件:

△作用：光电器件的主要功能是完成光能与电能的转换。通常包括光电耦合器、半导体光敏器件、半导体发光器件、数码和图像显示器件。

△光耦具有体积小、寿命长、无触点、抗干扰性强等优点.常用于隔离线路、开关电路、数模转换、逻辑电路、长线传输、过流保护、高压控制、电平匹配等。常见类型有晶体管型、高灵度达林顿晶体管型、光可控硅型。

△半导体光敏器件有光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。光敏二极管电流线性好、响应速度快。光敏三极管把光敏二极管和普通三极管直接制在一起,自身具有放大作用。硅光电池能把太阳能转化为电能。

△半导体发光器件主要有发光二极管(LED)、红外发射接收二极管、电平指示发光二极管。光电激光LED的寿命长、功耗小、驱动电压低、响应速度快。通常有红黄绿蓝等颜色。光电激光器是一种新兴器件,主要用在激光唱机(CD机),激光视盘机(VCD机),激光光盘存储设备(如光盘驱动器)等。

△数码和图像显示器件有荧光数码管,LEDT段式数码管,LED点阵,LED显示器等。荧光数码管体积大、驱动电压高、现已基本淘汰。LEDT段式数码管体积小、驱动电压低、广泛应用于数字化仪表、计算机终端做数字显示。

LED 接点阵一般将发光二极管做成8x8点阵,用来显示图像。有单色、双色、三色等。广泛应用于广场、车站、体育场等大型显示屏。

LCD显示器是利用液晶的特殊物理性质和光电效应制成的。耗电低但本身不发光,属于被动显示器件,需外光源照明。广泛应用于手机、传呼机、笔记本电脑等便携电子产品。开关件、插接件:

开关件在电路中用于换接电路.常用的有波段开关、钮子开关、按钮开关、微动开关、按键开关、凸轮开关如继电器等。插接件在电路中可实现简便连接，常用的有:Q9型插头座、香蕉插头座、针孔式插头座、耳机,电源用插头座、接线板、面包板等。

电子管:

电子管为真空器件。是在抽成真空的玻璃体中装入电极做成的，多见于早期电子设备中,现

已基本淘汰.但在一些音响发烧友的胆管功放中还能见到它。有二极管、三极管双二极管、双三极管、五极管、七极管等多种形式。

滤波器:

滤波器是指对频率有一定选择作用的二端网络或四端网络。常见的有陶瓷滤波器、晶体滤波器、声表面滤波器等。

熔断器:

熔断器:又称保险器.主要有插入式熔断器、保险丝管、快速保险器、自动可恢复保险丝等。

第四篇：电子元器件采购网介绍

电子元器件采购网介绍

电子元器件采购网是马可波罗网旗下的一个主打电子元器件的b2b网站，是以电子元器件行业为主的具备采购，批发，供应为一体的电子元器件行业领先的第三方电子商务B2B平台。

电子元器件采购网为电子元器件行业的b2b网站，它承载着为电子元器件企业和客户创造一个高品质的网上交易平台而努力的使命和责任。经过不懈努力，我们已成为电子元器件行业优秀的电子商务平台，中国电子元器件网为企业和用户带来了切切实实的效益，受到了广大网友和企业用户的一致好评。

电子元器件采购网始终秉承“以客户为中心”的经营理念，视推动中国企业开展电子商务、实现信息化为己任，深入研究企业客户的实际需要，开创性地建立了最适合中小企业需要的IT应用服务运营模式，运用先进的信息技术搭建起一个适合企业业务和管理需要的应用服务平台，并透过庞大的全国性商务网络，给中小企业带来最优质的互联网采购平台。

电子元器件采购网对其行业分成了30个大分类，并对每个分类又细分出来上百个二级分类。电子元器件产品30个分类分别包括：集成电路、电容器、传感器、二极管、三极管、场效应管、连接器、闹胡器件、电声器件、电感元器件、电阻器与电位器、变送器、显示器件、片状元器件、电子电路散热元件、频率元件、湿敏元件、温敏元件、光敏元件、磁敏元件、压敏元件、力敏元件、气敏元件、逆变器、光电器件、电子与功能器材、电力半导体器材、电力集成器材、电子五金件、其他电子元器件等。

网站使命:电子元器件行业产品做到最全,为更多的企业提供更全面的服务.

第五篇：电子元器件失效分析

电子元器件失效分析

1.失效分析的目的和意义

电子元件失效分折的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象.分辨其失效模式和失效机理.确定其最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议。防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。失效分折是产品可靠性工程的一个重要组成部分，失效分析广泛应用于确定研制生产过程中产生问题的原因，鉴别测试过程中与可靠性相关的失效，确认使用过程中的现场失效机理。

在电子元器件的研制阶段。失效分折可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期；在电子器件的生产，测试和试用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元件失效的责任方。根据失效分析结果。元器件生产厂改进器件的设计和生产工艺。元器件使用方改进电路板设汁。改进元器件和整机的测试，试验条件及程序，甚至以此更换不合格的元器件供货商。因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度.提高器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。

失效分折对元器件的生产和使用都有重要的意义.如图所列。

元器件的失效可能发生在其生命周期的各个阶段.发生在产品研制阶段，生产阶段到使用阶段的各个环节，通过分析工艺废次品，早期失效，实验失效及现场失效的失效产品明确失效模式、分折失效机理，最终找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的选择、整机计划等方面，元器件生产方在产品的可靠性方案设计过程，都必须参考失效分折的结果。通过失效分折，可鉴别失效模式，弄清失效机理，提出改进措施，并反馈到使用、生产中，将提高元器件和设备的可靠性。

2.失效分析的基本内容

对电子元器件失效机理，原因的诊断过程叫失效分析。进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的任务是确定失效模式和失效机理.提出纠正措 施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。因此，失效分析的主要内容包括：明确分析对象。确定失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出预防措施（包括设计改进)。

2.1 明确分析对象

失效分析首先是要明确分析对象及失效发生的背景。失效分析人员应该了解失效发生时的状况.确定在设计，生产，检测，储存，传送或使用哪个阶段发生的失效，如有可能，要知道失效发生时的现象以及失效发生前后的操作过程。在条件许可的情况下.尽可能的复现失效。

2.2 确定失效模式

失效的表面现象或失效的表现形式就是失效模式。失效模式的确定通赏采用两种方法，即电学测试和显微镜现察。根据测试、观察到的现象与效应进行初步分析，确定出现这些现象的可能原因，或者与失效样品的哪一部分有关；同时通过立体显微镜检查，观察失效样品的外观标志是否完整，是否存在机械损伤，是否有腐蚀痕迹等；通过电特性试，判断其电参数是否与原始数据相符.分析失效现象可能与失效样品中的哪一部分有关；利用金相显微镜和扫描电子显微镜等设备观察失效部位的形状，大小，位置，颜色，机械和物理结构，物理特性等，准确的描述失效特征模式。

失效模式可以定位到电（如直流特性、漏电）或物理（如裂纹、侵蚀）失效特征，根据失效发生时的条件（如老化、静电放电、环境），结合先验知识，区分失效位置.减少诊断失效机理要求的工作量。

2.3 判断失效原因

根据失效模式，失效元器件的材料性质、制造工艺理论和经验，结合观察到的相应失效部位的形状、大小、位置、颜色以及化学组成、物理结构、物理特性等因素，参照失效发生的阶段、失效发生时的应力条件和环境条件，提出可能的导致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如设计缺陷，材料质量问题，制造过程问题、运输或储藏条件不当，在操作时的过载等，而大多数的失效包括一系列串行发生的事件。对一个复杂的失效，需要根据失效元器件和失效模式列出所有可能导致失效的原因，确定正确的分析次序，并且指出哪里需要附加的数据来支撑某个潜在性因素。失效分析时根据不同的可能性，逐个分折，最终发现问题的根源。

2.4 研究失效机理

对于失效机理的研究是非常重要的，需要更多的技术支撑。

在确定失效机理时，需要选用有关的分析、试验和观测设备对失效样品进行仔细分析，验证失效原因的判断是否属实，并且能把整个失效的顺序与原始的症状对照起來，有时需要用合格的同种元器件进行类似的破坏实验，观察是否产生相似的失效现象。通过反复验证，确定真实的失效原因，以电子元器件失效机理的相关理论为指导。对失效模式、失效原因进行理论推理，并结合材枓性质、有关设 计和工艺理论及经验，提出在可能的失效条件下导致该失效模式产生的内在原因或具体物理化学过程。如存可能, 更应以分子、原了学观点加以阐明或解释。

2.5提出预防措施及设计改进方法

根据分析判断。提出消除产生失效的办法和建议，及时地反馈到设计、工艺、使用单位等各个方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出现。失效分析要求

随着科技水平的发展和工艺的进歩.电子产品越来越微型化、复杂化和系统化，而其功能却越来越强大，集成度越来越高，体积越来越小。随着科技的发展各种新材料、新器件也不断出现，对失效分析的要求也越来越高；用于失效分析的新技术，新方法和新设备也越来越多。但在实际的失效分析过程中，遇到的样品多种多样，失效情况也各不相同。因此，根据失效分析的目的与实际，选择合适的分析技术与方法，从大到小，从外到内，从非破坏到破坏，从定性到定量，使失效分析迅速、准确、可靠。

电子元器件失效分析的就是要做到模式准确、原因明确、机理清楚、措施得力、模拟再现、举一反三。

3.1 模式准确

如前所述，失效模式是指失效的外在直观失效表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式。如开路、短路、参数漂移、功能失效等。模式准确，就是要将失效的性质和类型判断准确。

失效模式的判断应首先从失效环境的分析入手，细心收集失效现场数据。失效现场数据反映了失效的外部环境，对确定失效的责任方有重要意义。有些看来与现场无直接关系的东西可能是决定性的。例如,失效现场数据表明，工作人操作无误，供电系统正常，而整机上的器件出现了早期失效，说明元器件生产厂应对元器件失效负责，应负责整改，排除工艺缺陷，提高产品可靠性。

收集失效现场数据主要包括：失效坏境、失效应力、失效发生期、失效现象及过程和失效样品在失效前后的电测量结果。

失效环境包括：温度、湿度、电源环境，元器件在电路图上的位置、作用，工作条件和偏置状况。失效应力包括：电应力、温度应力、机械应力、气候应力和辐射应力。如样品经可靠性试验而失效，需了解样品经受实验的应力种类和时间

失效发生期包括：失效样品的经历、失效时间、失效发生的阶段，如研制、生产、测试、试验、储存、使用等。

3.2

原因明确

失效原因的判断通常是整个失效分析的核心和关键，对于确'定失效机理，提出预防措施具有总要的意义。

失效原因通常是指造成电子元器件失效的直接关键性因素，其判断建立在失效模式判断的基础上。通过失效原因的分析判断，确定造成失效的直接关键因素处于设汁、材料、制造工艺、使用及环境的哪―环节。

失效现场数据为确定电子元器件的失效原因提供了重要线索。失效可分为早期失效、随机尖效和磨损失效。而早期失效主要由工艺缺陷、原材料缺陷、筛选不充分引起。随机失效主要由整机开关时的浪涌电流、静电放电、过电损伤引起。磨损失效主要由电子元器件自然老化引起。根据失效发生期，可估计失效原因，加快失效分析的进度。此外，根据元器件失效前或失效时所受的应力种类和强度，也可大致推测失效的原因，加快失效分析的进程。如表：

然而失效原因的确定是相当复杂的,其复杂性表现为失效原因具有的一些特点。如原因的必要性、多样性、相关性、可变性和偶然性，需要综合多方面情况及元器件特点进行。

3.3 机理清楚

失效机理是指失效的物理、化学变化过程。微观过程可以追溯到原子、分子尺度和结构的变化，但与此相对的是它迟早也要表现出一系列宏现（外在的）性能，性质变化，如疲劳、腐蚀和过应力等。失效机理是对失效的内在本质、必然性和规律性的研究，是人们对失效内在本质认识的理论提高和升华。

失效原因通常可以分为内因和外因两种.失效机理就是失效的内因。它是导致电子元器件发生失效的物理、化字或机械损伤过程。失效机理研是失效的深层次内因或内在本质.即酿成失效的必然性和规律性的研究。要清楚地判断元器件失效机理就必须对其失效机理有所了解和掌握。如在集成电路中金属化互连系统可能存在着电迁移和应力迁移失效，这两种失效的物理机制是不同的，产生的应力条件也是不同的。对于失效机理的研究和判断需要可靠性物理方面的专业知识。

3.4 措施得力，模拟再现，举一反三

措施得力，模拟再现，举一反三是建立在前面对失效模式、失效原因和失效机理深入分折和准确把握的基础上。当然制定预防措施也应考虑长远的手段和产品使用问题。以及工程上的可行性、经济性等方面。模拟再现则要分折模拟的可能性和必要性，同时，随着计算机技术的高速发展，计算机模拟仿真也成为模拟再现的一个重要手段。

失效分析是一个复杂的、综合性的过程.它不仅仅只是失效分析工程师的工作.而且需要设计工程师、制造工程师、使用工程师的密切配合。只有在各个方面的团结协作下，才能找到产品失效的真实原因，准确判断其失效机理，揭示引起产品失效的过程，起到改进产品设计，提高产品固有可靠性和使用可靠性目的。

另外，为了得到一个成功的失效分析结果，避免犯一些常见的错误，所有可能涉及失效现象处理的人，都应该具备—些处理故障现象的基本知识。

1.保护实物证据 2.避免过多的加电测试

3.保证失效元器件在到达失效分析工程师之前不再受到损伤 4.制定失效分析方案 5.确定失效现象 6.失效分析的基本

失效分析应遵循先光学后电学、先面后点、先静态后动态、先非破坏后破坏、先一般后特殊、先公用后专用、先简单后复杂、先主要后次要的基本原则，反复测试、认真比较。同时结合电子元器件结构、工艺特点进行分析，避免产生错判、误判。主要失效模式及其分布

电子元器件的种类很多，相应的失效模式和失效机理也很多。总体来说，电子元器件的失效主要是在产品的制造，试验，运输，储存和使用等过程中发生的。与原材料、设计、制造、使用密切相关。下图给出了一些电子元器件现场使用失效模式及其分布的数据统计结果：

5.失效的主要机理及其定义

失效机理是指引起电子元器件失效的实质原因，即引起电子元器件失效的物理或化学过程.通常是指由于设计上的弱点（容易变化和劣化的材料的组合）或制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生的失效及其机理。

为了通过物理、化学的方法分析失效发生的现象，理解和解释失效机理，需要提供模型或分析问题的思维方法，这就是失效物理模型。元器件的失效物理模型大致分为反应论模型、应力强度模型、界限模型、耐久模型、积累损伤（疲劳损伤）模型等.如下表所列。对于半导体元器件来说.失效机理通常有两种失效物理模型：反应论模型和应力强度模型。

失效机理是电子元器件失效的物理或化学本质，从研究原始缺陷或退化进入失效点的物理过程。进一步确定导致失效的表面缺陷、体缺陷、结构缺陷。确定电学、金属学、化学及电磁学方面的机理。电子元器件种类繁多，导致失效的机理也很多，不同失效机理对应的失效摸式不一样。甚至相问的失效机在不同电子元器件导致的失效模式都不一样，因此需要在失效分析时认真对待,严格区分。

5.1 机械损伤

机械损伤在电子元器件制备电极及电机系统工艺中经常出现，如果在元器件的成品中，存在金属膜的划伤缺陷而末被剔除，则划伤缺陷将是元器件失效的因素，必将影响元器件的长期可靠性。.2結穿刺（结尖峰）

结穿刺即指PN结界面处为一导电物所穿透。在硅上制作欧姆接触时，铝-硅接触系统为形成良好的欧姆接触必须进行热处理，这时铝与硅相连接是通过450-550摄氏度热处理后在分立的点上合金化形 成的。在该合金化温度范围内，硅在铝的固溶度很大，但铝在硅中的固溶度要低很多，固溶度之差导致界面上的硅原子净溶解在铝中，同时界面上的铝也扩散到硅中填充硅中的空位。这就是在铝膜加工过程中，发生由于硅的局部溶解而产生的铝“穿刺”透入硅衬底问题的问题。结穿刺经常导致PN结短路失效。

5.3 铝金属化再结构

由于铝与二氧化硅或硅的热膨胀系数不匹配，铝膜的热膨胀系数比二氧化硅或者硅大，党元器件在间歇工作过程中，温度变化或者高低温循环试验时，铝膜要受到张应力和压应力的影响，会导致铝金属化层的再结构。铝金属化层再结构经常表现为铝金属化层表面粗糙甚至表面发黑，显微镜下可见到表面小丘、晶须或皱纹等。

5.4 金属化电迁移

当元器件工作时，金属互连线的铝条内有一定强度的电流流过，在电流作用下，金属离子沿导体移动，产生质量的传输，导致导体内某些部位产生空洞或晶须（小丘）这就是电迁移现象。在一定温度下，金属薄膜中存在一定的空位浓度，金属离子热振动下激发到相邻的空位，形成自扩散。在外电场作用下.金属离子受到两种力的作用，一种是电场使金属离子由正极向负扱移动，一种是导电电子和金属离子间互相碰撞发生动量交换而使金属离子受到与电子流方向一致的作用力，金属离子由负极向正极移动，这种作用力俗称“电子风”。对铝、金等金属膜，电场力很小，金属离子主要受电子风的影响，结果使金属离子与电子流一样朝正极移动，在正极端形成金属离子的堆积，形成晶须，而在负极端产生空洞，使金属条断开。

产生电迁移失效的内因是薄膜导体内结构的非均匀性，外因是电流密度。

5.5 表面离子沾污

在电子元器件的制造和使用过程中，因芯片表面沾污了湿气和导电物质或由于辐射电离、静电电荷积累等因素的影响，将会在二氧化硅氧化层表面产生正离子和负离子，这些离子在偏压作用下能沿表面移动。正离子聚积在负电极周围，负离子聚积在正电极周围，沾污严重时足以使硅表面势垒发生相'当程度的改变。这些外表面可动电荷的积累降低了表面电导，引起表面漏电和击穿蠕变等；表面离子沾污还会造成金属的腐浊，使电子元器件的电极和封装系统生锈、断裂。

5.6 金属的腐蚀

当金属与周围的介质接触时，由于发生化学反应或电化学作用而引起金属的破坏叫做金属的腐蚀。在电子元器件中，外引线及封装壳内的金属因化学反应或电化学作用引起电性能恶化直至失效，也是主要的失效机理。

根据金属腐蚀过程的不同特点，可分为化学腐蚀和电化学腐蚀。金属在干燥气体或无导电性的非水溶液中，单纯由化学作用而引起的腐蚀就叫做化学腐蚀，温度对化学腐蚀的影响很大。当金属与电解质溶液接触时，由电化学作用而引起的腐蚀叫做电化学腐蚀，其特点是形成腐蚀电池，电化学腐蚀过程的本质是腐蚀电池放电的过程，在这个过程中，金属通常作为阳极，被氧化而腐蚀，形成金属氧化物，而阴极反应则跟据腐蚀类型而异，可发生氢离子或氧气的还原，析出氢气或吸附氧气。

5.7 金铝化合物失效

金和铝两种金属，在长期储存和使用后，因它们的化学势不同，它们之间能产生金属间化合物，如生成AuAl2，AuAl，Au2Al等金属间化合物。这几种金属间化合物的晶格常数、膨胀系数、形成过程中体积的变化、颜色和物理性质是不同的，且电导率较低。AuAl3浅金黄色，AuAl2呈紫色，俗称紫斑，Au2Al呈白色.称白斑，是一种脆性的金属间化合物，导电率低，所以在键合点处生成了Au-Al间化合物之后，严重影响相恶化键合界面状态，使键合强度降低，变脆开裂，接触电阻增大等，因而使元器件出现时好时坏不稳定现象，最后表现为性能退化或引线从键合界面处脱落导致开路。

5.8 柯肯德尔效应

在Au-Al键合系统中，若采用金丝热压焊工艺，由于在高温（300摄氏度以上）下，金向铝中迅速扩散。金的扩散速度大于铝的扩散速度，结果出现了在金层—侧留下部分原子空隙，这些原子空隙自发聚积，在金属间化合物与金属交界面上形成了空洞，这就是可肯德尔效应，简称柯氏效应。当可肯德尔空洞增大到一定程度后，将使键合界面强度急剧下降，接触电阻增大，最终导致开路。柯氏空洞形成条件首先是Au-Al系统，其次是温度和时间。

5.9 银迁移

在电子元器件的贮存及使用中，由于存在湿气、水分，导致其中相对活泼的金属银离子发生迁移，导致电子设备中出现短路，耐压劣化及绝缘性能变坏等失效。银迁移基本上市一种电化学现象，当具备水分和电压的条件时，必定会发生银迁移现象。空气中的水分附在电极的表面，如果加上电压，银就会在阳极处氧化成为带有正电荷的银离子，这些离子在电场作用下向阴极移动。在银离子穿过介质的途中，银离子被存在的湿气和离子沾污加速，通常在离子和水中的氢氧离子间发生化学反应，形成氢氧化银，在导体之间出现乳白色的污迹，最后在阴极银离子还原析出，形成指向阳极的细丝。

5.10 过电应力

电子元器件都在其参数指标中设定了使用时所能承受的最大应力，包括最高工作环境温度或壳温，最大额定功率，最大工作电压、电流，峰值电压，最大输入、输出电流、电压等。如果在使用时所加的电应力超过了元器件规定的最大应力.即使是瞬间超过，也将造成电子元器件的损伤，这种电应力就称为过电应力，其造成的损伤主要表现为元器件性能严重劣化或失去功能。过电应力通常分为过压应力和 过流应力。在过电应力作用下，电子元器件局部形成热点，当局部热点温度达到材料熔点时使材料熔化，形成开路或短路，导致元器件烧毁。

5.11 二次击穿

二次击穿是指当元器件被偏置在某一特殊工作点时（对于双极型晶体管，是指V平面上的一点），电压突然跌落，电流突然上升的物理现象，这时若无限流装置及其它保护措施，元器件将被烧毁。凡是有杂质浓度突变的元器件（如PN结等）都具有二次击穿的现象，二次击穿是一种体内现象，对于双极型器件，主要有热不稳定理论（热模式）和雪崩注入理论（电流模式）两种导致二次击穿的机理。对于MOS元器件，诱发二次击穿的机理是寄生的双极晶体管作用。

5.12 闩锁效应

闩锁效应是CMOS电路中存在的一种特殊的失效机理。所谓闩锁（latch-up）是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地之间形成低阻大电流通路的现象CMOS电路的基本逻辑单元是由一个P沟道MOS场效应管和一个N沟道MOS场效应管以互补形式连接构成，为了实现N沟道MOS管与P沟道MOS管的隔离,必须在N型衬底内加进一个P型区（P阱）或在P型衬底内加进一个N型区（N阱），这样构成了CMOS电路内与晶闸管类似的PNPN四层结构，形成了两个寄生的NPN和PNP双极晶体管。在CMOS电路正常工作状态时，寄生晶体管处于截止状态。对CMOS电路的工作没有影响，如CMOS电路的输入端、输出瑞、电源端或者地端受到外来的浪涌电压或电流，就有可能使两只寄生晶体管都正向导通，使得电源和地之间出现强电流。这种强电流一开始流动，即使除去外来触发信号也不会中断，只有关断电源或将电源电压降到某个值以下才能解除，这种现象就是CMOS电路的闩锁效应。

5.13 静电损伤

处于不同静电电位的两个物体间发生的静电电荷转移就形成了静电放电，这种静电放电将给电子元器件带来损伤，引起产品失效。电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式，突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移；潜在性失效是指静电放电电能量较低，仅在元器件内部造成轻微损伤，放电后元器件的电参数仍然合格或略有变化，但元器件的抗过电应力能力已明显削弱，或者使用寿命已明显缩短，再受到工作应力或经过一段时间工作后将进一步退化，直至造成彻底失效。

静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流热致失效。过电压场致失效是指高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端的电极因接受了高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使电极之间的介质发生击穿失效，过电压场致失效多发生于MOS元器件，包括含有MOS电容的双极型电路和混合电路；过电流热致失效是由于较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大使局部区域温升超过材料的熔点，导致材料发生局部熔融使元器件失效，过电流热致失效多发生于双极元器件，包括输人用PN结二极管保护的MOS电路、肖特基二极管以及含有双极元器件的混合电路。

5.14 介质的击穿机理

介质击穿，从应用角度可分为自愈式击穿和毁坏性击穿。自愈式击穿是局部点击穿后，所产生的热量将击穿点处的金属蒸发掉，使击穿点自行与其他完好的介质隔离；毁坏性击穿是金属原子彻底侵入介质层，使其绝缘作用完全丧失。根据引起击穿的原因之可将介质击穿分为非本征击穿和本征击穿两种：前者是在介质中的气孔、微裂缝、灰尘、纤维丝等疵点附近，因气体放电、等离子体、电孤、电热分解等引起的击穿；后者是外加电场超过了介质材料的介电强度引起的击穿。无论是非本征击穿还圮本征击穿，按其本质来看，则均可能归结于电击穿、热击穿或热点反馈造成的热电击穿。

5.15 与时间有关的介质击穿（TDDB)TDDB是影响MOS元器件长期可靠性的一种重要的失效机理，当对二氧化硅薄膜施加低于本征击穿场强的电场强度后，经过一段时间后会发生介质击穿现象，这就是与时间有关的介质击穿。它的击穿机理，可以分为两个阶段：第一阶段是建立阶段，在高电场、高电流密度应力的作用下，氧化层内部发生电荷的积聚，积累的电荷达到某一程度后，使局部电场增高到某一临界值；第二阶段实在热或电的正反馈作用下，迅速使氧化层击穿，氧化层的寿命由第一阶段中电荷的累计时间确定。

5.16 热栽流子效应

所谓热载流子，是指其能量比费米能寄大几个KT以上的载流子，这些载流子与晶格处于热不平衡状态，载流子的温度超过了晶格温度。热载流子的能量达到或超过Si-SiO2界面势垒的能量时，便会注入到SiO2中去，产生界面态、氧化层陷阱或被氧化层中陷阱所俘获，由此产生的电荷积累引起元器件电参数不稳定。表现为MOS元器件的阈值电压漂移或跨导值降低，双极元器件的电流增益下降，PN结击穿电压蠕变，使元器件性能受到影响，这就是热载流子效应。

5.17“爆米花效应”

“爆米花效应”是指塑封元器件塑封材料内的水汽在高温下受热膨胀，是塑封料与金属框架和芯片间发生分层效应，拉断键合丝，从而发生开路失效。塑封元器件是以树脂类聚合物材料封装的，其中的水汽包括封装时残留于元器件内部、表面吸附，经材料间的缝隙渗入及外界通过塑料本身扩散进入。

5.18软误差

电子元器件的封装材料（如陶瓷管壳，作树脂填充剂的石英粉等）中含有微量元素铀等放射性物质，它们衰变时会放出高能射线。当这些射线或宇宙射线照射到半导体存储器上时，引起存储数据位的丢失或变化，在下次写入时存储器又能正常工作，它完全是随机的发生，随意把这种数据位丢失叫软误差。引起软误差的根本原因是射线的电离效应。