模拟电子线路作业题参考答案
第1章
1.1解:(1)cm,=cm
。该半导体为N型。
(2)cm
=cm。该半导体为P型。
1.3
解:(1)=53mA
(2)
=13.2
=0.49
1.4解:(1)mA
(2)mA
(3)mA
(4)
(5)E增加,直流电流增加,交流电阻下降。
1.6解:(1)在图(a)中,V2导通,V1截止,U0=5V。
(2)在图(b)中,V1导通,V2截止,U0=0V。
(3)在图(c)中,V1、V2均导通,此时有
1.7解:(1)在图(a)中:当ui>一2.7V时,V管截止,u0=一2V;当ui≤一2.7V时,V管导通,u0=ui+0.7。当ui=5sinωt(V)时,对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。
(2)在图(b)中:当ui>1.3V时,V管截止,u0=ui;当ui≤1.3V时,V管导通,u0=1.3V。其相应波形如答图1.7
(b)所示。
答图1.7
1.9解:该电路为高电平选择电路,即u1、u2中至少有一个为3V,则u0=3一0.7=2.3V。u1、u2均为0时,uo=一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。
答图1.9
1.10解:当ui≥5V时,Vz击穿,u0=5V。当ui≤一0.7V时,Vz正向导通,u0=一0.7V。
当一0.7V<ui<5V时,Vz截止,u0=ui。由此画出的u0波形如答图1.10所示。
答图1.10
1.11
解:(1)因为
式中,因,所以=0,V
式中
mA,V=18V
选择R应满足:400 (2) 当时,mA。 当达到最大时,(V) 当为时,(V) 即的变化范围是14.5~17V。 第2章 2.1 8V 0V 0.7V 硅NPN -8V 0V -0.7V 硅PNP 1V 4V 3.7V 锗PNP 9V 4.3V 锗NPN 4V 题图(a): 题图(b): 题图(c): 题图(d): 2.3题图(a)3AX为PNP锗管,V(正偏),V(反偏),放大状态 题图(b):e结反偏,c结反偏,截止状态 题图(c):e结正偏,c结正偏,饱和状态 题图(d):e结开路,晶体管损坏 2.6解:(1)Q1点: (2) 2.7解: 题图(b):因而使发射结导通,假设管子工作在放大状态。则有,,故假设成立,管子处于放大状态。 题图(c):因而使发射结导通,假设管子工作在放大状态。则有,mA,不可能,表明晶体管处于饱和状态。 2.9 (2)当RB1开路时,IBQ=0,管子截止。UC=0。 当RB2开路时,则有 2.14 解:图(a),输出信号被短路,不能进行电压放大。 图(b),输入信号被短路,不能进行电压放大。 图(c),e结零偏,管子截止,不能正常放大。 图(d),e结零偏,不能进行放大。 图(e),会使e结烧坏且输入信号短路,电路不能正常放大。 图(f),电路可以正常放大。 2.17解:(1)不变,不变,故不变。斜率变,故变化,若减小,移至,增加,移至。 (2)负载线斜率不变,故不变。变,不变,故变。若,增加,工作点移至,反之,下降,工作点移至。 2.18C1 RB 500 k RC 2k C2 T + uo (a) CE RE 1k (b) 题图2.18 10A 20A 30A 40A 50A 60A uCE/V iCE/mA ① ② ③ ④ 0 ui + 解:(1)输出特性理想化。 (2)先求工作点(A),直流负载线,取两点,可得直流负载线如图2.18(b)中①线,工作点Q(V,mA),交流负载线的斜率为,可得图2.18(b)中②线(交流负载线)。 (3)此时直流负载线不变,仍如图2.14(b)中①线,而交流负载线的斜率为,如图2.18(b)中③线。 (4)为得最大,工作点应选在交流负载之中点。将图2.18(b)中③线(=1k)平移使之与直流负载线①线的交点是此交流负载线之中点,即点(V,mA)。此时,=3V。 调节使A,则,解得k。 2.20解:(1)要求动态范围最大,应满足 所以,(2)由直流负载线可知:。 。 2.23解:(1)计算工作点和、。 已知A,则(mA) (V) 由以上关系式可以看出,因电路输出端没有隔直电容,负载电阻与工作点有关。由上式解得V。 而(k),(k) (2)计算源电压放大倍数。 先画出图2.23电路的小信号等效电路如下图所示。 ii=ib RC RL rce ic io Uo + + Us + () Ro Ri Rs (3)计算输入电阻、输出电阻。k,k ib Us + RL RE Ro + Ui Ri + RC (b) 2.27电路如题图2.27所示,BJT的,mA,基极静态电流由电流源IB提供,设A,RS=0.15kW,k。试计算、和。电容C对信号可视为短路。 ib Uo RS C V RL + + Uo Us + Ui IB Ri Ro RE 题图2.27 RS 解: (mA) (k) 其小信号等效电路如图(b)所示。 (k) 用辅助电源法可求得输出电阻为 2.29解:其交流通路和小信号等效电路分别如图2.29(b)和(c),则 V RC RE RL RS vs + + vi Ri Ro + vo (b) RS Us + + Ui Ri RE rbe RC RL βib ic ie io Ro (c) 图2.29 + Uo ib 用辅助电源法可求得晶体管共基组态的输出电阻为 2.30 2.34V1 V2 RB RC RE Ri Ro RL + Ui + Uo 题图2.34 UCC + Ui RB V1 V2 RE Ri Ri1 Ri2 Ro RC RL + Uo (a) (b) 解:(1)该电路的交流通路如图2.34(b)所示。 (2)k,k 2.36 解: (1)交流通路和直流通路分别如题图2.36(b)(c)所示 RS + Us RE1 R3 R4 R6 RL + Uo V1 V2 (b) UCC V1 R2 R3 R1 RE1 V2 R4 R5 R6 VCC (c) 题图2.36 R5 (2) V1组成共基电路,V2组成共射电路,信号与电路输入端、输出端与负载、级间均采用阻容耦合方式。 (3) R1和R2是晶体管V1的基极偏置电路。R1短路将使V1截止。 (4) RE1开路,V1无直流通路,则V1截止。 第3章 3.1 解:FET有JFET和MOSFET,JFET有P沟(只能为正)和N沟(只能为负)之分。MOSFET中有耗尽型P沟和N沟(可为正、零或负),增强型P沟(只能为负)和N沟(只能为正)。 图 (a):N沟耗尽型MOSFET,=2mA,V。 图 (b):P沟结型FET,=-3mA,V。 图 (c):N沟增强型MOSFET,无意义,V。 3.3解:图 (a)中,N沟增强型MOSFET,因为VV,VV,所以工作在恒流区与可变电阻区的交界处(预夹断状态)。 图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET,VV,VV,所以工作在可变电阻区。 图 (c)中,P沟增强型MOSFET,VV,VV,所以工作在恒流区。 图(d)中,为N沟JFET,VV,所以工作在截止区。 3.5解(1) 解得: (2) 解得: 3.12 第4章 4.1解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB,即100倍,fH=106Hz,fL=10Hz(在fH和fL处,增益比中频增益下降30dB)。 (2)当时,其中f=104Hz的频率在中频段,而的频率在高频段,可见输出信号要产生失真,即高频失真。 当时,f=5Hz的频率在低频段,f=104Hz的频率在中频段,所以输出要产生失真,即低频失真。 ω /Mrad/s 4.3 0 400 0.4 ω /Mrad/s 0 -90 (b) 题图4.3 其相频特性的近似波特图如图4.3(b)所示。 4.4解:(1)输入信号为单一频率正弦波,所以不存在频率失真问题。但由于输入信号幅度较大(为0.1V),经100倍的放大后峰峰值为0.1×2×100=20V,已大大超过输出不失真动态范围(UOPP=10V),故输出信号将产生严重的非线性失真(波形出现限幅状态)。 (2)输入信号为单一频率正弦波,虽然处于高频区,但也不存在频率失真问题。又因为信号幅度较小,为10m V,经放大后峰峰值为100×2×10=2V,故也不出现非线性失真。 (3) 输入信号两个频率分量分别为10Hz及1MHz,均处于放大器的中频区,不会产生频率失真,又因为信号幅度较小(10m V),故也不会出现非线性失真。 (4)输入信号两个频率分量分别为10Hz及50KHz,一个处于低频区,而另一个处于中频区,故经放大后会出现低频频率失真,又因为信号幅度小,叠加后放大器也未超过线性动态范围,所以不会有非线性失真。 (5)输入信号两个频率分量分别为1KHz和10MHz,一个处于中频区,而另一个处于高频区,故信号经放大后会出现高频频率失真。同样,由于输入幅度小。不会出现非线性频率失真。 4.6 + VCC Uo + RB 500k RC 2k RE RL 2k C1 10uF RS 0.9k C210uF (a) + RS Us RB rbb’ Ub’e Cb’e Cb’c gmUb’e RC//RL + Uo + rb’e (b) Us 10uF 解:(1)高频等效电路如题图4.6(b)所示: (1) 利用密勒近似,将Cb’c折算到输入端,即 4.7 RS + Us + Uo UDD RS + Us gmUgs Cds Cgd + Ugs Cgs (a) (b) RD + Uo RD T 解:(1)高频等效电路如图4.7(b)所示。 (1) 在图4.7(b)中,考虑Cgd在输入回路的米勒等效电容,而忽略Cgd在输出回路的米勒等效电容及电容Cds,则上限频率ωH为 第5章 5.2 解:图5.2是具有基极补偿的多电流源电路。先求参考电流,(mA) 则 (mA) (mA) (mA) 5.4 解:(1)因为电路对称,所以 (2)差模电压增益 .2 2) .5 //(1 .5 // ' » + ´ ´ = + = e b b L C ud r R R R A b 差模输入电阻: W = W + = + = k k r R R e b id 9) .2 (2) (2 ' B 差模输出电阻: (3)单端输出差模电压增益: 共模电压增益: 共模抑制比: 共模输入电阻: 共模输出电阻: (4)设晶体管的UCB=0为进入饱和区,并略去RB上的压降。 为保证V1和V2工作在放大区,正向最大共模输入电压Uic应满足下式: 为保证V1和V2工作在放大区,负向最大共模输入电压Uic应满足下式: 否则晶体管截止。 由上可得最大共模输入范围为 5.6 (2) 其波形如图所示。 uo 使得Aud减小,而Rid增大。 5.8 + V1 V2 ui 20V IE RC 5k RC 5k V3 5k -20V + uo uo/V ωt 14.3 5V 0 (b) (a) 解:略去V3基极电流的影响,即输出电压的静态电压为14.3。 略去V3的输入电阻对V2的负载影响,由图5.8(a)可看出,不失真的输出电压峰值为 。如根据线性放大计算,很明显,输出电压失真,被双向限幅,如图5.8(b)所示。 5.9 (a) (b) 解:(1)由于Uid=1.2V>>0.1V,电路呈现限幅特性,其u0波形如题图(b)所示。 (2)当RC变为时,u0幅度增大,其值接近±15V,此时,一管饱和,另一管截止。 第6章 6.1 试判断题图6.1所示各电路的级间反馈类型和反馈极性。 + Ui + Uo V1 V2 R1 R3 R5 R2 R4 UCC (a)级间交、直流串联电压负反馈 UCC + Ui + Uo V1 V2 R1 R2 R3 (b)级间交、直流串联电压负反馈 + Us RS UCC + Uo R8 R7 R6 R2 R1 R3 R4 R5 V1 V2 V3 V4 RL -UEE (c)级间交、直流串联电压负反馈 + Ui UCC + Uo R1 R3 R7 R2 R4 R6 R5 V1 V2 V3 V4 (d)级间交、直流串联电压负反馈 6.2试判别6.2所示各电路的反馈类型和反馈极性。 Ui Uo R1 R2 R3 R4 R5 + A1 + A2 (a)级间交、直流电压并联负反馈 R6 Ui Uo + A2 R2 R1 R5 R4 R3 + A1 (b)级间交、直流电压并联正反馈 6.3 近似计算: 精确计算: 6.7 6.9(1) (a)第一级是电流负反馈,Ro高,第二级是并联负反馈,要求信号源内阻高,所以,电路连接合理。第一级是串联负反馈,要求 RS越小越好。 (b)第一级是电压负反馈,Ro低,第二级是串联负反馈,要求信号源内阻低,所以,电路连接合理。第一级是并联负反馈,要求 RS越大越好。 (2) (a)电路的输入电阻高,故当信号源内阻变化时,(a)电路的输出电压稳定性好,源电压增益的稳定性能力强。 (3) (a)电路的输出电阻低,故当负载变化时,(a)电路的输出电压稳定性好,源电压增益稳定性能力强。 6.11级间交、直流电压串联负反馈; + UCC Uo -UEE + Ui 2k 10k 10k 120k 2k 4.7k 90k 10k 10k 2k 3.9k V1 V2 V3 ∞ 为得到低输入电阻和低输出电阻,应引入级间交流电压并联负反馈; 将V3的基极改接到V2的集电极;将输出端的90kΩ电阻,由接在V2的基极改接到V1的基极。 + UCC Uo -UEE + Ui 2k 10k 10k 120k 2k 4.7k 90k 10k 10k 2k 3.9k V1 V2 V3 ∞ 6.13 ui uo R1 R4 R5 + A1 + A2 R2 R3 uo1 运放A1引入了交、直流电压串联负反馈; 运放A2引入了交、直流电压并联负反馈。 ui uo R1 R4 R5 + A1 + A2 R2 R3 uo1 6.15RS R1 R2 R3 R4 C1 C2 UCC T1 T2 Uo + Us + (a) (a)级间交流电压并联负反馈 + + Us Uo T1 T2 C1 C2 R2 18k R3 10k R1 10k R5 3k R4 1k RL 10k R6 27k (b) UCC RS 1k (b)级间交流电流并联负反馈 6.18解:(1) Auf(jf)的幅频和相频渐进波特图分别如图6.18(a)和(b)所示。 /dB 0 0.1 fπ -20dB/dec -40dB/dec -60dB/dec -45o -135o -225o f/MHz (a) -45o/dec -90o/dec -45o/dec f/MHz 0 -90 -135 -180 -225 -270 (b) (2)由图6.18(a)可知,在fπ=31.6MHZf时,反馈放大器将产生自激。 (3)若留有的相位裕量,从图(a)上可以看出,相应的20lgAf=60dB,则。 (4) 20lgAf=40dB 采用补偿电容后,第一个极点频率移到fd,补偿电容为 如果Auf=1,则 6.21解:(1)由题可知,开环放大倍数为 它是一个具有3个重极点的放大器,如果每级附加移相为-60°,则三级共移相-180°,那么加反馈后会开始自激。因为每级相移为-60°,那么有° 由此可导出所对应的频率为 然后再看是否满足振荡条件(即附加相移=-180°时,|Au·F|是否大于等于1)。 可见,该放大器引入F=0.1的负反馈后不会产生自激振荡。 (2)求该放大器不产生自激的最大允许值Fmax=? (3)若要求有45°的相位裕度,则每级相移为-135°/3=-45°,所对应的上限频率ω=106,开环增益为 可见,要求有45°的相位裕度,反馈系数必须小于等于0.07。 第7章 7.1解:(a)根据虚断特性,根据虚短特性,所以 (b)当时,电路转换为反相输入求和电路,输出 当时,电路转换为同相输入求和电路,输出 根据线性叠加原理,总输出为 7.4 解:运放A1的输出为,运放A2的输出为,运放A3构成双端输入求和运算电路,输出为 7.8 解:(1)电路(a)为反相比例放大器,,电路(b)为同相比例放大器,所以它们的传输特性曲线分别如图7.8′(a)(b)所示。 图7.8′ (2)若输入信号,输出信号的波形分别如图7.8′(c)(d)所示。 7.20 解:(a)当时,输出处于临界状态,即将发生翻转。 根据虚断特性,根据线性叠加原理,所以,当时,;当时。 出回差电压= 。传输特性如图7.20′(a)。 (b)当时,输出处于临界状态,即将发生翻转。 根据虚断特性,根据线性叠加原理,所以,当时,;当时。 出回差电压= 。传输特性如图7.20′(b)。 (a) (b) 第8章 8.2解:(1) (2) (3) 8.8 (1)100kΩ、1 kΩ电阻构成了互补乙类功放电路和运放构成的同相比例放大器之间的反馈通路。引入了级间电压串联负反馈。 (2),根据,所以得 (3) 晶体管的参数应满足如下条件: (4)因为,所以 第9章 9.1 解:(1) (2)若二极管VD1开路,电路演变为单相半波整流电路,(3)因为,所以。 9.3 解:(1) (2),(3) 9.4解:(1)当电位器RW调至最上端时,此时UO最小,当电位器RW调至最下端时,此时UO最大,所以输出电压UO的调节范围为9V~18V。 (2)当电位器RW调至中间位置时,(3)当电网电压升高时,导致以下调整过程: 9.7 解:(1) (2) (3)LM7812的1、3端在正常情况下承受的电压。最危险的情况是短路,此时,而输出电流很大,容易烧毁稳压器。 (4)若负载电流IL=100mA,LM7812的功率损耗为 9.9 根据图9-27,说明当输入电压uI下降时,串联脉宽调制开关型直流稳压电路的稳压过程。 解:当输入电压uI下降时,输出电压uO下降,经采样电路,uF下降,经误差放大器放大,输出uO1的绝对值下降,送入比较器后,使输出uO2的占空比增加,致使三极管V2、V1的导通时间比重加大,使uC1的占空比增加,经续流二极管VD、滤波元件L、C后,使输出电压uO上升,从而抑制uO的下降,达到稳定输出电压的作用。