模电知识点总结

第一篇：模电知识点总结

第一章 绪论

1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真 2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大 第二章 预算放大器

1.集成运放适合于放大差模信号

2.判断集成运放2个输入端虚短虚断 如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈

4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。5.根据输入输出表达式判断电路种类

同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。

反相：虚地。

第三章 二极管及其基本电路

1.二极管最主要的特征：单向导电性

2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型 3.面接触型用于整流。点接触型用于高频电路和数字电路

4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关 5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂

6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏 7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏 8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容

9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况

正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧 反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行 10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大 11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管

13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升

14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路 第四章 双极结型三极管及放大电路

1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件 2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数 3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏 饱和区,发射结集电极正偏 截止区,发射结集电极反偏 4.NPN,PNP,硅锗管的判断

5.工作在放大区的三极管，若当Ib以12A增大到22A时，Ic从1mA变为2mA，约为100 6.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点，若工作点选的太高——饱和失真。选得太低——截止失真 7.顶部削平——截止失真。底部削平——饱和失真

8.共集电极放大电路，电压增益小于1而接近于1，输出电压与输入电压同相，输入电阻高，输出电阻低，起阻抗变换的作用——缓冲级，输入级，输出级，有电压跟随作用 9.共射级放大电路的电压和电流增益都大于1，输入电阻在三中组态中，输出电阻与集电极电阻有关，作为中间级 10.共基极放大电路只有电压放大作用，没有电流放大作用，有电流跟随作用，输入电阻小，输出电阻与集电极电阻有关。高频特性好，常用于高频或宽频带低输入阻抗的场合，集成电路兼有点位移动的功能

11.共射—共集：总的电压增益是多级电压增益乘积，要考虑级间互相影响 12.共集—共集：复合管电流放大系数等于各组成管电流放大系数乘积 13.放大电路需加合适的直流电源才能工作 14.影响放大器工作点的主要因素是温度 15.电压放大倍数空载是指RL=

16.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用共射放大电路 17.带负载能力强的放大器一定是输出电阻低 18.射级跟随器是共集电极放大电路

19.双极型三极管是电流控制器件，工作在放大区时，发射结正偏，发射结正偏，集电结反偏 20.场效管是电压控制器件 21.各级放大电路增益关系

22.获得输入电压中的低频信号，选用低通滤波电路

23.已知输入信号12KHz-14KHz，为防止干扰信号混入，选用带通滤波电路

24.为使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时，滤波特性不变，选用有源滤波电路 第五章 场效应管放大电路

1.场效管本质上是一个电压控制电流源器件

2.在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路 3.场效应管的类型：金属—氧化物—半导体场效管，结型场效管 4.场效管的输出特性分为几个区：可变电阻区，饱和区，截止区 5.场效管工作在饱和区

6.对MOS管中的漏极和源级接入电路能对调使用

7.增强型与耗尽型差别：VDS=0时，增强型无沟道，耗尽型有沟道 8.栅极电流受参数控制：VGS 第六章 模拟集成电路

1.镜像电流源电路——毫安级。微电流源电路——微安级 2.典型差动放大电路的公共射级电阻Re，对共模信号有抑制作用

3.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输入端信号的差，共模输入信号等于两个输入信号的算术平均值

4.差模信号和共模信号一般是用电压信号来描述的。两输入电压之差称为差模电压。两输出电压的算术平均值称为共模电压 5.差动放大器对共模信号具有较强的抑制作用，真正要放大的是差模信号

6.通用型集成运放的输入级一般采用差分式放大电路，主要目的是抑制零点漂移 第七章 反馈放大电路

1.对于放大电路，开环指无反馈通路，闭环指有反馈通路 2.直流负反馈的作用：稳定静态工作点 3.负反馈四种组态及其特点

电压串并负反馈——稳定电压

电流串并负反馈——稳定电流

4.并联反馈——减小输入电阻。串联反馈——增大输入电阻

5.在深度负反馈时，闭环增益与开环增益无关

6.使净输入信号量比没有引入反馈时减小了，称这种反馈为负反馈。

性能影响：

1.闭环增益下降 2.提高增益的稳定性 3.减小非线性失真 4.抑制反馈环内噪声 第八章 功率放大电路

1.功放的分类：甲类，乙类，甲乙类 2.每种运放的特点

第九章 信号处理与信号产生电路 1.振荡条件和起振条件

2.RC桥式振荡电路的振荡频率 第十章 直流稳压电源 1.直流稳压电源电路组成

2.常用滤波器：电容滤波器，电感滤波器，形滤波器 3.接线对调，极性不会相反

4.三端集成稳压器定义：最简单的集成稳压电源只有输入、输出、公共引出端，故称为三端集成稳压器 5.具有放大环节的稳压电路中，电源调整工作在放大状态。在开关电源中，调整管工作在开关状态

第二篇：模电2知识点,考试必备

半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。

半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。

半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移

常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。

本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。

半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。

本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。

其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。

载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。

扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。

内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。

在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。

外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。

PN结的单向导电性。

正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流

双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：

放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。

一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。

单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。

Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)

一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。

差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。

Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝

集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。

集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移

理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。

引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。

负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。

正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R

电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。

电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。

三点式电路的判断：射同余反。

功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）

直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。

三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路

特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。

半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。

半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。

半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移

常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。

本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。

半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。

本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。

其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。

载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。

扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。

内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。

在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。

外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。

PN结的单向导电性。

正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流

双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：

放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。

一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。

单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。

Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)

一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。

差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。

Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝

集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。

集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移

理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。

引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。

负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。

正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R

电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。

电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。

三点式电路的判断：射同余反。

功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）

直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。

三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路

特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。

半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。

半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。

半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移

常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。

本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。

半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。

本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。

其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。

载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。

扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。

内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。

在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。

外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。

PN结的单向导电性。

正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流

双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：

放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。

一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。

单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。

Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)

一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。

差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。

Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝

集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。

集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移

理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。

引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。

负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。

正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R

电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。

电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。

三点式电路的判断：射同余反。

功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）

直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。

三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路

特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。

第三篇：模电总结

模电总结

三极管仿真电路

场效应管方正电路

场效应管 说明了 栅极（G)上电流为0 漏极（D)上电流也很小 源极（S)上电流更小

场效应管的作用

1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开

单管共射放大电路

1、输入信号和输出信号反相；

2、有较大的电流和电压增益；

3、一般用作放大电路的中间级。

4、共射极放大器的集电极跟零电位点之间是输出端,接负载电阻

共集电极放大电路

共集放大电路又叫射极跟随器，这种放大电路的放大倍数接近1，就是说，该放大电路的输出跟输入信号相同，即输出信号随输入信号的变化发生相同的变化，具有“跟随”的作用。

它具有输入电阻大（索取信号能量的能力大），输出电阻小（给予负载信号能量的能力大）的特点，可以做多级放大器的中间级，即缓冲级

共基极放大电路

1、输入信号与输出信号同相；

2、电压增益高；

3、电流增益低（≤1）；

4、功率增益高；

5、适用于高频电路。

共基极放大电路的输入阻抗很小，会使输入信号严重衰减，不适合作为电压放大器。但它的频宽很大，因此通常用来做宽频或高频放大器。在某些场合，共基极放大电路也可以作为“电流缓冲器”（Current Buffer）使用。

RC高通电路

差分放大电路

差分放大电路对共模输入信号有很强的抑制能力，对差模信号却没有多大的影响，因此差分放大电路一般做集成运算的输入级和中间级，可以抑制由外界条件的变化带给电路的影响，如温度噪声等。你可以去找一些集成电路看一下，第一级基本上都是差分放大。

第四篇：模电总结

本学期对模电的学习，基本类似大一第二学期的电路课程的学习，从器件拓展到电路，从小信号再到大信号，先基础后应用的顺序逐步展开。以下，我也将从这几方面对本学期的模电进行大致总结以了解本人该学期对模电的掌握情况。

一、器件

在第一章常用半导体器件当中，我们首先介绍的模电主角晶体管场效应管的组成材质半导体以及有p型半导体以及n型半导体组成的pn结。随后我们介绍了pn结的应用，半导体二极管，半导体二极管中还包含了稳压管、发光二极管几种特殊类型。在半极管的基础上，我们引出了本学期模电的主角晶体管场效应管。

二、电路

在掌握了器件特性的基础上，我们对模电的学习拓展到了电路。1.基本放大电路：

共射放大电路、共集放大电路、共基放大电路、以及共源、共漏、共栅。其中共射电路对应共源电路、共集电路对应共漏电路、共基电路对应共栅电路。共射电路：输入电阻输出电阻都比较居中、输入信号与输出信号反向。

共集电路：输入电阻很大、输入电阻很小，输入输出同相，不能放大电压但能放大电流放大倍数接近1。

共基电路：输入电阻很小、输出电阻很大，输入输出同相，不能放大电流但能放大电压。2.多级放大电路

实际应用中，常对放大电路性能提出多方面要去，一些是基本放大电路无法实现的。在基本放大电路的基础上，我们学习了由多个基本放大电路连接组成的多级放大电路。各级基本放大电路的连接方式不同，包括直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合。

阻容耦合电路：不能放大变化缓慢的信号，在信号频率高、输出功率大的情况下才会使用 3.差动放大电路

作用：减小温漂，常用作集成运放的输入端。4.反馈电路

当反馈采样点接在输入点则可判断为电压反馈，否则则是电流反馈。当反馈输入端接在输入信号端则是并联负反馈，否则则是串联反馈。

负反馈类型： 电压串联负反馈 电流串联负反馈 电压并联负反馈 电流并联负反馈

5.基本运算电路

同相加法器：信号输入接正信号

差分放大器：两个输入信号一个接正一个接负，其正输入端还需要有等大电阻接地。积分电路 微分电路

6、稳压电路： 桥式整流 调整管 串联型稳压电路

三、应用

1、有源滤波器：有源低通、有源高通、有源带通、有源带阻

2、振荡器：RC桥式正弦波振荡电路、LC正弦波振荡电路。LC又包括电感三点式、电容三点式、变压器式

3、电压比较器：过零电压比较器、带Uref的简单单限电压比较器、滞会电压比较器、窗口电压比较器

第五篇：模电课程总结

《电路和模拟电子学》

课程总结

姓名：杨超

学号：1104031001

班级：网络工程一班

指导老师：肖连军

2012年6月18日

课程总结

一个学期将要结束，终于，模电课也将要结束。对于模电课，我从最开始的好奇，到中间的担忧，到现在，可谓有所收获了。

刚接触模电的时候，我可以说对其一无所知的。但是，我也是比较感兴趣的，这其中就有很多原因的，首先是基于对未知的好奇心，以及高中就比较喜欢物理与电路，其次是听人家说模电比较难，想要看看自己亲身体验下有什么情况，算是挑战一下困难吧。刚开始上课时，我是很认真听课的，课下也做相应的预习与复习，也做做书上每章后面的练习题。总之，开始学模电时，我觉得自己还是有干劲的。

到后来，我就觉得自己有些跟不上老师的节奏了。刚开始上第一章电路的基本概念时，我觉得老师将课好，很仔细，但是到了讲第二以及后面的几章时，我就跟不上了。我觉得老师讲这几章，太具有跳跃性了，一会儿是讲这里，一会儿是讲那里，一会儿是第二章，一会儿是第五章。我看第二章得时候讲第五章，我看第五章的时候又讲第三章，我又要往回看。最后，弄得自己都有些糊涂了。本来就有很多不懂的东西，又在这些小事上浪费了不少时间，并且，看书时，精神有不大集中。最后导致题目有些不会做，重点也没掌握到。因此，在这段时间我还是很担心模电的，很怕自己挂科，什么也没学到。

到最后，也就是现在，我觉得模电还是有很多东西没搞懂。比如说，有些题目不会做，有些图不能读懂，还有一些实验仪器用的不熟练等等。但是，这些问题都将不再是我担心的事情了。因为，学习模电的过程中，我知道了一个道理：问题不能阻止学习的脚步，我一直在前进，一直在进步。或许，我现在面临着许多的问题，这不懂，那不懂，但是，我还是把以前那些不懂的地方都弄懂了，这也是进步。这就足够了。

电路与模拟电子学这本书共十章，分别为：电路的基本概念、电阻电路分析、动态电路分析、交流电路分析、半导体二极管及其应用电路、放大电路基础、负反馈放大电路、集成运放的应用、波形产生电路与直流稳压电路、模拟可编程器件的原理及其应用。可能是由于时间原因吧，我们只上前八章，但内容还是很多，知识点更多，这给我们的学习带来很多困难。

这本书的主要内容是在电路分析这一块和半导体应用电路及放大电路，学完这本书让我们能够对一般性的、常用的模拟电子基本单元电路进行分析，同时对较简单的单元电路进行设计——会看、会算、会选。了解对一般电路的分析后，主要是知道放大电路的分析，放大电路可谓是一难点，更是一重点，放大电路分为单级放大、多级放大和反馈放大，其中单级放大中有晶体管（共射、共基、共集）和场效应管（共源、共漏），多级放大分为组态（直接、阻容、变压器、光电）和电路（阻容耦合多级、直接耦合多级、差动、OTL/OCL、运放），反馈电路中电路组态又分为电压-串联、电压-并联、电流-串联、电流-并联等，可见模电知识点的多、杂。

电模的学习让我们知道了对于任意一个电路要学会三点——会看，会算，会选：会看：电路的识别及定性分析，首先根据电路特征判断其属于哪种电路，然后根据电路特点判断其性能特点。会算：电路的定量分析，对于放大电路应会求解静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻，上限/下限截止频率，对运算电路应会求解运算关系，对有源滤波器应会求解幅频特性，对电压比较器应会求解电压传输特性，对波形发生电路应会求解振荡频率，对于功率放大电路应会求解输出功率，对直流稳压电路应会求解输出电压的可调范围等等。会选：在已知需求情况下选择电路形式，在已知功能情况下选择元器件类型，在已知性能指标情况下选择电路参数。例如：选用正弦波振荡电路应主要根据频率范围，选用稳压电路应

主要根据输出电压、输出电流的需求，选用放大电路，应根据静态、动态及环境等综合需求。此外，还要注意题目的综合性和灵活性。实际上，模拟电子技术基础课程中集成运放的应用部分就或多或少带有综合性。例如，非正弦波发生电路中既含有运算电路(积分电路)又含有电压比较器(滞回比较器)，它既包含集成运放工作在线性区的电路又包含集成运放工作在非线性区的电路。又如功率放大电路需要和前级电路匹配才能输出最大功率，且为了消除非线性失真通常要引入负反馈，因此，实用功放涉及到放大的概念、放大电路的耦合问题、反馈的判断和估算、功放的输出功率、大功率管的选择原则等等。

现在，模电学完了，我回忆一下过去，整理一下记忆，我发现自己确实收获颇多，也对模电课有了一些自己的看法。

第一，经过自己近三四个月学习模电的经验，我总算比较系统的了解了模电这门课程。万事开头难这句话在模电这门课程上体现的淋漓尽致。首先，模电这门课它是一门先难后易的课程，模电它上手比较难。模电虽然是一门新课程，但它又与其他电学书有相当大的关系。比如说，它与《电路分析》这门课有联系，如果电路分析学的不好的话，那么在学习模电的过程中一定会有一些障碍的。所以在电学方面有些不感冒的同学，在刚开始学模电的时候就有听不懂的问题，甚至导致厌恶模电的不良结果。当然，这对我来说只是小问题，我虽然电学学的不怎么样，但自问还是懂得不少的，故模电课还是能够接受的。其次，学习模电要求有一个好的学习习惯：课前，必须预习课本；课后，必须认真看课本；最后才是做题，巩固知识。很多人可能会认为这根其他的课程没什么不一样的，不都是这样做的。但是，我觉得模电不一样。对模电来说，这些过程都是必须的。其他的课程你可以不预习，不看书，不做题。但是，如果模电不预习的话，就有可能听不懂；如果模电不看书的话，就有可能懂不了新知识；如果模电你不做题的话，你很难知道那些知识掌握没有。因此，这些过程每次上模电课之前都要走一遍，一步也不能少！

第二，我觉得模电对我们学生要求比较高。你很难想象一本书竟然要求学生课内课外都必须照顾到。但模电就是这样要求的。模电不仅仅要求书本上的知识，还要求课外的知识，更是要求网上学习能力。书本上的知识包括理论知识和实验知识。理论知识就是要求我们学生学好书本上的一些理论，包括一些公式及定律以及课后的习题。此外，我们还必须能够记忆电路图，并灵活运用我们所学的知识来读懂一些电路图。这就是所谓的读图了。当然，这只是理论知识，考验的是思考及学习能力。所以，模电对我们的要求是很高的。总的来说，模电，你下功夫学习容易，但是要学好就难了。

第三，我觉得老师对我们的要求也很严格。这主要体现在作业和考试两个方面。首先，是作业方面。每次作业要按时交上，这不必说，还要将作业做好做对。做好，要按照要求的格式将作业写，好表述清楚，思路清晰，页面干净整齐，画的图要横平竖直，整体好看，元件不能画错，连接的节点也要标出来。做对，就是作业的结果要正确，表达无误。然后就是考试方面。老师虽然可以让我们选择考试方式，但是，我觉得考试还是较为严格的。并且，考试涉及的范围挺广。

最后，我觉得，老师虽然要求严格，但是，对我来说，其效果也是很好的。我每天都有按时到教室上课，然后认真听讲。作业也都较为认真的按照要求完成了。最终考核也将没多大问题，而以往不懂的地方也能够弄懂。所以，模电虽然有难度，要求高，但是还是一门比较实用的课程。在不久的将来，我觉得我会为模电课程要求高，实用性强而受益的。总的来说，电模还是一门比较受用的一门课，对我们的能力的提升也起到很大的作用，其他的就不说了，勇往直前吧！

杨超

1104031001

网络工程一班

2012年6月18日