第一篇：电工学下册(电子技术)知识点总结
电子技术知识点总结
模拟电路处理模拟信号，数字电路处理数字信号
第14章 半导体器件 1.本征半导体概念
2.N型和P型半导体的元素、多数载流子和少数载流子、“复合”运动 3.PN结的单向导电性，扩散运动，漂移运动 4.二极管的伏安特性、等效电阻（14.3.8）5.稳压二极管的工作区
6.三极管的放大电流特性（非放大电压）、输出特性曲线（放大区、截止区、饱和区），判断硅管和锗管、PNP型和NPN型（14.5.1，14.5.2,14.5.3）第15章 基本放大电路
1.共发射极放大电路的组成、静态分析、动态分析，计算电压放大倍数（远大于1，输入输出电压反相）、输入电阻（高）、输出电阻（低）2.静态工作点的稳定：分压式偏置放大电路的组成
3.非线性失真：饱和失真（静态工作点高）、截止失真（静态工作点低）
4.射极输出器的组成、静态分析（估算法、图解法）、动态分析（微变等效电路法、图解法），计算电压放大倍数（接近1，但小于1，输入输出电压同相）、输入电阻（高）、输出电阻（低）
5.多级放大电路的放大倍数，耦合方式三种：变压器耦合、阻容耦合（静态工作点相对独立）、直接耦合（静态工作点相互影响，零点漂移）
6.差分(差动)放大电路：针对缓慢变化的信号，采用直接耦合，共模信号，差模信号，抑制零点漂移，电路对称性要好
7.功率放大电路状态：甲类、甲乙类、乙类，为避免交越失真，需工作在甲乙类状态下 第16章 集成运算放大器
1.理想运算放大器的理想化条件：开环电压放大倍数∞，差模输入电阻∞，开环输出电阻0，共模抑制比∞，工作区：线性区和饱和区 2.虚短、虚断
3.运算放大器的比例运算、加法运算和减法运算 4.电压比较器
第17章 电子电路中的反馈
1.负反馈对放大电路工作性能的影响：降低放大倍数、提高放大倍数的稳定性、改善波形失真
2.深度负反馈的条件（AF>>1）第18章 直流稳压电源 1.整流电路的作用 2.滤波器的作用 3.稳压环节的作用
第20章 门电路和组合逻辑电路 1.二进制、十六进制和十进制的转化 2.基本逻辑门电路概念：与、或、非
3.逻辑代数运算：交换律、结合律、分配律、吸收律、反演律 4.常用的组合逻辑电路：加法器、编码器、译码器 5.例：判奇电路
第21章 触发器和时序逻辑电路 1.触发器的触发条件、触发时间、功能 2.可控RS触发器可能会出现空翻现象 3.JK触发器如何转化为T触发器和D触发器
4.常用的时序逻辑电路：寄存器（数码和移位）、计数器
第二篇：电工学 第七版 下册知识点和例题总结
电工学 动态分析 例15.3.1 49页 输入信号图解分析 52页 分压式偏置放大电路 例15.4.1 60页 射极输出器性质 71页 共模抑制比
习题15.2.1---15.2.4 15.2.5 15.2.7 共发射极放大电路 15.3.1----15.7.1 15.3.5 15.4.3 偏置放大电路 射极输出器 差分电路 16章
95.96页 运算放大器 98.99页 理想运放 例16.1.1 100--105页 比例运算 加减法运算 例16.2.3 112页 电压比较器 例16.3.1习题
16.2.1---16.2.5 16.2.6 16.2.7 16.2.13 比例运算 16.3.1，16.3.2电压比较器 17章
132页 正反馈和负反馈的判别 133---136页 负反馈的四种类型 141页 表17.2.1 负反馈对输入电阻和输出电阻的影响 146页 RC振荡电路习题
17.1.1---17.2.4 负反馈及类型判定
17.2.5,17.3.1，17.2.7，17.2.9负反馈的计算 18章
158页 单相半波整流电路 例18.1.1 159页单相桥式整流电路 167页 RC滤波器 例18.2.1习题 18.1.1--18.1.4 整流电路 18.2.1--18.3.3 滤波和稳压电路 18.1.6 18.1.7 18.3.4 直流稳压电源综合 20章
222--224页 数制的转化 227--229页 基本逻辑门电路 图20.2.2 20.2.3 20.2.4 231--232页 基本逻辑门电路组合 图20.2.5 20.2.6 20.2.7 250.251页 逻辑代数运算 254页 逻辑运算实例 259页 由逻辑图得状态表 例 20.6.1 20.6.2 262页 由状态表得逻辑图 例20.6.3 例20.6.4 269页 编码器 273页 译码器习题
20.1.1 20.1.2 进制转换 20.2.1--20.5.3 门电路逻辑式 20.5.4--20.6.6 门电路组合运算 20.5.8--20.5.11 逻辑式和逻辑图的转化 20.5.12---20.5.13 逻辑式化简 21章
298页 RS触发器
第三篇：电工学2电子技术复习纲要
《电工学2（电子技术）》考试复习大纲
第14章半导体二极管和晶体管
1、了解半导体二极管、三极管、稳压管工作原理和主要参数 ；
2、了解晶体管的放大原理、特性曲线、三种工作状态。
第15章基本放大电路
1、熟悉共射极单管放大电路的工作原理和性能特点；
2、熟悉静态工作点稳定工作原理；
3、熟悉射极输出器的电路特点和应用；
4、掌握放大电路静态分析：静态工作点的估算，动态分析：微变等效电路法。
第16章集成运算放大器
1、熟悉理想运放的条件及其分析依据。
2、掌握运算放大器在信号运算方面的应用的应用：比例，加、减；
3、熟悉信号处理方面的应用： 电压比较器。
第17章电子电路中的反馈
1、了解反馈的基本概念；
2、熟悉负反馈对放大电路工作性能的影响；
第18章直流稳压电源
1、掌握整流电路分析方法：二极管的选择；
2、掌握滤波器电路分析方法：电容的选择；
3、了解稳压电路个组件特性。
第20章门电路和组合逻辑电路
1、了解脉冲信号基本概念；
2、熟悉逻辑门电路，逻辑符号，逻辑表达式，逻辑门包括：与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门、三态门、集电极开路门；
3、掌握布尔代数及其化简方法；
4、掌握组合逻辑电路的分析与综合。
第21章触发器和时序逻辑电路
1、熟悉触发器：J-K，D，T，T＇；
2、了解寄存器、计数器基本概念；
3、掌握简单时序电路分析方法；
4、熟悉555定时器构成的单稳态触发器和多谐振荡器。
第四篇：电子技术(电工学)多媒体教学软件使用说明
电子技术（电工学Ⅱ）（第三版）多媒体教学课件使用说明
一、软件特点
1．内容丰富、齐全
（1）电子技术（电工学Ⅱ）（第三版）多媒体教学课件是刘全忠、刘艳莉主编的普通高等教育“十一五”国家级规划教材《电子技术》（电工学Ⅱ）（第三版）的配套多媒体教学课件。内容融会了全部课程基本要求，每章节由基本内容、基本方法、重点、难点、例题分析组成。
（2）针对课程中的重点和难点采用形象化的动画演示和视频图像，这样可以充分发挥多媒体教学的优势，弥补课堂教学的不足。
（3）课件采用以图为主的表现风格，只有标题、关键表达式、重点、结论性叙述等少量文字，并模仿课堂教学模式，逐行出现。教学内容主要由教师去完成，使教师主观能动性和创造性的发挥不受限制。
2．界面直观
本课件的全部页面皆采用全屏显示，文字的大小适度、图形线段清晰，颜 色调配合理。
3．所占硬盘空间少，演示运行速度快。
4．功能菜单的使用
在屏幕的下方有一功能菜单，可随时返回章节目录导航、前后翻页、退出系统。
5．操作简单
本课件运用PowerPoint2003以上系统环境，便于教师修改、加工和编辑。适用于高等工科院校在多媒体教室或网络教室进行教学，也可作为学生自学、复习的参考课件。全部内容为1张CD－ROM光盘。操作时无须安装，可从光盘复制至硬盘中运行或直接在光盘上运行。
二、课件运行环境
硬件环境：256色、1024×768显示模式，声卡、光驱、键盘和（遥控）鼠标 软件环境：PowerPoint2003以上版本
三、制作信息
制做单位：天津大学电气与自动化工程学院电工学教研室
联系人：刘艳莉
联系电话：022-27403831
E-mail ： liuyanli @tju.edu.cn
第五篇：模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结
第一章
半导体二极管
一.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子
----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:
在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7.PN结
*
PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*
PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8.PN结的伏安特性
二.半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:
若
V阳
>V阴（正偏)，二极管导通(短路);
若
V阳
1）图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。 2) 等效电路法 Ø 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴（正偏)，二极管导通(短路); 若 V阳 *三种模型 Ø 微变等效电路法 三.稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章 三极管及其基本放大电路 一.三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。 2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二.三极管的工作原理 1.三极管的三种基本组态 2.三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 3.共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 (饱和管压降，用UCES表示 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 4.温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。 三.低频小信号等效模型（简化） hie---输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示； hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 四.基本放大电路组成及其原则 1.VT、VCC、Rb、Rc、C1、C2的作用。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。 五.放大电路的图解分析法 1.直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 *直流负载线---由VCC=ICRC+UCE 确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 1）改变Rb ：Q点将沿直流负载线上下移动。 2）改变Rc ：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。 2.交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 *交流负载线--- 连接Q点和V CC’点 V CC’= UCEQ+ICQR L’的直线。 3.静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。 *消除方法---减小Rb，提高Q。 （2） 饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。 *消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC。 4.放大器的动态范围 （1） Uopp---是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。 （2）范围 *当（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ）时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL’。 *当（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 （UCEQ－UCES）。 *当（UCEQ－UCES）＝（VCC’ － UCEQ），放大器将有最大的不失真输出电压。 六.放大电路的等效电路法 1.静态分析 （1）静态工作点的近似估算 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc。 2.放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 七.分压式稳定工作点共射 放大电路的等效电路法 1．静态分析 2．动态分析 *电压放大倍数 在Re两端并一电解电容Ce后 输入电阻 在Re两端并一电解电容Ce后 * 输出电阻 八.共集电极基本放大电路 1．静态分析 2．动态分析 * 电压放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 3.电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。 第三章 场效应管及其基本放大电路 一.结型场效应管（JFET） 1.结构示意图和电路符号 2.输出特性曲线 （可变电阻区、放大区、截止区、击穿区） 转移特性曲线 UP ----- 截止电压 二.绝缘栅型场效应管（MOSFET） 分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。 结构示意图和电路符号 2.特性曲线 *N-EMOS的输出特性曲线 * N-EMOS的转移特性曲线 式中，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。 * N-DMOS的输出特性曲线 注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。 三.场效应管的主要参数 1.漏极饱和电流IDSS 2.夹断电压Up 3.开启电压UT 4.直流输入电阻RGS 5.低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件) 四.场效应管的小信号等效模型 E-MOS的跨导gm --- 五.共源极基本放大电路 1.自偏压式偏置放大电路 * 静态分析 动态分析 若带有Cs，则 2.分压式偏置放大电路 * 静态分析 * 动态分析 若源极带有Cs，则 六.共漏极基本放大电路 * 静态分析 或 * 动态分析 第五章 功率放大电路 一.功率放大电路的三种工作状态 1.甲类工作状态 导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。 2.乙类工作状态 ICQ≈0，导通角为180o，效率高，失真大。 3.甲乙类工作状态 导通角为180o~360o，效率较高，失真较大。 二.乙类功放电路的指标估算 1.工作状态 Ø 任意状态：Uom≈Uim Ø 尽限状态：Uom=VCC-UCES Ø 理想状态：Uom≈VCC 2.输出功率 3.直流电源提供的平均功率 4.管耗 Pc1m=0.2Pom 5.效率 理想时为78.5% 三.甲乙类互补对称功率放大电路 1.问题的提出 在两管交替时出现波形失真——交越失真(本质上是截止失真)。 2.解决办法 Ø 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL----利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。 动态指标按乙类状态估算。 Ø 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL----电容 C2 上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。 动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。 四.复合管的组成及特点 1.前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。 2.类型取决于第一只管子的类型。 3.β=β1·β 第六章 集成运算放大电路 一.集成运放电路的基本组成1.输入级----采用差放电路，以减小零漂。 2.中间级----多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。 3.输出级----多采用互补对称电路以提高带负载能力。 4.偏置电路----多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。 二.长尾差放电路的原理与特点 1.抑制零点漂移的过程---- 当T↑→ iC1、iC2↑→ iE1、iE2 ↑→ uE↑→ uBE1、uBE2↓→ iB1、iB2↓→ iC1、iC2↓。 Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。 2静态分析 1) 计算差放电路IC 设UB≈0，则UE=－0.7V，得 2) 计算差放电路UCE 双端输出时 单端输出时(设VT1集电极接RL) 对于VT1： 对于VT2： 3.动态分析 1）差模电压放大倍数 双端输出 单端输出时 从VT1单端输出 ： 从VT2单端输出 ： 2）差模输入电阻 3）差模输出电阻 双端输出： 单端输出: 三.集成运放的电压传输特性 当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域 ： 四.理想集成运放的参数及分析方法 1.理想集成运放的参数特征 * 开环电压放大倍数 Aod→∞； * 差模输入电阻 Rid→∞； * 输出电阻 Ro→0； * 共模抑制比KCMR→∞； 2.理想集成运放的分析方法 1) 运放工作在线性区: * 电路特征——引入负反馈 * 电路特点——“虚短”和“虚断”: “虚短” --- “虚断” --- 2) 运放工作在非线性区 * 电路特征——开环或引入正反馈 * 电路特点—— 输出电压的两种饱和状态: 当u+>u-时，uo=+Uom 当u+ 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第七章 放大电路中的反馈 一.反馈概念的建立 ＊开环放大倍数－－－Ａ ＊闭环放大倍数－－－Ａｆ ＊反馈深度－－－１＋ＡＦ ＊环路增益－－－ＡＦ： 1．当ＡＦ＞０时，Ａｆ下降，这种反馈称为负反馈。 2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。 3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。 4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞ 。放大器处于 “ 自激振荡”状态。 二．反馈的形式和判断 1.反馈的范围----本级或级间。 2.反馈的性质----交流、直流或交直流。 直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存 在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。 3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。 （输出短路时反馈消失） 电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。 （输出短路时反馈不消失） 4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电 流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。 反馈信号反馈到输入端） 串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。 Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端） 5.反馈极性-----瞬时极性法： （1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。 （2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升 高用 + 表示，降低用 － 表示）。 （3）确定反馈信号的极性。 （4）根据Xi 与X f的极性，确定净输入信号的大小。Xid 减小为负反 馈；Xid 增大为正反馈。 三.反馈形式的描述方法 某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。 四.负反馈对放大电路性能的影响 1.提高放大倍数的稳定性 2.3.扩展频带 4.减小非线性失真及抑制干扰和噪声 5.改变放大电路的输入、输出电阻 *串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍 *并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍 *电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍 *电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍 五.自激振荡产生的原因和条件 1.产生自激振荡的原因 附加相移将负反馈转化为正反馈。 2.产生自激振荡的条件 若表示为幅值和相位的条件则为： 第八章 信号的运算与处理 分析依据------ “虚断”和“虚短” 一.基本运算电路 1.反相比例运算电路 R2 =R1//Rf 2.同相比例运算电路 R2=R1//Rf 3.反相求和运算电路 R4=R1//R2//R3//Rf 4.同相求和运算电路 R1//R2//R3//R4=Rf//R5 5.加减运算电路 R1//R2//Rf=R3//R4//R5 二.积分和微分运算电路 1.积分运算 2.微分运算 第九章 信号发生电路 一.正弦波振荡电路的基本概念 1.产生正弦波振荡的条件(人为的直接引入正反馈) 自激振荡的平衡条件 : 即幅值平衡条件： 相位平衡条件： 2.起振条件: 幅值条件 ： 相位条件: 3.正弦波振荡器的组成、分类 正弦波振荡器的组成(1) 放大电路-------建立和维持振荡。 (2) 正反馈网络----与放大电路共同满足振荡条件。 (3) 选频网络-------以选择某一频率进行振荡。 (4) 稳幅环节-------使波形幅值稳定，且波形的形状良好。 * 正弦波振荡器的分类 (1) RC振荡器-----振荡频率较低,1M以下; (2) LC振荡器-----振荡频率较高,1M以上; (3) 石英晶体振荡器----振荡频率高且稳定。
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