2016年北京生物制品研究所招生简章

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第一篇:2016年北京生物制品研究所招生简章

凯程考研辅导班,中国最强的考研辅导机构,http://www.xiexiebang.com,以下简称“研招网”)浏览报考须知,按教育部、省级教育招生考试管理机构、报考点以及报考招生单位的网上公告要求报名,凡不按要求报名、网报信息误填、错填或填报虚假信息而造成不能考试或录取的,后果由考生本人承担。在报名期间,考生可自行修改网报信息。

3、考生报名前应仔细核对本人是否符合报考条件,报考考生的资格审查将在复试阶段进行。凡不符合报考条件的考生将不予录取,相关后果由考生本人承担。

4、采取网上报名并提交报考信息的方式,考生须如实填写各项信息,凡有违背者一律取消入学资格。具体报名时间请按照国家教育部统一部署时间进行。

(1)北京考生,应选择报考点北京第二外国语学院。

(2)外阜考生,可在当地报考点报名并参加考试。

(3)如外地考生选择了北京报考点,则必须在北京参加考试。

(4)报名费按照相关文件规定收取。

(5)考生填写报名信息时务必将全部内容核对正确,尤其注意姓名、身份证号码、通讯地址,邮政编码和联系电话,以保证日后能够正常办理录取。

(6)2015年12月14日至12月28日,考生可凭网报用户名和密码登录“研招网”下载打印《准考证》。《准考证》正反两面在使用期间不得涂改。考生凭下载打印的《准考证》及居民身份证参加考试。

六、入学考试

1、入学考试分为初试和复试两部分。

2、初试时间及要求按照国家教育部统一部署进行。

3、复试时间按照国家教育部统一部署进行具体说明如下:

我所实行差额复试,在达到复试分数线基础上,根据差额复试的比例确定考生的复试资格。复试内容包括综合素质、外语、专业知识的考核,形式为笔试、口试等,主要考核学生的综合素质、综合分析与解决实际问题的能力和动手能力等。

七、初试考试科目内容 免疫学、病原生物学: 考试科目为①101思想政治理论 ②201英语一 ③601免疫学④901生物化学

2015年12月26日至12月27日(每天上午8:30-11:30,下午14:00-17:00)。2015年12月26日上午 思想政治理论 2015年12月26日下午 外国语 2015年12月27日上午 免疫学 2015年12月27日下午 生物化学

八、本所只招“全国统考”(非定向)的考生。人事档案须转入我所研究生按国家有关就业政策办理。

九、学习方式及学习年限:硕士研究生学习方式为全日制。基本学习年限为3 年。

十、我所不出售历年考研试题,不举办考研辅导班。

十一、如与2016年国家出台的研究生招生政策有相悖之处,以国家标准为准。

十三、联系地址:北京经济技术开发区经海二路38号 北京生物制品研究所 科研管理部 101111

凯程考研,考研机构,10年高质量辅导,值得信赖!以学员的前途为已任,为学员提供高效、专业的服务,团队合作,为学员服务,为学员引路。凯程考研辅导班,中国最强的考研辅导机构,http://www.xiexiebang.com

考研就找凯程考研,学生满意,家长放心,社会认可!

凯程教育:

凯程考研成立于2005年,国内首家全日制集训机构考研,一直从事高端全日制辅导,由李海洋教授、张鑫教授、卢营教授、王洋教授、杨武金教授、张释然教授、索玉柱教授、方浩教授等一批高级考研教研队伍组成,为学员全程高质量授课、答疑、测试、督导、报考指导、方法指导、联系导师、复试等全方位的考研服务。凯程考研的宗旨:让学习成为一种习惯;

凯程考研的价值观口号:凯旋归来,前程万里; 信念:让每个学员都有好最好的归宿;

使命:完善全新的教育模式,做中国最专业的考研辅导机构; 激情:永不言弃,乐观向上;

敬业:以专业的态度做非凡的事业;

服务:以学员的前途为已任,为学员提供高效、专业的服务,团队合作,为学员服务,为学员引路。

如何选择考研辅导班:

在考研准备的过程中,会遇到不少困难,尤其对于跨专业考生的专业课来说,通过报辅导班来弥补自己复习的不足,可以大大提高复习效率,节省复习时间,大家可以通过以下几个方面来考察辅导班,或许能帮你找到适合你的辅导班。

师资力量:师资力量是考察辅导班的首要因素,考生可以针对辅导名师的辅导年限、辅导经验、历年辅导效果、学员评价等因素进行综合评价,询问往届学长然后选择。判断师资力量关键在于综合实力,因为任何一门课程,都不是由

一、两个教师包到底的,是一批教师配合的结果。还要深入了解教师的学术背景、资料著述成就、辅导成就等。凯程考研名师云集,李海洋、张鑫教授、方浩教授、卢营教授、孙浩教授等一大批名师在凯程授课。而有的机构只是很普通的老师授课,对知识点把握和命题方向,欠缺火候。

对该专业有辅导历史:必须对该专业深刻理解,才能深入辅导学员考取该校。在考研辅导班中,从来见过如此辉煌的成绩:凯程教育拿下2015五道口金融学院状元,考取五道口15人,清华经管金融硕士10人,人大金融硕士15个,中财和贸大金融硕士合计20人,北师大教育学7人,会计硕士保录班考取30人,翻译硕士接近20人,中传状元王园璐、郑家威都是来自凯程,法学方面,凯程在人大、北大、贸大、政法、武汉大学、公安大学等院校斩获多个法学和法硕状元,更多专业成绩请查看凯程网站。在凯程官方网站的光荣榜,成功学员经验谈视频特别多,都是凯程战绩的最好证明。对于如此高的成绩,凯程集训营班主任邢老师说,凯程如此优异的成绩,是与我们凯程严格的管理,全方位的辅导是分不开的,很多学生本科都不是名校,某些学生来自二本三本甚至不知名的院校,还有很多是工作了多年才回来考的,大多数是跨专业考研,他们的难度大,竞争激烈,没有严格的训练和同学们的刻苦学习,是很难达到优异的成绩。最好的办法是直接和凯程老师详细沟通一下就清楚了。

建校历史:机构成立的历史也是一个参考因素,历史越久,积累的人脉资源更多。例如,凯程教育已经成立10年(2005年),一直以来专注于考研,成功率一直遥遥领先,同学们有兴趣可以联系一下他们在线老师或者电话。

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有没有实体学校校区:有些机构比较小,就是一个在写字楼里上课,自习,这种环境是不太好的,一个优秀的机构必须是在教学环境,大学校园这样环境。凯程有自己的学习校区,有吃住学一体化教学环境,独立卫浴、空调、暖气齐全,这也是一个考研机构实力的体现。此外,最好还要看一下他们的营业执照。

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第二篇:中国科学院半导体材料研究所招生简章

半导体研究所

2011年硕士招生专业目录

中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其 应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实 验室、2个院级重点实验室及研发中心,拥有大批先进的科研仪器设备和设施,承担着一 批国家重点科技支撑项目(如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等),及地方、企业委托项目等。

半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位,是

中国科学院博士生重点培养基地之一,现有3个博士后流动站、4个博士学位授权点、5个 学术型硕士学位授权点及3个专业学位硕士(工程硕士)授权点。

研究所现有在职职工640余人,其中科技人员460余人,中国科学院院士7名、中国工 程院院士2名,研究员及正高级工程技术人员79名、副研究员及高级工程技术人员119名,中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者36名、国家百千万人 才工程入选者6名。半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合 理的研究生指导教师队伍,现有研究生导师106人,其中博士生导师68人。

研究所目前在学研究生536名,博士后在站人员28名,研究生已经成为半导体所科研 工作的生力军。自知识创新工程启动以来,半导体所累计有4人次获全国百篇优秀博士论 文,4人次获院长奖学金特别奖,29人次获院长奖学金优秀奖,其他奖项49项。半导体所 实行研究生兼任研究助理的方式,为研究生提供优越的科研和生活条件,研究生可以直接 参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。

半导体所2011年预计招收学术型硕士学位研究生102名、专业学位硕士研究生(工程 硕士)10名,所有招生专业(含工程硕士)均接收推荐免试生,共拟接收推免生50~60 名。热忱欢迎广大考生报考!

网址:http://www.xiexiebang.com

单位代码:80136北京市海淀区清华东路邮政编码:100083地址: 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

070205凝聚态物理共..半导体掺杂机制和纳米01.112 人 ①101思想政治理论②201..材料的研究英语一③301数学一④977 固体物理或978量子力学

半导体低维结构材料、02.同上..宽带隙半导体材料、半 导体光伏材料与器件和 半导体材料物理

半导体量子结构中自旋03.同上..相关的物理过程研究

半导体微纳结构理论04.同上..半导体中磁性杂质电子05.同上免试推荐和硕博..态的自旋特性与操控连读

半导体自旋电子的实验06.同上要求硕博连读..第1页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 研究

半导体自旋电子学07.同上 半导体自旋电子学基础08.同上 物理理论研究

单光子/纠缠光子发射09.同上 器件、单量子点中电子 /空穴/核自旋相互作用

低维纳米结构、材料和10.同上 新量子器件原理

石墨烯光电子学;低维11.同上要求硕博连读 纳米材料光学性质

石墨烯和拓扑绝缘体12.同上

铁磁半导体器件研究及13.同上具有较强的动手 碳基电子学器件的研究能力和扎实的物 理基础

固体量子计算和量子通14.同上 信的基础物理研究

半导体低维量子结构的15.同上 电子态

自旋相关的电子输运和16.同上 光学性质

半导体与金属复合微纳17.同上 结构中光电耦合效应 080501材料物理与化学

GaN同质衬底的制备01.①101思想政治理论②201 英语一③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

半导体低维结构材料02.同上 宽带隙半导体材料03.同上

半导体低维结构材料物04.同上物理系毕业及有 理科研经历者优先

第2页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136 联系部门:研究生部

北京市海淀区清华东路地址: 甲35号

电话:010-82304321 邮政编码:100083 联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

宽带隙半导体材料和材05.同上 料物理

半导体低维纳米材料制06.同上 备及其器件应用

半导体功能材料及其器07.同上 件应用

半导体光伏材料与器件08.同上 和半导体材料物理

半导体纳米功能材料及09.同上 其器件应用

宽带隙半导体材料与应10.同上 用

半导体纳米结构及器件11.同上 研究

氮化物LED材料和器件12.同上 研究

III族氮化物材料生长13.同上 用MOCVD等重大装备研 制;半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

氮化物材料生长与应用14.同上 研究;新型高效太阳电 池制备与性能研究;新 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

低成本太阳能级多晶提15.同上 纯技术、材料性能与电 池制备;CdTeCIGS材 料制备及薄膜太阳能电 池应用 高功率全固态激光器及16.同上

第3页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136 联系部门:研究生部

北京市海淀区清华东路地址: 甲35号

电话:010-82304321 邮政编码:100083 联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 其应用研究

高效硅基薄膜太阳电池17.同上..相关技术研究

红外量子材料及器件(18.同上..量子级联激光器、探测 器;太赫兹材料及器件..)化合物半导体(GaSb、I19.同上..nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、杂质及物性研究

宽禁带半导体材料物理20.同上..与应用

全固态激光器及非线性21.同上..频率变换

新型高效率太阳电池技22.同上..术研究;GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

有机/无机复合半导体23.同上..材料与器件

有机电致发光材料和器24.同上..件应用

太阳电池制备与性能研25.同上..究

080901物理电子学

Si基高效太阳电池研究01.①101思想政治理论②201..英语一③301数学一④976 半导体物理或977固体物 理

半导体光电探测器、单02.同上..光子探测及电路;高效 太阳电池基础研究 半导体量子点材料与量03.同上..第4页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 子器件,半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

大功率半导体激光器04.同上学习过半导体或 光电子课程,硕 博连读

氮化镓基激光器;新型05.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化镓基蓝紫光激光器06.同上 和太阳盲紫外焦平面探 测器的设计和研制;基 于III-V族半导体的红 外焦平面探测器

非线性全光逻辑及全光07.同上 信号处理;芯片光互连、高速光调制/光开关 ;通讯用有源、无源光 器件

高效硅基太阳电池08.同上物理系毕业者优 先

光电子与信号处理、光09.同上 纤传感技术

光通信、光传感系统与10.同上 器件

光子晶体材料、物理、11.同上物理类学生优先 器件与集成

光子微结构材料物理光12.同上物理或光电子专 学特性及其器件研究业考生优先

硅基光波导无源器件、13.同上物理、电子、电 光波导传感器力或生物专业

基于硅基光电子的波导14.同上硕博连读

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单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 器件、光开关、调制器 和片上光互连系统,光 移相器与慢光器件等

量子点及锑化物二类超15.同上 晶格MBE材料生长,量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱16.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究;新型 高效太阳能电池研究

锑化物二类超晶格红外17.同上 激光器的研究、表面等 离子激元材料及器件研 究、纳米光源的研究

微波功率晶体管、量子18.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微纳光电子器件及集成19.同上熟悉光波导基本 研究理论及半导体光 电子器件

微纳光子学器件物理、20.同上 微腔激光器及光集成

新型半导体材料和器件21.同上 研究

新型光电子器件;硅基22.同上 光子学研究

新型光电子器件及其应23.同上 用

新型信息光电子器件、24.同上

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单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

利用光子学和微纳加工25.同上硕博连读..技术研制基因测序芯片、Lab on chip等生物 传感器

量子点红外探测器及锑26.同上..化物二类超晶格红外探 测器的研究;锑化物二 类超晶格红外激光器的 研究;大功率半导体激 光器的研究

080902电路与系统

半导体人工神经网络硬01.①101思想政治理论②201..件化实现及其应用研究英语一③301数学一④856 电子线路或859信号与系 统

光电信息探测及成像02.同上..光电应用03.同上..目标探测、识别与跟踪04.同上..技术、系统

图像处理与模式识别新05.同上..理论、新方法

先进射频毫米波集成电06.同上..路设计

高速智能图像传感器芯07.同上..片设计

智能感知与先进计算模08.同上..型、算法及其应用技术

多信息融合技术09.同上..时空三维重建可视化技10.同上..第7页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)总招生 考 试 科 目备 注 研究方向人数

11.机器学习与智能计算技 同上 术、系统

080903微电子学与固体电子业务课二:选光电

学子方向为976半导 体物理与977固体 物理,二选一;选 微电子方向为976 半导体物理与856 电子线路,二选一

01.新型微电子、光电子器 ①101思想政治理论②201 件及其集成技术的研究

英语一③301数学一④856、开发、中试规模的生

电子线路或976半导体物 产(微电子、光电子方

理或977固体物理 向均可)

02.新型微电子、光电子器 同上

件及其集成技术的研究、开发与应用(微电子、光电子方向均可)

03.量子阱红外探测器(微 同上

电子、光电子方向均可)

04.半导体纳米器件和电路 ①101思想政治理论②201 英语一③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

05.高速数模混合电路系统 同上 集成研究

06.高速智能图像传感器芯 同上 片设计

07.图画与动漫的自动生成 同上

硕博连读

08.微纳机电系统 同上

硕博连读

09.先进射频毫米波集成电 同上 路设计

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单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

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考 试 科 目备 注

新型微机电(MEMS)器10.同上 件与系统的研究

新型信息光电子器件、11.同上 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

半导体低维结构材料、12.①101思想政治理论②201 宽带隙半导体材料、半英语一③301数学一④976 导体光伏材料与器件和半导体物理或977固体物 半导体材料物理理

半导体材料与器件物理13.同上 半导体光电探测器、单14.同上 光子探测及电路;高效 太阳电池基础研究

半导体量子点材料与量15.同上 子器件,半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

半导体新型量子结构器16.同上 件

大功率半导体激光器17.同上学习过半导体或 光电子课程,硕 博连读

大功率宽禁带SiC外延18.同上微电子专业考生 材料与器件制造技术研 究

氮化镓基激光器;新型19.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化物材料生长与应用20.同上 研究;新型高效太阳电 池制备与性能研究;新

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联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

III族氮化物材料生长21.同上..用MOCVD等重大装备研 制;半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

高效硅基太阳电池22.同上物理系毕业者优..先

光电子集成器件;新型23.同上学过固体物理、..光伏材料和器件半导体物理、量 子力学、光电子 学课程,动手能 力较强

光电子学、集成光电子24.同上..、光子晶体材料、物理、器件与集成

光通信、光传感系统与25.同上..器件

光子晶体材料、物理、26.同上物理类学生优先..器件与集成

硅基光电子材料和器件27.同上..红外量子材料及器件(28.同上..量子级联激光器、探测 器;太赫兹材料及器件..)基于InP光电子器件的29.同上..集成

宽禁带半导体材料生长30.同上..与光电子器件研制

新型光电子器件及其应31.同上..用

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单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

宽禁带半导体材料物理32.同上 与应用;半导体纳米功 能材料及其器件应用

量子点及锑化物二类超33.同上 晶格MBE材料生长,量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱34.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究;新型 高效太阳能电池研究

微波功率晶体管、量子35.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微波光电子学36.同上

新型光电子器件;硅基37.同上 光子学研究

用于光通信与光信息处38.同上 理的片上集成光子器件 与系统;并行超高速光 学数字信号处理器

针对光纤通信和光网络39.同上 的基于InP的光电子集 成

高迁移率CMOS器件40.同上物理学、光学、光电、材料专业 者优先

量子点晶体管探测器、41.同上 高效太阳能电池

微纳结构在高增益弱光42.同上

第11页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136北京市海淀区清华东路地址:邮政编码:100083 甲35号

联系部门:研究生部电话:010-82304321联系人:徐金威 学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 探测中的应用

光子集成、光子晶体43.同上..新型高效硅薄膜电池的44.同上半导体物理基础..结构设计好,半导体光电 相关专业

085204材料工程

GaN基半导体材料及其01.①101思想政治理论②204..应用、产业化开发英语二③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

薄膜和微结构半导体材02.同上..料科学技术

纳米电子、光子材料及03.同上..器件

LED光效率提升研究04.同上..GaN LED外延技术开发05.同上..新型高效率太阳电池技06.同上..术研究;GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

GaN基第三代半导体发07.同上..光器件关键技术工程化 研究

石墨烯光电子学08.同上..半导体照明及其重大装09.同上..备

085208电子与通信工程

表面等离子激元材料及01.①101思想政治理论②204..器件研究,新型半导体英语二③301数学一④856 激光器研究电子线路或976半导体物 理

GaN基半导体材料及其02.同上..应用、产业化开发

第12页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码:80136 联系部门:研究生部

北京市海淀区清华东路地址: 甲35号

电话:010-82304321 邮政编码:100083 联系人:徐金威

学科、专业名称(代码)研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

GaN基第三代半导体发03.同上 光器件关键技术工程化 研究

光纤激光器与光纤传感04.同上 用于光通信与光信息处05.同上 理的片上集成光子器件 与系统

085209集成电路工程

数模混合集成电路01.①101思想政治理论②204 英语二③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

半导体纳米器件和电路02.同上 激光器驱动与探测模块03.同上

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第三篇:关于沈阳计算机研究所招生简章

中国科学院沈阳计算技术研究所

2012年博士&硕士研究生招生简章

一、所简况

中国科学院沈阳计算技术研究所创建于1958年,是我国首批建立的计算机科学技术与工程研究的专业机构之一,全所现有职工500余人,科技人员400余人。每年在岗博士生和硕士生导师百余人。所里设有五个相应学科的研究室和一个高档数控国家工程研究中心。其学术水平在国际、国内都有较高的知名度。本所还设有一个国家级博士后科研工作站,本所主编的《小型微型计算机系统》是中国计算机学会会刊和国家自然科学核心期刊之一。

二、研究方向

经过五十多年的发展,本所已形成了学科种类齐全、集基础研究、应用开发于一体的新型科研机构。目前,在计算机系统结构、专用计算机技术、系统软件、数控技术、应用系统工程技术、IP通信技术、非数值应用软件、系统集成、网络技术、RISC技术、多媒体技术、ATM技术研究、机械与电子CAD/CAM等领域,都具有良好的科研基础和技术攻关能力。

近年来,本所承担国家、中科院和省市重点科技攻关项目,其中包括国家科技重大专项、国家科技支撑计划项目、国家发改委项目、中科院知识创新工程等各部委、省市政府科研项目。本所创造科技成果200多项,获得国家技术专利70多项,各级政府奖励100多项。在机电一体化、通讯、能源和工业自动控制等应用领域,都做出了卓有成效的工作。

三、学科点与招生条件

本所是中科院研究生院博士和硕士研究生培养单位之一,1978年以来,共招收三十三届近千名研究生,已毕业的学生全部获得了学位,除有部分毕业生直接攻读博士学位外,每年毕业生的社会需要供不应求,就业率100%。本所与多所高校建立了联合实验室,每年还派出部分科技人员出国进修或学术交流,并与世界上20多个国家及地区的大学和研究机构建立了合作关系。

本所十分关心研究生的生活待遇,攻读学位课程期间硕士研究生的助学奖学金为每月900元,博士生的助学奖学金为每月1000元。进入课题组后,根据各研究室的不同情况,各研究室为硕士生每月提供500元的助研补贴,为博士生每月提供800元至1500元的助研补贴。另外,该所还提供180元午餐补贴及个人医疗保险,每学期给优秀的学生颁发优秀奖学金,还给动手能力强的学生增发助研奖金,学生与在职职工享受同等的福利待遇。

本所是“计算机应用技术”博士学位培养点,也是“计算机系统结构”、“计算机软件与理论”和“计算机应用技术”三个专业的学术型及“计算机技术”、“软件工程”二个全日制专业型学位培养点。热忱欢迎计算机、自动化、应用数学及通迅与通信等相关专业的在职人员和应届本科毕业生报考。

第四篇:中国科学院微电子研究所2014年招生简章

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殷华湘男 1974年出生研究员博士生导师

欧文男 1969年出生研究员硕士生导师

欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师

杨清华男 1976年出生副研究员硕士生导师

粟雅娟女 1975年出生副研究员硕士生导师

景玉鹏男 1963年出生研究员硕士生导师

李超波男 1979年出生副研究员硕士生导师

陈波男 1972年出生研究员硕士生导师

刘键男 1963年出生研究员硕士生导师

w 集成电路与系统设计技术

该方向为二室、五室、六室、七室、十一室的主要研究方向。本研究方向从系统应用需求出发,研究信号处理算法、低功耗电路、嵌入式处理器内核、多频多模的射频收发系统、SOC和可重构多处理器的芯片架构及设计方法。本研究方向涉及通讯系统理论、信号处理、基带算法、图像压缩算法、数模混合低功耗电路设计、嵌入式处理器设计、软硬件协同SOC芯片设计、可重构多核处理器架构、射频及模拟集成电路等研究领域,是一个学科交叉性强的研究方向。

导师简介

叶甜春男 1965年出生研究员博士生导师所长

周玉梅女 1962年出生研究员博士生导师副所长

黑勇男 1974年出生研究员博士生导师

梁利平男 1969年出生研究员博士生导师

于芳女 1960年出生研究员博士生导师

陈杰男 1964年出生研究员博士生导师

阎跃鹏男 1963年出生研究员博士生导师

张立军男 1963年出生研究员博士生导师

陈岚女 1968年出生研究员博士生导师

任卓翔男 1957年出生研究员博士生导师

张海英女 1964年出生研究员博士生导师

袁国顺男 1966年出生研究员博士生导师

马成炎男 1963年出生研究员博士生导师

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韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师

胡国荣男 1966年出生研究员博士生导师

蒋见花女 1976年出生副研究员硕士生导师

赵野男 1977年出生副研究员硕士生导师

张锋男 1977年出生副研究员硕士生导师

吴斌男 1976年出生研究员硕士生导师

乔树山男 1981年出生副研究员硕士生导师

杨骏男 1966年出生研究员硕士生导师

张浩男 1975年出生副研究员硕士生导师

杜占坤男 1975年出生副研究员硕士生导师

李金海男 1978年出生副研究员硕士生导师

吴玉平男 1968年出生研究员硕士生导师

吕志强男 1974年出生副研究员硕士生导师

程亚奇男 1958年出生副研究员硕士生导师

郝学飞男 1973年出生副研究员硕士生导师

卢小冬男 1973年出生副研究员硕士生导师

罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师

周莉女 1977年出生副研究员硕士生导师

鲁振鹏男 1969年出生副研究员硕士生导师

巴晓辉男 1980年出生副研究员硕士生导师

鲁郁男 1974年出生副研究员硕士生导师

徐建华男 1963年出生高级工程师硕士生导师

李晓江男 1972年出生高级工程师硕士生导师

莫太山男 1979年出生副研究员硕士生导师

w 高性能器件与电路集成技术

该方向为一室、二室、四室的主要研究方向。本研究方向针对空间等辐射应用环境的电子系统,进行高可靠性半导体集成电路与功率器件研究。研究内容包括SOI集成电路及半导体功率器件的辐射效应、辐射机理、辐射加固技术、辐射试验方法等。通过这些方面的研究可以探索集成电路及半导体功率器件可靠性的科学问题,培养科技人才,为保障我国的航天工程电子系统的可靠性奠定坚实基础。

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导师简介

韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师

周玉梅女 1962年出生研究员博士生导师副所长

于芳女 1960年出生研究员博士生导师

陈杰男 1964年出生研究员博士生导师

刘洪刚男 1974年出生研究员博士生导师

贾锐男 1974年出生研究员博士生导师

杜寰男 1963年出生研究员硕士生导师

朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师

孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师

李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师

王立新男 1976年出生研究员硕士生导师

刘刚男 1979年出生副研究员硕士生导师

w 射频、微波器件与电路集成技术

该方向为四室、六室、十一室的主要研究方向。本研究方向针对射频、微波电路的应用和发展趋势开展研究:针对射频电路的应用,致力于基于各种标准的射频集成电路及模块研发、射频集成电路IP核设计、医疗电子和医疗信息化硬件开发等方面的应用研究;针对系统在小型化、高功率的要求,采用GaN宽禁带半导体发展高功率密度的微波器件和单片集成电路的研究;针对通信大容量、探测高精度的发展趋势,采用InP材料研究实现毫米波和亚毫米波器件和电路。

导师简介

吴德馨女 1936年出生中科院院士博士生导师

刘新宇男 1973年出生研究员博士生导师副所长

金智男 1970年出生研究员博士生导师

刘洪刚男 1974年出生研究员博士生导师

阎跃鹏男 1963年出生研究员博士生导师

张立军男 1963年出生研究员博士生导师

张海英女 1964年出生研究员博士生导师

万里兮男 1955年出生研究员博士生导师

申华军男 1977年出生副研究员硕士生导师

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陈晓娟女 1979年出生副研究员硕士生导师

郑英奎男 1973年出生高级工程师硕士生导师

魏珂男 1971年出生高级工程师硕士生导师

杨浩男 1978年出生副研究员硕士生导师

尹军舰男 1974年出生副研究员硕士生导师

张轩雄男 1963年出生研究员硕士生导师

白云女 1978年出生副研究员硕士生导师

罗卫军男 1981年出生副研究员硕士生导师

樊晓华男 1976年出生研究员硕士生导师

郝明丽女 1979年出生副研究员硕士生导师

黄水龙男 1975年出生副研究员硕士生导师

w 三维集成与系统封装技术

该方向为九室的研究方向。研究内容涉及多学科:数学、化学、物理、电子技术、半导体技术、机械等等,是一个综合性很强的新学科。除专门从事先进封装技术的研究,还进行光互连技术研究。主要研究先进电子封装技术与应用开发,包括高密度先进封装、三维封装、系统级封装等封装技术,以及高速并行光互连技术等。承担了包括国家重大专项,863项目在内的多项国家科学研究任务。

导师简介

万里兮男 1955年出生研究员博士生导师

曹立强男 1974年出生研究员博士生导师

王慰男 1969年出生研究院博士生导师

于大全男 1976年出生研究员博士生导师

李志华男 1975年出生副研究员硕士生导师

李宝霞女 1977年出生副研究员硕士生导师

w 新型纳米器件与集成技术

该方向为三室、四室研究方向。本研究方向以国家重大需求为导向,瞄准先进的纳米加工技术和新结构纳米电子器件及集成系统中基础性、前瞻性的科学问题,加强先进的纳米加工的基础研究,不断探索新的纳米加工手段,设计和研制基于新原理、新结构的器件;围绕新结构纳米电子器件和集成系统在超高频、低功耗、大输出功率密度和新原理的特点,对基础的科学问题进行深入探索。

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导师简介

马俊如男研究员博士生导师研究所顾问

刘明女 1964年出生研究员博士生导师

谢常青男 1971年出生研究员博士生导师

霍宗亮男 1975年出生研究员博士生导师

李冬梅女 1965年出生研究员硕士生导师

龙世兵男 1977年出生副研究员硕士生导师

姬濯宇男 1979年出生副研究员硕士生导师

朱效立男 1977年出生副研究员硕士生导师

李泠男 1976年出生研究员硕士生导师

周静涛男 1975年出生副研究员硕士生导师

w 物联网与传感器技术

该方向为二室、六室、十室、十一室、物联网中心的研究方向。物联网是国家战略新兴产业之一,同时也是信息技术发展的新阶段。物联网与传感技术方向重点研究物理信息处理及网络化服务相关核心关键技术,为物联网规模化应用提供核心技术。重点研究内容包括物联网新系统结构、传感器加工技术、物联网核心芯片、新型传感器、传感与处理融合芯片、智能传感器、新型链状网络技术、物联网主动安全与车联网应用解决方案等。

导师简介

叶甜春男 1965年出生研究员博士生导师所长

陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师副所长

陈岚女 1968年出生研究员博士生导师

黑勇男 1974年出生研究员博士生导师

梁利平男 1969年出生研究员博士生导师

王慰男 1969年出生研究院博士生导师

钟汇才男 1973年出生研究员博士生导师

殷华湘男 1974年出生研究员博士生导师

于大全男 1976年出生研究员博士生导师

胡国荣男 1966年出生研究员博士生导师

马成炎男 1963年出生研究员博士生导师

牟荣增男 1972年出生研究员硕士生导师

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陈曙东女 1977年出生研究员硕士生导师

李庆男 1972年出生副研究员硕士生导师

郎宝军男 1963年出生研究员硕士生导师

慕福奇男 1957年出生研究员硕士生导师

王玮冰男 1977年出生副研究员硕士生导师

徐静波男 1979年出生副研究员硕士生导师

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第五篇:北京大学、清华大学和北京生命科学研究所联合培养项目2010年招生简章

北京大学、清华大学和北京生命科学研究所联合培养

博士研究生项目2010年招生简章

一、申请者须具备的条件

1.拥护中国共产党的领导,愿为祖国建设服务,品德良好,遵纪守法。2.学术研究兴趣浓厚,有较强的创新意识、创新能力和专业能力倾向的全国重点大学优秀应届本科毕业生(最迟须在入学前取得学士学位),已获得学士学位或已获得硕士学位的在职人员或应届硕士。3.身体健康状况符合规定的体检标准。

4.报考国家计划内博士生的年龄不超过45岁。5.考生持境外获得的学位证书报考,须通过教育部留学服务中心认证,资格审查时须提交认证报告。6.考生须承诺学历、学位证书和考试身份的真实性,一经招生单位或认证部门查证为不属实,即取消学习资格。

二、报名

1.考生报名前应仔细核对本人是否符合报考条件,凡不符合报考条件的考生将不予录取,相关后果由考生本人承担。

2.博士生招生采取网上报名方式。报名时间:

2009年10月30日上午10:00—11月30日下午16:00,逾期不予受理。3.报名网址:清华大学博士招生网(http://tsinghua.cpge.cn)或北京大学研究生院网页(http://grs.pku.edu.cn/zs/zs_ss.html)填写申请信息,并打印相关表格。

4.交纳报名费200元,支付方式详见网上招生系统说明。

三、指导教师

请参阅附件所列有关招生导师的介绍。

四、选拔方式

入学选拔分为提交申请材料和复试二部分。1.提交申请材料

最迟于2009年12月8日之前,将填好的全部申请材料(统一用A4纸)寄(或送)达所报考单位的研究生教学办公室(自备信封统一装入),过期不再受理申请。

1)通过网上报名系统打印的《报名登记表》。2)学位、学历证书的复印件。3)本人自述。

4)两位与申请攻读学位学科有关的副教授(或相当职称)以上专家的“专家推荐信”(下载空表请专家填写),推荐信须由推荐专家密封并在封口处签字。5)历年在校学习成绩单,并加盖学校教务处或院系公章,密封后在该信封的封口处加盖公章。

6)如果有在核心刊物或会议上发表的学术论文、出版物或取得具有学术水平的工作成果,请提交复印件或证明信。

7)如果在学期间从事课外科技活动中有获奖或突出表现,请提交由学校教务部门出具并加盖公章的证明材料。

8)英语4级和6级通过证书复印件。9)应届本科生需提供成绩排名证明,并加盖学校教务处公章。2.复试

1)我们对申请者提供的材料进行审查,择优选拔并通知部分申请者来进行复试。复试由三家联合成立的联合招生委员会安排,联合招生委员会根据本科成绩单、专家推荐信、采取单独考核及面试等方式进行差额复试,对学生的学科背景、专业素质、操作技能、外语口语水平、思维能力、创新能力等进行综合评价。申请人应向复试组作报告,内容包括个人科研经历和成果介绍、对拟从事研究的领域的了解和看法、本人拟进行的研究工作设想及理由等。

五、录取

1.对通过复试并同意接收为博士学位研究生的外校优秀应届本科毕业生发放初步录取通知(接收函)。2010年6月底,对同意接收并已履行正式报名手续的外校优秀应届本科毕业生进行资格复审(复审内容在初步录取通知上有详细说明),通过者发录取通知书,未通过者不予录取。对通过复试并同意接收为博士学位研究生的往届生于2010年6月底发放录取通知。

2.若申请人弄虚作假,一经发现,立即取消其读研资格,并通报申请人所在学校。

六、学习年限

博士生的基本学习年限为4-7年。由三家单位选择适当时间进行博士资格考核,达不到要求的转为硕士生培养。

七、说明

1.本项目于2009年经教育部批准,由北京大学、清华大学和北京生命科学研究所联合建立,旨在积极探索具有中国特色、国际水平的博士研究生招生、培养机制改革,选拔拔尖创新人才,充分发挥高等学校、科研院所和导师的积极性和主动性,对改革招生录取制度以及转变培养模式具有积极意义和示范作用。2.本招生简章由三家联合成立的联合招生委员会联合发布;考生依托北京大学、清华大学两校博士生招生报名系统办理报名手续;应届或往届本科生和硕士研究生均可向两校提出申请。本项目不接受委托培养博士生申请。考试由联合招生委员会统一安排、统一考核。

3.2010年6月底前,由联合招生委员会向两校分别上报拟录取名单,经学校招生领导小组批准后,报教育部备案,由两校分发录取通知书。每年9月统一入学,两校各自注册学籍。

4.所有研究生不分专业录取,不定导师,在入学第一年一边学习研究生课程,一边进行研究轮转,轮转的实验室根据报名意向在北京生命科学研究所、北京大学生命科学学院、清华大学生命科学学院和医学院内选择。5.在这三家单位进行论文研究的学生各占三分之一。

6.具体的培养方案和课程由三家单位按照国际标准设计共同研究制订。

7.请在安全场所上网报名、支付报名费,因自己操作失误或网上支付帐号和密码泄露造成的损失,我们概不负责。

8.网上支付报名费前务必慎重考虑,因各种原因不能报考者,已支付的报名费不予退还。

9.不允许研究生同时攻读两个及以上学位,也不允许研究生同时有两个及以上学籍。

10.清华大学研究生实行住宿收费制,2009年录取的博士生收费标准上限为600元/学期.人,2010年住宿费标准将在发放录取通知书时说明;北京大学研究生亦实行住宿收费制,住宿费用自理。11.报考专业、报考导师等报考问题咨询,请直接与报考单位研究生教学办公室联系,导师个人信息请在报考单位网页查询。

12.体检统一安排在考试期间,地点:清华大学或北京大学校医院,具体时间另行通知(准备一张一寸免冠近期照片)。体检标准参照教育部、卫生部、中国残疾人联合会修订的《普通高等学校体检工作指导意见》。

13.按照研究生培养机制改革要求,清华大学的院系、导师为研究生设置教学助理(简称“助教”)、管理助理(简称“助管”)和研究助理(简称“助研”)岗位(统称为“三助”岗位)。承担助教、助管岗位的研究生,其学费和岗位津贴由学校提供;承担助研岗位的研究生,其学费应由学校和导师(院系)分担,岗位津贴由设岗导师(院系)提供。研究生未获得“三助”岗位,可向学校提出减免学费申请,不申请或申请未获批准者,应交纳学费。此外,清华大学仍按照国家有关规定为每位努力学习的全日制学术型研究生(委托和自筹经费培养研究生除外)按月发放普通奖学金,表现优秀的可以申请学校综合奖学金或单项奖学金。

八、信息查询、联系方式

1.本项目的招生专业目录请在附件查询。

在清华大学报名的考生相关注意事项请在清华大学博士生招生网页http://)查询。

北京大学办公地点为北京大学红二楼2102房间(邮政编码为100871)咨询电话:(010)62751354、(010)62756913 电子邮件:renzhong@pku.edu.cn 北大研招办对外咨询时间为每周一至周四(上午8:30-11:30,下午1:30-4:30)及周五上午。

北京大学生命科学学院研究生招生办公室咨询电话:62751855 3.查询北京生命科学研究所相关信息请登录 http://www.xiexiebang.com

北京大学、清华大学、北京生命科学研究所

联合培养研究生项目组 2009年11月4日

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