哈工大机电工程学院2014硕士研究生复试院线

第一篇：哈工大机电工程学院2014硕士研究生复试院线

附件2

设计学学科2014年硕士研究生入学考试复试大纲 适用专业方向：数字媒体（艺术学学位、工学学位）、工业设计（工学学位）复试面试实施细则

面试总分80分，主要考核考生的综合素质、业务能力以及外语水平。考生需至少提前20分钟到达考场，每位考生面试时间不少于20分钟。

（一）面试主要内容

①从事科研工作的基础与能力；

②综合分析与语言表达能力；

③外语听说能力；

④大学学习情况及学习成绩；

⑤专业课以外其它知识技能；

⑥特长与兴趣；

⑦身心健康状况。

考生可提供反映自身能力与水平的相关材料，如：由学校权威部门出具的成绩单和排名（应届生为前三年的成绩），四、六级证书，计算机等级考试证书，各种获奖证明材料、撰写的论文或社会实践报告、其它能证明考生能力和水平的证明材料。

（二）面试流程：

①考生在侯考区等待，所有考生需将手机关闭并上交；

②在导引员的引领下，考生提前20分钟抽题准备，到指定小组面试；

③考生用外语自我介绍5分钟，然后回答抽到的题目；

④面试结束后直接离开，不允许与未参加面试的考生交流。

（三）评分方式：

由评分小组对每位考生单独评分，以平均分值作为最后成绩。

第二篇：哈尔滨工业大学2012年体育部硕士研究生入学复试办法含复试院线

12年哈工大体育部硕士研究生考试复试工作方案

根据哈工大2012年硕士研究生入学考试复试及录取工作办法，并结合体育部硕士研究生招生的具体情况，特制定复试工作方案如下：

1、复试工作领导小组：

组长：王国滨 组员：王珂、许振松、杨国财 于同

2、监督小组：

组长：陶永纯 组员：关亚军、柳洪涛、蒋 强 监督电话：86416204

3、复试分数线：

政治50分 外语 50分 专业 180分 总分320分

4、复试名单：

张曦文 张 昊 李冰

5、复试考生报到及资格审查时间、地点、联系人及联系方式：

（1）3月17日上午 7：40分报到、地点：哈工大一校区体育馆 联系人:于同 电话***（2）报到时请务必携带报名信息简表或准考证，身份证、毕业证和学位证（往届）原件及复印件、学生证（应届），本科学习成绩单（加盖教务处公章），外语和计算机等级证书，以及可以证明考生能力的各种获奖及参加科研工作的证明材料。

（3）3月17日 上午8：30分-11：30分 笔试、地点：正心楼 3月18日 上午8：30分-11：30分 面试 地点：体育馆

6、面试内容：（1）体育专项基本技能测试（2）语言表达及分析能力

（3）科研工作的基础与能力（4）大学学习情况及学习成绩（5）其他知识技能的掌握情况

7、面试实施细则：

（1）体育专项测试（20分）（2）语言表达及分析能力（20分）（3）科研工作能力（20分）

（4）考生在学校期间学习情况（10分）（5）其它知识的提问（10分）

8、需要说明

考生提前审报专项测试项目，准备运动服装和器材

哈工大体育部

2012年3月7日

第三篇：哈工大2014MBA-MPA复试院线管理学院2014年工商(公共)管理硕士复试工作安排

2014年哈尔滨工业大学工商(公共)管理硕士(MBA/MPA)复试工作安排

一、复试工作组织与管理

哈尔滨工业大学MBA/MPA复试由复试工作领导小组统一领导，管理学院专业学位教育中心组织执行，监察组对复试工作进行全程监查。

二、复试资格审查及复试名单

复试资格基本线：总分160，外语45，综合能力100。复试名单见附件一。

根据教育部文件要求，参加复试考生必须进行复试资格审查。2014年3月21日上午9:00—11:00进行复试资格审查，请考生携带下列材料到哈工大科学园2H栋（国际会议中心）一楼139房间，参加复试前的资格审查。（地址：南岗区一匡街2号——哈工大科学园北门进入，前行至2H栋国际会议中心大楼内）

携带材料：

1、初试准考证（原件）；

2、学历证书、学位证书、身份证(以上三项原件及复印件)；

3、《教育部学历证书电子注册备案表》或《中国高等教育学历认证报告》原件及复印件。

各位考生可登陆录中国高等教育学生信息网（.cn），按要求进行学历或学籍认证（认证办法见附件二）。准考证如丢失可在我校研究生招生网下载打印，无需盖章。

三、复试时间及地点

复试定于2014年3月22日上午8：30在哈工大科学园2H栋专业学位教育中心进行，通过复试资格审查的考生方可参加复试。

四、复试内容

复试由笔试和面试两部分组成。外语听力水平考核在面试中进行。复试成绩总分为100分，其中笔试 50分，面试中综合素质45分，外语考核5分。

笔试主要是考察考生对时事政治知识的掌握与理解，主要内容包括党的十八届三中全会与2013年以来国内外时事或要闻。

面试主要测试与考评考生的表达与反应能力、管理素质及工作业绩、分析判断能力及其他知识的掌握，外语听力及口语水平。每个考生面试时间为20分钟。

五、复试程序

1、笔试。考生于2014年3月22日上午8：30--9：30到专业学位教育中心进行笔试。具体笔试地点在资格审查时通知。考生需携带身份证及初试准考证参加笔试。

2、面试。9：40开始分组面试。考生须携带准考证和身份证按照分组名单先后顺序进行面试。

面试小组由五位教师组成，对每位考生的外语水平和综合素质面试结果由每位评委教师分别独立评分，按照五个人的分数，去掉一个最高分和一个最低分，计算出平均分为考生的小组内得分，最后对考生的小组内得分进行组间差异处理，形成考生最终实际得分。

六、录取

MBA/MPA考生的最后成绩为初试成绩与复试成绩之和，录取时按考生最后成绩排序，由高向低顺序录取。

哈工大工商管理硕士（MBA）与公共管理硕士（MPA）录取类别为定向就业，考生录取后需签署《定向就业硕士生录取协议书》，考生毕业后回定向单位就业，不进行派遣。

七、其他

参加复试考生的成绩汇总在哈工大管理学院网上公布。

附件二

网上学历、学籍信息认证方法相关说明

考生可登陆学信网（）。

4．《教育部学历证书电子注册备案表》、《教育部学籍在线验证报告》的网上有效验证期为30日有效；《中国高等教育学历认证报告》为永久有效。

第四篇：哈工大环境工程复试题05-07

哈工大2005年环境科学与工程研究生复试试题

一、描述氮、磷和硫酸盐等污染物在自然界中的降解过程？简述脱氮、除磷的主要处理工艺，分析其处理机理及优缺点

二、简述污水中常用的物理化学处理方法及其主要适宜的污水类型？简述混凝处理工艺的影响因素、混凝剂的主要种类及各自的优缺点

三、以某一种烟气脱硫技术为例，简述其原理、工艺流程、影响因素及应用前景。

四、固体废物的处理和处置主要有哪些方法？各适用于何种类型的废物？并说明各方法的基本工作原理，及该怎么实现固体废物的资源化

五、何谓COD、BOD？简述这两项水质指标的测定意义、测定原理、测定方法与步骤，试比较这两项指标的特点及在环境水处理工程中的应用意义。哈工大2006年环境科学与工程研究生复试试题

1.描述碳、氮和硫等污染物在自然界中的降解过程。概述脱氮、除磷主要处理工艺，分析其处理机理及优缺点。

2.概述城市生活污水二级处理中常用的处理工艺，并以某一种具体工艺为例，概述各处理单元工作原理和设计参数。

3.以某一种烟气除尘技术为例，概述其原理、工艺流程、影响因素及应用前景。

4.危险废物的处理方法有哪些方法，各运用于何种危险废物？并说明个方法工作原理，即如何实现废物减量化。

5.以2个污水处理监测的主要指标为例，概述其水质指标的测定意义、测定原理、测定方法与步骤。是比较这两项着标的特点及在水环境处理工程中的应用。

哈工大2007年环境科学与工程研究生复试试题

1.简述活性污泥的基本原理，指出采用该工艺处理生活污水有哪些主要的设计和运行参数，推荐参数的合理取值范围。

2.生活污水最常用的水质指标有哪几项？分别叙述基本概念，并指出在污水处理工艺设计中的用途。

3.污水处理二次沉淀池与初次沉淀池有何区别？在设计中应如何考虑？

4.燃料组成，燃料条件等都影响SO2和ＮＯx的排放，先进的燃烧过程对减少SO2和ＮＯx的排放都有显著效果，燃烧后烟气净化广泛用来减少两者的排放。试从多方面对比控制SO2和ＮＯx的技术和策略。

5.为什么生活垃圾在焚烧处理的过程中会产生二恶英？怎样对其产生和污染进行控制？

6.垃圾填埋场的渗滤液是怎样产生的？其水质具有哪些特征？

7.为什么说水中三氮（氨氮，亚硝酸盐氮，硝酸盐氮）的测定能间接反映水体受有机污染的情况？简述“三氮”的检测分析方法。

第五篇：中南大学机电工程学院2018年机械工程硕士研究生入学考试大纲

中南大学机电工程学院2018年全国硕士研究生入学考试

《微电子制造学》考试大纲

本考试大纲由机电工程学院教授委员会于2015年7月16日通过。

I.考试性质

微电子制造学考试是为中南大学机电工程学院招收信息器件制造技术与装备方向硕士研究生而设置的入学考试科目，其目的是科学、公平、有效地测试学生掌握微电子器件制造及封装技术涉及的基本理论和技术，以及运用相关知识和方法来分析、解决问题的能力，以保证被录取者具有基本的微电子制造知识基础，并有利于信息器件制造技术与装备方向在专业上择优选拔。

II.考查目标

微电子制造学涉及半导体器件物理、微电子器件前道制造工艺原理及工艺过程和后道封装技术。半导体器件物理涵盖半导体材料特性（载流子浓度、迁移率）分析，非平衡载流子输运特性分析，及典型微电子器件（PN结、MOS器件）原理和工作特性分析。微电子制造工艺原理涵盖半导体技术的核心工序及关键制造工艺过程的基本原理，其中包括掺杂、薄膜淀积、光刻、刻蚀、电镀金属化的工艺集成原理与基础知识。微电子封装技术涵盖微电子封装互连基础及可靠性与失效分析。要求考生：

（1）准确地掌握、应用微电子制造有关的基础知识。

（2）准确、恰当地使用本学科的专业术语，正确理解和掌握微电子器件制造的相关范畴、规律和理论。

（3）运用有关知识和原理，为先进微电子器件合理规划制造工艺、设计封装结构，并选择材料。

（4）运用有关知识和原理，解决先进微电子器件制造和封装过程中的互联工艺制程、失效和可靠性等问题。Ⅲ.考试形式和试卷结构

1、试卷满分及考试时间

本试卷满分为150分，考试时间为180分钟

2、答题方式

答题方式为闭卷，笔试。

3、试卷内容结构

半导体器件物理

30% 微电子器件工艺原理

35% 微电子封装基础

35% Ⅳ.考查内容

1、半导体器件物理

（1）半导体材料特性分析及基本概念。

半导体中载流子的统计分布，半导体导电性，电场、温度及外界因素的影响。

（2）载流子输运特性分析。

非平衡载流子注入与复合，准费米能级，非平衡载流子寿命，非平衡载流子扩散与漂移运动，泊松方程和连续性方程。（3）半导体基本器件结构、工作原理和特性分析。

PN结的形成、能带图和I-V特性；金属－半导体接触、功函数，整流接触和欧姆接触；MOS结构的形成、能带图和C-V特性。

2、微电子器件工艺原理

（1）关键微电子制造工艺（光刻、掺杂、薄膜沉积、刻蚀和电镀技术）原理与装备。

杂质扩散机理，扩散系数和扩散方程，扩散杂质分布，扩散结果测量，了解常用扩散工艺及系统设备。离子注入系统组成，浓度分布，注入损伤和退火，离子注入特点及应用。SiO2结构及性质，硅的热氧化，影响氧化速率的因素，氧化缺陷，掩蔽扩散所需最小SiO2层厚度的估算，SiO2薄膜厚度的测量。光刻工艺流程，光刻缺陷控制及检测，光刻技术分类（光学光刻，非光学光刻），了解最新的光刻工艺技术动态。真空技术基础知识，真空系统组成，等离子体基本原理及应用。刻蚀分类（湿法刻蚀、干法刻蚀），常用刻蚀液组成及应用，干法刻蚀系统原理及结构组成。物理气相沉积（PVD）：溅射、蒸发原理及系统组成，形貌及台阶覆盖问题的解决；化学汽相淀积（CVD）基本化学过程及动力学原理，各种不同材料、不同模式CVD方法系统原理及构造；外延生长机理，外延层杂质浓度分布，外延缺陷控制及外延厚度和电阻率的测量。（2）工艺控制与集成。

关键微电子制造工艺（光刻、掺杂、薄膜沉积、刻蚀和电镀技术）控制及MOS器件的工艺基础。集成电路制造过程中质量管理基础知识，统计技术应用，生产的过程控制技术。

3、微电子封装技术

（1）微电子封装设计基础。

电气设计的基本概念（电阻现象、同步开关噪声、趋肤效应、寄生效应、时间延迟、传输线、串扰、电源噪声、电磁干扰）、原理和电气设计方法。热设计的原理，散热方法，封装结构热性能基本分析。机械设计的基本概念（热失配、应力、形变、应变、趋肤强度、疲劳、断裂强度）、理论和封装结构机械性能基本分析。（2）微电子封装互连基础。

主要微电子互连制造技术（WB、TAB、FCP、BGA、MCM）的原理、类型、材料、关键工艺（减薄、粘片、引线键合、清洗、塑封、植球、倒装焊）特点及应用。

（3）可靠性与失效分析。

过载和损耗造成的各种微电子封装失效现象（疲劳、脆性断裂、蠕变、分层、塑性形变、静电放电、电迁移、腐蚀失效、金属间扩散）的机理分析和抑制方法，产品可靠性基本概念（失效函数、加速实验、加速因子、可靠性函数）和器件寿命预测。

机电工程学院 2018.07.18