【电子、电器、半导体】岗位职责

第一篇：【电子、电器、半导体】岗位职责

电子/电器/半导体

·电子工程师/技术员

·电子技术研发工程师·电子/电器维修工程师/技师·电子软件开发

·电子元器件工程师

·电路工程师/技术员（模拟/数字）·模拟电路设计/应用工程师·自动控制工程师/技术员

·集成电路IC设计/应用工程师·嵌入式硬件开发（主板机）·嵌入式系统软件开发（单片机/DLC/DSP）·产品工艺/制程工程师·无线电工程师

·家用电器/数码产品研发·激光/光电子技术·半导体工程师·FAE现场应用工程师

·版图设计工程师·音频/视频工程师/技术员·变压器与磁电工程师·电声工程师

·光源与照明工程师·标准化工程师

·技术研发经理/主管·技术研发工程师·产品规划工程师·测试工程师

·产品工艺/制程工程师·实验室负责人/工程师

·设备工程师（调试/安装/维护）·项目经理/产品经理

·工程与项目实施

■ 电子工程师/技术员

岗位描述：

1、产品的产线技术指导；

2、产品故障分析解决；

3、填写各种产品数据及编写技术文档。任职资格：

1、电子、微电子等相关专业, 中专及以上学历； 2、1年以上相关工作经历；

3、有电子产品的焊接、调试、装配工作经验；熟练使用办公软件及绘图软件；了解电子电路相关知识；有一定现场管理经验；

4、工作积极主动，身体健康；沟通协调能力较好。

■ 电子元器件工程师 岗位描述：

1、安装与管理电气设备，审核电气施工方案并监督实施，保证电气工程进度及质量

2、审核、把关和保管电气工程图纸；

2、审核电气施工方案，检查施工过程中材料的规格、品牌、技术性能等与图纸是否一致，对一般性质量问题进行及时处理并上报领导；

3、督促检查施工现场电气施工情况；

4、现场安装调试电气设备，分析处理现场故障；

5、制定电气设备及计量仪器的各项规章制度及操作SOP、维修计划及周期检查计划，并协调日常的维修、保养及计量检查等工作；

6、建立、完善电气设备固定资产的统计及计量器具的档案、统计、编号等管理系统 任职资格：

1、自动化、电子、无线电、电器专业本科以上学历。2、3年以上工厂自动化、线路设计和电子生产工艺经验。

3、能独立开发技术含量高的电子产品；

4、熟悉相应的电路图软件；

5、掌握多种质量管理体系理论知识；

6、具有良好的团队精神和较强的协调能力；

7、良好的沟通、组织管理能力；

8、动手能力强，吃苦耐劳

■ 电子软件开发

岗位描述：

1、协议的系统建模/仿真、开发，并进行测试和验证；

2、利用各种资源和建模工具（如ADAMs, Matlab等），并通过代码生成工具生成产品应用代码。任职资格：

1、本科以上学历，计算机软件专业或自动控制专业电子工程；

2、有1年以上相关行业工作经历；

3、熟练使用高级语言（VC、VB等）编程；

4、熟悉数据结构及算法；

5、善于钻研新课题，有做事认真负责的团队合作精神。

■ 电路工程师/技术员（模拟/数字）

岗位描述：

1、负责产品的电子电气系统总成项目的技术支持、协调，并参与项目管理；

2、参与产品开发设计，就电子电气系统提供可行性研究服务；

3、配合项目组赢得OEM项目；

4、负责与OEM客户沟通，随时更新客户要求信息，并向客户汇报项目状况；

5、负责向客户提供先期解决方案和建议；

6、协助项目经理进行供应商评定或推荐；

7、领导或协助OEM电子电气供应商管理小组，提供相关技术支持和方案评审，并协调项目进度；

8、保持与机械部分开发设计的良好沟通，负责定义电子电气零件与机械零件的关系，建立或实现电子电气零件之间的合理可靠的关系；

9、现场支持系统总装和评估，负责解决系统级工程问题；

10、支持OEM总成的研发、制造、检测，就电子电气方面提供技术咨询和解决方案；

11、配合项目管理小组，完成OEM客户新产品开发工作流程APQP；

12、完成上级领导交办的其他任务。任职资格：

1、电子电路等相关专业大学本科以上学历，CET-6，三年以上相关工作经验；

2、具有相关电子产品、硬件的设计、开发能力，熟练运用相关设计软件；

3、具有技术交底、设计变更、调试测试等所有技术工作能力。熟悉模拟、数字电路以及单片机外围线路。熟悉C语言和汇编语言编程；

4、能负责生产、加工过程中的技术监督、质量控制。熟悉IS0质量体系管理；

5、具有技术资料编写、技术原始记录，技术档案整理并归档能力；

6、具有良好组织能力，表达能力和谈判能力，思维敏捷、精力充沛、认真细致。

■ 模拟电路设计/应用工程师

岗位描述：

1、主持设计综合布线网络工程方案；

2、组织管理布线实际施工操作，进行现场技术指导；

3、对网络线路、电缆系统进行日常维护管理工作；

4、开通调试网络设备、宽带接入设备；

5、建设中枢电缆、水平分布电缆和光纤电缆及其内部设备；

6、记录所有站点的维护数据及配线结构的备案；

7、为相关部门和人员提供技术支持和维护服务。任职资格：

1、通信、电子工程、自动化、计算机及相关专业本科以上学历 2、3年以上综合布线工程的设计、施工组织管理工作经验；

3、熟悉网络设备的安装、测试、调试工作；

4、熟练掌握综合布线绘图技能，熟练使用AutoCAD等相关软件；

5、精通综合布线产品，有实际动手能力；

6、能独立解决技术问题，有较强的创新意识

7、具备弱电系统集成经验

8、良好的沟通与组织协调能力；

9、工作勤奋，善于分析、思考问题；

10、有时间观念，独立性强，具备团队合作精神。

■ 集成电路IC设计/应用工程师

岗位描述：

1、产品的电路设计、调试和优化；

2、对电路系统的性能测试,验证可靠性；

3、电路元器件的选型认证，编写设计文档。

4、为客户提供技术培训，并解决客户遇到的技术问题；

5、通过和客户沟通，推荐公司的合适产品并寻找新的应用项目；

6、帮助用户完成基于我公司代理产品的规划和调试；

7、对公司内部员工进行技术培训。任职资格：

1、电子电气及相关专业毕业，专科及以上学历；英语良好； 2、2年以上相关工作经历；

3、具备电气、电子原材料的知识；熟练使用Protel，Cadense等软件；精通各种电路。能熟练使用示波器等常用的仪器仪表，熟悉电气标准；

4、有较强的责任心,良好团队协作能力、沟通能力、善于学习。

■ 自动控制工程师/技术员

岗位描述：

1、负责电液控制系统方案设计、以及相关PLC、HMI等系统软件的编写；

2、控制系统的售前售后技术服务、系统安装调试；

3、公司新产品的开发与研制。任职资格：

1、自动控制、机电一体化等专业毕业，本科或本科以上学历；

2、负责控制系统方案设计、以及相关PLC等系统软件的编写；

3、能熟练应用LabVIEW、C/C++等编制设备控制程序；

4、具有三年以上工作经验和完全独立的工作能力；

5、具备良好的业务交流能力和工作协调能力；工作态度积极，工作认真负责，具有团队精神。

■ 嵌入式系统软件开发（单片机/DLC/DSP）

岗位描述：

1、主要从事芯片(CPU，Layer2/3Switch，GE-PON，VDSL，WirelessLAN)功能的调查，芯片质量的测试、评估工作；

2、硬件相关驱动程序、网络协议、嵌入式系统软件抽象层等方面的软件开发；

3、负责智能设备软件设计与开发；

4、负责WinCE驱动开发。任职资格：

1、本科学历以上，3年以上实际工作经验，25岁-30岁；

2、能运用英语进行会话；

3、有嵌入式系统软件（BSP，Driver等低层）的开发经验（EmbeddedOS:Real-TimeLinux，VxWorks，Nuclears等）；

4、有在UNIX系统下用C语言进行开发的经验且实际工作使用3年以上；

5、有芯片功能的调查，芯片质量的测试、评估工作经验。

■ 家用电器/数码产品研发

岗位描述：

1、电器产品项目可行性分析、开发及器件选型确认；

2、绘制产品电气图纸，编写相关技术文档；

3、产品生产的技术支持；

4、对现有产品进行改进，质量问题分析处理。任职资格：

1、电子专业或自动化等相关专业，本科及以上学历；英语良好； 2、2年以上相关工作经历；

3、熟悉电气控制技术；具备安规相关知识；使用Protel电子绘图软件以及AutoCAD设计软件；

4、工作认真负责，严谨细致，有良好的创新精神和团队精神；良好的语言和书面表达能力；动手能力强；

5、备注：有电工本。

■ 产品工艺/制程工程师

岗位描述：

1、负责编写电子产品的加工和装配工艺，编制作业指导书；

2、负责电子产品生产工艺流程、工艺标准的制定和实施，分析、解决现场工艺问题；

3、负责制定、修改产品零件的材料消耗定额；

4、负责各车间工序工艺的科学整合和技术改造；

5、负责对电子线路进行新材料、新工艺、新技术的应用；

6、分析解决客户投诉的电子产品质量问题，制定、实施纠正和预防措施。任职资格：

1、本科及以上学历，电子或相关专业； 2、2年以相关职位工作经验，有外企电子工艺工作经验者优先；

3、熟悉电子产品的生产工艺流程，熟悉电子产品结构、传感器、电子线路、单片机；

4、能够编制电子工艺文件，改进电子方面的产品缺陷，承担电子工程的开发与实施；

5、有团队意识及合作精神。

■ 半导体工程师

岗位描述：

1、IC电路器件的设计，包括结构评估、电路图输入；

2、产品仿真及参数提取；

3、与版图设计师合作完成电路设计；

4、编写研发技术文档。任职资格：

1、微电子、物理专业，硕士及以上学历；英语良好； 2、2年以上相关工作经历；

3、熟悉半导体工艺流程；熟悉RTL编程、综合、版图及相关的模拟电路设计；

4、熟悉相关设计环境和相关操作系统；熟悉shell、Perl等语言，并能熟练进行脚本撰写。

■ FAE现场应用工程师

岗位描述：

1、制定现场整体计划与方案、工作标准与要求；

2、安排现场工作项目、质量检查工作；

3、与客户充分沟通，满足客户需求；

4、部门负责人员管理、技能培训及发展，控制成本、节能降耗；

5、负责来自客户的阶段性考核评审。任职资格：

1、大专以上学历； 2、3年以上相关工作经验；

3、具备良好的沟通协调及应变能力，良好的人际沟通协调能力；

4、吃苦耐劳，富有团队精神，责任心强，能承受工作压力；

5、能适应长期出差。

■ 版图设计工程师

岗位描述：

1、根据产品前段设计线路或文件要求，按照工艺设计规则,设计产品的版图；

2、对产品版图进行规则检查，电路与版图匹配检查；

3、完成用于生产加工的产品最终设计。任职资格：

1、微电子及相关专业，本科或相等学历以上

2、具有3年以上IC版图设计的直接经验

3、精通各种版图设计及相关软件

4、具有良好的持续学习、团队合作和沟通能力

■ 音频/视频工程师/技术员

岗位描述：

1、供投影和视频系统产品的售前技术方案支持；

2、提供投影和视频系统工程安装指导和技术支持；

3、大型投影项目的设计、安装和调试；

4、制定和实施技术决策和技术方案；

5、指导、审核项目技术方案；

6、完成各项工程项目的投标方案设计、深化设计和技术交底。任职资格：

1、电子技术、计算机相关专业本科以上学历；

2、三年以上投影系统产品设计、工程或技术支持经验；

3、英文四级以上，可以与厂家就技术、产品用英语进行日常的交流；

4、性格稳重，细致严谨，精益求精，设计或动手能力强；

5、熟悉虚拟仿真技术设计者优先。

■ 标准化工程师

岗位描述：

1、锅炉、机械或热能动力专业，本科学历；

2、有3年以上从事标准化工作经验；

3、负责公司新产品开发中的标准化管理；

4、熟悉技术文件的日常管理工作；

5、能够制度公司技术标准并进行审查监督；

6、有一定的英语阅读及写作技能，持有CET-4或以上英语证书；

7、做事认真细致，有责任心。任职资格：

1、机械、电器、电子专业本科以上，生产制造行业标准化工作经验3年以上；

2、有变压器行业设计工作经历或标准化工作经历；

3、熟练操作常用二维、三维设计软件及常用办公软件；

4、有同类企业工作经验者优先。

■ 电声工程师

岗位描述：

1、电声产品电子部分开发、器件选型；

2、测试电声产品的电子线路；

3、分析、解决产品开发过程中的问题，改进设计方案；

4、评价产品性能新指标、新方法研究；

5、编写技术文档。任职资格：

1、电子、音频相关专业，大专及以上学历，英文阅读能力良好；

2、两年以上相关工作经验，有电声产品设计经验者佳；

3、熟悉模拟、数字电路，具备基本的声学知识，了解扬声器基本工作原理，熟悉扬声器类比线路理论；

4、了解MATLAB、AutoCAD或者ProE，具备有限元知识或者电声测试经验；了解现今电声模拟软件如：FEMM磁路模拟，FINEMOTOR喇叭参数模拟，FINE X-OVER分频器制作模拟等；

5、有较强的责任心,良好团队协作能力、沟通能力、谦虚踏实。

■ 技术研发经理/主管

岗位描述：

1、负责公司技术支持团队的组建、技术支持部管理和人员协调安排工作，制定服务规范；

2、完成产品安装、调试、演示；

3、对公司内外进行产品培训和讲解；

4、协助解决用户在产品使用过程中遇到的问题，组织公司研发人员提供支持；

5、撰写产品文档及数据分析报告；

6、根据用户需求、结合产品功能提供合适的解决方法。任职资格：

1、计算机等相关专业，本科以上学历；

2、两年以上相关产品售前工作经验；

3、逻辑分析能力强，条理性强，有一定的讲解能力；

4、熟悉相关产品的安装部署，熟练掌握计算机知识和局域网、互联网知识；

5、善于沟通,表达力强，责任心强，灵活自信,应变能力强；

6、具备良好的职业道德和职业习惯。

■ 技术研发工程师

岗位描述：

1、负责公司产品售前、售后的技术支持工作；

2、负责为用户撰写售前、售后系统方案，并与用户做技术交流；

3、参与公司投标项目，负责标书技术部分的编写及答疑、应标、数据网络的规划等；

4、负责对合作伙伴和最终用户进行产品/业务的培训；

5、负责与销售人员共同协作推广公司产品；

6、公司产品技术说明书的撰写编制。任职资格：

1、专科及以上学历，通信类、电子类、计算机类相关专业；

2、通信行业2年以上技术支持工作经验,有外企售前、售后技术支持工作经验者优先；

3、熟悉TCP/IP、OSPF、RIP，精通局域网、广域网计算机网络结构；熟悉网络设备（路由器、交换机等)的安装，配置等；

4、熟悉SQL语言，了解SQLServer/Oracle/Informix/DB2等数据库平台；

5、具有良好的表达能力和较强的沟通能力。

■ 产品工艺/制程工程师

岗位描述：

1、负责编写电子产品的加工和装配工艺，编制作业指导书；

2、负责电子产品生产工艺流程、工艺标准的制定和实施，分析、解决现场工艺问题；

3、负责制定、修改产品零件的材料消耗定额；

4、负责各车间工序工艺的科学整合和技术改造；

5、负责对电子线路进行新材料、新工艺、新技术的应用；

6、分析解决客户投诉的电子产品质量问题，制定、实施纠正和预防措施。任职资格：

1、本科及以上学历，电子或相关专业； 2、2年以相关职位工作经验，有外企电子工艺工作经验者优先；

3、熟悉电子产品的生产工艺流程，熟悉电子产品结构、传感器、电子线路、单片机；

4、能够编制电子工艺文件，改进电子方面的产品缺陷，承担电子工程的开发与实施；

5、有团队意识及合作精神。

■ 产品规划工程师

岗位描述：

1、负责产品的需求分析、发展路标、研发规划和技术解决方案提供；

2、代表产品指导和规划研发体系的产品研发；

3、负责产品的概念设计和预研项目的支持；

4、参与竞争分析和相关的国内外标准工作；

5、参与产品解决方案的制定和高端技术交流。任职资格：

1、通信、电子、计算机、微波、无线电等相关专业本科以上学历； 2、3年以上产品研发、规划等相关工作经验；

3、熟悉运营商需求，有产品综合解决方案经验者优先；

4、良好的英语听说读写能力。

■ 实验室负责人/工程师

岗位描述：

1、实验室仪器设备的日常维护保养，保证实验室的安全高效运行；

2、实验室用新设备、新方法的开发应用；

3、及时准确地反映产品及原材料检验结果；

4、保证各有关质量记录按要求得到妥善保存；

5、协助实验室主管做好实验室的日常管理工作。任职资格：

1、本科以上学历，电子科系毕业； 2、3年以上环境类/机械类设备操作经验；

3、英文听读写能力佳, 可阅读相关英文资料并可简单使用口语交流；

4、熟悉仪器校验流程并具备主导仪器校验整体工作之经验；

5、较好的管理沟通能力及良好的团体协作精神。

■ 测试工程师

岗位描述：

1、进行系统分析，制定相应调试解决方案；

2、完成系统部署、预调试和调试工作；

3、监督项目实施过程，提出实施建议；

4、新的调试技术的应用推广；

5、收集客户需求，协助编写实施文档和说明书。任职资格：

1、计算机相关专业，本科以上学历； 2、2年以上调试工作经验；

3、熟练制图软件，测试工具和测试流程；

4、工作积极主动，较强的动手调试能力；

5、具有良好的计划和执行能力，良好的沟通能力；

6、良好的英语读写能力和良好的表达能力；

7、适应经常出差。

■ 设备工程师（调试/安装/维护）

岗位描述：

1、建立健全设备管理制度、维护保养制度，做好设备技术资料的形成、积累、整理、立卷、归档工作；

2、编制年、季、月度施工设备的预检计划、设备大中修计划，备件制造和供应计划；

3、根据施工发展或项目需要，协同上级制订新设备采购、投资计划，组织设备的选型和申购；

4、负责公司各类设备运行情况的检查、记录、考核以及日常管理工作；

5、负责各类设备的维护保养管理工作，在机电设备安装工程中起到审核、协调、监督的作用；

6、编制设备安全操作规程，做好对操作人员的技术操作考核，签发操作合格证等工作；

7、协助上级领导处理重大设备事故，参加事故的分析，提出处理意见，对重大事故及时报告上级主管和公司，按时准确填报有关统计报表。任职资格：

1、大学本科及以上学历，机械、工程、自动化等相关专业； 2、2年以上动力设备维护管理工作经验，有大型动力设备维护经验者优先；

3、熟悉工程机械构造原理，有一定工程机械故障处理经验、机械设计和机械维护经验，熟知设备保养、维修流程及规范和标准；

4、能够对工程机械设备进行维修维护及故障排除并能从事现场工作，熟练使用现代化办公软件、Auto CAD等制图软件、办公设备。

■ 项目经理/产品经理 岗位描述：

1、中层管理职位，负责其功能领域内主要目标和计划，制定、参与或协助上层执行相关的政策和制度；

2、负责部门的日常管理工作及部门员工的管理、指导、培训及评估；

3、负责制定各项目生产计划；

4、组织、协调和管理外协生产资源，保证生产按时保质完成；

5、负责协调、组织解决生产中的所有问题；

6、负责外协生产厂家的商务结算。任职资格：

1、本科及以上学历，管理类相关专业； 2、2年以上项目管理经验；

3、良好的计划和执行能力、协调能力和人际沟通能力；

4、积极主动，具备团队意识，具有高度的责任心，能够承受较强的工作压力。

第二篇：半导体二极管 电子教案

第一章 半导体二极管

内容简介

本章首先介绍半导体的导电性能和特点，进而从原子结构给与解释。先讨论PN结的形成和PN结的特性，然后介绍半导体二极管特性曲线和主要参数。分析这些管子组成的几种简单的应用电路，最后列出常用二极管参数及技能训练项目。知识教学目标

1.了解半导体基础知识，掌握PN结的单向导电特性； 2.熟悉二极管的基本结构、伏安特性和主要参数； 3.掌握二极管电路的分析方法； 4.了解特殊二极管及其应用。技能教学目标

能够识别和检测二极管，会测定二极管简单应用电路参数。本章重点

1.要求掌握器件外特性，以便能正确使用和合理选择这些器件。如：半导体二极管：伏安特性，主要参数，单向导电性。

2.二极管电路的分析与应用。本章难点

1.半导体二极管的伏安特性，主要参数，单向导电性。

2.二极管电路分析方法。课时 4课时

题目：半导体、PN结

教学目标：了解本征半导体，杂质半导体的区别，从而得出半导体特性。记住半导体PN结的特性。教学重点：

1、半导体特性；

2、半导体PN结的特性；

教学难点：

1、半导体单向导电性。

2、半导体PN结分别加正反向电压导通与截止的特性。教学方法：讲授 教具：色粉笔

新课导入：电子技术基础是我们这学期新开的一门专业课，它包含各个基本小型电路的介绍及使用分析，这次课我们来学习一种材质：半导体。为以后的电路分析打下基础。

新授：

从导电性能上看，通常可将物质为三大类：导体： 电阻率，缘体：电阻率，半导体：电阻率ρ介于前两者之间。目前制造半导体器件材料用得最多的有：

单一元素的半导体——硅(Si)和锗(Ge);化合物半导体 —— 砷化镓(GaAs)。

图1.1.1 半导体示例

1.1.1 本征半导体

了解：

纯净的半导体称为本征半导体。用于制造半导体器件的纯硅和锗都是四价元素，其最外层原子轨道上有四个电子（称为价电子）。在单晶结构中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻的原子所共有，形成图1.1.2所示的共价健结构，图中+4代表四价元素原子核和内层电子所具有的净电荷。共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。

因此，半导体中有自由电子和空穴两种载流参与导电，分别形成电子电流和空穴电流，这一点与金属导体的导电机理不同。

1.1.2 杂质半导体

在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。

一、N型半导体

若在四价的硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素(如磷、锑、砷等)，则晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原 子形成共价键，必定多出一个电 子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样，在该半导体中就存在大量的自由电子载流子，空穴是少数载流子，这种半导体就是N型半导体

图1.1.3 N型半导体结构

二、P型半导体

若在四价的硅或锗的晶体中少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子,因而在该半导体中就存在大量的空穴载流子,当然,其中还有少数由于本征激发而产生的自由电子，如图1.1.4所示。

需要指出的是,无论是N型还是P型半导体,都是呈电中性的。

*综上所述，半导体特性：

*

1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。

2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由 电子和空穴对，故其有一定的导电能力。*

3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。

4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。*

5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关。

1.1.3 PN结

一、PN 结的形成

在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动相较量,最终达到动态平衡的必然结果，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。

二、PN结的单向导电性

1、PN结的偏置

PN结加上正向电压（正向偏置）的意思都是：P区加正、N区加负电压。PN结加上反向电压（反向偏置）的意思都是： P区加负、N区加正电压。

2、PN结正偏

如上图1.1.6所示,当PN结正偏时，外加电源形成的电场加强了载流子的扩散运动，削弱了内电场，耗尽层变薄，因而多子的扩散运动形成了较大的扩散电流。用流程图表述如下：PN结正偏外电场削弱内电场

耗尽层变薄 扩散运动漂移运动多子扩散运动形成正向电流。

3、PN结的反偏

在PN结加反向偏置时,如图1.1.7所示，外加电源形成的外电场加强了内电场，多子的扩散运动受到阻碍，耗尽层变厚；少子的漂移运动加强，形成较小的漂移电流。其过程表述如下： PN结反偏 外电场加强内电场 耗尽层变厚扩散运动漂移运动 少子漂移运动形成反向电流。

综上所述：

1）PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；

2）PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。

课后总结：这次课我们认识了半导体材料。对于半导体的特性，PN结的特性进行对比记忆，由大家课下熟悉完成记忆。作业：练习册1.1 板书设计：

一、半导体

1、本征半导体

2、杂质半导体：

二、PN结题目：1.2 二极管的特性及主要参数

教学目标：了解二极管的特性，分析使用二极管时的主要参数-伏安特性。教学重点：二极管结构分析，伏安特性的分析； 教学难点：

1、伏安特性分析。

2、几个参数的记忆及区分。教学方法：讲授 教具：色粉笔

新课导入：上次课我们认识了半导体器件中常用的器件“二极管”，在使用过程中不仅要了解它的参数也是不行的，这次我们继续学习它的特性及参数要求。

新授：

1.2.1 半导体二极管的结构和符号

形成PN结的P型半导体和N型半导体上，分别引出两根金属引线，并用管壳封装，就制成二极管。其中从P区引出的线为正极，从N区引出的线为负极。二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1.2.1所示。在图1.2.1(b)所示电路符号中，箭头指向为正向导通电流方向，二极管常见的封装形式如图1.2.2所示。

1.2.2 二极管的伏—安特性

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的单向导电特性。常利用伏一安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。所谓伏安特性，是指二极管两端电压和流过二极管电流的关系，可用电路图来测量。若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑曲线连接起来，就构 成二极管的伏—安特性曲线，如图1.2.3所示(图中虚线为锗管的伏—安特性，实线为硅管的伏—安特性)，下面以二极管的伏—安特性曲线加以说明。

一、正向特性

当二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，正向电压较小时，正向电流极小(几乎为零)，这一部分称为死区，相应的A(A′)点的电压命名为死区电压。

二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PN结。

二、反向特性

当二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流，如图1.2.3中0C(或O′C′)段所示。

三、反向击穿特性

二极管反向电压加到定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时的电压称为反向击穿电压用表示，如图1.2.3中CD(或C′D′)段所示。

四、死区电压：锗——0.2V 硅——0.5V

五、导通电压降：锗——0.3V 硅——0.7V 1.2.3 半导体二极管的主要参数和分类

基本参数：

1．最大整流电流 最大整流电流是指二极管长期工作时，允许通过的最大平均电流使用正向平均电流能超过此值，否则二极管会击穿。

2．最大反向工作电压

最大反向工作电压是指二极管正常工作时，所承受的最高反向电压(峰值)。通常手册上给出的最大反向工作电压是击穿电压的一半左右。

3．二极管的直流电阻

二极管的直流电阻指加在二极管两端的直流电压与流过二极管的直流电流的比值。二极管的正向电阻较小，约为几欧到几千欧；反向电阻很大，一般可达零点几兆欧以上。

4．最高工作频率

最高工作频率是指二极管正常工作时上、下限频率，它的大小与PN结的结电容有超过此值，二极管单向导电特性变差。

课后总结：

这次课的重点：

1、二极管结构及其单向导电性

2、死区电压：锗——0.2V 硅——0.5V

3、导通电压降：锗——0.3V 硅——0.7V

4、二极管反向电压加到定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿

作业：练习册1.2填空1-5题

板书设计：

一、半导体二极管的结构和符号 二、二极管的伏—安特性

三、半导体二极管的主要参数和分类 题目：1.4特殊二极管、二极管的检测及应用

教学目标：

1、稳压二极管、发光二级管及光电二极管的特点

2、学习二极管极性检测

3、学习二极管好坏的检测 教学重点：

1、学习二极管极性检测

2、学习二极管好坏的检测 教学难点：

1、二极管的检测

2、二极管的应用 教学方法：讲授 教具：色粉笔

新课导入：二极管大家已经知道是什么电子器件，那么如果拿来一个二极管，如何知道它的正负极？二极管的好坏该怎样检测？这一系列使用前应该做的准备都是必须有的，现在我们就来学习他的检测方法！

新授：

1.4.1 稳压二极管

稳压电路利用稳压二极管在反向击穿特性来实现稳压。下面简要介绍稳压二极管基本知识。

一、稳压二极管的工作特性

稳压二极管简称稳压管，它的伏一安特性曲线和在电路中的符号如图1.4.1所示。稳压管和普通二极管正向特性相同，不同的是反向击穿电压较低，且击穿特性陡峭，这说明反向电流在较大范围内变化时，击穿电压基本不变，稳压管正是利用反向击穿特性来实现稳压的，此时击穿电压称为稳定工作电压，用 UZ表示。

二、稳压管的主要参数 1.稳定电压UZ

稳定电压UZ 即反向击穿电压。由于击穿电压与制造工艺、环境温度和工作电流有关，手册中只能给出某一型号的稳压范围。2.稳定电流IZ

稳定电流IZ 是指稳压管工作至稳定状态时流过的电流。当稳压管稳定电流小于最小稳定电流 时，没有稳定作用；大于最大稳定电流 时，管子因过流而损坏。稳压管由于受热而击穿。

1.4.2 发光二极管与光电二极管

一、发光二极管

发光二极管是一种把电能变成光能的器件，由磷化镓、砷化镓等半导体材料制成，电路符号见图1.4.3,当给发光二极管加上偏压，有一定的电流流过时二极管就会发光，这是由于PN结的电子和空穴直接复合放出能量的结果。

① 颜色：发光二极管的种类按发光的颜色可分为：红色、蓝色、黄色、绿色和无色 ② 正负极：管脚引线较长者为正极，较短者为负极。③ 不同颜色发光二级管工作电压：

发光二极管工作时导通电压比普通二极管大，其工作电压随材料不同而不同，一般为1.7v～2.4v。

普通绿、红、黄二极管工作电压约为2v，白色发光二极管电压通常高于2.4v； 蓝色发光二极管工作电压一般高于3.3v。

发光二极管的工作电流一般为2mA～25mA。发光二极管广泛应用于各种电子仪器仪表、计算机、电视机的电源指示和信号指示，还可以做成七段译码显示器等。

二、光电二极管

光电二极管又叫光敏二极管，外形如图1.4.5。光电二极管也是由一个PN 结构成，但是它的PN面积较大，通过管壳上的一个玻璃来接收入射光。它是利用PN在施加反向电压时，在光线照射下反向电阻由大变小来工作的，其工作电路如1.4.4。光电二极管可用于光测量、光电控制等方面，如遥控接收器、光纤通讯、激光头中都用到光电二极管。

1.5 二极管的检测与应用

1、二极管的识别

二极管正负极、规格、功能和制造材料一般可以通过管壳上的标志和查阅手册(本章内容后附有实用资料)来判断，如IN4001通过壳上的标志可判断正负极，查阅手册可知它是整流管，参数是1A/50V;2CW15查阅手册可知它是N型硅材料稳压管。如果管壳上无符号或标志不清，就需要用万用表来检测。

2、二极管的检测

二极管的检测主要是判断其正负极和质量好坏。

基本方法：

(1)选档位

将万用表量程调至 R×100Ω 或 R×1KΩ档（一般不用 R×1Ω档，因其电流较大，而 R×10K档电压过高管子易击穿）(2)测电阻

将两表笔分别接触二极管两个电极，测得一个电阻值，交换一次电极再测一次，从而得到两个电阻值。

正向电阻＜5KΩ 反向电阻＞500KΩ，如图1.5.1所示。（3）问题分析

性能好的二极管，一般反向电阻比正向电阻大几百倍。① ② ③ ④ 如两次测得的正、反向电阻很小或等于零，则说明管子内部已击穿或短路； 如果正、反向电阻均很大或接近无穷大，说明管子内部已开路； 如果电阻值相差不大，说明管子性能变差； 在上述三种情况的二极管均不能使用。

作业：练习册1.2填空1-5题 课后总结：

这次课的重点：

1、各种特别二极管的特点简介

2、二极管的极性及性能好坏的检测

板书设计：

1、各种特别二极管的特点简介

2、二极管的极性及性能好坏的检测

第三篇：电器及电子标准

十六、电器及电子标准

GB 15742—2001

GB/T 5053.1—2006

GB/T 5053.2—2006

GB/T 5053.3—2006

GB/T 5054.1—2008

GB/T 5054.2—2008

GB/T 5054.3—2006

GB/T 5054.4—2008

GB/T 5337—1985

GB/T 17349.1—1998

GB/T 17349.2—1998

GB/T 19951—2005

GB/T 20716.1—2006

GB/T 20716.2—2006

GB/T 20717—2006

GB/T 20718—2006

GB/T 21436—2008

GB/T 21437.1—2008

GB/T 21437.2—2008

GB/T 22630—2008

GB/T 25085—2010

GB/T 25086—2010

GB/T 25087—2010

GB/T 25088—2010

GB/T 25089—2010

GB/T 25984.1—2010

GB/T 26149—2010

QC/T 16—1992(2009)

QC/T 20—1992(2009)机动车用喇叭的性能要求及试验方法 GB 15742—1995 道路车辆 牵引车与挂车之间电连接器 7芯24V标准GB/T 5053.1—1985型(24N)道路车辆 牵引车与挂车之间电连接器 7芯12V标准GB/T 5053.2—1985型（12N）道路车辆 牵引车与挂车之间电连接器 定义、试验方GB/T 5053.3—1985 法和要求 道路车辆 多芯连接电缆 第1部分：普通护套电缆的 性能要求和试验方法 道路车辆 多芯连接电缆 第2部分：高性能护套电缆 的性能要求和试验方法 道路车辆 多芯电缆线 第3部分：无屏蔽护套低压电GB/T 5054—1985 缆线的结构、尺寸和标记 道路车辆 多芯连接电缆 第4部分：螺旋电缆组件的 弯折试验方法和要求 汽车电器、灯具和仪表名词术语道路车辆汽车诊断系统词汇道路车辆汽车诊断系统图形符号道路车辆—静电放电产生的电骚扰试验方法道路车辆 牵引车和挂车之间的电连接器 第1部分： 24V标称电压车辆的制动系统和行走系的连接 道路车辆 牵引车和挂车之间的电连接器 第2部分： 12V标称电压车辆的制动系统和行走系的连接 道路车辆 牵引车和挂车之间的电连接器 24V15芯型道路车辆 牵引车和挂车之间的电连接器 12V13芯型汽车泊车测距警示装置道路车辆 由传导和耦合引起的电骚扰 第1部分：定 义和一般描述道路车辆 由传导和耦合引起的电骚扰 第2部分：沿 电源线的电瞬态传导车载音视频设备电磁兼容性要求和测量方法道路车辆 60V和600V单芯电线道路车辆 牵引车和挂车之间的电连接器 12V7芯辅 助型（12S）道路车辆 圆形、屏蔽和非屏蔽的60V和600V多芯护 套电缆 道路车辆 牵引车和挂车之间的电连接器 24V7芯辅 助型（24S）道路车辆 数据电缆汽车电动燃油泵 第1部分：有刷电动燃油泵基于胎压监测模块的汽车轮胎气压监测系统点火线圈通用技术条件 JB 3125—1982 汽车用气压式制动灯开关技术条件

QC/T 30—2004(2010)

QC/T 73—1993(2009)

QC/T 198—1995(2009)

QC/T 218—1996(2009)

QC/T 219—1996(2009)

QC/T 220—1996(2009)

QC/T 277—1999(2009)

QC/T 413—2002(2009)

QC/T 414—1999(2009)

QC/T 415—1999(2009)

QC/T 416—1999(2009)

QC/T 417.1—2001(2009)

QC/T 417.2—2001(2009)

QC/T 417.3—2001(2009)

QC/T 417.4—2001(2009)

QC/T 417.5—2001(2009)

QC/T 419—1999(2009)

QC/T 420—2004(2010)

QC/T 422—2000(2009)

QC/T 424—1999(2009)

QC/T 427—1999(2009)

QC/T 438—1999(2009)

QC/T 501—1999(2009)

QC/T 504—1999(2009)

QC/T 505—1999(2009)

QC/T 506—1999(2009)

QC/T 548—1999(2009)

QC/T 549—1999(2009)

QC/T 550—1999(2009)

QC/T 632—2000(2009)

QC/T 695—2002(2009)

QC/T 706—2004(2010)

QC/T 707—2004(2010)

QC/T 708—2004(2010)机动车用电喇叭技术条件 QC/T 30—1992 汽车电气设备产品型号编制方法 JB 1546—1983 汽车用开关通用技术条件 JB 3126—1982 汽车用转向管柱上组合开关技术条件 ZB/T T36 014—1990 汽车用脚踏式变光开关 JB 3128—1982 汽车用易熔线起动机特性试验方法 ZB T11 001—1986* 汽车电气设备基本技术条件 QC/T 413—1999 汽车用低压电线的颜色 ZB T35 002—1989* 汽车用点烟器技术条件 ZB T36 001—1986* 点火系统的测试方法 ZB T36 002—1986* 车用电线束插接器 第1部分 定义,试验方法和一般QC/T 417—1999、性能要求(汽车部分)QC/T 418—1999、QCn29012—1991 车用电线束插接器 第2部分 试验方法和一般性能要QC/T 417—1999、求(摩托车部分)QC/T 418—1999、QCn29012—1991 车用电线束插接器 第3部分 单线片式插接件的尺寸QC/T 417—1999、和特殊要求 QC/T 418—1999、QCn29012—1991 车用电线束插接器 第4部分 多线片式插接件的尺寸QC/T 417—1999、和特殊要求 QC/T 418—1999、QCn29012—1991 车用电线束插接器 第5部分 用于单线和多线插接器QC/T 417—1999、的圆柱式插接件的尺寸和特殊要求 QC/T 418—1999、QCn29012—1991 喇叭继电器技术条件 ZB T36 005—1987* 汽车用熔断器 QC/T 420—1999 机动车用硅整流二极管 QC/T 422—1999 汽车用交流发电机电气特性试验方法 ZB T36 010—1989* 汽车用电源总开关技术条件 ZB T36 013—1989* 汽车点火系高压塑料件技术条件 ZB T37 006—1990* 汽车信号闪光器技术条件 JB 2551—1984* 汽车用点火开关技术条件 JB 3127—1982* 汽车用车灯开关技术条件 JB 3129—1982* 汽车用仪表灯开关技术条件 JB 3130—1982* 汽车用洗涤电动机技术条件 JB 3918—1985* 汽车倒车报警器 JB 3919—1985* 汽车用蜂鸣器 JB 3920—1985* 汽车用翘板式开关技术条件汽车通用继电器机动车用硅雪崩整流二极管技术条件车用中央电气接线盒技术条件汽车空调风机技术条件

QC/T 729—2005

QC/T 730—2005

QC/T 731—2005

QC/T 773—2006

QC/T 774—2006

QC/T 803.1—2008

QC/T 806—2008

QC/T 810—2009

QC/T 830—2010

QC/T 29009—1991(2009)

QC/T 29010—1991(2009)

QC/T 29011—1991(2009)

QC/T 29013—1991(2009)

QC/T 29090—1992(2009)

QC/T 29092—1992(2009)

QC/T 29106—2004(2010)

＊＊＊

GB 14023—2006

GB/T 18655—2010

GB 20816—2006

GB/T 4365—2003

GB/T 5008.1—2005

GB/T 5008.2—2005

GB/T 5008.3—2005

GB/T 14820—2009

GB/T 17619—1998

GB/T 17938—1999

GB/T 19391—2003

GB/T 19392—2003 汽车用交流发电机技术条件 QC/T 29094—1992 汽车用薄壁绝缘低压电线汽车用起动机技术条件汽车散热器电动风扇技术条件汽车交流发电机用电子电压调节器技术条件车用氧传感器技术条件 第1部分：管形加热型氧传 感器 汽车空调压缩机用电磁离合器技术条件汽车起动机用电磁开关技术条件汽车高压气体放电灯用电子镇流器汽车用电线接头技术条件 原QCn 29009—1991 汽车用低压电线接头型式、尺寸和技术要求 原QCn 29009—1991 汽车用点火线电线接头型式、尺寸和技术要求 原QCn 29011—1991 汽车用蓄电池电线接头型式、尺寸和技术要求 原QCn 29013—1991 汽车用刮水电动机技术条件 JB 3256—1983 汽车用暖风电动机技术条件 JB 3257—1983 汽车低压电线束技术条件 QC/T 29106—1992 ＊＊＊ ＊＊＊ 车辆、船和由内燃机驱动的装置 无线电骚扰特性 限GB 14023—2000 值和测量方法 车辆、船和内燃机 无线电骚扰特性 用于保护车载接GB 18655—2002 收机的限值和测量方法 车辆防盗报警系统 乘用车电工术语 电磁兼容 GB/T 4365—1995 起动用铅酸蓄电池技术条件 GB 5008.1—1991 起动用铅酸蓄电池产品品种和规格 GB 5008.2—1991 起动用铅酸蓄电池端子的尺寸和标记 GB 5008.3—1991 公路车辆用高压点火电线 GB/T 14820.1—1993、GB/T 14820.2—1993、GB/T 14820.3—1993 机动车电子电器组件的电磁辐射抗扰性限值和测量 方法 工业车辆电动车辆牵引用铅酸蓄电池优先选用 的电压 全球定位系统(GPS)术语及定义汽车GPS导航系统通用规范

第四篇：56半导体物理基础电子教案

第5,6学时

 授课题目（教学章节或主题）：半导体物理基础。本授课单元教学目标或要求：

掌握半导体特性、载流子的运动、PN结以及三种光电效应；了解能带理论、PN结的三种接触方式。

 本授课单元教学内容（包括基本内容、重点、难点，以及引导学生解决重点难点的方法、例题等）： * 基本内容：

引入：

光电器件：半导体制作而成。理论基础很重要，有助于深入理解其原理及灵活运用。关于半导体的物理基础，许多专门著作都有系统的论述。这里仅介绍与光电器件有关的半导体物理基础知识。

自然界中的物质：气体、液体或固体。这里主要是讨论可以制作光电器件的固体半导体材料。

固体：

按其原子排列，可以分成晶体与非晶体两类；

按导电能力，则可分成导体、绝缘体和半导体三种。

-6-3导体：l0一10Ω·cm范围内的物质称为(如银、铜、铝、铁等金属)；

12绝缘体：电阻率在10Ω·cm以上的物质称为(如塑料、陶瓷、橡皮、石英玻璃等)； 半导体：电阻率介于导体和绝缘体之间的物质。

它们三者之间虽然在电阻率的区分上无绝对明确的界限，但在性质上却有极大的差别。由于半导体具有许多特殊的性质，因而在电子工业与光电工业等方面占有极其重要的地位。

（一）半导体的特性

1、电阻温度系数一般都是负的，对温度的变化十分敏感；

衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1°C时电阻值发生变化的百分数。如果设任一电阻元件在温度t1时的电阻值为R1，当温度升高到t2时电阻值为R2，则该电阻在t1 ~ t2温度范围内的(平均)温度系数为a，如果R2 > R1，则 a > 0，将R称为正温度系数电阻，即电阻值随着温度的升高而增大；如果R2 < R1，则 a < 0，将R称为负温度系数电阻，即电阻值随着温度的升高而减小。显然 a 的绝对值越大，表明电阻受温度的影响也越大。

大多数半导体都具有负的温度系数，温度低时，半导体中的载流子（电子和空穴）数目少，所以其电阻值较高；随着温度的升高，载流子数目增加，所以电阻值降低。

也有一些不是用半导体制成的特殊的光电器件具有负温度系数。如，NTC热敏电阻器。

NTC是Negative Temperature Coefficient 的缩写，意思是负的温度系数，泛指负温度系数很大的半导体材料或元器件。

所谓NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。它是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，采用陶瓷工艺制造而成的。

这些金属氧化物材料都具有半导体性质，因此，也具有负温度系数。

NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10Ω~1000000Ω，温度系数-2%~-6.5%。

NTC热敏电阻器可广泛应用于温度测量、温度补偿、抑制浪涌电流等场合。

2、导电性能可受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化；

-6-1-1如纯硅在室温下的电导率为5×10Ω·cm，当掺入硅原子数的百万分之一的杂质时；其纯度虽仍高达99．9999％，但电导率却上升至2Ω·cm，几乎增加了一百万倍！此外，随着所掺入的杂质的种类不同，可以得到相反导电类型的半导体。如在硅中掺入硼，可得到P型半导体；掺入锑可得到N型半导体。

3、导电能力及性质会受热、光、电、磁等外界总有的影响而发生非常重要的变化。

例如沉积在绝缘基板上的硫化镉层不受光照时的阻抗可高达几十甚至几百兆欧，但一旦受到光照，电阻就会下降到几十千欧，甚至更小。

常见的半导体材料有硅、锗、硒等元素半导体，砷化镓(GaAs)、铝砷化镓(Ga1-xAlxAs)、锑化姻(InSb)、硫化镉(CdS)和硫化铅(PbS)等化合物半导体，还有如氧化亚铜的氧化物半导体，如砷化镓—磷化镓固熔体半导体，以及有机半导体、玻璃半导体、稀土半导体等等。利用半导体的特殊性质，制成了热敏器件、光电器件、场效应器件、体效应器件、霍耳器件、红外接收器件、电荷稠合器件、摄象管及各种二极管、三极管、集成电路等半导体器件。下面将重点介绍有关光电器件。

为了解释固体材料的不同导电特性，人们从电子能级的概念出发引入了能带理论。它是半导体物理的理论基础，应用能带理论可以解释发生在半导体中的各种物理现象和各种半导体器件的工作原理。

1二、能带理论

1、原子中电子的能级

大家知道，原子是由一个带正电的原子核与一些带负电的电子所组成。这些电子环绕着原子核在各自的轨道上不停地运动着。根据量子论，电子运动有下面三个重要特点：

(1)电子绕核运动，具有完全确定的能量，这种稳定的运动状态称为量子态。每一量子态所取的确定能量称为能级。图2-7是硅原子中电子绕核运动的轨道及与其相应的能级示意图。原子中14个电子分别有14种不同的量子态，分布在离原子核远近不同的三层轨道上。最里层的量子态，电子距原子核最近，受原子核束缚最强，能量最低。越外层的量子态，电子受原子核束缚越弱，能量越高。电子可以吸收能量从低能级跃迁到高能级上去。电子也可以在一定条件下放出能量重新落回到低能级上来。但不可能有介于各能级之间的量子态存在。

量子态是由一组量子数表征，这组量子数的数目等于粒子的自由度数。

(2)由于微观粒子具有粒子与波动的两重性，因此，严格说原子中的电子没有完全确定的轨道。但为方便起见，我们仍用“轨道”这个词，这里的“轨道”所代表的是电子出现几率最大的一部分区域。

(3)在一个原子或原子组成的系统中，不能有两个电子同属于一个量子态，即在每一个能级中，最多只能容纳两个自旋方向相反的电子，这就是泡利不相容原理。此外，电子首先填满最低能级，而后依次向上填，直到所有电子填完为止。

2、晶体中电子的能带

晶体：原子、离子或分子按照一定的周期性在空间排列形成在结晶过程中形成具有一定规则的几何外形的固体。

晶体通常呈现规则的几何形状，就像有人特意加工出来的一样。其内部原子的排列十分规整严格，比士兵的方阵还要整齐得多。如果把晶体中任意一个原子沿某一方向平移一定距离，必能找到一个同样的原子。而玻璃、珍珠、沥青、塑料等非晶体，内部原子的排列则是杂乱无章的。准晶体是最近发现的一类新物质，其内部排列既不同于晶体，也不同于非晶体。

晶体按其结构粒子和作用力的不同可分为四类：离子晶体、原子晶体、分子晶体和金属晶体。固体可分为晶体、非晶体和准晶体三大类。具有整齐规则的几何外形、固定熔点和各向异性的固态物质，是物质存在的一种基本形式。固态物质是否为晶体，一般可由X射线衍射法予以鉴定。

晶体内部结构中的质点(原子、离子、分子)有规则地在三维空间呈周期性重复排列，组成一定形式的晶格，外形上表现为一定形状的几何多面体。组成某种几何多面体的平面称为晶面，由于生长的条件不同，晶体在外形上可能有些歪斜，但同种晶体晶面间夹角(晶面角)是一定的，称为晶面角不变原理。

吃的盐是氯化钠的结晶，味精是谷氨酸钠的结晶，冬天窗户玻璃上的冰花和天上飘下的雪花，是水的结晶。可以这样说：“熠熠闪光的不一定是晶体，朴实无华、不能闪光的未必就不是晶体”。厨房中常见的砂糖、碱是晶体，每个人身上的牙齿、骨骼是晶体，工业中的矿物岩石是晶体，日常见到的各种金属及合金制品也属晶体，就连地上的泥土砂石都是晶体。我们身边的固体物质中，除了常被我们误以为是晶体的玻璃、松香、琥珀、珍珠等之外，几乎都是非晶体。晶体离我们并不遥远，它就在日常生活中。

晶体的一些性质取决于将分子联结成固体的结合力。这些力通常涉及原子或分子的最外层的电子（或称价电子）的相互作用。如果结合力强，晶体有较高的熔点。如果它们稍弱一些，晶体将有较低的熔点，也可能较易弯曲和变形。如果它们很弱，晶体只能在很低温度下形成，此时分子可利用的能量不多。

当原子结合成晶体时，因为原子之间的距离很近，不同原子之间的电子轨道(量子态)将发生不同程度的交迭。晶体中两个相邻原子的最外层电子的轨道重迭最多。这些轨道的交迭，使电子可以从一个原子转移到另一个原子上去。结果，原来隶属于某一原子的电子，不再是此原子私有的了，而是可以在整个晶体中运动，成为整个晶体所共有，这种现象称作电子的共有化。晶体中原子内层和外层电子的轨道交迭程度很不相同。越外层电子的交迭程度越大，且原子核对它的束缚越小。因此，只有最外层电子的共有化特征才是显著的。

晶体中电子虽然可以从一个原子转移到另一个原子，但它只能在能量相同的量子态之间发生转移。所以，共有化的量子态与原子的能级之间存在着直接的对应关系。由于电子的这种共有化，整个晶体成了统一的整体。因此，如图2-8，N个原子排列起来结合成晶体，原来分属于N个单个原子的相同能级必须对应分裂的N个能量稍有差别的能级。这些能级互相靠得很近，分布在一定的能量区域。

我们将这能量区域中密集的能级形象地称为能带。由于能带中能级之间的能量差很小，所以通常可以把能带内的能级看成是连续的。在一般的原子中，内层电子的能级都是被电子填满的。当原子组成晶体后，与这些内层的能级相对应的能带也是被电子所填满的。在理想的绝对零度下，硅、锗、金刚石等共价键结合的晶体中，从其最内层的电子直到最外边的价电子都正好填满相应的能带。能量最高的是价电子填满的能带，称为价带。价带以上的能带基本上是空的，其中最低的带常称为导带。价带与导带之间的区域称为禁带。图2-9所示为绝缘体、半导体、导体的能带情况。一般，绝缘体的禁带比较宽，价带被电子填满，而导带一般是空的。半导体的能带与绝缘体相似，在理想的绝对零度下，也有被电子填满的价带和全空的导带，但其禁带比较窄。正因为如此，在一定的条件下，价带的电子容易被激发到导带中去。半导体的许多重要特性就是由此引起的。而导体的能带情况有两种：一是它的价带没有被电子填满，即最高能量的电子只能填充价带的下半部分，而上半部分空着；二是它的价带与导带相重迭。

上面关于能带形成的通俗论证是十分粗糙而不严格的。能带和原子能级之间的对应关系，并不象图2-8那样单纯，也并不永远都是一个原子能级对应于一个能带。并且，能带图并不实际存在，而只是用来着重说明电子的能量分布情况。关于这方面的较严格的论证，可参考有关资料。

3．半导体的导电机构

当在一块半导体的两端加上电压后，则价电子在无规则的热运动基础上迭加了由电场引起的定向运动，形成了电流，并且它的运动状态也发生了变化，因而其运动能量必然与原来热运动时有所不同。在晶体中，根据泡利不相容原理，每个能级上最多能容纳两个电子。因此，要改变晶体中电子的运动状态，以便改变电子的运动能量，使它跃迁到新的能级中去，一般需要满足两个条件：一是具有能向电子提供能量的外界作用；二是电子要跃入的那个能级是空的。

由于导带中存在大量的空能级，当有电场作用时，导带电子能够得到能量而跃迁到空的能级中去，即导带电子能够改变运动状态。这也就是说，在电场的作用下，导带电子能够产生定向运动而形成电流。所以导带电子是可以导电的。

如果价带中填满了电子而没有空能级，在外加电场的作用下，电子又没有足够能量激发到导带，那么，电子运动状态也无法改变，因而不能形成定向运动，也就没有电流。因此，填满电子的价带中的电子是不能导电的。如果价带中的一些电子在外界作用下跃迁到导带，那么在价带中就留下了缺乏电子的空位。可以设想，在外加电场作用下，邻近能级的电子可以跃入这些空位，而在这些电子原来的能级上又出现了新的空位。以后，其它电子又可以再跃入这些新的空位，这就好象空位在价带中移动一样，只不过其移动方向与电子相反罢了。因此，对于有电子空位的价带，其电子运动状态就不再是不可改变的了。在外加电场的作用下，有些电子在原来热运动上迭加了定向运动，从而形成了电流。

导带和价带电子的导电情况是有区别的，即：导带的电子愈多，其导电能力愈强；而价带的电子的空位愈多，即电子愈少，其导电能力就愈强。为了处理方便，我们把价带的电子空位想象为带正电的粒子。显然，它所带的电量与电子相等，符号相反。在电场作用下，它可以自由地在晶体中运动，象导带中的电子一样能够起导电作用，这种价带中的电子空位，我们通常称之为空穴。由于电子和空穴都能导电，一般把它们统称为载流子。

4、本征半导体导电特性

完全纯净和结构完整的半导体称为本征半导体。它的能带图如图2—10所示。其中图(a)是假设在绝对零度时，又不受光、电、磁等外界作用的本征半导体能带图。此时，导带没有电子，价带也没有空穴。因此，这时的本征半导体和绝缘体一样，不能导电。但是，由于半导体的禁带宽度Eg较小，因而在热运动或其它外界因素的作用下，价带的电子可激发跃迁到导带，如图2-10(b)所示。这时，导带有了电子，价带也有了空穴，本征半导体就有能力导电了。电子由价带直接激发跃迁到导带称为本征激发。对于本征半导体来说，其载流子只能依靠本征激发产生。因此，导带的电子和价带的空穴是相等的。这就是本征半导体的导电机构的特性。本征激发（热激发）：共价键中的价电子因受热作用而成为自由电子的过程。

本征激发使半导体内不断产生电子和空穴，同时它们又不断地进行着复合。产生和复合这对矛盾的对立统一，使半导体在一定温度下达到载流子数目的动态平衡。从而维持了一定数量的自由电子和空穴这种状态称为热平衡。

必须指出，常温下本征半导体中的电子、空穴是很少的，因而本征半导体的导电能力是很差的，所以它不能直接用来制造晶体管。

5、杂质半导体

在本征半导体中掺入一定数量的杂质就会使半导体的导电性能发生显著的变化，使它具有制造晶体管时所需要的特性，并且因掺入杂质元素的不同，可形成电子型半导体(N型半导体)和空穴型半导体(P型半导体)两大类（均成电中性）。

①P型半导体

如果在纯净的硅(或锗)中掺入少量的三价元素硼(或铝等)，就能得P型半导体，当硼(B)原子占据硅原子的位置并和四个相邻的硅原子共价结合时，由于硼只有三个价电子，要从附近硅原子中拿一个价电子来填补，这祥就在这个硅原子中产生了一个空穴，掺入的每一个硼原子都产生一个空穴，所以掺杂的半导体中空穴的数目就大大增加．

由于这些杂质原子必须接受一个电子才能与相邻的四个原子组成共价键，所以三价元素的硼叫做受主杂质，接受一个电子的杂质原子叫做受主离子。这种半导体主要是靠空穴导电的，所以也叫空穴型半导体。

②N型半导体

在纯净的硅(或锗)中掺入少量的五价元素杂质后，如磷(P)、砷(As)等，就能得到N型半导体。如在硅中掺入少量的磷(P)，则磷原子跑到硅里面去，它要占据原来硅原子的位置。磷原子拿出五个价电子中的四个与相邻硅原子组成共价键还多余一个价电子没有参加共价键，该价电子只受到磷原子核的吸引，在常温下很容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子。

如图所示。可见，掺入多少个磷原子就能产生多少个自由电子，杂质浓度越大，半导体中自由电子数就越多。(三)PN结与载流子的运动

1、PN结

PN结就是P型半导体和N型半导体交界的地方，这个交界处虽然很薄，但有许多特殊的电性能，它是晶体管、场效应管、晶闸管等半导体器件的核心部分。因此，它是整个半导体器件最重要的概念之一。

在一块半导体晶体的不同部位掺入不同的杂质，使得这块晶体的一部分呈P型半导体，另一部分呈N型半导体，则在P型和N型的交界处就形成了PN结。

2、载流子的运动（扩散和漂移）

当P型半导体和N型半导体结合在一起时，在它们交界的地方就要发生电子和空穴的扩散运动。因P区有大量的空穴(电子很少)，N区有大量的电子(空穴很少)这样，在P型和N型半导体的交界处就出现了浓度差，电子和空穴都要向浓度小的地方运动。形成空间电荷区，即如下图所示的内建电场： 内建电场阻碍空穴和电子的继续扩散，对空穴来说，电场力要把空穴推到P区，对电子来说，电场力要把电子拉到N区，电场力对载流子的这种作用叫做漂移作用．

由此可见，漂移作用和扩散作用二者是一对矛盾，有扩散运动就会产生内建电场，引起漂移运动，而漂移运动又削弱了扩散运动。当二者的作用相等时，就达到了动态平衡，这时空间电荷区的宽度和空间电荷数目就不再增加，内建电场也不再增强，PN结处于动态平衡状态，形成PN结。

由于空间电荷区存在着电场，所以在空间电荷区的两边就有电位差，这个电位差叫做接触电位差，通常也称为内建电势。一般硅PN结的接触电位差为0.5-0.8V，锗PN结的接触电位差为0.1-0.3V．

3、PN结的单向导电特性

如果在PN结上加一电压，当P区接正而N区接负时就有一定的电流通过，并且随外加电压的升高电流迅速增大；当P区接负而N区接正时，电流就很微小并且电流数值与外加电压关系不大。这就是PN结的单向导电特性。

P区接正N区接负，叫正向运用，这时的外加电压称为正向电压或正向偏置电压；P区接负N区接正，叫反向运用，这时的外加电压称反向电压或反向偏置电压。

①PN结加正向电压

由于阻挡层的电阻远大于P区和N区的体电阻，所以整个外加电压基本上全部加在阻挡层上．此时，外加电压产生的电场与内建电场方向相反，从而使PN结中总的电场减弱，这样PN结的平衡状态被破坏，P区中的空穴就不断地穿过空间电荷区向N区移动，而N区的电子也不断地穿过空间电荷区向P区移动。

虽然电子和空穴的运动方向相反，但它们所形成的电流却是相加的，即正向电流等于电子电流与空穴电流之和，从而形成比较大的正向电流，如图所示。

当P区空穴向N区移动，N区电子向P区移动时，它们首先就要和PN结中原来的一部分正负离子中和，结果使PN结变窄，其接触电位差比原来平衡时的数值减少了。当正向电压升高时，PN结中的电场就减弱得更多，P区移向N区的空穴就愈多，N区移向P区的电子也增多，因此正向电流随正向电压的增加而迅速上升。PN结表现为一个很小的电阻。

②PN结加反向电压

N区接电源的正极，P区接电源的负极，这是PN结反向运用的情况。此时，外加电压产生的电场方向与内建电场的方向一致，PN结中总的电场加强了。在外加电场的作用下，阻挡层左边P区的空穴和阻挡层右边N区的电子都将进一步离开PN结，于是阻挡层(空间电荷区)加宽了，阻挡层两端的电位差也增加了．因此，P区和N区的多数载流子穿过阻挡层的扩散运动受阻，由多数载流子形成的电流等于零。

实际上，PN结在反向工作时还有一定的微小电流，这是由P区少数载流子(电子)和N区少数载流子(空穴)在电场力的作用下形成的．称为PN结的反向电流，它的大小与外加电压基本无关，但它随温度而变化．由于反向电流一般很小(因P区的电子和N区的空穴很少)，PN结表现为一个很大的电阻，所以仍认为PN结外加反向电压时基本上不导电．

综上所述，PN结加正向电压时，PN结电阻很小，电流畅通；PN结加反向电压时，PN结电阻很大，反向电流很小，接近于零，PN结不导通。所以，PN结具有单向导电特性．

必须指出，由于热运动产生的少数载流于所形成的反向电流，当温度升高时，因热激发增强而会使反向电流急剧增加，这是造成PN结工作不稳定的原因，在实际应用中必须注意这个问题．

当加到PN结上的反向电压超过一定数值时，反向电流就有明显的增加，甚至突然猛增，这种现象叫PN结的击穿。PN结击穿后，其单向导电特性遭到了破坏，同时可能因反向电流过大而使PN结烧坏。

击穿并不一定是坏事。在电子线路中常用的硅稳压管就利用了击穿现象。因为它击穿以后，通过PN结的电流可以有相当大的变化而其两端电压却变化很小，所以起到了稳压作用。另外，PN结击穿了并不等于就坏了，只要在线路中接一个保护电阻，使反向电流不超过PN结所容许的最大电流，则反向电压减小后PN结是可以恢复的。

(四)半导体异质结

由于半导体外延技术的发展，从60年代开始，可以将禁带宽度不同的两种半导体材料，生长在同一块晶体上，且可以按人们的意志做成突变的或缓变的结，这种由两种不同质的半导体材料接触而组成的结称为半导体异质结

按照两种材料的导电类型不同，异质结可分为同型异质结（P-p结或N-n结）和异型异质(P-n或p-N)结，多层异质结称为异质结构。通常形成异质结的条件是：两种半导体有相似的晶体结构、相近的原子间距和热膨胀系数。利用界面合金、外延生长、真空淀积等技术，都可以制造异质结。异质结常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。

所谓半导体异质结构，就是将不同材料的半导体薄膜，依先后次序沉积在同一基座上。例如图2所描述的就是利用半导体异质结构所作成的雷射之基本架构。半导体异质结构的基本特性有以下几个方面。

(1)量子效应：因中间层的能阶较低，电子很容易掉落下来被局限在中间层，而中间层可以只有几十埃（1埃＝10-10米）的厚度，因此在如此小的空间内，电子的特性会受到量子效应的影响而改变。例如：能阶量子化、基态能量增加、能态密度改变等，其中能态密度与能阶位置，是决定电子特性很重要的因素。

(2)迁移率(Mobility)变大：半导体的自由电子主要是由于外加杂质的贡献，因此在一般的半导体材料中，自由电子会受到杂质的碰撞而减低其行动能力。然而在异质结构中，可将杂质加在两边的夹层中，该杂质所贡献的电子会掉到中间层，因其有较低的能量（如图3所示）。因此在空间上，电子与杂质是分开的，所以电子的行动就不会因杂质的碰撞而受到限制，因此其迁移率就可以大大增加，这是高速组件的基本要素。

(3)奇异的二度空间特性：因为电子被局限在中间层内，其沿夹层的方向是不能自由运动的，因此该电子只剩下二个自由度的空间，半导体异质结构因而提供了一个非常好的物理系统可用于研究低维度的物理特性。低维度的电子特性相当不同于三维者，如电子束缚能的增加、电子与电洞复合率变大，量子霍尔效应，分数霍尔效应[1]等。科学家利用低维度的特性，已经已作出各式各样的组件，其中就包含有光纤通讯中的高速光电组件，而量子与分数霍尔效应分别获得诺贝尔物理奖。

异质结

(4)人造材料工程学：半导体异质结构之中间层或是两旁的夹层，可因需要不同而改变。例如以砷化镓来说，镓可以被铝或铟取代，而砷可以用磷、锑、或氮取代，所设计出来的材料特性因而变化多端，因此有人造材料工程学的名词出现。最近科学家将锰原子取代镓，而发现具有铁磁性的现象，引起很大的重视，因为日后的半导体组件，有可能因此而利用电子自旋的特性。此外，在半导体异质结构中，如果邻近两层的原子间距不相同，原子的排列会被迫与下层相同，那么原子间就会有应力存在，该应力会改变电子的能带结构与行为。现在该应力的大小已可由长晶技术控制，因此科学家又多了一个可调变半导体材料的因素，产生更多新颖的组件，例如硅锗异质结构高速晶体管。

五、半导体对光的吸收

物体受光照射，一部分光被物体反射，一部分光被物体吸收，其余的光透过物体。那些被物体所吸收的光，将改变物体的一些性能。

1、本征吸收

半导体材料吸收光的原因，在于光与处在各种状态的电子、晶格原子和杂质原子的相互作用。其中最主要的光吸收是由于光子的作用使电子由价带跃迁到导带而引起的，这种吸收就称为本征吸收。

2、杂质吸收

处于杂质能级中的电子与空穴，也可以引起光的吸收。N型半导体未电离的杂质原子，吸收光子能量hν 大于电离能ΔED，则杂质原子的外层电子将从价带跃入导带，成为自由电子；P型半导体吸收光子能量hν大于ΔEA，则价电子产生电离，成为空穴，即称杂质吸收。

不同的电离能有不同的长波限，掺杂的杂质不同，吸收就可以在很宽的波段内产生。

3、激子吸收

在某些情况下，电子在价带中空穴库仑场的束缚下运动．形成可动的电子—空穴对，称为激子。

激子的能量小于自由电子的能量，因此能级处在禁带中。激于子作为一个整体可以在晶格内自由运动，然而它是电中性的，不能产生电流。

4、自由载流子吸收

在半导体材料的红外吸收光谱中发现，在本征吸收限长波测还存在着强度随波长而增加的吸收。这种吸收是由于自由载流子在同一能带内不同能级之间的跃迁而引起的，因此称为自由载流子吸收。

当半导体处于足够低的温度中时，电子与晶格的联系显得非常微弱．此时吸收的辐射，使载流子在带内的能量分布发生显著变化。这种现象虽不引起载流子浓度的变化，但由于电子的迁移率依赖于能量，所以上述过程导致迁移率改变．从而使这种吸收引起电导率的改变。

5、晶格吸收

在这种吸收过程中，光子直接转变成晶格原子的振动。宏观上表现为温度升高，引起物质的热敏效应。

以上五种吸收中，只有本征吸收和杂质吸收能产生光电效应。

* 重点：

半导体特性、载流子的运动、PN结以及三种光电效应。* 难点：

能带理论、PN结的三种接触方式。

* 引导学生解决重点难点的方法、例题： 通过结合现实生活，加强学生对知识的理解。

 本授课单元教学手段与方法：

本堂课是理论课，采用PPT课件讲授以及结合现实生活。 本授课单元思考题、讨论题、作业：

1、详细讨论光电发射过程；

2、PN结的不断发展主要解决哪些问题？

 本授课单元参考资料（含参考书、文献等，必要时可列出）

[1] 吴杰编著，《光电信号检测》，哈尔滨工业出版社，1990 [2] 高稚允等编著，《光电检测技术》，国防工业出版社，1995

第五篇：电器电子产品质量保证书

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