中国科学院半导体材料研究所招生简章

第一篇：中国科学院半导体材料研究所招生简章

半导体研究所

2011年硕士招生专业目录

中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其 应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实 验室、2个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科研仪器设备和设施，承担着一 批国家重点科技支撑项目（如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等），及地方、企业委托项目等。

半导体所是国家首批设立博士后流动站的设站单位和博士、硕士学位授予单位，是

中国科学院博士生重点培养基地之一，现有3个博士后流动站、4个博士学位授权点、5个 学术型硕士学位授权点及3个专业学位硕士（工程硕士）授权点。

研究所现有在职职工640余人，其中科技人员460余人，中国科学院院士7名、中国工 程院院士2名，研究员及正高级工程技术人员79名、副研究员及高级工程技术人员119名，中国科学院“百人计划”入选者及国家杰出青年科学基金获得者36名、国家百千万人 才工程入选者6名。半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合 理的研究生指导教师队伍，现有研究生导师106人，其中博士生导师68人。

研究所目前在学研究生536名，博士后在站人员28名，研究生已经成为半导体所科研 工作的生力军。自知识创新工程启动以来，半导体所累计有4人次获全国百篇优秀博士论 文，4人次获院长奖学金特别奖，29人次获院长奖学金优秀奖，其他奖项49项。半导体所 实行研究生兼任研究助理的方式，为研究生提供优越的科研和生活条件，研究生可以直接 参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。

半导体所2011年预计招收学术型硕士学位研究生102名、专业学位硕士研究生（工程 硕士）10名，所有招生专业（含工程硕士）均接收推荐免试生，共拟接收推免生50～60 名。热忱欢迎广大考生报考！

网址：http://www.xiexiebang.com

单位代码：80136北京市海淀区清华东路邮政编码:100083地址： 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

070205凝聚态物理共..半导体掺杂机制和纳米01.112 人 ①101思想政治理论②201..材料的研究英语一③301数学一④977 固体物理或978量子力学

半导体低维结构材料、02.同上..宽带隙半导体材料、半 导体光伏材料与器件和 半导体材料物理

半导体量子结构中自旋03.同上..相关的物理过程研究

半导体微纳结构理论04.同上..半导体中磁性杂质电子05.同上免试推荐和硕博..态的自旋特性与操控连读

半导体自旋电子的实验06.同上要求硕博连读..第1页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136北京市海淀区清华东路地址：邮政编码:100083 甲35号

联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 研究

半导体自旋电子学07.同上 半导体自旋电子学基础08.同上 物理理论研究

单光子/纠缠光子发射09.同上 器件、单量子点中电子 /空穴/核自旋相互作用

低维纳米结构、材料和10.同上 新量子器件原理

石墨烯光电子学；低维11.同上要求硕博连读 纳米材料光学性质

石墨烯和拓扑绝缘体12.同上

铁磁半导体器件研究及13.同上具有较强的动手 碳基电子学器件的研究能力和扎实的物 理基础

固体量子计算和量子通14.同上 信的基础物理研究

半导体低维量子结构的15.同上 电子态

自旋相关的电子输运和16.同上 光学性质

半导体与金属复合微纳17.同上 结构中光电耦合效应 080501材料物理与化学

GaN同质衬底的制备01.①101思想政治理论②201 英语一③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

半导体低维结构材料02.同上 宽带隙半导体材料03.同上

半导体低维结构材料物04.同上物理系毕业及有 理科研经历者优先

第2页2010年8月27日10时46分12秒

单位代码：80136 联系部门：研究生部

北京市海淀区清华东路地址： 甲35号

电话：010-82304321 邮政编码:100083 联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

宽带隙半导体材料和材05.同上 料物理

半导体低维纳米材料制06.同上 备及其器件应用

半导体功能材料及其器07.同上 件应用

半导体光伏材料与器件08.同上 和半导体材料物理

半导体纳米功能材料及09.同上 其器件应用

宽带隙半导体材料与应10.同上 用

半导体纳米结构及器件11.同上 研究

氮化物LED材料和器件12.同上 研究

III族氮化物材料生长13.同上 用MOCVD等重大装备研 制；半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

氮化物材料生长与应用14.同上 研究；新型高效太阳电 池制备与性能研究；新 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

低成本太阳能级多晶提15.同上 纯技术、材料性能与电 池制备；CdTeCIGS材 料制备及薄膜太阳能电 池应用 高功率全固态激光器及16.同上

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学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 其应用研究

高效硅基薄膜太阳电池17.同上..相关技术研究

红外量子材料及器件(18.同上..量子级联激光器、探测 器；太赫兹材料及器件..)化合物半导体(GaSb、I19.同上..nAs、InP、ZnO、AlN)缺陷、杂质及物性研究

宽禁带半导体材料物理20.同上..与应用

全固态激光器及非线性21.同上..频率变换

新型高效率太阳电池技22.同上..术研究；GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

有机/无机复合半导体23.同上..材料与器件

有机电致发光材料和器24.同上..件应用

太阳电池制备与性能研25.同上..究

080901物理电子学

Si基高效太阳电池研究01.①101思想政治理论②201..英语一③301数学一④976 半导体物理或977固体物 理

半导体光电探测器、单02.同上..光子探测及电路；高效 太阳电池基础研究 半导体量子点材料与量03.同上..第4页2010年8月27日10时46分12秒

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联系部门：研究生部电话：010-82304321联系人：徐金威 学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注 子器件，半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

大功率半导体激光器04.同上学习过半导体或 光电子课程，硕 博连读

氮化镓基激光器；新型05.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化镓基蓝紫光激光器06.同上 和太阳盲紫外焦平面探 测器的设计和研制；基 于III-V族半导体的红 外焦平面探测器

非线性全光逻辑及全光07.同上 信号处理；芯片光互连、高速光调制/光开关 ；通讯用有源、无源光 器件

高效硅基太阳电池08.同上物理系毕业者优 先

光电子与信号处理、光09.同上 纤传感技术

光通信、光传感系统与10.同上 器件

光子晶体材料、物理、11.同上物理类学生优先 器件与集成

光子微结构材料物理光12.同上物理或光电子专 学特性及其器件研究业考生优先

硅基光波导无源器件、13.同上物理、电子、电 光波导传感器力或生物专业

基于硅基光电子的波导14.同上硕博连读

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考 试 科 目备 注 器件、光开关、调制器 和片上光互连系统，光 移相器与慢光器件等

量子点及锑化物二类超15.同上 晶格MBE材料生长，量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱16.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究；新型 高效太阳能电池研究

锑化物二类超晶格红外17.同上 激光器的研究、表面等 离子激元材料及器件研 究、纳米光源的研究

微波功率晶体管、量子18.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微纳光电子器件及集成19.同上熟悉光波导基本 研究理论及半导体光 电子器件

微纳光子学器件物理、20.同上 微腔激光器及光集成

新型半导体材料和器件21.同上 研究

新型光电子器件；硅基22.同上 光子学研究

新型光电子器件及其应23.同上 用

新型信息光电子器件、24.同上

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考 试 科 目备 注 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

利用光子学和微纳加工25.同上硕博连读..技术研制基因测序芯片、Lab on chip等生物 传感器

量子点红外探测器及锑26.同上..化物二类超晶格红外探 测器的研究；锑化物二 类超晶格红外激光器的 研究；大功率半导体激 光器的研究

080902电路与系统

半导体人工神经网络硬01.①101思想政治理论②201..件化实现及其应用研究英语一③301数学一④856 电子线路或859信号与系 统

光电信息探测及成像02.同上..光电应用03.同上..目标探测、识别与跟踪04.同上..技术、系统

图像处理与模式识别新05.同上..理论、新方法

先进射频毫米波集成电06.同上..路设计

高速智能图像传感器芯07.同上..片设计

智能感知与先进计算模08.同上..型、算法及其应用技术

多信息融合技术09.同上..时空三维重建可视化技10.同上..第7页2010年8月27日10时46分12秒

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学科、专业名称（代码）总招生 考 试 科 目备 注 研究方向人数

术

11.机器学习与智能计算技 同上 术、系统

080903微电子学与固体电子业务课二:选光电

学子方向为976半导 体物理与977固体 物理，二选一；选 微电子方向为976 半导体物理与856 电子线路，二选一

01.新型微电子、光电子器 ①101思想政治理论②201 件及其集成技术的研究

英语一③301数学一④856、开发、中试规模的生

电子线路或976半导体物 产（微电子、光电子方

理或977固体物理 向均可）

02.新型微电子、光电子器 同上

件及其集成技术的研究、开发与应用（微电子、光电子方向均可）

03.量子阱红外探测器（微 同上

电子、光电子方向均可）

04.半导体纳米器件和电路 ①101思想政治理论②201 英语一③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

05.高速数模混合电路系统 同上 集成研究

06.高速智能图像传感器芯 同上 片设计

07.图画与动漫的自动生成 同上

硕博连读

08.微纳机电系统 同上

硕博连读

09.先进射频毫米波集成电 同上 路设计

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考 试 科 目备 注

新型微机电（MEMS）器10.同上 件与系统的研究

新型信息光电子器件、11.同上 射频与光电子集成电路、高速并行光传输模块 与系统

半导体低维结构材料、12.①101思想政治理论②201 宽带隙半导体材料、半英语一③301数学一④976 导体光伏材料与器件和半导体物理或977固体物 半导体材料物理理

半导体材料与器件物理13.同上 半导体光电探测器、单14.同上 光子探测及电路；高效 太阳电池基础研究

半导体量子点材料与量15.同上 子器件，半导体异质结 兼容低维材料与光电子 器件

半导体新型量子结构器16.同上 件

大功率半导体激光器17.同上学习过半导体或 光电子课程，硕 博连读

大功率宽禁带SiC外延18.同上微电子专业考生 材料与器件制造技术研 究

氮化镓基激光器；新型19.同上硕博连读 宽禁带半导体光电子器 件

氮化物材料生长与应用20.同上 研究；新型高效太阳电 池制备与性能研究；新

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考 试 科 目备 注 型异质结半导体高效光 伏材料与器件

III族氮化物材料生长21.同上..用MOCVD等重大装备研 制；半导体低维结构材 料、宽带隙半导体材料 和器件应用

高效硅基太阳电池22.同上物理系毕业者优..先

光电子集成器件；新型23.同上学过固体物理、..光伏材料和器件半导体物理、量 子力学、光电子 学课程，动手能 力较强

光电子学、集成光电子24.同上..、光子晶体材料、物理、器件与集成

光通信、光传感系统与25.同上..器件

光子晶体材料、物理、26.同上物理类学生优先..器件与集成

硅基光电子材料和器件27.同上..红外量子材料及器件(28.同上..量子级联激光器、探测 器；太赫兹材料及器件..)基于InP光电子器件的29.同上..集成

宽禁带半导体材料生长30.同上..与光电子器件研制

新型光电子器件及其应31.同上..用

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考 试 科 目备 注

宽禁带半导体材料物理32.同上 与应用；半导体纳米功 能材料及其器件应用

量子点及锑化物二类超33.同上 晶格MBE材料生长，量 子点及锑化物二类超晶 格红外探测器及激光器 研究

纳米结构半导体量子阱34.同上硕博连读、量子点材料生长与激 光器等应用研究；新型 高效太阳能电池研究

微波功率晶体管、量子35.同上 点晶体管探测器、高效 太阳能电池、半导体存 储器

微波光电子学36.同上

新型光电子器件；硅基37.同上 光子学研究

用于光通信与光信息处38.同上 理的片上集成光子器件 与系统；并行超高速光 学数字信号处理器

针对光纤通信和光网络39.同上 的基于InP的光电子集 成

高迁移率CMOS器件40.同上物理学、光学、光电、材料专业 者优先

量子点晶体管探测器、41.同上 高效太阳能电池

微纳结构在高增益弱光42.同上

第11页2010年8月27日10时46分12秒

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考 试 科 目备 注 探测中的应用

光子集成、光子晶体43.同上..新型高效硅薄膜电池的44.同上半导体物理基础..结构设计好，半导体光电 相关专业

085204材料工程

GaN基半导体材料及其01.①101思想政治理论②204..应用、产业化开发英语二③302数学二④976 半导体物理或977固体物 理

薄膜和微结构半导体材02.同上..料科学技术

纳米电子、光子材料及03.同上..器件

LED光效率提升研究04.同上..GaN LED外延技术开发05.同上..新型高效率太阳电池技06.同上..术研究；GaN基稀磁半 导体薄膜材料的研究

GaN基第三代半导体发07.同上..光器件关键技术工程化 研究

石墨烯光电子学08.同上..半导体照明及其重大装09.同上..备

085208电子与通信工程

表面等离子激元材料及01.①101思想政治理论②204..器件研究，新型半导体英语二③301数学一④856 激光器研究电子线路或976半导体物 理

GaN基半导体材料及其02.同上..应用、产业化开发

第12页2010年8月27日10时46分12秒

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北京市海淀区清华东路地址： 甲35号

电话：010-82304321 邮政编码:100083 联系人：徐金威

学科、专业名称（代码）研究方向 总招生 人数

考 试 科 目备 注

GaN基第三代半导体发03.同上 光器件关键技术工程化 研究

光纤激光器与光纤传感04.同上 用于光通信与光信息处05.同上 理的片上集成光子器件 与系统

085209集成电路工程

数模混合集成电路01.①101思想政治理论②204 英语二③301数学一④856 电子线路或976半导体物 理

半导体纳米器件和电路02.同上 激光器驱动与探测模块03.同上

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第二篇：中共中国科学院半导体研究所委员会

中共中国科学院半导体研究所委员会

半发党字„2009‟8号

★

关于印发《中共中国科学院半导体所

党务公开实施方案》的通知

所属各有关部门：

现将《中共中国科学院半导体所党务公开实施方案》下发所属各有关部门。

附件：1.中共中国科学院半导体所党务公开实施方案

2.中共中国科学院半导体所党务公开工作领导小组

二〇〇九年十一月三十日

附件1：

中共中国科学院半导体所党务公开实施方案

为贯彻落实党的十七大和十七届四中全会关于推行党务公开的要求，根据《中国科学院京区党的基层组织实行党务公开的实施意见》和《中国共产党党内监督条例》，为进一步落实科学发展观，加大社会监督力度，推动党内民主，完善党务管理，落实党员干部对党内事物、政务活动的知情权、参与权和监督权，推进党务公开工作全面开展，特制定《中共中国科学院半导体所党务公开实施方案》。

一、指导思想和重要意义

推行基层党组织党务公开，要坚持以邓小平理论和“三个代表”主要思想为指导，全面落实科学发展观，坚持党要管党，从严治党的方针。党务公开是增强党的工作透明度，保障党员民主权利，使党员更好地了解和参与党内事务，是加强党内监督、密切党群关系、促进党风廉政的有效途径，对于以改革创新精神全面推进党的建设具有重要意义。

二、基本原则

1．依法依纪原则。按照宪法、法律法规以及党章、党的方针政策和其他党内法规，依法依纪进行党务公开。使公开的程序规范，内容真实，使党务公开工作逐步实现规范化、制度化和科学化。

2．真实公正原则。认真落实《中国共产党党内监督条例（试行）》规定的有关监督制度，落实《党员权利保障条例》，尊重和保障党员、干部群众的知情权、监督权，坚持实事求是，做到内容真实可信，结果公平公正。

3．注重实效原则。坚持从实际和效果出发，增强党务公开的针对性。既方便群众知情参与、又保障党员干部的民主权利，采取合适的公开形式，讲求形式和效果的统一。

4．积极稳妥、适度公开的原则。坚持固定内容长期公开，常规问题定期公开，热点问题随时公开，重点问题适时公开，对涉及全局性重大问题，按照集体领导、民主集中、个别酝酿、会议决定的原则，党组织班子集体讨论后作出决定。

5．循序渐进、逐步深入原则。在党务公开过程中，针对广大党员民主意识普遍增强、了解和参与党内事物的愿望日益迫切的新情况，不断拓宽广大党员参与公开的渠道，通过所务公开网、宣传栏和座谈会等形式，使党务公开经常化、规范化、程序化。

三、党务公开内容目录、程序

（一）内容目录

1．党组织决议、决定及执行情况

2．领导班子建设

3．党委成员及分工

4．党务信息

5．党组织生活

6．组织发展

7．党支部设置及工作

8．自律与监督

9．党费使用

10．党员/积极分子培训

11．反腐倡廉警示录---违纪违法案例

12．民主生活会

13．志愿者活动

（二）程序

1．将所务公开网原有的“党建工作”改为“党务公开”，并增加6项内容：党组织决议、决定及执行情况；领导班子建设；党委成员及分工；党支部设置及工作；党员/积极分子培训；反腐倡廉警示录---违纪违法案例。

2．购买《中国共产党党员权利保障条例》、《中国共产党党内监督条例（试行）》、《中国共产党中国共产党员纪律处分条例》发至党支部,并将以上内容在所务公开网上开辟专栏。

3．将中科院近年来在基建、财务、职务等违纪违法案例输入上网，达到警示目的。

4．补充日常性公开目录内容。

5．涉及重大决策、重要干部任免等党内重大问题，要采取先党内后党外的顺序进行公开。有的事项可按照上级党组织要求仅限于党内公布，涉及党和国家秘密的不公开，或按规定仅在党内特定范围内公开。

6．积极收集党内外意见，及时整理反馈。

7．全部内容在2009年12月30日前完成。

半导体所党务公开要紧紧围绕提高党的执政能力和拒腐防变能力，从实际出发，发展党内民主，加强党的先进性建设，使党的民主集中制得到有效保证，党内监督和社会监督得到加强，使党组织与群众沟通的渠道更加通畅，党内事务不断透明，形成党务公开与所务公开有机结合，相互促进的局面，不断探索和建立基层党组织实行党务公开工作的长效机制。

附件2：中共中国科学院半导体所党务公开工作领导小组

为切实加强党务公开，不断提高党的执政能力，加强和改进党建工作，建立中共中国科学院半导体所党务公开工作领导小组：组长：陈树堂

副组长：李晋闽

成员：俞育德、陈弘达、李树深、赵玲娟、王国宏、张士力

领导小组下设办公室：

主 任：李树深

成 员：刘 力、葛 婷、张海峰、阎 军、慕 东、韩伟华、倪

海桥、李卫军、左玉华、赵有文、郑婉华、主题词：党务 公开 方案 通知

中共中国科学院半导体研究所委员会2009年12月1日印发

第三篇：中国科学院微电子研究所2014年招生简章

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殷华湘男 1974年出生研究员博士生导师

欧文男 1969年出生研究员硕士生导师

欧毅男 1975年出生副研究员硕士生导师

杨清华男 1976年出生副研究员硕士生导师

粟雅娟女 1975年出生副研究员硕士生导师

景玉鹏男 1963年出生研究员硕士生导师

李超波男 1979年出生副研究员硕士生导师

陈波男 1972年出生研究员硕士生导师

刘键男 1963年出生研究员硕士生导师

w 集成电路与系统设计技术

该方向为二室、五室、六室、七室、十一室的主要研究方向。本研究方向从系统应用需求出发，研究信号处理算法、低功耗电路、嵌入式处理器内核、多频多模的射频收发系统、SOC和可重构多处理器的芯片架构及设计方法。本研究方向涉及通讯系统理论、信号处理、基带算法、图像压缩算法、数模混合低功耗电路设计、嵌入式处理器设计、软硬件协同SOC芯片设计、可重构多核处理器架构、射频及模拟集成电路等研究领域，是一个学科交叉性强的研究方向。

导师简介

叶甜春男 1965年出生研究员博士生导师所长

周玉梅女 1962年出生研究员博士生导师副所长

黑勇男 1974年出生研究员博士生导师

梁利平男 1969年出生研究员博士生导师

于芳女 1960年出生研究员博士生导师

陈杰男 1964年出生研究员博士生导师

阎跃鹏男 1963年出生研究员博士生导师

张立军男 1963年出生研究员博士生导师

陈岚女 1968年出生研究员博士生导师

任卓翔男 1957年出生研究员博士生导师

张海英女 1964年出生研究员博士生导师

袁国顺男 1966年出生研究员博士生导师

马成炎男 1963年出生研究员博士生导师

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韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师

胡国荣男 1966年出生研究员博士生导师

蒋见花女 1976年出生副研究员硕士生导师

赵野男 1977年出生副研究员硕士生导师

张锋男 1977年出生副研究员硕士生导师

吴斌男 1976年出生研究员硕士生导师

乔树山男 1981年出生副研究员硕士生导师

杨骏男 1966年出生研究员硕士生导师

张浩男 1975年出生副研究员硕士生导师

杜占坤男 1975年出生副研究员硕士生导师

李金海男 1978年出生副研究员硕士生导师

吴玉平男 1968年出生研究员硕士生导师

吕志强男 1974年出生副研究员硕士生导师

程亚奇男 1958年出生副研究员硕士生导师

郝学飞男 1973年出生副研究员硕士生导师

卢小冬男 1973年出生副研究员硕士生导师

罗家俊男 1973年出生副研究员硕士生导师

周莉女 1977年出生副研究员硕士生导师

鲁振鹏男 1969年出生副研究员硕士生导师

巴晓辉男 1980年出生副研究员硕士生导师

鲁郁男 1974年出生副研究员硕士生导师

徐建华男 1963年出生高级工程师硕士生导师

李晓江男 1972年出生高级工程师硕士生导师

莫太山男 1979年出生副研究员硕士生导师

w 高性能器件与电路集成技术

该方向为一室、二室、四室的主要研究方向。本研究方向针对空间等辐射应用环境的电子系统，进行高可靠性半导体集成电路与功率器件研究。研究内容包括SOI集成电路及半导体功率器件的辐射效应、辐射机理、辐射加固技术、辐射试验方法等。通过这些方面的研究可以探索集成电路及半导体功率器件可靠性的科学问题，培养科技人才，为保障我国的航天工程电子系统的可靠性奠定坚实基础。

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导师简介

韩郑生男 1962年出生研究员博士生导师

周玉梅女 1962年出生研究员博士生导师副所长

于芳女 1960年出生研究员博士生导师

陈杰男 1964年出生研究员博士生导师

刘洪刚男 1974年出生研究员博士生导师

贾锐男 1974年出生研究员博士生导师

杜寰男 1963年出生研究员硕士生导师

朱阳军男 1980年出生副研究员硕士生导师

孙宝刚男 1969年出生副研究员硕士生导师

李多力男 1977年出生副研究员硕士生导师

王立新男 1976年出生研究员硕士生导师

刘刚男 1979年出生副研究员硕士生导师

w 射频、微波器件与电路集成技术

该方向为四室、六室、十一室的主要研究方向。本研究方向针对射频、微波电路的应用和发展趋势开展研究：针对射频电路的应用，致力于基于各种标准的射频集成电路及模块研发、射频集成电路IP核设计、医疗电子和医疗信息化硬件开发等方面的应用研究;针对系统在小型化、高功率的要求，采用GaN宽禁带半导体发展高功率密度的微波器件和单片集成电路的研究;针对通信大容量、探测高精度的发展趋势，采用InP材料研究实现毫米波和亚毫米波器件和电路。

导师简介

吴德馨女 1936年出生中科院院士博士生导师

刘新宇男 1973年出生研究员博士生导师副所长

金智男 1970年出生研究员博士生导师

刘洪刚男 1974年出生研究员博士生导师

阎跃鹏男 1963年出生研究员博士生导师

张立军男 1963年出生研究员博士生导师

张海英女 1964年出生研究员博士生导师

万里兮男 1955年出生研究员博士生导师

申华军男 1977年出生副研究员硕士生导师

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陈晓娟女 1979年出生副研究员硕士生导师

郑英奎男 1973年出生高级工程师硕士生导师

魏珂男 1971年出生高级工程师硕士生导师

杨浩男 1978年出生副研究员硕士生导师

尹军舰男 1974年出生副研究员硕士生导师

张轩雄男 1963年出生研究员硕士生导师

白云女 1978年出生副研究员硕士生导师

罗卫军男 1981年出生副研究员硕士生导师

樊晓华男 1976年出生研究员硕士生导师

郝明丽女 1979年出生副研究员硕士生导师

黄水龙男 1975年出生副研究员硕士生导师

w 三维集成与系统封装技术

该方向为九室的研究方向。研究内容涉及多学科：数学、化学、物理、电子技术、半导体技术、机械等等，是一个综合性很强的新学科。除专门从事先进封装技术的研究，还进行光互连技术研究。主要研究先进电子封装技术与应用开发，包括高密度先进封装、三维封装、系统级封装等封装技术，以及高速并行光互连技术等。承担了包括国家重大专项，863项目在内的多项国家科学研究任务。

导师简介

万里兮男 1955年出生研究员博士生导师

曹立强男 1974年出生研究员博士生导师

王慰男 1969年出生研究院博士生导师

于大全男 1976年出生研究员博士生导师

李志华男 1975年出生副研究员硕士生导师

李宝霞女 1977年出生副研究员硕士生导师

w 新型纳米器件与集成技术

该方向为三室、四室研究方向。本研究方向以国家重大需求为导向，瞄准先进的纳米加工技术和新结构纳米电子器件及集成系统中基础性、前瞻性的科学问题，加强先进的纳米加工的基础研究，不断探索新的纳米加工手段，设计和研制基于新原理、新结构的器件;围绕新结构纳米电子器件和集成系统在超高频、低功耗、大输出功率密度和新原理的特点，对基础的科学问题进行深入探索。

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导师简介

马俊如男研究员博士生导师研究所顾问

刘明女 1964年出生研究员博士生导师

谢常青男 1971年出生研究员博士生导师

霍宗亮男 1975年出生研究员博士生导师

李冬梅女 1965年出生研究员硕士生导师

龙世兵男 1977年出生副研究员硕士生导师

姬濯宇男 1979年出生副研究员硕士生导师

朱效立男 1977年出生副研究员硕士生导师

李泠男 1976年出生研究员硕士生导师

周静涛男 1975年出生副研究员硕士生导师

w 物联网与传感器技术

该方向为二室、六室、十室、十一室、物联网中心的研究方向。物联网是国家战略新兴产业之一，同时也是信息技术发展的新阶段。物联网与传感技术方向重点研究物理信息处理及网络化服务相关核心关键技术，为物联网规模化应用提供核心技术。重点研究内容包括物联网新系统结构、传感器加工技术、物联网核心芯片、新型传感器、传感与处理融合芯片、智能传感器、新型链状网络技术、物联网主动安全与车联网应用解决方案等。

导师简介

叶甜春男 1965年出生研究员博士生导师所长

陈大鹏男 1968年出生研究员博士生导师副所长

陈岚女 1968年出生研究员博士生导师

黑勇男 1974年出生研究员博士生导师

梁利平男 1969年出生研究员博士生导师

王慰男 1969年出生研究院博士生导师

钟汇才男 1973年出生研究员博士生导师

殷华湘男 1974年出生研究员博士生导师

于大全男 1976年出生研究员博士生导师

胡国荣男 1966年出生研究员博士生导师

马成炎男 1963年出生研究员博士生导师

牟荣增男 1972年出生研究员硕士生导师

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陈曙东女 1977年出生研究员硕士生导师

李庆男 1972年出生副研究员硕士生导师

郎宝军男 1963年出生研究员硕士生导师

慕福奇男 1957年出生研究员硕士生导师

王玮冰男 1977年出生副研究员硕士生导师

徐静波男 1979年出生副研究员硕士生导师

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第四篇：中国科学院计算技术研究所 2015年推荐免试研究生招生简章

中国科学院计算技术研究所 2015年推荐免试研究生招生简章 2015年，计算技术研究所继续接收具有推荐免试资格的优秀应届本科毕业生免试攻读硕士学位研究生（包括学术型和专业型硕士学位研究生),同时还接收推免生直接攻读博士学位（直博生）。

一、申请条件

凡（预计）在高等院校能获得推免资格的优秀应届本科毕业生，并且满足如下条件的学生均可申请：

1.热爱科学事业，有较好的科研潜力，道德品质良好，遵纪守法； 2.所在学校必须是教育部规定的当年具有免试生推荐资格的高校；

3.大学本科阶段学习成绩优异，在学期间无重修科目或补考记录，在校期间没有受过纪律处分；

4.计算机或自动化、电子、通信、数学、无线电等相关专业； 5.外语程度良好，具有较强的外语听、说、读、写能力； 6.身体健康状况符合国家规定的体检标准，心理健康状况良好； 7.学习及科研兴趣浓厚，且有较强的分析问题和解决问题的能力。

二、申请材料

1）《中国科学院大学推荐免试攻读硕士学位研究生申请表》（在“中国科学院大学推荐免试生申请系统”http://admission.ucas.ac.cn/中填写后打印）。

2）大学本科前三年所修课程成绩单（五年制的提供前四年课程成绩单。成绩单需加盖学校教务部门或者院系公章。如暂时无法提交，最迟可于10月10日前补交）；

3）本人在本年级专业学习成绩（或综合成绩）排名证明（请标明参与排名的总人数并加盖学校教务部门或者院系公章。如暂时无法提交，最迟可于10月10日前补交）；

4）英语等级证书复印件； 5）身份证、学生证复印件；

6）所在学校教务部门开具的推荐免试生资格证明（最迟在10月10日前补交到）； 7）《中国科学院计算技术研究所报考研究生政审表》，由考生所在院系填写并盖院系党总支或学生处章；

8）对申请有参考价值的其它材料（如专家推荐信、大学期间的获奖证书复印件、发表的学术论文、个人简历及专业学习情况介绍等，可自愿提交）。

以上材料须于9月15日（此批次）前和10月8日（最后一批拟录取）前用EMS快递寄送到：北京市海淀区中关村科学院南路6号中科院计算所研究生部卢文平收，多投无效。导师与研究室（中心）、研究方向是基本对应的。如该导师或所在实验室（中心）未接受或面试未通过您的申请，研究生部将会安排在所内其他实验室（中心）进行调剂。

上述材料恕不退还，请自备留底。

三、申请程序 1.申请方式及时间

凡（预计）自己能在所就读的高等学校取得推荐免试资格的学生，请于2014年8月19日起登录中国科学院大学招生信息网(http://admission.ucas.ac.cn/)，通过“推荐免试生申请系统” 选择“计算技术研究所”提交网上推免申请。为便于统计，请同学们网上报名时，在“社会工作及担任职务”一栏只填写报考导师姓名，“社会工作及担任职务”的信息可在“本人自述”内说明。

2.初审与面试

9月16日，我所各研究室（中心）将根据推免生申请情况进行初审。初审通过者将会收到我所面试通知（通过手机短信或邮件）。请同学们按通知要求到我所参加差额面试。面试以研究室（中心）为单位进行，具体面试时间、地点等由各研究室（中心）确定，名额录满为止。

10月上旬，未招满推免生的研究室（中心）将根据情况，决定是否继续招收免试生。

四、面试与拟录取

1.面试形式：包括笔试、面试（每人约20分钟），英语测试或上机考核（由研究室自定），体检（北京中关村医院体检中心，早上空腹，自带1寸照片一张）。

2.面试内容：主要包括思想政治品德考核、专业知识和外语考核及体检。1）思想政治品德考核：考生的政治态度、思想品德、人生观、价值观、工作学习态度、团队合作精神、科研道德、遵纪守法等情况。

2）专业知识考核：考生对知识掌握的深度和广度，灵活运用程度以及实际动手能力，从事科研工作的潜力和创造性。考核既看学生历年的学习成绩，又注重对学生的动手能力、创新精神和其他特长等综合素质方面的考查。3）外语考核：考生听、说等外语运用能力。

4）体检：考生身体健康状况，也包括体能及心理素质方面的考查。体检标准参照教育部、卫生部、中国残疾人联合会印发的《普通高等学校招生体检工作指导意见》（教学[2003]3号），人力资源和社会保障部、教育部、卫生部《关于进一步规范入学和就业体检项目维护乙肝表面抗原携带者入学和就业权利的通知》（人社部发[2010]12号）以及《教育部办公厅 卫生部办公厅关于普通高等学校招生学生入学身体检查取消乙肝项目检测有关问题的通知》（教学厅[2010]2号）执行，体检费用自理，约150元。

五、拟录取和网上报名、现场确认

1.计算所教育工作指导小组对面试结果进行审议，按照“德智体全面衡量、择优录取、保证质量、宁缺毋滥”的原则，确定拟录取名单并公示后，核发拟接收函。

2.收到拟接收函的学生应及时到所在高校领取推荐免试生校验码和“全国推荐免试攻读硕士学位研究生登记表”，并在规定时间内将该登记表寄送回计算所研究生部。

3.收到拟接收函的学生须在教育部规定的时间内，持本科就读高校所发的推荐免试生校验码进行全国硕士研究生招生网上报名，并在规定时间到指定报考点进行现场确认。

4.被拟录取的推荐免试生无需再报名参加全国硕士生统一入学考试。5.推荐免试生的录取类别一般为计划内非定向。

六、复审和录取

2015年4月计算所将对已录取的推荐免试生进行复审，出现下列情况之一的，将取消录取资格：

1.在本科阶段最后一学年必修课学习成绩有不及格科目； 2.毕业设计（论文）未取得良好以上（含良好）成绩； 3.毕业时未获得学士学位； 4.政审不合格；

5.考试作弊者或违纪（法）受到“警告”以上处分的，或有其他情节严重的违法乱纪行为受到处罚者；

6.申请人提交的材料有弄虚作假者。

通过复审的推荐免试生，将与拟录取的统考生一起上报教育部审核，审核通过即被录取。《录取通知书》与统考生的《录取通知书》同时发放（预计2015年6月份）。

七、其他

计算所鼓励推荐免试生硕博连读或攻读直博生。考生可在面试时提出硕博连读或直博申请。同等条件下，我所优先考虑录取愿硕博连读或攻读直博生的申请者。

直博生从具有推荐免试资格的优秀应届本科毕业生中遴选，直接录取为博士研究生，基本学习年限为5年。被接收为直博生的推免生，不需参加硕士生全国网上报名和现场确认，但须参加中国科学院大学2015年博士生网上报名（预计2014年12月）。具体请留意中国科学院大学招生信息网信息或直接向我所研究生部咨询。

---------------------------特别提醒：

1.邮寄的材料信封的左下方请标注“免试生申请 +研究室名称+ 报考导师姓名”字样。

2.参加今年7月份计算所暑期班未入选或未被拟录取的同学可继续申请。已拟录取的同学也须在系统里报名，可不用再寄送材料，但须在9月18日前将推免资格证明（加盖学院或教务部门公章）以EMS方式寄送到我所研究生部。如届时无法提供推免资格证明，其被拟录取资格自动失效，需按上述要求，重新申请。如有特殊情况，请提前告知我所研究生部。

3.若因特殊原因，学生自己放弃拟录取资格或未获得外推资格，请务必以电子邮件方式尽快通知我所研究生部(zhaosheng@ict.ac.cn)。

本简章未尽事宜，请参看《中国科学院大学2015年招收攻读硕士学

位研究生简章》和《中国科学院大学2015年推荐免试生招收简章》。

联系人：卢老师

联系电话：010－62524586 通信地址：北京市海淀区中关村科学院南路6号中科院计算所研究生部 邮政编码：100190 招生邮箱：zhaosheng@ict.ac.cn 计算所网站：www.xiexiebang.com/gsict（参考信息）

中国科学院计算技术研究所研究生部

2014年8月

第五篇：2015年中国科学院近代物理研究所硕士研究生招生简章

中国科学院近代物理研究所 2015年招收攻读硕士学位研究生简章

中国科学院近代物理研究所创建于1957年，是一个依托大科学装置，主要从事原子核物理基础和应用研究、相应发展粒子加速器及核技术的基地型研究所，经过半个多世纪的发展，已经成为在国际上有重要影响的重离子物理研究中心。

近代物理研究所长期面向国家战略和区域经济发展需求，瞄准学科前沿，通过几代人的不懈努力和三大科学工程的建设，建立了国家重大科技基础设施—兰州重离子加速器HIRFL（Heavy Ion Research Facility in Lanzhou），主要技术指标达到国际先进水平，为我国重离子物理及交叉学科研究创造了先进实验条件，取得了以新核素合成、原子核质量精确测量、重离子治癌为代表的一批重要科研成果，使我国进入重离子物理及交叉学科研究的国际先进行列。同时，在核技术产业化方面也取得了重要进展，为我国科技、经济、社会的发展和国家安全做出了贡献。

近代物理研究所现有中国科学院院士2人，中国工程院院士1人，“新世纪百千万人才工程”国家级人选4人，“973”首席科学家3人，“国家杰出青年基金”项目获得者7人，中科院“百人计划”项目支持者22人，“西部之光”人才计划项目支持者83人，上岗研究生导师203人。

截止2014年初，近代物理研究所已获得国家奖17项，省部级奖158项。目前，近代物理研究所承担着包括“973”计划和中国科学院A类战略性先导科技专项“未来先进核裂变能－ADS嬗变系统”（协同国内相关单位研发）在内的一大批科研项目。其中，“加速器驱动嬗变研究装置”和“强流重离子加速器”两个大科学装置建设规划已经列入《国家重大科技基础设施建设中长期规划（2012-2030年）》的建设重点。同时，研究所与国内外60多所著名大学和科研机构建立了良好的科研合作关系，并作为国内牵头单位参与由17个国家投资，在德国建设的“反质子与离子研究装置（FAIR）重大国际合作项目”。

近代物理研究所是国务院首批批准招收硕士、博士研究生和设立博士后流动站的单位之一，现有2个博士后流动站，20个硕士、博士招生专业。研究生招生由中国科学院大学统一注册和授予学位。硕士研究生实行“两段式”培养模式，第一学年在中国科学院大学（北京）学习学位课程。优秀推荐免试本科生经遴选可直接攻读博士学位，优秀硕士生经选拔可以硕博连读。此外，每年选派一定数量的优秀在学研究生赴欧美相关研究机构或著名大学进行联合培养。

三十多年来，中国科学院近代物理研究所招收和培养了数以千计的博士、硕士研究生，毕业生具有较高的社会认同度，就业率一直稳定在高水平。

2015年预计招收硕士研究生55名左右（含推荐免试研究生40%左右、全日制专业硕士20%左右和“少数民族骨干计划”2名左右），最终招生人数以国家下达计划数为准。

一、培养目标

学术型硕士研究生旨在培养德智体全面发展，爱国守法，在本学科内掌握坚实的基础理论和系统的专业知识，具有创新精神、创新能力和从事科学研究、教学、管理或独立担负专门技术等工作能力的高层次学术型专门人才。

全日制专业学位硕士研究生面向社会需求、面向科技前沿，适应工程技术发展和创新需要，培养德智体全面发展、掌握相关专业领域坚实的基础理论和宽广的专业知识、具有较强的解决实际问题的能力、能够承担专业技术或管理工作、具有良好职业素养的高层次应用型专门人才。

二、报考条件

（一）拥护中国共产党的领导，品德良好，遵纪守法，勤奋好学，有开拓创新精神。

（二）国家承认学历的应届本科毕业生或往届本科毕业生（获学士学位）。

（三）获得国家承认的大专毕业学历后工作两年或两年以上，达到与大学本科毕业生同等学力者。以同等学力报考的考生除满足中国科学院大学的报考条件外，还需符合以下要求：

1．通过大学外语四级考试（或新四级成绩425分以上）并获得合格证书。2．取得大学本科8门以上主干课程的合格成绩（由教务部门出具成绩证明或出具本科自学考试成绩通知单）。

3．已在公开出版的核心学术期刊发表过本专业或相近专业的学术论文，或作为主要完成人获得过与报考专业相关的省级以上科研成果奖；或主持过省级以上科研课题。

4．选报专业非跨学科、专业报考。

（四）报考少数民族骨干计划的考生，报考条件见《中国科学院大学2015年“少数民族高层次骨干人才计划”硕士研究生招生简章》。

（五）身体健康，年龄一般不超过40周岁。

三、报名确认

（一）网上报名

2014年10月10日~31日，预报名时间为2014年9月28日~30日。考生登录中国研究生招生信息网http://yz.chsi.com.cn或http://yz.chsi.cn，认真阅读公告信息，按提示要求如实填写本人报名信息。报考近代物理研究所的考生，“招生单位所在地区”均应选择“北京”，“招生单位”选择“14430中国科学院大学”，在“院系所名称”栏中选择“中国科学院近代物理研究所”，之后选择报考专业等信息。在规定时间内考生可在报名系统中修改本人报名信息。

近代物理所各招生专业均可接收高等学校优秀应届本科毕业推荐免试生（含直博生），所有推荐免试生（含直博生）均需通过教育部“全国推荐优秀应届本科毕业生免试攻读研究生信息公开暨管理服务系统”（以下简称教育部“推免服务系统”）办理申请和接收程序，不再参加硕士生全国网上报名和现场确认。直博生另须参加2015年中国科学院大学招生网http://zhaosheng.ucas.ac.cn/sign_up/BSBM/index.aspx网上直博生报名。

请考生务必牢记本人网报时的用户名和密码，以备后期打印准考证、调剂和录取等使用。

（二）现场确认

2014年11月10日~14日，考生持本人第二代居民身份证（或军官证）、本科毕业证书和学士学位证书原件（应届生凭学生证）等到各省（市、自治区）高校招生办公室指定的报考点，凭报名号交费并照相，确认报考数据。

推免生如被研究所接收确定为直博生，不需要现场确认。

报考少数民族骨干计划的考生，现场确认时须出示所在省市自治区教育厅民教处盖章的《报考少数民族高层次骨干人才计划硕士研究生考生登记表》。

（三）注意事项

1．考生要准确填写个人信息，特别是要如实填写在参加国家教育考试过程中因违规、作弊所受处罚情况。对弄虚作假者，按《国家教育考试违规处理办法》（教育部令„第18号‟进行处理。

2．考生在报名时只能填报一个单位和一个招生专业。

3．推荐免试生必须在报名当年10月25日前到中科院近代物理研究所办理接收录取手续。

4．少数民族高层次骨干人才计划以报名时填报的信息为准，在报名结束后不得更改报考类别。

5．在规定的网上报名期间，考生可自行修改个人网报信息。在现场确认期间，考生必须对报名信息进行认真核对并确认。经考生本人确认后的报名信息在考试、复试及录取阶段一律不作修改，如有填写错误责任自负。

6、现场确认后，考生必须及时将本人签名的全国硕士生入学考试报名信息简表寄送（交）近代物理研究所研究生部一份（可复印）。

7、网报和现场确认结束后，研究所将对考生的报名信息进行审查，对符合报考条件的考生准予考试。8、2014年12月下旬~2015年1月初期间，考生登陆研究生招生网下载打印《准考证》，《准考证》正反两面在使用期间不得涂改。

四、考试

（一）考试时间：2015年初，以教育部公布的日期为准

（二）初试科目为思想政治理论、外国语、基础课（含数学

（一）或数学

（二））、专业基础课等4门。其中思想政治理论、外国语、数学

（一）或数学

（二）使用全国统一命题，其余考试科目由中国科学院大学统一命题。考试地点以准考证上标注的地点为准。

（三）思想政治理论、外国语的满分为100分，基础课（含数学

（一）或数学

（二））和专业基础课每门满分为150分。

五、复试

（一）复试前对考生的有效身份证件、学历证书、学生证等报名材料原件及考生资格再次进行严格审查，如果考生的学历（学籍）信息仍有疑问的，要求考生在规定时间内提供权威机构出具的认证证明。凡不符合教育部规定者，不予参加复试。

（二）根据《中国科学院近代物理所吸引优秀本科毕业生报考硕士研究生的试行办法》（近人教字„2009‟78号），对获得全国重点院校校内推荐免试资格，但放弃推荐免试指标报考近代物理研究所的优秀应届本科毕业生，在统考和复试成绩合格基础上优先录取。

（三）按照教育部下达复试分数线，依据考生初试成绩，由高到低按录取数与参加复试人数1：1.2以上的比例确定本单位复试分数线，择优选定复试人员名单，再进行差额复试。

（四）复试前对复试考生的有效身份证件、学历证书、学生证等证件和报名材料再次进行严格审查，对不符合规定者，不予复试。对考生的学历（学籍）信息仍有疑问的，可要求复试考生在规定时间内提供权威机构出具的认证证明。

（五）复试时间在教育部规定的时间内进行（预计时间为2015年3月底或4月初）。复试前通过近代物理研究所网站向考生公布复试规程。其中，政审不合格、复试成绩不及格者不予录取。

（六）外语听力及口语测试在复试中进行，成绩计入复试成绩。

（七）同等学力考生参加复试，由研究所指定加试两门本科主干课程（闭卷笔试），考试科目不得与初试科目重复，每门考试时间为3小时，满分为100分。并根据所报考专业方向需要进行有关实验技能等方面的考查。加试科目不及格者不予录取。

（八）对全日制专业学位研究生的复试，将更加突出对专业知识的应用、专业能力、实践经验和科研动手能力等方面的考查，同时，加强对考生兴趣、爱好、特长及就业意向等方面的考查。

六、体格检查

复试阶段由研究所统一组织考生在二级甲等以上医院进行体检，体检标准参照教育部、卫生部、中国残联印发的《普通高等学校招生体检工作指导意见》（教学[2003]3号）和教育部办公厅、卫生部办公厅《关于普通高等学校招生学生入学身体检查取消乙肝项目检测有关问题的通知》等文件和通知精神执行。

根据近代物理研究所科研工作需要和科研场所的特殊性，同等条件下优先录取身体和心理健康状况优良者。新生入学后须进行体检复查。

七、录取

按国家最终下达的招生计划，根据考生考试成绩（含初试和复试成绩），并结合其思想政治表现、业务素质以及身体健康状况确定录取名单并公示。

定向生须在录取前分别与招生单位和用人单位签署三方定向培养合同。

八、调剂

符合教育部调剂规定的上线考生，无论是调入或调出，均优先考虑在中国科学院系统内部调剂，研究所将积极帮助第一志愿考生联系和推荐调剂单位。考生须通过“中国研招网”调剂服务系统填写报考调剂志愿。

九、学习年限

硕士研究生基本学习年限为3年；硕博连读研究生基本学习年限为5年；直接攻读博士学位研究生基本学习年限为5年；少数民族骨干计划硕士研究生基本学习年限为4年，第1学年均在北京中国科学院大学集中学习。

十、收费及待遇

2015年招收的硕士研究生，须按国家规定收取学费。中国科学院在不断完善研究生奖助政策体系的基础上，将进一步提高优秀在学研究生的奖助力度。研究所为学生提供良好的奖助学金待遇，硕士研究生国家助学金6000元/人〃年，研究所奖学金7200元/人〃年，国科大学业奖学金平均8000/人〃年，助研津贴7200至14400元/人〃年，此外，每月有保健和伙食补贴，公费办理医疗保险。推免生第一学年实行特别奖励。

十一、违纪处罚

对于考生申报虚假材料、考试作弊及其它违反考试纪律的行为，按教育部《国家教育考试违规处理办法》进行严肃处理。

十二、其他

（一）考生因报考研究生与原所在单位或委培、定向及服务合同单位产生的纠纷请自行妥善处理。若因上述问题无法调取考生档案，造成考生不能复试或无法被录取的后果，研究所不承担责任。

（二）现役军人报考硕士生，按解放军总政治部的规定办理。

（三）考生可通过中国科学院大学招生信息网查阅全院招生专业目录，也可通过中国科学院近代物理研究所网页查询相关信息。

（四）本简章如有与国家新出台的招生政策不符之处，以新政策为准。

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址：中科院近代物理研究所研究生部（兰州市南昌路509号5号楼）邮

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