第一篇：半导体术语解释小结
第一章 固体晶体结构
小结
1.硅是最普遍的半导体材料
2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。晶胞是晶体中的一小块体积，用它可以重构出整个晶体。三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。3.硅具有金刚石晶体结构。原子都被由4个紧邻原子构成的四面体包在中间。二元半导体具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格基本相同。
4.引用米勒系数来描述晶面。这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。密勒系数也可以用来描述晶向。
5.半导体材料中存在缺陷，如空位、替位杂质和填隙杂质。少量可控的替位杂质有益于改变半导体的特性。
6.给出了一些半导体生长技术的简单描述。体生长生成了基础半导体材料，即衬底。外延生长可以用来控制半导体的表面特性。大多数半导体器件是在外延层上制作的。重要术语解释
1.二元半导体：两元素化合物半导体，如GaAs。2.共价键：共享价电子的原子间键合。3.金刚石晶格：硅的院子晶体结构，亦即每个原子有四个紧邻原子，形成一个四面体组态。4.掺杂：为了有效地改变电学特性，往半导体中加入特定类型的原子的工艺。5.元素半导体：单一元素构成的半导体，比如硅、锗。6.外延层：在衬底表面形成的一薄层单晶材料。7.离子注入：一种半导体掺杂工艺。8.晶格：晶体中原子的周期性排列
9.密勒系数：用以描述晶面的一组整数。10.原胞：可复制以得到整个晶格的最小单元。
11.衬底：用于更多半导体工艺比如外延或扩散的基础材料，半导体硅片或其他原材料。12.三元半导体：三元素化合物半导体，如AlGaAs。13.晶胞：可以重构出整个晶体的一小部分晶体。
14.铅锌矿晶格：与金刚石晶格相同的一种晶格，但它有两种类型的原子而非一种。
第二章 量子力学初步 小结
1.我们讨论了一些量子力学的概念，这些概念可以用于描述不同势场中的电子状态。了解电子的运动状态对于研究半导体物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力学的重要部分。粒子可以有波动态，波也可以具有粒子态。3.薛定谔波动方程式描述和判断电子状态的基础。4.马克思·玻恩提出了概率密度函数|fai（x）|2.5.对束缚态粒子应用薛定谔方程得出的结论是，束缚态粒子的能量也是量子化的。6.利用单电子原子的薛定谔方程推导出周期表的基本结构。重要术语解释
1.德布罗意波长：普朗克常数与粒子动量的比值所得的波长。
2.海森堡不确定原理：该原理指出我们无法精确确定成组的共轭变量值，从而描述粒子的状态，如动量和坐标。
3.泡利不相容原理：该原理指出任意两个电子都不会处在同一量子态。4.光子：电磁能量的粒子状态。5.量子：热辐射的粒子形态。
6.量子化能量：束缚态粒子所处的分立能量级。
7.量子数：描述粒子状态的一组数，例如原子中的电子。8.量子态：可以通过量子数描述的粒子状态。9.隧道效应：粒子穿过薄层势垒的量子力学现象。
10.波粒二象性：电磁波有时表现为粒子状态，而粒子有时表现为波动状态的特性。
第三章 固体量子理论初步 小结
1.当原子聚集在一起形成晶体时，电子的分立能量也就随之分裂为能带。
2.对表征单晶材料势函数的克龙克尼-潘纳模型进行严格的量子力学分析和薛定谔波动方程推导，从而得出 了允带和禁带的概念。
3.有效质量的概念将粒子在晶体中的运动与外加作用力联系起来，而且涉及到晶格对粒子运动的作用。
4.半导体中存在两种带点粒子。其中电子是具有正有效质量的正电荷粒子，一般存在于允带的顶部。
5.给出了硅和砷化镓的E-k关系曲线，并讨论了直接带隙半导体和间接带隙半导体的概念。6.允带中的能量实际上是由许多的分立能级组成的，而每个能级都包含有限数量的量子态。单位能量的量子态密度可以根据三维无限深势阱模型确定。7.在涉及大量的电子和空穴时，就需要研究这些粒子的统计特征。本章讨论了费米-狄拉克概率函数，它代表的是能量为E的量子态被电子占据的几章。重要术语解释
1.允带：在量子力学理论中，晶体中可以容纳电子的一系列能级。
2.状态密度函数：有效量子态的密度。它是能量的函数，表示为单位体积单位能量中的量子态数量。
3.电子的有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加的作用力联系起来，该参数包含了晶体中的内力。4.费米-狄拉克概率函数：该函数描述了电子在有效能级中的分布，代表了一个允许能量状态被电子占据的概率。5.费米能级：用最简单的话说，该能量在T=0K时高于所有被电子填充的状态的能量，而低于所有空状态能量。
6.禁带：在量子力学理论中，晶体中不可以容纳电子的一系列能级。7.空穴：与价带顶部的空状态相关的带正电“粒子”。
8.空穴的有效质量：该参数同样将晶体价带中空穴的加速度与外加作用力联系起来，而且包含了晶体中的内力。
9.k空间能带图：以k为坐标的晶体能连曲线，其中k为与运动常量有关的动量，该运动常量结合了晶体内部的相互作用。10.克龙尼克-潘纳模型：由一系列周期性阶跃函数组成，是代表一维单晶晶格周期性势函数的数学模型。
11.麦克斯韦-波尔兹曼近似：为了用简单的指数函数近似费米-狄拉克函数，从而规定满足费米能级上下若干kT的约束条件。
12.泡利不相容原理：该原理指出任意两个电子都不会处在同一量子态。
第四章平衡半导体 小结
1.导带电子浓度是在整个导带能量范围上，对导带状态密度与费米-狄拉克概率分布函数的乘积进行积分得到的
2.价带空穴浓度是在整个价带能量范围上，对价带状态密度与某状态为空的概率【1-fF（E）】的乘积进行积分得到的。
3.本章讨论了对半导体渗入施主杂质（V族元素）和受主杂质（111族元素）形成n型和p型非本征半导体的概念。4.推导出了基本关系式ni2=n0p0。
5.引入了杂质完全电离与电中性的概念，推导出了电子与空穴浓度关于掺杂浓度的函数表达式。
6.推导出了费米能级位置关于掺杂浓度的表达式。
7.讨论了费米能级的应用。在热平衡态下，半导体内的费米能级处处相等。重要术语解释
1.受主原子：为了形成p型材料而加入半导体内的杂质原子。2.载流子电荷：在半导体内运动并形成电流的电子和（或）空穴。
3.杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。4.完全电离：所有施主杂质原子因失去电子而带正电，所有受主杂质原子因获得电子而带负电的情况。
5.简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n型）或价带中（p型）的半导体。
6.施主原子：为了形成n型材料而加入半导体内的杂质原子。
7.有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc（E）与费米函数fF（E）的乘积进行积分得到的参数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gv（E）与【1-fF（E）】的乘积进行积分得到的参数N。
8.非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子电子（n型）或多数载流子空穴（p型）的半导体。9.束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。
10.本征载流子浓度ni：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度（数值相等）。11.本征费米能级Efi：本征半导体内的费米能级位置。
12.本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。
13.非简并半导体：参入相对少量的施主和（或）受主杂质，使得施主和（或）受主能级分立、无相互作用的半导体。
第五章 载流子运输现象 小结
1半导体中的两种基本疏运机构：电场作用下的漂移运动和浓度梯度作用下的扩散运动。2 存在外加电场时，在散射作用下载流子达到平均漂移速度。半导体存在两种散射过程，即晶格散射和电离杂质散射 在弱电场下，平均漂移速度是电场强度的线性函数；而在强力场下，漂移速度达到饱和，其数量级为107cm/s。载流子迁移率为平均漂移速度与外加电场之比。电子和空穴迁移率是温度以及电离杂质浓度的函数。
5漂移电流密度为电导率和电场强度的乘积（欧姆定律的一种表示）。电导率是载流子浓度和迁移率的函数。电阻率等于电导率的倒数。
6扩散电流密度与载流子扩散系数和载流子浓度梯度成正比。7 扩散系数和迁移率的关系成为爱因斯坦关系 霍尔效应是载流子电荷在相互垂直的电场和磁场中运动产生的。载流子风生偏转，干生出霍尔效应。霍尔电压的正负反映了半导体的导电类型。还可以由霍尔电压确定多数载流子浓度和迁移率。重要术语解释
电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。扩散：粒子从高浓度区向低浓度区运动的过程。
扩散系数：关于粒子流动与粒子浓度梯度之间的参数。扩散电流：载流子扩散形成的电流。
漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。漂移电流：载流子漂移形成的电流
漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度 爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系
霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横向压降 电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用 晶格散射：载流子和热震动晶格原子之间的相互作用 迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数 电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数
饱和速度：电场强度增加时，载流子漂移速度的饱和值。半导体中的非平衡过剩载流子
第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 小结 讨论了过剩电子和空穴产生与复合的过程，定义了过剩载流子的产生率和复合率 2 过剩电子和空穴是一起运动的，而不是互相独立的。这种现象称为双极疏运 3 推导了双极疏运方程，并讨论了其中系数的小注入和非本征掺杂约束条件。在这些条件下，过剩电子和空穴的共同漂移和扩散运动取决于少子的特性，这个结果就是半导体器件状态的基本原理 讨论了过剩载流子寿命的概念 分别分析了过剩载流子状态作为时间的函数 作为空间的函数和同事作为实践与空间的函数的情况 定义了电子和空穴的准费米能级。这些参数用于描述非平衡状态下，电子和空穴的总浓度 8 半导体表面效应对过剩电子和空穴的状态产生影响。定义了表面复合速度 重要术语解释 双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数 2 双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率 双极疏运：具有相同扩散系数，迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散，迁移和复合过程 双极输运方程：用时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程 5 载流子的产生：电子从价带跃入导带，形成电子-空穴对的过程 载流子的复合：电子落入价带中的空能态（空穴）导致电子-空穴对消灭的过程 7 过剩载流子：过剩电子和空穴的过程 过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度 9 过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度 10 过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间 11 产生率：电子-空穴对产生的速率（#/cm3-ms）小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况 少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表示为D，其中D和分别为少子的扩散系数和寿命 准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡状态浓度与本征载流子浓度以及本征费米能级联系起来 复合率：电子－空穴对复合的速率（#/cm3-s）16 表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。
第七章
pn结 首先介绍了均匀掺杂的pn结。均匀掺杂pn结是指：半导体的一个区均匀掺杂了受主杂质，而相邻的区域均匀掺杂了施主杂质。这种由同一种材料但导电类型相反的半导体组成的pn结称为同质结 在冶金结两边的p区与n区内分别形成了空间电荷区或耗尽区。该区内不存在任何可以移动的电子或空穴，因而得名。由于n区内的施主杂质离子的存在，n区带正电；同样，由于p区内受主杂质离子存在，p区带负电。由于耗尽区内存在净空间电荷密度，耗尽区内有一个电场。电场的方向为由n区指向p区 空间电荷区内部存在电势差。在零偏压的条件下，该电势差即内建电势差维持热平衡状态，并且在阻止n区内多子电子向p区扩散的同时，阻止p区内多子空穴向n区扩散。反偏电压（n区相对于p区为正）增加了势垒的高度，增加了空间电荷区的宽度，并且增强了电场。随着反偏电压的改变，耗尽区内的电荷数量也改变。这个随电压改变的电荷量可以用来描述pn结的势垒电容。线性缓变结是非均匀掺杂结的典型代表。本章我们推导出了有关线性缓变结的电场，内建电势差，势垒电容的表达式。这些函数表达式与均匀掺杂结的情况是不同的 8 特定的掺杂曲线可以用来实现特定的电容特性。超突变结是一种掺杂浓度从冶金结处开始下降的特殊pn结。这种结非常适用于制作谐振电路中的变容二极管。重要术语解释
突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续 内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。耗尽层电容：势垒电容的另一种表达式 耗尽区：空间电荷区的另一种表达
超变突结：一种为了实现特殊电容－电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降 势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结 冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。
单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结
反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小
空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域
空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数
变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。
第八章 pn结二极管 小结 当pn结外加正偏电压时（p区相对与n区为正），pn结内部的势垒就会降低，于是p区空穴与n区电子就会穿过空间电荷区流向相应的区域 本章推导出了与n区空间电荷区边缘处的少子空穴浓度和p区空间电荷区边缘处的少子浓度相关的边界条件 注入到n区内的空穴与注入到p区内的电子成为相应区域内的过剩少子。过剩少子的行为由第六章中推导的双极输运方程来描述。求出双极输运方程的解并将边界条件代入，就可以求出n区与p区内稳态少数载流子的浓度分布 由于少子浓度梯度的存在，pn结内存在少子扩散电流。少子扩散电流产生了pn结二极管的理想电流－电压关系 本章得出了pn结二极管的小信号模型。最重要的两个参数是扩散电阻与扩散电容 反偏pn结的空间电荷区内产生了过剩载流子。在电场的作用下，这些载流子被扫处了空间电荷区，形成反偏产生电流。产生电流是二极管反偏电流的一个组成部分。Pn结正偏时，穿过空间电荷区的过剩载流子可能发生复合，产生正偏复合电流。复合电流是pn结正偏电流的另一个组成部分 当pn结的外加反偏电压足够大时，就会发生雪崩击穿。此时，pn结体内产生一个较大的反偏电流。击穿电压为pn结掺杂浓度的函数。在单边pn结中，击穿电压是低掺杂一侧掺杂浓度的函数 当pn结由正偏状态转换到反偏状态时，pn结内存储的过剩少数载流子会被移走，即电容放电。放电时间称为存储时间，它是二极管 开关速度的一个限制因素 重要术语解释
雪崩击穿：电子和空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子－空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就称为雪崩击穿。齐纳击穿：重掺杂的PN结由于隧穿效应发生的PN结击穿机制
载流子注入：外加偏压时，pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程 临界电场：发生击穿时pn结空间电荷区的最大电场强度 扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容 扩散电导：正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值 扩散电阻：扩散电导的倒数 正偏：p区相对于n区加正电压。此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值 产生电流：pn结空间电荷区内由于电子－空穴对热产生效应形成的反偏电流 长二极管：电中性p区与n区的长度大于少子扩散长度的二极管。
复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流 反向饱和电流：电中性p区与n区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn结二极管。存储时间：当pn结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间 第九章
小结：轻掺杂半导体上的金属可以和半导体形成整流接触，这种接触称为肖特基势垒二极管。金属与半导体间的理想势垒高度会因金属功函数和半导体的电子亲和能的不同而不同。了解功函数和电子亲和能的定义。
当在n型半导体和金属之间加上一个正电压是（即反偏），半导体与金属之间的势垒增加，因此基本上没有载流子的流动。当金属与n型半导体间加上一个正电压时（即正偏），半导体与金属间的势垒降低，因此电子很容易从半导体流向金属，这种现象称为热电子发射。肖特基势垒二极管的理想i-v关系与pn结二极管的相同。然而，电流值的数量级与pn结二极管的不同，肖特基二极管的开关速度要快一些。另外，肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，所以在达到与pn结二极管一样的电流时，肖特基二极管需要的正的偏压要低。金属-半导体也可能想成欧姆接触，这种接触的接触电阻很低，使得结两边导通时的压降很小，是一种非整流接触。
两种不同能带系的半导体材料可以形成半导体异质结。异质结一个有用的特性就是能在表面形成势垒。在与表面垂直的方向上，电子的活动会受到势肼的限制，但电子在其他的两个方向可以自由的流动。重要术语解释：
反型异质结：参杂剂在冶金结处变化的异质结。
电子亲和规则：这个规则是指，在一个理想的异质结中，导带处的不连续性是由于两种半导体材料的电子亲和能是不同的引起的。
异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。
镜像力降低效应：由于电场引起的金属-半导体接触处势垒峰值降低的现象。同型异质结：参杂剂在冶金结处不变的异质结。
欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。理查德森常数：肖特基二极管中的I-V关系中的一个参数A*。肖特基势垒高度：金属-半导体结中从金属到半导体的势垒Φbn。肖特基效应：镜像力降低效应的另一种形式。
单位接触电阻：金属半导体接触的J-V曲线在V=0是的斜率的倒数。热电子发射效应：载流子具有足够的热能时，电荷流过势垒的过程。隧道势垒：一个薄势垒，在势垒中，其主要作用的电流是隧道电流。
二维电子气：电子堆积在异质结表面的势肼中，但可以沿着其他两个方向自由流动。第十章 小结：
有两种类型的的双极晶体管，即npn和pnp型。每一个晶体管都有三个不同的参杂区和两个pn结。中心区域（基区）非常窄，所以这两个结成为相互作用结。晶体管工作于正向有源区时，B-E结正偏，B-C结反偏。发射区中的多子注入基区，在那里，他们变成少子。少子扩散过基区进入B-C结空间电荷区，在那里，他们被扫入集电区。当晶体管工作再正向有源区时，晶体管一端的电流（集电极电流）受另外两个端点所施加的电压（B-E结电压）的控制。这就是其基本的工作原理。
晶体管的三个扩散区有不同的少子浓度分布。器件中主要的电流由这些少子的扩散决定。共基极电流增益是三个因子的函数----发射极注入效率系数，基区输运系数和复合系数。发射极注入效率考虑了从基区注入到发射区的载流子，基区输运系数反映了载流子在基区的复合，复合系数反映了载流子在正偏发射结内部的复合。考虑了几个非理想效应：
1.基区宽度调制效应，说着说是厄尔利效应----中性基区宽度随B-C结电压变化而发生变化，于是集电极电流随B-C结或C-E结电压变化而变化。
2.大注入效应使得集电极电流随C-E结电压增加而以低速率增加。3.发射区禁带变窄效应是的发射区参杂浓度非常高时发射效率变小。4.电流集边效应使得发射极边界的电流密度大于中心位置的电流密度。5.基区非均匀掺杂在基区中感生出静电场，有助于少子度越基区。6.两种击穿机制----穿通和雪崩击穿。
晶体管的三种等效电路或者数学模型。E-M模型和等效电路对于晶体管的所有工作模式均适用。基区为非均匀掺杂时使用G-P模型很方便。小信号H-P模型适用于线性放大电路的正向有源晶体管。
晶体管的截止频率是表征晶体管品质的一个重要参数，他是共发射极电流增益的幅值变为1时的频率。频率响应是E-B结电容充电时间、基区度越时间、集电结耗尽区度越时间和集电结电容充电时间的函数。
虽然开关应用涉及到电流和电压较大的变化，但晶体管的开关特性和频率上限直接相关，开关特性的一个重要的参数是点和存储时间，它反映了晶体管有饱和态转变变成截止态的快慢。
重要术语解释：
1、a截止频率：共基极电流增益幅值变为其低频值的1根号2时的频率，就是截止频率。
2、禁带变窄：随着发射区中掺杂，禁带的宽度减小。
3、基区渡越时间：少子通过中性基区所用的时间。
4、基区输运系数：共基极电流增益中的一个系数，体现了中性基区中载流子的复合。
5、基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基区宽度的变化。
6、B截止效率：共发射极电流增益幅值下降到其频值的1根号2时的频率。
7、集电结电容充电时间：随发射极电流变化，B-C结空间电荷区和急电区-衬底结空间电荷区宽度发生变化的时间常数。
8、集电结耗尽区渡越时间：载流子被扫过B-C结空间电荷区所需的时间。
9、共基极电流增益：集电极电流与发射极电流之比。
10、共发射极电流增益：集电极电流与基极电流之比。
11、电流集边：基极串联电阻的横向压降使得发射结电流为非均匀值。
12、截止：晶体管两个结均加零偏或反偏时，晶体管电流为零的工作状态。
13、截止频率：共发射极电流增益的幅值为1时的频率。
14、厄尔利电压：反向延长晶体管的I-V特性曲线与电压轴交点的电压的绝对值。
15、E-B结电容充电时间：发射极电流的变化引起B-E结空间电荷区宽度变化所需的时间。
16、发射极注入效率系数：共基极电流增益的一个系数，描述了载流子从基区向发射区的注入。
17、正向有源：B-E结正偏、B-C结反偏时的工作模式。
18、反向有源：B-E结反偏、B-C结正偏时的工作模式。
19、饱和：B-E结正偏、B-C结正偏时的工作模式。20、截止：B-E结反偏、B-C结反偏时的工作模式。
21、输出电导：集电极电流对C-E两端电压的微分之比。
这一章讨论了MOSFET的基本物理结构和特性
MOSFET的核心为MOS电容器。与氧化物-半导体界面相邻的半导体能带是弯曲的，他由加载MOS电容器上的电压决定。表面处导带和价带相对于费米能级的位置是MOS电容器电压的函数。
氧化层-半导体界面处的半导体表面可通过施加正偏栅压由到发生反型，或者通过施加负栅压由n型到p型发生发型。因此在于氧化层相邻处产生了反型层流动电荷。基本MOS场效应原理是有反型层电荷密度的调制作用体现的
讨论了MOS电容器的C-V特性。例如，等价氧化层陷阱电荷密度和界面态密度可由C-V测量方法决定
两类基本的MOSFET为n沟和p沟，n沟中的电流由反型层电子的流动形成，p沟中的电流由反型层空穴流动形成。这两类器件都可以是增强型的，通常情况下器件是关的，需施加一个栅压才能使器件开启；也可以是耗尽型的，此时在通常情况下器件是开的，需施加一个栅压才能使器件关闭
平带电压是满足条件时所加的栅压，这时导带和价带不发生弯曲，并且半导体中没有空间电荷区。平带电压时金属-氧化层势垒的高度、半导体-氧化层势垒高度以及固定氧化层陷阱电荷数量的函数
阈值电压是指半导体表面达到阈值反型点时所加的栅压，此时反型层电荷密度的大小等于半导体掺杂浓度。阈值电压是平带电压、半导体掺杂浓度和氧化层厚度的函数。
MOSFET中的电流是由反型层载流子在漏源之间的流动形成的。反型层电荷密度和沟道电导是由栅压控制，这意味着沟道电流被栅压控制
当晶体管偏置在非饱和区（VDS
实际的MOSFET是一个四端器件，在衬底或体为第四端。随着反偏源-衬底电压的增加，阈值电压增大。在源端和衬底不存在电学连接的集成电路中，衬底偏置效应变得很重要。讨论了含有电容的MOSFET小信号等效电路。分析了影响频率限制的MOSFET的一些物理因素。特别的，由于密勒效应，漏源交替电容成为了MOSFET频率响应的一个制约罂粟。作为器件频率响应的一个特点，截止频率反比于沟道长度，因此，沟道长度的减小将导致MOSFET频率性能的提高
简要讨论了n沟和p沟器件制作在同一块芯片上的CMOS技术。被电学绝缘的p型和n型衬底区时电容两类晶体管的必要条件。有不同的工艺来实现这一结构。CMOS结构中遇到的一个潜在问题是闩锁现象，即可能发生在四层pnpn结构中的高电流、低电压情况 MOSFET可以分为：n沟道和p沟道（导电类型不同），增强型和耗尽型（零栅压时反型层是否存在）。重要术语解释
对基层电荷：由于热平衡载流子浓度过剩而在氧化层下面产生的电荷 体电荷效应：由于漏源电压改变而引起的沿沟道长度方向上的空间电荷宽度改变所导致的漏电流偏离理想情况
沟道电导：当VDS0时漏电流与漏源电压改变的过程
CMOS：互补MOS；将p沟和n沟器件制作在同一芯片上的电路工艺 截至频率：输入交流栅电流等于输处交流漏电流时的信号频率 耗尽型MOSFET：必须施加栅电压才能关闭的一类MOSFET 增强型MOSFET：必须施加栅电压才能开启的一类MOSFET
等价固定氧化层电荷：与氧化层－半导体界面紧邻的氧化层中的有效固定电荷，用Q'SS表示。
平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空闲电荷区 栅电容充电时间：由于栅极信号变化引起的输入栅电容的充电或放电时间 界面态：氧化层－半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态
反型层电荷：氧化层下面产生的电荷，它们与半导体掺杂的类型是相反的 反型层迁移率：反型层中载流子的迁移率
闩锁：比如在CMOS电路中那样，可能发生在四层pnpn结构中的高电流 低电压现象 最大空间电荷区宽度：阈值反型时氧化层下面的空间电荷区宽度
金属－半导体功函数差：金属功函数和电子亲和能之差的函数，用ms表示
临界反型：当栅压接近或等于阈值电压时空间电荷宽度的微弱改变，并且反型层电荷密度等于掺杂浓度时的情形
栅氧化层电容：氧化层介电常数与氧化层厚度之比，表示的是单位面积的电容，记为Cox 饱和：在漏端反型电荷密度为零且漏电流不再是漏源电压的函数的情形 强反型：反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形 阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形 阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压
跨导：漏电流的改变量与其对应的栅压该变量之比 弱反型：反型电流密度小于掺杂浓度时的情形
第二篇：术语解释
《语言学》术语解释： 1.语系：
（1）语系是按照“谱系分类”的方法，根据语言间亲属关系的有无，把世界上的语言所分成的不同的类，凡是有亲属关系的语言都属于同一语系，反之则属于不同的语系。
（2）比如汉语、藏语、壮语、傣语、苗语等是亲属语言。它们都属于汉藏语系。
（3）世界上的诸语言按其亲属关系大致可以分为汉藏语系、印欧语系、乌拉尔语系、阿尔泰语系、闪含语系、高加索语系、达罗毘语系、马来—玻利尼西亚语系、南亚语系九大语系。2.歧义：
歧义句是在理解上会产生两种可能的句子,换句话说,就是可以这样理解也可以那样理解的句子。也就是谓语言文字的意义不明确，有两种或几种可能的解释。
一个句子有两种或两种以上的解释，就会产生歧义，歧义产生的原因：词义不明确、句法不固定、层次不分明、指代不明
歧义有主要由口语与书面的差别造成的，有主要由多义词造成的，还有语言组合造成的。组合的歧义中又有语法组合的歧义和语义组合的歧义。3符号
1． 符号就是由一定的形式构成的表示一定意义的记号或标记，它包括形式和意义两个方面，指称现实现象。例如红绿灯就是一种符号，红灯表示“停止“的意义。
符号是人们共同约定用来指称一定对象的标志物，它可以包括以任何形式通过感觉来显示意义的全部现象。在这些现象中某种可以感觉的东西就是对象及其意义的体现者 它有两个方面的内涵：一方面它是意义的载体，是精神外化的呈现；另一方面它具有能被感知的客观形式。3.字母：
拼音文字或注音符号的最小书写单位。如：英文字母；汉语拼音字母。
4.基础方言：
（1）一种语言的共同语并不是凭空产生的，而是在某一个方言的基础上形成的，这种作为共同语基础的方言叫做“基础方言”。
（2）所谓作为共同语的基础指共同语的语音、语汇和语法系统主要来自基础方言。
（3）例如，意大利共同语的基础方言是多斯岗方言，现代汉民族共同语的基础方言是北方方言。
5.共同语：
指一个部落或民族内部大多数成员所共同掌握和使用的语言。它是在某个区域的人们在日常生活中以口语的形式逐渐形成的。这个地方通常是政治、经济、文化中心的地区，在这个基础上有了语言而后有形成方言。
如普通话
共同语是在一种方言的基础上建立起来的一个民族或一个国家通用的语言，例如普通话就是现代汉民族的共同语。
6.音位：
音位是具体语言中有区别词的语音形式作用的最小语音单位。
7.混合语：
两种或几种语言，在一定社会条件下，互相接触而产生的混杂语言。洋泾浜
8.语法手段：
根据语法形式的共同特点所归并的语法形式的基本类别叫做语法手段。语法手段可分为词法
手段和句法手段两大类。2 词法手段包括词形变化，词的轻重音和词的重叠；句法手段包括虚词，词类选择，语序和语调。9.语流音变：
在语言的组合过程中，一个音位受到邻近音位的影响或语流的影响而可能产生的变化，叫语流音变。常见的语流音变现象主要有同化、异化、换位、弱化和脱落。
10.语言符号的线条性：
语言符号只能一个跟着一个依次出现，在时间线条上绵延，不能在空间的面上铺开，这就是语言符号的线条性，它是语言符号的一个重要特征。
语言符号具有线条性的特点。不能把“我看书”说成“书看我”，这是因为符号和符号的组合不是任意的，而是有条件的。符号和符号的组合条件就是语言里的各种结构的规则
11.语法的组合规则：
语法的组合规则包括语素组合成词的规则和词组合成句子的规则，前者叫构词法，它和词的变化规则合在一起叫做词法，后者叫做句法。
语法的组合规则包括构词法和句法。语法的组合规则存在话语中，是现实的12.语法的聚合规则：
具有相同语法特征的单位总是聚合成类，供组合选择。语法的聚合是多种多样的，最普遍的是词类和词形变化：语言里的词按语法作用的不同而分成名词、动词等等的词类；在好多语言里，名词动词又有格、位等等的变化。语法的聚合规则就是语法单位的分类和变化规则。
13.仿译词：
用本族语言的材料逐一翻译原词的语素，不但把它的意义，而且把它的内部构成形式也转植过来。仿译词属于意译词。如汉语词“黑板”的构词材料是“黑”（形容词性，表颜色）和“板”（名词性，表厚度小而面积大的较硬的事物），以“修饰+中心语”次序的定中关系组织起来，而它所源自的外语词是英语的blackboard，含有的构词材料也是两个：black（形容词性，表黑颜色），board（名词性，表厚度小而面积大的较硬的事物），两成分的关系也是“修饰+中心语”次序的定中
仿译词是意译词的一种，用本族语言的构词材料对译外语词
14.音位变体：
处于互补关系中的各个音素就被看成为同一个音位在不同位置上的代表，是同一个音位的不同的变异形式，所以我们把它们叫做音位变体。
处于互补关系之中而在音质上又比较相似的各个不同的音素是同一音位的不同的变体式，音位变体是音位在特定语音环境下的具体体现或具体代表。
15.语义指向：
语义指向指的是句法结构的某一成分在语义上和其他成分（一个或几个）相匹配的可能性。语义指向研究的是句子成分之间在语义上的搭配关系，句法结构研究的是句子成分的组合关系。
语义指向是指句子中某个成分在语义上指向哪儿，或者说同哪个或哪些成分发生语义联系。例如，补语位置上的成分，在语义上既可能指向主语，如“我吃饱了”中的“我”；也可能指向宾语，如“我吃光了碗里的饭”中的“碗里的饭”。
16.意音文字：
意音文字，或称语素-音节文字、语词-音节文字，是一种图形符号既代表语素，又代表音节的文字系统。这种文字系统是音节文字（如日文）、字母文字、辅音文字等以外的文字系统。意音文字代表人类文字史走出原始时期，进入古典时期。
意音文字指一部分字符是意符，一部分字符是音符的文字。如汉字就是意音文字，汉字中许多字符是直接表意的，而假借字则是假借意符直接表音、间接表意的音符
17.聚合关系：
聚合关系在语言学上聚合关系指在结构的某个特殊位置上可以相互替代的成分之间的关系或者是共现的成分和非共现的成分之间的关系，同一聚合关系语句只受句法关系限制语义因素不在考虑范围处于聚合关系中的语句与共同的句法特征但在语义上不能互相替换聚合关系就是语言结构某一位置上能够互相替换的具有某种相同作用的单位（如音位、词）之间的关系，简单说就是符号与符号之间的替换关系。
聚合关系——在语言结构的某一环节上能够互相替换、具有某种相同作用的各个单位之间所形成的关系叫聚合关系
18.音标：
音标是记录音素的符号，是音素的标写符号。它的制定原则是：一个音素只用一个音标表示，而一个音标并不只表示一个音素（双元音就是由2个音素组成的，相对于单元音来说。由2个音素构成的音标我们称之为双元音）。如汉语拼音字母、英语的韦氏音标和国际音标等。
19.词法范畴：
由词的变化形式所表示的意义方面的聚合。
词法范畴——由综合手段（词形变化）表现的语法意义概括起来就是词法范畴。
20.语言的类型分类：
我们把世界语言一般分为屈折语、孤立语、粘着语和复综语。
语言的类型分类——根据词的结构特点对世界的语言进行的分类叫语言的类型分类。
第三篇：术语解释
1.Sonnet: A fourteen-line lyric poem, usually written in rhymed iambic pentameter.A sonnet generally expresses a single theme or idea.2.Ballad: A story told in verse and usually meant to be sung.In many countries, the folk ballad was one of the earliest forms of literature.Folk ballads have no known authors.They were transmitted orally from generation to generation and were not set down in writing until centuries after they were first sung.The subject matter of folk ballads stems from the everyday life of the common people.Devices commonly used in ballads are the refrain, incremental repetition, and code language.A later form of ballad is the literary ballad, which imitates the style of the folk ballad.3.Rhyme: It’s one of the three basic elements of traditional poetry.It is the repetition of sounds in two or more words or phrases that appear close to each other in a poem.If the rhyme occurs at the ends of lines, it is called end rhyme.If the rhyme occurs within a line, it is called internal rhyme.4.Heroic couplet: Couplet: Two consecutive lines of poetry that rhyme.Heroic couplet is a rhymed couplet of iambic pentameter.It is Chaucer who used it for the first time in English in his work The Legend of Good Woman.5.Iambic抑扬格: It is the most commonly used foot in English poetry, in which an unstressed syllable comes first, followed by a stressed syllable.6.Free Verse: Free verse has no regular rhythm or line length and depends on natural speech rhythms and the counterpoint(对照法)of stressed and unstressed syllables.7.Romanticism: it is a reaction against the Enlightenment and rationalism in 18th century, and a rejection of the precepts of order, calm, harmony, balance, idealization, and rationality that typified in classicism and neoclassicism.Authors in this period advocate return to nature and the innate goodness of humans(善良的本性).They emphasize the individual, the subjective, the irrational, the imaginative, the personal, the spontaneous, the emotional, the visionary and the transcendental(超验).8.Critical Realism: The critical realism of the 19th century flourished in the forties and in the beginning of fifties.The realists first and foremost set themselves the task of criticizing capitalist society from a democratic viewpoint and delineated the crying contradictions of bourgeois reality.But they did not find a way to eradicate social evils.9.Enlightenment: The Enlightenment refers to a progressive intellectual movement throughout Western Europe that spans approximately one hundred years from 1680s to 1789.It celebrates reason(rationality), equality, science.Everything should be put under scrutiny, to be measured by reason.This is the “eternal truth”, “eternal justice” and “natural equality”.It on the whole, was an expression of struggle of the then progressive class of bourgeois against feudalism.They aim to enlighten the whole world with the light of modern philosophical and artistic ideas.10.Imagism: It’s a poetic movement of England and the U.S.flourished from 1909 to 1917.The movement insists on the creation of images in poetry by “the direct treatment of the thing” and the economy of wording.The leaders of this movement were Ezra Pound and Amy Lowell.11.Stream of consciousness: “Stream-of-Consciousness” or “interior monologue” is one of the modern literary techniques.It is the style of writing that attempts to imitate
the natural flow of a character’s thoughts, feelings, reflections, memories, and mental images as the character experiences them.It was first used in 1922 by the Irish novelist James Joyce.Those novels broke through the bounds of time and space, and depicted vividly and skillfully the unconscious activity of the mind fast changing and flowing incessantly, particularly the hesitant, misted, distracted and illusory psychology people had when they faced reality.The modern American writer William Faulkner successfully advanced this technique.In his stories, action and plots were less important than the reactions and inner musings of the narrators.Time sequences were often dislocated.The reader feels himself to be a participant in the stories, rather than an observer.A high degree of emotion can be achieved by this technique.12.Puritanism:Puritanism is the practices and beliefs of the Puritans.The Puritans were originally members of a division of the Protestant Church.The first settlers who became the founding fathers of the American nation were quite a few of them.They were a group of serious, religious people, advocating highly religious and moral principles.As the word itself hints, Puritans wanted to purity their religious beliefs and practices.They accepted the doctrine of predestination, original sin and total depravity, and limited atonement through a special infusion of grace form God.As a culture heritage, Puritanism did have a profound influence on the early American mind.American Puritanism also had an enduring influence on American literature.13.Transcendentalism: A broad, philosophical movement in New England during the Romantic era(peaking between 1835 and 1845).It appeared after1830s, marked the maturity of American Romanticism and the first renaissance in the American literary history.The term was derived from Latin, meaning to rise above or to pass beyond the limits.It laid emphasis on spirit and individual and nature.Transcendentalism has been defined philosophically as “the recognition in man of the capacity of knowing truth intuitively, or of attaining knowledge transcending the reach of the senses”.It stressed the role of divinity in nature and the individual’s intuition, and exalted feeling over reason.They spoke for cultural rejuvenation(复兴)and against the materialism of American society.14.Lost Generation: This term has been used again and again to describe the people of the postwar years.The Lost Generation writers were dissatisfied with the oppressive materialism and cultural narrowness of the American society, so they went abroad to search for a more congenial, artistic locale and produced a great number of the best works in the American literary history.They cast away all past concepts and values in order to create new types of writing, which was characterized by disillusionment with ideals and further with civilization the capitalist society advocated.They painted the post-war western world as a waste land, lifeless and hopeless due to ethical degradation and disillusionment with dreams.They had cut themselves off from their past and old values in America and yet unable to come to terms with the new era when civilization had gone mad.15.Naturalism: An extreme form of realism.Naturalistic writers usually depict the sordid side of life and show characters who are severely, if not hopelessly, limited by their environment or heredity.Naturalists are inevitably pessimistic in their view because firstly, they accept the negative implication of Darwin’s theory of evolution,and believe that society is a “jungle” where survival struggles go on.Secondly, they believe that man’s instinct, the environment and other social and economic forces play an overwhelming role and man’s fate is “determined” by such forces beyond his control.16.Black Humor(黑色幽默): It also known as Black Comedy, writing that places grotesque elements side by side with humorous ones in an attempt to shock the reader, forcing him or her to laugh at the horrifying reality of a disordered world.17.Gothic novel: It is a type of romantic fiction that predominated in the late 18th century and was one phase of the Romantic Movement.Its principal elements are violence, horror and the supernatural, which strongly appeal to the reader’s emotion.With its descriptions of the dark, irrational side of human nature, the Gothic form has exerted a great influence over the writer of the Romantic period.
第四篇：【半导体物理与器件】【尼曼】【课后小结与重要术语解释】汇总(精)
第一章 固体晶体结构 小结
1.硅是最普遍的半导体材料
2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。晶胞是晶体中的一小块体积，用它可以重构出整个晶体。三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。3.硅具有金刚石晶体结构。原子都被由4个紧邻原子构成的四面体包在中间。二元半导体具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格基本相同。
4.引用米勒系数来描述晶面。这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。密勒系数也可以用来描述晶向。
5.半导体材料中存在缺陷，如空位、替位杂质和填隙杂质。少量可控的替位杂质有益于改变半导体的特性。
6.给出了一些半导体生长技术的简单描述。体生长生成了基础半导体材料，即衬底。外延生长可以用来控制半导体的表面特性。大多数半导体器件是在外延层上制作的。重要术语解释
1.二元半导体：两元素化合物半导体，如GaAs。2.共价键：共享价电子的原子间键合。3.金刚石晶格：硅的院子晶体结构，亦即每个原子有四个紧邻原子，形成一个四面体组态。4.掺杂：为了有效地改变电学特性，往半导体中加入特定类型的原子的工艺。5.元素半导体：单一元素构成的半导体，比如硅、锗。6.外延层：在衬底表面形成的一薄层单晶材料。7.离子注入：一种半导体掺杂工艺。8.晶格：晶体中原子的周期性排列
9.密勒系数：用以描述晶面的一组整数。10.原胞：可复制以得到整个晶格的最小单元。
11.衬底：用于更多半导体工艺比如外延或扩散的基础材料，半导体硅片或其他原材料。12.三元半导体：三元素化合物半导体，如AlGaAs。13.晶胞：可以重构出整个晶体的一小部分晶体。
14.铅锌矿晶格：与金刚石晶格相同的一种晶格，但它有两种类型的原子而非一种。
第二章 量子力学初步 小结
1.我们讨论了一些量子力学的概念，这些概念可以用于描述不同势场中的电子状态。了解电子的运动状态对于研究半导体物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力学的重要部分。粒子可以有波动态，波也可以具有粒子态。3.薛定谔波动方程式描述和判断电子状态的基础。4.马克思·玻恩提出了概率密度函数|fai（x）|2.5.对束缚态粒子应用薛定谔方程得出的结论是，束缚态粒子的能量也是量子化的。6.利用单电子原子的薛定谔方程推导出周期表的基本结构。重要术语解释
1.德布罗意波长：普朗克常数与粒子动量的比值所得的波长。
2.海森堡不确定原理：该原理指出我们无法精确确定成组的共轭变量值，从而描述粒子的状态，如动量和坐标。
3.泡利不相容原理：该原理指出任意两个电子都不会处在同一量子态。4.光子：电磁能量的粒子状态。5.量子：热辐射的粒子形态。
6.量子化能量：束缚态粒子所处的分立能量级。
7.量子数：描述粒子状态的一组数，例如原子中的电子。8.量子态：可以通过量子数描述的粒子状态。9.隧道效应：粒子穿过薄层势垒的量子力学现象。
10.波粒二象性：电磁波有时表现为粒子状态，而粒子有时表现为波动状态的特性。
第三章 固体量子理论初步 小结
1.当原子聚集在一起形成晶体时，电子的分立能量也就随之分裂为能带。
2.对表征单晶材料势函数的克龙克尼-潘纳模型进行严格的量子力学分析和薛定谔波动方程推导，从而得出 了允带和禁带的概念。
3.有效质量的概念将粒子在晶体中的运动与外加作用力联系起来，而且涉及到晶格对粒子运动的作用。
4.半导体中存在两种带点粒子。其中电子是具有正有效质量的正电荷粒子，一般存在于允带的顶部。
5.给出了硅和砷化镓的E-k关系曲线，并讨论了直接带隙半导体和间接带隙半导体的概念。6.允带中的能量实际上是由许多的分立能级组成的，而每个能级都包含有限数量的量子态。单位能量的量子态密度可以根据三维无限深势阱模型确定。7.在涉及大量的电子和空穴时，就需要研究这些粒子的统计特征。本章讨论了费米-狄拉克概率函数，它代表的是能量为E的量子态被电子占据的几章。重要术语解释
1.允带：在量子力学理论中，晶体中可以容纳电子的一系列能级。
2.状态密度函数：有效量子态的密度。它是能量的函数，表示为单位体积单位能量中的量子态数量。
3.电子的有效质量：该参数将晶体导带中电子的加速度与外加的作用力联系起来，该参数包含了晶体中的内力。4.费米-狄拉克概率函数：该函数描述了电子在有效能级中的分布，代表了一个允许能量状态被电子占据的概率。5.费米能级：用最简单的话说，该能量在T=0K时高于所有被电子填充的状态的能量，而低于所有空状态能量。
6.禁带：在量子力学理论中，晶体中不可以容纳电子的一系列能级。7.空穴：与价带顶部的空状态相关的带正电“粒子”。
8.空穴的有效质量：该参数同样将晶体价带中空穴的加速度与外加作用力联系起来，而且包含了晶体中的内力。
9.k空间能带图：以k为坐标的晶体能连曲线，其中k为与运动常量有关的动量，该运动常量结合了晶体内部的相互作用。10.克龙尼克-潘纳模型：由一系列周期性阶跃函数组成，是代表一维单晶晶格周期性势函数的数学模型。
11.麦克斯韦-波尔兹曼近似：为了用简单的指数函数近似费米-狄拉克函数，从而规定满足费米能级上下若干kT的约束条件。
12.泡利不相容原理：该原理指出任意两个电子都不会处在同一量子态。
第四章平衡半导体 小结
1.导带电子浓度是在整个导带能量范围上，对导带状态密度与费米-狄拉克概率分布函数的乘积进行积分得到的
2.价带空穴浓度是在整个价带能量范围上，对价带状态密度与某状态为空的概率【1-fF（E）】的乘积进行积分得到的。
3.本章讨论了对半导体渗入施主杂质（V族元素）和受主杂质（111族元素）形成n型和p型非本征半导体的概念。4.推导出了基本关系式ni2=n0p0。
5.引入了杂质完全电离与电中性的概念，推导出了电子与空穴浓度关于掺杂浓度的函数表达式。
6.推导出了费米能级位置关于掺杂浓度的表达式。
7.讨论了费米能级的应用。在热平衡态下，半导体内的费米能级处处相等。重要术语解释
1.受主原子：为了形成p型材料而加入半导体内的杂质原子。2.载流子电荷：在半导体内运动并形成电流的电子和（或）空穴。
3.杂质补偿半导体：同一半导体区域内既含有施主杂质又含有受主杂质的半导体。4.完全电离：所有施主杂质原子因失去电子而带正电，所有受主杂质原子因获得电子而带负电的情况。
5.简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n型）或价带中（p型）的半导体。
6.施主原子：为了形成n型材料而加入半导体内的杂质原子。
7.有效状态密度：即在导带能量范围内对量子态密度函数gc（E）与费米函数fF（E）的乘积进行积分得到的参数Nc；在价带能量范围内对量子态密度函数gv（E）与【1-fF（E）】的乘积进行积分得到的参数N。
8.非本征半导体：进行了定量施主或受主掺杂，从而使电子浓度或空穴浓度偏离本征载流子浓度产生多数载流子电子（n型）或多数载流子空穴（p型）的半导体。9.束缚态：低温下半导体内的施主与受主呈现中性的状态。此时，半导体内的电子浓度与空穴浓度非常小。
10.本征载流子浓度ni：本征半导体内导带电子的浓度和价带空穴的浓度（数值相等）。11.本征费米能级Efi：本征半导体内的费米能级位置。
12.本征半导体：没有杂质原子且晶体中无晶格缺陷的纯净半导体材料。
13.非简并半导体：参入相对少量的施主和（或）受主杂质，使得施主和（或）受主能级分立、无相互作用的半导体。14.载流子输运现象 第五章 载流子运输现象 小结
1半导体中的两种基本疏运机构：电场作用下的漂移运动和浓度梯度作用下的扩散运动。2 存在外加电场时，在散射作用下载流子达到平均漂移速度。半导体存在两种散射过程，即晶格散射和电离杂质散射 在若电场下，平均漂移速度是电场强度的线性函数；而在强力场下，漂移速度达到饱和，其数量级为107cm/s。载流子迁移率为平均漂移速度与外加电场之比。电子和空穴迁移率是温度以及电离杂质浓度的函数。
5漂移电流密度为电导率和电场强度的乘积（欧姆定律的一种表示）。电导率是载流子浓度和迁移率的函数。电阻率等于电导率的倒数。
6扩散电流密度与载流子扩散系数和载流子浓度梯度成正比。7 扩散系数和迁移率的关系成为爱因斯坦关系 霍尔效应是载流子电荷在相互垂直的电场和磁场中运动产生的。载流子风生偏转，干生出霍尔效应。霍尔电压的正负反映了半导体的导电类型。还可以由霍尔电压确定多数载流子浓度和迁移率。重要术语解释
电导率：关于载流子漂移的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。扩散：粒子从高浓度区向低浓度区运动的过程。
扩散系数：关于粒子流动与粒子浓度梯度之间的参数。扩散电流：载流子扩散形成的电流。
漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。漂移电流：载流子漂移形成的电流
漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度 爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系
霍尔电压：在霍尔效应测量中，半导体上产生的横向压降 电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用 晶格散射：载流子和热震动晶格原子之间的相互作用 迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数 电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数
饱和速度：电场强度增加时，载流子漂移速度的饱和值。
15.半导体中的非平衡过剩载流子 第六章 半导体中的非平衡过剩载流子 小结 讨论了过剩电子和空穴产生与复合的过程，定义了过剩载流子的产生率和复合率 2 过剩电子和空穴是一起运动的，而不是互相独立的。这种现象称为双极疏运 3 推导了双极疏运方程，并讨论了其中系数的小注入和非本征掺杂约束条件。在这些条件下，过剩电子和空穴的共同漂移和扩散运动取决于少子的特性，这个结果就是半导体器件状态的基本原理 讨论了过剩载流子寿命的概念 分别分析了过剩载流子状态作为时间的函数 作为空间的函数和同事作为实践与空间的函数的情况 定义了电子和空穴的准费米能级。这些参数用于描述非平衡状态下，电子和空穴的总浓度 8 半导体表面效应对过剩电子和空穴的状态产生影响。定义了表面复合速度 重要术语解释 双极扩散系数：过剩载流子的有效扩散系数 2 双极迁移率：过剩载流子的有效迁移率 双极疏运：具有相同扩散系数，迁移率和寿命的过剩电子和空穴的扩散，迁移和复合过程 4 双极输运方程：用时间和空间变量描述过剩载流子状态函数的方程 5 载流子的产生：电子从价带跃入导带，形成电子-空穴对的过程 载流子的复合：电子落入价带中的空能态（空穴）导致电子-空穴对消灭的过程 7 过剩载流子：过剩电子和空穴的过程 过剩电子：导带中超出热平衡状态浓度的电子浓度 9 过剩空穴：价带中超出热平衡状态浓度的空穴浓度 10 过剩少子寿命：过剩少子在复合前存在的平均时间 11 产生率：电子-空穴对产生的速率（#/cm3-ms）小注入：过剩载流子浓度远小于热平衡多子浓度的情况 少子扩散长度：少子在复合前的平均扩散距离：数学表示为D，其中D和分别为少子的扩散系数和寿命 准费米能级：电子和空穴的准费米能级分别将电子和空穴的非平衡状态浓度与本征载流子浓度以及本征费米能级联系起来 复合率：电子－空穴对复合的速率（#/cm3-s）16 表面态：半导体表面禁带中存在的电子能态。
第七章
pn结 首先介绍了均匀掺杂的pn结。均匀掺杂pn结是指：半导体的一个区均匀掺杂了受主杂质，而相邻的区域均匀掺杂了施主杂质。这种pn结称为同质结 在冶金结两边的p区与n区内分别形成了空间电荷区或耗尽区。该区内不存在任何可以移动的电子或空穴，因而得名。由于n区内的施主杂质离子的存在，n区带正电；同样，由于p区内受主杂质离子存在，p区带负电。由于耗尽区内存在净空间电荷密度，耗尽区内有一个电场。电场的方向为由n区指向p区 空间电荷区内部存在电势差。在零偏压的条件下，该电势差即内建电势差维持热平衡状态，并且在阻止n区内多子电子向p区扩散的同时，阻止p区内多子空穴向n区扩散。反骗电压（n区相对于p区为正）增加了势垒的高度，增加了空间电荷区的宽度，并且增强了电场。随着反偏电压的改变，耗尽区内的电荷数量也改变。这个随电压改变的电荷量可以用来描述pn结的势垒电容。线性缓变结是非均匀掺杂结的典型代表。本章我们推导出了有关线性缓变结的电场，内建电势差，势垒电容的表达式。这些函数表达式与均匀掺杂结的情况是不同的 8 特定的掺杂曲线可以用来实现特定的电容特性。超突变结是一种掺杂浓度从冶金结处开始下降的特殊pn结。这种结非常适用于制作谐振电路中的变容二极管。重要术语解释
突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续 内建电势差：热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。耗尽层电容：势垒电容的另一种表达式 耗尽区：空间电荷区的另一种表达
超变突结：一种为了实现特殊电容－电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降 势垒电容（结电容）：反向偏置下pn结的电容
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结 冶金结：pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。
单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结
反偏：pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小 空间电荷区：冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域
空间电荷区宽度：空间电荷区延伸到p区与n区内的距离，它是掺杂浓度与外加电压的函数 变容二极管：电容随着外加电压的改变而改变的二极管。
第八章 pn结二极管 小结 当pn结外加正偏电压时（p区相对与n区为正），pn结内部的势垒就会降低，于是p区空穴与n区电子就会穿过空间电荷区流向相应的区域 本章推导出了与n区空间电荷区边缘处的少子空穴浓度和p区空间电荷区边缘处的少子浓度相关的边界条件 注入到n区内的空穴与注入到p区内的电子成为相应区域内的过剩少子。过剩少子的行为由第六章中推导的双极输运方程来描述。求出双极输运方程的解并将边界条件代入，就可以求出n区与p区内稳态少数载流子的浓度分布 由于少子浓度梯度的存在，pn结内存在少子扩散电流。少子扩散电流产生了pn结二极管的理想电流－电压关系 本章得出了pn结二极管的小信号模型。最重要的两个参数是扩散电阻与扩散电容 反偏pn结的空间电荷区内产生了过剩载流子。在电场的作用下，这些载流子被扫处了空间电荷区，形成反偏产生电流。产生电流是二极管反偏电流的一个组成部分。Pn结正偏时，穿过空间电荷区的过剩载流子可能发生复合，产生正偏复合电流。复合电流是pn结正偏电流的另一个组成部分 当pn结的外加反偏电压足够大时，就会发生雪崩击穿。此时，pn结体内产生一个较大的反偏电流。击穿电压为pn结掺杂浓度的函数。在单边pn结中，击穿电压是低掺杂一侧掺杂浓度的函数 当pn结由正偏状态转换到反偏状态时，pn结内存储的过剩少数载流子会被移走，即电容放电。放电时间称为存储时间，它是二极管 开关速度的一个限制因素 重要术语解释 雪崩击穿：电子和空穴穿越空间电荷区时，与空间电荷区内原子的电子发生碰撞产生电子－空穴对，在pn结内形成一股很大的反偏电流，这个过程就称为雪崩击穿。
载流子注入：外加偏压时，pn结体内载流子穿过空间电荷区进入p区或n区的过程 临界电场：发生击穿时pn结空间电荷区的最大电场强度 扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容 扩散电导：正偏pn结的低频小信号正弦电流与电压的比值 扩散电阻：扩散电导的倒数
正偏：p区相对于n区加正电压。此时结两侧的电势差要低于热平衡时的值 产生电流：pn结空间电荷区内由于电子－空穴对热产生效应形成的反偏电流 场二极管：电中性p区与n区的长度大于少子扩散长度的二极管。
复合电流：穿越空间电荷区时发生复合的电子与空穴所产生的正偏pn结电流 反向饱和电流：电中性p区与n区中至少有一个区的长度小于少子扩散长度的pn结二极管。存储时间：当pn结二极管由正偏变为反偏时，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳态值变成零所用的时间 第九章 小结：轻参杂半导体上的金属可以和半导体形成整流接触，这种接触称为肖特基势垒二极管。金属与半导体间的理想势垒高度会因金属功函数和半导体的电子亲和能的不同而不同。当在n型半导体和金属之间加上一个正电压是（即反偏），半导体与金属之间的势垒增加，因此基本上没有载流子的流动。当金属与n型半导体间加上一个正电压时（即正偏），半导体与金属间的势垒降低，因此电子很容易从半导体流向金属，这种现象称为热电子发射。肖特基势垒二极管的理想i-v关系与pn结二极管的相同。然而，电流值的数量级与pn结二极管的不同，肖特基二极管的开关速度要快一些。另外，肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，所以在达到与pn结二极管一样的电流时，肖特基二极管需要的正的偏压要低。金属-半导体也可能想成欧姆接触，这种接触的接触电阻很低，是的结两边导通时结两边的压降很小。
两种不同能带系的半导体材料可以形成半导体异质结。异质结一个有用的特性就是能在表面形成势垒。在与表面垂直的方向上，电子的活动会受到势肼的限制，但电子在其他的两个方向可以自由的流动。重要术语解释：
反型异质结：参杂剂在冶金结处变化的异质结。
电子亲和规则：这个规则是指，在一个理想的异质结中，导带处的不连续性是由于两种半导体材料的电子亲和能是不同的引起的。
异质结：两种不同的半导体材料接触形成的结。
镜像力降低效应：由于电场引起的金属-半导体接触处势垒峰值降低的现象。同型异质结：参杂剂在冶金结处不变的异质结。
欧姆接触：金属半导体接触电阻很低，且在结两边都能形成电流的接触。理查德森常数：肖特基二极管中的I-V关系中的一个参数A*。肖特基势垒高度：金属-半导体结中从金属到半导体的势垒Φbn。肖特基效应：镜像力降低效应的另一种形式。
单位接触电阻：金属半导体接触的J-V曲线在V=0是的斜率的倒数。热电子发射效应：载流子具有足够的热能时，电荷流过势垒的过程。隧道势垒：一个薄势垒，在势垒中，其主要作用的电流是隧道电流。
二维电子气：电子堆积在异质结表面的势肼中，但可以沿着其他两个方向自由流动。第十章 小结：
有两种类型的的双极晶体管，即npn和pnp型。每一个晶体管都有三个不同的参杂区和两个pn结。中心区域（基区）非常窄，所以这两个结成为相互作用结。
晶体管工作于正向有源区时，B-E结正偏，B-C结反偏。发射区中的多子注入基区，在那里，他们变成少子。少子扩散过基区进入B-C结空间电荷区，在那里，他们被扫入集电区。当晶体管工作再正向有源区时，晶体管一端的电流（集电极电流）受另外两个端点所施加的电压（B-E结电压）的控制。这就是其基本的工作原理。
晶体管的三个扩散区有不同的少子浓度分布。器件中主要的电流由这些少子的扩散决定。共发射极电流增益是三个因子的函数----发射极注入效率系数，基区输运系数和复合系数。发射极注入效率考虑了从基区注入到发射区的载流子，基区输运系数反映了载流子在基区的复合，复合系数反映了载流子在正偏发射结内部的复合。考虑了几个非理想效应：
1.基区宽度调制效应，说着说是厄尔利效应----中性基区宽度随B-C结电压变化而发生变化，于是集电极电流随B-C结或C-E结电压变化而变化。
2.大注入效应使得集电极电流随C-E结电压增加而以低速率增加。3.发射区禁带变窄效应是的发射区参杂浓度非常高时发射效率变小。4.电流集边效应使得发射极边界的电流密度大于中心位置的电流密度。5.基区非均匀掺杂在基区中感生出静电场，有助于少子度越基区。6.两种击穿机制----穿通和雪崩击穿。
晶体管的三种等效电路或者数学模型。E-M模型和等效电路对于晶体管的所有工作模式均适用。基区为非均匀掺杂时使用G-P模型很方便。小信号H-P模型适用于线性放大电路的正向有源晶体管。
晶体管的截止频率是表征晶体管品质的一个重要参数，他是共发射极电流增益的幅值变为1时的频率。频率响应是E-B结电容充电时间、基区度越时间、集电结耗尽区度越时间和集电结电容充电时间的函数。
虽然开关应用涉及到电流和电压较大的变化，但晶体管的开关特性和频率上限直接相关，开关特性的一个重要的参数是点和存储时间，它反映了晶体管有饱和态转变变成截止态的快慢。
重要术语解释：
1、a截止频率：共基极电流增益幅值变为其低频值的1根号2时的频率，就是截止频率。
2、禁带变窄：随着发射区中掺杂，禁带的宽度减小。
3、基区渡越时间：少子通过中性基区所用的时间。
4、基区输运系数：共基极电流增益中的一个系数，体现了中性基区中载流子的复合。
5、基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基区宽度的变化。
6、B截止效率：共发射极电流增益幅值下降到其频值的1根号2时的频率。
7、集电结电容充电时间：随发射极电流变化，B-C结空间电荷区和急电区-衬底结空间电荷区宽度发生变化的时间常数。
8、集电结耗尽区渡越时间：载流子被扫过B-C结空间电荷区所需的时间。
9、共基极电流增益：集电极电流与发射极电流之比。
10、共发射极电流增益：集电极电流与基极电流之比。
11、电流集边：基极串联电阻的横向压降使得发射结电流为非均匀值。
12、截止：晶体管两个结均加零偏或反偏时，晶体管电流为零的工作状态。
13、截止频率：共发射极电流增益的幅值为1时的频率。
14、厄尔利电压：反向延长晶体管的I-V特性曲线与电压轴交点的电压的绝对值。
15、E-B结电容充电时间：发射极电流的变化引起B-E结空间电荷区宽度变化所需的时间。
16、发射极注入效率系数：共基极电流增益的一个系数，描述了载流子从基区向发射区的注入。
17、正向有源：B-E结正偏、B-C结反偏时的工作模式。
18、反向有源：B-E结反偏、B-C结正偏时的工作模式。
19、输出电导：集电极电流对C-E两端电压的微分之比。
这一章讨论了MOSFET的基本物理结构和特性
MOSFET的核心为MOS电容器。与氧化物-半导体界面相邻的半导体能带是玩去的，他由加载MOS电容器上的电压决定。表面处导带和价带相对于费米能级的位置是MOS电容器电压的函数。
氧化层-半导体界面处的半导体表面可通过施加正偏栅压由到发生反型，或者通过施加负栅压由n型到p型发生发型。因此在于氧化层相邻处产生了反型层流动电荷。基本MOS场效应原理是有反型层电荷密度的调制作用体现的
讨论了MOS电容器的C-V特性。例如，等价氧化层陷阱电荷密度和界面态密度可由C-V测量方法决定
两类基本的MOSFET为n沟和p沟，n沟中的电流由反型层电子的流动形成，p沟中的电流由反型层空穴流动形成。这两类器件都可以是增强型的，通常情况下器件是关的，需施加一个栅压才能使器件开启；也可以是耗尽型的，此时在通常情况下器件是开的，需施加一个栅压才能使器件关闭
平带电压是满足条件时所加的栅压，这时导带和价带不发生弯曲，并且半导体中没有空间电荷区。平带电压时金属-氧化层势垒的高度、半导体-氧化层势垒高度以及固定氧化层陷阱电荷数量的函数
阈值电压是指半导体表面达到阈值反型点时所加的栅压，此时反型层电荷密度的大小等于半导体掺杂浓度。阈值电压是平带电压、半导体掺杂浓度和氧化层厚度的函数。
MOSFET中的电流是由反型层载流子在漏源之间的流动形成的。反型层电荷密度和沟道电导是由栅压控制，这意味着沟道电流被栅压控制
当晶体管偏置在非饱和区（VDS
实际的MOSFET是一个四端器件，在衬底或体为第四端。随着反偏源-衬底电压的增加，阈值电压增大。在源端和衬底不存在电学连接的集成电路中，衬底偏置效应变得很重要。讨论了含有电容的MOSFET小信号等效电路。分析了影响频率限制的MOSFET的一些物理因素。特别的，由于密勒效应，漏源交替电容成为了MOSFET频率响应的一个制约罂粟。作为器件频率响应的一个特点，截止频率反比于沟道长度，因此，沟道长度的减小将导致MOSFET频率性能的提高
简要讨论了n沟和p沟器件制作在同一块芯片上的CMOS技术。被电学绝缘的p型和n型衬底区时电容两类晶体管的必要条件。有不同的工艺来实现这一结构。CMOS结构中遇到的一个潜在问题是闩锁现象，即可能发生在四层pnpn结构中的高电流、低电压情况
重要术语解释
对基层电荷：由于热平衡载流子浓度过剩而在氧化层下面产生的电荷 体电荷效应：由于漏源电压改变而引起的沿沟道长度方向上的空间电荷宽度改变所导致的漏电流偏离理想情况
沟道电导：当VDS0时漏电流与漏源电压改变的过程
CMOS：互补MOS；将p沟和n沟器件制作在同一芯片上的电路工艺 截至频率：输入交流栅电流等于输处交流漏电流时的信号频率 耗尽型MOSFET：必须施加栅电压才能关闭的一类MOSFET 增强型MOSFET：鼻血施加栅电压才能开启的一类MOSFET 等价固定氧化层电荷：与氧化层－半导体界面紧邻的氧化层中的有效固定电荷，用Q'SS表示。
平带电压：平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空闲电荷区 栅电容充电时间：由于栅极信号变化引起的输入栅电容的充电或放电时间 界面态：氧化层－半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态
反型层电荷：氧化层下面产生的电荷，它们与半导体掺杂的类型是相反的 反型层迁移率：反型层中载流子的迁移率
闩锁：比如在CMOS电路中那样，可能发生在四层pnpn结构中的高电流 低电压现象 最大空间电荷区宽度：阈值反型时氧化层下面的空间电荷区宽度
金属－半导体功函数差：金属功函数和电子亲和能之差的函数，用ms表示
临界反型：当栅压接近或等于阈值电压时空间电荷宽度的微弱改变，并且反型层电荷密度等于掺杂浓度时的情形
栅氧化层电容：氧化层介电常数与氧化层厚度之比，表示的是单位面积的电容，记为Cox 饱和：在漏端反型电荷密度为零且漏电流不再是漏源电压的函数的情形 强反型：反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形 阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形 阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压
跨导：漏电流ude该变量与其对应的栅压该变量之比 弱反型：反型电流密度小于掺杂浓度时的情形
第十二章
小结：1.、亚阈值电导是指在MOSFET中当栅-源电压小于阈值电压时漏电流不为零。这种情况下，晶体管被偏置在弱反型模式下，漏电流有扩散机制而非漂移机制控制。亚阈值电导可以在集成电路中产生一个较明显的静态偏置电流。
2、当MOSEFT工作于饱和区时，由于漏极处的耗尽区进入沟道区，有效沟道长度会随着漏电压的增大而减小。漏电流与沟道长度成反比，成为漏-源函数。该效应称为沟道长度调制效应。
3、反型层中的载流子迁移率不是常数。当栅压增大时，氧化层界面处的电场增大，引起附加的表面散射。这些散射的载流子导致迁移率的下降，使其偏离理想的电流-电压曲线。
4、随着沟道长度的减小，横向电场增大。沟道中流动的载流子可以达到饱和速度；从而在较低的漏极电压下漏电流就会饱和。此时，漏电流成为栅-源电压的线性函数。
5、MOSEFT设计的趋势是使器件尺寸越来越小。我们讨论了恒定电场等比例缩小理论。该理论是指沟道长度、沟道宽度、氧化层厚度和工作电压按照相同的比例因子缩小，而衬底掺杂浓度按照相同的比例因子增大。
6、讨论了随着器件尺寸的缩小阈值电压的修正。由于衬底的电荷分享效应，随着沟道长度的缩小，阈值电压也减小；随着沟道宽度的减小，阈值电压会增大。
7、讨论了各种电压击穿机制。包括栅氧化层击穿、沟道雪崩击穿、寄生晶体管击穿以及漏源穿通效应。这些机制都可以事器件更快的衰退。轻掺杂漏可以吧漏极击穿效应降到最小。
8、离子注入可以改变和调整沟道区中的衬底掺杂浓度，从而得到满意的阈值电压，他可以作为调整阈值电压的最后一步。这个过程成为通过离子注入调整阈值电压。
重要术语解释：
1、沟道长度调制：当MOSEFT进入饱和区时有效沟道长度随漏-源电压的改变。
2、热电子：由于在高场强中被加速，能量远大于热平衡时的值的电子。
3、轻掺杂漏（LDD）:为了减小电压击穿效应，在紧邻沟道处建造一轻掺杂漏区的MOSEFT。
4、窄沟道效应：沟道宽度变窄后的阈值电压的偏移。
5、源漏穿通：由于漏-源电压引起的漏极和衬底之间的势垒高度降低，从而导致漏电流的迅速增大。
6、短沟道效应：沟道长度变短引起的阈值电压的偏移。
7、寄生晶体管击穿：寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSEFT击穿过程中出现的负阻效应。
8、亚阈值导电：当晶体管栅偏置电压低于阈值反型点时，MOSEFT中的导电过程。
9、表面散射：当载流子在源极与漏极漂移时，氧化层-半导体界面处载流子的电场吸收作用和库仑排斥作用。
10、阈值调整：通过离子注入改变半导体掺杂浓度，从而改变阈值电压的过程。
第十三章
小结：
1、三种普通的JEFT是pn JEFT、MESFET、以及HEMT。
2、JFET中的电流由垂直于电流方向的电场控制，电流存在于源极和漏极家畜之间的沟道区中。在pn JFET中，沟道形成了pn结的一边，用于调制沟道电导。
3、JFET的两个主要参数是内建夹断电压Vpo和夹断电压Vp（阈电压）。内建夹断电压定义为正值，它是引起结的空间电荷层完全填满沟道区的栅极与沟道之间的总电势。夹断电压（阈电压）定义成形成夹断是所需加的栅极电压。
4、跨导即晶体管增益，是漏电流随着栅极电压的变化率。
5、三种非理想的因素：沟道长度调制效应、饱和速度和亚阈值电流，这些效应将改变理想的I-V关系。
6、小信号等效电路，等效电路中包含等效电容；两个物理因素影响到频率限制，即沟道输运时间与电容电荷存储时间。电容电荷存储时间常数通常在短沟道器件中起作用。
7、在异质结表面，二维电子气被限制在势阱中。电子可以平行于表面运动。这些电子与电离了的空穴分离，以减小电离杂质散射效应，形成高的迁移率。重要术语解释：1电容电荷存储时间：栅极输入信号改变时栅极输入电容存储或释放电荷的时间。
2、沟道电导：当漏源电压趋近于极限值零时，漏电源随着漏源电压的变化率。
3、沟道电导调制效应：沟道电导随栅极电压的变化过程。
4、沟道长度调制效应：JFET处于饱和区是，有效沟道长度随漏源电压的变化。
5、电导参数：增强型MESFET的漏电源与栅源电压的表达式中的倍数因子k。
6、截止频率：小信号栅极输入电流值与小信号漏极电流值一致时的频率。
7、耗尽型JFET：必须加以栅极电压才能形成沟道夹断是器件截止的JFET。
8、增强型JFET:栅极电压为零时已经夹断，必须加以栅源电压以形成沟道，以是器件开启的JFET。
9、内建夹断电压：沟道夹断是栅结上的总电压降。
10、输出电阻：栅源电压随漏极电流的变化率。
11、夹断：栅结空间电荷区完全扩展进沟道，以至于沟道被耗尽的自由载流子充满的现象。
第十四章
小结：
1、太阳能电池将光能装换成电能。转换系数要考虑能量小于禁带宽度的入射光子以及能量小于禁带宽度的入射光子，能量小的不能被吸收，能量大的可以被吸收，并且多余的能量会形成热量。转换系数一般小于30%。
2、异质结电池可以增大转换系数并形成相对大的开路电压。无定型硅太阳能电池提供了生产低成本大面积电池的可能性。
3、光电探测器是将光信号转换成电信号的半导体器件。光电导体是最简单的光电探测器。入射光子会引起过剩载流子电子和空穴，从而引起半导体导电性的变化。
4、光电二极管是加反偏电压的二极管。入射光子在空间电荷区产生的过剩载流子被电场扫过形成电场。光电流正比于入射光子强度。PIN和雪崩光电二极管是基本的光电二极管。光电晶体管产生的光电流是晶体管增益的倍数。由于密勒效应和密勒电容，光电晶体管的频率响应比光电二极管的慢很多。
5、在pn结中光子吸收的反转就是注入电致发光。在直接带隙半导体中，过剩电子和空穴的复合会导致光子的发射。输出的光信号波长取决于禁带宽度。但是，为了输出波长限定在某个范围内，可以采用化合物半导体，禁带宽度由组分决定。
6、发光二极管（LED）是一种pn结二极管，其光子的输出时过剩电子和空穴自发复合的结果。输出信号中相对较宽的宽度（30cm）是自发过程的结果。
7、激光二极管的输出时受激发射的结果。光学腔即法里布-柏罗共振腔用来连接二极管，以便使光子输出是同相或一致的。多层异质结结构可用来连接二极管，以便使光子输出时同相或一致的。多层异质结结构可用来提高激光二极管的性能。
重要术语解释：
1、吸收系数：在半导体材料中，单位距离吸收的相对光子数，用a表示。
2、俄歇复合：电子和空穴的复合伴随着吸收其他粒子所释放的能量，是一个非辐射复合过程。
3、转换系数：在太阳能电池中，输出的电功率和入射的光功率之比。
4、延迟光电流：半导体器件中由于扩散电流引起的光电流成分。
5、外量子效率：在半导体器件中，发射的光子数和总光子数的比率。
6、填充系数：ImVm与IscVoc的比率，是太阳能电池有效输出能量的度量。Im和Vm是在最大功率点的电流和电压值。Isc和Voc是短路电流和开路电压。
7、菲涅尔损耗：由于折射系数的变化，在界面处入射光子被反射的部分。
8、内量子效率：能够产生发光的二极管电流部分。
9、发光二极管（LED）：在正偏pn结中，由于电子-空穴复合而产生的自发光子发射。
10、发光：光发射的总性质。
11、非辐射复合：不产生光子的电子和空穴的复合过程，例如硅中在导带和价带间的间接跃迁。
12、开路电压：太阳能电池的外电路开路时的电压。
13、光电流：由于吸收光子而在半导体器件中产生过剩载流子，从而形成的电流。
14、分布反转：处于高能级的电子浓度比处于低能级的电子浓度大的情况，是一个非平衡状态。
15、瞬时光电流：半导体器件的空间电荷区产生的光电流成分。
16、辐射复合：电子和空穴的复合过程能够产生光子，例如砷化镓中的带与带之间的直接复合。
17、肖克莱-里德-霍尔复合：通过深能级陷阱而进行的电子-空穴对的复合，是非辐射复合过程。
18、短路电流：太阳能电池两端直接相连时的电流。
19、受激发射：有个电子被入射光子激发，跃迁到低能级，同时发射第二个光子的过程。
第五篇：饭店术语解释
饭店术语解释
Skipper 意思是故意逃账者；
其特征是：无行李或少行李者，使用假信用卡或假支票等； 对于无行李或少行李者都要留意其消费情况，使用假信用卡或假支票者，要收取其消费保证金。Register 意思是入住登记，指要入住饭店的客人需要办理手续，如填写登记表等； 登记的意义在于可以确保客人身份的真实性，便于查询、联络和沟通；
登记的内容包括客人的姓名、出生年月、国籍、证件号码、签发机关、有效期等。Upgrade 意思是将高价格种类的房间按低价格的出售；
用途：A、用于房间紧张时，给有预订的客人；B、提高接待规格给重要客人。Early arrival 意思是提前到达。指客人在预订时间之前到达。
提前到达有两种情况：A、是指在预订日期之前到达。B、在饭店规定的入住时间之前到达。无论以上哪种情况，都要妥善安排好客人。Connecting room 意思是相连房。指相邻且相通的房间； 适于安排关系密切及需互相照顾的客人； 不宜安排敌对或不同种类的客人。
Room change 指为客人转换房间；
客人转房的两种主要原因是客人休息受到影响及房间设备出现问题； 转房的手续是：叫行李生拿新的房间钥匙及欢迎卡到客人的房间换旧的房匙及欢迎卡，请客人在新的欢迎卡上签名。最后通知相关部门，更改有关资料。
Sleep out
“店外住宿”简称“外宿” House use 指饭店人员用房；
饭店提供一部分房间给管理人员休息用，以便于工作； 要控制好饭店人员用房的数量 Guest history 意思是客史档案；
客人离店后，前台人员将客人的有关资料记录下来并加以保存； 客史档案是饭店极富价值的资料，有利于对客提供针对性、个性化的服务以及开展市场调研，以巩固和稳定客源市场。Sleep out 是“馆外住宿”，简称“外宿”。Tips 意思是小费，指客人为感谢服务员所提供的服务而给予的赏金。按规定不能收）取小费，应婉言谢绝。
如盛情难却，应将小费上交上级部门统一处理。Walk-in 指没有预先订房而前来入住的客人，简称“无预订散客”。Commercial rate 商务房价：指饭店为争取更多的客人而与一些公司签订合同，给予他们优惠的房间价格。Pressing 预先分房：指客人抵达前预先安排所需房间。Net rate 净房价。指房价中除去佣金、税收、付加费等剩下的纯房间收入。Waiting list 意思是等候名单。当饭店房间已满，仍有客人要求订房或入住，可做等候名单。Adjoining room 相邻房。指导相邻而不相通的房间。
适于安排相互熟识的客人，不宜安排敌对或不同种类的客人。Tariff 价目表，是一种向客人提供饭店的房间类型及房间价格等信息的资料。Day use 半天用房，指客人要求租用客房半天，不过夜。
一般租用时间为六小时以内，退房时间为下午六点钟以前，房价是全价的一半。Average room rate平均房价。计算方法：客房总收入除以总住房数。Guaranteed booking 保证性订房。指客人通过使用信用卡、预付定金、订立合同等方法，来确保饭店应有的收入。饭店必须保证为这类客人提供所需的客房，它使双方建立起了一种更为牢靠的关系。DND（do not disturb的缩写）
请勿打扰，客人避免外界打扰而出示的标志。IDD（international direct dial的缩写）意思是直拔国际长途电话。No-show 指没有预先通知取消又无预期抵达的订房。Package 指包价服务。指宾馆将几个项目组成一个整体，一个性出售给客人。Message 意思是留言服务，它是一项饭店帮助客人传递口信的服务。Night audit 意思是夜间稽核，主要负责复核各营业点的营业收入报表、单据、客人房租是否正确，各类特殊价格的审批是否符合规定，发现错误应立即更改，以保证饭店营业收入账目的准确。Cancellation 指客人取消预订的要求。简称取消预订。、Pick up service 意思是接车服务，饭店派人或车到车站、机场、码头把客人接回饭店。Wake-up call 意思是叫醒服务。Hotel chain 意思是旅馆连锁。拥有、经营两个以上旅馆的公司或系统。连锁旅馆使用统一名称，同样的标志，实行统一的经营。管理规范服务标准。House credit limit 指赊账限额。指饭店允许要客人在饭店内消费赊账的最高数额。Rooming list 意思是团体名单，它作为旅行团预订和入住登记时分房之用。Rollaway bed 意思是摺叠床，又叫“加床”。Rack rate 门市价格，是指客人直接在饭店购买客房商品的价格。Out of order 意思是坏房，指那些由于需要维修而不能出租的房间。Over booking 意思是超额预订。Double Occupancy 指两人占用房比例。客房同时有两位客人入住，称两人占用房，两人占用房在出租房中所占的比例，叫两人占用房比例。Emergency exit 意思是紧急出口。饭店专门设置的，供馆内人员在发生火灾等紧急情况时逃生用的出口。Executive floor 行政楼层
饭店将一层或几层的客房相对划分出来，用以接待高级商务行政人员，这些楼层称为行政楼层。它设有自己的总台、收款处、餐厅、休息室等，为客人提供细致周到的服务，其房间也比一般客房豪华。Lost & found 意思是失物招领处。Late checkout 意思是愈时退房。Log book 意思是工作日记本。
FIT（free individual tourist的简称）意思是散客。Room type 意思是房间种类。
常见的房间种类有：单人房、双人房、三人房、标准房、豪华房、套房、相连房和公寓等。不同种类的房间适于不同种类的客人。Group 意思是团体，指那些有组织地进行旅游活动的群体。Settlement 意思是付账或清账。将赊欠饭店的款项付清或签报。付账的方式有几种：现金、信用卡、支票、报账等。Full house 意思是房间客满。Room status 意思是房间状态。
一般房间状态分为：住房已清洁、住房未清洁、空房已清洁、维修房等。Check in 指客人入住饭店办理登记手续的过程。Pre registration 预先登记。
在客人到达前，根据客人历史资料帮客人填好登记表。Coupon 意思是客人已支付费用的住宿凭证。Master folio 总账户。两人或两间房以上发生的所有费用有一个特定账户来记录，结账时统一结算，此账户称总账户。
Confirmed reservation 意思是确认订房。它是指饭店对客人的预订要求予于以接受的答复。Room change 指为客转换房间。Advanced deposit 意思是预付订金。指客人在订房时所交纳的订金。Up selling 意思是根据客人特点，推销更高价格的客房。Check out 意思是指客人办理结账离馆手续。Concierge 意思是委托代办。Arrival departure time Arrival:指客人到宾馆的时间。
Departure:指客人离开宾馆的时间。VIP：（very important person 的缩写）意思是重要客人之意。
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