[《半导体物理》教学大纲.doc]5则范文

第一篇：[《半导体物理》教学大纲.doc]

《半导体物理》教学大纲

学时：72其中实验12学时

学分：4.5分

教材：《半导体物理学》编者刘恩科 朱秉开罗晋生 等国防工业出版社参考书：《半导体物理学》叶良修编； 《半导体物理学》顾祖毅编；

一、课程性质和任务

《半导体物理》是微电子技术专业的专业基础课和学位课之一。其目的使学生掌握半导体物理的基础理论和半导体的主要性质，为后续专业课程的学习和将来相关专业的工作打下基础。

二、教学内容和要求

1、理论教学(60学时)

第一章 半导体中电子状态

掌握晶体结构，半导体中电子的运动、有效质量，本征半导体的导电结构、空穴，常规半导体的能带结构

第二章 半导体中杂质和缺陷能级

掌握硅、锗晶体的杂质能级，Ⅲ－Ⅴ族化合物中的杂质能级，自学杂质、缺陷能级

第三章 半导体中载流子的统计分布

掌握费米能级和载流子的统计分布，本征半导体、杂质半导体的载流子浓度，简并半导体概念和基本性质。自学一般情况下载流子的统计分布。

第四章 半导体的导电性

掌握载流子的迁移运动、散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率与杂质浓度和温度的关系。了解强电场下的效应，多能谷散射。自学玻耳兹曼方程。

第五章 非平衡载流子

掌握非平衡载流子的注入、复合与寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、爱因斯坦关系。自学连续性方程。

第七章 金属和半导体的接触

掌握金属和半导体的接触能级图，金属和半导体的整流理论及欧姆接触。

第八章 半导体表面与MIS结构

掌握表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，了解Si－SiO2系统的性质及表面迁移率。

为巩固基本概念和基础理论，培养学生分析解决问题能力，每章完后布置一定作业。

三、实验教学(12学时)

为了运用课堂基础理论，培养动手能力，本课程设置四个实验：

2、椭偏法测SiO2层的厚度和折射率

3、MOS结构高频C-V测试

4、霍尔效应及参数测试

5、高频光电导衰减法测Si单晶少子寿命

教师课堂讲解实验原理、内容及要求，强调注意事项。

学生分组完成实验并提交实验报告。

第二篇：半导体物理教学大纲（精选）

《半导体物理》

课程编号：01500277

课程名称：半导体物理 Semiconductor Physics 学分：3.5 学时: 56

先修课程： 固体物理、量子力学、理论物理

一、目的与任务

《半导体物理学》是电子科学与技术专业的一门必修课程。通过学习本课程，使学生掌握半导体物理的基本理论和基本规律，培养学生分析和应用半导体各种物理效应的能力，同时为后继课程《半导体器件》与《半导体集成电路》的学习奠定基础。

本课程的任务是揭示和研究半导体的微观机构，从微观的角度解释发生在半导体中的宏观物理现象；重点学习半导体中的电子状态及运动规律；学习半导体中载流子的统计分布、输运理论及相关规律；学习载流子在输运过程中发生的一些宏观物理现象；学习半导体的某些基本结构，包括金属半导体结及表面问题。

二、教学内容及学时分配

第一章 半导体中的电子状态（8学时）1．半导体中的电子状态与能带 2．半导体中电子的运动有效质量 3．本征半导体的导电机构空穴 4．硅和锗的能带结构

第二章 半导体中杂质和缺陷能级（2学时）1．硅、锗晶体中的杂质能级 2．Ⅲ-V族化合物中的杂质能级

第三章 半导体中载流子的统计分布（8学时）1．状态密度

2．费米能级和载流子的统计分布 3．本征半导体的载流子浓度 4．杂质半导体的载流子浓度 5．一般情况下的载流子统计分布 6．简并半导体

第四章 半导体的导电性（8学时）1．载流子的漂移运动迁移率 2．载流子的散射

3．迁移率与杂质浓度和温度的关系 4．电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 5．波尔兹曼方程电导率的统计理论 6．强电场下的效应，热载流子 7．多能谷散射耿氏效应 第五章 非平衡载流子（8学时）1．非平衡载流子的注入与复合 2．非平衡载流子的寿命 3．准费米能级 4．复合理论 5．陷阱效应 6．载流子的扩散运动

7．载流子的漂移运动爱因斯坦关系 8．连续性方程式

第六章 金属和半导体接触（4学时）1．金属与半导体接触及其能带图 2．金属与半导体接触的整流理论 3．欧姆接触

第七章 半导体表面与MIS结构（4学时）1．表面态 2．表面电场效应

3．MIS结构的电容电压特性 4．硅—二氧化硅系统的性质 第八章 异质结（2学时）1．异质结及其能带图 2．异质结的电流输运机构

第九章半导体的光电性质、光电与发光现象（4学时）1．半导体的光吸收和光电导 2．半导体的光生伏特效应 3．半导体的发光、激光

第十章 半导体热电性质（4学时）1．热电效应 2．热电效应的应用

第十一章 半导体磁和压阻效应（4学时）1．霍耳效应 2．磁阻效应 3．光磁电效应 4．压阻效应

三、考核与成绩评定

采用纸笔式闭卷考试，按百分制进行成绩评定。

四、大纲说明

1.本课程在理论物理基础课程学习之后开设。学生应掌握必要的热力学与统计物理、量子力学、电磁场、固体物理学等知识。

2.在保证基本教学要求的前提下，教师可以根据实际情况，对内容进行适当的调整和删节。

3.本大纲适合近电子科学与技术类专业。

五、教科书、参考书

［1］刘恩科，朱秉升，罗晋生等.半导体物理学［M］.北京：国防工业出版社，1994.［2］叶良修.半导体物理学［M］.上册.北京：高等教育出版社，1986.［3］S.M.Sze,physics of Semiconductor Devices［M］.John Wiley and Sons,Inc.1981.《微电子器件基础》

第三篇：半导体物理课程教学大纲

《半导体物理》课程教学大纲

课程编号：C030001 适用专业：微电子技术，微电子学

学时数：72（实验12）学分数：4．5

先修课程：《热力学与统计物理学》、《量子力学》和《固体物理学》

考核方式：闭卷

执笔者：刘诺

编写日期：2004.5

一、课程性质和任务

《半导体物理学》是面向电子科学与技术方向本科生所开设的微电子技术专业和微电子学专业的一门专业基础课和学位课，是培养方案中的核心课程之一。开设的目的是使学生熟悉半导体物理的基础理论和半导体的主要性质，以适应后续专业课程的学习和将来工作的需要。

二、教学内容和要求

理论教学（60学时）

半导体中的电子状态（8学时）：

理解能带论。掌握半导体中的电子运动、有效质量，本征半导体的导电机构、空穴，锗、硅、砷化镓和锗硅的能带结构。半导体中的杂质和缺陷能级（5学时）：

掌握锗、硅晶体中的杂质能级，Ⅲ-Ⅴ 族化合物半导体的杂质能级。理解缺陷、位错能级。

热平衡时半导体中载流子的统计分布（10学时）：

掌握状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度。理解一般情况下的载流子的统计分布。了解简并半导体。半导体的导电性（8学时）：

掌握载流子的漂移运动，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程。了解电导的统计理论。理解强电场效应，热载流子。

非平衡载流子（8学时）：

掌握非平衡载流子的注人与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动、爱因斯坦关系，理解连续性方程。

p-n结（0学时）：

了解p-n结及能带图，p-n结的电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿和p-n结隧道效应。

异质结（0学时）：

了解异质结及其能带图和异质结的电流输运机构。金属和半导体的接触（10学时）：

掌握金属和半导体接触的整流理论。理解少数载流子的注人，欧姆接触。

半导体表面理论（10学时）：

掌握表面态、表面电场效应，MIS结构的电容一电压特性，理解硅一二氧化硅系统，表面电导及迁移率。

半导体磁效应（1学时）：

掌握霍耳效应。

为巩固课堂讲授的基本概念和基本理论，培养学生分析问题和解决问题的能力．每章讲完后，需布置一定分量的课外作业。必做题约40道，选做题平均每章3－5题。

2.实验教学（12学时）

“ 半导体物理实验 ” 包括了六个实验，MOS结构高频C－V特性测试、MOS结构准静态C－V特性测试、MOS结构中可动电荷测试、霍尔效应、椭偏法测SiO2 层的厚度及折射率、及参数测试以及高频光电导衰减法测量Si单晶少子寿命。教师根据实验设备数量选做四个实验。

教师在课堂讲解每个实验的基本原理、测试内容及实验要求，交待实验注意事项。•

学生分组做实验，每组2人。要求学生必须自已动手做实验，独立处理实验数据，完成实验报告，回答思考题。

三、建议教材和参考资料

1.教材：（半导体物理学），西安交大刘恩科主编

2.参考资料：

（1）Fundamental of Solid-State Electronics，Chih-Tang Sah（U.S.A.）

（2）《半导体物理学》，叶良修编

（3）《半导体物理学》，顾祖毅编

（4）《半导体物理实验指导书》，自编讲义

第四篇：浙江大学半导体物理教学大纲

一、教学目的与基本要求：

随着计算机产业和凝聚态物理的发展，近几十年来半导体物理发展迅速。本课程使学生熟练掌握半导体物理的基础理论，了解半导体器件及其背后的物理原理，并对电子器件的研究前沿有所认识。同时也帮助学生了解物理学和工程学科的关系，培养学生阅读查找专业文献和进行学术报告的能力，为今后工作和科研打下基础。

二、主要内容及学时分配：

每周３学时，共16周。主要内容为：

1.半导体电子学 12学时

a)键和能带

b)杂质和缺陷

c)载流子的统计分布

d)电荷输运

2.半导体硅工艺 3学时

3.结和接触 9学时

a)p-n结

b)异质结

c)金属-半导体接触

4.MOS（金属-氧化物-半导体）和MOS场效应晶体管 6学时

5.低维系统 6学时

a)二维电子气和量子霍耳效应

b)量子线

c)量子点

6.自旋电子学 6学时

a)巨磁阻：自旋电子学的开始

b)磁性半导体

c)自旋输运和自旋器件

7.学生报告：半导体中的光、热和磁效应 6学时

三、相关教学环节安排：

1.基础部分（1-4章）安排作业。

2.前沿部分（5-6章）结合多媒体投影教学。

3.组织学生阅读书籍文献，最后进行报告。

四、教学方式：

课堂讲授。多媒体教学。学生报告。

五、考试方式及要求：

笔试结合学生报告。

六、推荐教材或参考书：（含教材名，主编，出版社，出版年代）

教材：

半导体物理学（第6版），刘恩科、朱秉升、罗晋生等编著，电子工业出版社，2003。

参考书：

集成电路的器件电子学（第2版），R.S.Muller、T.I.Kamins著，John Wiley & Sons，1986。

半导体基础：物理和材料性质（第3版），P.Y.Yu、M.Cardona著，Springer，2001。

半导体物理基础，黄昆、韩汝琦著，科学出版社，1979。

磁电子学，焦正宽、曹光旱著，浙江大学出版社，2005。

第五篇：《半导体器件物理》教学大纲(精)

《半导体器件物理》教学大纲

（2006版）

课程编码：07151022 学时数：56

一、课程性质、目的和要求

半导体器件物理课是微电子学，半导体光电子学和电子科学与技术等专业本科生必修的主干专业基础课。它的前修课程是固体物理学和半导体物理学，后续课程是半导体集成电路等专业课，是国家重点学科微电子学与固体电子学硕士研究生入学考试专业课。本课程的教学目的和要求是使学生掌握半导体器件的基本结构、物理原理和特性，熟悉半导体器件的主要工艺技术及其对器件性能的影响，了解现代半导体器件的发展过程和发展趋势，对典型的新器件和新的工艺技术有所了解，为进一步学习相关的专业课打下坚实的理论基础。

二、教学内容、要点和课时安排

第一章 半导体物理基础（复习）（2学时）

第二节 载流子的统计分布

一、能带中的电子和空穴浓度

二、本征半导体

三、只有一种杂质的半导体

四、杂质补偿半导体

第三节 简并半导体

一、载流子浓度

二、发生简并化的条件

第四节 载流子的散射

一、格波与声子

二、载流子散射

三、平均自由时间与弛豫时间

四、散射机构 第五节 载流子的输运

一、漂移运动 迁移率 电导率

二、扩散运动和扩散电流

三、流密度和电流密度

四、非均匀半导体中的自建场

第六节 非平衡载流子

一、非平衡载流子的产生与复合

二、准费米能级和修正欧姆定律

三、复合机制

四、半导体中的基本控制方程：连续性方程和泊松方程

第二章 PN结（12学时）第一节 热平衡PN结

一、PN结的概念：同质结、异质结、同型结、异型结、金属－半导体结

突变结、缓变结、线性缓变结

二、硅PN结平面工艺流程（多媒体演示 图2.1）

三、空间电荷区、内建电场与电势

四、采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷区形成的过程

五、利用热平衡时载流子浓度分布与自建电势的关系求中性区电势

及PN结空间电荷区两侧的内建电势差

六、解poisson’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、内建电势差和空间电荷区宽度（利用耗尽近似）

第二节 加偏压的PN结

一、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结的单向导电性

二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注入和反向抽取现象

第三节

理想PN结的直流电流-电压特性

一、解扩散方程导出理想PN结稳态少子分布表达式，电流分布表达式，电流－电压关系

二、说明理想PN结中反向电流产生的机制（扩散区内热产生载流子电流）

第四节 空间电荷区的复合电流和产生电流

一、复合电流

二、产生电流

第五节 隧道电流

一、隧道电流产生的条件

二、隧道二极管的基本性质（多媒体演示 Fig2.12）

第六节 IV特性的温度依赖关系

一、反向饱和电流和温度的关系

二、IV特性的温度依赖关系

第七节耗尽层电容，求杂质分布和变容二极管

一、PN结C-V特性

二、过渡电容的概念及相关公式推导

求杂质分布的程序（多媒体演示 Fig2.19）

三、变容二极管

第八节 小讯号交流分析

一、交流小信号条件下求解连续性方程，导出少子分布，电流分布和总电流公式

二、扩散电容与交流导纳

三、交流小信号等效电路

第九节

电荷贮存和反响瞬变

一、反向瞬变及电荷贮存效应

二、利用电荷控制方程求解s

三、阶跃恢复二极管基本理论 第十节 P-Ｎ结击穿

一、PN结击穿

二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿基本理论的推导

三、计算机辅助计算例题2－3及相关习题

第三章 双极结型晶体管（10学时）第一节双极结型晶体管的结构

一、了解晶体管发展的历史过程

二、BJT的基本结构和工艺过程（多媒体 图3.1）概述

第二节 基本工作原理

一、理想BJT的基本工作原理 二、四种工作模式

三、放大作用（多媒体Fig3.6）

四、电流分量（多媒体Fig3.7）

五、电流增益（多媒体Fig3.8 3.9）

第三节 理想双极结型晶体管中的电流传输

一、理想BJT中的电流传输：解扩散方程求各区少子分布和电流分布

二、正向有源模式

三、电流增益～集电极电流关系

第四节 爱拜耳斯-莫尔（EbersMoll）方程 一、四种工作模式下少子浓度边界条件及少子分布

二、E-M模型等效电路

三、E-M方程推导

第五节 缓变基区晶体管

一、基区杂质浓度梯度引起的内建电场及对载流子的漂移作用

二、少子浓度推导

三、电流推导

四、基区输运因子推导

第六节 基区扩展电阻和电流集聚

一、基区扩展电阻

二、电流集聚效应

第七节 基区宽度调变效应

一、基区宽度调变效应（EARLY效应）

二、hFE和ICE0的改变

第八节 晶体管的频率响应

一、基本概念：小信号共基极与共射极电流增益（，hfe），共基极截止频率和共射极截止频率（Wɑ ,Wß）,增益－频率带宽或称为特征频率（WT），二、公式（3－36）、（3－65）和（3－66）的推导

三、影响截止频率的四个主要因素：τB、τE、τC、τD及相关推导

四、Kirk效应

第九节 混接型等效电路

一、参数：gm、gbe、CD 的推导

二、等效电路图（图3－23）

三、证明公式（3－85）、（3－86）

第十节

晶体管的开关特性

一、开关作用

二、影响开关时间的四个主要因素：td、tr、tf、ts

三、解电荷控制方程求贮存时间ts 第十一节 击穿电压

一、两种击穿机制

二、计算机辅助计算：习题 阅读

§3.12、§3.13、§3.14

第四章 金属—半导体结（4学时）第一节肖特基势垒

一、肖特基势垒的形成

二、加偏压的肖特基势垒

三、M－S结构的C-V特性及其应用

第二节 界面态对势垒高度的影响

一、界面态

二、被界面态钳制的费米能级

第三节 镜像力对势垒高度的影响

一、镜像力

二、肖特基势垒高度降低

第四节肖特基势垒二极管的电流电压特性

一、热电子发射

二、理查德-杜师曼方程

第五节 肖特基势垒二极管的结构

一、简单结构

二、金属搭接结构

三、保护环结构

第六节 金属-绝缘体-半导体肖特基势垒二极管

一、基本结构

二、工作原理

第七节 肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较

一、开启电压

二、反向电流

三、温度特性

第八节 肖特基势垒二极管的应用

一、肖特基势垒检波器或混频器

二、肖特基势垒钳位晶体管

第九节 欧姆接触

一、欧姆接触的定义和应用

二、形成欧姆接触的两种方法 第五章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管（4学时）第一节JFET的基本结构和工作过程

一、两种N沟道JFET

二、工作原理

第二节 理想JFET的I-V特性

一、基本假设

二、夹断电压

三、I-V特性

第三节 静态特性

一、线性区

二、饱和区

第四节 小信号参数和等效电路

一、参数：gl gml gm CG

二、JFET小信号等效电路图

第五节JFET的截止频率

一、输入电流和输出电流

二、截止频率

第六节 夹断后的JFET性能

一、沟道长度调制效应

二、漏极电阻

第七节 金属-半导体场效应晶体管

一、基本结构

二、阈值电压和夹断电压

三、I-V特性

第八节 JFET和MESFET的类型

一、N—沟增强型

N—沟耗尽型

二、P—沟增强型

P—沟耗尽型 阅读

§5.8 §5.9 第六章 金属-氧化物-场效应晶体管（10学时）第一节 理想MOS结构的表面空间电荷区

一、MOSFET的基本结构（多媒体演示Fig6-1）

二、半导体表面空间电荷区的形成

三、利用电磁场边界条件导出电场与电荷的关系公式（6－1）

四、载流子的积累、耗尽和反型

五、载流子浓度表达式 六、三种情况下MOS结构能带图

七、反型和强反型条件，MOSFET工作的物理基础

第二节 理想MOS电容器

一、基本假设

二、C～V特性：积累区，平带情况，耗尽区，反型区

三、沟道电导与阈值电压：定义 公式（6－53）和（6－55）的推导

第三节 沟道电导与阈值电压

一、定义

二、公式（6－53）和（6－55）的推导

第四节 实际MOS的电容—电压特性

一、M-S功函数差引起的能带弯曲以及相应的平带电压，考虑到M-S功函数差，MOS结构的能带图的画法

二、平带电压的概念

三、界面电荷与氧化层内电荷引起的能带弯曲以及相应的平带电压四、四种电荷以及特性平带电压的计算

五、实际MOS的阈值电压和C～V曲线

第五节 MOS场效应晶体管

一、基本结构和工作原理

二、静态特性

第六节 等效电路和频率响应

一、参数：gd

gm

rd

二、等效电路

三、截止频率

第七节 亚阈值区

一、亚阈值概念

二、MOSFET的亚阈值概念

第九节 MOS场效应晶体管的类型

一、N—沟增强型

N—沟耗尽型

二、P—沟增强型

P—沟耗尽型

第十节 器件尺寸比例

MOSFET制造工艺

一、P沟道工艺

二、N沟道工艺

三、硅栅工艺

四、离子注入工艺

第七章 太阳电池和光电二极管（6学时）第一节半导体中光吸收

一、两种光吸收过程

二、吸收系数

三、吸收限

第二节 PN结的光生伏打效应

一、利用能带分析光电转换的物理过程（多媒体演示）

二、光生电动势，开路电压，短路电流，光生电流（光电流）

第三节 太阳电池的I-V特性

一、理想太阳电池的等效电路

二、根据等效电路写出I-V公式，I-V曲线图（比较：根据电流分量写出I-V公式）

三、实际太阳能电池的等效电路

四、根据实际电池的等效电路写出I-V公式

五、RS对I-V特性的影响

第四节 太阳电池的效率

一、计算 Vmp

Imp

Pm

二、效率的概念FFVOCIL100% Pin第五节 光产生电流和收集效率

一、“P在N上”结构，光照，GLOex少子满足的扩散方程

二、例1－1，求少子分布，电流分布

三、计算光子收集效率：colJptJnGO 讨论：波长长短对吸收系数的影响 少子扩散长度和吸收系数对收集效率的影响 理解Fig7-9,Fig7-10所反映的物理意义

第六节

提高太阳能电池效率的考虑

一、光谱考虑(多媒体演示)

二、最大功率考虑

三、串联电阻考虑

四、表面反射的影响

五、聚光作用

第七节

肖特基势垒和MIS太阳电池

一、基本结构和能带图

二、工作原理和特点

阅读 §7.8 第九节 光电二极管

一、基本工作原理

二、P-I-N光电二极管

三、雪崩光电二极管

四、金属－半导体光电二极管

第十节

光电二极管的特性参数

一、量子效率和响应度

二、响应速度

三、噪声特性、信噪比、噪声等效功率（NEP）

四、探测率（D）、比探测率（D*）第八章 发光二极管与半导体激光器（4学时）第一节辐射复合与非辐射复合

一、辐射复合：带间辐射复合，浅施主和主带之间的复合，施主－受主对（D-A 对）复合，深能级复合，激子复合，等电子陷阱复合

二、非辐射复合：多声子跃迁，俄歇过程（多媒体演示），表面复合

第二节 LED的基本结构和工作过程

一、基本结构

二、工作原理（能带图）

第三节 LED的特性参数

一、I-V特性

二：量子效率：注射效率、辐射效率r、内量子效率i，逸出概率o、外量子效率

三、提高外量子效率的途径，光学窗口

四、光谱分布，峰值半高宽 FWHM,峰值波长，主波长，亮度

第四节 可见光LED

一、GaP LED

二、GaAs1-xPx LED

三、GaN LED 第五节 红外 LED 一、性能特点

二、应用

光隔离器

阅读§8.6 , §8.7 , §8.8 , §8.9 , §8.10(不做作业和考试要求)第九章 集成器件（阅读，不做作业和考试要求）第十章 电荷转移器件（4学时）第一节 电荷转移

一、CCD基本结构和工作过程

二、电荷转移

第二节 深耗尽状态和表面势阱

一、深耗尽状态—非热平衡状态

二、公式（10-8）的导出

第三节 MOS电容的瞬态特性

深耗尽状态的能带图

一、热弛豫时间

二、信号电荷的影响

第四节 信息电荷的输运 转换效率

一、电荷转移的三个因素

二、转移效率、填充速率和排空率

第五节

电极排列和CCD制造工艺 一、三相CCD 二、二相CCD 第六节 体内（埋入）沟道CCD

一、表面态对转移损耗和噪声特性的影响

二、体内（埋入）沟道CCD的基本结构和工作原理

第七节

电荷的注入、检测和再生

一、电注入与光注入

二、电荷检测

电荷读出法

三、电荷束的周期性再生或刷新

第八节

集成斗链器件

一、BBD的基本结构

二、工作原理

三、性能

第九节 电荷耦合图象器件

一、行图象器

二、面图象器

三、工作原理和应用

三、教学方法

板书、讲授、多媒体演示

四、成绩评价方式

闭卷考试加平时作业、课堂讨论

五、主要参考书目

1、孟庆巨、刘海波、孟庆辉编著 《半导体器件物理》，科学出版社，2005-6第二次印刷。

2、S M Sze.《半导体器件:物理和工艺》。王阳元、嵇光大、卢文豪译。北京：科学出版社，1992

3、S M Sze.《现代半导体器件物理》科学出版社 2001年6月第一次印刷

4、爱得华·S·扬 《半导体器件物理基础》，卢纪译。北京：人民教育出版社，1981

5、刘文明 《半导体物理学》长春：吉林人民出版社，1982

6、孟宪章，康昌鹤.《半导体物理学》长春：吉林大学出版社，1993

7、R A史密斯.《半导体》(第二版).高鼎三等译。北京：科学出版社，1987

8、Casey H C,Panish Jr M B.Heterostructure lasers.Academic Press,1978

9、Donald A·Nermen著《半导体物理与器件》 赵毅强，姚淑英，谢晓东译 电子工业出版社，2005年2月第一次印刷