电子元器件供应与采购习惯趋势分析

第一篇：电子元器件供应与采购习惯趋势分析

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电子元器件供应与采购习惯趋势分析刘杰博士：谢谢李先生，特别是台湾方言讲零组件，以后发展组件的概念将会更突出。我们今天下午最后一个发言是我跟大家分享一下，我们有关采购行为的一个调 查。我在这里把我们主要的研究发现跟大家分享一下，因为过去在集成电路做过比较的分析，我们电子元件做的比较少，所以这次我们做了一下。

我们这个调查主要是去研究一下大家对供应商的选择是什么样的标准，对国内的供应商和国际的供应商的情况做一些分析。一方面我们帮助电子元件需求一方，就是 设计工程师采购工程师跟我们分享一下采购的经验，不单单是价钱。另外一方面我也非常想帮助电子元件的制造商在制定市场策略的时候有一些帮助。我想了解一下 这里有多少是来自于电子元件制造商的？来自分销商的呢？来自整机厂的呢？

我们这是一个采购需求的调查，我们希望能够帮助设计工程师采购工程师去改善采购的效率。我们所有的元件问卷来自于制造商比较多，然后研发工程师占一半，采 购占四分之一，还有生产管理这样一些环节。从大家从事的产品来看，有一半是3C的产品，然后有二分之一是高新技术产品，这些人对价钱不是特别敏感。我们做 高新产品的多一些。我们基本的问题就是你在过去12个月里面跟哪些电子元件公司采购产品。第一个在我们八个要素里面，供应商的供货能力和技术支持是得分比 较高的，供应商的品牌知名度和产品组合满意度给的分数是最低的，在这五类公司里面做连接器的平均得分高，我们有一个完整的报告，等一下我这个讲演结束以 后，我们会有一个领军企业的颁奖活动，为了感谢大家我们有一个精密演讲报告的研究结束会发给大家。

接下来我们看一组数据，一个我们问说，你们公司采购决策，那么是哪一些人参与决策？我把结果说一下。总经理和采购员一起决策，总经理和设计口决策，还有设 计口单独决策，这两组数据比较，通过设计口和总经理决策的占四成，总经理和采购一起决策占到27%，而总经理和设计工程师的决策是28%。第二个就是在选 择合格供应商的问题说，我们发现分销商在里面的比例，如果一个产品有三分之二是通过分销商买的，我们这次调查发现还是蛮符合国际的惯例。透过分销商采购，各位作为原厂在推广过程中授权分销商受的效果更大一些。有关问到你喜欢跟国际公司买东西，还是喜欢跟本地公司买公司，大概60%的人说要么跟国际的厂商买 或者跟本地公司买。进口的比例也是有一个很有意思的，有60%的产品是透过进口的产品。

我们最关心的一些服务，我们把八个要素合在一起，本地的供应能力和和本土化程度是最高的，我们在设计本土化程度这个概念上有一点模糊，再一个就是品牌知名 度这个事情，其实是以公司总体的，所以大家特别想知道的你到底有多少产品让我买，是不是我所有的电路保护的方案都可以在这里买，这个跟品牌关联的，所以比 较低。在我们电子元件里面谁是第一位，我们确实要分析一下。因为我们也去问过日系的两个大公司，他们有什么不一样，我自己以前做集成电路做了10多年，最近一年多在做电子元件。这是我们得分的情况，这是一个日本公司的得分情况，这是一个半导体公司的得分情况，台湾的公司技术的组合，特别是产品的性价比。我 们经常说台湾的产品质量不错，性价比也高，这个我们也在进一步的分析。更有趣的是本地的公司，我们经常本地的公司说我要做就做性价比高的，本地的性价比稍 微低一点，但是本地的公司品牌知名度反而比较高，我想这和政府的支持有关系。我们使用的一些要素可以跟大家分享一下。机电产品的性价比是很高的，技术支持也是，专业领域公司得分是最高的。基本上的趋势都是这样的。对产品的质量，技 术领先性等等，我们还有一些操作图表在我们报告里面都有反映。这是产品组合，从实际来看有些本地公司在产品组合方面得分是比国际公司高。我们把五大类产品 的满意总体得分加在一起，其中

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机电产品是得分最高的，接下来是模块电源和电池，我们取得数据全部是通过网上问卷，没有进行电话采访，全部是网上的调查。这 是机电产品的8个要素得分情况。这是海内海外的分立半导体平均得分比较的，从品牌知名度来看国内的公司是超过了海外的公司。

我们这里是把我们分析报告跟大家做的一些分享，在我们这个研究报告里面机电产品得分是平均比较高的。接下来我们在一号馆有颁奖典礼，等一下你们可以把你们 公司的名字告诉我，我可以去数据库里面帮你查看一下八个要素的平均得分情况。

谢谢大家！

杜尧生：欢迎参加这个基础研讨会，也感谢各位同仁，我们老朋友，新朋友来参加这个会议，我是来自 Littelfuse的杜尧生。

今天主要讲的是电路保护，包括静电，防雷技术的方案，以及Littelfuse新的产品在各种方案推广使用中的情况。

说到电路保护，Littelfuse是一家提出整个电路保护领域解决方案，以及生产元器件的公司。它主要做器件类的保护，方案里面器件怎么去使 用，器件怎么在电路中发挥它最大的作用，保护一个是过压保护，一个是过流保护。过压保护是电压的变化，我们看到这个波形就是电压的损变，静电、雷击表现都 超过我们的承受值，需要把这个电压限定在我们可以接受的安全范围之内。通常前面是保护器件，保护器件就像设备闸一样，把这个波形抑制到一个我们能够接受的 范围。最终的目的是把这个电压降下来，降电压有两种方式，Littelfuse是科瑞迪瓦依斯，一个是科瑞迪德阿斯，把电压降到一个安全范围之内，并且不 能跌落，只是把电压钳在某一个值，另外一个科瓦德，以电连的形式把电压和能量泄放掉，前面是闸流式，像水闸一样，根据不同的信号有不同的应用。

本次电路保护与电磁兼容研讨会的主办方 中国电子展()、电子元件技术网()和我爱方案网()谢谢！而下面我们来说说电压，说到电压就要讲到波形，通常我们按照IEC标准来做，所有器件的特性研发设计也都是根据这些特定的波形，比如8*20的波 形，8*20设定一个上升时间，根据这个指定时间，我们可以设到11天，11天在通讯里用的是比较宽的波形，当然这个波压最终有电流的波形，也有电压的波 形。

最大的能量我们希望在哪里呢？半周期的能量能够最大可能的泄放，顶峰值能抑制，以电流、热的形式把它泄放掉，这就是保护器件能够起到的一个作 用。因为82 微米感应流波形的特色，82是感应雷电的波形。还有11天可能在通讯里面出现的波形，这个波形针对不同的器件来满足它不同的特性。我们按照

IEC61000-4-2标准，实际上我们可以观察这个器件，它在很短的时间内可以提升到一个比较大的值上，另外它有第二个波冲下来，从这个波形里面我们 看它的能量点，它第一个波形的电流值实际是30纳米，一直到60纳米。

通常八千伏、15千伏，这两种放电模式是根据人体的模型定义出来的，人体的模型可能不是直接感应，但是示波器可以牢牢抓住静电的波形。它对静电 的敏感，因为以前对静电整个器件在敏感等级上有一些不同的要求。比如我们最常用的八千伏，或者15千伏的要求，因为这种情况是经常出现，比如你的手机装在 口袋里面，特别到北方去，无时无刻不会受到静电的影响，从口袋把手机掏出来“啪”的一声手机就坏了。最后的静电反映在客观上，我们用量化来看静电的波

形，这个波形也是国际电工委员会，经过非常严格的讨论以后来定义的，我们的器件，如何实现保护，最基本的一点就是满足一些安全的标准，当然也满足电磁兼容的标 准，所有的器件根据这个波形的特性进行进一步的开发„

第二篇：电子元器件采购学习心得

电子元器件采购学习心得

怎么样成为一名优秀顶尖的电子元器件采购？

1.勤奋。很多行业内大公司的 Top Buyer 都是很勤奋的，每天不断的拜访打电话开发新的供应商，不断的询价，不断的学习！

有的采购说我的渠道足够用了，不需要新的供应商，供应商是会变化的，就像最近安富利一样，也许有一天你的供应商类似安富利一样，ADI 代理权被取消了，给不了你 ADI产品好价格！原厂，代理商 市场策略以及人员不断的变化，变化中我们需要的是不断的更新我们的信息，才可以在万变中不变！

2.良好的思维方式。成为行业TopBuyer 绝对不是那么简单，但是也没有

那么复杂，需要借力，怎么样借力呢？ 你公司的资源有限，你个人的资源有限，可以借助某些人，某些公司，某些圈子。说到圈子，百威尔IC诚信圈就是一个典型的圈子，借助里面圈子的资源，可以加强渠道资源信息等。

任何一个圈子可以建立和发展 总有一些东西是可以帮助到圈子里面的人，这个是毋庸置疑的。百威尔IC诚信建立快三年了，我从事这个行业也是有快10年时间了，在代理商和贸易商也做过，所以十年来也积累了很多行业资源，原厂，代理商，贸易商等，发展建立这个圈子，几乎倾

注了我十年来建立的资源和人脉以及行业思维。也就是说如果你加入这个圈子，你用仅仅的会员费用 就可以买到我十年来从事这个行业建立的一大部分资源和人脉，如果不是发展建立这个圈子，十年来积累的行业人脉资源和信息是不可能用一点会员费用可以买到的。

所以说一个好的采购，思维模式很重要，有很好的思维模式就会借力，把自己强大起来！行业人士经常说到，我们需要拥抱电商，那么作为一名优秀的采购，我们可以说是需要拥抱圈子！

3.良好的记忆。我遇到过行业大公司的采购总监，他基本可以记住行业里面超过1000家贸易商公司的老总做事风格，全名，籍贯，大概年龄，公司主要经营品牌，公司大概的架构人数，公司大概地址，成立时间等，所以做一名优秀的采购 每天要培养自己的记忆能力，记忆能力越好，你的信息越多。假设一下，如果一个顶尖采购 可以掌握10000家供应商的详细信息在大脑 那是什么样子的情况了？ 也许你会说，他的大脑就是一个平台了！

4.良好的沟通能力 谈判能力。

5.细心。很多渠道其实就是在身边，可是竞争对象就是找不到，但是因为你的细心，就在身边被你发现了。

6.良好的心理素质。电子元器件行业水很深，所以需要有良好的心理准备和素质，面对所有的变化和挑战。

7.相信运气，相信偶然！电子元器件的产业太大了，很多时候 一个大客户，大订单的产生是有运气和偶然成分的，所以你要自信，要乐观，相信你自己会很幸运的，如果你足够的努力，足够的用心。

8.成为一名优秀的销售。好的销售一定是一名好的采购，但是好的采购不一定是好的销售，所以有机会采购可以去做一段时间销售岗位。

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第三篇：电子元器件失效分析

电子元器件失效分析

1.失效分析的目的和意义

电子元件失效分折的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象.分辨其失效模式和失效机理.确定其最终的失效原因，提出改进设计和制造工艺的建议。防止失效的重复出现，提高元器件可靠性。失效分折是产品可靠性工程的一个重要组成部分，失效分析广泛应用于确定研制生产过程中产生问题的原因，鉴别测试过程中与可靠性相关的失效，确认使用过程中的现场失效机理。

在电子元器件的研制阶段。失效分折可纠正设计和研制中的错误，缩短研制周期；在电子器件的生产，测试和试用阶段，失效分析可找出电子元器件的失效原因和引起电子元件失效的责任方。根据失效分析结果。元器件生产厂改进器件的设计和生产工艺。元器件使用方改进电路板设汁。改进元器件和整机的测试，试验条件及程序，甚至以此更换不合格的元器件供货商。因而，失效分析对加快电子元器件的研制速度.提高器件和整机的成品率和可靠性有重要意义。

失效分折对元器件的生产和使用都有重要的意义.如图所列。

元器件的失效可能发生在其生命周期的各个阶段.发生在产品研制阶段，生产阶段到使用阶段的各个环节，通过分析工艺废次品，早期失效，实验失效及现场失效的失效产品明确失效模式、分折失效机理，最终找出失效原因，因此元器件的使用方在元器件的选择、整机计划等方面，元器件生产方在产品的可靠性方案设计过程，都必须参考失效分折的结果。通过失效分折，可鉴别失效模式，弄清失效机理，提出改进措施，并反馈到使用、生产中，将提高元器件和设备的可靠性。

2.失效分析的基本内容

对电子元器件失效机理，原因的诊断过程叫失效分析。进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。失效分析的任务是确定失效模式和失效机理.提出纠正措 施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。因此，失效分析的主要内容包括：明确分析对象。确定失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出预防措施（包括设计改进)。

2.1 明确分析对象

失效分析首先是要明确分析对象及失效发生的背景。失效分析人员应该了解失效发生时的状况.确定在设计，生产，检测，储存，传送或使用哪个阶段发生的失效，如有可能，要知道失效发生时的现象以及失效发生前后的操作过程。在条件许可的情况下.尽可能的复现失效。

2.2 确定失效模式

失效的表面现象或失效的表现形式就是失效模式。失效模式的确定通赏采用两种方法，即电学测试和显微镜现察。根据测试、观察到的现象与效应进行初步分析，确定出现这些现象的可能原因，或者与失效样品的哪一部分有关；同时通过立体显微镜检查，观察失效样品的外观标志是否完整，是否存在机械损伤，是否有腐蚀痕迹等；通过电特性试，判断其电参数是否与原始数据相符.分析失效现象可能与失效样品中的哪一部分有关；利用金相显微镜和扫描电子显微镜等设备观察失效部位的形状，大小，位置，颜色，机械和物理结构，物理特性等，准确的描述失效特征模式。

失效模式可以定位到电（如直流特性、漏电）或物理（如裂纹、侵蚀）失效特征，根据失效发生时的条件（如老化、静电放电、环境），结合先验知识，区分失效位置.减少诊断失效机理要求的工作量。

2.3 判断失效原因

根据失效模式，失效元器件的材料性质、制造工艺理论和经验，结合观察到的相应失效部位的形状、大小、位置、颜色以及化学组成、物理结构、物理特性等因素，参照失效发生的阶段、失效发生时的应力条件和环境条件，提出可能的导致失效的原因。失效可能由一系列的原因造成，如设计缺陷，材料质量问题，制造过程问题、运输或储藏条件不当，在操作时的过载等，而大多数的失效包括一系列串行发生的事件。对一个复杂的失效，需要根据失效元器件和失效模式列出所有可能导致失效的原因，确定正确的分析次序，并且指出哪里需要附加的数据来支撑某个潜在性因素。失效分析时根据不同的可能性，逐个分折，最终发现问题的根源。

2.4 研究失效机理

对于失效机理的研究是非常重要的，需要更多的技术支撑。

在确定失效机理时，需要选用有关的分析、试验和观测设备对失效样品进行仔细分析，验证失效原因的判断是否属实，并且能把整个失效的顺序与原始的症状对照起來，有时需要用合格的同种元器件进行类似的破坏实验，观察是否产生相似的失效现象。通过反复验证，确定真实的失效原因，以电子元器件失效机理的相关理论为指导。对失效模式、失效原因进行理论推理，并结合材枓性质、有关设 计和工艺理论及经验，提出在可能的失效条件下导致该失效模式产生的内在原因或具体物理化学过程。如存可能, 更应以分子、原了学观点加以阐明或解释。

2.5提出预防措施及设计改进方法

根据分析判断。提出消除产生失效的办法和建议，及时地反馈到设计、工艺、使用单位等各个方面，以便控制乃至完全消除失效的主要失效模式的出现。失效分析要求

随着科技水平的发展和工艺的进歩.电子产品越来越微型化、复杂化和系统化，而其功能却越来越强大，集成度越来越高，体积越来越小。随着科技的发展各种新材料、新器件也不断出现，对失效分析的要求也越来越高；用于失效分析的新技术，新方法和新设备也越来越多。但在实际的失效分析过程中，遇到的样品多种多样，失效情况也各不相同。因此，根据失效分析的目的与实际，选择合适的分析技术与方法，从大到小，从外到内，从非破坏到破坏，从定性到定量，使失效分析迅速、准确、可靠。

电子元器件失效分析的就是要做到模式准确、原因明确、机理清楚、措施得力、模拟再现、举一反三。

3.1 模式准确

如前所述，失效模式是指失效的外在直观失效表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式。如开路、短路、参数漂移、功能失效等。模式准确，就是要将失效的性质和类型判断准确。

失效模式的判断应首先从失效环境的分析入手，细心收集失效现场数据。失效现场数据反映了失效的外部环境，对确定失效的责任方有重要意义。有些看来与现场无直接关系的东西可能是决定性的。例如,失效现场数据表明，工作人操作无误，供电系统正常，而整机上的器件出现了早期失效，说明元器件生产厂应对元器件失效负责，应负责整改，排除工艺缺陷，提高产品可靠性。

收集失效现场数据主要包括：失效坏境、失效应力、失效发生期、失效现象及过程和失效样品在失效前后的电测量结果。

失效环境包括：温度、湿度、电源环境，元器件在电路图上的位置、作用，工作条件和偏置状况。失效应力包括：电应力、温度应力、机械应力、气候应力和辐射应力。如样品经可靠性试验而失效，需了解样品经受实验的应力种类和时间

失效发生期包括：失效样品的经历、失效时间、失效发生的阶段，如研制、生产、测试、试验、储存、使用等。

3.2

原因明确

失效原因的判断通常是整个失效分析的核心和关键，对于确'定失效机理，提出预防措施具有总要的意义。

失效原因通常是指造成电子元器件失效的直接关键性因素，其判断建立在失效模式判断的基础上。通过失效原因的分析判断，确定造成失效的直接关键因素处于设汁、材料、制造工艺、使用及环境的哪―环节。

失效现场数据为确定电子元器件的失效原因提供了重要线索。失效可分为早期失效、随机尖效和磨损失效。而早期失效主要由工艺缺陷、原材料缺陷、筛选不充分引起。随机失效主要由整机开关时的浪涌电流、静电放电、过电损伤引起。磨损失效主要由电子元器件自然老化引起。根据失效发生期，可估计失效原因，加快失效分析的进度。此外，根据元器件失效前或失效时所受的应力种类和强度，也可大致推测失效的原因，加快失效分析的进程。如表：

然而失效原因的确定是相当复杂的,其复杂性表现为失效原因具有的一些特点。如原因的必要性、多样性、相关性、可变性和偶然性，需要综合多方面情况及元器件特点进行。

3.3 机理清楚

失效机理是指失效的物理、化学变化过程。微观过程可以追溯到原子、分子尺度和结构的变化，但与此相对的是它迟早也要表现出一系列宏现（外在的）性能，性质变化，如疲劳、腐蚀和过应力等。失效机理是对失效的内在本质、必然性和规律性的研究，是人们对失效内在本质认识的理论提高和升华。

失效原因通常可以分为内因和外因两种.失效机理就是失效的内因。它是导致电子元器件发生失效的物理、化字或机械损伤过程。失效机理研是失效的深层次内因或内在本质.即酿成失效的必然性和规律性的研究。要清楚地判断元器件失效机理就必须对其失效机理有所了解和掌握。如在集成电路中金属化互连系统可能存在着电迁移和应力迁移失效，这两种失效的物理机制是不同的，产生的应力条件也是不同的。对于失效机理的研究和判断需要可靠性物理方面的专业知识。

3.4 措施得力，模拟再现，举一反三

措施得力，模拟再现，举一反三是建立在前面对失效模式、失效原因和失效机理深入分折和准确把握的基础上。当然制定预防措施也应考虑长远的手段和产品使用问题。以及工程上的可行性、经济性等方面。模拟再现则要分折模拟的可能性和必要性，同时，随着计算机技术的高速发展，计算机模拟仿真也成为模拟再现的一个重要手段。

失效分析是一个复杂的、综合性的过程.它不仅仅只是失效分析工程师的工作.而且需要设计工程师、制造工程师、使用工程师的密切配合。只有在各个方面的团结协作下，才能找到产品失效的真实原因，准确判断其失效机理，揭示引起产品失效的过程，起到改进产品设计，提高产品固有可靠性和使用可靠性目的。

另外，为了得到一个成功的失效分析结果，避免犯一些常见的错误，所有可能涉及失效现象处理的人，都应该具备—些处理故障现象的基本知识。

1.保护实物证据 2.避免过多的加电测试

3.保证失效元器件在到达失效分析工程师之前不再受到损伤 4.制定失效分析方案 5.确定失效现象 6.失效分析的基本

失效分析应遵循先光学后电学、先面后点、先静态后动态、先非破坏后破坏、先一般后特殊、先公用后专用、先简单后复杂、先主要后次要的基本原则，反复测试、认真比较。同时结合电子元器件结构、工艺特点进行分析，避免产生错判、误判。主要失效模式及其分布

电子元器件的种类很多，相应的失效模式和失效机理也很多。总体来说，电子元器件的失效主要是在产品的制造，试验，运输，储存和使用等过程中发生的。与原材料、设计、制造、使用密切相关。下图给出了一些电子元器件现场使用失效模式及其分布的数据统计结果：

5.失效的主要机理及其定义

失效机理是指引起电子元器件失效的实质原因，即引起电子元器件失效的物理或化学过程.通常是指由于设计上的弱点（容易变化和劣化的材料的组合）或制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生的失效及其机理。

为了通过物理、化学的方法分析失效发生的现象，理解和解释失效机理，需要提供模型或分析问题的思维方法，这就是失效物理模型。元器件的失效物理模型大致分为反应论模型、应力强度模型、界限模型、耐久模型、积累损伤（疲劳损伤）模型等.如下表所列。对于半导体元器件来说.失效机理通常有两种失效物理模型：反应论模型和应力强度模型。

失效机理是电子元器件失效的物理或化学本质，从研究原始缺陷或退化进入失效点的物理过程。进一步确定导致失效的表面缺陷、体缺陷、结构缺陷。确定电学、金属学、化学及电磁学方面的机理。电子元器件种类繁多，导致失效的机理也很多，不同失效机理对应的失效摸式不一样。甚至相问的失效机在不同电子元器件导致的失效模式都不一样，因此需要在失效分析时认真对待,严格区分。

5.1 机械损伤

机械损伤在电子元器件制备电极及电机系统工艺中经常出现，如果在元器件的成品中，存在金属膜的划伤缺陷而末被剔除，则划伤缺陷将是元器件失效的因素，必将影响元器件的长期可靠性。.2結穿刺（结尖峰）

结穿刺即指PN结界面处为一导电物所穿透。在硅上制作欧姆接触时，铝-硅接触系统为形成良好的欧姆接触必须进行热处理，这时铝与硅相连接是通过450-550摄氏度热处理后在分立的点上合金化形 成的。在该合金化温度范围内，硅在铝的固溶度很大，但铝在硅中的固溶度要低很多，固溶度之差导致界面上的硅原子净溶解在铝中，同时界面上的铝也扩散到硅中填充硅中的空位。这就是在铝膜加工过程中，发生由于硅的局部溶解而产生的铝“穿刺”透入硅衬底问题的问题。结穿刺经常导致PN结短路失效。

5.3 铝金属化再结构

由于铝与二氧化硅或硅的热膨胀系数不匹配，铝膜的热膨胀系数比二氧化硅或者硅大，党元器件在间歇工作过程中，温度变化或者高低温循环试验时，铝膜要受到张应力和压应力的影响，会导致铝金属化层的再结构。铝金属化层再结构经常表现为铝金属化层表面粗糙甚至表面发黑，显微镜下可见到表面小丘、晶须或皱纹等。

5.4 金属化电迁移

当元器件工作时，金属互连线的铝条内有一定强度的电流流过，在电流作用下，金属离子沿导体移动，产生质量的传输，导致导体内某些部位产生空洞或晶须（小丘）这就是电迁移现象。在一定温度下，金属薄膜中存在一定的空位浓度，金属离子热振动下激发到相邻的空位，形成自扩散。在外电场作用下.金属离子受到两种力的作用，一种是电场使金属离子由正极向负扱移动，一种是导电电子和金属离子间互相碰撞发生动量交换而使金属离子受到与电子流方向一致的作用力，金属离子由负极向正极移动，这种作用力俗称“电子风”。对铝、金等金属膜，电场力很小，金属离子主要受电子风的影响，结果使金属离子与电子流一样朝正极移动，在正极端形成金属离子的堆积，形成晶须，而在负极端产生空洞，使金属条断开。

产生电迁移失效的内因是薄膜导体内结构的非均匀性，外因是电流密度。

5.5 表面离子沾污

在电子元器件的制造和使用过程中，因芯片表面沾污了湿气和导电物质或由于辐射电离、静电电荷积累等因素的影响，将会在二氧化硅氧化层表面产生正离子和负离子，这些离子在偏压作用下能沿表面移动。正离子聚积在负电极周围，负离子聚积在正电极周围，沾污严重时足以使硅表面势垒发生相'当程度的改变。这些外表面可动电荷的积累降低了表面电导，引起表面漏电和击穿蠕变等；表面离子沾污还会造成金属的腐浊，使电子元器件的电极和封装系统生锈、断裂。

5.6 金属的腐蚀

当金属与周围的介质接触时，由于发生化学反应或电化学作用而引起金属的破坏叫做金属的腐蚀。在电子元器件中，外引线及封装壳内的金属因化学反应或电化学作用引起电性能恶化直至失效，也是主要的失效机理。

根据金属腐蚀过程的不同特点，可分为化学腐蚀和电化学腐蚀。金属在干燥气体或无导电性的非水溶液中，单纯由化学作用而引起的腐蚀就叫做化学腐蚀，温度对化学腐蚀的影响很大。当金属与电解质溶液接触时，由电化学作用而引起的腐蚀叫做电化学腐蚀，其特点是形成腐蚀电池，电化学腐蚀过程的本质是腐蚀电池放电的过程，在这个过程中，金属通常作为阳极，被氧化而腐蚀，形成金属氧化物，而阴极反应则跟据腐蚀类型而异，可发生氢离子或氧气的还原，析出氢气或吸附氧气。

5.7 金铝化合物失效

金和铝两种金属，在长期储存和使用后，因它们的化学势不同，它们之间能产生金属间化合物，如生成AuAl2，AuAl，Au2Al等金属间化合物。这几种金属间化合物的晶格常数、膨胀系数、形成过程中体积的变化、颜色和物理性质是不同的，且电导率较低。AuAl3浅金黄色，AuAl2呈紫色，俗称紫斑，Au2Al呈白色.称白斑，是一种脆性的金属间化合物，导电率低，所以在键合点处生成了Au-Al间化合物之后，严重影响相恶化键合界面状态，使键合强度降低，变脆开裂，接触电阻增大等，因而使元器件出现时好时坏不稳定现象，最后表现为性能退化或引线从键合界面处脱落导致开路。

5.8 柯肯德尔效应

在Au-Al键合系统中，若采用金丝热压焊工艺，由于在高温（300摄氏度以上）下，金向铝中迅速扩散。金的扩散速度大于铝的扩散速度，结果出现了在金层—侧留下部分原子空隙，这些原子空隙自发聚积，在金属间化合物与金属交界面上形成了空洞，这就是可肯德尔效应，简称柯氏效应。当可肯德尔空洞增大到一定程度后，将使键合界面强度急剧下降，接触电阻增大，最终导致开路。柯氏空洞形成条件首先是Au-Al系统，其次是温度和时间。

5.9 银迁移

在电子元器件的贮存及使用中，由于存在湿气、水分，导致其中相对活泼的金属银离子发生迁移，导致电子设备中出现短路，耐压劣化及绝缘性能变坏等失效。银迁移基本上市一种电化学现象，当具备水分和电压的条件时，必定会发生银迁移现象。空气中的水分附在电极的表面，如果加上电压，银就会在阳极处氧化成为带有正电荷的银离子，这些离子在电场作用下向阴极移动。在银离子穿过介质的途中，银离子被存在的湿气和离子沾污加速，通常在离子和水中的氢氧离子间发生化学反应，形成氢氧化银，在导体之间出现乳白色的污迹，最后在阴极银离子还原析出，形成指向阳极的细丝。

5.10 过电应力

电子元器件都在其参数指标中设定了使用时所能承受的最大应力，包括最高工作环境温度或壳温，最大额定功率，最大工作电压、电流，峰值电压，最大输入、输出电流、电压等。如果在使用时所加的电应力超过了元器件规定的最大应力.即使是瞬间超过，也将造成电子元器件的损伤，这种电应力就称为过电应力，其造成的损伤主要表现为元器件性能严重劣化或失去功能。过电应力通常分为过压应力和 过流应力。在过电应力作用下，电子元器件局部形成热点，当局部热点温度达到材料熔点时使材料熔化，形成开路或短路，导致元器件烧毁。

5.11 二次击穿

二次击穿是指当元器件被偏置在某一特殊工作点时（对于双极型晶体管，是指V平面上的一点），电压突然跌落，电流突然上升的物理现象，这时若无限流装置及其它保护措施，元器件将被烧毁。凡是有杂质浓度突变的元器件（如PN结等）都具有二次击穿的现象，二次击穿是一种体内现象，对于双极型器件，主要有热不稳定理论（热模式）和雪崩注入理论（电流模式）两种导致二次击穿的机理。对于MOS元器件，诱发二次击穿的机理是寄生的双极晶体管作用。

5.12 闩锁效应

闩锁效应是CMOS电路中存在的一种特殊的失效机理。所谓闩锁（latch-up）是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构被触发导通，在电源和地之间形成低阻大电流通路的现象CMOS电路的基本逻辑单元是由一个P沟道MOS场效应管和一个N沟道MOS场效应管以互补形式连接构成，为了实现N沟道MOS管与P沟道MOS管的隔离,必须在N型衬底内加进一个P型区（P阱）或在P型衬底内加进一个N型区（N阱），这样构成了CMOS电路内与晶闸管类似的PNPN四层结构，形成了两个寄生的NPN和PNP双极晶体管。在CMOS电路正常工作状态时，寄生晶体管处于截止状态。对CMOS电路的工作没有影响，如CMOS电路的输入端、输出瑞、电源端或者地端受到外来的浪涌电压或电流，就有可能使两只寄生晶体管都正向导通，使得电源和地之间出现强电流。这种强电流一开始流动，即使除去外来触发信号也不会中断，只有关断电源或将电源电压降到某个值以下才能解除，这种现象就是CMOS电路的闩锁效应。

5.13 静电损伤

处于不同静电电位的两个物体间发生的静电电荷转移就形成了静电放电，这种静电放电将给电子元器件带来损伤，引起产品失效。电子元器件由静电放电引发的失效可分为突发性失效和潜在性失效两种模式，突发性失效是指元器件受到静电放电损伤后，突然完全丧失其规定的功能，主要表现为开路、短路或参数严重漂移；潜在性失效是指静电放电电能量较低，仅在元器件内部造成轻微损伤，放电后元器件的电参数仍然合格或略有变化，但元器件的抗过电应力能力已明显削弱，或者使用寿命已明显缩短，再受到工作应力或经过一段时间工作后将进一步退化，直至造成彻底失效。

静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流热致失效。过电压场致失效是指高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端的电极因接受了高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使电极之间的介质发生击穿失效，过电压场致失效多发生于MOS元器件，包括含有MOS电容的双极型电路和混合电路；过电流热致失效是由于较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大使局部区域温升超过材料的熔点，导致材料发生局部熔融使元器件失效，过电流热致失效多发生于双极元器件，包括输人用PN结二极管保护的MOS电路、肖特基二极管以及含有双极元器件的混合电路。

5.14 介质的击穿机理

介质击穿，从应用角度可分为自愈式击穿和毁坏性击穿。自愈式击穿是局部点击穿后，所产生的热量将击穿点处的金属蒸发掉，使击穿点自行与其他完好的介质隔离；毁坏性击穿是金属原子彻底侵入介质层，使其绝缘作用完全丧失。根据引起击穿的原因之可将介质击穿分为非本征击穿和本征击穿两种：前者是在介质中的气孔、微裂缝、灰尘、纤维丝等疵点附近，因气体放电、等离子体、电孤、电热分解等引起的击穿；后者是外加电场超过了介质材料的介电强度引起的击穿。无论是非本征击穿还圮本征击穿，按其本质来看，则均可能归结于电击穿、热击穿或热点反馈造成的热电击穿。

5.15 与时间有关的介质击穿（TDDB)TDDB是影响MOS元器件长期可靠性的一种重要的失效机理，当对二氧化硅薄膜施加低于本征击穿场强的电场强度后，经过一段时间后会发生介质击穿现象，这就是与时间有关的介质击穿。它的击穿机理，可以分为两个阶段：第一阶段是建立阶段，在高电场、高电流密度应力的作用下，氧化层内部发生电荷的积聚，积累的电荷达到某一程度后，使局部电场增高到某一临界值；第二阶段实在热或电的正反馈作用下，迅速使氧化层击穿，氧化层的寿命由第一阶段中电荷的累计时间确定。

5.16 热栽流子效应

所谓热载流子，是指其能量比费米能寄大几个KT以上的载流子，这些载流子与晶格处于热不平衡状态，载流子的温度超过了晶格温度。热载流子的能量达到或超过Si-SiO2界面势垒的能量时，便会注入到SiO2中去，产生界面态、氧化层陷阱或被氧化层中陷阱所俘获，由此产生的电荷积累引起元器件电参数不稳定。表现为MOS元器件的阈值电压漂移或跨导值降低，双极元器件的电流增益下降，PN结击穿电压蠕变，使元器件性能受到影响，这就是热载流子效应。

5.17“爆米花效应”

“爆米花效应”是指塑封元器件塑封材料内的水汽在高温下受热膨胀，是塑封料与金属框架和芯片间发生分层效应，拉断键合丝，从而发生开路失效。塑封元器件是以树脂类聚合物材料封装的，其中的水汽包括封装时残留于元器件内部、表面吸附，经材料间的缝隙渗入及外界通过塑料本身扩散进入。

5.18软误差

电子元器件的封装材料（如陶瓷管壳，作树脂填充剂的石英粉等）中含有微量元素铀等放射性物质，它们衰变时会放出高能射线。当这些射线或宇宙射线照射到半导体存储器上时，引起存储数据位的丢失或变化，在下次写入时存储器又能正常工作，它完全是随机的发生，随意把这种数据位丢失叫软误差。引起软误差的根本原因是射线的电离效应。

第四篇：电子元器件失效性分析

电子元器件失效性分析与应用

赵春平

公安部第一研究所

摘要：

警用装备作为国内特种装备制造业之一，其可靠性、精确性要求非一般企业及产品所能满足，因其关系到现场使用者及人民的生命财产安全，故设备选材更是严之又严。电子元器件作为警用电子系统的基础及核心部件，它的失效及潜在缺陷都将对装备的可靠性产生重要影响；电子器件失效分析的目的是通过确定失效模式和失效机理，提出对策、采取措施，防止问题出现，失效分析对于查明元器件的失效原因并及时向设计者反馈信息是必须的。随着警用装备制造水平的不断进步，元器件的可靠性问题越来越受到重视，设备研制单位和器件生产厂家对失效分析技术及工程实践经验的需求也越来越迫切。关键词：警用装备、可靠性、失效模式、失效机理。

一、失效分析的基本内容，定义和意义

1．1 失效分析的基本内容

电子元器件失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序认定器件的失效现象，判断其失效模式和机理，从而确定失效原因，对后续设计提出建议，在生产过程中改进生产工艺，器件使用者在系统设计时改进电路设计，并对整机提出相应测试要求、完成测试。因此，失效分析对元器件的研制速度、整机的可靠性有着重要意义。

1.2

失效的分类

在实际使用中，可以根据需要对失效做适当分类：按模式分为：开路、短路、无功能、特性退化、重测合格；按原因分为：误用失效、本质失效、早起失效、偶然失效、耗损失效、自然失效；按程度分为：完全失效、局部失效、按时间分为：突然失效、渐变失效、退化失效；按外部表现分为：明显失效、隐蔽失效等。

二、失效的机理、模式

2.1失效的机理

由于电子器件的失效主要来自于产品制造、实验、运输、存储、使用等一系列过程中发生的情况，与材料、设计、制造、使用密切相关。且电子元器件种类繁多，故失效机理也很多，失效机理是器件失效的实质原因，在此说明器件是如何失效，相当于器件失效的物理和化学过程，从而表现出来性能、性质（如腐蚀、疲劳、过应力等）。元器件主要失效机理有： 2.1.1过应力（EOS）：

指元器件承受的电流、电压应力或功率超过了其允许的最大范围。2.1.2静电损伤（ESD）

指电子器件在加工生产、组装、贮存、运输中与可能带静电的容器、测试及操作人员接触，所带经典经过器件引脚放电到地面，使器件收到损伤或失效。2.1.3闩锁效应（Latch-Up）: MOS电路中由于寄生PNPN晶体管存在而呈现低阻状态，这种低阻状态在触发条件去除或者终止后任然会存在。2.1.4电迁移（EM）: 当器件工作时，金属互联线内有一定电流通过，金属离子会沿着导体产生质量的运输，其结果会使导体的某些部位出现空洞或晶须。2.1.5热载流子效应（HC）: 热载流子是指能量比费米能级大几个KT以上的载流子。这些载流子与晶格不处于热平衡状态，当其能量达到或者超过SI-SIO2界面势垒时（对电子注入为3.2eV,对空穴注入为4.5eV）便会注入到氧化层中，产生界面态，氧化层陷阱或被陷阱所俘获，是氧化层电荷增加或波动不稳，这就是热载流子效应。2.1.6栅氧击穿：

在MOS器件及其电路中，栅氧化层缺陷会导致栅氧漏电，漏电增加到一定程度即构成击穿。

2.1.7与时间有关的介质击穿（TDDB）：

施加的电场低于栅氧的本证击穿强度，但经历一定的时间后仍然会击穿，这是由于施加应力过程中，氧化层内产生并聚集了缺陷的原因。2.1.8 由于金-吕之间的化学势不同，经长期使用或200度以上的高温存储后，会产生多种金属间化合物，如紫斑、白斑等。使铝层变薄、接触电阻增加，最后导致开路。300度高温下还会产生空洞，即可肯德尔效应，这种效应是高温下金向铝迅速扩散并形成化合物，在键合点四周出现环形空间，是铝膜部分或全部脱离，形成高祖或开路。2.1.9爆米花效应：

塑封元器件塑封料内的水汽在高温下受热膨胀，使塑封料与金属框架和芯片间发生分层反映，拉断键合丝，从而发生开路失效。

2.2失效模式

失效的模式指外在的表现形式和过程规律，通常指测试或观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。产品的失效依据其是否具有损伤的时间累积效应而被分为过应力失效和损耗性失效，所以与时间相关的失效模型定量地描述了产品随时间的损伤积累状况，在宏观上表现为性能或是参数随时间的退化。常用的失效模型有：

2.2.1 阿列尼乌兹模型：

列尼乌兹模型定量的给出化学反应速率与温度的关系，所以，如果一个产品的失效过程取决于这样的一个化学，列尼乌兹模型就给出了产品的寿命。2.2.2艾林模型：

艾林模型与列尼乌兹模型相比可以考虑温度以外的更多应力的影响，同时潜在的可以考虑这些不同类型应力之间的相互作用。

三、失效分析技术

失效分析技术是失效分析使用的手段和方法，主要包括六大方面：失效定位技术、样品制备技术；显微分析技术；应力验证技术；电子分析技术；成分分析技术。

3.1失效定位技术： 失效定位技术的主要目的是确定检测目标的失效部位，随着现代集成电路及电子器件的复杂化，失效定位技术就显得尤为重要。失效定位技术有多种方法，其中无需开封即可进行的无损检测有X-RAY,SAM等。X-RAY可用于观察元器件及多层印刷电路板的内部结构，内引线的是否开路或短路，粘接缺陷，焊点缺陷，封装裂纹，空洞、桥连、立碑及器件漏装等缺陷。这也是人工焊接操作时容易反生的问题，经过这几年在线上的学习和工作，对此类缺陷了如于心，这也从根本上排除了由于人工操作引起的失效。SAM则可观察到内部裂纹，分层缺陷，空洞，气泡，空隙等，若X-RAY，SAM不能检测到失效部位，则需要对元器件进行开封，而后用其他方法定位。例如显微检查。

3.2样品制备技术

未解决大部分失效分析，都需要采用解剖分析技术，即对样品的剖层分析，阴气不对观察和测试部分存在破坏。样品的制备步骤一般包括：开发封装、去钝化层，对于多层结构芯片来说，还要去除层间介质。打开封装可以使用机械和化学两种方法，去钝化层可使用化学腐蚀或等离子腐蚀。

3.3显微分析技术

失效原因的分析，失效机理的确定及前文提到的失效定位都要用到现为分析技术。现为分析技术一般采用各种显微镜，且它们个具有优缺点，如景深大成像立体感强的体式显微镜；平面成像效果好的金相显微镜；放大倍数高的SEM；制样要求高可观察到晶格结构的TEM；成像精度不高但操作方便的红外显微镜；成像精度较高的光辐射显微镜等，要根据实际情况进行设备和方法的选择。

3.4应力验证技术

电子器件在不同环境中可靠性存在差异，如不同温度、湿度下产生的应力，不通电流、电压下产生的电应力等，都会导致电子元器件性能的变化，或失效。因此，可以模拟各种环境参数，来验证元器件各种应力下的可靠性。

3.5电子分析技术

利用电子进行失效分析的方法很多，如EBT,EPMA,SEM,TEM,AES等。

3.6成分分析技术

需要确定元器件中某一部分的成分即需要用到成分分析技术，以判断是否存在污染，或组份是否正确，而影响了元器件的性能。常用设备有EDS,EDAX,AES,SIMS等。

四、失效分析的应用

以上是失效分析的概念问题，下面讲讲失效分析的实际应用： 例如一个EPROM在使用后不能读写的分析 1）先不要相信使用者的话，进行一系列复判。

2）快速失效分析：失效定位分析，查找电源端开始测试，首先做待机电流测试，电源对地的待机电流下降；制备分析，进行开封测试。开封发现电源线中间断（中间散热慢，两端散热快），因为断开，相当于并联电阻少了一个电阻，电流减小。3）分析原因：闩锁效应 应力大于产品本身强度。

4）责任：确定失效责任方：进行模拟实验，测闩锁的能力，看触发的电流值，越大越好，至少要大于datasheet或近似良品的值在标准范围内的。接下来检测维持电压（第二拐点电压），若大于标准指，则很难回到原值。若多片良品检测没问题，说明是使用者使用不当导致。

5）改善建议：改善供电措施，加电路保护措施。4.1常见电子器件失效分析方法及改正措施 4.1.1电阻器：

电阻器最容易失效于阻值增大；开路 原因：受潮，发生电腐蚀，过电应力。4.1.2 电容器：

电解电容用于电源滤波，一旦短路后果很严重特点是容值大寿命短，如果漏液则导致电容减少，大点路烧坏电极造成短路放电；电源犯戒会产生强大电流烧坏电极；阴极氧化使绝缘膜增厚，导致电容下降；长期放置不通电，阳极氧化膜不断脱落不能及时修补，漏电电流增大，可加直流电使之修复。4.1.3 继电器：

触点飞弧放电粘结

原因：键结合点外围回路有线圈，线圈产生大的电动势时，且当键间有水气，会发生触点飞弧放电，造成粘结。4.1.4 电路板：离子迁移

当线间有水分和杂质，通电后使离子通电，短路。

五、失效分析在警用设备中应用的重要性

作为保障警用设备可靠性、保证警用设备正常工作，防止设备失效而对社会和人身造成伤害，每一个设备生产工程师都应具备一定素质。而设备可靠性基本也可以归结为元器件失效，换句话说产品出去，在客户那里使用不良，很大程度是元器件失效引起的，所以失效分析的精华就是元器件失效分析，但是元器件失效，除了元器件本身可靠性，还有设计、工艺、人工、环境应力等因素，或者综合因素，至于元器件本身问题，按照供应链管理的思路，追述到供应商，同样可以归结为原材料的设计、工艺、人工、环境引起，所以，可靠性工程师必定要求对元器件的设计选用，测试，生产工艺熟悉，我个人角度，认为，可以多与供应商沟通，对于不了解的元器件可以抽出时间去现场考察学习。更重要的，失效性分析离不开我们每个人的工作。

实事求是，数据真实可靠，是一切研究的根本。

参考文献

1、王开建、李国良等，电子器件失效分析【J】.半导体学报，2006，27（1）:295-298

2、杨兴、刘玉宝，微电子器件的失效分析【J】.LSI制造与测试，1999,11(4):56-59

第五篇：新型电子元器件项目可行性研究分析报告

新型电子元器件项目可行性研究分析报告

报告说明：

可研报告主要内容是要求以全面、系统的分析为主要方法，经济效益为核心，围绕影响项目的各种因素，运用大量的数据资料论证拟建项目是否可行。对整个可行性研究提出综合分析评价，指出优缺点和建议。为了结论的需要，往往还需要加上一些附件，如试验数据、论证材料、计算图表、附图等，以增强可行性报告的说服力。

《新型电子元器件项目可行性研究报告》通过对新型电子元器件项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究，从技术、经济、工程等角度对新型电子元器件项目进行调查研究和分析比较，并对新型电子元器件项目建成以后可能取得的经济效益和社会环境影响进行科学预测，为新型电子元器件项目决策提供公正、可靠、科学的投资咨询意见。具体而言，本报告体现如下几方面价值：

——作为向新型电子元器件项目建设所在地政府和规划部门备案的依据；

——作为筹集资金向银行申请贷款的依据； ——作为建设新型电子元器件项目投资决策的依据；

——作为新型电子元器件项目进行工程设计、设备订货、施工准备等基本建设前期工作的依据；

——作为新型电子元器件项目拟采用的新技术、新设备的研制和进行地形、地质及工业性试验的依据；

——作为环保部门审查新型电子元器件项目对环境影响的依据。泓域企划机构（简称“泓域企划”）成立于2011年，是一家专注于产业规划咨询、项目管理咨询、、商业品牌推广，并提供全方位解决方案的项目战略咨询及营销策划机构，在全行业中首创了“互联网+咨询策划”的服务模式，通过信息资源整合，可为客户定制提供“行业+项目+产品+品牌”的全案策划方案。

泓域企划是领先的信息咨询服务机构，主要针对企业单位、政府组织和金融机构，在产业研究、投资分析、市场调研等方面提供专业、权威的研究报告、数据产品和解决方案。作为一家专业的投资信息咨询机构，泓域咨询及其合作机构拥有国家发展和改革委员会工程咨询资格，其编写的可行性报告以质量高、速度快、分析详细、财务预测准确、服务好而在国内享有盛誉，已经累计完成上千个项目可行性研究报告、项目申请报告、资金申请报告的编写，可为企业快速推动投资项目提供专业服务。

泓域企划机构有国家工程咨询甲级资质，其新型电子元器件项目可行性研究服务的专家团队均来自政府部门、设计研究院、科研高校、行业协会等权威机构，团队成员具有广泛社会资源及丰富的实际新型电子元器件项目运作经验，能够有效地为客户提供新型电子元器件项目可研专项咨询服务，研究员长期的新型电子元器件项目咨询经验可以保障报告产品的质量。

可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之

前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投资管理中，可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。在此基础上，综合论证项目建设的必要性，财务的盈利性，经济上的合理性，技术上的先进性和适应性以及建设条件的可能性和可行性，从而为投资决策提供科学依据。

新型电子元器件项目可行性研究报告编写大纲—— 第一部分 新型电子元器件项目总论

第二部分 新型电子元器件项目建设背景、必要性、可行性 第三部分 新型电子元器件项目产品市场分析 第四部分 新型电子元器件项目产品规划方案 第五部分 新型电子元器件项目建设地与土建总规 第六部分 新型电子元器件项目环保、节能与劳动安全方案 第七部分 新型电子元器件项目组织和劳动定员 第八部分 新型电子元器件项目实施进度安排 第九部分 新型电子元器件项目财务评价分析

第十部分 新型电子元器件项目财务效益、经济和社会效益评价 第十一部分 新型电子元器件项目风险分析及风险防控 第十二部分 新型电子元器件项目可行性研究结论与建议

常州，是江苏省地级市，地处长江之南、太湖之滨，处于长江三角洲中心地带，是长江三角洲地区中心城市之

一、先进制造业基地和文化旅游名城，江苏长江经济带重要组成部分。与苏州、无锡联袂成片，构成苏锡常都市圈。常州是一座有3200多年左右历史的历史文化名城，曾有过延陵、毗陵、毗坛、晋陵、南兰陵、长春、尝州、武进等名称，隋文帝开皇九年（589年）始有常州之称。于1949年设市。截至2015年，常州辖天宁区、钟楼区、新北区、武进区、金坛区五个行政区和一个县级市溧阳市，21个街道办事处、37个镇、807个行政村、323个居委会，总面积4385平方公里。常州是长江文明和吴文化的发源地之一，也是南朝齐梁故里，被称为“中吴要辅”。常州境内风景名胜、历史古迹较多，有中华恐龙园、嬉戏谷、春秋淹城等主题公园和天目湖、南山、太湖湾、滆湖等自然风景区。常州人属江浙民系，使用吴语。常州有季札、展昭、陈济、吴稚晖、瞿秋白、张太雷、恽代英、赵元任等历史名人，主要特产有萝卜干、大麻糕、芝麻糖、溧阳风鹅、野山笋等。

新型电子元器件项目可行性研究报告目录—— 第一部分 新型电子元器件项目总论

总论作为可行性研究报告的首要部分，要综合叙述研究报告中各部分的主要问题和研究结论，并对新型电子元器件项目的可行与否提出最终建议，为可行性研究的审批提供方便。

一、新型电子元器件项目背景

（一）新型电子元器件项目名称

（二）新型电子元器件项目的承办单位

（三）承担可行性研究工作的单位情况

（四）新型电子元器件项目的主管部门

（五）新型电子元器件项目建设内容、规模、目标

（五）新型电子元器件项目建设地点

二、新型电子元器件项目可行性研究主要结论

在可行性研究中，对新型电子元器件项目的产品销售、原料供应、政策保障、技术方案、资金总额筹措、新型电子元器件项目的财务效益和国民经济、社会效益等重大问题，都应得出明确的结论，主要包括：

（一）新型电子元器件项目产品市场前景

（二）新型电子元器件项目原料供应问题

（三）新型电子元器件项目政策保障问题

（四）新型电子元器件项目资金保障问题

（五）新型电子元器件项目组织保障问题

（六）新型电子元器件项目技术保障问题

（七）新型电子元器件项目人力保障问题

（八）新型电子元器件项目风险控制问题

（九）新型电子元器件项目财务效益结论

（十）新型电子元器件项目社会效益结论

（十一）新型电子元器件项目可行性综合评价

三、主要技术经济指标表

在总论部分中，可将研究报告中各部分的主要技术经济指标汇总，列出

主要技术经济指标表，使审批和决策者对新型电子元器件项目作全貌了解。

四、存在问题及建议

对可行性研究中提出的新型电子元器件项目的主要问题进行说明并提出解决的建议。

第二部分 新型电子元器件项目建设背景、必要性、可行性

这一部分主要应说明新型电子元器件项目发起的背景、投资的必要性、投资理由及新型电子元器件项目开展的支撑性条件等等。

一、新型电子元器件项目建设背景

（一）国家或行业发展规划

（二）新型电子元器件项目发起人以及发起缘由

二、新型电子元器件项目建设必要性

常州，是江苏省地级市，地处长江之南、太湖之滨，处于长江三角洲中心地带，是长江三角洲地区中心城市之

一、先进制造业基地和文化旅游名城，江苏长江经济带重要组成部分。与苏州、无锡联袂成片，构成苏锡常都市圈。常州是一座有3200多年左右历史的历史文化名城，曾有过延陵、毗陵、毗坛、晋陵、南兰陵、长春、尝州、武进等名称，隋文帝开皇九年（589年）始有常州之称。于1949年设市。截至2015年，常州辖天宁区、钟楼区、新北区、武进区、金坛区五个行政区和一个县级市溧阳市，21个街道办事处、37个镇、807个行政村、323个居委会，总面积4385平方公里。常州是长江文明和吴文化的发源地之一，也是南朝齐梁故里，被称为“中吴要辅”。常州境内风景名胜、历史古迹较多，有中华恐龙园、嬉戏谷、春秋淹城等主题

公园和天目湖、南山、太湖湾、滆湖等自然风景区。常州人属江浙民系，使用吴语。常州有季札、展昭、陈济、吴稚晖、瞿秋白、张太雷、恽代英、赵元任等历史名人，主要特产有萝卜干、大麻糕、芝麻糖、溧阳风鹅、野山笋等。

“十二五”时期是不平凡的五年。国内外经济形势复杂多变，全面深化改革破局启航，各种利益诉求明显增多，发展、改革、稳定前所未有的紧迫。在市委、市政府的坚强领导下，全市上下积极进取、顽强拼搏，克服重重困难，加快科学发展，在转型升级中实现了经济社会持续稳定发展。“十二五”以来的五年是常州发展史上综合实力奋力提升的五年，也是转型步伐明显加快、城乡面貌明显变化、改革开放明显突破的五年，更是人民群众得到实惠最多的五年。预计全市地区生产总值超过5000亿元，先后迈上3000亿、4000亿元、5000亿元台阶，人均地区生产总值超过11万元，三次产业比重调整为2.8：48.2：49。“三位一体”提升工业经济。战略性新兴产业加快发展，“十大产业链”占规模以上工业产值比重达到33.3%，汽车、航空、碳材料等产业链实现重大突破，高新技术产业产值占规模以上工业产值比重达到43.5%左右，传统优势产业加大改造力度，转型发展、集聚发展水平进一步提升。现代服务业发展态势良好。组织实施服务业优势企业培育、集聚区提升等重大工程。生产性服务业积极发展，金融商务区加快建设，上市企业数量增加到38家，新三板挂牌企业60家，物流布局优化、服务能力提升；消费性服务业提升发展，旅游增加值突破340亿元，天目湖成为国家级旅游度假区，国家智慧旅游公共服务平台投入运营，获批国家电子商务示范城市、中国“旅

游+互联网”创新示范城市；民生性服务业起步良好，西太湖科技产业园获批省国际医疗旅游先行区、苏台（常州）健康产业合作示范区。

三、新型电子元器件项目建设可行性

（一）经济可行性

促进中小企业成长壮大。加大对种子期、初创期成长型小微企业支持力度，培育壮大新生小微企业群体。支持一批潜力大、成长性好，积累了一定资金、技术和管理经验的中小企业，顺应消费结构变化、产业结构调整带来的发展机遇加快发展。支持老少边穷地区、少数民族地区中小企业发展壮大。

（二）政策可行性

围绕打造全国先进制造研发基地的定位目标，研究通过争取中央财政出资，整合地方财政专项资金，吸纳国有资本和社会资本等方式，建立支持制造业发展的产业投资基金，积极对接京津冀产业结构调整基金等大型基金，加大对先进制造业发展的政策支持。建立先进制造业统计评价体系，制定并发布发展先进制造业产业导向目录，确定发展方向和发展目标，引导社会资源投向。运用政府和社会资本合作（PPP）模式，引导社会资本参与制造业重大项目建设、企业技术改造和关键基础设施建设。积极推进先进制造业与金融融合发展，支持金融机构研发推广符合先进制造业发展实际需求的各类金融产品，支持企业通过融资租赁加快装备改造升级，提升研发制造水平和市场竞争力。

（三）技术可行性

鼓励支撑工业绿色发展的共性技术研发。按照产品全生命周期理念，以

提高工业绿色发展技术水平为目标，加大绿色设计技术、环保材料、绿色工艺与装备、废旧产品回收资源化与再制造等领域共性技术研发力度。重点突破产品轻量化、模块化、集成化、智能化等绿色设计共性技术，研发推广高性能、轻量化、绿色环保的新材料，突破废旧金属、废塑料等产品智能分选与高值利用、固体废物精细拆解与清洁再生等关键产业化技术，开展基于全生命周期的绿色评价技术研究。

（四）模式可行性

深化外商投资管理体制改革，建立外商投资准入前国民待遇加负面清单管理机制，落实备案为主、核准为辅的管理模式，营造稳定、透明、可预期的营商环境。全面深化外汇管理、海关监管、检验检疫管理改革，提高贸易投资便利化水平。进一步放宽市场准入，修订钢铁、化工、船舶等产业政策，支持制造业企业通过委托开发、专利授权、众包众创等方式引进先进技术和高端人才，推动利用外资由重点引进技术、资金、设备向合资合作开发、对外并购及引进领军人才转变。加强对外投资立法，强化制造业企业走出去法律保障，规范企业境外经营行为，维护企业合法权益。探索利用产业基金、国有资本收益等渠道支持高铁、电力装备、汽车、工程施工等装备和优势产能走出去，实施海外投资并购。加快制造业走出去支撑服务机构建设和水平提升，建立制造业对外投资公共服务平台和出口产品技术性贸易服务平台，完善应对贸易摩擦和境外投资重大事项预警协调机制。

（五）组织和人力资源可行性

第三部分 新型电子元器件项目产品市场分析

市场分析在可行性研究中的重要地位在于，任何一个新型电子元器件项目，其生产规模的确定、技术的选择、投资估算甚至厂址的选择，都必须在对市场需求情况有了充分了解以后才能决定。而且市场分析的结果，还可以决定产品的价格、销售收入，最终影响到新型电子元器件项目的盈利性和可行性。在可行性研究报告中，要详细研究当前市场现状，以此作为后期决策的依据。

一、新型电子元器件项目产品市场调查

（一）新型电子元器件项目产品国际市场调查

（二）新型电子元器件项目产品国内市场调查

（三）新型电子元器件项目产品价格调查

（四）新型电子元器件项目产品上游原料市场调查

（五）新型电子元器件项目产品下游消费市场调查

（六）新型电子元器件项目产品市场竞争调查

二、新型电子元器件项目产品市场预测

市场预测是市场调查在时间上和空间上的延续，利用市场调查所得到的信息资料，对本新型电子元器件项目产品未来市场需求量及相关因素进行定量与定性的判断与分析，从而得出市场预测。在可行性研究工作报告中，市场预测的结论是制订产品方案，确定新型电子元器件项目建设规模参考的重要根据。

（一）新型电子元器件项目产品国际市场预测

（二）新型电子元器件项目产品国内市场预测

（三）新型电子元器件项目产品价格预测

（四）新型电子元器件项目产品上游原料市场预测

（五）新型电子元器件项目产品下游消费市场预测

（六）新型电子元器件项目发展前景综述 第四部分 新型电子元器件项目产品规划方案

一、新型电子元器件项目产品产能规划方案

二、新型电子元器件项目产品工艺规划方案

（一）工艺设备选型

（二）工艺说明

（三）工艺流程

三、新型电子元器件项目产品营销规划方案

（一）营销战略规划

（二）营销模式

在商品经济环境中，企业要根据市场情况，制定合格的销售模式，争取扩大市场份额，稳定销售价格，提高产品竞争能力。因此，在可行性研究报告中，要对市场营销模式进行详细研究。

1、投资者分成

2、企业自销

3、国家部分收购

4、经销人代销及代销人情况分析

（三）促销策略

第五部分 新型电子元器件项目建设地与土建总规

一、新型电子元器件项目建设地

（一）新型电子元器件项目建设地地理位置

（二）新型电子元器件项目建设地自然情况

（三）新型电子元器件项目建设地资源情况

（四）新型电子元器件项目建设地经济情况

（五）新型电子元器件项目建设地人口情况

二、新型电子元器件项目土建总规

（一）新型电子元器件项目厂址及厂房建设

1、厂址

2、厂房建设内容

3、厂房建设造价

（二）土建总图布置

1、平面布置。列出新型电子元器件项目主要单项工程的名称、生产能力、占地面积、外形尺寸、流程顺序和布置方案。

2、竖向布置（1）场址地形条件（2）竖向布置方案

（3）场地标高及土石方工程量

3、技术改造新型电子元器件项目原有建、构筑物利用情况

4、总平面布置图（技术改造新型电子元器件项目应标明新建和原有以及

拆除的建、构筑物的位置）

5、总平面布置主要指标表

（三）场内外运输

1、场外运输量及运输方式

2、场内运输量及运输方式

3、场内运输设施及设备

（四）新型电子元器件项目土建及配套工程

1、新型电子元器件项目占地

2、新型电子元器件项目土建及配套工程内容

（五）新型电子元器件项目土建及配套工程造价

（六）新型电子元器件项目其他辅助工程

1、供水工程

2、供电工程

3、供暖工程

4、通信工程

5、其他

第六部分 新型电子元器件项目环保、节能与劳动安全方案

在新型电子元器件项目建设中，必须贯彻执行国家有关环境保护、能源节约和职业安全方面的法规、法律，对新型电子元器件项目可能造成周边环境影响或劳动者健康和安全的因素，必须在可行性研究阶段进行论证分析，提出防治措施，并对其进行评价，推荐技术可行、经济，且布局合理，对环

境有害影响较小的最佳方案。按照国家现行规定，凡从事对环境有影响的建设新型电子元器件项目都必须执行环境影响报告书的审批制度，同时，在可行性研究报告中，对环境保护和劳动安全要有专门论述。

一、新型电子元器件项目环境保护

（一）新型电子元器件项目环境保护设计依据

（二）新型电子元器件项目环境保护措施

（三）新型电子元器件项目环境保护评价

二、新型电子元器件项目资源利用及能耗分析

（一）新型电子元器件项目资源利用及能耗标准

（二）新型电子元器件项目资源利用及能耗分析

三、新型电子元器件项目节能方案

（一）新型电子元器件项目节能设计依据

（二）新型电子元器件项目节能分析

四、新型电子元器件项目消防方案

（一）新型电子元器件项目消防设计依据

（二）新型电子元器件项目消防措施

（三）火灾报警系统

（四）灭火系统

（五）消防知识教育

五、新型电子元器件项目劳动安全卫生方案

（一）新型电子元器件项目劳动安全设计依据

（二）新型电子元器件项目劳动安全保护措施 第七部分 新型电子元器件项目组织和劳动定员

在可行性研究报告中，根据新型电子元器件项目规模、新型电子元器件项目组成和工艺流程，研究提出相应的企业组织机构，劳动定员总数及劳动力来源及相应的人员培训计划。

一、新型电子元器件项目组织

（一）组织形式

（二）工作制度

二、新型电子元器件项目劳动定员和人员培训

（一）劳动定员

（二）年总工资和职工年平均工资估算

（三）人员培训及费用估算

第八部分 新型电子元器件项目实施进度安排

新型电子元器件项目实施时期的进度安排是可行性研究报告中的一个重要组成部分。新型电子元器件项目实施时期亦称投资时间，是指从正式确定建设新型电子元器件项目到新型电子元器件项目达到正常生产这段时期，这一时期包括新型电子元器件项目实施准备，资金筹集安排，勘察设计和设备订货，施工准备，施工和生产准备，试运转直到竣工验收和交付使用等各个工作阶段。这些阶段的各项投资活动和各个工作环节，有些是相互影响的，前后紧密衔接的，也有同时开展，相互交叉进行的。因此，在可行性研究阶段，需将新型电子元器件项目实施时期每个阶段的工作环节进行统一规划，综合平衡，作出合理又切实可行的安排。

一、新型电子元器件项目实施的各阶段

（一）建立新型电子元器件项目实施管理机构

（二）资金筹集安排

（三）技术获得与转让

（四）勘察设计和设备订货

（五）施工准备

（六）施工和生产准备

（七）竣工验收

二、新型电子元器件项目实施进度表

三、剂新型电子元器件项目实施费用

（一）建设单位管理费

（二）生产筹备费

（三）生产职工培训费

（四）办公和生活家具购置费

（五）其他应支出的费用

第九部分 新型电子元器件项目财务评价分析

一、新型电子元器件项目总投资估算

二、新型电子元器件项目资金筹措

一个建设新型电子元器件项目所需要的投资资金，可以从多个来源渠道获得。新型电子元器件项目可行性研究阶段，资金筹措工作是根据对建设新

型电子元器件项目固定资产投资估算和流动资金估算的结果，研究落实资金的来源渠道和筹措方式，从中选择条件优惠的资金。可行性研究报告中，应对每一种来源渠道的资金及其筹措方式逐一论述。并附有必要的计算表格和附件。可行性研究中，应对下列内容加以说明：

（一）资金来源

（二）新型电子元器件项目筹资方案

三、新型电子元器件项目投资使用计划

（一）投资使用计划

（二）借款偿还计划

四、新型电子元器件项目财务评价说明&财务测算假定

（一）计算依据及相关说明

（二）新型电子元器件项目测算基本设定

五、新型电子元器件项目总成本费用估算

（一）直接成本

（二）工资及福利费用

（三）折旧及摊销

（四）工资及福利费用

（五）修理费

（六）财务费用

（七）其他费用

（八）财务费用

（九）总成本费用

六、销售收入、销售税金及附加和增值税估算

（一）销售收入

（二）销售税金及附加

（三）增值税

（四）销售收入、销售税金及附加和增值税估算

七、损益及利润分配估算

八、现金流估算

（一）新型电子元器件项目投资现金流估算

（二）新型电子元器件项目资本金现金流估算

九、不确定性分析

在对建设新型电子元器件项目进行评价时，所采用的数据多数来自预测和估算。由于资料和信息的有限性，将来的实际情况可能与此有出入，这对新型电子元器件项目投资决策会带来风险。为避免或尽可能减少风险，就要分析不确定性因素对新型电子元器件项目经济评价指标的影响，以确定新型电子元器件项目的可靠性，这就是不确定性分析。

根据分析内容和侧重面不同，不确定性分析可分为盈亏平衡分析、敏感性分析和概率分析。在可行性研究中，一般要进行的盈亏平衡平分析、敏感性分配和概率分析，可视新型电子元器件项目情况而定。

（一）盈亏平衡分析

（二）敏感性分析

第十部分 新型电子元器件项目财务效益、经济和社会效益评价 在建设新型电子元器件项目的技术路线确定以后，必须对不同的方案进行财务、经济效益评价，判断新型电子元器件项目在经济上是否可行，并比选出优秀方案。本部分的评价结论是建议方案取舍的主要依据之一，也是对建设新型电子元器件项目进行投资决策的重要依据。本部分就可行性研究报告中财务、经济与社会效益评价的主要内容做一概要说明：

一、财务评价

财务评价是考察新型电子元器件项目建成后的获利能力、债务偿还能力及外汇平衡能力的财务状况，以判断建设新型电子元器件项目在财务上的可行性。财务评价多用静态分析与动态分析相结合，以动态为主的办法进行。并用财务评价指标分别和相应的基准参数——财务基准收益率、行业平均投资回收期、平均投资利润率、投资利税率相比较，以判断新型电子元器件项目在财务上是否可行。

（一）财务净现值

财务净现值是指把新型电子元器件项目计算期内各年的财务净现金流量，按照一个设定的标准折现率（基准收益率）折算到建设期初（新型电子元器件项目计算期第一年年初）的现值之和。财务净现值是考察新型电子元器件项目在其计算期内盈利能力的主要动态评价指标。如果新型电子元器件项目财务净现值等于或大于零，表明新型电子元器件项目的盈利能力达到或超过了所要求的盈利水平，新型电子元器件项目财务上可行。

（二）财务内部收益率（FIRR）

财务内部收益率是指新型电子元器件项目在整个计算期内各年财务净现金流量的现值之和等于零时的折现率，也就是使新型电子元器件项目的财务净现值等于零时的折现率。财务内部收益率是反映新型电子元器件项目实际收益率的一个动态指标，该指标越大越好。一般情况下，财务内部收益率大于等于基准收益率时，新型电子元器件项目可行。

（三）投资回收期Pt 投资回收期按照是否考虑资金时间价值可以分为静态投资回收期和动态投资回收期。以动态回收期为例：

（l）计算公式

动态投资回收期的计算在实际应用中根据新型电子元器件项目的现金流量表，用下列近似公式计算：Pt＝（累计净现金流量现值出现正值的年数-1）+上一年累计净现金流量现值的绝对值/出现正值年份净现金流量的现值

（2）评价准则

1）Pt≤Pc（基准投资回收期）时，说明新型电子元器件项目（或方案）能在要求的时间内收回投资，是可行的；

2）Pt＞Pc时，则新型电子元器件项目（或方案）不可行，应予拒绝。

（四）新型电子元器件项目投资收益率ROI 新型电子元器件项目投资收益率是指新型电子元器件项目达到设计能力后正常年份的年息税前利润或营运期内年平均息税前利润（EBIT)与新型电子元器件项目总投资（TI）的比率。总投资收益率高于同行业的收益率参考值，表明用总投资收益率表示的盈利能力满足要求。

ROI≥部门（行业）平均投资利润率（或基准投资利润率）时，新型电子元器件项目在财务上可考虑接受。

（五）新型电子元器件项目投资利税率

新型电子元器件项目投资利税率是指新型电子元器件项目达到设计生产能力后的一个正常生产年份的年利润总额或平均年利润总额与销售税金及附加与新型电子元器件项目总投资的比率，计算公式为：投资利税率=年利税总额或年平均利税总额/总投资×100%投资利税率≥部门（行业）平均投资利税率（或基准投资利税率）时，新型电子元器件项目在财务上可考虑接受。

（六）新型电子元器件项目资本金净利润率（ROE）

新型电子元器件项目资本金净利润率是指新型电子元器件项目达到设计能力后正常年份的年净利润或运营期内平均净利润(NP)与新型电子元器件项目资本金(EC)的比率。新型电子元器件项目资本金净利润率高于同行业的净利润率参考值，表明用新型电子元器件项目资本金净利润率表示的盈利能力满足要求。

（七）新型电子元器件项目测算核心指标汇总表

二、国民经济评价

国民经济评价是新型电子元器件项目经济评价的核心部分，是决策部门考虑新型电子元器件项目取舍的重要依据。建设新型电子元器件项目国民经济评价采用费用与效益分析的方法，运用影子价格、影子汇率、影子工资和社会折现率等参数，计算新型电子元器件项目对国民经济的净贡献，评价新型电子元器件项目在经济上的合理性。国民经济评价采用国民经济盈利能力

分析和外汇效果分析，以经济内部收益率（EIRR）作为主要的评价指标。根据新型电子元器件项目的具体特点和实际需要也可计算经济净现值（ENPV）指标，涉及产品出口创汇或替代进口节汇的新型电子元器件项目，要计算经济外汇净现值（ENPV），经济换汇成本或经济节汇成本。

三、社会效益和社会影响分析

在可行性研究中，除对以上各项指标进行计算和分析以外，还应对新型电子元器件项目的社会效益和社会影响进行分析，也就是对不能定量的效益影响进行定性描述。

第十一部分 新型电子元器件项目风险分析及风险防控

一、建设风险分析及防控措施

二、法律政策风险及防控措施

三、市场风险及防控措施

四、筹资风险及防控措施

五、其他相关粉线及防控措施

第十二部分 新型电子元器件项目可行性研究结论与建议

一、结论与建议

根据前面各节的研究分析结果，对新型电子元器件项目在技术上、经济上进行全面的评价，对建设方案进行总结，提出结论性意见和建议。主要内容有：

1、对推荐的拟建方案建设条件、产品方案、工艺技术、经济效益、社会效益、环境影响的结论性意见

2、对主要的对比方案进行说明

3、对可行性研究中尚未解决的主要问题提出解决办法和建议

4、对应修改的主要问题进行说明，提出修改意见

5、对不可行的新型电子元器件项目，提出不可行的主要问题及处理意见

6、可行性研究中主要争议问题的结论

二、附件

凡属于新型电子元器件项目可行性研究范围，但在研究报告以外单独成册的文件，均需列为可行性研究报告的附件，所列附件应注明名称、日期、编号。

1、新型电子元器件项目建议书（初步可行性研究报告）

2、新型电子元器件项目立项批文

3、厂址选择报告书

4、资源勘探报告

5、贷款意向书

6、环境影响报告

7、需单独进行可行性研究的单项或配套工程的可行性研究报告

8、需要的市场预测报告

9、引进技术新型电子元器件项目的考察报告

10、引进外资的名类协议文件

11、其他主要对比方案说明

12、其他

三、附图

关键词：新型电子元器件项目可行性研究报告,新型电子元器件项目计划书,新型电子元器件项目建议书,新型电子元器件商业计划书,新型电子元器件可行性报告,新型电子元器件可行性研究报告,新型电子元器件可研报告,新型电子元器件资金申请报告,新型电子元器件项目可行性报告,新型电子元器件可行性分析,新型电子元器件可行性分析报告,新型电子元器件项目申请报告