微电子纵队总结[大全5篇]

第一篇：微电子纵队总结

为了加强纵队和中心之间的工作罗列了以下几 点

1.首先加强中心和纵队之间的合作可以举办一些活动邀请纵队和中心的人一起参加

2.为了更加了解纵队的工作 中心的人和纵队的人合 理安排工作。过了一定时间相互交换工作

3.定时举办小组会议加强大家的讨论，多几次交流。

4及时和个班长进行交流，了解班级同学的体育训练程度，制订出更适合同学的方案

5.纵队长和挂职纵队长进行交流。彼此有什么不足及时提出来。更好的促进纵队的发展

第二篇：欧洲微电子申请总结

欧洲微电子申请总结(博士)欧洲微电子申请总结(博士)
终于答辩完了,很想写点东 西把我的申请历程记录下来,刚好也就算留下点脚 印,算是回报半年多来在这里学到的不少东西以及这里可爱的人们:)本科和硕士是中国 top5 的两所学校.Gpa:本科 3.0,硕士 3.6 因为考 GRE 实在是一件痛苦的事情,很惧,所以一开始的时候就把目标锁定在 欧洲,其实很向往欧洲,优美的景色,恬静的生活:)考了雅思,成绩 还算过的 去,下面我就从大方向以及学校的感觉分别总结一下申请的感受和教训.因为是申请博士,所以首先给自己就有一个原则就是申请欧洲微电子排在 前列学校,在这个过程中最深刻的感受就是说获得信息太难了,有 些学校虽然 炒的很热,其实真正了解其实水平并不见得高,有些学校根本没有听过名字,后 来打听以后发现确实挺牛,这个是我在申请之处最深刻的感触.我建议大 家在 这个阶段一定要竭尽全力通过在外面的朋友, 同学打听清楚自己这个行业欧洲学 校的一个情况.我当时发了无数的信,看了很多排名,基本上对微电子欧洲的情 况有了一个大致的了解,下面说说总体的感觉,因为主要关注的是微电子集成电 路设计方向,所以可能有人有其他不同的看法,这个大家看看就好,本来排名的 东西 就是仁者见仁智者见智.在这个过程中一个鲁汶的博士和一个慕尼黑工业 大学的博士给了我很多建议和消息, 鲁汶的博士曾经给我说过微电子电路设计欧 洲三强是: 鲁汶,TU Delft 和 德国的亚琛工业大学.后来我的了解,虽然说这 三个是前三不一定就准确,但是这三个学校在微电子领域确实有无以伦比的实 力.当时我就想如果这三个学校要我我 觉得义无反顾.后来又经过打听除了上 面说的这三个还有如下的几个学校非常好:ETHz,EPFL,慕尼黑工大,TU 德 累斯顿,隆德,林学平等,下面我就按照我重点申请顺序简单介绍一下这些学校 和我自己的感觉.鲁汶:这个不用多说,微电子电路设计无论是模拟还是数字,还是其他方向欧洲 绝对的老 大,尤其是电路设计有一个 willy sensan,就足够了,基本上欧洲微电 子绝对的首选,申请难度挺高,一般去都要读一个所谓的预博士,一年,然后会 有一个考试,通过之后才可 能转到正式的博士三年,其中预博士的一年学校没 有任何补助,虽然博士没有学费,但是生活下来听说也要 4w 或者更多.开始联 系一直说没有 position, 后来联系上了又说让申请留学基金 委的一个联合博士项 目,这个项目雅思要求 7 分,没达到,后来慢慢失去的联系也就没有继续,但是 那里一直可以说是心中的圣殿,呵呵,我个人比较 fan sensan:)TU Delft:这个也是一个微电子大牛校,属于一个什么欧洲四大工科盟校,应该

代表了他的地位和水平,我问过一个瑞典皇家理工和意大利读博士的 两个哥们 他们都对这个学校评价颇高.听说他们家建筑,环境,计算机也是很有实力,不 过最牛的当然还是微电子.当时了解后才知道这个学校微电子分的出奇的细 致, 整个微电子系有 10 多 个实验室, 无论是 RF, sensor, 还是混合信号都很有实力.学校的教 授也都非常 nice,这 也是我最后选择这所学校主要的根据,毕竟读博 士,还是要去一个专业强的学校,申请的时候也没有特别的地方,就是找 prof.然后套磁,就行了,自我感觉荷兰人还是很 谦和的,听说 delft 是 一个小镇, 民风淳朴,呵呵.亚琛工大:也是微电子大牛校,但是实在说不了太多,因为根本没有机会了解,

虽然很早就 找到相关实验室的网页,但是发信从来就没有人回,无论是教授还 是小米都是 keep silence forever,搞得人非常郁闷,因为德国的体制博士全是导 师说了算,要想过去读首 先要跟导师取得联系,但是这个学校自从我联系开始 前前后后发过 10 多封,没有一个人回,实在是搞不懂事怎么回事,可能没有 position 吧,不过也应该说一下免得惦记了,呵呵,总之是一个牛校,如果能去 也是很值.ETHz: 一开始的时候他一直是我梦想的学校, 爱因斯坦的母校质量当然没得说, 一个工科学校世界综合大学排名稳定在 30 以内!啥都说了,牛！.他们家微！电子很 牛,但是总的来说比较小,没有前面说的三家有规模,但是虽然小但是 都是精英,可惜有点生不逢时,我申请的时候从去年 11 月到今年 4 月发信从来 都是很有礼貌的回,回的主题只有一个: 很谢谢你对我们实验室感兴趣但是很 不幸我们没有 position.呵呵, 没有办法啊！在说一下他们家钱给的听说很多,！如果能申上,学习的时候还能攒钱:)EPFL: 一开始的时候眼睛全盯在 ETHz 上,没太关注这个,后来了解才知道也 是牛校一个,不过比较郁闷就是没赶上他们家 1.15 的博士 deadline,只好申请 4.31 的, 他们家申请很像美国, 就是先寄材料, 然后等, 截至日期过后一个月 被 选上的人会收到一封初步录取通知,然后紧接着就是等教授联系你,给你安排面 试什么的,很可惜他们家给我初步录取通知的时候已经跟 TU Delft 说好了,所 以没办法…..没有缘分.TU 德 累斯顿:德国微电子牛校,他们的 prof 说他们家 ee 是德国第二,呵呵可 能亚琛第一吧.德累斯顿好像是德国硅谷,行业背景不错.因为曾经关注过这个 学校感觉这个学校性价比很高,呵呵没 有学费,德累斯顿生活费比较低,如果 有工资的话可以有挺多结余,他们家 RF 有一个超级大牛,当时看到他的简历简 直是惊为天人,以前 ETHz 的项目头头,这位 prof 人超级好,每信必复.当时对 他们家着重考虑了下,

下,不过相比 TU Delft 还是感觉他们家规模不够,后来 delft 那边事情办得还算顺利所以也就慢慢淡 出.但是 TU 德累斯顿 绝对是微电子一 个非常非常不错的选择.喜欢德国的可以着重考虑下!我觉得比亚琛联联系起来 感觉好:)慕尼黑工大:不多说了,看看世界排名就知道,一个字牛,微电子也算不错,他 们家模拟方 向是一个女教授当家,听说是一个大大牛,回信简洁明快直接说没 有 position,呵呵,我觉得这一点他们家比亚琛好,至少让人也清楚地被拒:)弗莱堡:新兴的微电子牛校,以前只知道这个学校哲学,医学全德数一数二,后 老 来了解才知 道他们家微电子虽然新, 但是实力也不错 08 年刚有一篇 ISSCC, 师也很 nice,从给你学术科普到生活指导,当时令我非常感动,也给了接受函, 不过也是发生在 TU Delft 之后,所以也很对不起那位老师…..人品损失啊！！TU 维 也纳:小牛校,无线通信听说很猛.联系很快就有回复,老师也很不错, 交流起来很开心,最后还是因为已经有了先前的 offer,所以….呵呵 以上就是主要关注的一些学校,每一个学校都非常不错,去读博士都是值得的, 其他的还有 几个比如隆德,林学平,KTH,丹麦理工,赫尔辛基理工大学,感 觉微电子应该都有某个或几个方向应该还都不错但是都属于那发信没人理的那 种,呵呵,也就慢慢放弃了.今天突然想总结,一口气写了这一篇,感觉有些乱,大家随便看,希望能有些小 帮助呵呵, 也就算是对在论坛里学的这么多东西的一个小小回报吧,祝大家在 申请路上一路顺风,每个人都能去自己梦想的学校:)

第三篇：东江纵队导游词

东江纵队导游词

东江纵队纪念馆位于罗浮山名胜区。罗浮山是国家重点风景名胜区，我国道教十大名山之一。史学家司马迁把罗浮山比作“粤岳”，所以罗浮山素有“岭南第一山”之称。罗浮山山势雄伟挺拔，风光清静幽秀，气候宜人，冬暖夏凉，是著名的避暑胜地。罗浮山又有神仙洞府美誉，道教称它为第七洞天，第三十四福地。罗浮山不但山水绮丽，风光优美，而且神话、传奇、古迹繁多。山上寺观遍立，座落在主景区朱明洞景区内的冲虚古观已有1600多年的历史，为东晋葛洪创建，是我国有影响的道教重点宫观之一。传说杭州的黄龙观，香港的黄大仙等道观以它为祖庭。冲虚古观在抗日战争时期，曾是东江纵队司令部驻地，这给罗浮山的历史增添了光彩。

历史上道士僧人如云，文人墨客纷至，留下许多珍贵的佳作和题刻。20年代初，孙中山率军东征归来即偕宋庆玲、廖仲恺、何香凝等结伴游览罗浮山。新中国成立后周恩来及贺龙等七大元帅也曾在罗浮山游览度假。

二、东江纵队简介

东江纵队纪念馆是在2003年12月1日暨东纵成立60周年之际建成开馆的，它座落在罗浮山风景名胜区朱明洞景区内。三面环山，前面是秀丽的白莲湖，右侧不远处为东纵司令部旧址冲虚古观。四面环境优雅，景色宜人。“东江纵队纪念馆”馆名，为原全国政协副主席叶选平题写。

纪念馆建筑面积为3300平方米。馆内设4个展示厅及工作服务区，4个厅分别为“序幕厅”、“陈列厅”、“英烈厅”、“映视厅”，以及二条长60多米、宽3米的参观走廊。

纪念馆前面，是一个宽阔的广场（2284M2）。在广场的右侧，安放一组人物雕像，主题是：东江纵队将士，前赴后继，永远向前。在广场的左侧，竖立一支旗杆，方便参观者举行升旗仪式。

东江纵队纪念馆是一座历史丰碑，它记载了东江纵队抗日救国的宏伟历程，它焕发出的凛然正气，将永远激励人们沿着建设有中国特色的社会主义道路奋勇前进。

序幕厅（223M2）的正面，是一幅大型彩色喷绘图，它以东江为背景，磅礴的气势展示了东江纵队的精神风貌。序厅两侧墙上，镶有歌曲《义勇军进行曲》和《东江纵队之歌》，表达了当年全民族抗战的坚强意志。序厅里面的两侧墙上，用红底金字，展示中央6位领导人的题词，这些题词对东江纵队给予了高度评价。

陈列厅（525M2）以大量的文献资料、真实的历史照片，以及珍贵的革命文物，全面反映东江纵队、两广纵队、粤赣湘边纵队的革命事迹。陈列的文物有70多件，主要是东纵战士生活用具，以及缴获敌人的武器。重要文物有东江纵队《前进报》印刷机和东江纵队、粤赣湘边纵队当年出示的布告等。在展厅的另一侧，镶有6幅反映东江纵队重要革命事件的油画。

英烈厅（120M2）的设置，是为了缅怀英烈的丰功伟绩和弘扬他们的爱国主义精神，并使之进一步发扬光大。英烈厅刻写5000多位烈士的英名。厅内还展示了10位英雄人物和5个英雄集体的光辉事迹。

映视厅（76M2）主要播放十五集电视连续剧《东江纵队》和历史纪录片《芦沟桥事变》，让观众更形象地了解东江纵队的战斗史迹和“七•七”事变。

在参观走廊，还设置了《日军侵略华罪证》展览，通过展览，警示国人，不忘国耻，奋发图强，振兴中华。

㈠抗日战争爆发，组建东江人民抗日武装 抗日烽火漫燃全国

1937年7月7日夜，驻丰台日军以军事演习为名，突然向当地中国驻军第二十九军发动进攻，制造了“七•七”事变。“七七”事变是日本全面侵华战争的开始，也是中国全国性抵抗战争的开始。东江沦陷 组队御敌

1938年10月12日凌晨，日军共4万余人分三路在大亚湾等地登陆。15日侵占惠州，16日直取博罗，21日占领广州。仅十天时间，广州周边各县和东江下游大片国土相继沦陷。广东五分之一的人口，沦于日军铁蹄之下，陷于水深火热之中。在中国共产党的领导下，东江敌后惠阳、东莞、增城、爆安各县的人民，纷纷拿起武器，奋起抗击入侵的敌人。

1938年12月，中国共产党先后在惠、东、宝地区等地组织人民抗日武装。一支是“惠宝人民抗日游击总队”，曾生任总长，周伯鸣任政委；一支是“东宝惠边人民抗日游击队”，王作尧人大队长，何与成任政训员。这两支队伍是东江纵队的前身，当时惯称“曾、王两部”。他们以勇战强敌的姿态出现在东江敌后战场上，担负起抗日的重任。

㈢东江纵队成立 夺取抗日游击战争胜利

东纵成立 全面发展

1943年12月2日，广东人民抗日游击队东江纵队在深圳坪山土洋村正式公开宣布成立。司令员曾生、政治委员尹林平、副司令员兼参谋长王作尧、政治部主任杨康华，联名发表成立宣言和领导人就职代电，并发布第一号布告，重申东江纵队的宗旨和统一战线等各项政策。1944年7月，东江抗日军政干校在大鹏城正式成立。东江纵队在成立后的半年时间里，由成立时7个大队约3000多人，发展到9个大队和一个独立中队，近5000多人，队伍不断发展壮大。

民主政权 巩固发展

从1944年开始，东江纵队政治部先后在各抗日根据地召开参议会个国事会，选举协商产生了东宝、惠阳、惠东、博罗、英德、海丰等6个县级抗日民主政权，管辖解放区面积约6万平方里，人口约450万。

激战东江 建立基地

1949年1月1日，中国人民解放军粤赣湘边纵队在惠安墩宣告成立，尹林平为司令员兼政治委员，黄松坚为副司令员，左洪涛为政治部主任。粤赣湘边纵队成立后，作战部队已达12000多人，群众团体和民主政权普遍建立。为迎接野战军南下作战，创造十分有利的条件。

1949年10月8日，两广部队进入和平地区。9日，曾生，林平部在龙川老隆会合。两部会师后，即向指定地区推进。先后解放了河源、惠州、东莞、宝安以及番禺、顺德珠三角一带和沿海岛屿。

1950年8月，解放了万山群岛战。至此，广东全境全部解放。1952年，两广纵队、粤赣湘边纵队整编完毕，部队番号随之取消，从而完成了它光荣的历史使命。

第四篇：东江纵队观后感

东莞东江纵队观后感

（一）只有启程，才会到达理想和目的地；只有拼搏，才会获得辉煌的成功；只有播种，才会有收获；只有追求，才会品味堂堂正正的人。在学校“争先创优”活动开展之际，在校组织部和学院的老师帮助下，我们党支部与学校和学院的老师们一起参观了广东东莞东江纵队纪念馆，以此来强化当代大学生的时代紧迫感和使命感。广东东莞东江纵队纪念馆位于广东省东莞市大岭山镇大王岭村，是展示广东人民抗日游击队东江纵队历史的专题纪念馆，也是第四批全国青少年教育基地。有根据地说，东江纵队是一支驰骋在东莞和华南抗日战场上的英雄部队。在抗日战争解放时期，东江纵队在远离党中央、远离八路军和新四军主力，孤悬敌后，处于敌伪夹击的艰苦环境下，始终坚持紧密依靠人民群众，坚持独立自主的游击战争方针，转战东江两岸，深入港九敌后，开辟粤北山区，挺进韩江平原，英勇打击敌人，成为了华南敌后抗战的中流砥柱，也是我们广东人民解放战争中的一面旗帜。在争取祖国独立、民族解放的斗争中，东江纵队的2500多名革命先烈用鲜血和生命谱出可歌可泣的历史赞歌，铸造了永垂青史的东纵精神。

在观看东江纵队纪念馆的过程中，最有印象的要数在幻影成像的电影片段这一环节了。

在这一环节，纪念馆以幻影成像的形式，生动地展示了当年东江纵队驰骋在抗日战场上英勇抗击敌人的战斗场面，让在场的观众深深地体会到革命老前辈的艰辛、智慧以及勇敢。敌人的凶残，多少村镇被吞噬，多少家庭被破碎，又有多少人流离失所，多少人在战争中挣扎。这时，党的好同志来了，最可爱的人来了，他们用血肉之躯抵挡住敌人一次又一次的进攻，最终把敌人拒之以国门之外。

同时，除了电影片段，纪念馆中还有一些雕塑得有声有色的烈士雕塑。雕塑是很常见到的，但是每当看到关于刻画革命烈士的主题，心中敬佩之心油然而生。想想当年，就是这些革命先烈，不畏敌人的残酷，不畏生命的安危，排除万难，坚持抗战，始终要把解救人民于水深火热之外为己任。

烈士的鲜血，染红了南粤大地，换来了祖国的和平安康。没有了先烈们的浴血奋战，就没有今天现在的繁荣和富裕。

观看完东江纵队纪念馆，心情颇为凝重，心中始终惦记着那些革命先烈的英勇事迹，也为有这座纪念馆而感到满足。它的落成，生动形象地展示了一幕幕惊心动魄和感人肺腑的历史画面，凝固了辉煌的抗战历史，熔铸着历史的脉动，讴歌了东江纵队的丰功伟绩，()颂扬了中国人民特别是广东人民抵抗侵略的英雄事迹，传承伟大民族精神，增强民族自尊心、自信心和自豪感。“落后就要挨打”.当今中国人民，尤其是肩负起振兴祖国，实现中国现代化的当代大学生，必须牢记历史，才能更好地珍惜今天；缅怀先烈，才能更好地开创未来。在新的历史时期，我们要牢记革命鲜辈的光辉业绩，学习先辈的崇高品质，坚定理想信念，坚持根本宗旨，发扬革命优良传统。我们要继承革命先辈的遗志，发扬先辈们的革命精神，努力开创中国经济社会全面协调可持续发展的新局面，不断把中国特色社会主义伟大事业推向前进。

走出广东东江纵队纪念馆，看见一切都是那么美好。我心中永远铭记着革命先烈的“东纵精神”.范羽

电子与信息学院

08电师班

东江纵队观后感

（二）参观红色足迹，感受革命力量

201*年5月5日，学院思政部组织我们100多名学生参加了东江纵队红色之旅——广东人民抗日游击队东江纵队历史专题纪念馆、第四批中国青少年教育基地去学习和接受革命传统教育。在那里，我们重温了峥嵘的历史岁月，看到了许多战争期间用过的文物，听见了很多革命先辈的抗战故事，收获甚多。

东江纵队纪念馆是一所为了纪念广东人民抗日游击队东江纵队的专题纪念馆，而广东人民抗日游击队东江纵队是中国共产党领导的、战斗在华南地区的人民抗日武装队伍。在八年抗战中，东江纵队积极配合全国各地抗日力量和盟军，英勇打击敌人，为抗战胜利、为中华民族的解放做出了不可磨灭的贡献。

东江纵队的特点及其精神有：一是东纵在远离党中央、八路军，远离新四军主力时，在华南敌后艰苦复杂的环境中，坚持独立自主的游击战争，从无到有，从小到大，从弱到强，逐步发展成为一支抗日劲旅。二是东纵在组成的人员中，知识分子多，港澳同胞多，归国华侨多，女战士多，政治素质、文化素质较高并有广泛深厚的群众基础。三是东纵把抗日游击战争从农村发展到敌占区的香港及沿海城市，成功地创造了大城市和沿海抗日游击战争的典型范例。四是东纵抢救了一大批中华民族精英，保护了我国文化瑰宝。五是东纵抢救了一批国际友人和盟军人员，赢得盟军信任，促进了国际反法西斯统一战线的发展。六是东纵对三年解放战争胜利做出了重要贡献。

东江纵队纪念馆分为七个展厅，共展出东纵革命文物200余件，历史照片450多幅，雕塑、油画、版画等艺术作品22件，陈列主题是东江铁流，南粤锦旗，该主题客观、全面地反映了抗日战争时期，中国共产党领导的广东人民抗日游击队东江纵队，为了民族的解放事业浴血奋战、夺取胜利的光辉历程。

在解说员的解说和带领下，我们依次参观了各个展厅。其中前厅的电子沙盘模拟出来的战争场景，似乎让我体会到了当时敌人的紧逼和作战的紧张氛围，真正感受到了当时人们是如何抗日、如何救国的，而不仅限于在历史课本上那寥寥概况的几句话。还有众多为东纵抗战人民而写的崇高赞词，如“东江纵队是中国抗战的中流砥柱”“东江纵队是华南人民抗战的一面光荣旗帜”“向具有光荣革命传统的东江人民致敬”等等都给了我很大的精神震撼。当观看展厅里陈列的一幅幅人民英勇战斗的图片时，我的脑海中不禁浮现出当年烈士们的作战情景，看到一个个革命先烈为了新中国的成立不惜牺牲自己的生命，其中年纪最小的仅仅十几岁，这时的我不由得感慨万千，内心深处油然升起一股敬佩和伤感之情，同时更深刻的体会到了今天幸福的生活来之不易。通过这次的参观学习活动，我们对东江纵队挺进东莞大岭山区创建抗日根据地、开展敌后游击斗争、取得百花洞战役的胜利以及粉碎日伪军“万人大扫荡”等英雄事迹也有了一个清晰的认识。东江纵队的发展史、抗战史向我们真实地描述地了东江纵队为了民族的解放事业浴血奋战的光辉历程，让我们真正认识到了东江纵队是中国共产党领导的一支人民抗日武装，是广东人民的子弟兵，她谱写了中国人民抗日战争的壮丽篇章。？在参观纪念馆之前，我从不知道革命与历史离我们这么近，那些没有生命的历史文物静静地躺在陈列柜上，还有那一副副挂在墙上英勇作战的图片和一个个动人的抗战故事是历史的一种见证，透露出来的是一种不朽的气息。

也许，岁月能改变山河，但历史将不断证明，有一种精神永远不会失落，崇高、忠诚和无私，将超越时空，成为人类永恒的追求！

也许，时间会冲淡记忆，但人们决不会忘记，为祖国牺牲的人们，他们的理想，他们的信念，使千万人的心灵为之震撼；也许战争的硝烟已离我们远去，但爱党、爱祖国的信念却始终没有改变！

参观广东东江纪念馆，是一次心灵的冲击，是一趟历史的洗礼，也是一场革命的教育。走出纪念馆，我们的心情久久不能平静。几十年前，这里的人们还受尽欺凌；如今，一座座高楼大厦拔地而起，一张张笑脸迎春开放。现在我们的生活进入了小康社会，我们不仅要感谢改革开放做出贡献的人们，还要感激曾经为人民血战的战士们。革命战士用鲜血和青春换来了这一派繁荣景象，他们付出的是生命的代价，而得到的，只有安心地闭上双眼。他们留下一份新的希望，将由我们这一代传承！

东江纵队观后感

（三）10月29日下午，我们学校组织了一次去参观位于大岭山的东江纵队的博物馆的活动。

阳光下的东纵纪念馆，显得宏伟无比。

我们纷纷走进纪念馆。在解说员的带领与解说下，我们清楚地了解到当时东莞人民的爱国与抗日精神。离开书本，近距离的接触有关抗日战争的事物，让我们对抗日战争有了进一步的了解。

我 迈着沉重的步伐，我们走进第一展厅。青石砌的墙上特意打了许多“枪孔”,似乎在诉说着战争的可怕。而那一张张令人倍感温暖的面孔，一个个使人悲愤不已的场面，又仿佛将我们也带到了那硝烟弥漫的阵地。接着，我们又参观了另外几个展厅。一尊尊雕像又将我的思绪拉了回来。这些战士们，不论大小，他们的中华信念一样崇高。是他们，是他们刚强的意志，高尚的品格，将身陷水深火热中的人们解救了出来。看了这一些模型，那血雨腥风的岁月，都展现在了我们面前。看到日本给中国的投降书，我悟到了中华儿女的铿锵豪气；望着重达百斤的军枪，我听到了革命战士热血澎湃的声音，它如黄河巨浪般响彻大地。

走出纪念馆，我们的心情久久不能平静。几十年前，这里的人们还受尽欺凌。如今，一座座高楼大厦拔地而起，一张张笑脸迎春开放。看那鲜艳的花朵啊，赞颂着祖国的伟大。如今，我们的生活也渐渐进入小康社会。除了感谢在改革开放做出贡献的人后，更要感激曾经为人民血战的战士们，革命战士用鲜血和青春换来了这一派繁荣景象。他们付出的是数不清的代价，得到的，只有安心地闭上双眼。他们留下一份新的希望，将由我们这一代传承。

在参观博物馆之前，我从不知道革命与历史离我们这么近，那些没有生命的历史文物静静地躺在陈列柜上，作为一种见证，透露出来的是一种不朽的气息。

第五篇：微电子加工工艺总结资料

1、分立器件和集成电路的区别

分立元件：每个芯片只含有一个器件；集成电路：每个芯片含有多个元件。

2、平面工艺的特点

平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。P-N结形成的方法： ① 合金结方法

A、接触加热：将一个p型小球放在一个n型半导体上，加热到小球熔融。

B、冷却：p型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个再分布结晶区，这样就得到了一个pn结。

合金结的缺点：不能准确控制pn结的位置。

②生长结方法

半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。生长结的缺点：不适宜大批量生产。扩散结的形成方式 与合金结相似点：

表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点：

不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 扩散结的优点

扩散结结深能够精确控制。平面工艺制作二极管的基本流程：

衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N结特性测试

3、微电子工艺的特点

高技术含量 设备先进、技术先进。

高精度 光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。超纯 指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。

超净 环境、操作者、工艺三个方面的超净，如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。大批量、低成本 图形转移技术使之得以实现。

高温 多数关键工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。

4、芯片制造的四个阶段

固态器件的制造分为4个大的阶段（粗线条）： ① ② ③ ④

晶圆制备：（1）获取多晶

（2）晶体生长----制备出单晶，包含可以掺杂（元素掺杂和母金掺杂）（3）硅片制备----制备出空白硅片 硅片制备工艺流程（从晶棒到空白硅片）：

晶体准备（直径滚磨、晶体定向、导电类型检查和电阻率检查）→

切片→研磨→化学机械抛光（CMP）→背处理→双面抛光→边缘倒角→抛光→检验→氧化或外延工艺→打包封装 芯片制造的基础工艺

增层——光刻——掺杂——热处理 材料制备

晶体生长/晶圆准备 晶圆制造、芯片生成 封装

5、high-k技术

High—K技术是在集成电路上使用高介电常数材料的技术，主要用于降低金属化物半导体（MOS）晶体管栅极泄漏电流的问题。集成电路技术的发展是伴随着电路的元器件（如MOS晶体管）结构尺寸持续缩小实现的。随着MOS晶体管结构尺寸的缩小，为了保持棚极对MOS晶体管沟道电流的调控能力，需要在尺寸缩小的同时维持栅极电容的容量，这通常需要通过减小棚极和沟道之间的绝缘介质层厚度来实现，但由此引起的棚极和沟道之间的漏电流问题越来越突出。High—K技术便是解决这一问题的优选技术方案。因为，MOS器件栅极电容类似于一个平板电容，由于MOS器件面积、绝缘介质层厚度和介电常数共同决定，因此MOS器件栅极电容在器件面积减小的前提下，采用了High—K材料后，可以在不减小介质层厚度（因此栅极泄漏电流而不增加）的前提下，实现维护栅极电容容量不减小的目标。High—K材料技术已被英特尔和IBM应用到其新开发的45mm量产技术中。目前业界常用的High—K材料主要是包括HfO2在内的Hf基介质材料。

6、拉单晶的过程

装料——融化——种晶——引晶——放肩——等径——收尾——完成

7、外延技术的特点和应用 外延特点： 生成的晶体结构良好 掺入的杂质浓度易控制 可形成接近突变pn结的特点 外延分类： 按工艺分类

A 气相外延（VPE）利用硅的气态化合物或者液态化合物的蒸汽，在加热的硅衬底表面和氢发生反应或自身发生分解还原出硅。B 液相外延（LPE）衬底在液相中，液相中析出的物质并以单晶形式淀积在衬底表面的过程。此法广泛应用于III-V族化合半导体的生长。原因是化合物在高温下易分解，液相外延可以在较低的温度下完成。C 固相外延（SPE）

D 分子束外延（MBE）在超高真空条件下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子束，以很高的速度直接射到衬底表面，并在其上形成外延层的技术。特点：生长时衬底温度低，外延膜的组分、掺杂浓度以及分布可以实现原子级的精确控制。按导电类型分类

n型外延：n/n, n/p外延 p型外延：p/n, p/p外延 按材料异同分类

同质外延：外延层和衬底为同种材料，例如硅上外延硅。

异质外延：外延层和衬底为不同种材料，例如SOI((绝缘体上硅)是一种特殊的硅片，其结构的主要特点是在有源层和衬底层之间插入绝缘层——— 埋氧层来隔断有源层和衬底之间的电气连接)按电阻率高低分类

正外延：低阻衬底上外延高阻层n/n+ 反外延：高阻衬底上外延低阻层

硅的气相外延的原理：在气相外延生长过程中，有两步： 质量输运过程－－反应剂输运到衬底表面

表面反应过程－－在衬底表面发生化学反应释放出硅原子

掺杂

有意掺杂：按器件对外延导电性和电阻率的要求，在外延的同时掺入适量的杂质，这称为有意掺杂。自掺杂：衬底中的杂质因挥发等而进入气流，然后重新返回外延层。杂质外扩散:重掺杂衬底中的杂质通过热扩散进入外延层。外延的应用

1、双极型电路：n/n外延,在n型外延层上制作高频功率晶体管。+ 外延：双极型传统工艺在p衬底上进行n型外延通过简单的p型杂质隔离扩散，实现双极型集成电路元器件的隔离。

2、MOS电路:外延膜的主要应用是作为双极型晶体管的集电极。

外延膜在MOS集成电路中的较新应用是利用重掺杂外延减小闩锁效应（寄生闸流管效应）。

8、分子束外延（MBE）的原理及其应用

在超高真空下，热分子束由喷射炉喷出，射到衬底表面，外延生长出外延层。

9、二氧化硅膜的用途

表面钝化：保护器件的表面及内部，禁锢污染物。

掺杂阻挡层：作为杂质扩散的掩蔽膜，杂质在二氧化硅中的运行速度低于在硅中的运行速度。绝缘介质：IC器件的隔离和多层布线的电隔离，MOSFET的栅电极，MOS电容的绝缘介质。

10、二氧化硅膜的获得方法 A：热氧化工艺 B：化学气相淀积工艺 C：溅射工艺 D：阳极氧化工艺

11、热氧化机制

① 线性阶段，② 抛物线阶段（生长逐渐变慢，直至不可忍受）

影响氧化速率的因素有：氧化剂、晶向、掺杂类型和浓度、氧化剂的分压。热氧化生长方法：

（1）干氧氧化：干燥氧气，不能有水分；随着氧化层的增厚，氧气扩散时间延长，生长速率减慢；适合较薄的氧化层的生长。氧化剂扩散到SiO2/Si界面与硅反应。

（2）水汽氧化:气泡发生器或氢氧合成气源；原理：

（3）湿氧氧化：湿氧氧化的各种性能都是介于干氧氧化和水汽氧化之间，其掩蔽能力和氧化质量都能够满足一般器件的要求。（4）掺氯氧化：薄的MOS栅极氧化要求非常洁净的膜层，如果在氧化中加入氯，器件的性能和洁净度都会得到改善。减

+弱二氧化硅中的移动离子（主要是钠离子）的沾污影响，固定Na离子；减少硅表面及氧化层的结构缺陷

12、SiO2/Si界面特性： 热氧化薄膜是由硅表面生长得到的二氧化硅薄膜。高温生长工艺将使SiO2/Si界面杂质发生再分布，与二氧化硅接触的硅界面的电学特性也将发生变化。杂质再分布：有三个因素： ① 分凝效应② 扩散速率 ③ 界面移动

水汽氧化速率远大于干氧氧化速率，水汽氧化SiO2/Si界面杂质的再分布就远小于干氧氧化；湿氧氧化速率介于水汽、干氧之间，SiO2/Si界面杂质的再分布也介于水汽、干氧之间。二氧化硅层中存在着与制备工艺有关的正电荷，这种正电荷将引起SiO2/Si界面P-Si的反型层，以及MOS器件阈值电压不稳定等现象。可动离子或可动电荷

主要是Na、K、H等，这些离子在二氧化硅中都是网络修正杂质，为快扩散杂质。其中主要是Na。在人体与环境中大++++量存在Na，热氧化时容易发生Na沾污。加强工艺卫生方可以避免Na沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na离子。固定离子或固定电荷

主要是氧空位。一般认为：固定电荷与界面一个很薄的（约30Å）过渡区有关，过渡区有过剩的硅离子，过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开，但未与氧完全反应。干氧氧化空位最少，水汽氧化氧空位最多。热氧化时，首先采用干氧氧化方法可以减小这一现象。氧化后，高温惰性气体中退火也能降低固定电荷。

13、氧化膜厚度的检测

劈尖干涉和双光干涉：利用干涉条纹进行测量，因为要制造台阶，所以为破坏性测量。

比色法：以一定角度观察SiO2膜，SiO2膜呈现干涉色彩，颜色与厚度存在相应关系。比色法方便迅速，但只是粗略估计。椭圆仪法：入射的椭圆偏振光经氧化膜的多次反射和折射以后，得到了改变椭圆率的反射椭圆偏振光，其改变量和膜厚与折射率相关。高频MOS结构C-V法：测量金属栅极的电容，利用公式测量氧化膜层的厚度。

14、化学气相沉积定义

化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积薄膜的工艺方法。与之对应的是：PVD（蒸发和溅射），它主要应用于导体薄膜。

15、淀积技术包括哪两种？CVD和PVD

16、LPCVD和APCVD的主要区别？LPCVD有何优势？

APCVD：原料以气相方式被输送到反应器内，原料气体向衬底基片表面扩散，被基片吸附，由于基片的温度高或其它能量提供给原料气体，使其发生表面化学反应，生成物在基片表面形成薄膜，而生成物中的其它物质是气相物质，扩散到气相中被带走。LPCVD：低压情况下，分子自由程较长，薄膜电极的均匀性较高。LPCVD相对APCVD的特点：

增加了真空系统，气压在1-10Torr之间；压下分子自由程长，可以竖放基片；热系统一般是电阻热壁式。

17、PECVD的机理？PECVD有何优势？

优势：采用等离子体把电能耦合到气体中，促进化学反应进行,由此淀积薄膜；因此该法可以在较低温度下淀积薄膜。PECVD常常是低温和低压的结合。-2+++

+机理：反应器的射频功率使低压气体（真空度1-10Torr）产生非平衡辉光放电，雪崩电离激发出的高能电子通过碰撞激活气体形成等离子体。衬底基片（具有一定温度，约300℃）吸附活泼的中性原子团与游离基即高能的等离子体发生化学反应，生成的薄膜物质被衬底吸附、重排进而形成淀积薄膜，衬底温度越高形成的薄膜质量越好。

18、多晶硅淀积和外延淀积的主要区别。淀积多晶硅薄膜的方法：主要采用LPCVD的方法。掺杂则采用：离子注入；化学气相淀积；扩散。多晶硅的淀积和外延淀积的主要区别：硅烷的使用

19、金属薄膜的用途？金属化的作用?

（1）在微电子器件与电路中金属薄膜最重要的用途是作为内电极（MOS栅极和电容器极板）和各元件之间的电连接。（2）在某些存储电路中作为熔断丝。

（3）用于晶圆的背面（通常是金），提高芯片和封装材料的黏合力。

金属化的作用：集成电路中金属化的作用是将有源器件按设计的要求连接起来，形成一个完整的电路与系统。20、说明为什么铝作为通常使用的金属薄膜，说明铜作为新一代金属薄膜的原因。铝膜：用途: 大多数微电子器件或集成电路是采用铝膜做金属化材料

优点：导电性较好；与p-Si，n-Si（>5*10）能形成良好的欧姆接触；光刻性好；与二氧化硅黏合性好；易键合。缺点：抗电迁移性差；耐腐蚀性、稳定性差 ；台阶覆盖性较差。工艺：蒸发，溅射 铜膜：用途：新一代的金属化材料，超大规模集成电路的内连线；缺点：与硅的接触电阻高，不能直接使用；铜在硅中是快扩散杂质，能使硅中毒，铜进入硅内改变器件性能；与硅、二氧化硅粘附性差。优点：电阻率低（只有铝的40-45%），导电性较好；抗电迁移性好于铝两个数量级； 工艺：溅射

21、VLSI对金属化的要求是什么？

① 对n+硅和p+硅或多晶硅形成低阻欧姆接触，即金属/硅接触电阻小 ② 能提供低电阻的互连引线，从而提高电路速度 ③ 抗电迁移性能要好

④ 与绝缘体（如二氧化硅）有良好的附着性 ⑤ 耐腐蚀 ⑥ 易于淀积和刻蚀

⑦ 易键合，且键合点能经受长期工作

⑧ 层与层之间绝缘要好，不互相渗透和扩散，即要求有一个扩散阻挡层

22、Al-Si接触的常见问题及解决办法？

Al和Si之间不能合成硅化物，但是可以形成合金。Al在Si中溶解度很小，但是相反Si在Al中溶解度很大，这样就形成尖楔现象，从而使P-N结失效。解决尖楔问题： +（1）一般采用Al-Si合金代替Al作为Al/Si的接触和互连材料。但是又引入了硅的分凝问题。

（2）由于铜的抗电迁移性好，铝-铜（0.5-4%）或铝-钛（0.1-0.5%）合金结构防止电迁移，结合Al-Si合金，在实际应用中人们经常使用既含有铜又含有硅的Al-Si-Cu合金以防止合金化（即共熔）问题和电迁移问题。（3）（4）Al-掺杂多晶硅双层金属化结构：在多晶硅中掺杂重磷或重砷，构成掺杂多晶的结构。铝-隔离层结构：在Al-Si之间沉积一层薄的金属层，替代磷掺杂多晶硅，成为阻挡层。

23、说明难熔金属在金属连线中的作用？

难熔金属及其硅化物有较低的电阻率和接触电阻。难熔金属的一个广泛应用是在多层金属结构中填充连接孔，这个工序叫作过孔填充，填补好的过孔叫做接线柱。

24、金属化的实现方法有几种？请论述真空溅射方法 金属化的实现主要通过两种方式来实现： ① 物理淀积

A：真空蒸发淀积（较早，金属铝线）

B：真空溅射淀积（Al-Si合金或Al-Si-Cu合金）2LPCVD（难熔金属）○真空蒸发淀积 ：被蒸物质从凝聚相转化为气相；气相物质在真空系统中的输运；气相分子在衬底上淀积和生长。分为电阻、电子束等蒸发沉积。真空溅射沉积：溅射淀积是用核能离子轰击靶材，使靶材原子从靶表面逸出，淀积在衬底材料上的过程。

25、说明金属CVD的优势和主要用途。金属CVD ： LPCVD可以应用于制作金属薄膜。

优势：不需要昂贵的高真空泵；台阶覆盖性好；生产效率较高。用途：难控制金属；难熔金属，主要是钨。

26、什么叫做光刻，光刻有何目的？

光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。

光刻的目的就是：在介质薄膜、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。

27、光刻技术的图形转移分为哪两个阶段？ 图形转移到光刻胶层；图形从光刻胶层转移到晶圆层

28、列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。表面准备：微粒清除，保持衬底的憎水性。

涂光刻胶：与衬底薄膜粘附性好，胶膜均匀，是光刻工艺的核心材料。

前烘：使胶膜体内的溶剂充分挥发使胶膜干燥；增加胶膜和衬底的粘附性以及胶膜的耐磨性 对准和曝光：把所需图形在晶圆表面上定位或对准；通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上

后烘：减少驻波效应，激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。显影：将掩膜板上的图形显示在光刻胶上。

坚膜：除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对衬底的附着力。

刻蚀：把显影后的光刻胶微图形下层材料的裸露部分去掉，将光刻胶图形转移到下层材料上去的工艺叫作刻蚀。去胶：刻蚀完成以后将光刻胶去除掉。

29、光刻胶的分类，谈谈正胶和负胶的区别。

正胶：胶的曝光区在显影中除去。正胶曝光时发生光分解反应变成可溶的。使用这种光刻胶时，能够得到与掩膜版遮光图案相同的图形，故称之为正胶。负胶：胶的曝光区在显影中保留，用的较多。具体说来负胶在曝光前对某些有机溶剂是可溶的，而曝光后发生光聚合反应变成不可溶的。使用这种光刻胶时，能够得到与掩膜版遮光图案相反的图形，故称之为负胶。30、刻蚀的方法分类，刻蚀常见有哪些问题？ 分类：刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

湿法刻蚀：化学腐蚀，在腐蚀液中通过化学反应去除窗口薄膜，得到薄膜图形。优点：工艺简单，无需复杂设备，选择比高；均匀性好。缺点：各向同性腐蚀；分辨率低，自动化难。干法刻蚀：使用气体和等离子体能量来进行化学反应的化学工艺。

常见问题：不完全刻蚀、刻蚀和底切、各向同性刻蚀。优点：刻蚀非常有方向性（各向异性），导致良好的小开口区域的精密度。缺点：选择性差。

31、掺杂技术实现的两种方式以及掺杂的目的 方式：扩散和离子注入

目的：在晶圆表面下的特定位置处形成PN结；在晶圆表面下得到所需的掺杂浓度。

32、扩散的基本原理、离子注入的基本原理及其比较

微电子工艺中的扩散是杂质在晶体内的扩散，因此是一种固相扩散。晶体内扩散有多种形式：填隙式扩散、替位式扩散、填隙-替位式扩散。离子注入技术：离子注入是将含所需杂质的化合物分子（如BCl3、BF3）电离为杂质离子后，聚集成束用强电场加速，使其成为高能离子束，直接轰击半导体材料，当离子进入其中时，受半导体材料原子阻挡，而停留在其中，成为半导体内的杂质。离子注入时可采用热退火工艺，修复晶格损伤，注入杂质电激活。离子注入技术的优势：① 离子注入克服热扩散的几个问题：

A 横向扩散，没有侧向扩散 B 浅结

C 粗略的掺杂控制 D 表面污染的阻碍 ② 离子注入引入的额外的优势：

A 在接近常温下进行 B 使宽范围浓度的掺杂成为可能

33、集成电路的形成

集成电路的制造工艺与分立器件的制造工艺一样都是在硅平面工艺基础上发展起来的，有很多相同之处，同时又有所不同。相同点：单项工艺相同的方法外延，氧化，光刻，扩散，离子注入，淀积等。不同点：主要有电隔离，电连接，局部氧化，平整化以及吸杂等。

电隔离：

（1）PN结隔离：双极型集成电路多采用PN结隔离，是在硅片衬底上通过扩散与外延等工艺制作出隔离岛，元件就做在隔离岛上。（2）介质隔离：SOS集成电路（Silicon on Sapphire）是最早的介质隔离薄膜电路，新材料SOI（Silicon on Insulator）有很大发展，SOI集成电路也是采用介质隔离工艺的电路。

电连接：集成电路各元件之间构成电路必须进行电连接，这多是采用淀积金属薄膜，经光刻工艺形成电连接图形，电路复杂的集成电路一般是多层金属布线，构成电连接。局部氧化：分离器件的氧化工艺是在整个硅片表面制备二氧化硅薄膜，而集成电路工艺中的氧化有时是在局部进行，如MOS型电路中以氮化硅作为掩蔽膜的局部氧化技术。平整化：超大规模集成电路的制备经过多次光刻、氧化等工艺，使得硅片表面不平整，台阶高，这样在进行电连接时，台阶处的金属薄膜连线易断裂，因此，有时通过平面化技术来解决这一问题，如在金属布线进行电连接之前，采用在硅片表面涂附聚酰亚胺膜的方法达到平面化的工艺技术。

吸杂：硅单晶本身的缺欠以及电路制备工艺中的诱生缺欠，对电路性能影响很大，有源元件附近的缺欠，通过吸杂技术可以消除或减少缺欠，如通过在硅片背面造成机械损伤，喷沙或研磨，这种背损伤可以吸收杂质与缺欠。

34、封装的工艺流程

底部准备：底部准备通常包括磨薄和镀金。划片：用划片法或锯片法将晶片分离成单个芯片

取片和承载：在挑选机上选出良品芯片，放于承载托盘中。

粘片：用金硅熔点技术或银浆粘贴材料粘贴在封装体的芯片安装区域。

打线：A：芯片上的打线点与封装体引脚的内部端点之间用很细的线连接起来（线压焊）；B：在芯片的打线点上安装半球型的金属突起物（反面球形压焊）；C：TAB压焊技术； 封装前检查 有无污染物；芯片粘贴质量；金属连接点的好坏 电镀、切割筋成和印字 最终测试

35、封装设计

金属罐法；双列直插封装；双列直插封装；针形栅格阵列封装 球形栅格阵列封装；薄形封装；四面引脚封装 ；板上芯片（COB）