微电子论文

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第一篇:微电子论文

微电子导论论文

微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。

微电子学(Microelectronics)是电子学的一门分支学科,主要是研究电子或离子在固体材料中的运动规律及其应用,并利用它实现信号处理功能的学科。它以实现电路和系统的集成为目的的。微电子学中实现的电路和系统又成为集成电路和集成系统,是微小化的;在微电子学中的空间尺寸通常是以微米(μm,1μm=10 − 6m)和纳米(nm,1nm=10 − 9m)为单位的。

为电子学的分支学科,它主要研究电子或离子子在固体材料中的运动规律及其应用,并利用它实现信号处理功能的科学,以实现电路的系统和集成为目的,实用性强。微电子学又是信息领域的重要基础学科,在这一领域上,微电子学是研究并实现信息获取、传输、存储、处理和输出的科学,是研究信息获取的科学,构成了信息科学的基石,其发展书评直接影响着整个信息技术的发展。微电子科学技术的发展水平和产业规模是一个国家经济实力的重要标志。

微电子学是一门综合性很强的边缘学科,其中包括了半导体器件物理、集成电路工艺和集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容;设计了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、图论、化学等多个领域。

微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体(智能化)、网络化和个体化。要求系统获取和存储海量的多媒体信息、以极高速度精确可靠的处理和传输这些信息并及时地把有用信息显示出来或用于控制。所有这些都只能依赖于微电子技术的支撑才能成为现实。超高容量、超小型、超高速、超高频、超低功耗是信息技术无止境追求的目标,是微电子技术迅速发展的动力。

微电子学渗透性强,其他学科结合产生出了一系列新的交叉学科。微机电系统、生物芯片就是这方面的代表,是近年来发展起来的具有广阔应用前景的新技术。微电子学是信息领域的重要基础学科,在信息领域中,微电子学是研究并实现信息获取、传输、储存、处理和输出的科学,是研究信息载体的科学,构成了信息科学的基石。其发展水平直接影响着整个信息技术的发展。

因此,本专业培养目标是培养掌握微电子学专业所必需的基础知识、基本理论和基本实验技能,能在微电子学及相关领域从事科研、教学、产品开发、工程技术服务、生产管理与行政管理等工作的高级专业人才。

基于微电子学的特点,我们在学习过程中应获得以下一些基本的的知识和能力1.掌握数学模型、物理方程等方面的基本理论和基本知识 2.掌握固体物理学、电子学和VLSI设计与制造等方面的基本理论和基本知识,掌握集成电路和其它半导体器件的分析与设计方法,具有独立进行版图设计、器件性能分析和指导VLSI工艺流程的基本能力; 3.了解相近专业的一般原理和知识 4.熟悉国家电子产业政策、国内外有关的知识产权及其它法律法规; 5.了解VLSI和其它新型半导体器件的理论前沿、应用前景和最新发展动态,以及电子产业发展状况; 6.掌握资料查询、文献检索及运用现代信息技术获取相关信息的基本方法;具有一定的实验设计,创造实验条件,归纳、整理、分析实验结果,撰写论文,参与学术交流的能力。

微电子历史

国际

微电子技术发展的理论基础是19世纪末到20世纪30年代期间建立起来的现代物理学。这期间的重要发现包括1895年德国科学家伦琴发现的X射线、1986年贝克勒尔发现放射性、1897年英国科学家汤姆孙发现电子、1898年居里夫人发现镭、1900年普朗克建立量子论、1905年和1915年爱因斯坦提出狭义相对论和广义相对论等。正是这一系列的发明和发现揭示了微观世界的基本规律,导致了海森堡、薛定谔等建立起量子力学的理论体系,为现代电子信息技术革命奠定了理论基础。

位于摩尔工程学院的ENIAC。(美国军方图片)电信号处理工业始于由Lee Deforest在1906年发现的真空三极管。[1]真空三极管市的收音机、电视和其他消费类电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑,这台被称为电子数字集成器和计算器(ENIAC)的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行了首次演示。这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺的面积,重30吨,工作时产生大量的热,并需要一个小型发电站来供电,花费了1940年时的40万美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数以千计的电阻及电容器。然而这个庞然大物的运行速度只有每秒5000此,存储容量只有千位,平均稳定运行时间只有7分钟。真空管有一系列的缺点,如体积大,连基础容易变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行,而且元件老化很快。ENIAC和其他基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管易烧毁而导致运行时间有限。这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力,这个努力在1947年12曰23日得以实现。贝尔实验室的三位科学家——John Bardeen,Walter Brattin和William Shockley,演示了由半导体材料锗制成的电子放大器件。这个器件不但有真空管的功能,而且为固态(无真空),且具有体积小、重量轻、耗电低并且寿命长的优点,起初命名为“传输电阻器”,而后很快更名为晶体管。这三位科学家也因此被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。晶体管是20世纪最伟大的发明之一,它对人类社会的所有领域,包括生活、生产、甚至战争都产生了并且还正在产生着深远的影响。同时晶体管的发明也拉开了电子时代的序幕,从1947年开始,半导体工业呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。国内微电子学专业发展的简要历史和成就回顾

中国微电子学专业的教育历史应追朔到1956年。1956年,由北京大学、复旦大学、南京大学、吉林大学和厦门大学五校联合在北京大学创办了中国第一个半导体物理专门化。最早由这个专业培养的许多毕业生都成为我国微电子领域的权威或领导。半导体专业发展的第二个高峰在1970年前后,随着对半导体器件需求量的增加,尤其是大型电子计算机对集成电路需求的推动,促进了国内半导体工业的发展以及对专业人才的需求,全国很多高校都先后增加了半导体专业。但是进入20世纪80年代,由于国内半导体器件和集成电路生产还缺乏竞争力,受到进口元器件的冲击,很多半导体器件厂下马或转产,相应地很多高校的半导体或微电子专业也被迫取消。进入90年代中期,由于微型计算机的发展、普及以及通信等信息产业的发展,对集成电路芯片的需求量越来越大,国家加大了对微电子行业的支持力度,对微电子专业毕业生的需求也不断增加,微电子专业的发展迎来了第三个高峰。国家“十五”计划和2010年远景规划提出以信息化带动工业化,加快微电子产业建设的高新技术发展策略。目前,许多高校以及一些专科学校都纷纷建立微电子专业。各学校的办学特点不尽相同,但主要培养目标基本围绕三方面:集成电路工艺开发,集成电路中的器件和材料研究,以及集成电路设计,其招生规模不断扩大。微电子学的重要分支

集成电路制造(半导体工艺,半导体器件)

集成电路设计(底层电路设计(偏物理)--->SOC设计(偏编程)…)

MEMS(微机电系统),需要非常杂的知识面

EDA,是介于制造和设计之间的一个比较独特的领域,需要比较广的知识面和编程能力

国内微电子学专业发展

近30年来,集成电路技术一直按照“摩尔定律”向前发展。集成电路工艺中的特征尺寸更小(<100nm),集成密度更高,集成电路材料趋于多元化(不再仅仅是硅基、二氧化硅和铝引线等),集成的元件种类更多(各种传感器),集成的系统更为复杂、庞大,集成电路的功能更为完善和强大(一个芯片就是一个独立完整的系统--SOC),集成系统的功耗更低,成为半导体工业(微电子工业)基本发展趋势。我国的集成电路发展起步于1965年,由于体制等众多的原因,我国在这一领域与国外差距越来越大。从市场份额来看,2002年国产芯片年销售额为130.3亿元,占世界芯片产量的0.7%左右;从技术上看,总体上还有两代左右的差距。2002年,我国芯片自给率才25%,其他75%均需要进口,进口集成电路耗资33.6亿美元,特别是技术含量高的产品,基本上依靠进口。由于20世纪80年代国内经济的迅速发展和半导体行业的相对滞后,许多高校已停止了半导体工艺人才培养,导致集成电路工艺人才更是奇缺。当今世界经济已从工业化进入信息化的发展阶段,微电子技术是高科技和信息产业的核心技术,成为当前新经济时代的基础产业。它在国民经济、国防建设以及现代信息化社会中起着极其重要的战略意义。我国微电子产业与国际水平相比还属于幼稚工业,无论技术水平、产品水平还是综合实力都无法与发达国家同行的实力相抗衡。

国际半导体技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors)是由美国、欧洲、日本、韩国和台湾地区的专家共同编制的的一个文件,是产业界(芯片制造商、设备和材料供应商)、政府部门和大学、研究机构共同努力的结果。该文件对当前半导体技术进行评估,对未来15年半导体技术的发展趋势进行预测,不仅对半导体产业的发展有指导意义,而且对大学、研究机构的人才培养和科学研究具有指导意义。与微电子学专业相关行业的发展趋势及对本专业构成的挑战、要求

1.进入21世纪,与微电子专业学科相关的集成电路产业发展趋势

(1)器件尺寸不断缩小,目前器件特征尺寸已进入纳米量级。器件尺寸继续缩小将遇到很多物理问题和技术挑战,为了解决这些问题和挑战,必须进行新器件、新结构、新工艺等研究。

(2)集成度不断提高,目前已经可以把整个电子系统或子系统集成在一个芯片里,形成集成系统芯片(SOC)。系统芯片与集成电路的设计思想和方法是不同的。这就要求微电子专业培养的人才不仅能从事IC设计,还能从事SOC设计,研究SOC的设计方法。

(3)与集成电路技术相关的新材料不断涌现,高K栅介质、低K互连介质、新型化合物半导体材料等都成为目前的研究热点。

(4)微电子与其他学科结合诞生新的交叉学科,也是21世纪的重要发展方向,例如集成光电子学、微机械电子学(MEMS)、纳电子学等。因此,要求微电子专业培养的学生能适应这种跨学科、多学科结合发展的需求。

2.微电子技术面临的困难与挑战

按照微电子技术的发展趋势,在材料、工艺、设计、测试、封装等方面都面临着困难和挑战。在国际半导体技术路线图中,将微电子技术分为12个相对独立的部分:(1)设计,(2)测试与测试设备,(3)工艺集成、器件和结构,(4)前端工艺,(5)光刻,(6)互连线,(7)工厂集成,(8)组装与封装,(9)环境、安全与健康,(10)成品率,(11)计量,(12)模型与模拟。

3.国内微电子技术现状与社会需求

根据国家有关权威部门的预测,2010年我国微电子产业的产值将达到3000亿人民币,占到当时全世界集成电路产值的6%,其中芯片制造业的产值约为1500亿元,设计业和封装业1500亿元。根据国际上的一般规律,一个10亿元产值的集成电路设计公司大约需要1500名左右的工程师;一条年产3万片的8英寸集成电路制造生产线的年产值约30亿人民币,需要1000名工程师和1000名配套人员。这样,未来10年我国集成电路设计业需要20~25万设计人才,芯片制造业产值约需要10万名工艺技术人才,而目前我国集成电路人才奇缺,设计人才全国不足万人,因此今后10年对微电子方面的人才的需求是极为迫切的。从2003集成电路行业年会的数字显示,国内IC设计从业人员实际不足5000人,其中真正完全成熟的系统设计工程师不过1000人;每年从各大学微电子专业毕业的研究生只有300多人,本科生也不过10000人,对比上海半导体和IC研讨会发布的2008年大陆IC产业对IC设计工程师需求量250000人,这不过是杯水车薪。

第二篇:微电子就业

微电子学

A微电子学毕业之后一般做什么?近几年的就业率和收入怎么样,能不能说一下你们毕业班的情况?

微电子分大概的分设计和工艺2块,本科毕业去设计的方向比较少,这2块都是比较累人的行当。工艺的就是工厂型,本科去做PE和QC比较多,研究生多数搞设计,收入比工艺要高,基本在入行时在6000+的样子(合肥工大)

能做很多啊,很多微电子方面的公司啊,有做工艺工程师的,有做版图设计的,有在网通的,有在电信的,我做PE(南邮)

如果学微电子毕业后做本专业基本上有3个方向的,1前端设计2是把前端设计的图纸实现电路功能,3是后端的封装.不过本科毕业直接做本专业工作基本上什么都不懂的,也得一点点从头开始,在学校学的大部分东西都用不到的,个人认为想做本专业的话,读研可能会好一点,其实很多东西是看自己的,你不是也上过大学么,其实专业都差不多的,关键看个人了,象学我们专业的,也可以去做销售 市场什么的.我想你最好树立个目标,有个方向,这样才知道自己想要追求什么,让他们想想以后想做什么,并为之去努力,个人感觉现在的大学生大部分早就没了自己的思想了,都迷迷糊糊走了个过程,也包括我,最好去培养他们的意识,感觉这样比上个好专业要好.(合肥工大)

做什么都行,我不想做技术类的!我的同学他们都是在搞电路方面的工作,还有的在做IC设计的,还有通信行业,也可以向微系统方向发展,这科发展的方向还是比较广的。(南邮)

微电子愿意进厂里做制造的工作基本都有人要,国企两千多,台企三千多,外企就更高了。不过难度依次递增……工作也枯燥的。做设计类的本科比较少,我们班近三分之二的人读研很能说明问题的(电子科大)

我们这个专业分光电子和微电子,微电子工作比较好找,光电子考研比较多。我们找了工作的同学在富士康,富士通,比亚迪,天地伟业,锢锝等,本科毕业一般不是研发,主要在生产线上,也有干销售的。(山东大学)

还好吧.收入也不错.就业率也不错.(南开大学)

如果在大学里面专业知识学的比较扎实的话找个不错的工作还是比较容易的,而且待遇大概在25003000左右,如果其他的能力不错的话,还可以找一些和我们专业相关的工作,工资也在20003000左右.毕业时班里就有一个没有拿到毕业证的没有找到工作,其他的都还可以(合肥工大)

微电子现在比较火,就业应该比较容易,待遇也很不错,但是本科出去的话可能会做一些画版图,做封装,测试,工艺之类的,搞设计的比较少,只有极个别学得很好的.我现在在读研究生,出去一般是电路或者器件设计.微电子我们学校待遇一般为本科3000+硕士6000+(电子科大)

B微电子学学些什么?适合什么样的人学?有没有什么特殊要求?

微电子学其实是很大的学科,它里面包括主要两大类:设计电路和制造工艺。设计主要分为

模拟电路和数字电路,前者需要较强的知识根基,而后者相对要求低些,尤其是从事超大规模集成电路设计工作,说白了就是应用所学专业知识以写程序的形式表现出来,用各种软件实现设计!当然现在很多要设计的东西几乎都要用软件的。当然,这不是简单的程序员!要在这行做出成绩来,最好能将来读研或出国。因为本科生所学应付深些的专业的知识就不够了。而且将来研究生越来越多,使本科生压力更大。由于专业的特殊性,我感觉要学这专业最好对理科比较感兴趣,至少是不讨厌理科,比如物理之类,微电子课程是比较多、任务较重的,而且知识更新比较快,不过我感觉这不是太难的,只要自己肯下功夫我想难度因人而异。你既然能上网不如多看一些相关信息,若有相关专业的同学问问最好,我这仅供参考。高考能考好学校当然好,不行最好弄个好专业(就业好)。微电子就业待遇至少在南方尤其东南沿海还是不错的,当然也是工作压力比重的行业。(合肥工大)

没有什么特别的要求,感兴趣就学!主要是学一些半导体,集成电路,电路设计方面的!不过这个专业学起来很累,工科类的课程比较多,也烦。跟经济类的没法比。学经济类的也不错。(山东大学)

没什么特殊要求,只要身体健康,不要看到理科就要睡觉,物理还行,特别是对电路感兴趣最好了;但如果是只打算读到本科毕业这期间不是特别优秀的话,可能就要做工艺方向了,如果想做设计必须读到硕士以上!这方面在将来人才的缺口很大(南邮)

C微电子学专业在你们学校怎么样?这个专业前景如何?

我们学校得这个专业不是很好,但是个人觉得这么专业前景不,学的好不愁找不到好工作的(合肥工大)

就业率很高,只要你学的好,将会有非常光明的前景(南邮)

我就是微电子专业毕业的,山大还是文科见长,真想学这个专业还是去北京邮电,是全国第一,出来很好找工作的,(山东大学)

D微电子学专业好不好?你对要学这个地专业的学弟学妹有什么建议?

目前就业还可以吧,(合肥工大)

这个专业是个很有发展前景的专业 但是并非谁都能学 与智商无关 关键看兴趣 它是一门理论性比较强的学科 说白了很枯燥 总体上来说 不太适合女生学 当然 那种天生就特有研究欲望与天赋的女孩除外 它主修集成电路 芯片这部分 不得不说 男孩子在这方面是比女孩子有天赋的 还有 在以后就业方面 女孩子相对比较困难 而且工作环境一般 要从最基本的做起 很累 男孩子也一样 我大学的同学现在在做本专业的不多 还有这个专业比较好的一条出路还得算是一直学下去 至少读到博士以上 留研究所也好 在高校任教也好(合肥工大)

E微电子学专业本科毕业了适合考研还是找工作?

读研比较好些,但要考名校,出国读研(money要充足)也是要考名校,现在是海归成群,所以考名校对以后找工作是好的选择至于家庭情况,(合肥工大)

如果想搞设计那就读研,如想搞工艺、封装、测试的话,本科就 够了(电子科大)

出国读研(电子科大)

F微电子学专业的在校生大学应该怎么过?

大一其实主要上基础课,例如高数,英语,电路,数模电等等,并动手接触一些基础实验,到大二大三渐渐开始学习专业课,并在学习过程中知道自己日后发展的方向,是想走集成电路方向还是工艺方向,而集成电路方向又可以细分为模拟和数字两部分。(南开大学)

微电子是很好得专业,在这个方向打有可为。微电子是知识、技术、资金很密集的行业,想要作出些成绩就必须下一番苦功夫。首先基础一定要大好,大学里一定少逃课,要逃也不能逃和专业有关的课。坚持每天自习,要知道他们身上是有使命的。微电子产业属于国家战略,象863计划等等不一而足。半导体(广义的微电子)在推进人类文明方面的贡献太大了,说现在是硅时代一点都不为过。要是没有半导体产业没有微电子,现在所有的数码产品和几乎所有的电子设备都无从谈起。硅是可以战胜钢铁的!还有就是微电子的工作好找些,待遇也算不错。具体一些课程嘛,公共基础课象数学,物理,英语根基要打好,基础好了才能把房子盖好了。专业基础课(不同学校不同方向会有些不一样)模电、数电、电路理论、半导体物理要理解得很深刻很透彻,尽量多找些资料来看,不要局限于课本。这些课程直接决定你在这个行业的潜力有多大。如果觉得很吃力,自己实在学不来,就建议你转行(明白这些课程的重要性了吗?)专业核心课如:器件原理(其实半导体物理也应该属于核心课),集成电路工艺、Verilog(VHDL)等EDA工具就不用多说了。举个例,EDA工具中有个叫Candence的,只要学好了找个很好的工作简直是轻而易举的事情。要在哪一行做得好都不是件容易的事情,所以不要因为自己是微电子专业的学生就沾沾自喜,天下没有白痴的午餐,想必你们也听过做IT的过劳死最严重,年纪轻轻就将生命献给了工作实在可叹。平时也要多锻炼多发展些爱好,千万不能把时间荒废在游戏中。刚进大学会觉得课程太多,要把所有的都学好是很困难的,不比高中。所以一定要有轻重缓急,目标要明确,这就是我在上面说那么多的原因。(四川大学)

我觉得大一是一个适应性的阶段,应该多学习多观察。专业课的东西还不是很多,更多的是一些学校开的基本的课程,比如高数,英语之类的。应该学好对以后的学习很关键。试着去接触一些实践性的东西,对巩固所学知识很有用。无论是对以后找工作,还是考研都有用。(山东大学)

G微电子学专业毕业去哪些单位比较好?

intel,AMD,VIA,freescale,IBM 可能比较难进 国内也有许多微电子公司 微电子也分制造,设计 也可以做销售,市场吧 国内微电子产业还是比较落后的,但是最近几年还是有比较好的发展的(南邮)

第三篇:微电子材料公司

西安明科微电子材料有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 安康· 纺织、皮革 ·生产商]

产品与服务:铝碳化硅微电子封装材料 铝碳化硅封装基板 铝碳化硅封装热沉 铝碳化硅微电子

封装外壳 进出口贸易代理

西安明科微电子材料公司是中国生产和销售铝碳化硅微电子封装材料的主要企业,拥有自主知识产权和独特技术,主要产品包括铝碳化硅微电子封装材料及其加工成型的各种产品,可以广泛用于功率器件、光电子器件及其它...地址:陕西 西安市 高新五路创拓大厦222室

上海夏恒微电子科技有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 上海· 纺织、皮革 ·生产商]

产品与服务:半导体 硅片清洗机 硅片蚀刻 液晶生产设备 防静电设备

上 海 夏 恒 微 电 子 有 限 公 司(ssmt为一著名的专业(3英寸-12英寸)半导体集成电路/光电太阳能和液晶(tn / stn / fstn / c-stn / tft / pdp等)生产设备与材料供货商,自成立以来不断致力于产

地址:上海 上海

厦门联创微电子股份有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 厦门· 配套材料 ·生产商]

产品与服务:配套材料 小家电专用集成电路 ASIC IC 微处理器

厦门联创微电子股份有限公司是厦门微电子集成技术研究中心(xmit)与厦华、夏新等电子龙头企业于1999年12月联合创建的高新科技研发型企业。她座落在与台湾一水之隔的厦门的“夏威夷胜地”??环岛路──厦门软件园区,...地址:福建 厦门

天津晶岭电子材料有限公司

品牌实名:CMP抛光液

[ 全国· 精细化学品、日用化工 ·生产商]

产品与服务:技术的支持等 使客户满意 硅片抛光液 磨片清洗剂 LCD清洗剂

天津晶岭电子材料科技有限公司是中外合资企业。是一家专业生产CMP抛光液、清洗液等微电子、光电子相关耗材的高科技企业,公司有一流的技术研发队伍,产品获国家多项专利和发明奖,并被列入国家重点推广计划,国家级...地址:天津 天津市 天津开发区微电子工业区 中晓园2-B

昆明理工恒达科技有限公司营销部

品牌实名:暂未申请

[ 全国· 冶金矿产 ·生产商]

产品与服务:银包铜粉 超低松比片状银粉 片状镍粉 片状锡粉 片状铟粉

昆明理工恒达科技有限公司成立于2000年8月,位于昆明高新技术产业开发区北区内,占地

20多亩,建筑面积10000多平方米。是昆明理工大学首批进入昆明国家级高新技术开发区的高新技术企业,注册资金3000万元人民币;法...地址:云南 昆明市 中国云南省昆明市高新开发区海源北路

湘微电子材料有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 全国· 建筑、建材 ·生产商]

产品与服务:有机硅胶 有机氟类产品 电子灌封 电子粘合 电子涂敷

湘徽电子材料有限公司企业简介 灌封材料可提供有机硅类白色,黑色,透明,红色等个种颜色的品种。固化温度从25℃~150℃,有单组分和双组分,体积电阻从1.0~1×1016欧姆/厘米,可调配阻燃UL94HB~VO级,耐温-40℃~2...地址:江苏 苏州市 苏州市三园四村25栋

三和微电子材料开发有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 苏州· 化工 ·生产商]

产品与服务:主要生产超大规模集成电路所用的超净高纯电子化学品 适用于0 5~1 2μm的IC电路 主要产品为“VLSI”级硫酸

苏州市三和微电子材料开发有限公司即原苏州市三和化学品有限公司,公司位于苏州市虎丘经济开发区,占地15000平方米,其中绿化面积占43%以上,是一座花园式的厂房.公司拥有百级净化房以及尖端的检测仪器,如美国太...地址:江苏省.苏州市苏州市新莲东路

山东万达微电子材料有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 东营· 照明 ·生产商]

产品与服务:聚酰胺薄膜

我们是一家专业生产双向拉伸聚酰亚胺膜(PI膜)的厂家,拥有世界先进的生产设备,年生产能力200吨。|主要生产的规格有:0.0125mm,0.025mm,0.05m,0.075mm|0.08mm等几种规格的品种。

地址:山东省东营市东营区开发区一类工业园

华越微电子有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 绍兴· 电子元器件 ·生产商]

产品与服务:电视机IC 音响IC 电话机IC 照相机IC 碟机IC

本公司隶属于中国电子信息产业集团公司(CEC),是国内七大重点集成电路制造商之一。公司筹建于1980年,现拥有IC设计公司(控股)、4英寸、5英寸集成电路芯片制造工厂、后道封装公司(控股)、测试工厂以及完整的...地址:浙江省绍兴市越城区环城西路天光桥3号

珠海市拱北亚太微电子材料经营部

品牌实名:暂未申请

[ 珠海· 精细化学品、日用化工 ·生产商]

产品与服务:焊锡膏 电位器

亚太微电子材料(珠海)有限公司DJ.chemical & co 作为一家总部设在纽约的专业的电子化学公司,在研发、生产 SMT 焊锡膏的技术一直走在业界前沿,而亚太微电子早在 80 年代初期与 DJ.chemical & co 在地址:广东 珠海市 昌平路

江阴市江化微电子材料有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 江苏· 化工 ·生产商]

产品与服务:防锈剂等化学品生产

江阴市江化微电子材料有限公司,是一家生产适用于半导体分立器件、中小规模集成电路、大规模集成电路以及LCD、LED等工艺制造过程中的专用微电子化学品??紫外负性光刻胶及其紫外正、负性光刻胶配套试剂、超净高纯试...地址:江苏 江阴

上海大智微电子包装材料有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 上海· 交通运输 ·生产商]

产品与服务:包装管 各类异形挤出 载带托盘

创立:2003年5月,采用台湾设备,计划规模为各类流水线100余条,总投资5000万元.|本产品遵循EIA-481规则设计,根据用户要求制成导电型,防静电型,非防静电型PS,PC,尺寸精确,机械及电性能优越.地址:上海市市辖区青浦区青浦工业园区外青松公路5098号

深圳安普微电子有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 深圳· 照明 ·生产商]

产品与服务:二极管 三极管 电晶体 MOSFET 記憶體

AMPRO?有?以百??的?俏?子原件?存,??各?主??子原件(二,三?管,?晶?,MOSFET,???,晶片?,各路)和被??子原件(?容,?阻,?感)。AMPRO在2005?始?日本MATSUKI ELECTRIC合作,?

地址:广东 深圳市 南山区海德三道海岸城大厦东座110

2上海赛微电子科技有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 全国· 纺织、皮革 ·生产商]

产品与服务:电子产品 PLC 机械 计算机软硬件 建筑装潢材料

上海赛微电子科技有限公司是一家高新技术开发有限公司。从事电子领域内的技术开发、技

术服务、技术咨询,机电设备(除特种装备)研发、生产,计算机软硬件开发、销售,电子产

品,建筑装潢材料销售,建筑工程,室...地址:上海 上海市 上海市水产西路859弄36#401室

苏州三和微电子材料开发有限公司业务部

品牌实名:暂未申请

[ 苏州· 精细化学品、日用化工 ·生产商]

产品与服务:无水乙醇 95%乙醇 异丙醇 甲苯 丙酮

公 司 简 介 苏州市三和微电子材料开发有限公司即原苏州市三和化学品有限公司,公司位于苏州市虎丘经济开发区,占地15000平方米,其中绿化面积占43%以上,是一座花园式的厂房。公司以科技为本,立足于电子工业的...地址:江苏 苏州市平江区虎丘经济技术开发区新莲路100号

上海复旦微电子股份有限公司营销中心

品牌实名:暂未申请

[ 全国· 仪器仪表 ·生产商]

产品与服务:主营行业 ic卡 电子器件 应用系统 ic卡

上海复旦微电子股份有限公司是一家专门从事集成电路芯片设计和销售的大型高新技术企业,主要设计和销售智能卡芯片产品和相关的ic卡/智能卡读写机具/智能卡应用系统/射频读写器芯片/社频读写模块.同时供应配套的卡基...地址:

武汉市天元电子有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 武汉· 纺织、皮革 ·生产商]

产品与服务:PTC热敏电阻 PTC专用电极浆料 微电子封装材料

武汉天元电子有限公司是由深圳天元实业发展有限公司与原武汉市电子工业局于1993年在汉共同投资兴办的专业生产PTC热敏电阻(PTC热敏陶瓷材料)系列产品的高科技制造企业。公司已通过ISO9001/2000认证,产品为国内...地址:湖北 武汉市 汉阳区十里铺十里新村151号

昌博电子有限公司

品牌实名:暂未申请

[ 广州· 精细化学品、日用化工 ·生产商]

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东莞市硕研洁净技术有限公司是提供材料检测分析,ESD控制,洁净室性能评价、维护和监控,微污染物及来源分析与控制,实验室分析技术咨询服务,尖端工业清洗技术及相关技术咨询服务的专业公司。公司拥有一支高层次的技...地址:广东 东莞市 广东省东莞市南城区胜和簪花路8号华凯活力中心1010B室

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第四篇:微电子心得体会

在这次为期,四天的微电子工艺实训中。第一天,里给我印象最深的是,实验室里,关于微电工艺的介绍。那句“从沙子,变成硅片”,突然觉得,我们微电子学,变的更神奇了。虽然以前就知道这句话,可是在实验室看到这句话,感觉很特别。

刚开始,指导实验的王老师。并没有急着,带我们看实验室里的设备。而是,细心的先讲解,关于的实验的步骤和计划,及其原理。还给我们,看了先前,其它邮电大学,学生的实验作品。让我们明确了,接下来的时间里需要做什么。后来老师,带我们参观了,”版图分析室“,”金属化室“’,“扩散室”,“硅片参数测试室”,“光刻室”,“氧化扩散室”。参观后,明白到。很多时候,高度决定,理论和实际结合是不是,像光刻那样精准。

下午的时候,开始。我们开始了,第一步实验。硅片的清洗。看着那些实验步骤,明白到实验没有捷径。只有一步一步的完成每一步,因为只有这样才能,为后面的实验提供,成功的保障。

偶尔,老师也会,提一些。关于实验里的问题,但是很忏

愧的是,有些问题我们完全。遗失在时光里,当时心里满满的都是羞愧。让别人,怎么看待我们。我们实在答不上来的,老师会给我们讲解。老师讲解过后,感觉还就是那样的一回事。

就这样,在实验中。在火热的空气中,三天的实训,结束了。心里却,有点不舍。实训的产物,我们并没有完全的做完。心里,总有些遗憾。想起,清洗的过程;想起,烘干的温度;想起,涂胶的晶莹;想起,光刻的精准;想起,炉子里硅片的唯美。

在这次的实训里,学习到。实验是我们,将理论的知识进一步,吸收和提升的时候。因为在,实验用得到知识,升华的了知识。还能进行操作,学习新的知识。这样的实训真的很好,让我们明白的到,自己是什么位置。需要怎样去努力。有同学说:“不是差距很大,而是自己不努力”。

第五篇:微电子实习报告

课程名称

认识实习

课程编号

A200001A

实习地点

光电学院1101微电子工艺实验室

实习时间

2020年11月14日

校外指导教师

校内指导教师

王智鹏、周围

评阅人签字

王智鹏

成绩

实习内容

微电子工艺认识实习

一、实习目的和意义

学习光刻机原理,硅片的制作和加工,简单MOS器件的制备

二、实习单位和岗位

重庆邮电大学

三、实习内容和过程

实验内容:在2020年11月14日的下午我们班聚集在实验室门口等待,在老师的带领下我们进入实验室并且按规矩穿好实验服。在将近半小时的参观下我们了解到半导体的制作原理。半导体制作原理:

图1.1半导体构造组成制造流程

半导体工业所使用之材料包含单一组成的半导体元素,如硅(Si)、锗(Ge)(属化学周期表上第四族元素)及多成分组成的半导体含二至三种元素,如镓砷(GaAs)半导体是由第三族的镓与第五族的砷所组成。在1950年代早期,锗为主要半导体材料,但锗制品在不甚高温情况下,有高漏失电流现象。因此,1960年代起硅晶制品取代锗成为半导体制造主要材料。半导体产业结构可区分为材料加工制造、晶圆之集成电路制造(wafer fabrication)(中游)及晶圆切割、构装(wafer package)等三大类完整制造流程,如图1.2所示。其中材料加工制造,是指从硅晶石原料提炼硅多晶体(polycrystalline silicon)直到晶圆(wafer)产出,此为半导体之上游工业。此类硅芯片再经过研磨加工及多次磊晶炉(Epitaxial reactor)则可制成研磨晶圆成长成为磊晶晶圆,其用途更为特殊,且附加价值极高。其次晶圆之体积电路制造,则由上述各种规格晶圆,经由电路设计、光罩设计、蚀刻、扩散等制程,生产各种用途之晶圆,此为中游工业。而晶圆切割、构装业系将制造完成的晶圆,切割成片状的晶粒(dice),再经焊接、电镀、包装及测试后即为半导体成品。

图1.2 半导体产业结构上、中、下游完整制造流程

制程单元

集成电路的制造过程主要以晶圆为基本材料,经过表面氧化膜的形成和感光剂的涂布后,结合光罩进行曝光、显像,使晶圆上形成各类型的电路,再经蚀刻、光阻液的去除及不纯物的添加后,进行金属蒸发,使各元件的线路及电极得以形成,最后进行晶圆探针检测;然后切割成芯片,再经粘着、连线及包装等组配工程而成电子产品。各主要制程单元概述如下:

氧化与模附着

原料晶圆在投入制程前,本身表面涂有2μm厚的AI2O3,与甘油混合溶液保护之,晶圆的表面及角落的污损区域则藉化学蚀刻去除。

为制成不同的元件及集成电路,在芯片长上不同的薄层,这些薄层可分为四类:热氧化物,介质层,硅晶聚合物及金属层。热氧化物中重要的薄层有闸极氧化层(gate oxide;与场氧化层(field oxide),此二层均由热氧化程序制造。以下二化学反应式描述硅在氧或水蒸气中的热氧化:

Si(固体)+ O2(气体)→SiO2(固体)

Si(固体)+ 2H2O(气体)→SiO2(固体)+ 2H2(气体)

现代集成电路程序中,以氯介入氧化剂来改善氧化层的质量及Si-SiO2,接合面的性质。氯包含在氯气、氯化氢HCl或二氯乙烷中,其将Si-SiO2,接合面的杂质反应成挥发性氯化物,多余的氯会增加介质的崩溃强度,减低接合面缺陷密度。介电质附着层主要用来隔离及保护不同种类元件及集成电路。三种常用的附着方法是:大气压下化学蒸气附着(CVD),低压化学蒸气附着(LPCVD)及电浆化学蒸气附着(PCVD,或电浆附着)。化学蒸气附着生成约二氧化硅并不取代热生长的氧化层,因为后者具有较佳的电子性质。二氧化硅层可使用不同的附着方法,其中低温附着(300~500℃)之氧化层由硅烷、杂质及氧气形成。植入磷之二氧化硅的化学反应为

SiH4+O2→SiO2+2H2

4PH3+5O2→2P2O5+6H2

于中等温度(500~800℃)的附着,二氧化硅由四乙经基硅,Si(OC2H5)4,在LPCVD反应器中分解形成。其分解反应为:

Si(OC2H5)4→SiO2+副产物

高温附着(900℃),二氧化硅由二氯硅烷(SiCl2H2)与笑气(N2O)在低压下形成:

SiCl2H2+2N2O→SiO+2N2+2HCI

氮化硅层可用作保护元件,方可作为硅氧化作用时的遮蔽层,覆盖不欲氧化的硅晶部分,氮化硅的附着是在中等温度(750℃)LPCVD程序或低温(300℃)电浆CVD程序中形成。LPCVD程序中,二氯硅烷与氨在减压下,700~800℃间,反应生成氮化硅附着,反应式为:

SiCl2H2+4NH3 →Si3N4+6HCl+6H2

电浆PCVD程序中,氮化硅由硅烷与氨在氢电桨中反应或是硅烷在放电氮气中生成,反应式如下:

SiH4+NH3→SiNH+3H2

2SiH4+H2→2SiNH十3H2

硅晶聚合物,或称聚合硅,在Metal Oxide Semiconductor(MOS)元件中用作闸极接线材料;多层金属处理中当作导电材料;低能阶接面元件中为接触材料。方可作为扩散来源,生成低能阶接面及硅晶体的欧姆接触。其他用途包括电容及高电阻的制作。低压反应器在600~650℃间操作,将硅烷热解生成硅聚合体,反应式如下:

SiH4→Si+2H2

金属层如铝及硅化物用来形成低电阻连接N+、P+及硅聚合物层的金属接触,及整流作用的金属一半导体能障。金属处理包含内部联线、欧姆接触及整流金属二半导体接触等金属层的形成。金属层可用不同方法镀上,最重要的方法为物理蒸气附着及化学蒸气附着,铝与其合金以及硅化金属为两种最重要的金属。在金属处理中,化学蒸气附着(CVD)提供相当优良的同型阶梯涵盖层,且一次可制成大量晶圆。最新的集成电路cVD金属附着是应用于难熔金属的附着。以钨为例其热解及还原的化学反应式:

WF6→W+3F2

WF6+3H2→W+6HF

其他金属如钼(MO),钽(Ta),及钛(Ti)都可应用于集成电路。这些金属的附着皆是在LPCVD反应器中进行下列氢还原反应:

2MCl5+5H2→2M+10HCl

M代表金属Mo,Ta,Ti。铝附着亦可使用有机金属,如三异丁烷铝:

2{(CH3)2CHCH2}3Al→2Al+3H2+副产物

集成电路金属处理量最大的是铝及其合金,因为两者具备低电阻系数(Al为2.7μΩ-cm,合金为3.5μΩ-cm),符合低电阻的要求。硅化物如TiSi2及TaSi2,其低电阻系数(≦50μΩ-cm),且在整个集成电路程序中不失原有性质,表列出不同硅化物的电阻系数。

扩散与离子植入

扩散及离子植入是用来控制半导体中杂质量的关键程序。扩散方法是使用植入杂质或杂质的氧化物作气相附着,将杂质原子植入半导体晶圆的表面附近区域。杂质浓度由表面成单调递减,杂质的分布固形取决于温度及扩散时间。离子植入程序中,杂质是以高能呈离子束植入半导体中。植入杂质的浓度在半导体内存在一高峰,杂质的分布图形取决于离子的质量与植入能量。离子植入程序的优点在于杂质量的精确控制,杂质分布的再重整,以及低温下操作。扩散与离子植入之比较如图1.3所示。

杂质的扩散基本上是将半导体晶圆置于熔炉中,然后以带杂质原子的惰性气体通过。于硅扩散作用中,最常使用的杂质为硼、砷及磷,这三种元素在硅中的溶解度相当高。杂质的来源包含数种,有固体来源(BN,AS2O3及P2O3),液体来源(BBr3、AsCl3及POCl3),气体来源(B2H6、AsH3、及PH3)。通常,以上物质由惰性气体(如N,)输送至半导体表面而发生还原反应。固体来源的化学反应式如下反应时会往硅表面形成氧化层。

2As2O3+3Si→4As+3SiO2

离子植入是将高能量之带电粒子射入硅基晶中。半导体中离子植入的实际应用改变了基晶层的电子性质。植入杂质浓度在1011~1016离子/cm2。杂质浓度的表示法是半导体单位表面积1cm2所植入的离子数目。

采用真空蒸发镀膜、溅射或化学汽相淀积(CVD)等方法淀积薄膜。在真空蒸发淀积时,固体蒸发源材料被放在10-5Torr的真空中有电阻丝加热至蒸发台,蒸发分子撞击到较冷的硅片,在硅片表面冷凝形成约lum厚的固态薄膜。更为先进的电子束蒸发利用高压加速并聚焦的电子束加热蒸发源使之淀积在硅片表面。蒸发源一般为含硅量为1.2~ 2wt%的铝硅合金。在溅射工艺中,被溅射材料称为耙材,作为阴极,硅片作为阳极接地。腔室抽真空后充以惰性气体,电子在电场加速下与惰性气体碰撞产生惰性气体离子和更多电子,惰性气体离子打到耙材上时,溅射出耙原子则淀积在阳极衬底上形成薄膜。通常有直流(DC)、射频(RF)或磁控管溅射系统。溅射一般在25-75*10-3Torr的气压下进行。化学汽相淀积(CVD)是利用在硅片附近发生气相的化学反应或高温分解而在硅片上淀积一层薄膜的过程。一般CVD工艺多用于介质膜如多晶硅、氧化硅膜或氮化硅膜等的制备,金属膜也可采用CVD法制备。对于硅平面晶体管,经过基区和发射区扩散后,就构成了晶体管的管芯。但是,要成为完整可实际操作的晶体管,还必须在管芯的基区和发射区上制备欧姆接触电极。器件生产中常用真空镀膜方法来制备管芯的欧姆接触电极。

四、实习总结与体会

总结:通过将近一个小时的学习让我们了解到了光刻机的工作原理,或许我们以前只知道光刻机是什么,但经过这一个小时的学习我们才知道光刻机究竟是何物。光刻机研发技术虽然繁琐,昂贵但它的意义在21世纪确实无比巨大的,也让我了解到集成电路技术在21世纪的重要性。

五、致谢

感谢学校和老师让我们有了这次的参观机会,让我们了解到我国目前的光刻机,半导体技术的难题,也让我们思想得到了升华,虽然实习时间很短,但是不仅对我未来的学习有很大帮助,更重要的我感觉自己的思想高度发生了一些变化,明白了和谐的人际氛围的重要性,知道了自学的难度以及必要性,在出现问题关于如何面对困难,如何解决困难我都有了一定的个人看法,学习并非单纯的学习,学以致用更加的重要。在实习期间的学习和总结下来的经验,我相信一定会为我的未来有大帮助,再次感谢学校给的这次机会以及老师的细心讲解。

参考文献:

百度百科

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