电磁场与微波技术实验心得(优秀范文五篇)

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第一篇:电磁场与微波技术实验心得

电磁场与微波技术实验报告

我们班连续观摩了三个《电磁场与微波技术》课程的实验,通过观看视频,老师讲解和演示,以及自己的一些操作,使我们加深了对这三个实验的一些了解。

实验

一、电磁波极化

在这个实验我们主要了解电磁波极化、天线极化的概念;了解电磁波的分解与合成原理;了解圆极化波产生的基本原理。这个实验主要用到的仪器是微波分光仪,里面包含支座、分度转台、喇叭天线、可变衰减器、晶体检波器、视频电缆及微安表、读书机构、栅网组件、三厘米信号源、分光介质板。

实验内容:

首先连接好实验仪器,三厘米固态信号源工作在等幅状态,按下电压按键使三位半数字表显示电压的示数,信号源的输出端通过同轴线连接到微波分光仪,此时的电信号通过同轴转波导经过隔离器、可变衰减器到达辐射天线的辐射喇叭(Pr0),辐射喇叭辐射出的波经过栅网组件的反射和吸收到达接收喇叭(Pr3),经由晶体检波器,通过同轴线与微安表相连。垂直栅网(Pr1)与辐射喇叭在同一条水平线上,通过长铝质支柱固定在基座上;水平栅网(Pr2)正对着辐射喇叭,并与垂直栅网成直角,通过读数机构和短铝质支柱固定在基座上。接收喇叭与辐射喇叭成45º角。然后开始实验,打开信号源开关,这时转动接收喇叭Pr3,当Pr3喇叭E面与垂直栅网平行时收到E⊥波,经几次调整辐射喇叭Pr0的转角使Pr3接收到的|E∥|=|E⊥|,实现圆极化的幅度相等要求。然后接收喇叭Pr3在E∥和E⊥之间转动,将出现任意转角下的|Eα|≤|E∥|(或E⊥)。这时改变Pr2水平栅网位置,使Pr3接收的波具有|Eα|=|E∥|=|E⊥|,从而实现了E∥和E⊥两个波的相位差为±90º,得到圆极化波。

实验心得:

通过老师的细心讲解以及在老师的指导下,我们进行了一些简单的操作,熟悉了实验仪器的名称,以及一些仪器的作用以及工作原理,如三厘米信号源, 它是一种使用体效应管作振荡源的微波信号源,能输出等幅信号及方波调制信号。它有许多优点:可以长期工作、耗能少、体积紧凑、功率输出较大、价格低廉。这个实验给我的总体感受是比较复杂,难理解,需要充分理解实验原理和对实验现象进行联想。

实验

二、驻波比的测量

通过这个实验我们了解测量驻波比的原理和常用方法。主要仪器有微波信号源、隔离器、波长表、可变衰减器、波导测量、被测件(电容膜片、电感膜片)、匹配负载、选频放大器。实验内容:

1、打开微波信号源使其工作在方波状态,调节频率旋钮使其工作频率在8.60-9.60GHz,并根据频率的大小调节波长表的刻度。打开选频放大器,选择输入电压为x1档,频率为1K,量程为x0.1。

2、调节可变衰减器和波导测量线,使选频放大器有示数。

3、旋转波导测量线旋钮,观察选频放大器测出位于相邻波腹和波节点的错误!未找到引用源。和错误!未找到引用源。并记录下来。当检波晶体工作在平方律检波情况时,驻波比S为错误!未找到引用源。,通过多次测量取平均即可得出结果。

实验心得:

通过这个实验我知道了驻波产生的原因是由于负载阻抗与波导特性阻抗不匹配。这个实验用到的仪器很多,而且大多都要反复调节,容易遗漏步骤,造成错误结果或者较大误差。这也再次提醒我,一个实验结果的正确性除了要有精密的仪器和没有干扰的环境外,人的主观因素也很重要,所以我们每次做实验都要保持清醒的头脑和认真的态度。

实验

三、波导波长的测量

通过这个实验我们了解求波导波长的测量方法。主要仪器有微波信号源、隔离器、波长表、可变衰减器、波导测量、可变电抗器、选频放大器。

实验内容:

1、打开微波信号源使其工作在方波状态,调节频率旋钮使其工作频率在8.60-9.60GHz,并根据频率的大小调节波长表的刻度。打开选频放大器,选择输入电压为x1档,频率为1K,量程为x0.1。

2、调节可变衰减器和波导测量线,使选频放大器有示数。

3、为了提高实验精度,采用等指示度法多次测出最小点错误!未找到引用源。对应的错误!未找到引用源。,即可测出错误!未找到引用源。(错误!未找到引用源。略大于错误!未找到引用源。),相对应的两个位置错误!未找到引用源。、错误!未找到引用源。,则 错误!未找到引用源。,错误!未找到引用源。

4、多次测量计算结果并求其平均,即可求得精度较高的波长。

实验心得:

这个实验的仪器和实验步骤跟实验二差不多,测量的数据有所不同,因为可变电抗的反射系数接近1,在测量线中入射波与反射波的叠加为接近纯驻波的图形,所以我们最重要是要测出相邻波节点的位置错误!未找到引用源。、错误!未找到引用源。,由错误!未找到引用源。,即可求得波导波长。为了提高精度,需要多次测量以减少误差,所以做起来会比较繁琐,这很考验人的细心程度。总结起来就是做实验前要做好准备工作,充分理解实验原理,正确连接好实验仪器,实验时严格按照实验步骤做,有需要记录数据的要准确读数,必要时多次测量以减少误差。

第二篇:电磁场与微波技术名词解释

电磁场与微波技术名词解释

1.电场:任何电荷在其所处的空间中激发出对置于其中别的电荷有作用力的物质。

2.磁场:任一电流元在其周围空间激发出对另一电流元(或磁铁)具有力作用的物质。

3.标量场:物理量是标量的场成为标量场。

4.矢量场:物理量是矢量的场成为矢量场。

5.静态场:场中各点对应的物理量不随时间变化的场。

6.有源场:若矢量线为有起点,有终点的曲线,则矢量场称为有源场。

7.通量源:发出矢量线的点和吸收矢量线的点分别称为正源和负源,统称为通量源。

8.有旋场:若矢量线是无头无尾的闭曲线并形成旋涡,则矢量场称为有旋场。

9.方向导数:是函数u(M)在点

M0

处沿

l

方向对距离的变化率。

10.梯度:在标量场

u(M)

中的一点

M

处,其方向为函数

u(M)在M

点处变化率最大的方向,其模又恰好等于此最大变化率的矢量

G,称为标量场

u(M)

在点

M

处的梯度,记作

grad

u(M)。

11.通量:矢量A沿某一有向曲面S的面积分为A通过S的通量。

12.环量:矢量场

A

沿有向闭曲线

L的线积分称为矢量

A

沿有向闭曲线

L的环量。

13.亥姆霍兹定理:对于边界面为S的有限区域V内任何一个单值、导数连续有界的矢量场,若给定其散度和旋度,则该矢量场就被确定,最多只相差一个常矢量;若同时还给出该矢量场的边值条件,则这个矢量场就被唯一确定。(前半部分又称唯一性定理)

14.电荷体密度:,即某点处单位体积中的电量。

15.传导电流:带电粒子在中性煤质中定向运动形成的电流。

16.运流电流:带电煤质本身定向运动形成形成的电流。

17.位移电流:变化的电位移矢量产生的等效电流。

18.电流密度矢量(体(面)电流密度):垂直于电流方向的单位面积(长度)上的电流。

19.静电场:电量不随时间变化的,静止不动的电荷在周围空间产生的电场。

20.电偶极子:有两个相距很近的等值异号点电荷组成的系统。

21.磁偶极子:线度很小任意形状的电流环。

22.感应电荷:若对导体施加静电场,导体中的自由带电粒子将向反电场方向移动并积累在导体表面形成某种电荷分布,称为感应电荷。

23.导体的静电平衡状态:把静电场中导体内部电场强度为零,所有带电粒子停止定向运动的状态称为导体的静电平衡状态。

24.电壁:与电力线垂直相交的面称为电壁。

25.磁壁:与磁力线垂直相交的面称为磁壁。

26.介质:(或称电介质)一般指不导电的媒质。

27.介质的极化:当把介质放入静电场中后,电介质分子中的正负电荷会有微小移动,并沿电场方向重新排列,但不能离开分子的范围,其作用中心不再重合,形成一个个小的电偶极子。这种现象称为介质的极化。

28.媒质的磁化:外加磁场使煤质分子形成与磁场方向相反的感应磁矩

或使煤质的固有分子磁矩都顺着磁场方向定向排列的现象。

29.极性介质:若介质分子内正负电荷分布不均匀,正负电荷的重心不重合的介质。

30.极化强度:定量地描述介质的极化程度的物理量。

31.介质的击穿:若外加电场太大,可能使介质分子中的电子脱离分子的束缚而成为自由电子,介质变成导电材料,这种现象称为介质的击穿。

32.击穿强度:介质能保持不被击穿的最大外加电场强度。

33.束缚电荷(极化电荷):被束缚在分子之内不能自由移动的电荷。

34.束缚电流(磁化电流):由束缚在分子内部的电荷移动形成的电流。

35.恒定电流场:电流密度

J

仅是空间位置的函数,而不随时间变化,则其形成的电流场称为恒定电流场。

36.恒定电场:由恒定的电荷分布产生的电场是恒定的,由于它由运动电荷而非静止电荷产生,因此被称为恒定电场。

37.局外电场:将局外力与电荷的比值类比为一种电场,称为局外电场。

38.恒定磁场:由恒定电流产生的磁场不随时间变化的磁场为恒定磁场。

39.电(磁)场能量:等于该电(磁)场建立过程中外力(电源)所做的总功。

40.镜像电荷:镜像法中假象的等效电荷称为镜像电荷。

41.感应电场:由磁场变化激励或者说感应出来的电场被称为感应电场,42.时变电磁场的唯一性定理:设含有均匀、线性、各向同性媒质的区域

V的边界面为

S,只要给定t=0时刻区域

V

中各点电场矢量和磁场矢量的初始值,并同时给定t>=0时边界面

S

上电场矢量的切向分量,或者磁场矢量的切向分量,或者一部分边界面上的电场矢量切向分量和其余边界面上的磁场矢量切向分量,则域

V

中的时变电磁场有唯一解。

43.电磁场:时变电场会在周围空间中激发出时变磁场,时变磁场会在周围空间中激发出时变电场,电场、磁场不再是孤立的,而是同时出现在同一时间的统一整体,成为电磁场。

44.电磁波:电场磁场互相激励,往复不止,是的电磁场以波动的形式在周围空间传播,所以电磁场也称为电磁波。

45.电磁辐射:电场和磁场的交互变化产生的电磁波,电磁波向空中发射或泄露的现象,叫电磁辐射。

46.时谐电磁场:随时间做简谐变化的电磁场。

47.坡印廷矢量(能流密度矢量):单位时间内穿过与能量流动方向垂直的单位截面的能量。

48.坡印廷定理:

单位时间内流入

V的电磁能量一部分被损耗掉,另一部分就是

V

中增加的电磁能量。坡印廷定理体现了电磁场中的能量守恒关系。

49.天线:专门用来辐射电磁波的装置。

50.平面波:等相位面位平面的电磁波。

51.均匀平面波:平面波的任何一个等相位面上的场矢量处处相等的波。

52.理想介质:电导率б为零的媒质成为理想介质。

53.理想导体:电导率б无穷大的导体为理想导体。

54.时间相位:相位移以角频率随时间线性变化称为时间相位。

55.空间相位:相位移随空间坐标线性变换称为空间相位。

56.初始相位:θ在Z等于零处,t等于零时的相位为初始相位。

57.传播常数K:也叫相移常数,表示单位距离内相位的变化量。

58.周期:相位Φ相差2π的两个时间间隔为周期。

59.频率:单位时间内的时变周期数为频率。

60.电磁波波长:在任意固定时刻相位Φ相差2π的两个空间点的距离。

61.相速度:光波之等相面的传播速度。

62.波阻抗:定义平面波的波阻抗为Z=E/H。

63.电场的横向分量:垂直于传播方向的电场分量。

64.磁场的横向分量:垂直于传播方向的磁场分量。

65.自由空间:介电常数,磁导率与真空中相同,电导率б为零的空间。

66.极化:将空间任意固定点上场矢量的模值、方向随时间变化的方式成为电场波的极化。

67.线极化:电场的水平分量与垂直分量的相位相同或相差180°时的正弦电磁波。

68.圆极化:电场的水平分量与垂直分量的振幅相等,但相位相差90°或270°时的正弦电磁波。

69.椭圆极化:当电场垂直分量和水平分量的振幅和相位具有任意值时(两分量相等时例外)的电场波。

70.水平极化波:与地面平行放置的线天线的主方向远区场是与地面平行的线极化波。

71.垂直极化波:与地面垂直放置的线天线的主方向远区场是与地面垂直的线极化波。

72.极化损耗:在具有复介电常数的介质中电磁波是变传播边损耗。振幅逐渐减小,损耗的能量用于克服介质分子,原子的热运动,使其电偶极矩的方向随时谐电场的方向变化而变化,这种损耗称为极化损耗。

73.色散:相速度与频率无关,不同频率的电磁波具有不同的相速度,这种现象叫色散。

74.非色散媒质:相速度与频率无关的煤质。

75.色散媒质:使在其中传播的电磁波出现色散的煤质。

76.良介质:媒质主要呈现出介质特性。

77.良导体:媒质主要呈现出导体特性。

78.驻波:理想介质中总场不具有波动传播特性,只随时间在原处作时谐振荡,这种波称为驻波。

79.行波:理想介质中某一物理量的空间分布形态随着时间的推移向一定的方向行进所形成的波。

80.反射定律:反射角等于入射角。

81.折射定律:即斯涅尔定律,82.全透射:垂直与交界面的入射波功率将全部进入理想介质2,这是全透射现象。

83.全反射:垂直与交界面的入射波功率将全部反射回理想介质1,这种现象是全反射。

84.趋肤效应:进入良导体的电磁波及其引起的感应电流只能分布在良导体极薄的表面层中,这种现象称为趋肤效应。

85.横电磁波(TEM):在传播方向上没有电场和磁场分量,称为横电磁波。

86.TE波:在传播方向上有磁场分量但无电场分量,称为横电波。

87.TM波:在传播方向上有电场分量而无磁场分量,称为横磁波。

88.TE,TM模的速度:

89.①相速度:导行波的等相位面沿传输线轴向移动的速度。

90.②群速度:由多个频率成分构成“波群”的速度。

91.③能速度:电磁波能量在传输线中的传播速度。

92.导波波长:传输线中,在波的传播方向上,某模式的两个相位相差2π的等相位面间的距离。

93.微带线:微波集成电路的主要组成部分,在微波集成电路中用来连接各种元件和器件,并用来构成电感,电容,谐振器,滤波器,混合环,定向耦合器等无源元件。

94.传输线:导行电磁波的装置称为传输线.95.分布参数:平行双导线作为传输线,其自身结构本身处处体现出电容、电感、电阻、电导的效应,也就是说这些电路参数是均匀分布在传输线上的,因此称为分布参数。

96.入射波:传输线上从电源流向负载的波叫入射波。

97.反射波:传输线上从负载流向电源的波叫反射波。

98.传输线的特性阻抗:

具有阻抗的量纲,称为。。

99.电压驻波比:传输线上电压的最大振幅值与最小振幅值之比。

100.电压反射系数:传输线上任意一点处的反射波电压与入射波电压之比。

101.电长度:定义传输线上两点的间距与波长之比为这两点间的电长度。

102.驻波系数:描述传输线上驻波的大小,是传输线上电压最大振幅值与电压最小振幅值之比,103.短路线:终端被理想导体所短路的传输线称为短路线

104.负载阻抗匹配:指传输线与负载之间的匹配,是为了使传输线处于无反射的行波工作状态。

105.衰减器:在微波系统中控制功率大小的装置。

106.定向耦合器:是一种具有方向性的功率耦合/分配元件。

107.品质因数Q:描述了谐振器的频率选择性的优劣和谐振器中电磁能量的损耗程度。

108.模式:指能够单独在传输线中存在的电磁场结构。

109.网络参数:单口网络中阻抗值Z和导纳值Y称为网络参数。

110.膜片:导电性能很好,厚度远小于波导波长但又远大于电磁波趋肤深度的金属膜片。

111.基本电抗元件:表现为感性电抗或容性电抗的简单微波元器件。

112.分离变量法:将一个多元函数表示成几个单变量函数的乘积,从而将偏微分方程华为几个带分离常数的常微分方程的方法。

113.

第三篇:电磁场与微波技术复习题无答案

电磁场与微波技术

复习题

一、单项选择题

1.导体的静电平衡条件归结为以下几条,其中错误的是()

A.导体内部不带电,电荷只能分布于导体表面

B.导体内部电场为零

C.导体表面电场线沿切线方向

D.整个导体的电势相等

2.设区域V内给定自由电荷分布,在V的边界S上给定电势/s或电势的法向导数/s,则V内的电场()

A.唯一确定

B.可以确定但不唯一

C.不能确定

D.以上都不对

3.有关复电容率的描述正确的是()

A.实数部分代表位移电流的贡献,它不能引起电磁波功率的耗散;虚数部分是传导电流的贡献,它引起能量耗散

B.实数部分代表传导电流的贡献,它不能引起电磁波功率的耗散;虚数部分是位移电流的贡献,它引起能量耗散

C.实数部分代表位移电流的贡献,它引起电磁波功率的耗散;虚数部分是传导电流的贡献,它不能引起能量耗散

D.实数部分代表传导电流的贡献,它引起电磁波功率的耗散;虚数部分是位移电流的贡献,它不能引起能量耗散

4.金属内电磁波的能量主要是()

A.电场能量

B.磁场能量

C.电场能量和磁场能量各一半

D.一周期内是电场能量,下一周期内则是磁场能量,如此循环

5.已知矢势,则下列说法错误的是()

A.与对应于同一个磁场

B.和是不可观测量,没有对应的物理效应

C.只有的环量才有物理意义,而每点上的值没有直接物理意义

D.由磁场并不能唯一地确定矢势

6.良导体条件为()

A.1

B.<<1

C.>>1

D.1

7.平面电磁波的特性描述如下:

电磁波为横波,E和B都与传播方向垂直

E和B互相垂直,E×B沿波矢K方向

E和B同相,振幅比为v

以上3条描述正确的个数为()

A.0个

B.1个

C.2个

D.3个

8.频率为HZ的微波,在0.7cm0.6cm的矩形波导管中,能以什么波模传播?()

A.B.C.及

D.9.共轭匹配要求长线输入阻抗与信号源内阻互为共轭,设信号源内阻为,长线输入阻抗为,则共轭匹配时要求()

A.B.C.D.10.微波传输线是一种什么电路?()

A.集总参数

B.分布参数

C.纯阻

D.无耗

二、多项选择题

1.电荷守恒定律微分式为,下列相关描述正确的有()

A.

微分形式具体描述了空间各点上电荷变化与电流流动的微观或局部关系

B.

空间中某点电荷密度随时间发生变化,此点即成为电流的散度源,发出或汇集电流

C.

电流由电荷减少的地方流出,汇集到电荷增加的地方

D.

此式又称为电流连续性方程

2.关于库仑定律,下面讨论正确的有()

A.

两个点电荷之间的静电力的大小与两个电荷的电量成正比、与电荷之间距离的平方成反比,方向在两个电荷的连线上

B.

当多个点电荷存在时,其中一个点电荷受到的静电力是其他各点电荷对其作用力的矢量叠加

C.

对于连续分布的电荷系统,静电力的求解不能简单地使用库仑定律,必须进行矢量积分

D.

库仑定律只给出了点电荷之间作用力的大小和方向,并没有说明作用力传递的方式或途径

3.真空中静电场满足高斯定理,其微分式为,则下列诠释正确的有()

A.

空间中任意点电场的散度只与当地的电荷分布,即电荷密度有关

B.

静电荷是静电场的散度源,即凡是有电荷存在的地方就会扩散出(或汇集起)电力线,激发起呈扩散状的静电场

C.

电场的散度与电场本身是不同的物理量,电场的散度是标量,是散度源的强度,而电场则是矢量

D.

没有电荷的地方,源的强度为零,即电场的散度为零,但电场强度不一定为零

4.对于静电场的描述正确的有()

A.

有源场

B.

无旋场

C.

呈现扩散状的分布形式

D.

电力线不构成闭合回路

5.关于静磁场的描述正确的有()

A.

静磁场的散度在空间中处处为零,空间不存在磁力线的扩散源和汇集源

B.

静磁场的散度是标量,而磁感应强度本身是矢量,二者是不同的两个物理量

C.

虽然磁场的散度处处为零,但空间的磁场不一定处处为零

D.

以上描述都不正确

6.对于安培环路定理的讨论正确的有()

A.

空间任意点静磁场的旋度只与当地的电流密度有关

B.

稳恒电流是静磁场的旋涡源,凡是有电流存在的地方就会激起旋涡状的静磁场

C.

电流密度决定了旋涡源的强度和方向

D.

没有电流的地方,磁场的旋度为零,但磁场不一定为零

7.介质的极化主要有哪两类?()

A.

在外加电场的影响下,无极分子正负电荷的中心相对位移

B.

在外加电场的影响下,有极分子正负电荷的中心相对靠近

C.

有极分子的取向沿电场方向呈现一定的规则性

D.

有极分子在外电场作用下进行无序化排列

8.对于位移电流的描述正确的有()

A.

在时变场情况下,磁场仍然是有旋场,但其旋涡源除了传导电流外,还有位移电流

B.

位移电流代表的是电场随时间的变化率

C.

位移电流是一种假想的电流

D.

变化的电场会激发磁场,这就是位移电流的物理意义

9.非导电媒质中的均匀平面波满足,则下列描述哪三个是正确的()

A.

电场与磁场的振幅之比等于媒质的本征阻抗

B.

电场方向与磁场方向垂直且都垂直于传播方向

C.

电场相位与磁场相位相同

D.

电场相位落后于磁场相位

10.反射系数圆有下述特点()

A.圆上不同的点代表传输线上不同位置的反射系数

B.反射系数具有的重复性

C.不同的工作状态对应的反射系数位于反射系数圆的不同区域

D.电长度增大的方向是向波源方向,是顺时针方向旋转

11.矩形波导的尺寸选择,通常主要考虑下述因素的影响,其中哪三个正确()

A.不需要考虑波导的重量、体积等因素

B.满足功率容量的要求

C.波导的衰减要小

D.保证主模工作时有足够的单模工作频率

12.为了将微波元件等效为微波网络,要解决如下三个问题()

A.确定微波元件的参考面

B.由横向电磁场定义等效电压、等效电流和等效阻抗,以便将均匀传输线等效为双线

C.确定一组网络参数、建立网络方程,以便将不均匀区等效为网络

D.从麦克斯韦方程出发,解电磁场的边值问题

三、判断题

1.电荷只直接激发其邻近的场,而远处的场则是通过场本身的内部作用传递出去的.()

2.由电流激发的磁场都是无源的.()

3.位移电流实质上是电场的变化率.()

4.平面电磁波垂直射到金属表面上,透入金属内部的电磁波能量全部变为焦耳热.()

5.电磁波在全反射过程中,反射平均能流密度在数值上等于入射平均能流密度,即能量全反射,所以全反射过程中第二介质不起作用.()

四、填空题

1.1820年,发现电流的磁效应;1831年,发现电磁感应定律,并提出场的概念;1864年,把电磁规律总结为方程组,并从理论上预言电磁波的存在;1905年,建立起关于新时空观的理论.A.Einstein

B.Faraday

C.Oersted

D.Maxwell

E.Lorentz

2.能量守恒定律的积分式是-=+,它的物理意义是______________

____

_。

3.传播常熟,其中相位常数是,衰减常数是。

4.传输线上入射波电压与入射波电流之比称为传输线的,用表示,其倒数称为传输线的,用表示。

5.所谓工作状态,即指长线终端接不同负载时,电压、电流波沿线的分布状态,有三种:端接无反射负载的;端接全反射负载的;部分反射的。

6.传输线长度为10cm,当信号频率为150kHz时,此传输线属长线还是短线?

五、计算题

1.已知,,求,2.写出介质中的麦克斯韦方程组,并从麦克斯韦方程组出发证明均匀介质内部的体极化电荷密度总是等于体自由电荷密度的倍。

3.如图,有一本身不带电且对地绝缘的导体球和球外一带电量为q的点电荷,求空间中除导体球和点电荷外任一点P处的电场强度表达式。

4.长为a高为b的矩形区域,已知y=b边的电位为,其他各边的电位为0。求矩形空间的电位函数。

5.无耗双导线的特性阻抗,负载阻抗为。今用短路单支节进行匹配,求支节点的位置和长度。

第四篇:2013厦大电磁场与微波技术考研复习经验之冲刺阶段

2013厦大电磁场与微波技术考研复习经验之冲刺阶段

2014年的研究生入学考试日期日益临近,很多同学的复习出现了高原反应,到了一个瓶颈期,如何度过这段时期呢?下面给大家介绍一下我的复习方法。

冲刺阶段的复习主要是复习思路的调整。

英语的复习到这个阶段,单词的记忆不再成为主要,但是也要不定期的翻看,以防遗忘;阅读方面主要是做真题,之前复习留下来的几套未做过的真题,成为上考场之前的练兵之地,测试一下前一段时间的复习效果。作文的写作也要开始重视起来了,自己可以试着写一些漫画类的作文,然后找一些英语比较好的同学帮忙批改一下,这能很好地杜绝在考场上提笔忘言的窘境。

在专业课的复习方面我用的是思睿厦大考研网的《厦门大学820量子力学考研冲刺宝典》和《厦大820量子力学考研模拟五套卷与答案解析》,当然如果选择考846电子线路科目可以用《厦门大学846电子线路考研冲刺宝典》和《厦大846电子线路考研模拟五套卷与答案解析》,我有同学就是用的这本,个人觉得总结的东西不错,因为跨校考没有经历过各种期中期末考试没经历过法学院老师授课过程,根本无法把握出题老师的命题规律,这本书很好的弥补了这一弱势点,而且通过模拟题可以检测一下自己的复习质量。

数学的复习,到这个阶段最好的方法就是做真题,怎么做呢?告诉你几个方法:准备两个本,第一个本是用来记录自己做错的和不会做的题,并且记录自己为什么做错,为什么不会做;第二个本用来自己对整套真题进行总结分类,每道题考查了什么知识点,这道题属于常考题型里的哪一种,这种题型通常都用什么方法来解决,自己先回答完这些问题。以后在研究真题的过程中,凡是遇到同种类型的,就把它放在一起,回答相同的问题。最后一遍重做真题,重做真题,这遍就不再是一套一套的做了,而是按照自己总结的本一个题型一个题型的做,重点做自己易错的和不会做的。这样到最后相当于把真题做了两遍,那么知识点也就掌握的更加牢靠了,如果还是不放心,到考试前自己可以再看一遍,把这些知识在脑子里再回顾一遍。达到融会贯通,举一反三的效果。

政治的复习,政治理论联系实际太强,学习政治,仅仅背书是不行的。因此学好政治,除了背书以外,还须多看新闻,经常联系周围的人和事,特别是国家大事,把这些事情与课本结合起来,试着用课本中的要点来解释。

政治复习,简单有效的方法是:对照课本目录,把平时的所学知识,在脑海里通过“放电影”的形式“放”一遍甚至好几遍,能有效地帮助你查漏补缺(这种“放电影”是以“蒙太奇”的形式表现的,速度相当快),倒是有可能让你的考试成绩保持稳定,不比平时的学习成绩差。更有可能的是,你超常发挥,考出一个好成绩。这种方法,适用于每次考试,但如果要切实提高学习成绩,平时还须努力学习。

个人经验就是这样的,希望对你们的复习有帮助,加油!

第五篇:微波实验七

实验七 微带缝隙天线仿真设计

姓名:李杰

学号:11081536

上课时间:周二下午

一.实验目的

1、了解微带缝隙天线的概念。

2、掌握MWO EM structure仿真方法。

3、掌握天线基本参数及优化设计方法。

二.实验要求

1.熟悉利用MWO软件进行EM仿真。2.熟悉微带天线基本特性。

3.了解WMO原理图引入 EM 结构方法。

4.利用MWO分析天线工作特性(反射,方向图等)。

三.实验原理

1、微带缝隙天线

这种天线由三层组成:上层为金属层(构成槽线、微带线的地),中间为介质基板,下层为金属层来构成微带导带。

微带天线的概念早在1953年就G.A.DeSchampS提出,在20世纪50年代和60年代只有一些零星的研究。直到20世纪70年代初期,当微带传输线的理论模型及对敷铜的介质基片的光刻技术发展之后,第一批具有许多设计结构的实用的微带天线才被制造出来。缝隙天线最早是在1946年H.G.Booker提出的,同微带天线一样最初没有引起太多的注意。缝隙天线可以借助同轴电缆很方便地馈送能量,也可用波导馈电来实现朝向大平片单侧的辐射,还可以在波导壁上切割出缝隙的阵列。缝隙开在导电平片上,称为平板缝隙天线;开在圆柱面上,称为开缝圆柱天线。开缝圆柱导体面是开缝导体片至开缝圆柱导体面的进化。波导缝隙阵天线由于其低损耗、高辐射效率和性能等一系列突出优点而得到广泛应用:而平板缝隙天线却因为损耗较大,功率容量低,效率不高,导致发展较为缓慢。到1972年,Y.Yoshimura明确提出微带馈电缝隙天线的概念。微带天线特点

具有以下优点:馈电网络和辐射单元相对分离,从而把馈线对天线辐射方向图的影

响降到最小,对制造公差要求比贴片天线低,可用标准的光刻技术在敷铜电路板上进行生产,在组阵时其单元间隔离可比贴片天线更大。特别是对于运动物体所用天线,微带缝隙天线可以说是理想的选择,因为它可以与物体的表面做得平齐,没有凸起部分,用于快速飞行器表面时不会带来附加的空气阻力,既隐蔽又不影响物体的运动。

四.实验内容及结果

用MWO创建一个电磁结构(EM structure)并仿真。它包含以下几个步骤: 1.创建 EM structure 2.建立 an enclosure 3.创建层

4.定义端口配置计算网格 5.观察电流密度和电场强度 6.观察smith圆图和方向图 7.执行频率扫描(AFS)8.将EM structure添加到原理图并仿真

Step1: 创建 EM structure

Step2: 设定 Enclosure

Step3: 创建层并定义端口配置计算网格

Step4:经过一系列设置,进行仿真得

1)天线方向图(fixed theta 选择0~90若干取值,这里为0,10,30,45,70,90)

2)反射系数

3)3D试图观察微带缝隙天线基本结构

Step5: 修改enclosure option设置

Step6: 新建回波损耗特性图,运行仿真,得到输出回波损耗特性图

Step7: 新建匹配电路

Step8: 运行仿真,得到 1)反射系数图

2)输出回波损耗特性图

Step9: 观察该微带缝隙天线的电流和电场 电流:

电场:

四.心得体会

通过本次实验,我了解了微带缝隙天线的概念,掌握了MWO EM structure仿真方法和天线基本参数及优化设计方法,受益匪浅。

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