第一篇：国内外芯片厂家名字
国内外芯片厂汇总
创建时间：2010年6月24日(星期四)下午3:04 | 分类：未分类| 天气：广州雷阵雨转暴雨| 字数：789 |发送到我的Qzone|另存为...|打印 台湾LED芯片厂商：晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima Optoelectronics）简称：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜（HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技TC，燦圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC）等。
华兴（Ledtech Electronics）、东贝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED Electronics）、今台（Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、光宝（Lite-On Technology）、宏齐(HARVATEK)等。
大陆LED芯片厂商：三安光电简称（S）、上海蓝光（Epilight）简称（E）、士兰明芯（SL）、大连路美简称（LM）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海蓝宝等。国外LED芯片厂商：CREE，惠普（HP），日亚化学（Nichia），丰田合成，大洋日酸，东芝、昭和电工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，欧司朗（Osram），GeLcore，首尔半导体等，普瑞，韩国安萤（Epivalley）等。
第二篇：全球十大LED芯片厂家简介
全球十大LED芯片厂家简介 日亚化工（株）
日亚化工是GaN系的开拓者，在LED和激光领域居世界首位。在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企业。它以蓝色LED的开发而闻名于全球，与此同时，它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂商。它的荧光粉生产在日本国内市场占据70％的比例，在全球则占据36％的市场份额。荧光粉除了灯具专用的以外，还有CRT专用、PDP专用、X光专用等类型，这成为日亚化工扩大LED事业的坚实基础。除此以外，日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品，广泛地涉足于光的各个领域。
在该公司LED的生产当中，70％是白色 LED，主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。此外，该公司是世界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商。以此为基础，日亚化工不断开发出新产品，特别是在SMD（表面封装）型的高能LED方面，新品层出不穷。
2004年10月，日亚化工开发出了发光效率为50lm/W的高能白色LED。该产品成功地将之前量产产品约20lm/W的发光效率提高了2.5倍。同月底，日亚化工开始向特定客户提供这种产品的样品，并计划在2005年夏季之前使其月产量达到100万个。新LED主要针对车载专用前灯和照明市场。它的光亮度胜过HID光源，因此对目前占据15％车前灯市场的HID光源（HighIntensityCischarge）构成了很大的威胁。日亚化工计划于2006年上半年正式批量生产该产品，并计划于2007年，以与HID同样的价格正式销售这种更明亮的产品。
以蓝色、白色LED市场的扩大为起爆剂，日亚化工的总销售额也呈现出逐年上升的势头，由1996年的290亿日元增长到2003年的1810亿日元。这期间，荧光粉的销售额每年基本稳定在300亿日元左右。到2003年，LED相关产品的销售额已经占了总销售额的 85.1％，为1540亿日元。2003年全球LED市场约为6000亿日元，因此，日亚化工占据了约25％的全球市场份额。
目前日亚化学的紫外460nmLED，外部量子效率达到36%，白色发光效率达到60lm/W。首尔半导体
首尔半导体乃全球主要LED照明生产商，2007年在高亮度LED市场占有率排名第六。被Forbes及 BusinessWeek两份国际知名杂志评选为全亚洲最具前景公司。首尔半导体的代表产品Acriche环保照明技术最近更被欧洲最高权威电子杂志「Elektronik」评选为「2006年最佳产品」以2008年FlashLED产品也收到同样的奖。另外，被美国权威电子杂志「EDN」评选为「2007年最佳项目之一」。首尔半导体的主要业务乃生产全线LED封装及定制模块产品，包括采用交流电驱动的半导体光源产品如：Acriche、高亮度大功率LED、侧发光LED、TOPViewLED、Side-ViewLED，CHIPLED、LAMPLED及食人鱼LED等。产品已广泛应用于一般照明、显示屏照明、移动电话背光源、电视、手提电脑、汽车照明、家居用品及交通讯号等范畴之中。首尔半导体2007年的营业总额达2502亿韩元。截至 2008年9月，首尔半导体拥有共1720项专利权及380项专利特许使用权，共25家海外办事处，以及遍布全球约108个销售点。
Smileds（旭明)
SemiLEDs公司是世界领先的高性能的发光二极管（HPLED），适合于一般照明应用。SemiLEDs的LED芯片是最聪明和最有效的当今市场。利用铜合金基材，SemiLEDs已经成功地开发和商业MvPLED技术（金属垂直光子发光二极管）。随着金属衬底和独特的设备结构，SemiLEDs’HPLEDs有更好的电气和热导率导致较高的亮度，效率和更好的传热。SemiLEDs’HPLEDs适合照明应用，包括显示器，标牌，通信，汽车和一般照明。我们的目标之一是要发起一个固态照明革命。SemiLEDs是一个美国公司支持的数十亿美元的公司。该公司总部设在爱达荷州博伊西的行动在台湾新竹。
丰田合成（株）
如果将LED比喻为汽车，那么可以说，日亚化工提出了车轮和发动机的概念，而丰田合成则提出了车体和轮胎的概念。1986年，受名誉教授赤崎先生的委托，丰田合成利用自身在汽车零部件薄膜技术方面的积累，开始展开LED方面的研发工作。1987年，受科学技术振兴事业团的开发委托，丰田合成成功地在蓝宝石上形成了LED电极。因此，把丰田合成誉为”蓝色LED的先锋”并不为过。
丰田合成在近年来的发展速度也相当快。1998年，其销售额为63亿日元，但到2002年，已增长至252亿日元。2003年，由于手机白色光源亮度不足、中国台湾和韩国等地采取低价策略以及欧洲显示屏市场的低迷等诸多原因，致使丰田合成没能完成原计划销售340亿日元的任务，但是其销售额和利润均达到历史最高水平。
其中增长最多的是手机专用的白色LED。由2002年的27亿日元增长为123亿日元，占总销售额的四成。其余的为蓝色、蓝绿色和3in1型的白色LED。2003年，国内销售占8成，为237亿日元。海外销售：亚洲47亿日元。
在应用方面，手机占了72％。此外应用较多的还有液晶背光、按键、背面液晶背光（3in1）等。信号设备、大型显示屏等方面的应用也比较多。2004年，丰田合成原计划销售420亿日元，但由于手机市场低迷，于是不得不将销售计划修正为300亿日元。
为了攻夺日亚化工占据手机背光市场90％的市场份额，丰田合成意图提高白色LED的光亮度，于2004年秋季开发出光亮度为1000mcd级的白色 LED”TGWHITEⅡ”，这比原来的600－700mcd亮了很多。紧接着，丰田化合又开始开发1300mcd的白色LED。
此外，汽车导航系统和电脑专用液晶控制器、TV专用大型液晶的背光等也是丰田化合的目标市场。照明应用方面的设计开发也正在紧锣密鼓之中。丰田化合的生产据点除了爱知县平和町的工厂以外，还在佐贺县武雄市建立了生产蓝色LED等GaNLED的第二个生产据点。其设备投资总额达156亿日元，计划2006 年月产量达到2亿个。届时两个工厂的总生产能力可达到月产4.2亿个，其目标是2008年LED的销售额达到1200亿日元。Lumileds美国流明
创建于1999年，Lumileds照明是世界著名的LED生产商，在包括自动照明、计算机显示、液晶电视、信号灯及通用照明在内的固态照明应用领域中居领先地位。公司获得专利的Luxeon是首次将传统照明与具有小针脚、长寿命等优点的LED相结合的高功率发光材料。公司也提供核心LED材料和LED 封装产品，每年LEDs的产品达数十亿只，是世界上最亮的红光、琥珀光、蓝光、绿光和白光LED生产商。公司总部在加利福尼亚州的圣荷塞，在荷兰、日本和马来西亚有分支机构，并且拥有遍及全球各地的销售网络。
Lumileds的前身是40年前惠普公司的光电子事业部。是惠普的专家们从无到有创建的。到了90年代后期，在意识固态发光的前景后，惠普和当时世界上最大的照明设备公司之一的飞利浦公司开始了如何一起发展最新的固态照明技术并引入市场的计划。1999年惠普公司一分为二，她的光电子事业部被安捷伦技术公司收购，同年11月，巨大的市场潜力促使安捷伦和飞利浦组成了 Lumileds公司，赋予其开发世界上亮度最大的LED发光材料的使命，并向市场推广。今天的Lumileds，作为一个安捷伦科技和飞利浦照明的合资公司，继续领导着世界固态照明产业的发展。全球十大LED芯片厂家简介（3）
SDK(昭和电工)昭和电工株式会社是日本具有代表性的综合化学会社，从60年代就开始开发液相色谱，已有40多年的生产歷史。生产GPC、GFC、糖分析专用柱、离子交换色谱柱、亲和色谱柱、有机酸分析柱、手性分离柱以及离子色谱分析等800多个型号的各种专用柱。
昭和电工日后会进行相同发光效率的蓝光LED与绿光LED的开发，计画以2010年为目标，将其LED事业营收自2007年的100亿日元提升至150~200亿日元的规模。
GELcore GELcore是GE照明与EMCORE公司的合资公司，创建于1999年1月，总部位于美国新泽西州。公司致力于高亮度LED产品的研发和生产。通过把GE先进的照明技术、品牌优势和全球渠道与EMCORE权威的半导体技术相结合，GELcore已经在转变人们对照明的认识过程中扮演了重要的角色。GELcore现有的产品包括大功率LED交通信号灯、大型景观灯、其他建筑、消费和特殊照明应用等。通过把电子、光学、机械和热能管理等各个领域的技术相结合，GELcore加快了LED技术的应用并创造了世界级的LED系统。另外，GELcore还利用独特的客户管理系统来和那些LED专家和产品应用客户保持长期的友好关系。
大洋日酸
大洋日酸公司的有机金属气象化学沉淀技术的研究和开发可以追溯到1983年，在日本80年代整个化合物半导体工业革命大背景之下产生。大洋日酸研发了一系列高纯度气体如AsH3,PH3和NH3的专业应用技术，以及用于生产LD和LED产品的MOVPE设备。大洋日酸还开发了用于吸收这些应用产生的大量废气的净化系统，并使之商品化。到目前为止，大洋日酸已经为从研发机构到生产厂商等有着不同需求的客户提供了超过450台的MOCVD设备。其中大洋日酸的GaN-MOCVDSR系列，包括SR-2000和SR-6000是专门为蓝色镓氮LED、半导体激光和电子设备的研究和生产而设计。
Cree(科锐)Cree公司建于1987年，位于美国加利福尼亚洲。研制开发并生产基于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、硅（Si）和相关化合物的材料与设备。公司的产品包括绿光、蓝光和紫外光LEDs，近紫外激光、射频和微波半导体设备，电源转换设备和半导体集成芯片。这些产品的目标应用包括固态照明、光学存储、无线基础和电路转换等。公司的大部分利润来自于LED产品和SiC、GaN材料的生产，产品销往北美、欧洲和亚洲。
目前Cree460nmLED,外部量子效率47%，白色发光效率80lm/W。Osram(欧司朗)OSRAM是全世界最大的两个照明生厂商之一。建于1919年，最大的股东为SiemensAG，总部位于慕尼黑，在全世界拥有超过36,000的员工。OSRAM商标早在1906年注册，到目前为止是世界公认的历史最悠久的商标名称之一。OSRAM已经从一个传统的灯泡厂商发展成为一个照明领域的高科技公司。2004财年的销售额达到42亿欧元，服务于140多个国家的个人客户和19个国家的50多家厂商。目前，公司大约有三分之一的收入来自于光电半导体和LED，长期来看，这个数字还将上升到50%。
第三篇：盾构机国内外主要制造厂家简介
盾构机问世至今已有近180 年的历史，其始于英国，发展于日本、德国。在日本，由于经济的快速发展及实际工程的需要，盾构机尤其是土压平衡式和泥水式盾构机发展很快。德国的盾构机技术也有独到之处，尤其是在地下施工过程中，在保证密封的前提下，可以在高达 0.3MPa 气压的情况下更换刀盘上的刀具，从而提高盾构机的一次掘进长度。
据不完全统计，目前国外盾构机的主要制造企业有 18 家，集中在日本和欧美，如日本的川崎重工、三菱重工、石川岛播磨重工业株式会社、小松制作所，德国的海瑞克公司、维尔特公司，美国的罗宾斯公司，加拿大的罗浮特公司等。
它们可以根据不同的地质条件和不同的工程对象，以及使用单位的不同要求，设计、生产出不同直径、不同类型、以及有特殊要求的盾构机，以满足用户的需要，其生产设备和工艺水平居世界前列。
这些企业在从实践到理论、再从理论到实践的长期反复探索过程中，逐渐形成了一套针对本国地质条件的设备设计理论、模拟试验方法和系统的经验数据，同时也形成了安装和调试的系统技术。
生产和销售全系列掘进机的企业，在大直径隧道掘进德国海瑞克公司成立于 1977 年，是一家能够开发、、长距离隧道和高工作压力施工方面拥有丰富的经验。
海瑞克
海瑞克公司生产的盾构掘进机主要包括泥浆加压式盾构机、带盾部分断面掘进机、组合式盾构机、土压平衡式盾构机、带护盾的隧道掘进机（以下简称 TBM）、双护盾 TBM 等
生产和销售全系列掘进机的企业，在大直径隧道掘进德国海瑞克公司成立于 1977 年，是一家能够开发、、长距离隧道和高工作压力施工方面拥有丰富的经验。
海瑞克公司生产的盾构掘进机主要包括泥浆加压式盾构机、带盾部分断面掘进机、组合式盾构机、土压平衡式盾构机、带护盾的隧道掘进机（以下简称 TBM）、双护盾 TBM 等。
隔膜解决方案：在 1999 年的柏林铁路系统中，海瑞克公司与客户共同开发了这种隔膜解决方案，用以加速工程进度并降低成本。这种方案为盾构掘进提供了必要的安全保障。地下水压在经过隔膜的调整之后作用于护盾。
可变式 TBM：海瑞克引入的新式机械概念，使其能够在隧道掘进过程中针对不同干湿程度的地质条件进行转换。
仰拱区隔离（isolated invert）”构造：“仰拱区隔离”是对混合式盾构机的创新性改进，这种结构被用于减少土料在刀盘处的聚集进而影响掘进过程，尤其是在粘性土层。
土料栓（muck plug）构造：为避免地面沉降，有时必须在掘进舱内充入约 3 个大气压的压缩气体，在如此高压下，螺旋输送带无法很好的密封，于是海瑞克的工程人员就在传送带的末端加上了土料栓，用以压住挖掘下来的土料并保持系统的密封。
德国维尔特公司成立于 1895 年，从 1965 年起开始生产全断面 TBM。其产品大约90%出口，产品行销超过60个国家和地区。
维尔特公司生产的盾构机适用于硬岩、混合岩与软土层等各种地质条件，其优势在于硬岩TBM 的生产。
维尔特公司开发了自己的暗挖技术。这种技术具有刀具少、可开凿任意横截面、挖掘土料可循环利用等优点。以瑞士 Uetliberg 隧道工程为例，维尔特公司为该工程设计的滚刀与岩石面有 10°u30340X夹角，将岩石切成手掌大小的片状。滚刀的工作方式类似于凿子以一定的角度切
入木头，这样滚刀需要的抗拉强度很低，粉碎岩石消耗的能量也得以减少。这种方法不仅降低了工程的工具成本、节省了耗能，还可以开挖出任意断面形状的隧道。
罗宾斯公司是一家拥有 50 多年发展历史的公司，主要从事地下挖掘设备的设计、制造、销售和租赁等业务以及其他能使TBM 得到高效率的运用的设美国备和服务。1952年，罗宾斯公司生产了第一台刀盘直径为8m实用的全断面岩石掘进机，目前TBM是罗宾斯公司的主要产品。罗宾斯公司的 TBM 产品包括单护盾 TBM、双护盾 TBM、土压平衡式 TBM、主梁式掘进机以及小型掘进机。
罗宾斯公司可以生产隧道挖掘直径从 1.6m 到 15m 的全断面 TBM。
加拿大罗浮特公司成立于 1972 年，集盾构设计、制造、装配、测试于一体，专门为客户定做地铁、隧道、供排水管道、电缆管线及矿山巷道的开挖设备，是唯一一家能提供从盾构机的全面设计、制造到检测和试验服务的公司。罗浮特公司可以生产直径从 1.5m到 14m 的各种型号的盾构机，种类包括敞开式盾构机、半敞开式盾构机、土压平衡式盾构机、泥水加压式盾构机等。
罗浮特盾构机具有以下技术特点：
集多种掘进模式于一体且可实现快速转换；
连锁控制设计确保施工质量和安全性；
模块化设计，装配、转场迅速，维修方便；
设有独特的数据监控系统，高度自动化，可以实现全自动掘进操作；
独特的“后装式”刀具安装方式，提高了刀具更换速度，充分保证了维修人员的安全； 采用激光导向，确保隧道的准确开挖方向。
日本三菱是一家具有 100 多年历史的企业集团，三菱重工是其下属的 29 家直系企业中的一家，为世界各地提供软、硬土盾构掘进设备的建设机械部是三菱重工旗下神户造船所的一个分支。
2007 年 4 月起，盾构机业务划归新成立的三菱重工隧道机械与岩土技术有限公司（MitsubishiHeavyIndustriesTunnelingMachinery& Geotechnology, Co., Ltd）。
1939 年，三菱重工制造出日本第一台手掘盾构机，目前拥有土压平衡、泥水平衡、双
圆、三圆、MST 等各种类型的盾构机，拥有φ14-15m级直径的泥水式盾构机和土压式盾构机，并且成功开发了具有特殊性能的盾构机，如异形截面盾构机、机械式地下对结盾构机、机械式切削刀更换装置等，数量和种类可谓世界第一，技术居国际之首，生产业绩也以 1670 台居世界首位。
1970年制造了日本最早的泥水盾构机；
1986年制造了马蹄形机械挖掘盾构机；
1992 年为法国里昂高速公路制造了直径为10.96m的土压盾构机；
1993年制造了迄今最大的双圆盾构机；
1994年为日本东京湾隧道制造了 3 台当时最大的泥水盾构机（直径为 14.14m）；1995
年制造了三圆盾构机；
1996 年，为满足共同沟施工需要，制造了 7950mm×5420mm的矩形盾构机，同年又
完成了球形刀盘盾构机；
1997 年为川崎高速提供了 MMST 盾构机，同年又将泥土加压盾构机的直径刷新为
11.52m；
1999 年制造了第一台母子盾构机；
2001 年为大阪共同沟工程项目制造了最大的 MSD 盾构，直径为 8.07m，解决了盾构
对接技术。
川崎重工创立于1896年，是从修船、造船发展起来的著名公司，目前已生产出1200多台用于地下施工的软岩和硬岩挖掘机，如东京市神田川地下调蓄工程用的直径为 13.94m的盾构机、贯通英法海峡海底铁路隧道开挖用的盾构机、对东京湾隧道工程做出贡献的 14.14m超大口径盾构挖掘机、上海地铁隧道用的盾构机以及为了降低挖掘成本和提高施工效率而完成的三联型车站盾构机、再次利用型盾构机等。
川崎重工从1975年起开始生产“圆周支撑型”泥水加压盾构机，随后又开发出“中间支撑型”盾构机，目前可生产出超大直径的盾构机，满足各种超大半径和高液压需求。川崎重工生产的盾构机装备了用于地下计时和扇形片高精度自动装配的设备，并汇聚了该行业最先进的技术和知识。例如，用于东京湾隧道工程的3台直径为 14.14m、长为 13.5m 的盾构机可以在 0.5 MPa 的强水压下完成超大直径和长距离的掘进任务。
IHI 于 1853 年作为石川岛造船所创业起家，1876 年设立石川岛平野造船所，成为日本首家民间造船厂。1960 年，石川岛重工业株式会社与株式会社播磨造船所合并，成立石川岛播磨重工业株式会社，业务范围覆盖造船、社会基础设施建设、产业机械、航空宇宙等多个领域。于 2007 年 7 月 1 日启用新的公司名称：株式会社 IHI（英文名称：IHI Corporation）。株式会社小松制作所是成立于 1921 年的世界知名的工程机械制造商，其主要产品除了始终处于世界领先地位的建筑工程机械、产业机械以外，同时还涉足电子工程、环境保护等高科技领域。
小松制作所生产的盾构机类型包括土压平衡式盾构机、泥水式盾构机、母子盾构机、超长掘进盾构机、顶管式盾构机（Pipe Jacking）等。
近年来，小松制作所生产的盾构机在中国市场占有率稳步提高，中国正成为其全球最大的市场。上海隧道工程股份有限公司是由上海城建集团控股的专门从事软土隧道施工的企业。隧道股份自1958年开始研制生产隧道施工装备以来，具有40余年的地下施工装备制造和大型成套设备安装的辉煌业绩和经验。与国际几大著名隧道装备企业有着广泛的合作和相互技术支持。2004年隧道股份研制成功中国第一台具有自主知识产权和国际先进水平的土压平衡式盾构机，并与国外联合制造出刀盘直径达15.43米的超大直径盾构机。迄今为止，该公司通过合作制造和自主研制已累计生产了170多台隧道掘进机，承建了盾构法隧道550公里以上。
中铁隧道装备制造有限公司原属于从事工程施工的中铁隧道集团有限公司，在使用掘进机进行隧道施工中积累了丰富经验，后独立成专业的以掘进机生产为主的装备制造公司。2009年底，中国中铁股份公司对内部盾构加工制造资源进行整合重组，以中铁隧道集团有限公司为依托，在郑州国家级经济技术开发区注册成立了由中国中铁控股，中铁隧道集团、中铁科工集团参股的中铁隧道装备制造有限公司，成为中国中铁旗下集研发制造、组装调试、营销租赁、售后服务为一体的隧道装备专业化制造公司。以盾构产业化为主线，产品涉及盾构机及硬岩掘进机隧道模具及后配套产品、长大隧道施工运输设备等一系列隧道施工专用设备。
中国铁建重工集团有限公司公司前身是中铁轨道系统集团有限公司，是中国铁建股份公司于2007年在长沙组建的集铁路轨道系统、城市轨道交通系列产品和重型施工装备研发、制造、施工、检测为一体的大型企业集团，集团下属的隧道装备公司具有年产刀盘直径12m以下土压平衡盾构机、泥水平衡盾构及硬岩掘进机等全端面隧道掘进装备。
北方重工集团有限公司是由沈阳重型机械集团有限责任公司和沈阳矿山机械集团有限责任公司合并重组的装备制造业大型骨干企业。2008年进入“中国机械500强”和“世界机械500强”行列。
2007年7月，北方重工以绝对控股方式成功并购维尔特控股集团-法国NFM公司，实现了世界领先的全系列隧道掘进机核心技术与强大制造能力的强强联合，使企业在盾构机研发设计和生
产制造方面迅速跻身于世界前列。
北方重工盾构机公司主要承担隧道掘进机的设计与制造；隧道掘进机装配、调试、维修和售后服务、技术支持等。沈重盾构机公司可以根据不同的隧道工程项目以及每个施工地段的水文地质条件，为客户提供量身定做的隧道掘进设备，包括硬岩（敞开式、护盾式）掘进机、土压平衡盾构机、泥水平衡盾构机和复合式盾构机等。
北方重工盾构机公司具有年产50台盾构机的能力。目前盾构机产品在引水工程、海底隧道、城市地铁等大型工程中得以广泛应用，从2005年至今共为国内外市场提供不同规格的盾构机58台。面向未来，沈重盾构机公司依托强大的技术优势，将继续以改革、创新、突破为主旋律，加速向全断面掘进机核心技术和产业化领域进军，全力打造世界上最大的盾构机研发制造基地。
北京华隧通掘进装备有限公司由秦皇岛天业通联重工股份有限公司于2008年出资设立，与日本日立造船株式会社、北京交通大学隧道中心和石家庄铁道大学机械工程学院合作，以日立造船的掘进机制造技术为依托，从事隧道掘进装备及相关配套的科研、设计、产销、服务于一体的专业公司。该公司制造的目前国内地铁最大的直径10.22m土压平衡盾构机已交付使用，用于北京14号线地铁试验段隧道施工。
中交天和机械设备制造有限公司系国资委下属中国交通建设股份有限公司成员公司，由中交天津航道局有限公司和中和物产株式会社合资于2010年4月2日注册成立，注册资金3亿元人民币。公司位于江苏省常熟经济开发区高新技术产业园，工厂占地面积31万平方米（465亩），项目总投资6.7亿元人民币。
该公司专业从事盾构机、全断面硬岩掘进机的设计与制造，以及相关产品的维修、租赁、咨询和技术服务，可制造直径达16米的盾构机。
成都南车隧道装备有限公司由中国南车集团资阳机车厂与美国罗宾斯公司2007年在成都市龙泉驿国家经济技术开发区内组建成都南车隧道装备有限公司，主要生产土压平衡盾构机和全断面硬岩隧道掘进机。2010年为兰渝铁路西秦岭隧道提供了两台直径10.23米的TBM。该公司目前已成为我国西部规模最大的隧道掘进机国产化制造基地。
另外，还有大连重工起重集团（以美国罗宾斯技术为主）、无锡巨力重工（德国海瑞克技术）、湖北天地重工（日本三菱技术）、天津天城隧道设备（合资公司，日本川崎技术）、宝钢工程入主控股的苏州大方等公司组装生产，中国工程机械行业的徐工集团和三一重工也开始涉足隧道掘进装备制造领域。
第四篇：国内外建筑大师的名字
国内外建筑大师的名字，谢谢大家~~ 揪错 ┆ 评论
[大师]
勒·柯布西耶（Le Corbusier）
安东尼奥·高迪（Antonio Gaudí）
安托内·普雷多克（Antoine Predock）
罗伯特·文丘里（Robert Venturi）
阿尔瓦·阿尔托（Alvar Aalto）
马里奥·博塔（Mario Botta）
矶崎新（Arata Isozaki）
彼德·埃森曼(Peter Eisenman)理查德·麦耶（Richard Meier）
西萨·佩里（Cesar Pelli）
罗伯特·斯特恩（Robert AM Stern）
弗兰克·盖里（Frank Gehry）
菲利普·约翰逊（Philip Johnson）
路易·艾瑟铎·康（Louis Kahn）
沃尔特·格罗佩斯(Walter Gropius)密斯·凡·德·罗（Mies van der Rohe）
扎哈·哈迪德（Zaha Hadid）
雷姆·库哈斯（Rem Koolhaas）
安藤忠雄（Tadao Ando）
贝聿铭（I.M.Pei）
弗兰克·劳埃德·赖特（Frank Lloyd Wright）
彼得·祖索尔（Peter Zumthor）
诺伦佐·皮亚诺（Renzo Piano）
黑川纪章（Kisho Kurokawa）
丹下健三（Kenzo Tange）
朱莉亚·摩根（Julia Morgan）
盖·奥兰蒂（Gae Aulenti）
巴里（M.H.Baillie）
罗伯特·西吉尔（Robert Siegel）
威廉·勒巴隆·詹尼（William Le Baron Jenney）
库柏·西梅布芬事务所（Coop Himmelblau）
罗伯特·亚当（Robert Adam）
路易斯·巴拉干（Luis Barragan）
杰弗里·鲍娃（Geoffrey Bawa）
亨里克·彼图斯·伯拉吉（Henrik Petrus Berlage）
乔凡尼·洛伦佐·贝尼尼（Giovanni Lorenzo Bernini）
甘特·班尼奇（Gunter Behnisch）
格尔顿·本夏夫特（Gordon Bunshaft）
皮耶特罗·贝鲁斯基（Pietro Belluschi）
贝特伦·古德西（Bertram Goodhue）
槙文彦（Fumihiko Maki）丹尼斯·斯科特·布朗（Denise Scott Brown）
圣地亚哥·卡拉特拉瓦（Santiago Calatrava）
里查德·巴克明斯行·福勒（R.Buckminster Fuller）
维廉姆·莫里斯（William Morris）
格伦·默克特（Glenn Murcutt）
弗雷德里克·劳·奥姆斯特德（Frederick Law Olmsted）
安德烈亚·帕拉第奥（Andrea Palladio）
伯纳德·梅贝克（Bernard Maybeck）
路易斯·沙利文（Louis Sullivan）
理查德·诺伊特拉（Richard Neutra）
苏珊娜·托雷（Susana Torre）
亚瑟·埃里克森（Arthur C.Erickson）
菲利普·韦伯（Philip Webb）
保罗·威廉（Paul Williams）
克拉夫·威廉·埃利斯爵士（Sir Clough Williams-Ellis）
阿道夫·卢斯（Adolf Loos）
斯蒂芬·阿伦兹（Steffen Ahrends）
格雷戈里·安（Gregory Ain）
阿尔贝蒂（Leon Battista Alberti）
加里亚佐·埃里希（Galeazzo Alessi）
克里斯多夫·亚历山大（Christopher Alexander）
威廉·范·阿伦（William Van Alen）
阿门诺菲斯三世（Amenophis III）
约翰·安德鲁斯（John Andrews）
安西米奥斯（Anthemios）
阿波洛道鲁斯（Apollodorus）
阿顿（Arton）
阿斯比（C.R.Ashbee）
阿斯普朗德（Erik Gunnar Asplund）
阿迪森·麦兹那（Addison Mizner）
泰奥多尔·林克（Theodore Link）
查尔斯·巴雷爵士（Sir Charles Barry）
威廉·亨利·巴洛（William Henry Barlow）
法尔克·巴莫（Falke Barmou）
爱德华·巴恩斯（Edward Larabee Barnes）
威廉·霍拉伯德（William Holabird）
彼得·贝伦斯（Peter Behrens）
贝尔吉欧加索、皮瑞瑟第和罗杰斯（Belgiojoso、Peressutti、Rogers）
查尔斯·格瓦德梅（Charles Gwathmey）
雅克·赫尔佐格（Jacques Herzog）
威廉·勒巴隆·詹尼（William Le Baron Jenney）
多米尼克斯·伯姆（Dominikus B·hm）
迈克尔·格雷夫斯（Michael Graves）
霍华德·戴维斯（Howard Davis）诺曼·弗斯特爵士（Sir Norman Foster）
皮埃尔·德默隆（Pierre de Meuron）
格特弗里德·伯姆（Gottfried B·hm）
布瓦洛（L.A.Boileau）
佛朗西斯科·博洛米尼（Francesco Borromini）
卡斯·吉尔伯特（Cass Gilbert）
布雷（Etienne-Louis Boullee）
多纳托·布拉曼特（Donato Bramante）
锡安与布林（Zion & Breen）
马塞尔·布劳耶（Marcel Breuer）
米歇尔·布林克曼（Michiel Brinkman）
约翰尼斯·布林克曼（Johannes Brinkman）
尼弗·布朗（Neave Brown）
布鲁内尔（Isambard Kingdom Brunel）
菲利波·布鲁内莱斯基（Filippo Brunelleschi）
埃里克·布里格曼（Erik Bryggman）
查尔斯·布尔芬奇（Charles Bulfinch）
桑顿·拉特罗布·布尔芬奇（Thornton-Latrobe-Bulfinch）
贝特伦·古德西（Bertram Goodhue）
柏林顿爵士（Lord Burlington）
丹尼尔·伯纳姆（Daniel Burnham）
伯顿（Decimus Burton）
威廉·巴特菲尔德（William Butterfield）
加利克提士（Callicrates）
伊克蒂诺（Ictinus）
阿诺尔弗·迪·坎比奥（Arnolfo di Cambio）
费利克斯·坎德拉（Felix Candela）
科拉·达·卡普拉洛拉（Cola da Caprarola）
道格拉斯·卡迪纳尔（Douglas Cardinal）
吉卡罗·德·卡罗（Giancarlo de Carlo）
卡雷尔与哈斯丁（Carrere and Hastings）
理查德·卡索耳（Richard Castle）
塞佛留斯与塞勒（Severus and Celer）
威廉·钱伯斯（William Chambers）
希达纳（G.P.Chedanne）
塞吉·希玛耶夫（Serge Chermayeff）
马里奥·西安姆皮（Mario J.Ciampi）
亨利·斯里安尼（Henry Ciriani）
亨利·考伯（Henry N.Cobb）
康泰明与都特（Contamin and Dutert）
卢西奥·科斯塔（Lucio Costa）
查尔斯·柯里亚（Charles Correa）
科托纳（Domenico da Cortona）
基斯·柯蒂耶（Keith Cottier）贾斯特斯·达辛登（Justus Dahinden）
帕奥尼斯与达弗尼斯（Paeonis and Daphnis）
汤与戴维斯（Town and Davis）
查尔斯·戴维斯（Charles Davis）
帕奥尼斯与德米特里奧斯（Paeonius and Demetrios）
约翰·都布森（John Dobson）
EHDD 彼得·道奇（Peter Dodge）
图密善（Domitian）
阿德里安·多兹曼（Adrien Dortsman）
多什（Balkrishna Doshi）
道尔（A.E.Doyle）
杜埃尼与普莱特·柴伯克（Duany and Plater-Zyberk）
杜多克（Willem Marinus Dudok）
毕吉特与杜伊柯（Bijvoet and Duiker）
查尔斯与蕾·伊默斯（Charles and Ray Eames）
卡尔·恩（Karl Ehn）
古斯塔夫·埃菲尔（Gustave Eiffel）
斯达·艾尔登（Sedad Eldem）
克雷格·埃尔伍德（Craig Ellwood）
卡尔·路德维格·恩格尔（Carl Ludvig Engel）
科伯里·恩舒（Kobori Enshu）
约翰·拉斯金（John Ruskin）
费舍·冯·埃尔拉赫（Johann Fisher von Erlach）
约瑟夫·埃谢瑞克、埃谢瑞克·霍姆赛、道奇·戴维斯（Joseph Esherick, Esherick Homsey Dodge Davis, EHDD）
拉尔夫·欧司金（Ralph Erskine）
约瑟夫·埃谢瑞克（Joseph Esherick）
奥尔多·凡·艾克（Aldo van Eyck）
哈桑·法特希（Hassan Fathy）
斯维尔·费恩（Sverre Fehn）
亨利·弗利克洛弗特（Henry Flitcroft）
欧尼尔·福特（O'Neil Ford）
尤金·弗雷赛纳特（Eugene Freyssinet）
弗兰克·弗内斯（Frank Furness）
雅克·加布里（Ange-Jacques Gabriel）
查尔斯·加尼叶（Charles Garnier）
罗伯特·加特耶（Robert Gatje）
唐纳德·基里斯皮（Donald Gellespie）
欧文·吉尔（Irving Gill）
罗马尔多·朱尔格拉（Romaldo Giurgola）
布鲁斯·葛夫（Bruce Goff）
伯特兰·戈德堡（Bertrand Goldberg）
SOM迈龙·葛史斯（Myron Goldsmith）
阿尔多·西扎（Alvaro Siza）格罗索夫（I.P.Golosov）
SOM布鲁斯·格雷姆（Bruce Graham）
格林兄弟（Greene and Greene）
沃尔特·贝理·格里芬（Walter Burley Griffin）
尼古拉斯·格雷姆萧（Nicholas Grimshaw）
加里诺·加里尼（Guarino Guarini）
赫克多·吉玛德（Hector Guimard）
格瓦思梅·西格尔（Gwathmey-Siegel）
哈德良（Hadrian）
劳伦斯·哈普林（Lawrence Halprin）
汉默尔、格林与阿布拉汉森（Hammel, Green & Abrahamson）
哈迪·霍尔兹曼·弗夫尔事务所（Hardy Holzman Pfeiffer Associates）
哈里斯（Harwell Hamilton Harris）
华莱士·哈里逊（Wallace K.Harrison）
杰西·哈特利（Jesse Hartley）
哈特曼·考克斯（Hartman-Cox）
尼古拉斯·霍克斯穆尔（Nicholas Hawksmoor）
泽维·霍克（Zvi Hecker）
约翰·海杜克（John Hejduk）
亨利·赫伯特（Henry Herbert）
让·托雷多与让·赫里拉（Juan Bautista de Toledo, Juan de Herrera）
赫尔曼·赫兹伯格（Hermann Hertzberger）
库柏·西梅布芬（Coop Himmelblau）
约瑟夫·霍夫曼（Josef Hoffmann）
汉斯·霍莱因（Hans Hollein）
EHDD 乔治·霍姆塞（George Homsey）
让·吉尔德·亨塔南（Juan Gil de Hontanon）
雷蒙德·胡德（Raymond Hood）
迈克尔·霍普金斯（Michael Hopkins）
亨利霍尔二世（Henry Hoare II）
维克多·霍尔塔（Victor Horta）
伊克蒂诺、加利克提士与菲迪亚斯（Ictinus and Callicrates with Phidias）
伊姆贺特普（Imhotep）
伊西多罗斯（Isidoros）
阿纳·雅格布森（Arne Jacobsen）
胡·纽威尔·詹克布森（Hugh Newell Jacobsen）
沙·吉汗皇帝（Emperor Shah Jahan）
赫尔穆特·雅恩（Helmut Jahn）
托马斯·杰斐逊（Thomas Jefferson）
约翰·M·约翰森（John M.Johansen）
约翰逊/伯奇（Johnson/Burgee）
费依·琼斯（Fay Jones）
伊尼戈·琼斯（Inigo Jones）
艾伯特·康（Albert Kahn）路易斯·康（Louis I.Kahn）
赫克·卡普曼（Hack Kampmann）
迈克·德·克拉克（Michael de Klerk）
卡尔曼、米基奈与诺尔斯（Kallmann, McKinnell and Knowles）
卡尔曼、米基奈与伍德（Kallmann McKinnell & Wood）
科纳特·库特森（Knut Knutsen）
皮埃尔·科恩格（Pierre Koenig）
亨利·拉布鲁斯特（Henri Labrouste）
菲利斯·兰伯特（Phyllis Lambert）
本杰明·亨利·拉特罗布（Benjamin Henry Latrobe）
卢西亚诺·洛拉纳（Luciano Laurana）
约翰·劳特纳（John Lautner）
克劳德·尼古拉斯·勒杜（Claude Nicholas Ledoux）
里卡多·理格瑞塔（Ricardo Legorreta）
曼弗雷德·兰布鲁克（Manfred Lehmbruck）
豪与莱斯卡兹（Howe and Lescaze）
皮埃尔·雷斯科（Pierre Lescot）
西格德·劳伦兹（Sigurd Lewerentz）
尼尔·利贝斯金德（Daniel Libeskind）
林璎（Maya Lin）
戈特哈德·林茨（Gotthard Linz）
贝特洛·莱伯金（Berthold Lubetkin）
埃德温·路特恩斯（Edwin Lutyens）
摩尔、林顿、特恩布与惠特克（Moore, Lyndon, Turnbull & Whitaker, MLTW）
MLTW威廉·特恩布（William Turnbull）
佩德罗·马舒卡（Pedro Machuca）
查尔斯·雷尼·马金托什（Charles Rennie Mackintosh）
贝奈德托·达·迈亚诺（Benedetto da Maiano）
罗伯特·马亚尔（Robert Maillart）
阿杜恩·孟莎（Jules Hardouin Mansart）
马多雷、伯希加斯和麦凯（Martorell/Bohigas/Mackay, MBM）
苏珊·马可西曼（Susan Maxman）
库尼奥·马耶卡瓦（Kunio Mayekawa）
威廉·麦克多诺（William McDonough）
彼特·多米尼克（Peter Dominick）
麦基姆、米德与怀特（McKim, Mead and White, MMW）
汤姆·梅恩-莫尔福西斯（Thom Mayne-Morphosis）
梅尔尼科夫（Konstantin Melnikov）
埃里希·门德尔松（Erich Mendelsohn）
吉塞皮·曼哥尼（Giuseppe Mengoni）
亨利·马歇尔（Henry Mercer）
米开朗基罗（Michelangelo）
罗伯特·米尔斯（Robert Mills）
姆奈西克里（Mnesicles）拉菲尔·莫尼奥（Rafael Moneo）
查尔斯·穆尔（Charles Moore）
卡斯帕尔·姆斯布鲁格（Kaspar Moosbrugger）
格伦·默科特（Glen Murcutt）
C.F.墨菲事务所（C.F.Murphy Associates）
皮埃尔·奈尔维（Pier Luigi Nervi）
朱利安与巴巴拉·内斯基（Julian and Barbara Neski）
SOM 沃尔特·纳什（Walter Netsch）
纽曼（Johann Balthasar Neumann）
卢西奥·科斯塔与奥斯卡·尼迈耶（Lucio Costa and Oscar Niemeyer）
奥斯卡·尼迈耶（Oscar Niemeyer）
让·诺威尔（Jean Nouvel）
珍·奥高曼（Juan O'Gorman）
约瑟夫·玛丽亚·奥布里奇（J.M.Olbrich）
拉格纳·奥斯特伯格（Ragnar Ostberg）
弗雷·奥托（Frei Otto）
奥德（J.J.P.Oud）
安托尼·勒·保特利（Antoine le Pautre）
约瑟夫·帕克斯顿（Joseph Paxton）
奥古斯特·贝雷特（Auguste Perret）
巴尔达萨雷·佩鲁齐（Baldassare Peruzzi）
菲迪亚斯（Phidias）
罗杰斯与皮亚诺（Rogers and Piano）
雷玛·彼迪利亚（Reima Pietilia）
汉斯·珀尔茨希（Hans Poelzig）
韦利斯·波克（Willis Polk）
鲍利克莱托斯（Polykleitos）
约翰·拉塞尔·波普（John Russell Pope）
德拉·波尔塔（Giacomo Della Porta）
克里斯蒂安·德·保桑巴克（Christian de Portzamparc）
雅可布·普兰道尔（Jakob Prandtauer）
布鲁斯·普莱斯（Bruce Price）威廉·普莱斯（William Price）
阿方索·雷迪（Affonso Reidy）
拉兹·里华尔（Raj Rewal）
罗伊科斯（Rhoikos）
亨利·霍伯桑·理查森（Henry Hobson Richardson）
格里特·里特维尔德（Gerrit Rietveld）
罗希·丁克洛（Roche-Dinkeloo）
西蒙·罗迪阿（Simon Rodia）
约翰·奥古斯塔斯·罗布林（John Augustus Roebling）
理查德·罗杰斯（Richard Rogers）
朱利欧·罗马诺（Giulio Romano）
伯纳姆与鲁特（Burnham and Root）
阿尔多·罗西（Aldo Rossi）保罗·鲁道夫（Paul Rudolph）
阿尔诺·卢瑟瓦里（Aarno Ruusuvuori）
西姆·范·德·莱思（Sim van der Ryn）
艾罗·萨里南（Eero Saarinen）
伊利尔·萨里南（Eliel Saarinen）
束基·萨达奥（Shoji Sadao）
摩西·萨夫迪（Moshe Safdie）
让佐·萨卡库拉（Junzo Sakakura）
安东尼奥·达·桑加罗（Antonio da Sangallo）
桑迪尼·艾希尔（Jan Blazej Santini-Aichel）
卡洛·斯卡帕（Carlo Scarpa）
汉斯·夏隆（Hans Scharoun）
鲁道夫·辛德勒（Rudolf M.Schindler）
谢普利与布尔芬奇（Shepley and Bulfinch）
卡尔·弗里德里希·辛克尔（Karl Friedrich Schinkel）
弗拉基米尔·舒科夫（Vladimir G.Schuchov）
史莱夫、兰布与哈蒙（Shreve, Lamb and Harmon）
希温弗斯（A.C.Schweinfurth）
乔治·吉尔伯特·斯科特（George Gilbert Scott）
塞那莫特（Senenmut）
约瑟夫·路西·塞特（Joesph Lluis Sert）
默罕默德·沙（Muhammad Shah）
理查德·诺曼·肖（Richard Norman Shaw）
希南（Sinan）
杰·辛格二世（Maharaja Sawai Jai Singh II）
赫基·塞伦（Hekki Siren）
赫基与凯伊加·塞伦（Heikki and Kaija Siren）
斯基德莫尔、奥因斯与梅里尔（Skidmore, Owings and Merrill, SOM）
SOM戈登·邦沙夫特（Gordon Bunshaft）
诺玛·斯科拉里克（Norma Sklarek）
罗伯特·史墨克爵士（Sir Robert Smirke）
彼得与埃里森·史密森（Peter & Alison Smithson）
彼得·史密森（Peter Smithson）
罗伯特·史密森（Robert Smythson）
约翰·索恩爵士（Sir John Soane）
保罗·索列里（Paolo Soleri）
拉斯·斯诺克（Lars Sonck）
雅克斯·苏弗洛（Jacques Germain Soufflot）
亚历山德罗·斯贝奇（Alessandro Specchi）
强·奥托·旺·斯普里克森（Johann Otto von Spreckelsen）
鲁道夫·斯坦纳（Rudolf Steiner）
斯塔夫·斯蒂克利（Gustav Stickley）
詹姆斯·斯特林（James Stirling）
爱德华·斯通（Edward D.Stone）菲利普·古德温与爱德华·斯通（Philip S.Goodwin and Edward D.Stone）
威廉·斯特瑞兰德（William Strickland）
休·斯塔宾斯（Hugh Stubbins）
苏哥（Suger）
莫里斯·德·绪利（Maurice de Sully）
乌拉迪莫·塔特林（Vladimir Tatlin）
布鲁诺·陶特（Bruno Taut）
菲利普·考克斯、理查森与泰勒（Philip Cox, Richardson and Taylor）
约瑟夫·埃西勒（Joseph Eichler）托马斯·特尔福德（Thomas Telford）
吉塞皮·特拉尼（Giuseppe Terragni）
海因里希·特森诺（Heinrich Tessenow）
克洛林多·特斯塔（Clorindo Testa）
本杰明·汤普森（Benjamin Thompson）
斯坦利·泰格曼（Stanley Tigerman）
哈里森·汤森（C.Harrison Townsend）
伯纳德·屈米（Bernard Tschumi）
理查德·特纳（Richard Turner）
拉尔夫·特维希尔（Ralph Twitchell）
耶恩·阿特森（Jorn Utzon）
亨利·凡·德·费尔德（Henry van de Velde）
贾科莫·维尼奥拉（Giacomo Vignola）
拉菲尔·比尼奥利（Rafael Vinoly）
查尔斯·佛依谢（Charles F.A.Voysey）
阿尔弗雷德·沃特豪斯（Alfred Waterhouse）
巴克马与韦伯尔（Bakema and Weeber）
克里斯蒂安·维尔德曼（Christian Wiedemann）
欧文·威廉斯爵士（Sir Owen Williams）
杨·维尔斯（Jan Wils）
约翰·伍德（John Wood）
克里斯多夫·雷恩爵士（Sir Christopher Wren）
威廉·沃斯特（William Wurster）
乔治·怀曼（George H.Wyman）
雅马萨奇（Minoru Yamasaki）
藤原赖通（Fujiwara Yorimichi）
森田芳光（Yoshimitsu）
约翰与多米尼克斯·齐默尔曼（Johan and Dominikus Zimmerman
第五篇：AT89C52芯片
AT89C52 AT89C52是一个低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，AT89C52单片机在电子行业中有着广泛的应用。主要功能特性
1、兼容MCS51指令系统 2、8kB可反复擦写(大于1000次）Flash ROM； 3、32个双向I/O口； 4、256x8bit内部RAM； 5、3个16位可编程定时/计数器中断；
6、时钟频率0-24MHz； 7、2个串行中断，可编程UART串行通道； 8、2个外部中断源，共8个中断源； 9、2个读写中断口线，3级加密位；
10、低功耗空闲和掉电模式，软件设置睡眠和唤醒功能；
11、有PDIP、PQFP、TQFP及PLCC等几种封装形式，以适应不同产品的需求。引脚功能及管脚电压
AT89C52为8 位通用微处理器，采用工业标准的C51内核，在内部功能及管脚
PDIP封装的AT89C52引脚图
排布上与通用的8xc52 相同，其主要用于会聚调整时的功能控制。功能包括对会聚主IC 内部寄存器、数据RAM及外部接口等功能部件的初始化，会聚调整控制，会聚测试图控制，红外遥控信号IR的接收解码及与主板CPU通信等。主要管脚有：XTAL1（19 脚）和XTAL2（18 脚）为振荡器输入输出端口，外接12MHz 晶振。RST/Vpd（9 脚）为复位输入端口，外接电阻电容组成的复位电路。VCC（40 脚）和VSS（20 脚）为供电端口，分别接+5V电源的正负端。P0~P3 为可编程通用I/O 脚，其功能用途由软件定义，在本设计中，P0 端口（32~39 脚）被定义为N1 功能控制端口，分别与N1的相应功能管脚相连接，13 脚定义为IR输入端，10 脚和11脚定义为I2C总线控制端口，分别连接N1的SDAS（18脚）和SCLS（19脚）端口，12 脚、27 脚及28 脚定义为握手信号功能端口，连接主板CPU 的相应功能端，用于当前制式的检测及会聚调整状态进入的控制功能。P0 口 P0 口是一组8 位漏极开路型双向I/O 口，也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8 个TTL逻辑门电路，对端口P0 写“1”时，可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8 位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash 编程时，P0 口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。P1 口
P1 是一个带内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P1 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉
电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。与AT89C51 不同之处是，P1.0 和P1.1 还可分别作为定时/计数器2 的外部计数输入（P1.0/T2）和输入（P1.1/T2EX），Flash 编程和程序校验期间，P1 接收低8 位地址。表.P1.0和P1.1的第二功能 引脚号 功能特性
T2，时钟P1.0 输出 T2EX（定P1.1 时/计数器2）
P2 口
P2 是一个带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P2 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对端口P2 写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。在访问外部程序存储器或16 位地址的外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR 指令）时，P2 口送出高8 位地址数据。在访问8 位地址的外部数据存储器（如执行MOVX @RI 指令）时，P2 口输出P2 锁存器的内容。Flash 编程或校验时，P2亦接收高位地址和一些控制信号。P3 口
P3 口是一组带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口。P3 口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对P3 口写入“1”时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3 口将用上拉电阻输出电流（IIL）。P3 口除了作为一般的I/O 口线外，更重要的用途是它的第二功能,P3 口还接收一些用于Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。RST复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。ALE/PROG 当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址锁存允许）输出脉冲用于锁存地址的低8 位字节。一般情况下，ALE 仍以时钟振荡频率的1/6 输出固定的脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE 脉冲。对Flash 存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（PROG）。如有必要，可通过对特殊功能寄存器（SFR）区中的8EH 单元的D0 位置位，可禁止ALE 操作。该位置位后，只有一条MOVX 和MOVC指令才能将ALE 激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置ALE 禁止位无效。PSEN 程序储存允许（PSEN）输出是外部程序存储器的读选通信号，当AT89C52 由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次PSEN 有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，将跳过两次PSEN信号。EA/VPP 外部访问允许。欲使CPU 仅访问外部程序存储器（地址为0000H—FFFFH），EA 端必须保持低电平（接地）。需注意的是：如果加密位LB1 被编程，复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平（接Vcc端），CPU 则执行内部程序存储器中的指令。Flash 存储器编程时，该引脚加上+12V 的编程允许电源Vpp，当然这必须是该器件是使用12V 编程电压Vpp。XTAL1 振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。XTAL2 振荡器反相放大器的输出端。特殊功能寄存器
在AT89C52 片内存储器中，80H-FFH 共128 个单元为特殊功能寄存器（SFR），SFR 的地址空间映象如表2 所示。并非所有的地址都被定义，从80H—FFH 共128 个字节只有一部分被定义，还有相当一部分没有定义。对没有定义的单元读写将是无效的，读出的数值将不确定，而写入的数据也将丢失。不应将数据写入未定义的单元，由于这些单元在将来的产品中可能赋予新的功能，在这种情况下，复位后这些单元数值总是“0”。
AT89C52除了有AT89C51所有的定时/计数器0 和定时/计数器1 外，还增加了一个定时/计数器2。定时/计数器2 的控制和状态位位于T2CON（参见表3）T2MOD（参见表4），寄存器对（RCAO2H、RCAP2L）是定时器2 在16 位捕获方式或16 位自动重装载方式下的捕获/自动重装载寄存器。编辑本段数据存储器
AT89C52 有256 个字节的内部RAM，80H-FFH 高128 个字节与特殊功能寄存器（SFR）地址是重叠的，也就是高128字节的RAM 和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上它们是分开的。
当一条指令访问7FH 以上的内部地址单元时，指令中使用的寻址方式是不同的，也即寻址方式决定是访问高128 字节RAM 还是访问特殊功能寄存器。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。
例如，下面的直接寻址指令访问特殊功能寄存器0A0H（即P2 口）地址单元。MOV 0A0H，#data 间接寻址指令访问高128 字节RAM，例如，下面的间接寻址指令中，R0 的内容为0A0H，则访问数据字节地址为0A0H，而不是P2 口（0A0H）。MOV @R0，#data 堆栈操作也是间接寻址方式，所以，高128 位数据RAM 亦可作为堆栈区使用。·定时器0和定时器1：
AT89C52的定时器0和定时器1 的工作方式与AT89C51 相同。片上资源
定时器2基本特性： 定时器2 是一个16 位定时/计数器。它既可当定时器使用，也可作为外部事件计数器使用，其工作方式由特殊功能寄存器T2CON（如表3）的C/T2 位选择。定时器2 有三种工作方式：捕获方式，自动重装载（向上或向下计数）方式和波特率发生器方式，工作方式由T2CON 的控制位来选择。定时器2 由两个8 位寄存器TH2 和TL2 组成，在定时器工作方式中，每个机器周期TL2 寄存器的值加1，由于一个机器周期由12 个振荡时钟构成，因此，计数速率为振荡频率的1/12。
在计数工作方式时，当T2 引脚上外部输入信号产生由1 至0 的下降沿时，寄存器的值加1，在这种工作方式下，每个机器周期的5SP2 期间，对外部输入进行采样。若在第一个机器周期中采到的值为1，而在下一个机器周期中采到的值为0，则在紧跟着的下一个周期的S3P1 期间寄存器加1。由于识别1 至0 的跳变需要2 个机器周期（24 个振荡周期），因此，最高计数速率为振荡频率的1/24。为确保采样的正确性，要求输入的电平在变化前至少保持一个完整周期的时间，以保证输入信号至少被采样一次。捕获方式：
在捕获方式下，通过T2CON 控制位EXEN2 来选择两种方式。如果EXEN2=0，定时器2 是一个16 位定时器或计数器，计数溢出时，对T2CON 的溢出标志TF2 置位，同时激活中断。如果EXEN2=1，定时器2 完成相同的操作，而当T2EX 引 脚外部输入信号发生1 至0 负跳变时，也出现TH2 和TL2 中的值分别被捕获到RCAP2H 和RCAP2L 中。另外，T2EX 引脚信号的跳变使得T2CON 中的EXF2 置位，与TF2 相仿，EXF2 也会激活中断。
自动重装载（向上或向下计数器）方式：
当定时器2工作于16位自动重装载方式时，能对其编程为向上或向下计数方式，这个功能可通过特殊功能寄存器T2CON（见表5）的DCEN 位（允许向下计数）来选择的。复位时，DCEN 位置“0”，定时器2 默认设置为向上计数。当DCEN置位时，定时器2 既可向上计数也可向下计数，这取决于T2EX 引脚的值，当DCEN=0 时，定时器2 自动设置为向上计数，在这种方式下，T2CON 中的EXEN2 控制位有两种选择，若EXEN2=0，定时器2 为向上计数至0FFFFH 溢出，置位TF2 激活中断，同时把16 位计数寄存器RCAP2H 和RCAP2L重装载，RCAP2H 和RCAP2L 的值可由软件预置。若EXEN2=1，定时器2 的16 位重装载由溢出或外部输入端T2EX 从1 至0 的下降沿触发。这个脉冲使EXF2 置位，如果中断允许，同样产生中断。定时器2 的中断入口地址是：002BH ——0032H。
当DCEN=1 时，允许定时器2 向上或向下计数，如图6 所示。这种方式下，T2EX 引脚控制计数器方向。T2EX 引脚为逻辑“1”时，定时器向上计数，当计数0FFFFH 向上溢出时，置位TF2，同时把16 位计数寄存器RCAP2H 和RCAP2L 重装载到TH2 和TL2 中。T2EX 引脚为逻辑“0”时，定时器2 向下计数，当TH2 和TL2 中的数值等于RCAP2H 和RCAP2L中的值时，计数溢出，置位TF2，同时将0FFFFH 数值重新装入定时寄存器中。
当定时/计数器2 向上溢出或向下溢出时，置位EXF2 位。波特率发生器：
当T2CON（表3）中的TCLK 和RCLK 置位时，定时/计数器2 作为波特率发生器使用。如果定时/计数器2 作为发送器或接收器，其发送和接收的波特率可以是不同的，定时器1 用于其它功能，如图7 所示。若RCLK 和TCLK 置位，则定时器2工作于波特率发生器方式。
波特率发生器的方式与自动重装载方式相仿，在此方式下，TH2 翻转使定时器2 的寄存器用RCAP2H 和RCAP2L 中的16位数值重新装载，该数值由软件设置。在方式1 和方式3 中，波特率由定时器2 的溢出速率根据下式确定：
方式1和3的波特率=定时器的溢出率/16定时器既能工作于定时方式也能工作于计数方式，在大多数的应用中，是工作在定时方式（C/T2=0）。定时器2 作为波特率发生器时，与作为定时器的操作是不同的，通常作为定时器时，在每个机器周期（1/12 振荡频率）寄存器的值加1，而作为波特率发生器使用时，在每个状态时间（1/2 振荡频率）寄存器的值加1。波特率的计算公式如下： 方式1和3的波特率=振荡频率/{32*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 式中（RCAP2H，RCAP2L）是RCAP2H 和RCAP2L中的16 位无符号数。
定时器2 作为波特率发生器使用的电路如图7 所示。T2CON 中的RCLK 或TCLK=1 时，波特率工作方式才有效。在波特率发生器工作方式中，TH2 翻转不能使TF2 置位，故而不产生中断。但若EXEN2 置位，且T2EX 端产生由1 至0 的 负跳变，则会使EXF2 置位，此时并不能将（RCAP2H，RCAP2L）的内容重新装入TH2 和TL2 中。所以，当定时器2 作为波特率发生器使用时，T2EX 可作为附加的外部中断源来使用。需要注意的是，当定时器2 工作于波特率器时，作为定 时器运行（TR2=1）时，并不能访问TH2 和TL2。因为此时每个状态时间定时器都会加1，对其读写将得到一个不确定的数值。
然而，对RCAP2 则可读而不可写，因为写入操作将是重新装载，写入操作可能令写和/或重装载出错。在访问定时器2或RCAP2 寄存器之前，应将定时器关闭（清除TR2）。可编程时钟输出：
定时器2 可通过编程从P1.0 输出一个占空比为50%的时钟信号，如图8 所示。P1.0 引脚除了是一个标准的I/O 口外，还可以通过编程使其作为定时/计数器2 的外部时钟输入和输出占空比50%的时钟脉冲。当时钟振荡频率为16MHz 时，输 出时钟频率范围为61Hz—4MHz。
当设置定时/计数器2 为时钟发生器时，C/T2（T2CON.1）=0，T2OE（T2MOD.1）=1，必须由TR2（T2CON.2）启动或停止定时器。时钟输出频率取决于振荡频率和定时器2 捕获寄存器（RCAP2H，RCAP2L）的重新装载值，公式如下： 输出时钟频率=振荡器频率/{4*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 在时钟输出方式下，定时器2 的翻转不会产生中断，这个特性与作为波特率发生器使用时相仿。定时器2 作为波特率发生器使用时，还可作为时钟发生器使用，但需要注意的是波特率和时钟输出频率不能分开确定，这是因为它们同使用RCAP2L和RCAP2L。UART串口
AT89C52的UART 工作方式与AT89C51 工作方式相同。时钟振荡器
AT89C52 中有一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器，引脚XTAL1 和XTAL2 分别是该放大器的输入端和输出端。
这个放大器与作为反馈元件的片外石英晶体或陶瓷谐振器一起构成自激振荡器，振荡电路参见图10。
外接石英晶体（或陶瓷谐振器）及电容C1、C2 接在放大器的反馈回路中构成并联振荡电路。对外接电容C1、C2 虽然没有十分严格的要求，但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的稳定性、起振的难易程序及温度稳 定性，如果使用石英晶体，我们推荐电容使用30pF±10pF，而如使用陶瓷谐振器建议选择40pF±10pF。
用户也可以采用外部时钟。采用外部时钟的电路如图10 右图所示。这种情况下，外部时钟脉冲接到XTAL1 端，即内部时钟发生器的输入端，XTAL2 则悬空。由于外部时钟信号是通过一个2 分频触发器后作为内部时钟信号的，所以对外部时钟信号的占空比没有特殊要求，但最小高电平持续时间和最大的低电平持续时间应符合产品技术条件的要求。中断
AT89C52 共有6 个中断向量：两个外中断（INT0 和INT1），3 个定时器中断（定时器0、1、2）和串行口中断。所有这些中断源如图9 所示。
这些中断源可通过分别设置专用寄存器IE 的置位或清0 来控制每一个中断的允许或禁止。IE 也有一个总禁止位EA，它能控制所有中断的允许或禁止。注意表5 中的IE.6 为保留位，在AT89C51 中IE.5 也是保留位。程序员不应将“1”写入这些位，它们是将来AT89 系列产品作为扩展用的。
定时器2 的中断是由T2CON 中的TF2 和EXF2 逻辑或产生的，当转向中断服务程序时，这些标志位不能被硬件清除，事实上，服务程序需确定是TF2 或EXF2 产生中断，而由软件清除中断标志位。
定时器0 和定时器1 的标志位TF0 和TF1 在定时器溢出那个机器周期的S5P2 状态置位，而会在下一个机器周期才查询到该中断标志。然而，定时器2 的标志位TF2 在定时器溢出的那个机器周期的S2P2 状态置位，并在同一个机器周期内查询到该标志。低功耗模式
空闲节电模式
在空闲工作模式状态，CPU 自身处于睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态，这种方式由软件产生。此时，同时将片内RAM 和所有特殊功能寄存器的内容冻结。空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止。由硬件复位终止空闲状态只需两个机器周期有效复位信号，在此状态下，片内硬件禁止访问内部RAM，但可以访问端口引脚，当用复位终止空闲方式时，为避免可能对端口产生意外写入，激活空闲模式的那条指令后一条指令不应是一条对 端口或外部存储器的写入指令。掉电模式
在掉电模式下，振荡器停止工作，进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令，片内RAM 和特殊功能寄存器的内容在终止掉电模式前被冻结。退出掉电模式的唯一方法是硬件复位，复位后将重新定义全部特殊功能寄存器，但不改变RAM中的内容，在Vcc恢复到正常工作电平前，复位应无效，且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作。编程和加密
Flash存储器的编程
AT89C52单片机内部有8k字节的Flash PEROM，这个Flash 存储阵列出厂时已处于擦除状态（即所有存储单元的内容均为FFH），用户随时可对其进行编程。编程接口可接收高电压（+12V）或低电压（Vcc）的允许编程信号。低电压编程模式适合于用户在线编程系统，而高电压编程模式可与通用EPROM 编程器兼容。AT89C52 单片机中，有些属于低电压编程方式，而有些则是高电压编程方式，用户可从芯片上的型号和读取芯片内的签名字节获得该信息。
AT89C52 的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片内的PEROM 程序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。编程方法
编程前，须按表9 和图11 所示设置好地址、数据及控制信号，AT89C52 编程方法如下：
1． 在地址线上加上要编程单元的地址信号。2． 在数据线上加上要写入的数据字节。3． 激活相应的控制信号。
4． 在高电压编程方式时，将EA/Vpp 端加上+12V 编程电压。
5． 每对Flash 存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个ALE/PROG 编程脉冲。每个字节写入周期是自身定时的，通常约为1.5ms。重复1—5 步骤，改变编程单元的地址和写入的数据，直到全部文件编程结束。程序存储器的加密
AT89C52 有3 个程序加密位，可对芯片上的3 个加密位LB1、LB2、LB3 进行编程（P）或不编程（U）来得到。
当加密位LB1 被编程时，在复位期间，EA 端的逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后一直没有复位，则锁存起的初始值是一个随机数，且这个随机数会一直保存到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存的EA 电平值必须与该引脚当前的逻辑电平一致。此外，加密位只能通过整片擦除的方法清除。数据查询
AT89C52 单片机用Data Palling 表示一个写周期结束为特征，在一个写周期中，如需读取最后写入的一个字节，则读出的数据的最高位（P0.7）是原来写入字节最高位的反码。写周期完成后，所输出的数据是有效的数据，即可进入下一个字节的写周期，写周期开始后，Data Palling 可能随时有效。Ready/Busy：字节编程的进度可通过“RDY/BSY 输出信号监测，编程期间，ALE 变为高电平“H”后，P3.4（RDY/BSY）端电平被拉低，表示正在编程状态（忙状态）。编程完成后，P3.4 变为高电平表示准备就绪状态。
程序校验：如果加密位LB1、LB2 没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据，采用如图12的电路。加密位不可直接校验，加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证。
芯片擦除：利用控制信号的正确组合（表6）并保持ALE/PROG 引脚10mS 的低电平脉冲宽度即可将PEROM 阵列（4k字节）和三个加密位整片擦除，代码阵列在片擦除操作中将任何非空单元写入“1”，这步骤需再编程之前进行。读片内签名字节：AT89C52 单片机内有3 个签名字节，地址为030H、031H 和032H。用于声明该器件的厂商、型号和编程电压。读AT89C52 签名字节需将P3.6 和P3.7 置逻辑低电平，读签名字节的过程和单元030H、031H 及032H 的正常校验相仿，只返回值意义如下：
（030H）=1EH 声明产品由ATMEL公司制造。（031H）=52H 声明为AT89C52 单片机。（032H）=FFH 声明为12V 编程电压。（032H）=05H 声明为5V 编程电压。
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