第一篇：三极管原理全总结
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC 2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止 （1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。 （2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。 （3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。这时的三极管c、e 极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。 3、三极管三种工作区的电压测量 如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。 饱和状态 eb有正偏压约0.65V左右,ce电压接近0V.放大状态 eb有正偏压约0.6V,ce电压大于0.6V小于电源电压.截止状态 eb电压低于0.6V,ce电压等于或接近电源.在实际工作中，可用测量BJT各极间电压来判断它的工作状态。NPN型硅管的典型数据是：饱和状态Ube=0.7V，Uce=0.3V；放大区Ube=0.7V；截止区Ube=0V。这是对可靠截止而言，实际上当Ube<0.5V时，即已进入截止状态。对于PNP管，其电压符号应当相反。 截止区：就是三极管在工作时，集电极电流始终为0。此时，集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN型硅三极管来说，当Ube在0～0.5V 之间时，Ib很小，无论Ib怎样变化，Ic都为0。此时，三极管的内阻（Rce）很大，三极管截止。当在维修过程中，测得Ube低于0.5V或Uce接近电源电压时，就可知道三极管处在截止状态。放大区：当Ube在0.5～0.7V 之间时，Ube的微小变化就能引起Ib的较大变化，Ib随Ube基本呈线性变化，从而引起Ic的较大变化（Ic=βIb）。这时三极管处于放大状态，集电极与发射极间电阻（Rce）随Ube可变。当在维修过程中，测得Ube在0.5～0.7V之间时，就可知道三极管处在放大状态。 饱和区：当三极管的基极电流（Ib）达到某一值后，三极管的基极电流无论怎样变化，集电极电流都不再增大，一直处于最大值，这时三极管就处于饱和状态。三极管的饱和状态是以三极管集电极电流来表示的，但测量三极管的电流很不方便，可以通过测量三极管的电压Ube及Uce来判断三极管是否进入饱和状态。当Ube略大于0.7V后，无论Ube怎样变化，三极管的Ic将不能再增大。此时三极管内阻（Rce）很小，Uce低于0.1V，这种状态称为饱和。三极管在饱和时的Uce 称为饱和压降。当在维修过程中测量到Ube在0.7V 左右、而Uce低于0.1V 时，就可知道三极管处在饱和状态。 截止区：Ub<=Uce且Uce>Ube 放大区：Ube>Uon且UCE>=Ube，即Uc>Ub>Ue。饱和区：Ube>Uon且Uce 4、三极管用于开关电路的原理 两个PN结都导通，三极管导通，这时三极管处于饱和状态，即开关电路的“开”状态，这时CE极间电压小于BE极间电压。两个PN结均反偏，即为开关电路的“关”状态，三极管截止。 5.三极管构成放大器有三种电路连接方式 共射极放大器，发射极为公共端，基极为输入端，集电极为输出端。共集极放大器，集电极为公共端，基极为输入端，发射极为输出端。共基极放大器，基极为公共端，发射极为输入端，集电极为输出端。 6、PNP管和NPN管的用法 a.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择NPN。b.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择PNP。c.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择NPN。d.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择PNP。NPN基极高电压，极电极与发射极短路(导通).低电压，极电极与发射极开路.也就是不工作。 PNP基极高电压,极电极与发射极开路，也就是不工作。如果基极加低电位，集电极与发射极短路（导通）。 7、晶体三极管是一种电流控制元件。在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻(在三极管的集电极与电源之间接一个电阻)转变为电压放大作用。 共射极电路的电流放大系数为β，共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1，而β的值则远大于1（通常在几十到几百的范围内），所以Ic>>Ib。由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大，还可得到电流放大，致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。 8、三极管在电路的应用 由于单片机的输出电流很小，不能直接驱动LED，需要加装扩流电路，最简单的就是加装一个射极跟随器（共集电极电路）足以驱动LED了。射极跟随器的发射极接负载，集电极接地，基极接单片机IO口。 共射极接法和共集电极接法的区别 共集、共基、共射指的是电路，是三极管电路的连接状态而不是三极管。所谓“共”，就是输入、输出回路共有的部分。其判断是在交流等效电路下进行的。在交流通路下，电源正极相当于接地。哪一个极接地，就是共哪个极电路。共集电极电路----三极管的集电极接地，集电极是输入与输出的公共极； 共基极电路----三极管的基极接地，基极是输入与输出的公共极； 共发射极电路----三极管的发射极接地，发射极是输入与输出的公共极。8.1、NPN管在电路中的应用 区别很大。 首先，你的图有些问题，在B极、E或C极回路上必须要有限流电阻，不然会烧元件或者拉低电压的。 Q1应该是共集电极电路吧，Q2算共射电路。此处输入电压3V3代表3.3V。一般情况不使用Q1电路，都使用Q2电路。 Q1电路中，随着Q1的导通，E极电压上升，升到E极电压上升到3V（锗管）或2.6V（硅管）时，Q1的BE结电压开始减小，使Q1欲退出饱和状态，如此Q1的电压就钳在3V或2.6V左右，Q1的输出电压相对较低，不可能超过3V（按锗管算，BE也得0.3V的压降）。因为Ube=0.7V（硅管）/0.3V（锗管）。 Q1电路无法进入饱和状态?如果Q1进入饱和状态,电流Ic增大,集电极本来就有限流电阻R,Ic*R>Vcc-Ie*Rled? Rled为LED的电阻。 Q2电路简单，只要BE电压达到0.3V（锗管）或0.7V（硅管），Q2饱和导通，5V电压就加于负载。负载电压不受B极驱动电压的影响。 综上所述：NPN管（高电平导通）采用共集电极接法时输出电压较低，采用共射极接法时输出电压相对较高。 8.2 PNP管在电路中的应用 两种接法各有用途，不能说哪种更好 左边是共发射极接法，右边是共集电极接法，由于发射极和基极间的电位只差0.7V，大致可看成Ve=Vb，因此又叫做射级跟随器。 当目的是要驱动一个数字量器件（如继电器/蜂鸣器）时，左边的共射电路是最标准的用法：T1要么截止要么饱和导通，导通时T1上的压降很小，电源电压几乎都落到负载B1上，T1相当于一个开关。采用右图的射随接法继电器/蜂鸣器虽也能工作，但因三极管不会饱和，使得负载得不到接近电源的电压，反而要使三极管的功耗增大，是值得注意的。 左图：拉低T1的基极电平使其导通（限流电阻不可省），T1即饱和，Vce仅约0.2V。 右图：拉低T2的基极电平（假设为0.3V），T2虽导通但无法完全饱和，因导通的条件是Vbe（实际应为Veb）上有0.7V，所以T2的Vce（实际应为Vec）=0.3+0.7=1V。 可见左右两种电路在三极管c-e上的压降不同，右图三极管的功耗要大于左图，负载上得到的电压则较低。 综上所述，PNP管（低电平导通）采用共集电极接法时无法进入饱和状态，采用共射极接法时饱和压降低。 所以在电路中不管是PNP管还是NPN管一般采用共射极接法，即集电极接负载；共集电极接法（又称射级跟随器）有电流放大而无电压放大。如果把三极管当开关用，负载最好接在集电极（不管是NPN还是PNP管），这样接导通时饱和压降小一点。接在集电极作负载的是电压放大，接在发射极做负载的是电流放大。 不管是NPN还是PNP三极管负载可以接在集电极也可以接在发射极，至于哪种接法要根据放大电路的要求来定，负载接在集电极的叫共射放大电路，具有电压放大作用，另一种负载接在发射极的称共集电极放大电路，具有电流放大作用，具有高输入阻抗，低输出阻抗的特点，同样是一种放大电路又称阻抗匹配电路。 8.3 一般典型用法是三极管基极接单片机IO口（P0-P3）。 三极管的集电极电流（Ic）小可以更容易进入饱和状态。三极管的饱和电流由C极负载决定,这里说的是e极上无电阻的情况.一般说负载大是指电流大,也就是电阻小。 怎么使三极管进入饱和状态？（此处NPN三极管基极接单片机IO口，发射极接地，集电极通过负载接5V电源）答案：增加基极电流，使基极电流乘以放大倍数大于集电流。因为三极管放大倍数有离散性,所以计算时要用你所用一三极管中可能的最小放大倍数。用最小放大倍数算,放大倍数较大的管子上去也能用,只是饱和深度深些,多少影响点响应速度。用最大放大倍数算,放大倍数较小的管子上去就不能保证饱和。如果单片机输出电流不够就要加放大级。 假如发射极直接接地而不串联电阻，如果三极管是NPN管，单片机IO口输出高电平，则加在三极管的电流会过大而烧毁三极管。另一种情况，假设为PNP管（E极接Vcc），单片机IO口输出低电平时三极管烧毁。一般会在单片机与三极管基极间加限流电阻（？）。 驱动蜂鸣器的电路要求工作在饱和状态下是为了提高电源的使用效率,并不是必需条件.比如说使用的蜂鸣器额定电压低于电源电压,这时就要在C极上串电阻或采用恒流电路来限制电流.pnp与npn的用法有所不同，一般来说pnp的管子射极接电源，且b极接上拉以确保关断，npn的管子射极接地，b极下拉。9013是npn管，高电平导通，9012是pnp管，低电平导通。这种做法只适应于相对较高输入阻抗电路，以提高抗干扰特性，防误触发。如果还想可靠点，此电阻上还可加一只103～104独石。 三极管如工作在饱和状态也就是开的状态，那么就是双结正偏 这是书上的解释 我自己的理解是这样的： 饱和状态和从放大状态转变过来的，极电结和发射结正偏是结果，而不是原因 就是说，三极管首先工作在放大状态，极电结反偏，发射结正偏 当基级电流增大时，一直增大到三极管的非线性区（这里指的是饱和区），注意，在这一瞬间偏置情况并未改变，也就是说依然是极电结反偏，发射结正偏。当三极管完全进入饱和区之后，才使得极电结正偏 我的核心意思是，使得三极管进入饱和导通的外界原因是基级电流增大到进入饱和的程度，而不是通过给三极管加2个正向偏压使得三极管导通 我这样理解，请问有问题吗？ 答：你的理解没有错误，理解到这种程度已经下了功夫了。但确实还有一点问题，主要在于： 1、过于在意“极电结正偏”了。其实，在饱和区，即便是极电结正偏，也还没有达到极电结的正向导通电压。不过，一般人都会被“正偏”误导。 2、饱和的含义：集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了，这种现象就叫做饱和。而“三极管如工作在饱和状态，那么就是双结正偏”是现象或因果关系，也不算解释。饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系（请复习三极管构造）。 3、三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。 4、通过给三极管发射结加上正向导通偏压，同时给集电结加上正偏，三极管一定是在饱和区（一定不在放大区，包含Ic为零的情形）。 以上这些关键点，补课也补不来的。当然，不学的人也看不到这个问题。 答： 理解正确!集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了,管子就饱和了,随着基极电流的继续增加,还会达到一种叫做深度饱和状态,管子压降很低,如果此时在电路中没有限制电流的装置,极易将三极管烧毁. 1、晶体三极管简介。 晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。如图2-17所示。(用Q、VT、PQ表示)三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：(1)基区的宽度做的非常薄;(2)发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。 2、晶体三极管的工作原理。 其次，三极管工作必要条件是(a)在B极和E极之间施加正向电压(此电压的大小不能超过1V);(b)在C极和E极之间施加反向电压(此电压应比eb间电压较高);(c)若要取得输出必须施加负载。 (1)基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。 (2)基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因 而就没有集电极电流产生。 综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用(开关特性)。 3、晶体三极管共发射极放大原理。 A、vt是一个npn型三极管，起放大作用。 B、ecc 集电极回路电源(集电结反偏)为输出信号提供能量。 C、rc 是集电极直流负载电阻，可以把电流的变化量转化成电压的变化量反映在输出端。 D、基极电源ebb和基极电阻rb，一方面为发射结提供正向偏置电压，同时也决定了基极电流ib.E、cl、c2作用是隔直流通交流偶合电容。 F、rl是交流负载等效电阻。 交流通路：ui正端-cl-vtb-vtc-c2-rl-ui负端。 (1)在日常使用中采用两组电源不便，可用一组供电。 (2)为简化电路，用“UCC”的端点和“地”表示直流电源。 (3)把输入信号电压、输出信号电压和直流电源的公共端点称为“地”并用符号“丄”表示，以地端作零电位参考。 三极管原理总结 1.一定要有多子少子的概念，p类半导体多子是空穴，少子是电子，n类半导体多子是电子，少子是空穴。 2.PN结内部会形成内电场，方向为N到P，(N区的多子进入P区，在原地留下空穴，显正电性，P区的空穴被N区的电子进入，显负电性)抑制多子的继续扩散，然而内电场却利于少子的漂移，少子漂移削弱了内电场，又有利于多子的扩散，最终达到动态平衡。 3.二极管正向偏压时，外加电压削弱了pn结中的内电场，使得多子继续扩散，最终形成电流，二极管导通。 4.二极管反向偏压时，外加电压增强了pn结中的内电场，使得多子更加难以扩散，然而却增强了少子的漂移，所以会形成微弱的少子电流，称为反向饱和电流。 5.反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。 6.三极管be结正向偏置时，cb反向偏置时，e区的多子：自由电子会作为cb结p区的少子注入到cb区，而cb结的内电场使得be过来的自由电子极易通过，最终形成Ic。(以下讨论均基于npn三极管) 7.集电极电流Ic和Uce没有关系，Uce的作用主要是维持bc结的反偏状态，满足三极管放大态的外部电路条件。(当然，当Uce小到一定程度时，就会影响到Ic) 8.三极管的饱和状态：增大Ib，Ic会随之增大，然而总存在一个临界的Ib，再增大Ic也不会再随之增大了，此时三极管进入饱和状态。这是因为Ic越大，Uce上分到的电压就越少，最终Uce又会反过来影响Ic，使Ic减小，最终达到平衡。 9.三极管可以构成出电流源(保持Ib恒定)，但此电流源是有限制的：负载上的分压是以Uce的减小为代价的，当负载越来越大，导致Uce过小时，便无法再维持Ic稳定不变了。 10.当三极管构成电流源时，此时可以把三极管看成一个神奇的动态电阻：当负载RL变化时，此动态电阻的值为Vcc / Ic-RL，动态电阻通过自身的阻值变化，总是想维持Ic的恒定。 新晨阳电子有限公司 三极管的作用总结 提及三极管，我们马上就可以想到它可以放大电流，电流由基极流至集电极的过程中，便不知不觉的被放大了β倍。那么贴片三极管仅起到电流放大作用吗?它还能不能完成其他任务呢? 新晨阳电子 什么是三极管 三极管，半导体三极管的简称，我们也经常将其称为双极型晶体管、晶体三极管。三极管是一种基本的电流控制电流的半导体元器件，具有电流放大的作用，是电子电路的核心元件。现已广泛用于各领域各功能电路中。 电流放大 三极管的作用之一就是电流放大，这也是其最基本的作 新晨阳电子有限公司 用。以共发射极接法为例，一旦由基极输入一个微小的电流，在集电极输出的电流大小便是输入电流的β倍，β被叫做三极管的电流放大系数。将输入的微弱信号扩大β倍后输出，这便是三极管的电流放大作用。 新晨阳电子 用作开关 三极管的作用之二就是用作开关。三极管在饱和导通时，其CE极间电压很小，低于PN结导通电压，CE极间相当于短路，“开关”呈现开的状态;三极管在截止状态时，其CE极间电流很小，相当于断路，“开关”呈现关的状态。因此可完成开关的功能，且其开关速度极快，控制灵敏，且不产生电火花。 新晨阳电子有限公司 扩流 三极管的作用之三就是扩流作用，在某些情况下，可扩大电流限值或贴片电容容量等。比如：将小功率可控硅与大功率三级管相结合，可以得到大功率可控硅，扩大了最大输出电流值;在长延时电路中，三极管可完成扩大电容容量的作用。 代换 三极管的作用之四就是代换作用，在一定情况下与某些电子元器件如贴片钽电容相结合可代换其它器件，完成相应功能。比如：两只三极管串联可代换调光台灯中的双向触发贴片二极管;在某些电路中，三极管可以代换8V的稳压管，代换30V的稳压管等等。 《晶体三极管的测试》说课稿 一、说教材 （一）教材分析 《晶体三极管的测试》是中国劳动社会保障出版社出版的《电工学》第六章第三节《晶体三极管》中的内容。本节是《常用半导体器件》这章的重点内容之一。本节内容是理解基本放大电路的一个基础，对它的讲解清晰与否，直接影响学生对后续专业课程的学习。 （二）学情分析 本课程的对象是中职学生，而中等职业学校的学生普遍存在学习基础较差、理解能力较弱、对理论学习不太感兴趣和实践操作较感兴趣，理论与实践往往脱节的现象，但也有显著优点：活泼好动，好奇心强。由于三极管三极判断时用到PN结正反向电阻；NPN、PNP型和万用表的红、黑表笔等最容易混淆，所以很多同学学习这一节时感到很困难，怎样让学生掌握判别方法是我这节课的目的所在。 （三）教学目标 1、知识目标： ①了解PN结的特点； ②帮助学生理解判断三极管三极原理，知其然还要知其所以然； ③帮助学生掌握快速准确判断方法。 2、技能目标： 提高学生理论指导实践的能力，提高动手操作能力。 3、德育目标： ①培养知其然还要知其所以然的学习态度； ②培养踏实严谨的工作作风，锲而不舍的工作精神。 （四）教学重点 三极管三极的判断方法的理解。 （五）教学难点 三极管三极的集电极C判断方法的理解。 二、说教法 为了很好的实现上述教学目标，我采用了以下一些教学方法： 1、启发引导教学法：教学中把实际例子加入到课堂中，从生活中的电器切入，采用提问的方式，引发学生讨论、思考，提高学生学习积极性。 2、示范演示教学法：通过实际演示操作一步一步地解释帮助学生理解为什么要这样做，让学生加深理解并掌握。活跃了课堂气氛，提高了课堂效率。 3、对比教学法：将指针式万用表与数字式对比，得出测量结论的区别。将NPN型和PNP型管内部结构进行对比，得出不同测量结论。 三、说学法 教师的最终任务不应该只是传授学生知识，而应该是教授学生如何获取知识, 因此为了使学生学会学习，我打算在授课过程中让学生充分发挥自主性，积极主动参与教学，通过学生的动脑、动手、质疑等环节完成教学内容。这样既突出了学生的主体地位，又让学生通过自己的思考、讨论、分析等，达到理论和实践上相结合的教育目的。 四、说教学过程 依据以上教学目标和教学方法，我设计了如下教学环节： （一）复习旧课，导入新课。 问题1：万用表的电阻档等效电路还记得吗？问题2：怎样判断晶体二极管好坏？ 学生找到答案：（要求学生用自己的语言回答）问题3：画出三极管的内部结构和符号。 学生：自己画，自己检查。让一个学生到黑板上来画，老师巡视，从而导入新课。问题4：你能画出最基本的两种型号的共射放大电路吗？ （二）新课讲授，讲议、讲练结合 1.从问题 1、问题2与问题3引出怎样判断三极管的基极b： 教师讲授：用黑表笔接假定的基极，用红表笔分别接触另外两个极，若测得电阻都小，(或电阻都大）；而将黑、红两表笔对调，测得电阻均较大，(或电阻都小），此时假定的引脚就是基极。总结规律：两次都大，（反过来）两次都小判基极。 2.判断三极管型号的方法： 学生做：手中的三极管是什么型号呢？（自己判断） 老师教学生想的方法：PN结填空定型号先把三极管看作两个二极管，黑表笔接基极，红表笔分别碰另外两个极，如果测得的电阻都小，说明二极管导通，则基区为P型半导体。反之为N型半导体 教师示范：教师演示测一个三极管，边做边带学生讲想法。这样把上面的内容也作了一 个小结。学生做：每个学生再快速地测一个三极管的基极与型号。让学生思考、讨论。 规律总结：PN结填空判型号。3.怎样判断三极管的集电极c？ 先学生做、教师提示，学生思考：根据问题4可以知道，放大电路可以用万用表代替，基极偏置电阻可以用手指电阻代替，只要接法正确，三极管就可以导通工作在放大区域，这时流过万用表表头的电流较大，指针偏转角度较大，反之，偏转角度较小。我们就根据这个原理来判断集电极。试着去测一下，测不出没关系，但要仔细想一下。关键怎样把电路与实物对应起来。总结规律：两次假设，两个电路判集电极。 学生再做一次：巡视看效果。 （三）本节小结： 判断三极管三极的步骤和方法： 第一步：判基极。两次都大（反过来）两次都小，（假设的脚）是基极。第二步：判型号。用PN结填空判型号。 第三步：判集电极。两次假设，两个电路（NPN与PNP型直流放大电路）判集电极。 五、板书设计问题1：万用表的电阻档等效电路还记得吗？问题2：怎样判断晶体二极管好坏？ （一）复习旧课，导入新课：问题3：画出三极管的内部结构和符号晶体三极管三极判断 （二）导入新课晶体三极管三极判断步骤与方法问题4：你能画出两种型号三极管的共射直流放大电路吗？ 1、晶体三极管基极的判断方法：两次都大，两次都小判基极 2、三极管型号的判断方法：PN结填空定型号 3、三极管集电极判断方法：两次假设，两个电路判集电极 （三）做：测两个 （四）小结 （五）课外练习 半导体三极管 学科：电子技术基础 班级：11秋电子技术应用9班 教师：胡明锋 授课类型：讲授 课时：一课时 一、教学目标： 知识目标 识记半导体三极管的定义、掌握三极管的结构、分类和符号。技能目标 能够画出半导体三极管的结构和符号，能够识别出三极管。情感目标 培养学生发现问题的能力，归纳知识的能力。 二、教学重点： 1.三极管的定义、结构、符号。2.三极管的NPN、PNP两种类型的认识。 三、教学难点 三极管的结构、符号、三极管的NPN、PNP两种类型的认识 四、教学媒体 多媒体课件、半导体三极管、半导体二极管、粉笔。 五、教学方法 讲授法、演示法。 六、教学过程 （一）、导入新课 1.复习内容：复习上节课半导体二极管的知识，重点复习半导体的定义、PN结的定义和特性，半导体二极管的符号和主要特性。 2.导入新课：在半导体器件中，除了半导体二极管外还有一种广泛应用于各种电子电路的重要器件，那就是半导体三极管，通常也称为晶体管。半导体三极管在电子电路里的主要作用是放大作用 （二）、半导体三极管的结构和符号： 1.观察半导体三级管的结构并熟识该图，要求能完整画出该图。2.PNP型及NPN型三极管的内部结构及符号如图所示 半导体三极管的结构与符号 PNP型 NPN型 3.半导体三极管是一种有三个电极、两个PN结的半导体器件。三区：发射区、基区、集电区。三极：发射极E、基极B、集电极C。 两结：发射结（发射极与基极之间的PN结）、集电结（集电极与基极之间的PN结）。 4.根据半导体基片材料不同，三极管可分为PNP型和NPN型两大类。 5.两者的符号区别在于发射极的箭头方向不同。箭头方向就是发射极正向电流的方向。 （三）、半导体三极管的分类 1.按半导体基片材料不同：NPN型和PNP型。2.按功率分：小功率管和大功率管。3.按工作频率分：低频管和高频管。4.按管芯所用半导体材料分：锗管和硅管。5.按结构工艺分：合金管和平面管。6.按用途分：放大管和开关管。 （四）、外形及封装形式 三极管常采用金属、玻璃或塑料封装。常用的外形及封装形式如图所示。 七、作业 1.画出PNP型及NPN型三极管的内部结构及符号并指出三个电极、两个PN结。2.半导体三极管的分类有哪几种？ 八、板书设计 1.半导体三极管的结构 2.半导体三极管的符号 3.半导体三极管的定义 4.NPN型和PNP型半导体三极管 5.半导体三极管的分类 6.半导体三极管的外形及封装形式 九、教学后记 1．通过学生自主活动及多媒体课件演示，不仅使各教学内容有机的结合，而且丰富了教学手段，增强了教学的直观性，达到良好的教学效果，从而增强了学生的自信心。 2．遵循学生的认知规律，坚决贯彻“学做合一”或“做、学、做”的双向程序模式，学生学会在活动过程中获取新知识的乐趣和能力。 3．透过活动项目过程，表明教学效果良好，同学们加深了对所学知识的理解和记忆，灵活运用所学知识解决实际问题的能力显著提高。部分学生自主活动能力还是有所欠缺，通过教师引导和讲解能够有较大的提高，另一个问题是学生对活动内容的熟练程度不够，应该增加练习的时间。第二篇：关于三极管工作的原理总结
第三篇：三极管的作用总结
第四篇：三极管说课稿（定稿）
第五篇：半导体三极管教案
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