集成电路制造工艺实训报告

第一篇：集成电路制造工艺实训报告

集成电路制造工艺实训报告

专业班级学号姓名地点老师签名

2011年12月22日

第1页

三、光刻Ⅰ—光刻扩硼窗口

工艺目的：

通过光刻工艺，完成掩膜板上的图形转移。（第一次形成基区图形，第二次形成发射区图形）

工艺原理：

通过光刻先把掩膜板上的图形转移到光刻胶上，再转移到硅片上。（第一次基区光刻，第二次发射区光刻）

工艺器件：

SC—IB型匀胶机、DHG—9023型电热恒温干燥箱、URE—2000/17型紫外光刻机、镊子、显影设备。

工艺步骤：

1、甩胶：把硅片放到涂胶机上用滴管吸取光刻胶涂到硅片上，打开抽真空开关

把硅片吸附到匀胶机上，再打开甩胶开关并以700r/min左右的转速开始甩胶约2分钟。等匀胶机停止工作，按下抽真空开关取下硅片。

2、前烘：把硅片放到100℃电热恒温干燥箱里前烘15分钟。

3、曝光：取出硅片冷却，再把硅片放到光刻机上进行紫外线曝光20秒钟。（本

实验室采用的是接近式曝光，在硅片和掩膜板之间有10um—25um的间隙，掩膜板有金黄色避光层的一面应该朝下，硅片上的主切角与掩膜板的X轴对准，以方便二次曝光）

原理：此次实验室采用的是负性光刻胶，其受紫外光照射的区域会交联硬化，变得难溶于显影液溶剂中，显影时这部分光刻胶被保留，在光刻胶上形

成一种负相的掩膜板图形。

4、显影：在1号显影液里面显影4分钟，再放到2号显影液里面4分钟，用显

影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上。

5、定影：是光刻胶变得更加坚固。

6、坚膜：把显影后的硅片放到130℃的电热恒温干燥箱里后烘15分钟即可。冷

却后用电子显微镜观看显影后的图形。

7、腐蚀：把镜检后的硅片放到花篮里，再放到HF酸里刻蚀5分钟，然后放到去

离子水冲洗连通器2号槽里面冲洗5分钟，再放到1号槽里面冲洗5分钟。原理：刻蚀就是将涂胶前所积淀的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分除去，由于Si、光刻胶具有亲水性，SiO2具有疏水性，所以观察芯片背面是否

沾水就能判断刻蚀的程度。

8、去胶：把刻蚀好的硅片放入到去胶液里面15—20分钟。（去胶液：H2SO4:

H2O2:H2O(去离子水)=3:1:任意）

光刻Ⅱ—光刻扩磷窗口

发射区光刻：同操作三，但在曝光前需要依片子和光刻板上的图形对准标记对版。光刻Ⅲ—光刻引线孔

同操作六，注意对版。

光刻Ⅳ—光刻电极图形

工艺原理：按照电路连线要求在淀积的铝层上光刻出铝条，芯片中的各个元件便

被连接成为具有某种功能的电路。

心得体会

本周实训让我更加了解集成电路,哪怕前面一个小小的失误也会影响后面的的制作,细节绝对成败,因此我们不能马虎的对待.现在只是实训.以后工作了应该更加仔细认真.实训中我们小组互相帮助,分工合作让我们明白了团队力量的强大.每次实训的不断练习,让我对操作步骤更加了解,巩固了以前的知识.

第二篇：集成电路制造工艺复习总结

集成电路制造工艺复习总结

主要内容

一集成电路制造工艺概况 二.晶体生长和晶片的制备 三.外延工艺 四.氧化工艺 五.掺杂工艺 六.光刻工艺 七.腐蚀工艺 八.金属化工艺 九.组装和封装工艺

十.微加工技术在其它领域的应用

为什么采用硅作为集成电路的材料，而不用锗？ 1.锗的漏电流大（原因:锗的禁带宽度小, 0.66eV)。2.硅器件工作温度高(150℃),锗为100℃。3.易生长高质量的氧化硅，氧化锗会水解。

4.锗的本征电阻率为47•cm，不能用于制造高击穿电压的整流器件，硅的本征电阻率为230000•cm。5.电子纯锗的锗成本是纯硅的十倍。

单晶硅的晶向与性质

1.（111）面

2.原子面密度最高，生长容易，3.氧化速度快

4.（100）面

5.二氧化硅界面缺陷密度低 6.表面迁移率高

7.实际晶向的选择取决于器件设计的考虑 8.双极电路－（111）9.MOS电路－（100）

硅的整形

1.硅锭 2.外部研磨

i.ii.直径磨削

磨主面（基准面）和第二平面（辅助面）

3.切成大圆片 4.腐蚀 5.抛光

硅热氧化设备与二氧化硅膜质量控制

常规热氧化方法

1.干氧氧化：Si+O2:高温加热

热氧化速率取决于氧原子在二氧化硅中的扩散速率，温度越高、扩散越快，二氧化硅层越厚。

特点：结构致密、干燥性和均匀性好、钝化效果好、掩蔽性能好，但总体反应速率慢；

2.水汽氧化：Si+H2O:高纯水、高温加热

由于水汽的进入，使氧化膜结构疏松，反应速率加快。所需水蒸气由高纯去离子水汽化或氢氧化合而成。

特点：反应速率快—水在二氧化硅中的平衡浓度大于氧气；结构疏松，含水量大，掩蔽性能不好，目前很少使用

常规热氧化方法

1.湿氧氧化：Si+H2O+O2:氧气携带去离子水产生的水蒸气（95-98℃）、高温加热；

特点：介于干氧和水汽氧化之间，实际应用时，常采用干氧-湿氢氧合成氧化：H2：O2=2：1 氧气须过量；

2.高纯氢-氧反应生成水，水汽化后与氧气一同参与反应。优点：膜质量好、均匀性好，但安全性控制较复杂。氧-干氧交替进行的方式，既保证膜质量又提高了氧化速率。

掺氯氧化

本质：在二氧化硅界面形成氯-硅-氧复合结构，保护结构不受钠离子影响而减少层错等缺陷的出现。

作用过程：在干氧氧化基础上，通入含氯化合物气体，提高器件电学性能和可靠性。

热氧化界面

热氧化设备-常规热氧化设备

特点：可同时氧化200片硅片，生产效率高，参数控制好。氢氧合成热氧化设备

安全措施：错误比例连锁保险和低温报警连锁保险装置； 空气中氢气含量4%-74.2%之间会发生爆炸。掺氯氧化设备

特点：氮气携带三氯乙烯进入反应室； 氮气作用：载流、提供压力； 氧化基本步骤

1.硅片送至炉管口，通氮气和少量氧气排杂 2.硅片送至恒温区，预热，控制升温速率5-30℃/min 3.通入大量氧气，开始氧化反应 4.按比例要求通入反应气体

5.停通其他气体、续通氧气，消耗残余反应气体 6.硅片拉至炉管口，降温处理，控制降温速率2-10℃/min 7.将处理好的硅片拉出炉管

其他生长方法

氧化和分解均可以获得二氧化硅，热分解含硅化合物也是形成二氧化硅的重要途径之一。

作用原理：以待加工硅片作为形成氧化膜层的淀积衬底，硅片本身不参与氧化膜形成。此外，陶瓷片、金属片等也可以作为衬底材料——低温”淀积” 淀积：

悬浮在液体或气体中的固态微粒发生连续沉降的现象。烷氧基硅烷热分解法

淀积得到的二氧化硅膜致密性不如热氧化生长的氧化膜，在淀积后应进行致密处理。操作注意事项：

1、确保系统密封性，不能漏气或堵塞；

2、源温和源流量须进行控制，d=kt；

3、源使用时间不宜太长，一旦变成黄色则不能使用；

4、硅片进炉后，应先抽真空，达到要求后方能通源；

断源后仍需抽气五分钟左右，才能排气；

硅烷热分解法

特点：气态副产物少，生长温度较低，氧化膜质量好 操作要点：

1、保证反应室整个淀积面积上的气流均匀，反应室和 横截面面积进行适当控制，对气体流量严格控制；

2、严格控制反应温度，以防发生爆炸；

3、注意使用安全，严格控制装置气密性，硅烷使用前进行

稀释（3%-5%）,如何稀释？  二氧化硅膜质量控制 二氧化硅膜质量要求：

宏观上：表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等现象；

微观上：厚度符合要求、均匀、结构致密，可移动钠离子含量低

二氧化硅质量检验

一、厚度测量 常用厚度测量方法：

比色法、腐蚀法、双光干涉法、电容电压法、椭圆偏振 光法等，不同测量方法的主要区别在于测量精度高低。厚度单位：埃

单位换算：毫米（mm)、微米（μm)、纳米（nm）、埃、微微米（pm)厚度测量-比色法

测量原理：不同厚度氧化膜在白光照射下会呈现出不同的干

涉颜色，利用金相显微镜观察并与标准比色样品进行对比，得出氧化膜厚度。

首先需预判氧化膜厚度范围，然 后对比标准比色样品得出厚度值。适 用于1000-7000埃之间的厚度，超过 7500埃则效果不明显。厚度测量-双光干涉法 测量原理：

利用光照射氧化硅台阶的不 同界面获得的干涉条纹数目 得到氧化层的厚度。作用过程：

1、制备氧化层台阶；

2、用可见光照射氧化物斜面；

3、依据显微镜下观测的干涉条纹数目计算二氧化硅厚度。厚度测量-双光干涉法 技术要点：

干涉条纹数目的确定； 氧化物斜面不能太窄；

干涉条纹应清晰可见；

局限性：不能测太薄的厚度（2000埃以上）；折射率确定? 厚度测量-椭圆偏振光法

作用原理：

光源发出的单色自然光，经过起偏器后，变成偏振光。转动起偏器可改变光速偏振方向，线偏振光经四分之一波片后变为椭圆偏振光，椭圆偏振光在待测样品表面反射后，光的偏振状态（偏振幅度和相位）发生变化，依据此变化可以测量样品的固有光学参数（折射率等）或样品膜厚度。偏振光与起偏器

光是一种电磁波，电磁波是横波。振动方向与波前进 方向构成的平面叫做振动面，光的振动面只限于某一固定 方向的，称为平面偏振光或线偏振光。

四分之一波片

一定厚度的双折射单晶薄片，当一束线偏振光垂直入射 到波片时，在波片中分解成沿原方向传播但振动方向互相 垂直的o光和e光。当光法向入射时，o光和e光之间相位差 等于π/2或其奇数倍，该晶片称为四分之一波片。椭圆偏振光

垂直于光传播方向的固定平面内, 光矢量的方向和大小都随时间

改变, 光矢量端点描出一个椭圆, 此偏振光称椭圆偏振光。用起 偏器获得线偏振光，当线偏振光垂直入射四分之一波片，且光 的偏振和晶片光轴面成θ角，出射后变成椭圆偏振光（θ=45 度时，为圆偏振光）。

二氧化硅膜缺陷检验

宏观缺陷：1.氧化层针孔-----氧化方法、硅片质量 2.表面氧化斑点----表面残留杂质：三个来源 3.氧化层厚度不均----原料不均、加热不均 微观缺陷：

1.钠离子沾污----主要来源于操作环境： 去离子水质量、石英管道、气体系统 所用化学试剂；

2.热氧化层错----层错核形成：固有点缺陷； 层错加剧：滑移与攀移； 与晶向有关； 热处理 热处理目的】

将材料放在一定的介质内进行加热、保温或冷却处理，通过改变材料表面或内部组织结构,来控制材料综合力学性能。金属材料主要热处理过程：

退火（软化）、正火（硬化）、淬火（钢化）、回火（韧化）等。

半导体材料主要热处理过程：

退火、硫化、熔流、固化等。退火处理 退火目的：

消除材料热加工过程中因缺陷而累积残余应力（内应力）。作用过程：将材料在适当温度下加热一段时间，利用热能进行部分晶格位置原子重排，降低缺陷密度。典型例子：离子注入 硅化反应 目的及原理：

作为集成电路引出线的铝、铜及其合金与硅界面极不稳定，常制备TiN扩散阻挡层阻挡两者间的原子扩散等界面反应，但TiN与硅接触导电性能差，因此增加一层导电性能好的 TiSi2，改善电极与硅的电接触性能。熔流及固化

在制备介质材料保护膜时，常采用硼磷硅玻璃（BPSG）。BPSG玻璃通常采用APCVD（常压化学气相淀积）或PECVD（等离子化学气相淀积）方法制得，淀积完成后的BPSG玻璃经加热熔融流动趋于平坦化、均匀化的过程称为熔流。

在较低温度下加热，使光刻胶中有机溶剂挥发的过程 称为固化。多用于多层金属薄膜间的绝缘介质层制备，常见 的应用是SoG（Spin on Glass)-旋涂玻璃膜。

快速热处理

1.快速热处理（Rapid Thermal Processing，RTP)是指将

硅晶片快速加热到设定温度，并进行短时间快速热量处理的 方法。

2.快速热处理可以满足需要短时间处理的工艺过程，适用 于使硅片的逐片加工、升降温速率极快和生产效率很高的场 合（自动化程度）。

它是应用新技术来改进各类型热处理过程的一种新型工艺。

第三篇：电子工艺实训报告

电子工艺实训报告

学号：Z01114155 姓名：丁达生

专业：电气工程及其自动化

摘要：随着电子产品在生活中的广泛应用，人们越来越注重其实用性与性价比。小型音响以其小巧的外形，合理的价格以及不错的音效，极大的满足了人们的需求，受到了广大消费者尤其是在校大学生的青睐。本次电子工艺实训，本人在指导老师的指导下，参考清华大学科教仪器厂提供的原理电路图，完成了TPE—190型迷你音响的制作。

正文：

继上学期在电路实验课上完成了万用电表的制作后，我们在这学期电子工艺实训课上将进行迷你音响的制作。

在实训的第一节课上，我们重新回顾了一下焊接的基本知识，并了解了一些基本电子元器件的功能。

焊接是使金属连接的一种方法，使用的工具是电 烙铁，用到的材料有焊料和焊剂。电烙铁有很多的类型，如内热式、外热式、恒温式等。此次用到的是外

热式类型的。关于电烙铁的握法有几种分类，如握笔法、反握法、正握法等。其中，握笔法适合在操作台上进行印制板焊接，此次焊接即采用这种握法；而正握法则适于中等功率烙铁的操作，反握法则适于大功率烙铁的操作。至于焊料和焊剂，分别起将被焊物连接在一起和清除被焊物表面氧化物及杂质的作用，这次用到的分别是焊锡丝和松香，由于在前面实验中已接触多次，在此不作过多介绍。焊接时应用五步法，即准备焊接、预热焊件、熔化焊料、移开焊锡、移开电烙铁。在此亦不赘述。值得注意的是，有的电子元器件具有极性，如电解电容和LED灯等，在焊接时应千万注意区分，不可弄混。在回顾学过知识的同时，我们也学到了一些新的知识，如用万用表测量BJT管的β值，即晶体管的hEE测试。还有就是关于热缩套管和屏蔽线的使用，二者分别起着防止短路和减少噪音的作用。讲完了焊接基本要领和基本元器件后，我们正式进入了迷你音响的焊接。此次制作的迷你音响，具有以下三个特点：（1）有DC、USB、电池三种供电方式；（2）加入了滤波电路以提高音质；（3）体积小、便于随身携带。其原理图

如右图示。简单来说，其核心器件是TEA2025B集成电路，电源电压从2.2V到16.8V均可以正常工作，对电源电压的适应范围非常宽，静态电流小，电源电压增高时，输出功率随之增大。12V时可以输出2W的有效功率，能满足正常应用。该电路具有音色动听、性能优良、工作可靠、外围元件少、安装方便等特点。

在焊接过程中，我严格按照实习指导书上的焊接步骤进行焊接。我在此过程中遇到了以下几个问题：两个焊点间被焊锡连上了；LED灯在接上电源后不亮；扬声器只有一边工作，即右边工作，而左边不工作。对于第一个问题，我通过请教老师，用吸焊器解决了。同时我还了解到，对于有些焊点是可以焊在一起的，只要两个焊点在同一个绿色指示线范围之类即可。对 于第二个问题，我通过仔细阅读指导书，发现LED灯也有极性，再仔细一看，发现确实是灯的极性接反了，我立即将此错误改正过来，再一试，灯果然就亮了。对于第三个问题，我始终不知所以。直到想起在之前的元件清单检查时，少了两个电容C3、C4，我一看电路图之后恍然大悟，原来原因就是这个。少了这两个电容，左边扬声器就是开路，根本没接入电路，所以不能正常工作。我的处理方法是将左扬声器和右扬声器接在了一起，这样两个都能工作了，效果也还好。

通过此次的电子工艺实训，我加深了对小型功放工作原理的理解，并通过对小型功放的制作，提高了自己的对产品故障诊断和排除的能力。看着自己的劳动成果，实在是兴奋不已。正所谓“纸上得来终觉浅，绝知此事要躬行”啊！今后一定要加强自己的动手能力，多进行一些这样的训练，为将来从事相关领域的研究开发打下坚实的基础。

第四篇：机械制造工艺实训报告

机械制造工艺实训报告

机制1232杨家荣

五周的机械制造工艺学习、在这周就要结束了。此次实训学习了轴类、套筒类、箱体类、齿轮类等经典零件的机械加工工艺规格的编制。也了解了机械加工工艺规程的组成、定位基准的选择、工艺尺寸链的计算和拟定机械加工工艺路线等方面的基础知识。了解了机械加工工艺过程中的刀具、夹具、量具和工艺装备等的基本结构和使用方法。轴类零件是机器中最常见的一种零件，它主要起支承传动转矩的作用。轴是旋转类零件、具体类型多种多样。轴类零件的特殊性、对于它的选料也因工作需要而不同。通常选用45钢、精度较高的轴选用CGr15和弹簧钢65Mn等。对于毛培的选择也是因工作需要而不同。最常用的是圆棒料和锻件，一些需要特殊性能的轴、需要经过热加工来达到要求。

对不同的轴类零件、加工人员会根据生产批量、设备条件、工人技术水平等因素，来制定机械加工工艺过程。轴类主要采用车削、铣削、磨削以及热处理等。轴类的经典加工工艺:正火→车端面钻中心孔→粗车各表面→精车各表面→铣花键、键槽→热处理→修研中心孔→粗磨外圆→检验。

机械加工工艺过程中的工序是指：

一个（或一组）工人在一个工作地点对一个（或同时对几个）工件连

续完成的那一部分工艺过程。

2.在工件的一次安装中通过分度（或移位）装置，使工件相对于机床床身变换加工位置，则把每一个加工位置上的安装内容称为工位。在一个安装中，可能只有一个工位，也可能需要几个工位。

3.加工表面、切削刀具、切削速度和进给量都不变的情况下所完成的工位内容，称为一个工步。

4.切削刀具加工表面上切削一次所完成的工步内容，称为一次走刀。一个工步可包括一次或数次走刀。走刀是构成工艺过程的最小单元。

规定产品或零件制造工艺过程和方法等工艺文件称为工艺规程。其中，规定零件机械加工工艺过程和操作方法等工艺文件称为机械加工工艺规程。这次学习、我们学习了如何编制机械加工工艺过程卡片和机械加工工序卡片。

零件的起初便是毛坯、毛坯的选择决定零件的加工以及零件的性能。毛坯分为铸件、锻件、型材、焊接件、其他毛坯。毛坯的选择是需要考虑:零件材料的工艺性、零件的生产纲领、零件的结构、形状和尺寸、与现有生产条件相适应、充分利用新工艺新材料。

其次、对于零件的加工、我们要选择定位基准。根据一些重要的点、线、面来展开加工。基准的选择会让加工更加的精确。

1、基准重合原则

2、基准同意原则

3、互为基准原则

4、自为基准原则

5、便于装夹原则。

选择合适的机床，按照基准先行、先粗后精、先主后次、先面后孔的顺序来加工工件。在这其中我们需要查阅一些表格。如：外圆柱表面的加工精度表格、表面的加工精度表格、轴类零件的机械加工工艺表格等、以及一些简单的计算公式。在零件加工的最后我们需要对零件进行去毛刺、检测。在加工的过程中、对于装夹工具的选择、会影响加工的精度、轴类零件距离较大。在高速旋转是会产生晃动、我们需要用鸡心顶尖来装夹。比如套类零件我们需要用软爪卡盘来装夹。套类零件也是机械中常见的一种。通常选用HT200来作为毛坯。套类零件需要镗孔。并且对孔和外圆的精度要求较高、车削难以达到要求，需要进行磨削加工。套类依旧按照加工顺序，粗车、班精车外圆→粗车、班精车内孔→磨削内孔→磨削外圆→检验。根据零件性能的要求、需要对零件进行热处理。热处理能提高工件某些性能。

箱体是我们学习的第三个经典零件。箱体则是机器中的基础零件，他将机器中有关的轴、套、齿轮等相关联的零件链接成一个整体、并确保每个零件的位置、以传递转矩或改变转速来完成需要的运动。所以箱体的加工质量，直接影响到机器的性能、精度、和寿命。主要平面的形状精度和表面粗糙度。箱体的主要平面是装配基准，并且往往是加工时的定位基准，所以，应有较高的平面度和较小的表面粗糙度值，否则，直接影响箱体加工时的定位精度，影响箱体与机座总装时的接触刚度和相互位置精度。一般箱体主要平面的平面度在0.1～0.03mm，表面粗糙度Ra2.5~0.63μm，各主要平面对装配基准面垂直度为0.1/300。

孔的尺寸精度、几何形状精度和表面粗糙度，箱体上的轴承支承孔本

身的尺寸精度、形状精度和表面粗糙度都要求较高，否则，将影响轴承与箱体孔的配合精度，使轴的回转精度下降，也易使传动件（如齿轮）产生振动和噪声。一般机床主轴箱的主轴支承孔的尺寸精度为IT6，圆度、圆柱度公差不超过孔径公差的一半，表面粗糙度值为Ra0.63～0.32μm。其余支承孔尺寸精度为IT7～IT6，表面粗糙度值为Ra2.5～0.63μm。

主要孔和平面相互位置精度，同一轴线的孔应有一定的同轴度要求，各支承孔之间也应有一定的孔距尺寸精度及平行度要求，否则，不仅装配有困难，而且使轴的运转情况恶化，温度升高，轴承磨损加剧，齿轮啮合精度下降，引起振动和噪声，影响齿轮寿命。

箱体零件毛坯的选择、通常选用灰铸铁。灰铸铁具有较好的耐磨性、铸造性和科加工性，而且吸振性能好，成本低。某些负载较大的零件采用铸钢件。也有采用钢板焊接的。

箱壳体要求加工的表面很多。在这些加工表面中，孔系加工精度是工艺关键问题。在工艺路线的安排中应注意以下问题：

1、先面后孔的加工工艺顺序：从加工难度上看，平面比孔容易加工。先加工平面，把铸件表面的凸凹不平切除，保证平面的平面度，提供稳定可靠的定位基准，对后序孔的加工有利，可减少钻头引偏和崩刃现象，对刀调整也比较方便。对于孔的加工和保证孔的加工精度都是有利的。

2、粗精加工分开的工艺原则：对于刚性差、批量较大且要求精度高的壳体，一般要粗精分开进行，即在主要平面和各轴承孔的粗加工之后再进行主要平面和各轴承孔的精加工。这样，可以消除由粗加工所

造成的内应力、切削力、切削热和夹紧力对加工精度的影响。

3、热处理的合理安排：材料为铸铁的变速箱箱体类零件，由于外形复杂，壁厚不匀，铸造时形成较大内应力，应将毛坯经人工时效处理以消除粗加工后因内应力的重新分布和粗加工本身所造成的内应力的影响，进一步提高箱体加工精度的稳定性。

在加工箱体我们遵循一些基本原则

1、先面后孔

2、粗精分开、先粗后精

3、基准选择

4、工序集中，先主后次。基准通常选用上面的重要孔和一个相距较远的孔做粗基准。在加工中常用刨、铣、磨三种。这样的加工效率高、成本低。并且加工质量有保障。箱体零件需要安装轴、套、齿轮。导致箱体零件孔的数量很多。不同位置、精度要求不同的孔、加工方法也不一样。分为平行孔系和同轴孔系。具体加工因要求而不同。不管生产多么精确的零件、始终会存在加工的误差、有系统的误差、有随机的误差。我们需要经过多次的测量把误差控制在允许的范围内。

最后一周我们学习了连杆零件。连杆零件广泛运用于汽车、压缩机中,其作用是把活塞和曲轴连接起来,使活塞的往复直线运动变为曲轴的回转运动,以输出动力。材料常用优质的中碳钢、毛坯常用锻、铸件。加工方法：端面、磨削、孔、镗削。加工顺序:连杆盖切开、铣开连杆盖、合并后加工。

在对这些经典的零件的加工工艺的学习中、我学习到了许多新的知识。或许这是我在进行对零件加工前的最后一次实训，但这次我学习到的知识会对以后有很大的用处。从零件的选料、零件的用途、加

工所需要的精度。以及在加工过程中、对一些工具的使用，对工件的测量。最重要的是学习了、如何拿到一个新的任务，自己去将他的加工工艺编写出来，再自己将零件加工出来。不得不说这几周的学习为我们以后出去工作、奠定的很好的基础。在学校学到的一切，是我们以后的保障、能让我们的工作更加得心应手。

第五篇：电工工艺实训报告

一：实习目的

1、学习焊接电路板的有关知识，熟练焊接的具体操作。

2、了解电子产品的生产制作过程；

3、掌握电子元器件的识别及质量检验；，4、学习利用工艺工具独立进行电话机的装焊和调试，并达到产品的质量要求

5、看懂电话机的安装图，了解电话机的基本原理，学会动手组装和焊接电话机。

6、通过对一台正规产品电话机"的安装焊接及调试，学会调试电话机，能够清晰接打电话。

7培养职业道德,和职业技能,培养工程实践观念及严禁细致一丝不苟的科学风.二、工艺要求、电子元件知识

1、相关元器件

主要有电阻、电容，二极管、三极管，电解电容、发光管、稳压管、振铃集成模块，拨号集成模块，晶振、ic等。

2、安装工艺要求：

（1）动手焊接先检查元件是否齐全正确，再把元件进行分类，使在安装时更顺手也可以减少安装失误。然后再用

电工电子实训总结

万用表将各元件测量一下，看是否电子元件的值是否正确。安装时先安装低矮和耐热元件（如电阻），然后再装大一点的元件，最后装怕热的元件（如三极管）。

（2）在瓷介电容、电解电容及三极管等元件立式安装时，引线不能太长，否则降低元器件的稳定性；但也不能过短，以免焊接时因过热损坏元器件。一般要求距离电路板面2mm，并且要注意电解电容的正负极性，不能插错。

（3）电阻的安装：将电阻的阻值选择好后根据两孔的距离弯。曲电阻脚可采用卧式紧贴电路板安装，高度要统一。瓷片电容和三极管的脚剪的长短要适中。

（4）各零件安装好后，便是焊接了，这是电话机组装过程中非常重要的一个环节，而且是我们自己操作电烙铁，具有一定的危险性，因此要特别小心，要严格按照要求一步一步地做，切不可急于求成，粗心大意。

三、电话机的工作原理

电有载调压开关

话通信中实现声能与电能相互转换的用户设备。由送话器、受话器和发送、接收信号的部件等组成。发话时，由送话器把话音转变成电信号，沿线路发送到对方；受话时，由受话器把接收的电信号还原成话音。电话机一般分为磁石式、共电式和自动式三类。磁石式电话机，用磁石式手摇发电机作振铃信号源并配有通话电源。它对线路和交换设备的要求低，通话距离较远，机动灵活，使用方便,可不经过交换机直接通话。因此,它适用于野战条件下和无交流电地区的电话通信。共电式电话机，由交换设备集中供给通话和振铃信号电源。它结构简单，使用方便，用户间通话由人工转接。自动式电话机，是在共电式电话机上，加装拨号盘或按键盘等部件组成的。它通过拨号或按键发送选号信息，控制交换机进行自动接续。使用简便，不需要人工转接

北京奇胜开关插座，但自动交换设备较复杂。另外,由于电子技术的发展,出现了一些新功能的电话机，如录音电话机、书写电话机、可视电话机、智能电话机等。

电话机是美国人a.g.贝尔在1876年发明的。中国于19XX年建立了军用电话通信。随着电子技术的迅速发展，军用电话机正朝着体积小、重量轻、效能高、功能多、环境适应性强的方向发展。

三、实训小结

通过此次的电话机的组装使我对电子工艺制作过程及一些相关注意事项有了更为深刻的了解。

1、焊接的技巧或注意事项

焊接是安装电路的基础，我们必须重视他的技巧和注意事项。

（1）焊锡之前应该先插上电烙铁的插头，给电烙铁加热。

（2）焊接时，焊锡与电路板、电烙铁与电路板的夹角最好成45度，这样焊锡与电烙铁夹角成90度。

（3）焊接时，焊锡与电烙铁接触时间不要太长，以免焊锡过多或是造成漏锡；也不要过短，以免造成虚焊

水电工找工作。

（4）元件的腿尽量要直，而且不要伸出太长，以1毫米为好，多余的可以剪掉。

（5）焊完时，焊锡最好呈圆滑的圆锥状，而且还要有金属光泽。

2、手工插旱元器件的原则:

先焊矮的元件,在焊稍高的,最后焊最高的元件以及:先焊小元件,后焊体积大的元件；焊接时锡量适中,避免漏焊虚焊和桥接等故障的发生.不必将所有的元件都插上在焊接,而是插一部分,(必须保证元件插对位置).间接好,并剪掉管腿.四、体会和感想

这次实训虽然为期只有几天，但我从这短短的几天中学到了不少的东西，每天都过得很充实。比如刚开始实训时，学长和老师发给我们一些零件，我便拿着说明书仔细地看，然后拿着零件仔细辨认，与说明书上写的一一对照，于是我知道了电阻上的那些色环原来还是有奥秘的，也知道了怎样分辨三极管的极性以及其它的一些简单电工知

飞雕开关插座图片

识，零件区分开以后，我便做上相应的标记，以便安装。

虽然这次实训为期不长，但内容丰富，包含了多种能力和技术的训练，它将基本技能训练，基本工艺知识和创新启蒙有机结合，培养我们的实践能力和创新精神，元件识别能力、安装焊接能力、万用表测量能力等等。给平日只学理论知识的我们以很好的实践机会，让我们在自己动手的过程中逐渐掌握一些相关的知识，于无形之中，提升自己的动手能力。

现在实训已经结束，但它的影响却留存长久，它让我们自己动手，品尝成功的喜悦，激发了我们对实践的兴趣与热情，在很大程度上鼓舞了我们的学习决心，它让我们做了一回成功的自己，有着一定的成就感，特别是通过我的检查与修理，使许多的同学的电话机也能正常使用，增强了我们的自信心，让我们以更大的勇气面对以后的学

空气开关图片习与人生，它给了我们开拓进取的动力。