双极型晶体管介绍[大全]

第一篇：双极型晶体管介绍[大全]

双极型晶体管

晶体管的极限参数

双极型晶体管（Bipolar Transistor）

由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.晶体管分类：NPN型管和PNP型管

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为：

双击型晶体管输出特性可分为三个区

★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。

★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC／RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。

★放大区：发射结正偏，集电结反偏。

放大区的特点是：

◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。

◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。

◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。

◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB

◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。

极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。

集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。

集电极－发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。

ICEO与CBO的关系：

特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率。

双极型晶体管极限参数

★最大集电极耗散功率 如图所示。

★最大集电极电流 :使b下降到正常值的１／２～２／３时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。

★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。

是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受的反向电压。

是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。

温度对的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大，增大。

温度每升高10 时，增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。

温度对输入特性的影响：温度升高，正向特性将左移。

温度对输出特性的影响：温度升高时 增大。

光电三极管：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。

暗电流ICEO：光照时的集电极电流称为暗电流ICEO，它比光电二极管的暗电流约大两倍；温度每升高25，ICEO上升约10倍。

光电流：有光照时的集电极电流为光电流。当 足够大时，决定于入射光照度。

Cc---集电极电容

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Ci---输入电容

Cib---共基极输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cn---中和电容（外电路参数）

Co---输出电容

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反馈电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cp---并联电容（外电路参数）

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVebo---集电极开路EB结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

hFE---共发射极静态电流放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ISB---二次击穿电流

IAGC---正向自动控制电流

Pc---集电极耗散功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pi---输入功率

Po---输出功率

Posc---振荡功率

Pn---噪声功率

Ptot---总耗散功率

ESB---二次击穿能量

rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻）

rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE---外接发射极电阻（外电路参数）

RB---外接基极电阻（外电路参数）

Rc---外接集电极电阻（外电路参数）

RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）

RL---负载电阻（外电路参数）

RG---信号源内阻

Rth---热阻

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Ts---结温

Tjm---最大允许结温

Tstg---贮存温度

td----延迟时间

tr---上升时间

ts---存贮时间

tf---下降时间

ton---开通时间

toff---关断时间

VCB---集电极-基极（直流）电压

VCE---集电极-发射极（直流）电压

VBE---基极发射极（直流）电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

Vp---穿通电压。

VSB---二次击穿电压

VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）

Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）

VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）

VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）

VAGC---正向自动增益控制电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

V n---噪声电压

Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）---正向平均电流

IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流

IFRM---正向重复峰值电流

IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR（AV）---反向平均电流

IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向重复平均电流

IDR---晶闸管断态平均重复电流

IRRM---反向重复峰值电流

IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---工作电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值（品质因素）

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）---正向导通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向导通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大承受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---连续输出功率

PSM---不重复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth----热阻

R(th)ja----结到环境的热阻

Rz(ru)---动态电阻

R(th)jc---结到壳的热阻

r δ---衰减电阻

r(th)---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△ λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降（正向峰值电压）

VF---正向压降（正向直流电压）

△VF---正向压降差

VDRM---断态重复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF（AV）---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---工作电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向工作电压（反向直流电压）

VRM---反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）---击穿电压

Vth---阀电压（门限电压）

VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM---反向工作峰值电压

V v---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av---电压温度系数

Vk---膝点电压（稳流二极管）

VL---极限电压

第二篇：双极型三极管em模型与gp模型分析和应用

双极型三极管em模型与gp模型分析和应用 三极管EM模型双极型晶体管模型很多,但用得广泛的为EM模型和GP模型,EM模型本身是一种大信号非线性直流模型,不考虑电荷存储效应和二阶效应,但通过不断改进,有EM2,EM3模型,其中EM3模型与GP模型相似。

EM1模型实际上是基于正向和反向工作的两个BJT的叠加、并分别用两个P-N结二极管来代表发射结和集电结而建立起来的,不考虑电荷存储效应,适合所有工作区域,如饱和区、反向放大区、正向放大区和截止区,常用的模型有三种:注入型模型、传输型模式和混合Π型。EM1型包含三个参数,形式简单,不考虑厄尔利效应,适合直流非线性模型,但忽略了晶体管的电荷存储效应和各端上的电阻。

如果考虑非线性电荷存储效应和串联电阻,增添了两个结的耗尽层电容,则称为EM2模型,EM2模型有15个参数,该模型主要用于集成电路分析设计,具有模拟精度高、建模简易、快速、结果易理解等优点,特别适合数字电路,但该模型没有考虑基区宽度调制以及β随电流变化的效应。

如果再考虑三极管的各种二阶效应,如基区宽度调制效应(厄尔利效应)、电流增益与电流关系、温度的影响等,则得到EM3模型。EM3模型有40个参数。EM3模型与G-P模型等价,但是,EM3模型处理基区宽度调制、渡越时间与电流关系、参数与温度关系等是分别处理的,而GP模型则是将这些因素统一处理,通过分析基区多数载流子电荷的作用,建立起器件性能与基区多数载流子电荷的联系,其优点是物理意义清楚,直接把器件的电学特性与基区多子电荷联系了起来,可有效地处理大信号问题,而且精度高,即使在高注入水平时,也与实际测量结果非常一致。G-P模型提供了双极型三极管更精确和更完整的模型。

1.1 双极型三极管的GP模型分析双极型三极管的模型,首先分析的NPN三极管的工艺。

图1 双极型三极管的工艺双极型三极管的有四种工作状态,即正向放大、反向放大、饱和和截止,三极管的工作必须有直流偏置,此时工作在大信号状态,其等效模型如图2所示。该模型不仅适合大信号工作的数字逻辑电路,也适合大信号非线性GP模型,如进行射频电路的谐波平衡仿真。

图2 双极性三极管大信号GP模型根据大信号GP模型设置静态工作点Q,在Q点计算直流电流,考虑小信号的交流信号,在静态工作点作线性化模型,得到高频小信号仿真的电路模型,如图3所示,可用于SPICE S参数仿真,但该模型的线性化,不适合高频非线性工作情形。

图3 双极型三极管交流小信号GP模型1.2 GP模型的参数根据上述的GP模型,GP模型共有40个参数,如表1所示。

表1 GP模型参数符号名称符号名称ISE发射结泄漏饱和电流VJE发射结内建电势ISC集电结泄漏饱和电流MJE发射结梯度因子BF理想正向最大电流增益VJC集电结内建电势BR理想反向最大电流增益CJS零偏C-衬底结电容IS饱和电流rc集电区电阻re发射区电阻rb零偏基区电阻VJS衬底结内建电势FC正偏压耗尽电容系数MJS衬底结梯度因子TF理想正向渡越时间CJE零偏发射结电容XTF TF随偏置变化系数CJC零偏集电结电容VTF TF随电压VBC变化电压MJC集电结http://www.xiexiebang.comR·VT-1iBCrec= ISCeVBCNC·VT-1—53—增刊熊俊俏等:双极型三极管EM模型与GP模型分析和应用2010年7月

3)集电极电流iC=1NqB(iF-iR)-iRBR-iBCrec(3)式中:

NqB =q1s2(1+1+4q2S)q1s代表基区宽度调制效应q1s=VBEVAR-VBCVAFq2S代表高能级注入的影响:

q2S=iFIKF+iRIKR4)基区电阻rBB′= rbm+3(rb-rbm)tan(z)-zz*tan2(z)(4)式中:

z =1+12π2iBIRB-124π2iBIRB1.4 结电容方程双极型三极管内部含2个PN结,存在结电容。

集电结的结电容为CBC,发射http://www.xiexiebang.comR·VT(5)CBE= CSBE+ CDBE=CJE1-VBCVJEMJE+TFFNF·VTISNqBexpVBENF·VT(6)式中,渡越时间TFF:

TFF = TF1+XTFiFiF+ITF2expVBC1.44VTF2 特高频振荡器的设计与仿真以双极型三极管NE68119为例,设计900MHz的VCO,NE68119的工作频率范围为50MHz-3GHz,NE68119的GP模型与等效电路可参考文献[8]。选用变容二极管SMV1249,设计的VCO电路如图4所示。

第三篇：双师型教师

一体化教学与“双师型”教师培养的探讨

一体化教学与“双师型”教师培养的探讨 摘要：一体化教学模式需要“双师型”教师，一体化教学模式有利于“双师型”教师的培养，两者是相辅相成、互相制约又互相促进。当务之急是探讨行之有效的“双师型”教师培养方法，培养合格的“双师型”教师实施教学，促进职业学校教学质量的提高及学校的发展。

关键词： 一体化教学

“双师型”教师

培养

我国对职业教育愈来愈重视，职业教育的改革在不断探索、不断深入。随着我国经济的发展和社会制度的进步，各行各业用人单位对各类人才的需求发生了很大的变化，对操作技能型人才的需求较为突出。作为中等职业技术学校培养的学生，不但要求懂得理论知识，还要掌握更多的技能，也就是说要求中等职业学校在教学的过程中既要重视理论知识的传授，还要与实践相结合，强化技能训练，才能培养出社会所需的新型人才。要做到这一点，除了调整教学内容、实施教学法的改革和创新外，要求专业教师都达到“双师型”教师的要求。这里所谓“双师型”教师是指：既能向学生传授理论知识，具有讲师以上职称资格，又能教会学生操作技能，有技师以上技能等级的教师。所谓一体化教学是把理论知识和技能训练融为一体进行教学，一般由同一位教师来完成教学任务。区别以往的理论与技能操作独立开展的教学模式。

一、中等职业学校“双师型”教师的现状

随着职业教育的逐步发展，教学改革在不断深入，近些年来，很多学校虽然引导教师走向“双师型”教师的道路，但在具体的教学活动中因为受到多方面条件的限制，仍然存在一只脚长、一只脚短的现象，理论教学见长而实践教学跟不上。中等职业学校应该以实践教学为主，在学生掌握技能的同时，还能使其得到全面发展，理论与实践相结合，同时对学校里的专业课教师的成长也非常的有利。但是，在有些学校把专业课老师分为理论课教师和实习指导老师两大块，专业课程的设置和教学也分为理论课教学和实习课教学两部分，这样的课程设置，不但使学生在学习过程中难以达到理论联系实际，更不能使专业课教师在教学过程中做到理论与实践相结合起来，不利于各任课教师成长为“双师型”教师。

二、一体化教学模式最有利于培养“双师型”教师。

1、传统的教学模式制约专业教师向“双师型”教师的培养

从上述分析可以说明，目前有的学校专业课程设置和教学方式不利于学校培养“双师型”教师，也不利于培养既懂理论、实际操作也过硬的学生。在传统的教学模式中，专业课程的教学设置都分为理论教学与实践教学两部分，理论教学由理论老师上课，实习（实践）教学由实习指导教师去担任，教学上自成体系，互不相干。这样的教学模式，造成了理论知识与实际操作严重相脱节，不利于教学质量的提高，学生在学习理论时只埋头学理论不考虑实际的应用。实习时，又只注意实际操作而没有较好地将理论与实践联系在一起。同样道理，这样的教学模式也不利于教师的全面发展和教师专业水平的提高，理论课教师只考虑理论上的推演，而没有考虑到实际应用的可行性。比如，教电视机原理的老师却不懂修理电视机；而实习指导教师则是多以实践经验方面进行教学，没有更好的思考怎样从理论上去解释、推导、解决问题。久而久之，必然使老师的理论与实践脱节，理论教师只懂理论，实习指导老师只有经验而无理论作为基础，这样不利于教学，必然扼制专业教师向“双师型”教师的转化。

2、一体化教学模式有助于专业教师向“双师型”教师的转化。

一体化教学模式从上世纪末已经在部分中等职业学校内开始实施并运用。由一名教师将专业技术理论课和实习课融合在一起，把理论教学和实践教学的教学任务同时担任，在教学 的具体环节中，根据教学内容可采用先讲理论后实习或者先让学生动手、发现问题后再讲解的方式进行教学，通过实践验证理论，实践教学用相应的理论知识去指导、解决。

这样的一体化教学模式，教师不但是要有扎实的理论知识功底，同时必须还要有丰富的实践经验，才能更好地实现教学目标，保证教学质量的提高。毫无疑问，这样的教学模式给原来只担任理论教学或实习教学的老师增加了压力，同时也增加了学习的动力。原来只担任理论教学的教师如果要想独立地完成一门专业课程的一体化教学，必须进行实践操作练习和积累；担任实习教学的老师如果想要独立地完成一门专业课程的一体化教学，就必须认真地去弄清、熟悉专业的理论知识。这种教学模式使教师能经常性地接触到专业的理论和专业的实际操作，做到了既熟悉专业的理论也熟悉专业的实际操作，能将理论与实践有机地结合起来，这也是一体化教学给教师带来的动力。

从我校的实际情况也说明了理论与实践相结合的一体化教学模式有助于专业教师向“双师型”教师的转化。我校的电类和汽车维修专业较早就采用一体化教学模式，“双师型”教师的比例超过90％比后来采用一体化教学模式的机械、化工等专业的“双师型”教师的比例50％高得多。

三、培养“双师型”教师的步骤和方法。

国家相关的教育管理部门不断地在采取各种措施去培养“双师型”的教师，例如陆续举行了国家级、省级骨干教师的培训班。虽然各个职业学校也积极地将学校的教师送出去培养，并取得了一定的效果，但是美中不足的是送出去培训学习，无论教师，学校的积极性都很高，这些教师回到学校后，并不能真正做到做理论与实践相结合，也不能真正起到“双师型”教师的作用，效果不佳。我认为主要原因是时间短、条件有限。其次，参加的教师数量也很有限。如何利用学校自身的力量，更好更快地培养出“双师型”教师，有着多种多样的方法，结合具体情况，我认为培养“双师型”教师队伍应从以下几方面做起。

（一）、必须调整专业课程授课的内容，配置相应的教学设施。

1、为了适应一体化教学模式要求，必须把专业课程的理论内容、实习教学内容进行相应的、有机的组合和统筹安排，以学生够用、适用、会用为原则对两方面的内容进行一定删改、编排，充分体现在教学过程中理论与实践相结合的教学目标。有条件的学校应该根据学校的实际编写一体化教材。我校部分专业已编写出校本教材，在一体化教学中使用。

2、确定教学内容以后，要合理制定学科课程授课计划，要考虑到内容、学生、设备和教师等方面的情况，这样才能更好地开展一体化教学，对教师在“双师型”培养过程会更有利，有利于提高教学质量。

3、为了更好地实施一体化教学，要求学校的实习岗位尽可能做到一人一岗，以确保教学效率和质量。

（二）、以老带新，以传、帮、带方式，带领年轻教师实施一体化教学。

传、帮、带是人们熟知的对快速培养年轻教师的一条最有效的传统的方法。学校在实施一体化教学时，也要执行这个传统的方法。现在刚从事职业教育工作的年轻教师，存在这样一个特点：理论知识较强，实际应用较少，动手实践能力较弱，经验较少。即便是有一定从教年限的专业理论课或实习指导教师，由于理论与实践相脱节，学校在实施一体化教学时，如果教师马上独立担任一体化教学工作，难以取得好的教学效果，达到教学目的；同时对他们发展成为“双师型”教师起到制约作用。所以，学校必须根据实际情况，认真选择好专业理论和实践经验都较丰富的教师担任一体化教学工作，让年轻教师或只有单方面教学经验的教师以学徒的形式跟着学习，掌握一体化教学的方法、要求和步骤，为独立教学工作打下基础，积累一定的教学经验。

（三）、组织年青教师培训学习，开展一体化教学，促成“双师型”教师。

年青教师跟随老教师一段时间，理论与实践方面的结合有一定的基础后，将这些教师送出去进行综合的培训学习一段时间，使他们能更好、更系统地将理论与实践结合起来，才能 更好的完成学校交给的一体化教学任务。经过老教师传、帮、带和培训学习后，让年青教师独立担任专业课程的一体化教学工作，培养、帮助他们发展成为“双师型”教师。

学校还要大胆地磨练、任用年青教师，让他们担任专业课程的一体化教学工作。在具体的教学安排过程中，为确保教学的顺利开展和教学质量，教学过程可安排一名有丰富教学经验的老师作为指导教师，协助、辅导第一次担任一体化教学工作的教师上好这一门课程。这样既确保了教学的效果，也锻炼了年轻教师，使他们真正地将理论与实践有机地结合起来，逐步趋向成熟，发展成为“双师型”教师。

结束语： 培养“双师型”教师的办法很多，以上的几种方式、方法是我们这些年来的做法，实践证明，这些做法能帮助他们较快成为一名既熟悉专业理论知识，又有过硬实践操作技术的“双师型”教师，并通过创新教学法进一步提高教学质量，使学校的发展得到有力的保证。在此提出这些做法，希望能起到抛砖引玉的功效，更盼望得到同行们指教和提出更好的做法，让我们从中学习和借鉴，共同提高我们的职业教育水平，为职业教育的发展做出我们应做的事。

参考文献: 〈〈技工院校一体化课程教学改革试点工作方案〉〉人社厅发（2009）86号

第四篇：关于双师型教师

关于培养“双师型”教师的思考

江阳职高王薇

在我们中职学校，关于“双师型”教师培养的意识是有的，但往往推行起来却遇到种种阻力。原因有：

一．教师评职称等没有双证的要求，教师们本身就压力大，时间紧，哪还有工夫去学习、考取职业资格证？

二．教师想学，或考职业资格证，却没有来自上级主管部门或学校的资金支持。

三．专业培训往往在暑假中进行，教师们在假期一般都想休息休息。

四．有时培训的项目和内容又不与自己的专业相切合。就是相一致的，但培训起来也是理论多，操作少，见习与实习机会更少。

五．学校的横向联系的企事业单位太有限，要去顶岗实习的机会太少。这些单位一般都不想给职校师生提供实习机会，多一事不如少一事。

六．上级主管部门也没有帮助协调，联系，下达“允许实习”的指令。

我认为，要解决以上阻力，可以从以下几个方面着手努力：

一．职校评职称“双师型教师”优先。

二．上级主管部门、学校要给参加培训及考证的教师出钱。

三．学习、考证不一定都在假期，让教师在开学期间轮换出去培训。

四．可让教师自己选择培训项目和内容（当然要与自己的专业对口），组织的培训要重操作和实践。

五．学校应尽可能多与相关单位合作，上级主管部门或政府应帮助搭建实习的平台。

第五篇：牛仔裤裤型介绍

Miclee品牌服饰现有牛仔裤版型 剪裁说明

一，第一要分清版型 和 剪裁

版型就是裤型 也就是整个裤子的形状 多指裤小腿

裤小腿从小到大 分别为 锥形裤 小脚裤 小直角 直角裤

剪裁说的不是形状 而是部分位置 多指 大腿 臀部

lee的牛仔裤 从瘦到肥 依次为 修身剪裁 舒适剪裁（这里经常被客户误会为修身剪裁就是小脚裤 其实这是两回事）

腰型从低到高 为 低腰 中低腰 中腰

727 中腰 标准剪裁 直脚

724 中腰修身直筒（现在咱们家的多为 中低腰修身剪裁小直角）

730 中低腰 舒适 小脚

706 中低腰 修身 小脚

709 中低腰 修身 小脚

728 中腰 修身 直角