第一篇：氮化镓半导体材料
氮化镓半导体研究
一．物理背景
自20世纪60年代，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的发展非常迅速，它具有体积小、耐冲击、寿命长、可靠度高与低电压低电流操作等优良的特性，适用于在各种环境的使用，而且符合未来环保节能的社会发展趋势。初期的以砷化镓(GaAs)、铝铟磷镓(AIGalnP)材料为基础之发光二极管，实现了红光至黄绿光波段的电激发光。近年来，以氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料技术上
氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性，在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景，其中最引人瞩目的是作为发光材料的应用，由于氮化镓能与氮化铟(INN)和氮化铝(AIN)形成三元或四元化合物，如此借着改变IlI族元素的比例，便能使发光波长涵盖红外光到紫外光的范围，另外将发蓝光的氮化镓基发光二极管配以可激发出黄绿光的荧光粉，从而混合发出白光，应用前景非常广泛，除了应用于指示灯、灯饰、手电筒等普通市场，氮化镓基发光二极管还应用于手机及手提电脑背光源、交通灯、户外全彩显示屏等市场，但氮化镓基发光二极管最有前景的应用还是在普通照明市场。
二．GaN的应用
高效节能、长寿命的半导体照明产品正在引领照明业的绿色变革。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和蓝、绿发光二极管的问世，世界各国纷纷投入巨资推出国家级半导体照明计划。
GaN属宽禁带半导体，直接带隙3．4eV，在长寿命、低能耗、短长半导体发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、紫外探测器以及高温微电子器件等方面有广阔的应用前景,GaN器件的广泛应用将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临，因此，以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为信息产业新的发动机。GaN基半导体材料，包括GaN、A1N和InN，都是直隙半导体材料，因而有很高的量子效率。用GaN、A1N和InN这三种材料按不同组份生成的固溶体，其禁带宽度可在O．7eV到6．2eV之间变化。这样，用这些固溶体制造发光器件，是光电集成材料和器件发展的方向，其主要应用领域包括：
(1)当前在国内外非常受人瞩目的半导体照明是一种新型的高效、节能和环保光源，将取代目前使用的大部分传统光源，被称为21世纪照明光源的革命，而GaN基高效率、高亮度发光二极管(LED)的研制是实现半导体照明的核心技术和基础。以LED为代表的半导体光源，具有节能、长寿命、免维护、环保等优点，目前己被广泛的应用于大屏幕平板显示和交通信号灯以及显示指示灯，并逐渐向通用照明领域发展，目前实验室水平的白光LED发光强度已经达到131 lm／w。
（2）CD、DVD的光存储密度与作为读写器件的半导体激光器的波长的平方成反比，目前流行的CD、DVD的激光读写头分别采用波长为780nm、650nm的AIGaAs／AIGalnP材料，存储容量分别为700MB，4．7GB。若用波长为410rim的InGaN／GaN蓝光激光器代替，光盘的存储容量将高达27GB，将会成为光存储和处理的主流技术。
（3）适合制作紫外探测器件。当在强可见光和红外辐射背景中探测紫外信号时，要尽量避免或减少紫外信号以外的背景信号干扰。以GaN做成的紫外探测器，克服了Si探测器在紫外波段探测效率低、需要复杂的滤光系统等弱点。而氮化物特别是AIGaN，可以制成日光盲紫外探测器，其截止波长为200．356nm。在这个范围的探测器可以用于火焰探测、燃烧诊断、光谱学和紫外监视，AIGaN探测器还有重要的军事用途，可用于导弹制导和导弹预警防御系统。
(4)由于GaN基材料有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和速率高、热稳定性好、抗腐蚀性强等优点，被广泛用于制作高电子迁移率晶体管、双极晶体管、场效应晶体管等微电子器件，适合在高温、大功率及恶劣环境下工作⋯11。高温、高频、高功率微波器件是无线通信、国防等领域急需的电子器件，如果目前使用的微波功率管的输出功率密度提高一个数量级，微波器件的工作温度提高到300℃，将解决航天航空用电子装备和民用移动通信系统的一系列难题。
三.GaN的制备方法
3.1
由于GaN体单晶非常难以获得，即便是已有一些研究报道对GaN体单晶生长取得了一定进展，但它们的质量还无法达到作衬底的要求。因此现今对GaN的研究都集中在以异质材料(如A1203、SiC、Si等)为衬底的外延生长薄膜上。随着异质外延技术的进步，现在已经可以在特定的衬底材料上外延生长获得质量优良的GaN外延层，这也使得GaN材料体系的应用得到了迅速发展，异质外延技术成为了制备GaN薄膜的主要方法。
3.1生长工艺
GaN的外延生长一般有以下几种工艺：金属有机化学气相沉积(Metal OrganicChemical Vapor Deposition)，分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)，卤化物气相外延(Hydride Vapor Phase Epitaxy)，此外还有比较新颖的横向外延过生长(LateralEpitaxially Overgrown)以及悬空外延(PE)等工艺。其中MOCVD和MBE是制各GaN及其相关多层结构薄膜的两大主流技术，它们各有独自的特点。然而从实用商品化技术方
面考虑，MOCVD方法由于其设备相对简单、造价相对较低、生长速度快等特点成为了外延生长GaN最主流的方法。本文所研究的GaN均采用MOCVD方法制备，因此这里只以其为例作简要介绍。
3.2金属有机化学气相沉积法(MOCVD)
MOCVD又称MOVPE(金属有机气相外延)。MOCVD法用III族元素的有机 化合物和V族元素的氢化物作为原材料，通过氢气或氮气等载运气体带入反应室在高温加热的衬底上外延成化合物单晶薄膜。反应时的关键是避免有机分子中的C沉积下来污染样品。MOCVD生长的优点是：(1)金属有机分子一般为液体，可以通过精确控制流过金属有机分子液体的气体流量来控制金属有机分子的量，控制形成的化合物的组分，易于通过精确控制多种气体流量来制备多组元化合物：(2)易于掺杂，MOCVD从气相可实现原位掺杂；(3)易于通过改变气体制备界面陡峭的异质结或多层不同组分的化合物；(4)可以通过改变III族源气体流量在O．05～1．0um／min的大范围内控制化合物的生长速度。此外，MOCVD方法具有产量大、生长周期短的特点，到目前为止，它是唯一实现产业化生产GaN基器件的制备方法。
3.2
ZnO和GaN具有相近的晶格结构，二者都具有六方纤锌矿结构，口轴和c轴晶向的失配率分别仅为1．9％和O．4％，所以ZnO的一个重要应用就是作为GaN薄膜生长的缓冲层．同时ZnO纳米材料也是研究的热点之但当用氨气作为GaN生长的反应气体时，高温下ZnO会在氨气气氛中挥发，所以应用ZnO作缓冲层时一般在较低温度下生长GaN薄膜．实验中在900℃下通过氨化ZnO／GaO。薄膜合成出六方纤锌矿结构的GaN纳米线，以此来制作合成GaN纳米线。．反应的过程可由方程式(1)～
(3)给出：
NH3一N2+H2(1)
Ga203+H2一Ga20(g)+H20(g)(2)
Ga20+NH3一GaN+H20(g)(3)
结论：利用射频磁控溅射和高温氨化法在Si衬底上生长出GaN纳米线，生长过程中ZnO层的挥发起到了辅助的作用．XRD测量结果显示所制备的纳米线为六方纤锌矿结构，扫描电镜观测和能谱测试表明ZnO已全部挥发，借助ZnO的挥发作用而生成的汽相Ga。O与NH。反应生成了GaN纳米线，附着在未反应的Ga。O。层的上面．利用透射电镜和选区电子衍射分析了所生成的GaN纳米线的形貌和结构，初步分析了利用此种方法合成GaN纳米线的生长机制．
四．总结
本文简单介绍了半导体行业GaN材料的物理背景，简单的制作方法，和应用前景，通过这些资料的收集，这对我们来说也是课外学习的收
获。我们也相信通过这学期《半导体物理材料》课程的学习，能丰富我们的专业知识，让我们对自己将来的科研研究有个新的认识。
第二篇：氮化镓项目可行性研究报告
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氮化镓项目可行性研究报告
总述
GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料。
化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
结构特性
表1列出了纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性比较。电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。
很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s，相应的载流子浓度为n=4×1016/cm3和报告用途：发改委立项、政府申请资金、政府申请土地、银行贷款、境内外融资等
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n=8×1015/cm3。近年报道的MOCVD沉积GaN层的电子浓度数值为4 ×1016/cm3、<1016/cm3；等离子激活MBE的结果为8×103/cm3、<1017/cm3。
未掺杂载流子浓度可控制在1014～1020/cm3范围。另外，通过P型掺杂工艺和Mg的低能电子束辐照或热退火处理，已能将掺杂浓度控制在1011～1020/cm3范围。
光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。Monemar测定了基本的带隙为3.503eV±0.0005eV，在1.6kT为Eg=3.503+（5.08×10－4T2)/(T－996)eV。
另外，还有不少人研究GaN的光学特性。
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可行性研究报告大纲（具体可根据客户要求进行调整）第一章 研究概述 第一节 研究背景与目标
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第二节 研究的内容 第三节 研究方法 第四节 数据来源 第五节 研究结论
一、市场规模
二、竞争态势
三、行业投资的热点
四、行业项目投资的经济性 第二章 氮化镓项目总论 第一节 氮化镓项目背景
一、氮化镓项目名称
二、氮化镓项目承办单位
三、氮化镓项目主管部门
四、氮化镓项目拟建地区、地点
五、承担可行性研究工作的单位和法人代表
六、研究工作依据
七、研究工作概况 第二节 可行性研究结论
一、市场预测和项目规模
二、原材料、燃料和动力供应
三、选址
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四、氮化镓项目工程技术方案
五、环境保护
六、工厂组织及劳动定员
七、氮化镓项目建设进度
八、投资估算和资金筹措
九、氮化镓项目财务和经济评论
十、氮化镓项目综合评价结论 第三节 主要技术经济指标表 第四节 存在问题及建议
第三章 氮化镓项目投资环境分析 第一节 社会宏观环境分析 第二节 氮化镓项目相关政策分析
一、国家政策
二、氮化镓项目行业准入政策
三、氮化镓项目行业技术政策 第三节 地方政策
第四章 氮化镓项目背景和发展概况 第一节 氮化镓项目提出的背景
一、国家及氮化镓项目行业发展规划
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二、氮化镓项目发起人和发起缘由 第二节 氮化镓项目发展概况
一、已进行的调查研究氮化镓项目及其成果
二、试验试制工作情况
三、厂址初勘和初步测量工作情况
四、氮化镓项目建议书的编制、提出及审批过程 第三节 氮化镓项目建设的必要性
一、现状与差距
二、发展趋势
三、氮化镓项目建设的必要性
四、氮化镓项目建设的可行性 第四节 投资的必要性
第五章 氮化镓项目行业竞争格局分析 第一节 国内生产企业现状
一、重点企业信息
二、企业地理分布
三、企业规模经济效应
四、企业从业人数
第二节 重点区域企业特点分析
一、华北区域
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二、东北区域
三、西北区域
四、华东区域
五、华南区域
六、西南区域
七、华中区域
第三节 企业竞争策略分析
一、产品竞争策略
二、价格竞争策略
三、渠道竞争策略
四、销售竞争策略
五、服务竞争策略
六、品牌竞争策略
第六章 氮化镓项目行业财务指标分析参考 第一节 氮化镓项目行业产销状况分析 第二节 氮化镓项目行业资产负债状况分析 第三节 氮化镓项目行业资产运营状况分析 第四节 氮化镓项目行业获利能力分析 第五节 氮化镓项目行业成本费用分析
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第七章 氮化镓项目行业市场分析与建设规模 第一节 市场调查
一、拟建 氮化镓项目产出物用途调查
二、产品现有生产能力调查
三、产品产量及销售量调查
四、替代产品调查
五、产品价格调查
六、国外市场调查
第二节 氮化镓项目行业市场预测
一、国内市场需求预测
二、产品出口或进口替代分析
三、价格预测
第三节 氮化镓项目行业市场推销战略
一、推销方式
二、推销措施
三、促销价格制度
四、产品销售费用预测
第四节 氮化镓项目产品方案和建设规模
一、产品方案
二、建设规模
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第五节 氮化镓项目产品销售收入预测
第八章 氮化镓项目建设条件与选址方案 第一节 资源和原材料
一、资源评述
二、原材料及主要辅助材料供应
三、需要作生产试验的原料
第二节 建设地区的选择
一、自然条件
二、基础设施
三、社会经济条件
四、其它应考虑的因素 第三节 厂址选择
一、厂址多方案比较
二、厂址推荐方案
第九章 氮化镓项目应用技术方案 第一节 氮化镓项目组成 第二节 生产技术方案
一、产品标准
二、生产方法
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三、技术参数和工艺流程
四、主要工艺设备选择
五、主要原材料、燃料、动力消耗指标
六、主要生产车间布置方案 第三节 总平面布置和运输
一、总平面布置原则
二、厂内外运输方案
三、仓储方案
四、占地面积及分析 第四节 土建工程
一、主要建、构筑物的建筑特征与结构设计
二、特殊基础工程的设计
三、建筑材料
四、土建工程造价估算 第五节 其他工程
一、给排水工程
二、动力及公用工程
三、地震设防
四、生活福利设施
第十章 氮化镓项目环境保护与劳动安全
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第一节 建设地区的环境现状
一、氮化镓项目的地理位置
二、地形、地貌、土壤、地质、水文、气象
三、矿藏、森林、草原、水产和野生动物、植物、农作物
四、自然保护区、风景游览区、名胜古迹、以及重要政治文化设施
五、现有工矿企业分布情况
六、生活居住区分布情况和人口密度、健康状况、地方病等情况
七、大气、地下水、地面水的环境质量状况
八、交通运输情况
九、其他社会经济活动污染、破坏现状资料
十、环保、消防、职业安全卫生和节能 第二节 氮化镓项目主要污染源和污染物
一、主要污染源
二、主要污染物
第三节 氮化镓项目拟采用的环境保护标准 第四节 治理环境的方案
一、氮化镓项目对周围地区的地质、水文、气象可能产生的影响
二、氮化镓项目对周围地区自然资源可能产生的影响
三、氮化镓项目对周围自然保护区、风景游览区等可能产生的报告用途：发改委立项、政府申请资金、政府申请土地、银行贷款、境内外融资等
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影响
四、各种污染物最终排放的治理措施和综合利用方案
五、绿化措施，包括防护地带的防护林和建设区域的绿化 第五节 环境监测制度的建议 第六节 环境保护投资估算 第七节 环境影响评论结论 第八节 劳动保护与安全卫生
一、生产过程中职业危害因素的分析
二、职业安全卫生主要设施
三、劳动安全与职业卫生机构
四、消防措施和设施方案建议
第十一章 企业组织和劳动定员 第一节 企业组织
一、企业组织形式
二、企业工作制度
第二节 劳动定员和人员培训
一、劳动定员
二、年总工资和职工年平均工资估算
三、人员培训及费用估算
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第十二章 氮化镓项目实施进度安排 第一节 氮化镓项目实施的各阶段
一、建立 氮化镓项目实施管理机构
二、资金筹集安排
三、技术获得与转让
四、勘察设计和设备订货
五、施工准备
六、施工和生产准备
七、竣工验收
第二节 氮化镓项目实施进度表
一、横道图
二、网络图
第三节 氮化镓项目实施费用
一、建设单位管理费
二、生产筹备费
三、生产职工培训费
四、办公和生活家具购置费
五、勘察设计费
六、其它应支付的费用
第十三章 投资估算与资金筹措 第一节 氮化镓项目总投资估算
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一、固定资产投资总额
二、流动资金估算 第二节 资金筹措
一、资金来源
二、氮化镓项目筹资方案 第三节 投资使用计划
一、投资使用计划
二、借款偿还计划
第十四章 财务与敏感性分析 第一节 生产成本和销售收入估算
一、生产总成本估算
二、单位成本
三、销售收入估算 第二节 财务评价 第三节 国民经济评价 第四节 不确定性分析
第五节 社会效益和社会影响分析
一、氮化镓项目对国家政治和社会稳定的影响
二、氮化镓项目与当地科技、文化发展水平的相互适应性
三、氮化镓项目与当地基础设施发展水平的相互适应性
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四、氮化镓项目与当地居民的宗教、民族习惯的相互适应性
五、氮化镓项目对合理利用自然资源的影响
六、氮化镓项目的国防效益或影响
七、对保护环境和生态平衡的影响
第十五章 氮化镓项目不确定性及风险分析 第一节 建设和开发风险 第二节 市场和运营风险 第三节 金融风险 第四节 政治风险 第五节 法律风险 第六节 环境风险 第七节 技术风险
第十六章 氮化镓项目行业发展趋势分析
第一节 我国氮化镓项目行业发展的主要问题及对策研究
一、我国氮化镓项目行业发展的主要问题
二、促进氮化镓项目行业发展的对策 第二节 我国氮化镓项目行业发展趋势分析 第三节 氮化镓项目行业投资机会及发展战略分析
一、氮化镓项目行业投资机会分析
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二、氮化镓项目行业总体发展战略分析 第四节 我国 氮化镓项目行业投资风险
一、政策风险
二、环境因素
三、市场风险
四、氮化镓项目行业投资风险的规避及对策
第十七章 氮化镓项目可行性研究结论与建议 第一节 结论与建议
一、对推荐的拟建方案的结论性意见
二、对主要的对比方案进行说明
三、对可行性研究中尚未解决的主要问题提出解决办法和建议
四、对应修改的主要问题进行说明，提出修改意见
五、对不可行的项目，提出不可行的主要问题及处理意见
六、可行性研究中主要争议问题的结论
第二节 我国氮化镓项目行业未来发展及投资可行性结论及建议
第十八章 财务报表 第一节 资产负债表 第二节 投资受益分析表 第三节 损益表
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第十九章 氮化镓项目投资可行性报告附件 1、氮化镓项目位置图 2、主要工艺技术流程图 3、主办单位近5 年的财务报表、氮化镓项目所需成果转让协议及成果鉴定 5、氮化镓项目总平面布置图 6、主要土建工程的平面图 7、主要技术经济指标摘要表 8、氮化镓项目投资概算表 9、经济评价类基本报表与辅助报表 10、现金流量表 11、现金流量表 12、损益表、资金来源与运用表 14、资产负债表 15、财务外汇平衡表 16、固定资产投资估算表 17、流动资金估算表 18、投资计划与资金筹措表 19、单位产品生产成本估算表
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北京智博睿信息咨询有限公司 www.xiexiebang.com、固定资产折旧费估算表 21、总成本费用估算表、产品销售（营业）收入和销售税金及附加估算表
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第三篇：半导体砷化镓材料的分析
砷化镓材料分析
摘要：本文主要介绍半导体材料GaAs的性质、用途、制备工艺及国内外发展现状。半导体材料的性质和结构参数决定了他的特征以及用途。GaAs在生活中也有着广泛的作用，通过对它的讨论希望有助于对半导体材料的认识和理解。
关键词：半导体材料 GaAs 性质 结构 特征 用途 认识
Abstract: this paper mainly introduces the properties of GaAs semiconductor materials, application, preparation technology and development situation at home and abroad.The nature of the semiconductor material and structure parameters determine his character and purpose.GaAs also has a broad role in our daily life, through the discussion of it hope to contribute to understanding and the understanding of semiconductor materials.Keywords：Semiconductor Materials GaAs Properties Structure Characteristics
Purpose Understanding 1 引言
化合物半导体材料的研究可以追溯到上世纪初，最早报导的是1910年由Thiel等人研究的InP材料。1952年，德国科学家Welker首次把Ⅲ-Ⅴ族化合物作为一种新的半导体族来研究，并指出它们具有Ge、Si等元素半导体材料所不具备的优越特性。五十多年来，化合物半导体材料的研究取得了巨大进展，在微电子和光电子领域也得到了日益广泛的应用。
砷化镓（GaAs）材料是目前生产量最大、应用最广泛，因而也是最重要的化合物半导体材料，是仅次于硅的最重要的半导体材料。由于其优越的性能和能带结构，使砷化镓材料在微波器件和发光器件等方面具有很大发展潜力。目前砷化镓材料的先进生产技术仍掌握在日本、德国以及美国等国际大公司手中，与国外公司相比国内企业在砷化镓材料生产技术方面还有较大差距。砷化镓材料的性质及用途
砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构，导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心，即K=0处，这使其具有较高的电光转换效率，是制备光电器件的优良材料。
在300 K时，砷化镓材料禁带宽度为1.42 eV，远大于锗的0.67 eV和硅的1.12 eV，因此，砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。
砷化镓（GaAs）材料与传统的硅半导体材料相比，它具电子迁移率高、禁带宽度大、直接带隙、消耗功率低等特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。除在I C产品应用以外，砷化镓材料也可加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制做砷化镓太阳能电池。砷化镓材料制备工艺
从20世纪50年代开始，已经开发出了多种砷化镓单晶生长方法。目前主流的工业化 1
生长工艺包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直梯度凝固法（VGF）等。
3.1 液封直拉法（Liquid Encapsulated Czochralski，简称LEC）
LEC法是生长非掺半绝缘砷化镓单晶（SI GaAs）的主要工艺，目前市场上80%以上的半绝缘砷化镓单晶是采用LEC法生长的。LEC法采用石墨加热器和PBN坩埚，以B2O3作为液封剂，在2MPa的氩气环境下进行砷化镓晶体生长。LEC工艺的主要优点是可靠性高，容易生长较长的大直径单晶，晶体碳含量可控，晶体的半绝缘特性好。其主要缺点是：化学剂量比较难控制、热场的温度梯度大（100~150 K/cm）、晶体的位错密度高达104以上且分布不均匀。日本日立电线公司于1998年首先建立了6英寸LEC砷化镓单晶生产线，该公司安装了当时世界上最大的砷化镓单晶炉，坩埚直径400mm，投料量50公斤，生长的6英寸单晶长度达到350 mm。德国Freiberger公司于2000年报道了世界上第一颗采用LEC工艺研制的8英寸砷化镓单晶。
3.2 水平布里其曼法（Horizontal Bridgman，简称HB）
HB法是曾经是大量生产半导体（低阻）砷化镓单晶（SC GaAs）的主要工艺，使用石英舟和石英管在常压下生长，可靠性和稳定性高。HB法的优点是可利用砷蒸汽精确控制晶体的化学剂量比，温度梯度小从而达到降低位错的目的。HB砷化镓单晶的位错密度比LEC砷化镓单晶的位错密度低一个数量级以上。主要缺点是难以生长非掺杂的半绝缘砷化镓单晶，所生长的晶体界面为D形，在加工成晶片过程中将造成较大的材料浪费。同时，由于高温下石英舟的承重力所限，难以生长大直径的晶体。目前采用HB工艺工业化大量生产的主要是2英寸和3英寸晶体，报道的HB法砷化镓最大晶体直径为4英寸。目前采用HB工艺进行砷化镓材料生产的公司已经不多，随着VB和VGF工艺的日渐成熟，HB工艺有被逐渐取代的趋势。
3.3 垂直布里其曼法（Vertical Bridgman，简称VB）
VB法是上世纪80年代末开始发展起来的一种晶体生长工艺，将合成好的砷化镓多晶、B2O3以及籽晶装入PBN坩埚并密封在抽真空的石英瓶中，炉体垂直放置，采用电阻丝加热，石英瓶垂直放入炉体中间。高温下将砷化镓多晶熔化后与籽晶进行熔接，然后通过机械传动机构由支撑杆带动石英瓶与坩埚向下移动，在一定的温度梯度下，单晶从籽晶端开始缓慢向上生长。VB法即可以生长低阻砷化镓单晶，也可以生长高阻半绝缘砷化镓单晶。晶体的平均EPD在5 000个/cm-2以下。
3.4 垂直梯度凝固法（Vertical Gradient Freeze，简称VGF）
VGF工艺与VB工艺的原理和应用领域基本类似。其最大区别在于VGF法取消了晶体下降走车机构和旋转机构，由计算机精确控制热场进行缓慢降温，生长界面由熔体下端逐渐向上移动，完成晶体生长。这种工艺由于取消了机械传动机构，使晶体生长界面更加稳定，适合生长超低位错的砷化镓单晶。VB与VGF工艺的缺点是晶体生长过程中无法观察与判断晶体的生长情况，同时晶体的生长周期较长。目前国际上商用水平已经可以批量生产6英寸的VB/VGF砷化镓晶体，Freiberger公司在2002年报道了世界上第一颗采用VGF工艺研制的8英寸砷化镓单晶。国内外砷化镓材料技术的发展
4.1 国外砷化镓材料技术的现状与发展
砷化镓材料作为一种新型的电子信息材料，技术水平的发展十分迅速。目前的技术发展趋势体现在如下几个方面：
（1）晶体的尺寸、重量不断增大。半绝缘砷化镓材料在上个世纪末实现了直径从 3 英寸向 4 英寸的提升后，目前正在实现 4 英寸向 6 英寸的跃升；
（2）材料性能上，主要集中于改善材料的电学性能径向均匀性和轴向一致性、降低材料的微观缺陷等方面；
（3）晶体的后工艺技术方面，一方面致力于超平坦晶片的研制，另一方面，着重解决晶片的免清洗问题；
（4）致力于新工艺技术的开发。VB/VGF 技术在成功地应用于光电子器件用的砷化镓材料研制后，目前已被普遍地用于半绝缘材料的研制和生产。
在本领域中，美国、日本的科技发展水平相对较高，德国上升速度较快，俄罗斯基本上停滞不前。
美国的化合物半导体材料发展是比较典型的由军事需求牵引发展起来后转为民用的例子。美国的 GaAs 材料发展一直受到军方的高度支持，特别在“Title III”计划中，美国防部投巨资给 Litton Airtron、AXT、M/A-COM 三家企业，帮助其形成生产能力，使这三家企业成为世界著名的 GaAs 生产商。其中 Litton Airtron 公司采用常压 LEC 工艺、M/A-COM 公司采用高压 LEC 工艺主要生产半绝缘 GaAs 材料，AXT 公司采用其独创的 VGF 工艺，以生产低阻 GaAs 材料为主，也生产部分半绝缘材料，三家公司均可生产 6 英寸“开盒即用”的抛光片。日本的发展模式是以企业为主，首先发展光电子器件用 GaAs 材料，然后切入微电子用半绝缘 GaAs 材料，住友电工、日立电线目前是世界上技术水平最高、规模最大的厂商之一。其中住友电工采用 LEC、VB 工艺，日立电线采用 LEC、HB、VGF 工艺，两公司 LEC、VB、VGF 工艺均可生长 6 英寸单晶，特别是日立电线公司 4 英寸直径 GaAs 单晶长度达到 480mm，3 英寸直径 GaAs 单晶长度达到 770mm，为目前世界最高水平。德国在化合物半导体材料发展方面属后起之秀，主要在东、西德合并以后，原西德瓦克公司的 GaAs 生产能力和原东德晶体研究所的技术力量加之民间资金的注入，使新成立的 Freiberger公司的实力得到迅速提升，已成为世界著名的 GaAs 材料生产商。
4.2 国内砷化镓材料技术现状及发展趋势
我国从上世纪 60 年代初开始研制砷化镓，中科镓英公司成功拉制出我国第一根6.4 公斤 5 英寸 LEC 法大直径砷化镓单晶；信息产业部 46 所生长出我国第一根 6 英寸砷化镓单晶，单晶重 12kg，并已连续生长出 6 根 6 英寸砷化镓单晶；西安理工大在高压单晶炉上称重单元技术研发方面取得突破性进展。2004 年，中科院半导体所研制成功了我国第一个５英寸液封直拉法（LEC）砷化镓单晶，以及我国最重最长４英寸、６英寸液封直拉法（ＬＥＣ）砷化镓单晶，成为国内通过相关应用部门及美国、中国台湾等芯片制造商“客户认证”的晶片供应商。
2006 年 4 月，大庆国家高新技术产业开发区大庆佳昌科技有限公司正式公布：经过三年的努力，由公司首席科学家王永鸿教授带领的技术团队，采用自主创新的WLEC 法技术，成功拉制出国内第一颗直径 200 毫米砷化镓单晶，实现了我国大直径8 英寸砷化镓单晶生长技术零的突破，使我国砷化镓单晶生长技术跨入世界领先行列。由此，大庆将成为以生产优质砷化镓材料为主的具有国际影响力的化合物半导体材料重要生产基地。
砷化镓材料的尺寸经历了从 2 英寸、3 英寸、4 英寸、6 英寸的发展过程（8 英寸砷化镓单晶也于近期研制成功）。
目前砷化镓单晶材料的制备主要有 VGF、LEC、HB 等方法，随着单晶尺寸的增大，VGF 法已成为主流技术。我国在 LEC 和 HB 单晶生长技术方面相对较成熟。中科镓英公司于 2004 年 1 月正式投产，LEC 方法生产半绝缘砷化镓单晶，已成为国内半绝缘砷化镓单晶材料的主要供应基地。中科镓英公司的 2 英寸 HB 半导体砷化镓材料已畅销国内外，目前已占到世界市场的 10%左右。
随着国家科技体制改革的不断深入，我国的砷化镓材料产业化工作发展很快，拥有该材料技术的各研究单位正在大力实施该领域的产业化，同时国内外多家有实力的公司看好该领 3
域的良好发展前景，也在积极地涉足该领域的产业化工作，使得砷化镓材料的产业化呈现如火如荼态势。中电科技集团四十六所在收购美国 LittonAirtron 公司生产线的同时，自主开发 VB-GaAs 单晶生产技术，现在正在同时进行半绝缘砷化镓材料和低阻光电器件用砷化镓材料的产业化工作，目标是实现光电砷化镓衬底年产 20 万片、半绝缘砷化镓材料年产 15-20 万片，市场份额达到世界前四位；以中科院半导体所的技术为基础，联合北新建材等单位成立的中科镓英公司正在开展半掘缘砷化镓材料及其外延材料的产业化工作；以北京有色金属研究总院的HB-GaAs 技术为基础成立的国瑞电子公司已实现光电器件用砷化镓材料生产多年；其他如大庆佳昌、北京美西半导体材料有限公司（前身为福州晶阵半导体有限公司）、新乡市神舟晶体科技发展有限公司（原 542 厂）等公司也在积极地开展砷镓材料的产业化工作。可以讲，我国是目前世界上生产和正在积极努力准备生产砷化镓材料企业最多的国家，预示着不久的将来，中国将在该领域占据十分重要的地位。此时更迫切需要国家予以必要的支持，解决实现产业化的一些关键技术，构建起我国化合物半导体材料的产业群。
但是，我国砷化镓材料产业和国外也存在很大差距。在技术水平方面，国外LEC、VB、VGF 等工艺均已可生产 6 英寸单晶，国内目前只有 LEC 工艺研制出 6 英寸单晶，VB 工艺生长的单晶最大直径达到 3 英寸，VGF 工艺尚处于研发中；在晶体重量方面，国外达到 50Kg，国内目前只有 20Kg 左右；在材料性能方面，国外可以将整锭单晶的电阻率控制在（1～3）×10 7 Ωcm，国内目前只是控制在大于 1×10 7 Ωcm，有时可能达到 1×10 8 Ωcm 以上；在表面几何参数方面，国外 6 英寸抛光片的TTV 可以达到 2µm，国内在 6µm 左右，在表面质量方面，国外通过多种技术途径达到了“开盒即用”，国内还有一定差距。中国砷化镓材料产业发展建议及战略发展思路
5.1 发展 砷化镓材料产业的建议
砷化镓材料于上世纪九十年代初到九十年代末，其产量与产值基本保持每年百分之十几的增长趋势，到九十年代末期增长速度加快。近几年砷化镓相关产业以每年 35%的增长速度递增；其增长最快的几个领域是，移动通信、卫星通讯、光纤通讯、半导体照明，增长速率在 40%以上。砷化镓相关产业 1999 年产值已超过 20 亿美元，到 2005 年超过了 100 亿美元。
国内开展砷化镓单晶材料的研究已有 20 多年历史，在了 LEC 和 HB 生长砷化镓单晶材料水平均方面和国际产品水平相当，特别是目前中科镓英公司已实现 LEC 砷化镓单晶及各种类型砷化镓晶片加工的产业化生产，可以说已经具备了快速发展的基本条件。
砷化镓材料产业是现代信息产业链中最重要的基础产业之一。国家已把微电子作为重点发展行业，砷化镓已被列入中国信息产业“十五”期间重点产品。
首先它将推动相关的砷化镓光电子器件、砷化镓微电子器件、电路的产业化发展，进而推动如半导体照明、移动电话、卫星定位系统、无线数据传输、卫星直播系统、高速测量系统等多领域的发展。砷化镓材料的产业化不仅推动其下游领域的产业化发展，同时还将带动其上游领域的发展。我国是金属镓资源的富国，砷化镓材料的产业化将带动高纯镓产业的迅速发展。
把砷化镓当成产业链的源头是正确的。从整个产业链的角度来说，砷和镓是很小的产业，但到了砷化镓的时候，这个产业就很大了，而到了器件电路的时候产业就更大了。按照粗略的估算可以认为，它们之间符合 1：10：100 ：1000 的比例。假如器件和电路有300 亿美元的市场，那么砷化镓晶片和外延片市场大约会有30 亿美元。
5.2 砷化镓材料产业的特性
（1）非标准化产品，量产不易:
砷化镓产品并非标准化产品，每个产品特性皆因客户要求的不同而异，因此无法像矽晶圆厂般量产.（2)认证时间长，单价高，订单稳定性佳:
由於砷化镓产品的品质控制仍不稳定，所以 IDM 大厂认证作业时间长，通常初次测试加上 reliability 测验约需 8 个月以上，但是单价高且订单稳定性佳.（3)客户稳定性佳:
砷化镓产品为客制化产品，所以必须与客户紧密配合，共同开发新产品.由於与客户长期配合新产品的开发，且经过客户长期的测试与验证，使得客户将不会轻易转移订单，客户的稳定性佳.（4）进入障碍高:
砷化镓域发展过去受限於国防工业，具人才稀有性，产业量产制程的研发时程尚短，因此较矽晶圆代工制程落后，使得目前的制程稳定度控制不易，技术障碍极高，良率的高低为该行业目前决胜要点.鉴于镓市场变化特点及世界镓生产公司采用的通行办法，对于上街区企业要进入镓的生产和市场，建议企业最好是采用与化合物半导体厂家建立合资公司的方式，一是获得稳定的市场，二是能避免市场突变的巨大风险。
5.3 发展砷化镓材料产业的战略思路
（1）从国民经济发展、国防安全的需要和电子信息技术的发展规律考虑战略发展思路。
当今社会已进入信息时代。信息社会的标志是大容量信息的快速采集、处理、传输及存储，其依赖的技术基础是微电子技术。过去 30 多年来，微电子技术一直以硅为主。硅微电子技术的发展基本上遵循摩尔法则，即集成在芯片上的 MOS 晶体管数量每隔 18 个月翻一番，这是通过不断技术进步，逐渐减少器件线宽尺寸来实现的。但这种线宽尺寸的减小是有限度的，硅微电子终将受物理极限尺寸和 SiO 2 介电性质的限制，据预计，这种发展模式最多能持续 10~15 年左右时间，速度、频率的进一步提高将非常困难。而现代社会产生的信息量却呈爆炸之势，因此，在可预见的不久的将来，硅微电子技术无法适应信息社会的发展必将成为不争的事实，取而代之的或在一定领域内取而代之的将是化合物微电子。化合物微电子主要以III-V族化合物半导体材料为基础。该类材料（典型的如 GaAs、InP 等）由于具有电子迁移率高、禁带宽度大等特点，其器件和集成电路在工作速度、频率等方面具有硅器件/电路不可比拟的优势，而这些正好符合大容量信息快速采集、处理、传输的要求，同时，多种III-V族化合物半导体材料不仅可以制作优良的微电子器件，同时还可以制作光电子器件，因此化合物微电子、光电子技术近年来发展十分迅速，在许多国民经济的高技术领域和军用电子领域应用十分广泛，发挥着十分重要的作用，因此，从国民经济发展、国防安全的需要和电子信息技术的发展规律出发，优先发展化合物微电子特别是其基础的III-V族化合物半导体材料是非常重要的。
（2）从现有的技术基础考虑战略发展思路
由于在国民经济和国防安全中的重要性，长期以来，在国家各有关计划的支持下，化合物微电子、光电子技术得到了迅速发展，与国外差距已不是很大，具备了在这一领域在国际上占据一席之地的技术基础。以 GaAs 材料为例，从“七五”计划开始，国家重大科技攻关、“863”重大专项、军事预研、军品攻关、技措技改等多渠道支持材料和器件的研制，使得该领域的研制技术已与国外相当。因此在现有基础上只要再有适量投入，即可赶上或超过国际先进水平，占领电子信息技术制高点，实现微电子技术的跨越式发展。
（3）从产业发展的需求考虑战略发展思路
随着国家科技体制改革的不断深入，拥有化合物微电子技术的各研究单位正在实施该领域的产业化，同时国内外多家有实力的公司看好该领域的良好发展前景，也在积极地涉足 5
该领域的产业化工作，使得化合物微电子的产业化呈现如火如荼态势。仍以 GaAs 为例，单晶材料方面，即有中电科技集团四十六所、中科镓英、北京国瑞、大庆佳昌、福州晶阵等公司在开展产业化工作，外延材料方面，有山东华光、厦门三安、青岛澳龙、广州普光、河北汇能等多家在进行产业化工作，器件/电路方面，中电科技集团十三所、五十五所的引进线正在紧张地试生产，深圳市贝光通科技有限公司、矽感科技有限公司等四家公司共投资 7.5 亿元的 GaAs 电路项目已落户矽感科技园。因此 GaAs 微电子的产业链已初具规模，此时更迫切需要国家予以必要的支持，解决实现产业化的一些关键技术，构建起我国化合物半导体材料的产业群。
（4）从发展效果考虑战略发展思路
大力发展化合物微电子可以实现二个效果。一方面，由于化合物微电子、光电子技术代表着电子信息技术的最前沿领域，该领域的产业化意味着我国电子信息技术的跨越式发展；另一方面，近年来，由于经济不景气等因素影响，西方各国在化合物微电子领域逐渐收缩。以 GaAs 单晶材料为例，美国原有三个生产厂家，其中生产规模最大的 Litton Airtron 公司已经关闭，整条生产线已被中电科技集团四十六所收购。生产规模居第二位的 AXT 公司全部生产线已转移至中国。目前只有最小的M/A-COM 公司处于半停产状态。日本原有 GaAs 材料生产厂家近十家，目前只有二家规模最大的住友电工、日立电线仍在维持，但近来一直也在和国内企业探讨，向中国转移生产线或合作生产的可能性。因此存在这样的可能，即中国的 GaAs 材料形成生产规模、加入该领域的竞争后，国际 GaAs 材料产能将进一步向中国集中，届时中国 GaAs 材料生产与出口将具有举足轻重的份量，一旦国际形势出现风吹草动，GaAs材料可以作为中国政府的战略物资，制约某些国家诸多高技术领域特别是国防领域的运转。结论
砷化镓材料是最重要的半导体材料之一，其应用领域不断扩大，产业规模也在急剧扩张，在民用与军事领域发挥着不可替代的作用。由于种种原因，我国的砷化镓材料产业发展速度迟缓，与国际先进水平的差距还很大。砷化镓材料的发展方向是大直径、低缺陷、工业化大规模生产。欧、美、日等发达国家在此方面占有绝对优势，我国应充分发挥国家和企业的力量，加大对砷化镓材料研发的投入力度，尽快赶上国际先进水平。
参考文献：
【1】《砷化镓：应用广泛的半导体材料》
江莹 2004年
【2】《砷化镓材料国内外现状及发展趋势》
中国电子科技集团
纪秀峰 【3】《砷化镓调研报告》
中国电子材料行业协会
【4】《半导体材料》
杨树人
科学出版社
第四篇：半导体论文
半导体器件论文试题（任选5题）
《1月7号前交给班长，要求手写》
1、阐述本征半导体、P型半导体、N型半导体的概念并给出其能带图。
2、论述PN结的构成及其能带图的成因。
3、论述PN结单向导电的成因。
4、论述PN结被击穿的机理。
5、论述PN结电容的分类及内在机制。
6、以NPN型晶体管为例论晶体管的基本结构及其放大原理。
7、以NPN型晶体管为例论述晶体管反向电流的种类及其成因。
8、论述P-N结模型伏安特性偏离理想方程的原因。
9、推导证明本征半导体的费米能级Ei基本在禁带中间。
10、论述MIS结构表面积累、表面耗尽、表面反型的形成机理。
第五篇：半导体问答
影响工厂成本的主要因素有哪些？
答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片
Indirect Material间接材料,例如气体… Labor人力
Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等
Production Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内，间接物料指哪些？
答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer测试,实验用的蕊片
什幺是变动成本(Variable Cost)?
答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料
什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧
Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?
答：Fab yield= 若无报废产生,投入完全等于产出,则成本耗费最小
CP Yield:CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。当产出芯片上的有效IC数目越多,即表示用相同制造时间所得到的效益愈大.生产周期(Cycle Time)对成本(Cost)的影响是什幺?
答：生产周期愈短,则工厂制造成本愈低。正面效益如下:(1)积存在生产线上的在制品愈少(2)生产材料积存愈少(3)节省管理成本(4)产品交期短,赢得客户信赖,建立公司信誉
FAC
根据工艺需求排气分几个系统? 答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用?
答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度;防静电；便于HOOK-UP。
离子发射系统作用
答：离子发射系统，防止静电
SMIC洁净等级区域划分
答：Mask Shop class 1 & 100
Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100
Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工艺真空系统(PV)
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行
什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。
House Vacuum System 作用
答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。
什幺是Clean Room 洁净室系统
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。
Clean room spec:标准
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)
Class 100
Overpressure +15pa
Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。
若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报
答：通知厂务主系统水课的值班（19105）
废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?
答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS)
若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题? 答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的事故。
公司做水回收的意义如何?
答：(1)节约用水，降低成本。重在环保。(2)符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2
何种气体由VMB Stick点供到机台? 答：H2
何种气体有自燃性? 答：SiH4
何种气体具有腐蚀性? 答：ClF3
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器? 答：PH3
名词解释 GC, VMB, VMP
答：GC-Gas Cabinet 气瓶柜VMB-Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性气体。VMP-Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
答：21%
19%
什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？
答：LEL-Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL-4%.当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？
答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何?
答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2)Solvent有机溶剂(3)Slurry研磨液
有机溶剂柜的安用保护装置为何?
答：(1)Gas/Temp.detector;气体/温度侦测器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器
中芯有那几类研磨液(slurry)系统?
答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭
设备机台总电源是几伏特? 答：208V OR 380V
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗? 答：不可以
如何选用电器器材?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
机台开关可以任意分/合吗?
答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗? 答：对
假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况? 答：断路器跳闸
当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.MFG
什幺是WPH?
答：WPH(wafer per hour)机台每小时之芯片产出量
如何衡量 WPH ?
答：WPH 值愈大,表示其机台每小时之芯片产出量高,速度快
什幺是 Move?
答：芯片的制程步骤移动数量.什幺是 Stage Move?
答：一片芯片完成一个Stage之制程,称为一个Stage Move 什幺是Step Move?
答：一片芯片完成一个Step 之制程, 称为一个Step Move.Stage 和 step 的关系?
答：同一制程目的的step合起来称为一个stage;例如炉管制程长oxide的stage, 通常要经过清洗,进炉管,出炉管量测厚度3道step AMHS名词解释? 答：Automation Material Handling System;生产线大部份的lot是透过此种自动传输系统来运送
SMIF名词解释?
答：Standard Mechanic InterFace(确保芯片在操作过程中;不会曝露在无尘室的大环境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;为什幺SMIF可以节省厂务的成本? 答：只需将这些wafer run货过程中会停留的小区域控制在class 1 下即可,而其它大环境洁净度只要维持在class 100 或较低的等级);在此种界面下可简称为“包货包机台不包人”;对于维持洁净度的成本是较低的;操作人员穿的无尘衣可以较高透气性为优先考量,舒适性较佳
为什幺SMIF可以提高产品的良率?
答：因为无尘室中的微尘不易进入wafer的制程环境中
Non-SMIF名词解释
答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的过程中会裸露在无尘室的大环境中,所以整个无尘室洁净度要维持在class1的等级;所以厂务的成本较高且操作人员的无尘衣要以过滤性为优先考量,因此是较不舒适的SMIF FOUP名词解释?
答：符合SMIF标准之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名词解释?
答：Manfaucture Execution System;即制造执行系统;该系统掌握生产有关的信息,简述几项重点如下(1)每一类产品的生产step内容/规格/限制(2)生产线上所有机台的可使用状况;如可run那些程序,实时的机台状态(可用/不可用)(3)每一产品批的基本资料与制造过程中的所有数据(在那些机台上run过/量测结果值/各step的时间点/谁处理过/过程有否工程问题批注…等(4)每一产品批现在与未来要执行的step等资料
EAP名词解释?
答：(1)Equpiment Automation Program;机台自动化程序;(2)一旦机台有了EAP,此系统即会依据LOT ID来和MES与机台做沟通反馈及检查, 完成机台进货生产与出货的动作;另外大部份量测机台亦可做到自动收集量测资料与反馈至后端计算机的自动化作业
EAP的好处
答：(1)减少人为误操作(2)改善生产作业的生产力(3)改善产品的良率
为什幺EAP可以减少人为操作的错误
答：(1)避免机台RUN错货(2)避免RUN错机台程序
为什幺EAP可以改善机台的生产力?
答：(1)機台可以自動Download程式不需人為操作(2)系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤(3)系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤
为什幺EAP可以改善产品的良率?
答：(1)在Phot/etch/CMP区中,可自动微调制程参数(2)当机台alarm时,可以自动hold 住货(3)当lot内片数与MES系统内的片数帐不符合时,可自动hold 住货
GUI名词解释? 答：Graphical User Interface of MES;将MES中各项功能以图形界面的呈现方式使得user可以方便执行
EUI名词解释?功能是什麼? 答：EAP User Interface;机台自动化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機台目前的狀態及貨在機台內的情形
SORTER 分片机的功能?
答：可对晶舟内的wafer(1)进行读刻号(2)可将wafer的定位点(notch/flat)调整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer号码重新排列在晶舟内相对应的槽位号码上(4)执行不同晶舟内wafer的合并(5)将晶舟内的wafer分批至多个晶舟内
OHS名词解释?
答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS轨道上传送FOUP的小车)FAB内的主要生产区域有那些?（有7个）
答：黄光, 蚀刻, 离子植入, 化学气象沉积, 金属溅镀, 扩散, 化学机械研磨
Wafer Scrap规定?
答：Wafer由工程部人员判定机台、制程、制造问题，已无法或无必要再进行后续制程时，则于当站予以報廢缴库，Wafer Scrap时请填写“Wafer Scrap处理单” Wafer经由工程部人员判定机台、制程、制造问题已无法或无必要再进行后续制程时应采取何种措施?
答：SCRAP（报废，定义请参照Wafer Scrap规定）
TERMINATE规定？
答：工程试验产品已完成试验或已无法或无必要再进行后续制程时，则需终止试验产品此时就需将产品终止制程，称之为TERMINATE
WAFER经由客户通知不需再进行后续制程时应采取何种措施? 答：TERMINATE
FAB疏散演练规定一年需执行几次?
答：为确保FAB内所有工作人员了解并熟悉逃生路径及方式，MFG将不定期举行疏散演练。演习次数之要求为每班每半年一次。
何时应该填机台留言单及生产管理留言单？
答：机台留言单：机台有部分异常需暂时停止部分程序待澄清而要通知线上人员时生产留言单：有特殊规定需提醒线上人员注意时
填写完成的机台临时留言单应置放于那里?
答：使用机台临时留言单应将留言单置放于LOGSHEET或粘贴于机台上
机台临时留言单过期后应如何处理?
答：机台临时留言单過期后应由MFG On-line人員清除回收, 讯息若需长期保存则请改用生产管理留言单。
生产管理留言单的有效期限是多久? 答：三个月
何时该填写芯片留言单？
答：芯片有问题时或是芯片有特殊交待事项需让线上人员知道则可使用芯片留言单
芯片留言单的有效期限是多久? 答：三个月
填写完成的芯片留言单应置放于何处? 答：FOUP 上之套子内 芯片留言单需何人签名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何谓Hold Lot? 答：芯片需要停下来做实验或产品有问题需工程师判断时的短暂停止则需HOLD LOT;帐点上的状态为Hold,如此除非解決hold住的原因否则无法继续run货
PN（Production Note，制造通报）的目的?
答：(1)为公布FAB内生产管理的条例。(2)阐述不清楚和不完善的操作规则。
PN的范围?
答：(1)强调O.I.或TECN之规定, 未改变(2)更新制造通报内容(3)请生产线协助搜集数据(4)O.I.未规定或未限制, 且不改变RECIPE、SPEC及操作程序
何谓MONITOR?
答：对机台进行定期的检测或是随产品出机台时的检测称之为MONITOR，如测微粒子、厚度等
机台的MONITOR项目暂时变更时要填何种文件?
答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
暂时性的MONITOR频率增加时可用何种表格发布至线上? 答：Production Note（PN，制造通知）
新机台RELEASE但是OI尚未生效时应填具何种表格发布线上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
控片的目的是什幺?(Control wafer)答：为了解机台未来的run货结果是否在规格内,必须使用控片去试run,并量测所得结果如厚度,平坦度,微粒数…控片使用一次就要进入回收流程。
挡片(Dummy wafer)的目的是什幺?
答：用途有2种：(1)暖机(2)补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复使用到限定的时间﹝RUN数、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同时run150片wafer的炉管,若不足150片时必须以挡片补足,否则可能影响制程平坦度等…;High current 机台每次可同时run17片,若不足亦须以挡片补足挡片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范围吗?
答：是的;阻值范围愈紧的,成本愈贵;例如8~12欧姆用于当产品的原物料,0~100的可能只能用当监控机台微尘的控片
機台狀態的作用?
答：為能清楚地評量機台效率,並告訴線上人員機台當時的狀況
機台狀態可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down
机台状态定义为availabe可用的状态有那些?
答：RUN : 机台正常,正在使用中BKUP : 机台正常,帮其它厂RUN货IDLE : 机台正常,待料或缺人手TEST : 机台正常,借工程师做工程实验或调整RECIPETEST_CW : 机台正常,正在RUN 控檔片
机台状态定义为SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 机台正常,依据OI规定进行检查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 机台正常,机台定期维护后的检查PM : OI规定之例行维修时机及项目;如汽车5000KM保养HOLD_ENG : 机台正常,制程工程师澄清与确认产品异常原因,停止机台RUN LOT
在机台当机处理完后;交回制造部时应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
在工程师借机检查机台调整RECIPE时应挂何种STATUS? 答：TEST
若是机台MONITOR异常工程师借机检查机台时应挂何种STATUS? 答：DOWN
线上发现机台异常时通知工程师时应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
线上在要将机台交给工程师做PM前等待工程师的时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
工程在将机台修复后交给制造部等制造部处的这段时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
维修时应挂何种STATUS? 答：OFF
Muti-Chamber的机台有一个Chamber异常时制造部因为派工ISSUE无法交出Chamber该挂何种STATUS? 答：HOLD_MFG
制程工程师澄清或确认产品异常原因停止机台RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
因工程部ISSUE而成机台不能正常RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
MES或电脑等自动化系统相关问题造成死机要挂何种STATUS? 答：CIM
因为厂务水电气的问题而造成机台死机的问题要挂何种STATUS? 答：FAC
生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機台狀態應掛為? 答：FAC
生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機台將態為何? 答：CIM
机台状态EQ status定义的真正用意何在?
答：(1)机台非常贵重,所以必须知道时间都用到何处了,最好是24小时都用来生产卖钱的产品;能清楚知道时间用到何处,就能进行改善(2)责任区分,各个状态都有不同的责任单位,如制造部/设备工程师/制程工程师…等
什幺是 T/R?
答：Turn Ratio, 芯片之移动速度;即1天内移动了几个制程stage 如何衡量 T/R ?
答：一片芯片在1天内完成一个Stage Move,其 T/R值为 1.T/R 值愈大,表示其移动速度愈快,意谓能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?
答：Engineer Abnormal Report(工程异常报告);通常发生系统性工程问题或大量的报废时,必须issue EAR.异常事件是否issue EAR 主要依据EAR OI 定义
EAR 之目的为何 ?
答：在于记录Wafer生产过程中异常现象的发生与解决对策，及探讨异常事件的真正原因进而建立有效的预防及防止再发措施，以确保生产线之生产品质能持续改善 什幺是 MO ?
答：MO(Mis-Operation)指未依工作准则之作业,而造成的生產損失.MO 有何之可能影响?
答：(1)产品制程重做(REWORK)。(2)产品报废。(3)客户要求退还产品，并要求赔偿.如何防止 MO 之产生 ? 答：依工作准则作业.什幺是 Waferout ?
答：完成所有制程后并可当成产品卖出之芯片.什幺是 clean room(洁净室)?
答：指空气中浮尘被隔离之操作空间
为何要有 clean room ?
答：避免空气中的微浮尘掉入产品,进而破坏产品的品质
clean room 有何等级 ?
答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等级愈高(class 1)则表示要求环境之洁净度就愈高.如医院开刀房之环境为 class 1000.FOUP回收清洗流程?
答：(1)线上各大区将所使用过的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下线MA将回收待清洗的FOUP.底盘逐一拆下。(3)Cassette 须量测有无问题.(全新的也须量测)。(4)拆下的Door& 底盘须用IPA擦拭干净。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。
FOUP回收清洗时间?
答：回收清洗时间为每三个月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue时会同时将下一次清洗的时间Updata上。
FOUP各部门领用流程? 答：各部门的领用人至W/S领取物品时,须填写”FOUP & 塑料封套 领料记录表”填上领取的件数以及部门.名字.工号即可
FAB 制造通报(Production Notice)responsibility?
答：(1)制造部负责通报的管理与执行，Fab相关部门因工程与生产需要可制作制造通报经单位主管及制造部同意后进线执行。(2)制造通报涉及工程限制（Constrain）时需由工程部门负责工程师在MES上设定/修改完成后交由制造部审核确认及生效后，此通报才能进线执行。
FAB 制造通报(Production Notice)规定和禁令?
答：(1)通报被取消则此通报将视为无效.(2)通报内容新旧版本相冲突时以新版本为主，initiator 需告知前份作废PN ,以便MA立取出(3)通报最长期限为一个月.如果通报想延长期限,必须重新提出申请与签核,但以一次为限.(4)至截止期后通报将自动失效.FAB 制造通报(Production Notice)管理?
答：(1)如果此通报由制造部主管直接公布,签署过程即省略(2)通报内容应尽量言简意赅,避免繁琐冗长的陈述(3)制造部各区文件管理人负责将取消或无效之生产通告传回Key-in Center 以避免被错误使用(4)通报应盖上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部门依据规定执行Hold 货或设Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，货到站后由当区MA/LL负责于MES作帐，Wafer存入Stocker。
WHAT’S “Bank Out”?
答：各部门于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知当区主管，于MFG确认Hold Comment无误后，于MES作帐，Wafer依Comment处理。
WHAT’S ’Bank Period“?
答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累积之时间
Bank 适用时机?
答：(1)客户通知暂停流程/放行之Wafer。(2)新制程开发，于重点层次预留/放行之Wafer。(3)经WAT检查后，有问题之Wafer。(4)经QE检查后，有问题之Wafer。(5)FAB预先生产，且需暂存之Wafer。(6)特殊原因且经MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?
答：(1)各部门申请的Bank有一定数量限制，依制造部与各部门讨论而定(2)PC部门则由PC与客户协议，依PC相关规定处理
Bank period规定?
答：(1)PC要求之Bank最长可存放六个月；但若Customer有特殊需求，且经PC与MFG P&Q Manager同意者，则不在此限。(2)Lot Type 为L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限为60天。(3)Lot Type 为P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，则存放期限为7天且申请时需PC 同意。
FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?
答：(1)放在指定的暂存货架上。(2)放在机台旁的待Run Wip货架上(3)Stocker內
为什幺FOUP 放在STOCK 入口而长时间不进去？
答：Stocker 已满，或不能读取RF ID。
为什幺FOUP会被送至WaferStart出口?
答：RF ID上的FOUP Clean Time 过期，或格式不正确。
何谓Bullet lot?
答：(1)就是优先权最高的lot(priority 1);(2)lot本身带有特别重要的目的;如客户大量投产前的试run产品,工程部特别重要的实验货,与其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?
答：(1)Priority 皆为1(2)面交下一站，不得用AMHS System传送。(3)需提前通知下一站备妥机台。(4)有工程问题工程部必须优先解决此种lot 列出所有的Lot Priority，并说明其代表的含义
答：Priority 等级从1~5 优先权以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字义”子弹般快的lot“;此lot拥有特殊目的如重要实验,客户大量投片前试run货等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定义而定;通常为试run货pilot lot, 验证光罩设计的实验lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把劲否则无法准时交给客户的lot)priority 4 : normal lot(按预定进度进行的lot)priority 5 : control wafer(生产线上的控片面)将Lot 分pirority 优先权的生产管理意义? 答：生产线上众多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期与目的,透过操控每批LOT的优先权数字设定来让所有MA知道产品安排的优先级
什幺是RF ID?
答：用来记录FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、机台的EAP亦是透过RF ID 来和MES沟通了解当站该RUN那一种程序
什幺是stocker?
答：生产线上用来存放FOUP容器的仓储(FOUP有装载芯片和光罩两种)
为什幺FOUP 放在stocker 入口而长时间不进去？
答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 会被自动传输系统HOLD?
答：有同名的Lot.可根据Hold Reason 找出两个同名Lot 的位置。
当GUI显示说Mapping的片数和MES上的片数不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Mapping出来的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER。
Process完成后GUI显示实际RUN的片数和MES上的数量不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Process完成的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER
GUI显示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“时如何处理？
答：检查SmartRF ID中清洗FOUP的时间是否已经过期或时间是空值：若已过期，请换一个FOUP。若是空值，请先做IssueRF ID，何谓Bank Lot?
答：若芯片有客户要求需要长时间的停止时则需使用BANK LOT;即帐点上的状态为BANK;除非客户再次通知后解除,否则无法往下RUN货
何谓future hold?
答：MES 上的一个功能;对于未来制程中的某一歩骤,若需要停下来执行实验或检查..等目的时,可预先提早下future hold
生产线那些地方,可以感测FOUP上的RF ID并回传此FOUP的位置? 答：Stocker 与机台
HOLD住待处理的问题芯片;必须放在何处? 答：放置在指定之HOLD LOT货架上
工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处? 答：放置在工程师芯片专用货架上
待run产品 ,必须放在何处?
答：放入STOCKER内或放置在机台旁之货架（推车上）
Fab通常如何定义产品的复杂度?
答：必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?
答：22天/20=1.1
Signal Tower 的功能为何?
答：用以提醒操作者,机台的实时状况,实时处理,增加机台的使用率 Signal Tower有那几种灯号颜色? 答：红/黄/绿三种颜色
Signal Tower的红灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台的主要功能当掉讯息出现时
Signal Tower的红灯闪烁(flash)时,代表何意义? 答：机台有任何Alarm的讯息出现时
Signal Tower的绿灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台是在run货状态;且所有进货端都摆满了货
Signal Tower的绿灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在run货状态;但有某一个以上的进货端有空档,用以提醒操作人员进货(MIR;move in request)
Signal Tower的黄灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在可使用状态;但有某一个以上的出货端有货run完,等着出货,用以提醒操作人员把货拿走(MOR;move Out request)光罩产品有哪两种材料组成?
答：(1)BLANK;玻璃主体;使得光容易透过(2)PELLICLE;一种高分子材料,用来保护玻璃上的电路图,避免particle影响
简单分类光罩可分为哪两种？
答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄线宽或某几个最重要的PHOTO 层如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 现行工厂内有哪两种PELLICLE(光罩的鉻膜)？
答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）
I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光机?
答：不能;因为DUV光源的能量Energy较强,会将pellicle 烧焦
DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光机? 答：可以
光罩上PATTERN或玻璃面有刮伤可否修补? 答：不能
PELLICLE毁损能否修补?
答：若没伤到pellicle下的电路图形，可撕除pellicle,重新贴上新的PELLICLE 何谓cycle time,周期时间?
答：wafer 从投片wafer start 到WAT电性测试结束这段生產时间(如早上出门.搭车到达公司所需经过的时间)
cycle time 周期时间是由那些时间所构成答：(1)Process time 所有步骤的制程时间总和(2)waiting time : 所有步骤中所耗费的等待时间,如等人或等机台有空(3)hold time:所有步骤因为异常等原因,被扣留下来检查的时间
如何降低cycle time 周期时间?
答：cycle time是process time(机台run货时间),waiting time(等候时间), hold time(等待澄清问题时间);所以任何有助于降低三者的活动皆有帮助
如何减少process time 总和? 答：(1)由制程整合工程师检讨流程中是否有步骤可以去除不做;如一些检查站点或清洗站点等(2)由工程部制程工程师研究改善缩短每一步骤的制程时间(需经过实验测试是否影响品质,此项达成度较难)如何减少waiting time总和?
答：waiting time 是因为少人少机台所造成;所以有下列几种方法(1)加人买机台(此方法必须说服老板人和机台都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多种操作技能,加强派货能力等(3)改善机台的能力;如增加WPH每小时的产出量,设备工程师将机台维持在高的UP time等(4)检讨减少生产线上的wafer 数目;检讨是否有太早下线的wafer或不必要的实验货,过多少片数的LOT(例如透过公运输或多人共乘减少)路上的车辆
如何减少hold time 总和? 答：hold time 来自制程不稳定与机台不稳定和实验测试所致;与发生hold time后的后续处理时间;所以必须针对这几项来着手
如何简单地评定一个代工厂的能力?
答：(1)良率维持在稳定的高点(2)周期时间cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好
工厂准时交货率(On-Time Delivery Order)
答：值越高表示工厂准时交货的能力越好，对于客户的服务也越佳
工厂产量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工厂满足客户需求的能力是否良好，但并不评估是否按照预定日程交货，值越高越好
控/挡片使用率(Control/Dummy Usage)
答：平均每生产一片芯片所需使用的控/挡片数量由于控/挡片可以重复使用，因此当生产线系统越稳定，技术员操作越熟练，则控/挡片寿命也越长，生产成本也因而降低。
何谓OI?
答：Operation Instruction操作指导手册；每一型号的机台都有一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机器简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是我们该熟记的部分
何谓Discipline
答：简单称之为『纪律』。泛指经由训练与思考，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的规范内达成目标，与一般的盲从不同。
如何看制造部的纪律好不好?
答：制造部整体纪律的表现，可以由FAB执行6S够不够彻底和操作错误多寡作为衡量标准！
如何看整个FAB纪律好不好?
答：FAB内整体的纪律表现，可以反应在Yield上。
公司的企业文化为何? 答：重操守（integrity）诚实（honesty）团队合作（team work）注重效能（effectiveness）永续经营和不断改进（PDCA——plan/do/check/action）
那些是对外不可说的事?
答：(1)产品良率(Yield)(2)订单数量(3)客户名字(4)公司组织(5)主管手机号码(6)公司人数(7)其它厂商Vendor的资料(8)生产线的机台台数及种类。
那些是对外不可做的事? 答：(1)与Vendor聚餐,需经过部门主管的同意(2)收佣金,有价证券(3)收受礼物(礼物价值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正当场所
Fab4的工作精神为何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何谓Ownership? 答：主人翁精神;对待处理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完
何谓Hands On ?
答：亲力亲为;总裁Richard要求所有人尤其是主管必须对自己的业务了若指掌
何谓Call for help ?
答：请求支持;任务过程中遇困难,必须寻求同事或主管帮忙,否则会误了大事
为什幺沟通时必须使用”精准“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼
答：因为团队的其它人必须根据你的话来下决定与做判断,一旦用了模糊字眼,就必须一来一往才能澄清问题,泿费时间,所以不了解的事,就直接回答不清楚
为什幺开会描述问题时,必须先讲结果或别人必须配合的AR(action request),然后再讲问题发生的原因? 答：因为开会时间有限,参与的人太多(如全厂的生产晨会);先讲结果或AR可以让人快速抓住重点,如果时间不足原因可以简略说明即可
为什幺会议中要避免某些人”开小会“(小组自行讨论)的现象? 答：因为你不是主持人,开小会使得议程被打断,讨论主题发散,会议时间冗长,泿费大家时间
为什幺开会,上台进行演示文稿时,要力求大声?
答：因为所有人必须跟据你的说明下判断或决定,而且小声讲也显得自己没有自信
什幺是6S运动?
答：在自己的工作区内彻底执行整理/整顿/清扫/清洁/纪律/安全6项作业准则标准
整理与整顿的意含差异?
答：整理为保管要的东西,丢掉不要的东西,整顿为针对要的东西进行定位/标示/归位的动作
清扫与清洁的意含差异?
答：清除为清除脏乱污垢,清洁为保持整理/整顿/清扫的成果
6S运动推广重点区域?
答：办公区与洁净室是两大重点
为何无尘室中的任何地板开孔都必须以警示围篱区隔?
答：为了安全考量;任何小洞都可能造成人员拌倒,芯片摔破
为何无尘室中的中间走道高架地板上要铺设钢板? 答：为防止move-in 机台所用的拖板车刮伤地板
无尘室中间走道高架地板上的钢板,如何铺设?
答：先铺设塑料垫,再铺设钢板,每一片钢板的接鏠边必须以胶带贴合,避免人员或芯片推车拌倒
无尘室中有那些地板必须以颜色胶带做定位?
答：中间走道,各Bay信道,机台安装前的定位标示,逃生信道,货架定位,零附件暂存区定位
无尘室中的最大发尘源为何? 答：无尘室中走动的人
那些会发尘的物品不得带入无尘室? 答：通常属于天然类的物质都会发尘,如一般纸张,木箱,铅笔,等
无尘室中施工时必须参考的layout 图,如何带入无尘室? 答：请以无尘纸影印人后带入
可在无尘室中做地板切割作业?
答：不行,因为会产生微尘,所以请将地板携出进行作业
可在无尘室中做地板钻孔作业?
答：可以,但钻孔时必须同时以吸尘器清除这些铁屑(必须2人同时作业)货架不能挡住那些紧急设施?
答：冲身洗眼器,灭火器,机台的紧急按钮(EMO)手套上写字记事情,为什幺违反6S规定? 答：因为笔墨会到处沾粘;是微尘的来源
口罩必须如何戴才不违反6S规定?
答：完全盖住口鼻;且全程保持标准,不得拉下口罩,露出鼻子
制程或设备工程师review 完问题货,如果不放回定位,hold lot 货架或stocker内会有何影响? 答：制造部MA,将大海捞针式地搜索此LOT,因为只有在Stocker和机台上才能感测RFID,回传该LOT的位置
如何从自身执行公司的机密文件管制?
答：机密文件档案严禁任意放置在档案柜内或桌面上,必须放入有锁的抽里。
办公区域内不可吃饮料类以外的食物属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内不得任意喧哗属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内严禁打电子游戏属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
有独立办公室的同仁在离开办公室时，必须关上门属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
下班时请将桌面上所有文件清除属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
桌面下方物品堆放整齐，不可有杂物属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
何谓OCAP?
答：Out of Control Action Plan, 即产品制程结果量测值或机台监控monitor量测值,违反统计制程管制规则后的因应对策
制造部人员如何执行品质监控系统OCAP?
答：遇产品或机台monitor量测值OOC或OOS时,必须Follow 相对应的检查流程(有厚度/微尘/CD/Overlay…等OCAP 窗体);并通知工程师检查工程上的问题
工程部人员(制程或设备工程师)如何执行品质监控系统OCAP?
答：制造部MA通知必须Follow的OCAP;必须依流程判断LOT或机台有工程间题
什幺是OOS?
答：out of spec;制程结果超出允收规格
什幺是OOC?
答：out of control;制程结果在允收规格内但是违反统计制程管制规则;用以警讯机台或制程潜在可能的问题
发现Fab内地板有如水的不明液体要如何处理?
答：请先假设它可能为强酸强碱, 以酸碱试纸检测PH值后再以无尘布或吸酸棉吸收后丢入分类垃圾桶中
Fab内的灭火器为那一类? 答：CO2 类
为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器? 答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌
如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果?
答：可能造成无尘室的火灾危机,因为酸碱中和,产生热后可能引起火灾
无尘室的正下方我们称为什幺? 答：sub-fab
Sub-fab的功能主要为何?
答：生产机台所需的供酸供气等需求,主要由此处来供应上来
Fab内的空气和外界进行交换的比例为何? 答：约20%~25%
Fab生产区域内最在意静电(ESD)效应的区域为何? 答：PHOTO 黄光区(低能量静电放电导致光罩的破坏)PHOTO 区如何消除静电效应
答：(1)机台接地(2)使用导电或防静电的材质(3)使用静电消除装置
PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方?
答：(1)天花板(2)机台scanner上方(3)Stocker内
静电效应主要造成那些破坏? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆积的静电荷一旦有放电作用,即会因产生的电流造成组件的破坏
何谓冲身洗眼器?/何处可以找到?
答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方
遇到什幺状况时,需要使用冲身洗眼器
答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时,请立即进入冲淋间,以大量清水冲淋15分钟,然后赶急至医护室进行下一步处理
为何要配合海关进行资产盘点?(机台/芯片/原物料)
答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉.这一盘点对公司来说是非常重要的
PHOTO区域若发生miss operaton;可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗?
答：错!重做多次将影响良率
PEL-STEL(short term exposure limit)短时间(15分钟)时量平均容许浓度
答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。
PEL-Ceiling最高容许浓度：
答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。
LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)
答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率,达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%
TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)国际标准阈限值、恕限量
答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。
PEL-TWA(time-weighted average)工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb
答：正常8小时一个工作天,40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。
PHOTO
PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 I-line？
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何为象差？
答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？
答：Exposure Field大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：OPC(Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：(1)光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2)戴上手套(3)轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓 Track?
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓 WEE? 其功能为何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）
PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓 Overlay? 其功能为何?
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓 CD-SEM? 其功能为何?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：PRS(Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何为OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？
答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：20
PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？
答：#1，#6，#15，#24;统计随机的考量 何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO区的控片主要有几种类型
答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是”人物“.通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺
答：Photo Lithography
常听说的.18 或点13 技术是指什幺?
答：它是指某个产品,它的最小”CD" 的大小为0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9.难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺?
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值.最大是1;先进的曝光机的NA 在0.5---0.85之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径;k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.如何提高曝光机的分辨率呢?
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源;把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?
答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line;KrF 激光器, 产生248 nm 的光;ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺? 答：F2 激光器.波长157nm
我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?
答：不可以.困难在透镜材料.能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长.还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光;就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM
答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM.用它来测量CD
如何做Overlay 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中.先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK.这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺
答：曝光机;5-15 百万美金/台
曝光机贵在哪里?
答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%.它有精密的定位系统(使用激光工作台)
激光工作台的定位精度有多高?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay<50nm
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm.它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置.再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field?
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field.什幺叫一个Die?
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。一个Field可包含多个Die;
为什幺曝光机的绰号是“印钞机”
答：曝光机 很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。
Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：
答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER.TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光
答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害
为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation(底座)答：Scanner曝光对稳定性有极高要求(减震)近代光刻技术分哪几个阶段?
答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.35um 以上的图层(LAYER)KrF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.13um 以上的图层(LAYER)ArF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.08um 以上的图层(LAYER)什幺是DUV SCANNER
答：DUV SCANNER 是 指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm Scanner
Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米
光罩的结构如何？
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸
答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.如何做CD 测量呢? 答：芯片(Wafer)被送进CD SEM 中.电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同;处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似.光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面(Image Plan), 只有将像平面与光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰图形.当离开一段距离后, 图像模糊.这一可清晰成像的距离叫DOF
曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．
光阻种类有多少？
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻
光阻层的厚度大约为多少？
答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影响光阻厚度？
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关．
哪些因素影响光阻厚度的均匀度？
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关．
当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理
答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供给医生，以协助治疗
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