第一篇：第八章 半导体发光（范文）
第八章
半导体发光
研究一种新型半导体材料，首先是要对它的光电以及结晶品质等进行研究。对于光电子材料。对它的发光性质的研究是一个重大课题，有大量的工作可做。可以说每一种光电子材料的光学性质研究都有大量文献报道。通过对材料的发光性能的研究，可以判定材料的生长质量，发光特性，杂质情况，杂质电离能，适合不适合制作发光器件等。画光谱图
1.辐射跃迁：处于激发态的电子向较低的能级跃迁，同时发射光子的过程。要求系统处于非平衡状态，一般通过一些外加的激发手段才能达到。
电致发光：电流激发。
阴极射线发光：电子束激发。
光致发光：光激发，入射光子能量要大于材料禁带宽度。
2．发光波长与能量的关系：λ=c/v=hc/E=1240/E（nm），E单位为电子伏特（eV）
3．带-带跃迁：导带的电子跃迁到价带，与空穴复合，自由载流子复合。（激子效应对半导体发光光谱有更重要的影响，但在较高实验温度下和对于纯度较差的样品，可以观察到带-带跃迁）
发光光谱形状：F(hv)∝(hv)2（hv-Eg）1/2
exp-(hv-Eg)/KT
特征：发光峰在Eg附近。发光峰具有一个高能量尾部，在hv=Eg处，低能量边缘突然截止。在低激发情况，发射峰的半峰宽近似等于0.7kT。随掺杂浓度增加和费米能级深入导带，发光峰峰位置和高能边缘均向高能量方向移动。增加激发和升高温度也可导致发光向高能方移动。自吸收导致实验观测的发光光谱向低能方向漂移。K：玻尔兹曼常数，8.62x10-5电子伏特/度。300K时，KT约26meV。77K时，KT约6.6meV。
4． 自由激子：自由电子和自由空穴由与库仑力作用而束缚在一起所形成的系统，可
在晶体中运动。电子与空穴之间的作用类似与氢原子中电子与质子的相互作用。自由激子代表了低激发密度下纯半导体中电子和空穴的能量最低的本征激发态。（对足够纯的半导体材料，低温下本征辐射复合的主要特征可以是激子复合导致的狭窄谱线。按激子复合发光模型，发光谱低能端应在激子波矢0对应的激子能量处突然截止，考虑激子效应时，有时还需考虑激子和光子耦合导致的激子极化激元的效应，可以解释实验观察到的发光谱线的低能带尾）。温度较低，材料纯度较高时可观察到。
发光峰能量：hv= hv=Eg-Eex 束缚能：Eex=-mr*q4/8ε
r
ε
0
h2n2 =（mr* /mo）（13.6/ε
r
2）（1/n2）
mr*为电子和空穴的折合质量 mr*=mp* /（mp*+mn*）
mp*，mn*分别是空穴和电子的有效质量。（在杂质原子里（如施主），核的有效质量很大，因此，其折合质量等于电子的有效质量。但激子折合质量要小于电子，激子束缚能要低于施主或受主的束缚能）（一般只能观察到n=1，2的谱线）
特征：发光峰能量略低于Eg，离化能可估计出，发光峰尖锐，半峰宽在几
个meV以内。发光强度与激发密度成线性关系，一般在低温下才可观察到。
自由激子的声子伴线：自由激子在复合时，发射了一个或多个声子，同时发出的光子。
发光峰能量：hv= hv=Eg-Eex-mEp
特征：发光峰一般伴随自由激子峰出现。其与自由激子的能量差为声子能量。出现多声子伴线时，发射峰之间的能量差相等。
横向光学声子（TO），横向声学声子（TA），纵向光学声子（LO），纵向声学声子（LA）一般最易观察到纵向光学声子（LO声子）伴线。
5． 束缚激子：束缚在杂质上的激子。杂质中心俘获电子或空穴，然后俘获相反符号的载流子；或者杂质中心俘获一个自由激子。束缚激子不能在晶体中自由运动。可束缚在中性施主，中性受主，电离施主，电离受主上。（从能量的观点看，如果激子处在杂质中心附近时使系统能量下降，那么激子保持在杂质或缺陷附近是有利的，激子可以束缚在杂质中心上。）低温观察KT/ EDx﹤0.3。
中性施主束缚激子：D0X
电离施主束缚激子：D+X 中性受主束缚激子：A0X
电离受主束缚激子：A+X 对中性施主或受主，杂质中心都有可能束缚激子，但电离杂质的情况就不一样。判定：有效质量比：σ：me*/mh*，认为：对于电离施主，σ小于0.71，系统能量下降，也有认为，σ小于0.2时，束缚激子（D+X）才是稳定的。当σ接近0时，Eb=0.22 Ex。D+X离解为一个中性施主和一个自由空穴比离解为一个电离施主和一个自由激子更容易发生。对于电离受主束缚激子，只有当σ大于1.4时，才可能存在，因此一般电离受主束缚激子很难观察到。具体参照半导体光学性质337，图5.21。
中性施主束缚激子：D0X
电离施主束缚激子：D+X 中性受主束缚激子：A0X
电离受主束缚激子：A+X 发光峰能量：hv= Eg-Ex-Eb，电离施主束缚激子hv= Eg-EDx= Eg-ED-D（D0h）束缚能：Ex+Eb
其中，Ex为自由激子束缚能，Eb是将自由激子束缚到杂质中心的附加能。
特征：发光峰能量略低于自由激子，发射谱线很窄（样品较纯的情况下，束缚激子的波函数可认为互不交叠，基态能量是孤立和局域化的，不同于自由激子，其动能项对发光谱线的展宽效应可忽略不计），半峰宽一般低于1meV。GaAs，束缚于浅杂质的激子发射谱线宽在0.1meV数量级。（各种束缚激子的判定较为复杂，首先可比较实验观测到的束缚激子发光谱线的能量和各种不同束缚激子态束缚能的理论估计）如，利用有效质量近似，类氢模型估算出的自由激子束缚能（Eex），计算出有效质量比σ：me*/mh*，在已知该材料的σ情况下，根据不同束缚激子能Eb与Eex的关系估算出Eb，得到各种束缚激子的发光峰能量，与实验值比较。还可以结合磁场作用下的束缚激子发光谱线的塞曼分裂来判定。
束缚激子的声子伴线：束缚激子在复合时，发射了一个或多个声子，同时发出的光子。
6．深跃迁：电子从导带跃迁到受主能级，或从施主能级跃迁到价带。
发光能量：hv= Eg-Ei
Ei（EA受主束缚能，ED施主束缚能）
施主束缚能：ED= mn*q4/8ε
r
ε
0
h2= 13.6 mn*/m0ε
r
mn*: 电导有效质量，m0: 电子惯性质量。εr: 相对介电常数。
如果掺杂浓度达到1018cm-3, 导带电子跃迁到受主能级或从施主能级跃迁到价带的几率和带-带跃迁，激子跃迁有相同的量级，不难在实验中观察到。也可观察到声子伴线峰。
特征：发光峰能量低于激子峰，一般谱线较宽。当杂质浓度增加时，发光峰展宽，峰位能量漂移。（半导体的光学性质，P362。，半导体中的光学过程，P151）7．施主-受主对：施主离子及其束缚的电子和受主离子及其束缚的空穴可以构成施主-受主对（D-A对）（半导体中的光学过程，P160），KT﹤Ei时，载流子被电离杂质俘获后很难热电离，D-A对的跃迁变得重要。
发光峰能量：hv=Eg-（EA+ED）+e2/（4πεr），其中，r为施主-受主对的间距。
特征：当r不是很大（10-50晶格常数）可显示为一系列分立的谱线，但在r较大时，形成一个连续的宽发射谱。随激发密度增大，激发近距离的D-A对数目增多，发光峰向高能方移动。
8．能带内的跃迁，导带热电子跃迁到价带顶，导带底电子与价带热电子复合：在直接带隙半导体中很难观察到，而价带空穴到电离受主的跃迁的声子发射几率远大于光子发射几率，一般难以观察到。
半导体的光吸收
探测半导体能带结构最直接的方法就是测量它的吸收光谱。研究一种新型半导体材料，首先是要对它的光电以及结晶品质等进行研究。对于光电子材料。对它的发光性质的研究是一个重大课题，有大量的工作可做。可以说每一种光电子材料的光学性质研究至少有上千篇的相关文献报道。通过对材料的发光性能的研究，可以判定材料的生长质量，发光特性，杂质情况，杂质电离能，适合不适合制作发光器件等。画光谱图
1． 本征吸收：价带电子吸收能量跃迁到导带的过程。可判定材料的禁带宽度。条件：入射光子能量大于禁带宽度。特点：吸收系数与光子的能量关系为：
α（hv）=A（hv-Eg）1/2，hv≥Eg
=0
hv＜Eg 处于激发态的电子向较低的能级跃迁，同时发射光子的过程。要求系统处于非平衡状态，一般通过一些外加的激发手段才能达到。
电致发光：电流激发。
阴极发光：电子束激发。
光致发光：光激发，入射光子能量要大于材料禁带宽度。
2．发光波长与能量的关系：λ=hv=hc/E=1240/E（nm），E单位为电子伏特（eV）
3．带-带跃迁：导带的电子跃迁到价带，与空穴复合，自由载流子复合。（激子效应对半导体发光光谱有更重要的影响，但在较高实验温度下和对于纯度较差的样品，可以观察到带-带跃迁）
发光光谱形状：L=B（hv-Eg）1/2
特征：发光峰在Eg附近。发光峰具有一个高能量尾部，在hv=Eg处，低能量边缘突然截止。在低激发情况，发射峰的半峰宽近似等于0.7kT。
K：玻尔兹曼常数，8.62x10-5电子伏特/度。300K时，KT约26meV。77K时，KT约6.6meV。
6． 自由激子：自由电子和自由空穴由与库仑力作用而束缚在一起所形成的系统，可
在晶体中运动。电子与空穴之间的作用类似与氢原子中电子与质子的相互作用。（对足够纯的半导体材料，低温下本征辐射复合的主要特征可以是激子复合导致的狭窄谱线。按激子复合发光模型，发光谱低能端应在激子波矢0对应的激子能量处突然截止，考虑激子效应时，有时还需考虑激子和光子耦合导致的激子极化激元的效应，可以解释实验观察到的发光谱线的低能带尾）
发光峰能量：hv= hv=Eg-Eex 束缚能：Eex=-mr*q4/8ε
r
ε
0
h2n2 =13.6 mr* /moε
r
mr*为电子和孔穴的折合质量 mr*=mp* /（mp*+mn*）
mp*，mn*分别是空穴和电子的有效质量。（在杂质原子里（如施主），核的有效质量很大，因此，其折合质量等于电子的有效质量。但激子折合质量要小于电子，激子束缚能要低于施主或受主的束缚能）（一般只能观察到n=1，2的谱线）
特征：发光峰能量略低于Eg，离化能可估计出，发光峰尖锐，半峰宽在几
个meV以内。一般在低温下才可观察到。
自由激子的声子伴线：自由激子在复合时，发射了一个或多个声子，同时发出的光子。
发光峰能量：hv= hv=Eg-Eex-mEp
特征：发光峰一般伴随自由激子峰出现。其与自由激子的能量差为声子能量。出现多声子伴线时，发射峰之间的能量差相等。
横向光学声子（TO），横向声学声子（TA），纵向光学声子（LO），纵向声学声子（LA）一般最易观察到纵向光学声子（LO声子）伴线。
7． 束缚激子：束缚在杂质上的激子。杂质中心俘获电子或空穴，然后俘获相反符号的载流子；或者杂质中心俘获一个自由激子。束缚激子不能在晶体中自由运动。可束缚在中性施主，中性受主，电离施主，电离受主上。（从能量的观点看，如果激子处在杂质中心附近时使系统能量下降，那么激子保持在杂质或缺陷附近是有利的，激子可以束缚在杂质中心上。）
对中性施主或受主，杂质中心都有可能束缚激子，但电离杂质的情况就不一样。判定：有效质量比：σ：me*/mh*，认为：对于电离施主，σ小于0.71，系统能量下降，也有认为，σ小于0.2时，束缚激子（D+X）才是稳定的。当σ接近0时，Eb=0.22 Ex。D+X离解为一个中性施主和一个自由空穴比离解为一个电离施主和一个自由激子更容易发生。对于电离受主束缚激子，只有当σ大于1.4时，才可能存在，因此一般电离受主束缚激子很难观察到。具体参照半导体光学性质337，图5.21。
中性施主束缚激子：D0X
电离施主束缚激子：D+X 中性受主束缚激子：A0X
电离受主束缚激子：A+X 发光峰能量：hv= Eg-Ex-Eb 束缚能：Ex+Eb
其中，Ex为自由激子束缚能，Eb是将自由激子束缚到杂质中心的附加能。
特征：发光峰能量略低于自由激子，发射谱线很窄，半峰宽一般低于1meV。GaAs，束缚于浅杂质的激子发射谱线宽在0.1meV数量级。（各种束缚激子的判定较为复杂，首先可比较实验观测到的束缚激子发光谱线的能量和各种不同束缚激子态束缚能的理论估计）如，利用有效质量近似，类氢模型估算出的自由激子束缚能（Eex），计算出有效质量比σ：me*/mh*，在已知该材料的σ情况下，根据不同束缚激子能Eb与Eex的关系估算出Eb，得到各种束缚激子的发光峰能量，与实验值比较。还可以结合磁场作用下的束缚激子发光谱线的塞曼分裂来判定。
束缚激子的声子伴线：束缚激子在复合时，发射了一个或多个声子，同时发出的光子。
6．深跃迁：电子从导带跃迁到受主能级，或从施主能级跃迁到价带。
发光能量：hv= Eg-Ei
Ei（EA受主束缚能，ED施主束缚能）
施主束缚能：ED= mn*q4/8ε
r
ε
0
h2= 13.6 mn*/m0ε
r
mn*: 电导有效质量，m0: 电子惯性质量。εr: 相对介电常数。
如果掺杂浓度达到1018cm-3, 导带电子跃迁到受主能级或从施主能级跃迁到价带的几率和带-带跃迁，激子跃迁有相同的量级，不难在实验中观察到。也可观察到声子伴线峰。
特征：发光峰能量低于激子峰，一般谱线较宽。当杂质浓度增加时，发光峰展宽，峰位能量漂移。（半导体的光学性质，P362。，半导体中的光学过程，P151）7．施主-受主对：施主离子及其束缚的电子和受主离子及其束缚的空穴可以构成施主-受主对（D-A对）（半导体中的光学过程，P160）
发光峰能量：hv=Eg-（EA+ED）+e2/（4πεr），其中，r为失主-受主对的间距。
特征：当r不是很大（10-50晶格常数）可显示为一系列分立的谱线，但在r较大时，形成一个连续的宽发射谱。随激发密度增大，激发近距离的D-A对数目增多，发光峰向高能方移动。
9． 能带内的跃迁，导带热电子跃迁到价带顶，导带底电子与价带热电子复合：在直接带隙半导体中很难观察到，而价带空穴到电离受主的跃迁的声子发射几率远大于光子发射几率，一般难以观察到。
第二篇：实验六 半导体发光器件的电致发光测量1
实验六 半导体发光器件的电致发光测量 081190088 杨静
一． 实验内容与目的
（1）了解半导体发光材料电致发光的基本概念。
（2）了解并掌握半导体显微探针测试台、光纤光谱仪的使用。（3）掌握半导体发光材料电致发光特性的测量方法。
二． 实验原理概述 1．辐射跃迁
半导体材料受到某种激发时，电子产生由低能级向高能级的跃迁，形成非平衡载流子。这种处于激发态的电子在半导体中运动一段时间后，又回到较低的能量状态，并发生电子—空穴对的复合。复合过程中，电子以不同的形式释放出多余的能量。如跃迁过程伴随着放出光子，这种跃迁成为辐射跃迁。作为半导体发光材料，必须是辐射跃迁占优势。
导带的电子跃迁到价带，与价带空穴相复合，伴随的光子发射，称为本征跃迁。显然这种带与带之间的电子跃迁所引起的发光过程，是本征吸收的逆过程。对于直接带隙半导体，导带与价带极值都在k空间原点，本征跃迁为直接跃迁。由于直接跃迁的发光过程只涉及一个电子—空穴对和一个光子，其辐射效率较高。间接带隙半导体中，导带与价带极值对应于不同的波矢k，这时发生的带与带之间的跃迁是间接跃迁。在间接跃迁过程中，除了发射光子外，还有声子参与。因此，这种跃迁比直接跃迁的几率小的多，发光比较微弱。
[键入文字]
如果将杂质掺入半导体，则会在带隙中产生施主及受主的能级，因此又可能产生不同的复合而发光。电子从导带跃迁到杂质能级，或杂质能级上的电子跃迁入价带，或电子在杂质能级间的跃迁都可以引起发光，这类跃迁称为非本征跃迁。间接带隙半导体本征跃迁几率较小，非本征跃迁起主要作用。施主与受主之间的跃迁效率较高，多数发光二极管属于这种跃迁机理。在施主—受主对的复合中，过剩电子、空穴先分别被电离的施主和受主看成点电荷，把晶体看作连续介质，施主与受主之间的库伦作用力使受基态能量增大，其增量与施主—受主杂质间距离r成正比，所发射的光子能量为：
ην＝E－(E+E)＋
gq2DA4πεε0r
式中ED和EA分别为施主和受主的电离能，ε是晶体的低频介电常数。对简单的替位施主和受主杂质，r只能取一系列的不连续值，因此，施主—受主复合发光是一系列分离谱线，随着r的增大，成为一发射带。
2.电致发光
根据不同的激发过程，可以有各种发光过程，如：光致发光、阴极发光、电致发光等。
半导体的电致发光（EL），也称场致发光，是由电流（电场）激发载流子，将电能直接转变成光能的过程。EL包括低场注入型发光和高场电致发光。前者是发光二极管（LED）和半导体激光器的基础。本实验只涉及这类EL谱的测量。
发光二极管是通过电光转换实现发光的光电子器件，是主要的半[键入文字]
导体发光器件之一，具有广泛的应用，如各类显示、数据通讯等。特别是通过白色发光二极管实现固体照明，不仅可以节省能源、减少污染，而且体积小、寿命长，因此固态照明已被全世界重视。
所有商用LED都具有P-N结结构，因此以P-N结的发光为例来说明注入发光机制。P型半导体是掺杂了受主杂质，而N型则是掺杂了施主杂质，将两种材料放在一起，即得到P-N结。N型半导体中产生电子，P型半导体中产生空穴，在其中间产生耗尽层。P-N结处于平衡时，存在一定的势垒区，场也相应地减弱。这样继续发生载流子的扩散，即电子由N区注入P区，同时空穴由P区注入到N区。进入P区的电子和进入N区的空穴都是非平衡少数载流子。这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光。
如果采用异质结，发光效率可以得到显著的提高。由宽带隙半导体材料隔开的中间发光区，两种类型的过剩载流子从两侧注入并被限制在同一区域，过剩载流子数目显著提高。随着载流子浓度的提高，辐射寿命缩短，导致更为有效的辐射复合。如果中间有源区域减小到10nm或更小就形成量子阱，由于其厚度与德布罗意波长相近，量子力学效应出现，载流子状态密度变得更高，从而可以获得更高的发光效率。这是目前商用LED的实际结构。
电致发光谱的测量系统的基本结构与光致发光测量装置类似，主要区别是用高温定度直流电源代替了光致发光谱测量中所用的激发光源。针对半导体发光器件的电致发光的测量中，电源与发光器件的连接通常在探针测试台上进行，由金属微探针压在发光器件上预制的[键入文字]
电击表面形成欧姆接触，使直流电源输出的电压和电流无损耗地加到被测器件上。
本实验的光谱测量采用微型光纤光谱仪。这类光谱仪具有体积小、即插即用、检测速度快、配置灵活、操作方便等特点。USB接口的微型光纤光谱仪内置了先进的探测器和强大的高速电路系统，与扫描式单色仪相比，由于采用了线性探测器阵列，不需要转动光栅来工作，光栅永久固定，保证了性能的长期稳定，并能够实现高速检测，配合电子快门，全谱测量的最短积分时间可达到数毫秒。
三．实验方法与步骤 实验仪器与材料
手动式半导体显微探针测试台：1台 探针座：2只 探针：2根
石英光纤（SMA905接头）：1根 卤钨灯光源（SMA905接头）：1台 高精度直流电源：1台 微型光纤光谱仪：1台 微型计算机：1台
InGaN或AlGaAs LED芯片：若干
实验方法与操作步骤
（一）测试系统的连接与调整
1.用石英光纤连接探针测试台上光收集单元与卤钨灯光源，开启[键入文字]
卤钨灯光源，根据被测样品在载物台上的实际位置调整探针测试台上光收集单元的位置与方向，使其出射光斑（定位光斑）照射于显微镜视野可及的区域，作为实际的测试点位置。
2.以导线连接探针座电极与直流电源输出端。开启直流电源，根据需要调整限流电流（如为100mA）。
3.将被测LED芯片放置于载物台上，覆盖其上的吸附孔。开启真空泵和真空阀门开光，使芯片被稳固地吸附于载物台表面上。通过载物台平移机构将芯片移动到定位光斑位置。
4.关闭卤钨灯光源。将石英光纤连接卤钨灯光源端改接到微型光纤光谱仪的输入端口。用USB连接线连接微型光纤光谱仪与计算机。开启光谱仪电源。启动计算机。启动光谱仪控制程序。
（二）探针与电极的连接
1.调节显微镜的倍率，以能够清楚观察探针尖端及LED芯片上电极为度。
2.使用载物台上X轴/Y轴平移机构移动载物平台，将待测电极移动至显微镜视野中央。
3.待测点位置确认好后，再调节探针座位置，将探针装上后可先通过眼视将探针移到接近待测点的位置旁，再使用探针座上下左右三个旋钮，慢慢的通过显微镜观察将探针移至测试点，此时动作一定要小心，以防动作太大而碰上到芯片，将探针针尖轻触或稍微悬空到待测电极上。（滑动探针可以电极上留下划痕，视为接触）
4.调节探针座的Z轴旋钮使探针尖扎在待测电极上，确保针尖和[键入文字]
电极良好接触。则可以通过连接的测试设备开始测试。
（三）电致发光的测量
1.调节直流电压电源的输出电压V(0-4V)，记录直流电压源的输出电流（驱动电流）I，绘制LED芯片的I-V曲线。
2.通过微型光纤光谱仪测量与一组预定的驱动电流值对应的LED的电致发光谱，绘制光谱曲线。
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3.根据电致发光谱计算出发光峰的面积，绘制发光峰面积-驱动电流曲线。
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四．思考与讨论
（1）试举出几种典型的电致发光器件，并进行简要说明。
答：①交流电致发光显示。它是将电致发光粉ZnS:CuCl或（ZnCd）S:CuBr混合在环氧树脂和氰乙基醣的混合物的有机介质中，两端夹有电极，其中一个为透明电极。另一个是真空蒸镀铝或银电极，构成一个EL。
②高场薄膜电致发光（TFEL）。目前的ACTFEL多采用双绝缘层ZnS:Mn薄膜结构。器件由三层组成，发光层夹在两绝缘层间，起消除漏电流与避免击穿的作用。掺不同杂质则发不同的光，其中掺Mn的发光效率最高，加200V，5000Hz电压时，亮度高达5000cd/m2。ACTFEL具有记忆效应，通常室内光照度下，记忆可维持几分钟，在黑暗中可保持十几个小时。
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③有机发光显示器（OLED）又称有机EL，是以有机薄膜作为发光体的自发光显示器件。它是固体自发光器件，可适应恶劣工作环境；它响应时间短、发光效率高、视角宽、对比度高；它可在5V~10V的低电压下工作，功耗低，工艺简单；制造成本低、有机发光材料众多、覆盖发光光谱从红外到紫外，适合全彩色显示；价廉、易于大规模生产；OLED的生产更近似于精细化工产品，可在塑料、树脂等不同的材质上生产，产品的机械性能好，不仅可以制造出笔记本电脑、台式机适用的显示器，还有可能创造出墙壁大小的屏幕、可以弯曲折叠的屏幕。人们预言，随着规模量产的到来，OLED可以比LCD成本低20%。
（2）介绍几种发光二极管在日常生活中的应用。
答：发光二极管是一种把电能直接转换为光能的固体发光器件。它以体积小、耗电低、响应速度快、亮度调整灵活、使用寿命长、稳定性好、抗震性强等优点广泛应用于工农业和家用电器等设备上。具体应用有：①指示用电源。在不需要高亮度的场所，可采用发光二极管作指示电源。例如示波器的标尺照明、收音机的刻度照明、十字路口的信号指示灯等。②电压越限报警。利用发光二极管和稳压二极管的直流上下限报警。③发光二极管作光电开关的光辐射源。光电开关是以光辐射驱动的电子开关，当一定强度的光辐射到其中的光敏器件上时，会产生开关作用。驱动光电开关的辐射，可以是可见光，也可以是非可见光，可以用不同类型的发光二极管充任。④闪光电路。发光二极管的闪光电路组成是将两只发光二极管接在多谐振振荡器的[键入文字]
集电极电路中。这样，当多谐振振荡器工作时，T1和T2交替导通，LED1和LED2交替发出闪光信号。
（3）比较发光二极管与光电二极管的工作原理，设计一个由发光二极管和光电二极管组成的运动感知机构。
答：光电二极管，即可将光信号转换成电信号。我们在捕获系统上安装光电二极管，将捕捉到的运动信息经过一定的处理变成计算机可以识别的电信号。然后再利用发光二极管，将电信号重新读取并在显示设备上还原成光信号，比如我们可以在屏幕上重现运动的影响和运动过程，这样就实现了运动感知。
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第三篇：半导体发光材料的总结与进展
SA13002034
杨建新
半导体发光材料——LED灯的应用
简介：半导体材料和器件是本世纪六十年代末开始发展起来的半导体技术中的一个分支，所用的材料主要是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。由于用此材料制成的发光器件可广泛地用于信息显示、光纤通信灯方面，因此在材料制备方法、性能检测以及器件工艺改进等领域的研究和开发工作的发展也甚为迅速。国内外均已发展成新兴产业，国内年产的发光二极管数量也已达十亿余只。
近期由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、中国国际光电博览会共同主办的首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会于2013年9月5日在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南京大学、北京大学、科锐公司、西安电子科技大学等研究机构以及企业的近百名人士参加了此次会议。与会人员各自谈了半导体的发展前景，这说明半导体材料照明对于人类的发展起的作用越来越来重要。半导体照明作为一项重要内容列入到七大战略新兴产业之一的节能环保产业之中，今年正是“国家半导体照明工程”启动十周年，也是产业发展关键时期的转折之年。总结过去展望未来，一路走来的十年半导体照明产业披荆斩棘，创造了诸多成绩同样遇到了一些问题;未来十年，我们将怎样面对?又会给其他新兴产业有哪些关键性借鉴?正如日前国际半导体照明联盟(ISA)主席、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)秘书长吴玲接受中国半导体照明网专访时所言，“今年是国家半导体照明工程启动的第十年，作为首个连续参与国家科技计划管理的行业组织机构，我们欣喜的看到LED的产业技术已经取得长足发展，产业未来发展的前景越来越明晰。但LED是一个新兴产业，如果说一个战略性新兴产业的培育期是二十年的话，LED产业现在才刚刚过半，产业进入相对成熟的阶段至少还需要十年以上的时间。而对于一个战略新兴产业来说，恰恰是这个转折时期，蕴藏的挑战最大”。
图一 城市灿烂的led灯
LED在室内照明的应用及前景 1.应用的原则及方向。
室内照明不同于夜景照明，更强调照明的功能；相对道路照明说，则是一个更为广阔的空间，不同的使用场所，不同的功能，不同的大小场所，不同的装饰美观要求，决定了室内照明灯具品种繁多，配光类型各异，当前成百上千企业拥向路灯的局面，应该开阔视野，更换思维，走进室内这个更宽广的天地。进室内，先做什么，从哪些领域突破，建议考虑以下原则和方向。(1)首先应符合《建筑照明设计标准》的规定，包括照度、均匀度、眩光、显色指数要求和相宜的色温，以达到良好的视觉条件和LPD限值规定。(2)应选择场所，试点应用，逐步扩展，循序渐进，总结经验，不断改进，切忌不顾对象，不分析条件，大面积推广。应寻找更能发挥自身优势的场所作为切入点。(3)突出节能：当前首先目标是去取代低效的白炽灯，更能发挥优势；第二个目标是取代卤素灯；第三是力求逐步代替紧凑型荧光灯。
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杨建新
特别注意：并非LED都节能，应该是在达到相同照度水平、接近的照明质量条件下进行比较；从这点分析，目前不应以LED去代替高效的三基色直管荧光灯。(4)发挥LED彩色光的优势，在室内用于需要更高装饰要求，或作为景观、标志灯等用途。(5)发挥LED快速起动、方便调光的优势，优先用在要求声、光自控和需要调光或频繁开关灯等场所。(6)利用LED定向发光的特点，应用于需要定向照明的部位，如射灯、筒灯等。
2.适宜应用的场所
按上述原则，以下场所适宜应用或试用。
(1)住宅或类似场所的楼梯间、走道装设节能自熄开关的灯，几乎都用白炽灯，最适宜用LED代替，节能效果好，虽只是一个“小灯’’，但数量大，全国估计过亿支，其节能效益可观企业经济效益显著。(2)疏散照明灯、疏散标志灯，以及其他标志灯，还有部分备用照明灯(当正常照明采用HID灯时)，适宜用LED。(3)用LED代替PAR38(采用反射型白炽灯)这5类灯，是十分合适的；进一步研究代替MRl6、MR25(采用卤素灯)一类射灯；这些应要求LED有更高显色指数(Ra)和具有暖色表(<3300K)。(4)应用于商场作重点照明的射灯，博展馆类建筑的射灯，以及公共建筑的筒、射灯等。(5)宾馆使用白炽灯和卤素灯较多，是应用LED灯的适宜场所，可以应用来取代白炽灯、卤素灯的有：客房需调光的床头灯、床头顶上阅读灯、夜灯、衣柜灯、吧台灯、开门灯、进门过道灯，以及卫生间洗浴灯等。(6)局部照明灯，采用安全特低电压(SELv)的检修灯。(7)视觉条件要求不太高的一般建筑的辅助场所，如走道、卫生间，一般用途的库房，风机、水泵房等。
3.LED在室内的应用前景
图二 室内绚烂的led灯
LED仍在不断发展之中．室内照明空间广阔，未来应用前景是光明的。但是要有更大前进和相应的研究、探索工作，为应用创造条件。(1)进步提高光效和显色性，研究多种更适应的色温。(2)把半导体学科和照明学科更有机结合，深入研究适合LED特点的灯具形式和灯具配光系统。(3)进一步降低成本。期望在5年～10年时间。LED在室内功能照明领域能更大范围推广应用。在关注LED发展、应用的同时，还应该注意到另一种固体光源——有机半导体发光二极管(OLED)也在悄然崛起，已丌始显示更多的优势，或许在未来若干年成为现有光源以及LED的强有力竞争者，需要找们更多的关注。
我国现阶段LED的应用市场主要在建筑照明、室内外显示屏，因此，下一波的主力可能还是目前这些市场。但在手机、小尺寸液晶背光、汽车的渗透力度会加大，另外一些零散市场如特种照明的开拓也会更大(特种照明对成本的要求没有通用照明那么苛刻)。经过前几年的替换，LED交通指示灯已经非常普遍，由于LED的使用寿命较长，短期内很难再出现大规模的替换工作，这就使得交通指示灯对于LED的需求将出现一段低潮期；国内轿车市场庞大，但要求较高，认证周期长，只要有过硬的产品质量，国内车用背光及车灯的LED市场需求非常大，而且这一市场的需求增长比较稳定；而LED显示屏以其易拼装、低功耗、高亮度等优
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点已经广泛应用到银行、证券、广场、车站、体育场馆中，未来这一市场仍有很大增长潜力；在奥运会、世博会、一些城市夜景工程示范效应的带动以及国家半导体照明工程等众多有利因素的促进下，建筑照明市场依然前景广阔。专业研究机构Next Gen Research指出，201 1年我国LED产值已超过1 500亿元人民币，2010年全球新增的100多万盏LED路灯，将有一半来自中国。
图三 新型led灯示意图
基于以下几点，我国LED产业在国内有良好的发展前景。(1)就技术而言，LED具有技术成长瓶颈高，学习门坎低等特性，国内在半导体领域长期积累的研究资源都可以用得上，具备较好的研究基础。尽管国内集成电路制造基础比较薄弱，工艺水平比较低，但大陆一些企业通过聘请海外技术人员加盟，在技术上不断取得突破，大陆好的企业技术水平已经与台湾地区大厂的技术水平相差不大，与国际大厂的整体差距也在不断拉近。(2)LED的投资额比较小，初始投资1亿就可建厂，国内企业进入门槛低，容易实现滚动发展，这与集成电路制造及液晶面板制造动辄几十亿到上百亿人民币的投资而言显得“微不足道”，国内企业容易进入形成产业集群，当然，也可能造成恶性竞争，发展到一定阶段需要市场整合(3)国内市场巨大，LED未来主要市场是通用照明市场，市场容量大，终端消费市场比较分散，不易形成垄断，国内企业生存空间广阔。(4)国内一些企业拥有核心知识产权，如晶能光电的硅衬底氮化镓蓝光项目，大连路美的芯片领域核心技术，都具有全球竞争力，这些企业在技术发展上容易形成示范效应，促进国内企业市场健康成长。(5)技术成熟后，LED下游封装和器件生产属于劳动密集型，国内具备劳动力成本优势。小结
LED节能环保寿命长，随着LED技术水平的不断提升，高功率、高亮度、小尺寸LED灯的不断出现，LED灯具在各照明领域的应用必然会普及，LED灯具必定会深入到人们的日常室内照明、生活、交通之中。参考文献: 1.关于《半导体照明中国梦》的简介 2.LED灯应用及展望，期刊，宋冬灵
3.半导体LED照明光源技术的进展及前景，期刊论文[2006.12],中国半导体网 4.刘鹏,LED将引领照明“时尚”[期刊论文]-科技致富向导2011(5)5.国务院关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定，2013.09.18，中国政府网 6.半导体的原理，百度百科
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第四篇：稀土LED发光材料及半导体照明技术获突破
稀土LED发光材料及半导体照明技术获突破
来源：长春应用化学研究所更新时间：2013-07-04 09:57:05[我要投稿]
专家组实地考察
中科院长春应用化学研究所与成都四川新力光源股份有限公司合作研发的“发光余辉寿命可控稀土LED发光材料研发及其在半导体照明中的应用”成果，近日在成都通过由中科院组织的成果鉴定。专家组认为，该原创性稀土发光材料有效解决了国际上一直未能攻破的交流LED照明设备频闪问题，并实现了从基础研究到产业化的跨越，达到了国际领先水平，使中国成为世界上唯一掌握通过稀土荧光粉生产低频闪交流LED产品的国家。
LED照明是继白炽灯、荧光灯后照明光源的又一次革命，被世界公认为是最具发展前景的高效照明产业。现有的LED照明光源使用直流电作为驱动，在工作时必须经交、直流电源转换，能耗大、散热差、成本高，因此，开发可直接使用交流电驱动的新型LED照明产品是造福百姓、推进LED照明产业发展的重大需求。
长春应化所与四川新力光源有限公司围绕国家重大需求，于2006年合作开展新型交流LED照明技术的研发，经过6年多的不懈探索和开拓，研发出具有自主知识产权发光余辉寿命可控的新型稀土LED发光材料，从源头上解决交流LED频闪的瓶颈问题，其发光余辉寿命与交流电频率匹配，实现了LED芯片不发光时发光粉仍然发光，从而弥补交流LED电流波动导致的频闪，开辟了一条以具有特定寿命的稀土发光粉为核心、完全不同于国外及台湾地区交流LED技术路线，从源头上解决了直流和交流电驱动存在的若干技术难题。该成果荣获2012年英国工程技术学会（IET）“能源创新”和“建筑环境”两项提名奖，并已获得3项中国发明专利授权，3项PCT国际专利申请已经进入多个国家实审阶段，构筑了自主知识产权体系。
该成果产品与现有的LED相比，具有发热低、能量转换率高、体积小等优势，可提高使用寿命2倍以上，能耗和成本分别降低15%和20%以上。目前，该系列产品已通过我国的相关认证，以及美国保险商实验室(UL)、美国联邦通信委员会(FCC)、欧洲统一(CE)和欧盟环保(RoHS)等认证，销往美国、加拿大、墨西哥、西班牙、巴西等多个国家，并已取得显著的经济效益。
标签：中科院 长春应用化学研究所 成都四川新力光源股份有限公司 LED发光材料 半导体照明 LED技术路线
第五篇：半导体问答
影响工厂成本的主要因素有哪些？
答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片
Indirect Material间接材料,例如气体… Labor人力
Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等
Production Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内，间接物料指哪些？
答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer测试,实验用的蕊片
什幺是变动成本(Variable Cost)?
答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料
什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧
Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?
答：Fab yield= 若无报废产生,投入完全等于产出,则成本耗费最小
CP Yield:CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。当产出芯片上的有效IC数目越多,即表示用相同制造时间所得到的效益愈大.生产周期(Cycle Time)对成本(Cost)的影响是什幺?
答：生产周期愈短,则工厂制造成本愈低。正面效益如下:(1)积存在生产线上的在制品愈少(2)生产材料积存愈少(3)节省管理成本(4)产品交期短,赢得客户信赖,建立公司信誉
FAC
根据工艺需求排气分几个系统? 答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用?
答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度;防静电；便于HOOK-UP。
离子发射系统作用
答：离子发射系统，防止静电
SMIC洁净等级区域划分
答：Mask Shop class 1 & 100
Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100
Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工艺真空系统(PV)
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行
什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。
House Vacuum System 作用
答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。
什幺是Clean Room 洁净室系统
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。
Clean room spec:标准
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)
Class 100
Overpressure +15pa
Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。
若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报
答：通知厂务主系统水课的值班（19105）
废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?
答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS)
若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题? 答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的事故。
公司做水回收的意义如何?
答：(1)节约用水，降低成本。重在环保。(2)符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2
何种气体由VMB Stick点供到机台? 答：H2
何种气体有自燃性? 答：SiH4
何种气体具有腐蚀性? 答：ClF3
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器? 答：PH3
名词解释 GC, VMB, VMP
答：GC-Gas Cabinet 气瓶柜VMB-Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性气体。VMP-Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
答：21%
19%
什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？
答：LEL-Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL-4%.当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？
答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何?
答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2)Solvent有机溶剂(3)Slurry研磨液
有机溶剂柜的安用保护装置为何?
答：(1)Gas/Temp.detector;气体/温度侦测器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器
中芯有那几类研磨液(slurry)系统?
答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭
设备机台总电源是几伏特? 答：208V OR 380V
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗? 答：不可以
如何选用电器器材?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
机台开关可以任意分/合吗?
答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗? 答：对
假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况? 答：断路器跳闸
当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.MFG
什幺是WPH?
答：WPH(wafer per hour)机台每小时之芯片产出量
如何衡量 WPH ?
答：WPH 值愈大,表示其机台每小时之芯片产出量高,速度快
什幺是 Move?
答：芯片的制程步骤移动数量.什幺是 Stage Move?
答：一片芯片完成一个Stage之制程,称为一个Stage Move 什幺是Step Move?
答：一片芯片完成一个Step 之制程, 称为一个Step Move.Stage 和 step 的关系?
答：同一制程目的的step合起来称为一个stage;例如炉管制程长oxide的stage, 通常要经过清洗,进炉管,出炉管量测厚度3道step AMHS名词解释? 答：Automation Material Handling System;生产线大部份的lot是透过此种自动传输系统来运送
SMIF名词解释?
答：Standard Mechanic InterFace(确保芯片在操作过程中;不会曝露在无尘室的大环境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;为什幺SMIF可以节省厂务的成本? 答：只需将这些wafer run货过程中会停留的小区域控制在class 1 下即可,而其它大环境洁净度只要维持在class 100 或较低的等级);在此种界面下可简称为“包货包机台不包人”;对于维持洁净度的成本是较低的;操作人员穿的无尘衣可以较高透气性为优先考量,舒适性较佳
为什幺SMIF可以提高产品的良率?
答：因为无尘室中的微尘不易进入wafer的制程环境中
Non-SMIF名词解释
答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的过程中会裸露在无尘室的大环境中,所以整个无尘室洁净度要维持在class1的等级;所以厂务的成本较高且操作人员的无尘衣要以过滤性为优先考量,因此是较不舒适的SMIF FOUP名词解释?
答：符合SMIF标准之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名词解释?
答：Manfaucture Execution System;即制造执行系统;该系统掌握生产有关的信息,简述几项重点如下(1)每一类产品的生产step内容/规格/限制(2)生产线上所有机台的可使用状况;如可run那些程序,实时的机台状态(可用/不可用)(3)每一产品批的基本资料与制造过程中的所有数据(在那些机台上run过/量测结果值/各step的时间点/谁处理过/过程有否工程问题批注…等(4)每一产品批现在与未来要执行的step等资料
EAP名词解释?
答：(1)Equpiment Automation Program;机台自动化程序;(2)一旦机台有了EAP,此系统即会依据LOT ID来和MES与机台做沟通反馈及检查, 完成机台进货生产与出货的动作;另外大部份量测机台亦可做到自动收集量测资料与反馈至后端计算机的自动化作业
EAP的好处
答：(1)减少人为误操作(2)改善生产作业的生产力(3)改善产品的良率
为什幺EAP可以减少人为操作的错误
答：(1)避免机台RUN错货(2)避免RUN错机台程序
为什幺EAP可以改善机台的生产力?
答：(1)機台可以自動Download程式不需人為操作(2)系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤(3)系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤
为什幺EAP可以改善产品的良率?
答：(1)在Phot/etch/CMP区中,可自动微调制程参数(2)当机台alarm时,可以自动hold 住货(3)当lot内片数与MES系统内的片数帐不符合时,可自动hold 住货
GUI名词解释? 答：Graphical User Interface of MES;将MES中各项功能以图形界面的呈现方式使得user可以方便执行
EUI名词解释?功能是什麼? 答：EAP User Interface;机台自动化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機台目前的狀態及貨在機台內的情形
SORTER 分片机的功能?
答：可对晶舟内的wafer(1)进行读刻号(2)可将wafer的定位点(notch/flat)调整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer号码重新排列在晶舟内相对应的槽位号码上(4)执行不同晶舟内wafer的合并(5)将晶舟内的wafer分批至多个晶舟内
OHS名词解释?
答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS轨道上传送FOUP的小车)FAB内的主要生产区域有那些?（有7个）
答：黄光, 蚀刻, 离子植入, 化学气象沉积, 金属溅镀, 扩散, 化学机械研磨
Wafer Scrap规定?
答：Wafer由工程部人员判定机台、制程、制造问题，已无法或无必要再进行后续制程时，则于当站予以報廢缴库，Wafer Scrap时请填写“Wafer Scrap处理单” Wafer经由工程部人员判定机台、制程、制造问题已无法或无必要再进行后续制程时应采取何种措施?
答：SCRAP（报废，定义请参照Wafer Scrap规定）
TERMINATE规定？
答：工程试验产品已完成试验或已无法或无必要再进行后续制程时，则需终止试验产品此时就需将产品终止制程，称之为TERMINATE
WAFER经由客户通知不需再进行后续制程时应采取何种措施? 答：TERMINATE
FAB疏散演练规定一年需执行几次?
答：为确保FAB内所有工作人员了解并熟悉逃生路径及方式，MFG将不定期举行疏散演练。演习次数之要求为每班每半年一次。
何时应该填机台留言单及生产管理留言单？
答：机台留言单：机台有部分异常需暂时停止部分程序待澄清而要通知线上人员时生产留言单：有特殊规定需提醒线上人员注意时
填写完成的机台临时留言单应置放于那里?
答：使用机台临时留言单应将留言单置放于LOGSHEET或粘贴于机台上
机台临时留言单过期后应如何处理?
答：机台临时留言单過期后应由MFG On-line人員清除回收, 讯息若需长期保存则请改用生产管理留言单。
生产管理留言单的有效期限是多久? 答：三个月
何时该填写芯片留言单？
答：芯片有问题时或是芯片有特殊交待事项需让线上人员知道则可使用芯片留言单
芯片留言单的有效期限是多久? 答：三个月
填写完成的芯片留言单应置放于何处? 答：FOUP 上之套子内 芯片留言单需何人签名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何谓Hold Lot? 答：芯片需要停下来做实验或产品有问题需工程师判断时的短暂停止则需HOLD LOT;帐点上的状态为Hold,如此除非解決hold住的原因否则无法继续run货
PN（Production Note，制造通报）的目的?
答：(1)为公布FAB内生产管理的条例。(2)阐述不清楚和不完善的操作规则。
PN的范围?
答：(1)强调O.I.或TECN之规定, 未改变(2)更新制造通报内容(3)请生产线协助搜集数据(4)O.I.未规定或未限制, 且不改变RECIPE、SPEC及操作程序
何谓MONITOR?
答：对机台进行定期的检测或是随产品出机台时的检测称之为MONITOR，如测微粒子、厚度等
机台的MONITOR项目暂时变更时要填何种文件?
答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
暂时性的MONITOR频率增加时可用何种表格发布至线上? 答：Production Note（PN，制造通知）
新机台RELEASE但是OI尚未生效时应填具何种表格发布线上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
控片的目的是什幺?(Control wafer)答：为了解机台未来的run货结果是否在规格内,必须使用控片去试run,并量测所得结果如厚度,平坦度,微粒数…控片使用一次就要进入回收流程。
挡片(Dummy wafer)的目的是什幺?
答：用途有2种：(1)暖机(2)补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复使用到限定的时间﹝RUN数、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同时run150片wafer的炉管,若不足150片时必须以挡片补足,否则可能影响制程平坦度等…;High current 机台每次可同时run17片,若不足亦须以挡片补足挡片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范围吗?
答：是的;阻值范围愈紧的,成本愈贵;例如8~12欧姆用于当产品的原物料,0~100的可能只能用当监控机台微尘的控片
機台狀態的作用?
答：為能清楚地評量機台效率,並告訴線上人員機台當時的狀況
機台狀態可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down
机台状态定义为availabe可用的状态有那些?
答：RUN : 机台正常,正在使用中BKUP : 机台正常,帮其它厂RUN货IDLE : 机台正常,待料或缺人手TEST : 机台正常,借工程师做工程实验或调整RECIPETEST_CW : 机台正常,正在RUN 控檔片
机台状态定义为SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 机台正常,依据OI规定进行检查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 机台正常,机台定期维护后的检查PM : OI规定之例行维修时机及项目;如汽车5000KM保养HOLD_ENG : 机台正常,制程工程师澄清与确认产品异常原因,停止机台RUN LOT
在机台当机处理完后;交回制造部时应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
在工程师借机检查机台调整RECIPE时应挂何种STATUS? 答：TEST
若是机台MONITOR异常工程师借机检查机台时应挂何种STATUS? 答：DOWN
线上发现机台异常时通知工程师时应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
线上在要将机台交给工程师做PM前等待工程师的时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
工程在将机台修复后交给制造部等制造部处的这段时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
维修时应挂何种STATUS? 答：OFF
Muti-Chamber的机台有一个Chamber异常时制造部因为派工ISSUE无法交出Chamber该挂何种STATUS? 答：HOLD_MFG
制程工程师澄清或确认产品异常原因停止机台RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
因工程部ISSUE而成机台不能正常RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
MES或电脑等自动化系统相关问题造成死机要挂何种STATUS? 答：CIM
因为厂务水电气的问题而造成机台死机的问题要挂何种STATUS? 答：FAC
生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機台狀態應掛為? 答：FAC
生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機台將態為何? 答：CIM
机台状态EQ status定义的真正用意何在?
答：(1)机台非常贵重,所以必须知道时间都用到何处了,最好是24小时都用来生产卖钱的产品;能清楚知道时间用到何处,就能进行改善(2)责任区分,各个状态都有不同的责任单位,如制造部/设备工程师/制程工程师…等
什幺是 T/R?
答：Turn Ratio, 芯片之移动速度;即1天内移动了几个制程stage 如何衡量 T/R ?
答：一片芯片在1天内完成一个Stage Move,其 T/R值为 1.T/R 值愈大,表示其移动速度愈快,意谓能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?
答：Engineer Abnormal Report(工程异常报告);通常发生系统性工程问题或大量的报废时,必须issue EAR.异常事件是否issue EAR 主要依据EAR OI 定义
EAR 之目的为何 ?
答：在于记录Wafer生产过程中异常现象的发生与解决对策，及探讨异常事件的真正原因进而建立有效的预防及防止再发措施，以确保生产线之生产品质能持续改善 什幺是 MO ?
答：MO(Mis-Operation)指未依工作准则之作业,而造成的生產損失.MO 有何之可能影响?
答：(1)产品制程重做(REWORK)。(2)产品报废。(3)客户要求退还产品，并要求赔偿.如何防止 MO 之产生 ? 答：依工作准则作业.什幺是 Waferout ?
答：完成所有制程后并可当成产品卖出之芯片.什幺是 clean room(洁净室)?
答：指空气中浮尘被隔离之操作空间
为何要有 clean room ?
答：避免空气中的微浮尘掉入产品,进而破坏产品的品质
clean room 有何等级 ?
答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等级愈高(class 1)则表示要求环境之洁净度就愈高.如医院开刀房之环境为 class 1000.FOUP回收清洗流程?
答：(1)线上各大区将所使用过的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下线MA将回收待清洗的FOUP.底盘逐一拆下。(3)Cassette 须量测有无问题.(全新的也须量测)。(4)拆下的Door& 底盘须用IPA擦拭干净。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。
FOUP回收清洗时间?
答：回收清洗时间为每三个月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue时会同时将下一次清洗的时间Updata上。
FOUP各部门领用流程? 答：各部门的领用人至W/S领取物品时,须填写”FOUP & 塑料封套 领料记录表”填上领取的件数以及部门.名字.工号即可
FAB 制造通报(Production Notice)responsibility?
答：(1)制造部负责通报的管理与执行，Fab相关部门因工程与生产需要可制作制造通报经单位主管及制造部同意后进线执行。(2)制造通报涉及工程限制（Constrain）时需由工程部门负责工程师在MES上设定/修改完成后交由制造部审核确认及生效后，此通报才能进线执行。
FAB 制造通报(Production Notice)规定和禁令?
答：(1)通报被取消则此通报将视为无效.(2)通报内容新旧版本相冲突时以新版本为主，initiator 需告知前份作废PN ,以便MA立取出(3)通报最长期限为一个月.如果通报想延长期限,必须重新提出申请与签核,但以一次为限.(4)至截止期后通报将自动失效.FAB 制造通报(Production Notice)管理?
答：(1)如果此通报由制造部主管直接公布,签署过程即省略(2)通报内容应尽量言简意赅,避免繁琐冗长的陈述(3)制造部各区文件管理人负责将取消或无效之生产通告传回Key-in Center 以避免被错误使用(4)通报应盖上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部门依据规定执行Hold 货或设Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，货到站后由当区MA/LL负责于MES作帐，Wafer存入Stocker。
WHAT’S “Bank Out”?
答：各部门于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知当区主管，于MFG确认Hold Comment无误后，于MES作帐，Wafer依Comment处理。
WHAT’S ’Bank Period“?
答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累积之时间
Bank 适用时机?
答：(1)客户通知暂停流程/放行之Wafer。(2)新制程开发，于重点层次预留/放行之Wafer。(3)经WAT检查后，有问题之Wafer。(4)经QE检查后，有问题之Wafer。(5)FAB预先生产，且需暂存之Wafer。(6)特殊原因且经MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?
答：(1)各部门申请的Bank有一定数量限制，依制造部与各部门讨论而定(2)PC部门则由PC与客户协议，依PC相关规定处理
Bank period规定?
答：(1)PC要求之Bank最长可存放六个月；但若Customer有特殊需求，且经PC与MFG P&Q Manager同意者，则不在此限。(2)Lot Type 为L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限为60天。(3)Lot Type 为P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，则存放期限为7天且申请时需PC 同意。
FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?
答：(1)放在指定的暂存货架上。(2)放在机台旁的待Run Wip货架上(3)Stocker內
为什幺FOUP 放在STOCK 入口而长时间不进去？
答：Stocker 已满，或不能读取RF ID。
为什幺FOUP会被送至WaferStart出口?
答：RF ID上的FOUP Clean Time 过期，或格式不正确。
何谓Bullet lot?
答：(1)就是优先权最高的lot(priority 1);(2)lot本身带有特别重要的目的;如客户大量投产前的试run产品,工程部特别重要的实验货,与其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?
答：(1)Priority 皆为1(2)面交下一站，不得用AMHS System传送。(3)需提前通知下一站备妥机台。(4)有工程问题工程部必须优先解决此种lot 列出所有的Lot Priority，并说明其代表的含义
答：Priority 等级从1~5 优先权以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字义”子弹般快的lot“;此lot拥有特殊目的如重要实验,客户大量投片前试run货等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定义而定;通常为试run货pilot lot, 验证光罩设计的实验lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把劲否则无法准时交给客户的lot)priority 4 : normal lot(按预定进度进行的lot)priority 5 : control wafer(生产线上的控片面)将Lot 分pirority 优先权的生产管理意义? 答：生产线上众多的lot(可能有2000以上),各有不同的交期与目的,透过操控每批LOT的优先权数字设定来让所有MA知道产品安排的优先级
什幺是RF ID?
答：用来记录FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、机台的EAP亦是透过RF ID 来和MES沟通了解当站该RUN那一种程序
什幺是stocker?
答：生产线上用来存放FOUP容器的仓储(FOUP有装载芯片和光罩两种)
为什幺FOUP 放在stocker 入口而长时间不进去？
答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 会被自动传输系统HOLD?
答：有同名的Lot.可根据Hold Reason 找出两个同名Lot 的位置。
当GUI显示说Mapping的片数和MES上的片数不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Mapping出来的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER。
Process完成后GUI显示实际RUN的片数和MES上的数量不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Process完成的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER
GUI显示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“时如何处理？
答：检查SmartRF ID中清洗FOUP的时间是否已经过期或时间是空值：若已过期，请换一个FOUP。若是空值，请先做IssueRF ID，何谓Bank Lot?
答：若芯片有客户要求需要长时间的停止时则需使用BANK LOT;即帐点上的状态为BANK;除非客户再次通知后解除,否则无法往下RUN货
何谓future hold?
答：MES 上的一个功能;对于未来制程中的某一歩骤,若需要停下来执行实验或检查..等目的时,可预先提早下future hold
生产线那些地方,可以感测FOUP上的RF ID并回传此FOUP的位置? 答：Stocker 与机台
HOLD住待处理的问题芯片;必须放在何处? 答：放置在指定之HOLD LOT货架上
工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处? 答：放置在工程师芯片专用货架上
待run产品 ,必须放在何处?
答：放入STOCKER内或放置在机台旁之货架（推车上）
Fab通常如何定义产品的复杂度?
答：必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?
答：22天/20=1.1
Signal Tower 的功能为何?
答：用以提醒操作者,机台的实时状况,实时处理,增加机台的使用率 Signal Tower有那几种灯号颜色? 答：红/黄/绿三种颜色
Signal Tower的红灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台的主要功能当掉讯息出现时
Signal Tower的红灯闪烁(flash)时,代表何意义? 答：机台有任何Alarm的讯息出现时
Signal Tower的绿灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台是在run货状态;且所有进货端都摆满了货
Signal Tower的绿灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在run货状态;但有某一个以上的进货端有空档,用以提醒操作人员进货(MIR;move in request)
Signal Tower的黄灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在可使用状态;但有某一个以上的出货端有货run完,等着出货,用以提醒操作人员把货拿走(MOR;move Out request)光罩产品有哪两种材料组成?
答：(1)BLANK;玻璃主体;使得光容易透过(2)PELLICLE;一种高分子材料,用来保护玻璃上的电路图,避免particle影响
简单分类光罩可分为哪两种？
答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄线宽或某几个最重要的PHOTO 层如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 现行工厂内有哪两种PELLICLE(光罩的鉻膜)？
答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）
I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光机?
答：不能;因为DUV光源的能量Energy较强,会将pellicle 烧焦
DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光机? 答：可以
光罩上PATTERN或玻璃面有刮伤可否修补? 答：不能
PELLICLE毁损能否修补?
答：若没伤到pellicle下的电路图形，可撕除pellicle,重新贴上新的PELLICLE 何谓cycle time,周期时间?
答：wafer 从投片wafer start 到WAT电性测试结束这段生產时间(如早上出门.搭车到达公司所需经过的时间)
cycle time 周期时间是由那些时间所构成答：(1)Process time 所有步骤的制程时间总和(2)waiting time : 所有步骤中所耗费的等待时间,如等人或等机台有空(3)hold time:所有步骤因为异常等原因,被扣留下来检查的时间
如何降低cycle time 周期时间?
答：cycle time是process time(机台run货时间),waiting time(等候时间), hold time(等待澄清问题时间);所以任何有助于降低三者的活动皆有帮助
如何减少process time 总和? 答：(1)由制程整合工程师检讨流程中是否有步骤可以去除不做;如一些检查站点或清洗站点等(2)由工程部制程工程师研究改善缩短每一步骤的制程时间(需经过实验测试是否影响品质,此项达成度较难)如何减少waiting time总和?
答：waiting time 是因为少人少机台所造成;所以有下列几种方法(1)加人买机台(此方法必须说服老板人和机台都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多种操作技能,加强派货能力等(3)改善机台的能力;如增加WPH每小时的产出量,设备工程师将机台维持在高的UP time等(4)检讨减少生产线上的wafer 数目;检讨是否有太早下线的wafer或不必要的实验货,过多少片数的LOT(例如透过公运输或多人共乘减少)路上的车辆
如何减少hold time 总和? 答：hold time 来自制程不稳定与机台不稳定和实验测试所致;与发生hold time后的后续处理时间;所以必须针对这几项来着手
如何简单地评定一个代工厂的能力?
答：(1)良率维持在稳定的高点(2)周期时间cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好
工厂准时交货率(On-Time Delivery Order)
答：值越高表示工厂准时交货的能力越好，对于客户的服务也越佳
工厂产量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工厂满足客户需求的能力是否良好，但并不评估是否按照预定日程交货，值越高越好
控/挡片使用率(Control/Dummy Usage)
答：平均每生产一片芯片所需使用的控/挡片数量由于控/挡片可以重复使用，因此当生产线系统越稳定，技术员操作越熟练，则控/挡片寿命也越长，生产成本也因而降低。
何谓OI?
答：Operation Instruction操作指导手册；每一型号的机台都有一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机器简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是我们该熟记的部分
何谓Discipline
答：简单称之为『纪律』。泛指经由训练与思考，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的规范内达成目标，与一般的盲从不同。
如何看制造部的纪律好不好?
答：制造部整体纪律的表现，可以由FAB执行6S够不够彻底和操作错误多寡作为衡量标准！
如何看整个FAB纪律好不好?
答：FAB内整体的纪律表现，可以反应在Yield上。
公司的企业文化为何? 答：重操守（integrity）诚实（honesty）团队合作（team work）注重效能（effectiveness）永续经营和不断改进（PDCA——plan/do/check/action）
那些是对外不可说的事?
答：(1)产品良率(Yield)(2)订单数量(3)客户名字(4)公司组织(5)主管手机号码(6)公司人数(7)其它厂商Vendor的资料(8)生产线的机台台数及种类。
那些是对外不可做的事? 答：(1)与Vendor聚餐,需经过部门主管的同意(2)收佣金,有价证券(3)收受礼物(礼物价值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正当场所
Fab4的工作精神为何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何谓Ownership? 答：主人翁精神;对待处理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完
何谓Hands On ?
答：亲力亲为;总裁Richard要求所有人尤其是主管必须对自己的业务了若指掌
何谓Call for help ?
答：请求支持;任务过程中遇困难,必须寻求同事或主管帮忙,否则会误了大事
为什幺沟通时必须使用”精准“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼
答：因为团队的其它人必须根据你的话来下决定与做判断,一旦用了模糊字眼,就必须一来一往才能澄清问题,泿费时间,所以不了解的事,就直接回答不清楚
为什幺开会描述问题时,必须先讲结果或别人必须配合的AR(action request),然后再讲问题发生的原因? 答：因为开会时间有限,参与的人太多(如全厂的生产晨会);先讲结果或AR可以让人快速抓住重点,如果时间不足原因可以简略说明即可
为什幺会议中要避免某些人”开小会“(小组自行讨论)的现象? 答：因为你不是主持人,开小会使得议程被打断,讨论主题发散,会议时间冗长,泿费大家时间
为什幺开会,上台进行演示文稿时,要力求大声?
答：因为所有人必须跟据你的说明下判断或决定,而且小声讲也显得自己没有自信
什幺是6S运动?
答：在自己的工作区内彻底执行整理/整顿/清扫/清洁/纪律/安全6项作业准则标准
整理与整顿的意含差异?
答：整理为保管要的东西,丢掉不要的东西,整顿为针对要的东西进行定位/标示/归位的动作
清扫与清洁的意含差异?
答：清除为清除脏乱污垢,清洁为保持整理/整顿/清扫的成果
6S运动推广重点区域?
答：办公区与洁净室是两大重点
为何无尘室中的任何地板开孔都必须以警示围篱区隔?
答：为了安全考量;任何小洞都可能造成人员拌倒,芯片摔破
为何无尘室中的中间走道高架地板上要铺设钢板? 答：为防止move-in 机台所用的拖板车刮伤地板
无尘室中间走道高架地板上的钢板,如何铺设?
答：先铺设塑料垫,再铺设钢板,每一片钢板的接鏠边必须以胶带贴合,避免人员或芯片推车拌倒
无尘室中有那些地板必须以颜色胶带做定位?
答：中间走道,各Bay信道,机台安装前的定位标示,逃生信道,货架定位,零附件暂存区定位
无尘室中的最大发尘源为何? 答：无尘室中走动的人
那些会发尘的物品不得带入无尘室? 答：通常属于天然类的物质都会发尘,如一般纸张,木箱,铅笔,等
无尘室中施工时必须参考的layout 图,如何带入无尘室? 答：请以无尘纸影印人后带入
可在无尘室中做地板切割作业?
答：不行,因为会产生微尘,所以请将地板携出进行作业
可在无尘室中做地板钻孔作业?
答：可以,但钻孔时必须同时以吸尘器清除这些铁屑(必须2人同时作业)货架不能挡住那些紧急设施?
答：冲身洗眼器,灭火器,机台的紧急按钮(EMO)手套上写字记事情,为什幺违反6S规定? 答：因为笔墨会到处沾粘;是微尘的来源
口罩必须如何戴才不违反6S规定?
答：完全盖住口鼻;且全程保持标准,不得拉下口罩,露出鼻子
制程或设备工程师review 完问题货,如果不放回定位,hold lot 货架或stocker内会有何影响? 答：制造部MA,将大海捞针式地搜索此LOT,因为只有在Stocker和机台上才能感测RFID,回传该LOT的位置
如何从自身执行公司的机密文件管制?
答：机密文件档案严禁任意放置在档案柜内或桌面上,必须放入有锁的抽里。
办公区域内不可吃饮料类以外的食物属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内不得任意喧哗属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内严禁打电子游戏属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
有独立办公室的同仁在离开办公室时，必须关上门属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
下班时请将桌面上所有文件清除属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
桌面下方物品堆放整齐，不可有杂物属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
何谓OCAP?
答：Out of Control Action Plan, 即产品制程结果量测值或机台监控monitor量测值,违反统计制程管制规则后的因应对策
制造部人员如何执行品质监控系统OCAP?
答：遇产品或机台monitor量测值OOC或OOS时,必须Follow 相对应的检查流程(有厚度/微尘/CD/Overlay…等OCAP 窗体);并通知工程师检查工程上的问题
工程部人员(制程或设备工程师)如何执行品质监控系统OCAP?
答：制造部MA通知必须Follow的OCAP;必须依流程判断LOT或机台有工程间题
什幺是OOS?
答：out of spec;制程结果超出允收规格
什幺是OOC?
答：out of control;制程结果在允收规格内但是违反统计制程管制规则;用以警讯机台或制程潜在可能的问题
发现Fab内地板有如水的不明液体要如何处理?
答：请先假设它可能为强酸强碱, 以酸碱试纸检测PH值后再以无尘布或吸酸棉吸收后丢入分类垃圾桶中
Fab内的灭火器为那一类? 答：CO2 类
为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器? 答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌
如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果?
答：可能造成无尘室的火灾危机,因为酸碱中和,产生热后可能引起火灾
无尘室的正下方我们称为什幺? 答：sub-fab
Sub-fab的功能主要为何?
答：生产机台所需的供酸供气等需求,主要由此处来供应上来
Fab内的空气和外界进行交换的比例为何? 答：约20%~25%
Fab生产区域内最在意静电(ESD)效应的区域为何? 答：PHOTO 黄光区(低能量静电放电导致光罩的破坏)PHOTO 区如何消除静电效应
答：(1)机台接地(2)使用导电或防静电的材质(3)使用静电消除装置
PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方?
答：(1)天花板(2)机台scanner上方(3)Stocker内
静电效应主要造成那些破坏? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆积的静电荷一旦有放电作用,即会因产生的电流造成组件的破坏
何谓冲身洗眼器?/何处可以找到?
答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方
遇到什幺状况时,需要使用冲身洗眼器
答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时,请立即进入冲淋间,以大量清水冲淋15分钟,然后赶急至医护室进行下一步处理
为何要配合海关进行资产盘点?(机台/芯片/原物料)
答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉.这一盘点对公司来说是非常重要的
PHOTO区域若发生miss operaton;可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗?
答：错!重做多次将影响良率
PEL-STEL(short term exposure limit)短时间(15分钟)时量平均容许浓度
答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。
PEL-Ceiling最高容许浓度：
答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。
LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)
答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率,达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%
TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)国际标准阈限值、恕限量
答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。
PEL-TWA(time-weighted average)工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb
答：正常8小时一个工作天,40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。
PHOTO
PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 I-line？
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何为象差？
答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？
答：Exposure Field大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：OPC(Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：(1)光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2)戴上手套(3)轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓 Track?
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓 WEE? 其功能为何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）
PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓 Overlay? 其功能为何?
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓 CD-SEM? 其功能为何?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：PRS(Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何为OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？
答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：20
PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？
答：#1，#6，#15，#24;统计随机的考量 何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO区的控片主要有几种类型
答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是”人物“.通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺
答：Photo Lithography
常听说的.18 或点13 技术是指什幺?
答：它是指某个产品,它的最小”CD" 的大小为0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9.难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺?
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值.最大是1;先进的曝光机的NA 在0.5---0.85之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径;k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.如何提高曝光机的分辨率呢?
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源;把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?
答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line;KrF 激光器, 产生248 nm 的光;ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺? 答：F2 激光器.波长157nm
我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?
答：不可以.困难在透镜材料.能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长.还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光;就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM
答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM.用它来测量CD
如何做Overlay 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中.先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK.这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺
答：曝光机;5-15 百万美金/台
曝光机贵在哪里?
答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%.它有精密的定位系统(使用激光工作台)
激光工作台的定位精度有多高?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay<50nm
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm.它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置.再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field?
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field.什幺叫一个Die?
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。一个Field可包含多个Die;
为什幺曝光机的绰号是“印钞机”
答：曝光机 很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。
Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：
答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER.TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光
答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害
为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation(底座)答：Scanner曝光对稳定性有极高要求(减震)近代光刻技术分哪几个阶段?
答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.35um 以上的图层(LAYER)KrF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.13um 以上的图层(LAYER)ArF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.08um 以上的图层(LAYER)什幺是DUV SCANNER
答：DUV SCANNER 是 指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm Scanner
Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米
光罩的结构如何？
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸
答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.如何做CD 测量呢? 答：芯片(Wafer)被送进CD SEM 中.电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同;处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似.光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面(Image Plan), 只有将像平面与光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰图形.当离开一段距离后, 图像模糊.这一可清晰成像的距离叫DOF
曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．
光阻种类有多少？
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻
光阻层的厚度大约为多少？
答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影响光阻厚度？
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关．
哪些因素影响光阻厚度的均匀度？
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关．
当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理
答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供给医生，以协助治疗
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