MOS管的分类简介

第一篇：MOS管的分类简介

MOS管的分类简介

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。5.1 结型场效应管（JFET）

1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。5.2 绝缘栅场效应管

1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。

2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。

3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

第二篇：MOS管驱动电路总结doc要点

MOS管驱动电路总结

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

1，MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制100//造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2，MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3，MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4，MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5，MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

这三种应用在各个领域都有详细的介绍，这里暂时不多写了。以后有时间再总结 问题提出：

现在的MOS驱动，有几个特别的需求，1，低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2，宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3，双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。

于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。

电路图如下：

图1 用于NMOS的驱动电路

图2 用于PMOS的驱动电路

这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：

Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。

Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

这个电路提供了如下的特性：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制

4，输入和输出的电流限制

5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路 西安电子科技大学 CAD所 潘华兵 来新泉 贾立刚 引言 在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。

这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不断提高，对于开关元件的性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.5～3.6V），因此，电源芯片的工作电压较低。

MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC－DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。

在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率升压型DC－DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压1.5V，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。

自举升压电路

自举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。具体工作原理如下。

当VIN为高电平时，NMOS管N1导通，PMOS管P1截止，C点电位为低电平。同时N2导通，P2的栅极电位为低电平，则P2导通。这就使得此时A点电位约为VDD，电容Cboot两端电压UC≈VDD。由于N3导通，P4截止，所以B点的电位为低电平。这段时间称为预充电周期。

当VIN变为低电平时，NMOS管N1截止，PMOS管P1导通，C点电位为高电平，约为VDD。同时N2、N3截止，P3导通。这使得P2的栅极电位升高，P2截止。此时A点电位等于C点电位加上电容Cboot两端电压，约为2VDD。而且P4导通，因此B点输出高电平，且高于VDD。这段时间称为自举升压周期。

实际上，B点电位与负载电容和电容Cboot的大小有关，可以根据设计需要调整。具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论。在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点电位关系的示意图。

驱动电路结构

图3中给出了驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计，上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容，Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。

本驱动电路的设计思想是，利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB>VDD+VTH，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以保证输出低电平位GND。因此无需增加自举电路也能达到设计要求。

考虑到此驱动电路应用于升压型DC－DC转换器的开关管驱动，负载电容CL很大，一般能达到几十皮法，还需要进一步增加输出电流能力，因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管。这样在输入端由高电平变为低电平时，Q1导通，由N4、Q1同时提供电流，OUT端电位迅速上升，当OUT端电位上升到VDD－VBE时，Q1截止，N4继续提供电流对负载电容充电，直到OUT端电压达到VDD。

在OUT端为高电平期间，A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降。这会使得B点电位下降，N4的导通性下降。同时由于同样的原因，OUT端电位也会有所下降，使输出高电平不能保持在VDD。为了防止这种现象的出现，又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管，用来补充OUT端CL的泄漏电荷，维持OUT端在整个导通周期内为高电平。

驱动电路的传输特性瞬态响应在图4中给出。其中（a）为上升沿瞬态响应，（b）为下降沿瞬态响应。从图4中可以看出，驱动电路上升沿明显分为了三个部分，分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期。1阶段为Q1、N4共同作用，输出电压迅速抬升，2阶段为N4起主导作，使输出电平达到VDD，3阶段为P5起主导作用，维持输出高电平为VDD。而且还可以缩短上升时间，下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求。

需要注意的问题及仿真结果

电容Cboot的大小的确定

Cboot的最小值可以按照以下方法确定。在预充电周期内，电容Cboot 上的电荷为VDDCboot。在A点的寄生电容（计为CA）上的电荷为VDDCA。因此在预充电周期内，A点的总电荷为

Q_{A1}=V_{DD}C_{boot}+V_{DD}C_{A}（1）B点电位为GND，因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为0。

在自举升压周期，为了使OUT端电压达到VDD，B点电位最低为VB＝VDD+Vthn。因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为

Q_{B}=(V_{DD}+V_{thn})Cpar（2）

忽略MOS管P4源漏两端压降，此时Cboot上的电荷为VthnCboot，A点寄生电容CA的电荷为（VDD+Vthn）CA。A点的总电荷为

QA2=V_{thn}C_{BOOT}+(V_{DD}+V_{thn})C_{A}（3）

同时根据电荷守恒又有

Q_{B}=Q_{A}-Q_{A2}（4）

综合式（1）～（4）可得

C_{boot}=frac{V_{DD}+V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{v_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}=frac{V_{B}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}（5）从式（5）中可以看出，Cboot随输入电压变小而变大，并且随B点电压VB变大而变大。而B点电压直接影响N4的导通电阻，也就影响驱动电路的上升时间。因此在实际设计时，Cboot的取值要大于式（5）的计算结果，这样可以提高B点电压，降低N4导通电阻，减小驱动电路的上升时间。

P2、P4的尺寸问题

将公式（5）重新整理后得：

V_{B}=({V_{DD}-V_{thn})frac{C_{boot}}{Cpar}-V_{thn}frac{C_{A}}{Cpar}（6）

从式（6）中可以看出在自举升压周期内，A、B两点的寄生电容使得B点电位降低。在实际设计时为了得到合适的B点电位，除了增加Cboot大小外，要尽量减小A、B两点的寄生电容。在设计时，预充电PMOS管P2的尺寸尽可能的取小，以减小寄生电容CA。而对于B点的寄生电容Cpar来说，主要是上拉驱动管N4的栅极寄生电容，MOS管P4、N3的源漏极寄生电容只占一小部分。我们在前面的分析中忽略了P4的源漏电压，因此设计时就要尽量的加大P4的宽长比，使其在自举升压周期内的源漏电压很小可以忽略。但是P4的尺寸以不能太大，要保证P4的源极寄生电容远远小于上拉驱动管N4的栅极寄生电容。

阱电位问题

如图3所示，PMOS器件P2、P3、P4的N-well连接到了自举升压节点A上。这样做的目的是，在自举升压周期内，防止他们的源/漏--阱结导通。而且这还可以防止在源/漏--阱正偏时产生由寄生SRC引起的闩锁现象。

上拉驱动管N4的阱偏置电位要接到它的源极，最好不要直接接地。这样做的目的是消除衬底偏置效应对N4的影响。

Hspice仿真验证结果

驱动电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证。在表1中给出了电路在不同工作电压、不同负载条件下的上升时间tr和下降时间tf 的仿真结果。在图5中给了电路工作在输入电压1.5V、工作频率为5MHz、负载电容60pF条件下的输出波形。

结合表1和图5可以看出，此驱动电路能够在工作电压为1.5V，工作频率为5MHz，并且负载电容高达60pF的条件下正常工作。它可以应用于低电压、高工作频率的DC－DC转换器中作为开关管的驱动电路。

结论

本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。该电路已应用于某种高性能压型DC－DC芯片，并已投片。

第三篇：MOS管与bipolar优缺点比较（范文）

]功率MOSFET与双极性晶体管的性能比较及优势

当前，功率MOSFET较双极性晶体管(BJT)器件更受欢迎。如果把功率MOSFET和BJT作一番比较，可以发现功率MOSFET是一种高输入阻抗、电压控制的器件。而BJT则是一种低阻抗、电流控制的器件。在功率应用中采用MOSFET具有众多好处。

我 们可以通过下列几个方面来比较一下这两种器件的优劣，首先是驱动电路，功率MOSFET的驱动电路比较简单。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以 保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动。其次，MOSFET的开关速度比较迅 速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。

其三，MOSFET没有二次击穿失效机理，它在 温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的电阻 温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且还有一个好处是，MOSFET的漏电极和源极之间形成的寄生二极管可以 充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。

使用功率MOSFET时需要考虑的因素功率MOSFET可以被看作接近理 想的器件，没有BJT的某些局限性，因此功率MOSFET比前者更受欢迎。但是，尽管功率MOSFET比BJT有所进步，但在应用时仍然需要特别注意其功 率耗散管理、开关损失最小化和MOSFET门驱动的优化。MOSFET实质上有两种工作模式，即开关模式或线性模式。

所谓开关模式，就 是器件充当一个简单的开关，在开与关两个状态之间切换。线性工作模式一般是指，器件工作在某个特性曲线中的线性部分，但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET保持连续性的工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是，在开关电路 中，MOSFET的漏电流是由外部元件确定的，而在线性电路设计中却并非如此。

功率MOSFET可以用于多种应用之中，包括马达控制、电源和镇流器等的开关电路，每种类型的电路都利用了MOSFET的某些独特的电气特性。当为某个具体应用选择功率MOSFET时，设计人员不仅要考虑最大 漏极到源极电压和器件的漏电流，而且需要考虑其它参数会对应用产生什么影响。目标是确保所选择的器件不仅是最佳的技术选择，而且也是性价比最高的选择。

由于在许多设计中电路板空间非常有限，所以通常需要首先确定可以选用哪些封装类型，这些封装能够在不超出确定的目标成本的情况下支持设计的 电气要求。功率MOSFET既有单器件也有双器件形式，采用多种表面贴装和通孔封装类型，支持各种应用。除了封装技术以外，初步考虑还必须包括器件最大工 作电压和电流，以及是否需要容忍某些应用中可能发生的雪崩情形，即开关电感性负载。

雪崩情形可能发生在关断过程中，此时在漏极和源极之 间可能因感生负载而出现高浪涌电压。这些能量水平随后可能超过MOSFET的最大额定值。为此，最高通道温度150°C时的雪崩能量通常被列在制造商的数 据表之中。当使用这些器件的时候，必须注意不要超过这个最大额定雪崩能量。特殊应用中的功率水平将促使设计人员检查器件的最大功率耗散，以及安装在电路上 会对器件产生什么影响。

至于元件的额定功率，必须记住，它的散热能力受到封装以外的诸多因素影响。其中包括器件放置在电路板上其它器件 中间会耗散大量功率，封装的周围温度水平，空气流动情况，以及散热器的容量(可以加到电路板上的额外的铜面积，用于冷却较小的SO8或TSSOP类型的元 件)等。

一项具体设计的工作效率将突显需要考虑的其它MOSFET参数，其中包括导通阻抗和栅-源电荷。设计人员经常仅把导通阻抗看作 是MOSFET的质量因数，其实如果利用导通阻抗和栅-源电荷的乘积作为选择器件的指南可能会更有用处。因为这就需要考虑源电荷对于开关控制的影响，它可 能影响MOSFET在具体设计中的总体效率。

源电荷数量实际上由两部分组成：栅-源电荷和栅-漏电荷，它们被列在数据表之中，用于确定 驱动MOSFET门电压所需的电荷数量。多数高功率MOSFET的栅-漏电荷多于栅-源电荷，在选择MOSFET的驱动方式时(即使用驱动IC的时候)必 须考虑这点。一旦选定了器件的驱动方法，就需要仔细研究设计的布局，它包括考虑驱动IC上单独的源和返回路径，用于功率和信号输入，将有助于提高电路的总 体抗干扰性。在需要高速开关的应用中，往往需要大驱动电流，由于电路设计及功率MOSFET本身中的电感效应，流入电路的电流水平可能 导致损耗增加。这些额外的寄生效应可能限制器件有效地开关的速度。通过重视电路布局使这些效应降至最低，以及利用经过优化以降低电感的MOSFET，能够 改善电路性能。

另外一个需要考虑的因素是，除了谨慎的电路布局以外，许多应用也能因MOSFET门驱动信号的优化而得益，因为它使信号 传输时间降至最短。这将使MOSFET在开通或者关闭时的功率损耗下降。根据不同的电路配置，经常需要能够以高转换速度提供峰值电流的驱动器，以确保获得 最佳可能电路效率。

双极性晶体管VS MOSFET

自 从IR(INTERNATIONAL RECTIFIED国际整流器公司)发明了第一个MOSFET（METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR金属氧化物半导体场效应管）以来，MOSFET的性能的不断提高，其在各种应用领域得以大量使用；鉴于MOSFET的各种优良特性和 良好的前景，各大电子元器件厂家纷纷投入大的人力研发自己的专利技术。IR的Direct FET™技术，Infineon Cool MOS的S-FET™技术,AATI的TrenchDMOS™„；伴随之而来的专利的封装技术。研发的重点依然在Rds(ON)的降低，栅极总电荷Qg的 减少等。

而双极性晶体管“似乎”被人们越来越“看不起”，被很多人看作是“旧技术”；甚至有人断言：不久的将来，MOSFET将完全取代BIPOLAR TRANSISTOR，尤其当需要高速度，高效率的时候。这种观点是站不住脚的；首先，我们可以理解新技术的产生对业界产生的推动以及带来新的设计线路和 设计方法；但是没有一种元器件、一种设计方法可以满足所有的应用。其次，需要看到双极性晶体管也在向更高性能不断发展，在某些领域同样有着不可替代的作 用。比如ZETEX，不断的推出新的高性能的BIPOLAR TRANSISTOR，每一种元器件和技术都有它的优点和缺点,都有它的应用领域，本文我们将从几个大家关心的方面进行讨论。

1．击穿电压：

1)对于MOSFET来说，BVDSS（漏源击穿电压）在400V~1000V而言，到80年代末，已经基本发展到极至，目前已经缺乏技术飞跃的可能性，Rds(ON)的改善，往往 仅靠早期的大封装（诸如TO-220,D-Pack等）增大硅晶片的面积来达到；我们知道PLANER技术的缺点就是Rds(ON)的迅速上 升，Rds(ON)∝BV2.6，功耗增大，这成为MOSFET向高压发展的瓶颈。

2)而对双极性晶体管来说，由于采用的是少子的PLANER导电，相对MOSFET来说，做到高压容易多了。尤其是作为饱和开关的时候，集电极区阻抗的电 导调制效应，极大的降低了Rce(sat),而MOSFET没有类似的电导调制效应。Rce(sat)∝BV2（图1）

此主题相关图片如下：

图1 ZETEX 3rd 晶体管的Rce(on)vs BV 例： ZETEX的FMMT459，Bvces=450V,Ic=150mA,Rce(sat)typ=1.4ohm,SOT-23封装；而同样的参数的 MOSFET，需要DPAK这样的大的封装。下图（图2）是20V击穿电压条件下，晶体管和MOSFET的导通电阻比较：

此主题相关图片如下：

图2 20V器件的导通电阻比较 3)另一个值得关注的问题是双极性晶体管击穿电压的双向性;而MOSFET的击穿电压是单向的，这主要是由于体二极管造成的；对MOSFET来说，如果存在反 压击穿问题，就需要并联反向二极管或者用两个MOSFET形成MOSFET对，而这当然会引起导通损耗增大。

2．大电流：

1）对MOSFET来说，高压MOS由于受到Rds(ON)的影响，目前作大电流受到一定的限制；而在低压MOSFET中，现在大多厂家均掌握 Trench MOSFET，纵向技术的发展，极低的Rds(ON)，使得Id很容易就达到几十A，甚至上百A，各种利于散热的专利封装空前涌现。低压大电流MOS已经 在通讯、消费、汽车、工控、便携等电子设备里广泛使用；同时涌现出一批专攻低压大电流MOS的公司，比如台系排行第三的ANPEC（茂达电子），低压(<100V)MOS竟然连续几年占其业绩的50％以上！

2）对于双极性晶体管来说，根据Ic=B*Ib来看，其增大电流Ic的方法就是增大发达倍数B。第一种方法就是用达林顿管，通过几个晶体管的放大倍数相 乘，达到小的基极电流控制大的集电极电流的目的。其次就是开发大的放大倍数（B）的晶体管，诸如ZETEX的Super-B Transistor,单个晶体管就可以达到Ic=10A.（continuous）

3．驱动电压：

1）对于电压型的MOSFET来说，近年来很多厂家推出了许多Vgs(th)低于1V的MOSFET；但是这仅仅是开门电压，并不意味着它们可以在 Vgs＝Vgs(th)下稳定良好的工作，因为要真正达到全增强（FULL ENHANCEMENT），达到象规格书上标注的Rds(ON),大多标准的MOSFET需要10V左右的Vgs，低Vgs(th)的器件也差不多要 3－5V左右。由此看，大多MOSFET不能用MCU或DSP直接输出控制。尤其是当耐压增大的时候，绝缘层变厚，需要的导通阀值电压迅速上升。此 外，Vth受温度影响较大，4－6mV/度。

第四篇：垃圾分类简介

简介

我们每个人每天都会扔出许多垃圾，您知道这些垃圾它们到哪里去了吗？它们通常是先被送到堆放场，然后再送去填埋。

垃圾填埋的费用是高昂的，处理一吨垃圾的费用约为200元至300元人民币。人们大量地消耗资源，大规模生产，大量地消费，又大量地产生着废弃物。

难道我们对待垃圾就束手无策了吗？其实，办法是有的，这就是垃圾分类。垃圾分类就是在源头将垃圾分类投放，并通过分类的清运和回收使之重新变成资源。

从国内外各城市对生活垃圾分类的方法来看，大致都是根据垃圾的成分构成、产生量，结合本地垃圾的资源利用和处理方式来进行分类。如德国，一般分为纸、玻璃、金属、塑料等；澳大利亚，一般分为可堆肥垃圾，可回收垃圾，不可回收垃圾；日本，一般分为可燃垃圾，不可燃垃圾，等等。

如今中国生活垃圾一般可分为四大类：可回收垃圾、厨余垃圾、有害垃圾和其他垃圾。目前常用的垃圾处理方法主要有综合利用、卫生填埋、焚烧和堆肥。

1、可回收垃圾主要包括废纸、塑料、玻璃、金属和布料五大类。废纸：主要包括报纸、期刊、图书、各种包装纸、办公用纸、广告纸、纸盒等等，但是要注意纸巾和厕所纸由于水溶性太强不可回收。塑料：主要包括各种塑料袋、塑料包装物、一次性塑料餐盒和餐具、牙刷、杯子、矿泉水瓶等。玻璃：主要包括各种玻璃瓶、碎玻璃片、镜子、灯泡、暖瓶等。金属物：主要包括易拉罐、罐头盒、牙膏皮等。布料：主要包括废弃衣服、桌布、洗脸巾、书包、鞋等。通过综合处理回收利用，可以减少污染，节省资源。如每回收1吨废纸可造好纸850公斤，节省木材300公斤，比等量生产减少污染74％；每回收1吨塑料饮料瓶可获得0．7吨二级原料；每回收1吨废钢铁可炼好钢0．9吨，比用矿石冶炼节约成本47％，减少空气污染75％，减少97％的水污染和固体废物。

2、厨余垃圾包括剩菜剩饭、骨头、菜根菜叶、果皮等食品类废物，经生物技术就地处理堆肥，每吨可生产0．3吨有机肥料。

3、有害垃圾包括废电池、废日光灯管、废水银温度计、过期药品等，这些垃圾需要特殊安全处理。

4、其他垃圾包括除上述几类垃圾之外的砖瓦陶瓷、渣土、卫生间废纸、纸巾等难以回收的废弃物，采取卫生填埋可有效减少对地下水、地表水、土壤及空气的污染。

[编辑本段] 实行垃圾分类的原因

垃圾处理的方法还大多处于传统的堆放填埋方式，占用上万亩土地；并且虫蝇乱飞，污水四溢，臭气熏天，严重地污染环境。因此进行垃圾分类收集可以减少垃圾处理量和处理设备，降低处理成本，减少土地资源的消耗，具有社会、经济、生态三方面的效益。垃圾分类处理的优点如下：

1、减少占地：生活垃圾中有些物质不易降解，使土地受到严重侵蚀。垃圾分类，去掉能回收的、不易降解的物质，减少垃圾数量达50%以上。

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2、减少环境污染：废弃的电池含有金属汞、镉等有毒的物质，会对人类产生严重的危害；土壤中的废塑料会导致农作物减产；抛弃的废塑料被动物误食，导致动物死亡的事故时有发生。因此回收利用可以减少危害。

3、变废为宝：中国每年使用塑料快餐盒达40亿个，方便面碗5—7亿个，废塑料占生活垃圾的4—7%。1吨废塑料可回炼600公斤的柴油。回收1500吨废纸，可免于砍伐用于生产1200吨纸的林木。一吨易拉罐熔化后能结成一吨很好的铝块，可少采20吨铝矿。生产垃圾中有30%—40%可以回收利用，应珍惜这个小本大利的资源。大家也可以利用易拉罐制作笔盒，既环保，又节约资源。

[编辑本段] 世界各国的垃圾分类

垃圾回收作为一种产业得到了迅速发展，在许多发达国家，回收产业正在全国产业结构中占有越来越重要的位置。以美国3个城市巴尔的摩、华盛顿和里奇蒙为例，过去回收垃圾每处理1吨需要花40美圆，分类处理以后，这些回收的垃圾在1995年就创造了5100个就业机会。在美国这3个城市只是很小的一个地区，其垃圾回收不仅节约了处理垃圾的费用，而且创造了5亿美圆的财富。

被称为垃圾生产大国的美国，垃圾分类逐渐深入公民的生活，走在大街上，各式各样色彩缤纷的分类垃圾桶随处可见。

政府为垃圾分类提供了各种便利的条件，除了在街道两旁设立分类垃圾桶以外，每个社区都定期派专人负责清运各户分类出的垃圾。

居民对政府的垃圾分类工作也表示了极大的支持。这不仅表现在他们每个人对垃圾分类的知识耳熟能详；而且，在这里为垃圾分类处理出钱，就像为能饮用到洁净的自来水付费一样天经地义。

垃圾分类不仅是美国那样的发达国家的时尚，也是不少发展中国家的趋势。在巴西，许多社区都实行的垃圾分类，这位市长把市政大厅正门口的分类垃圾箱作为该市的荣耀。而附近的二十多个海滩，分类垃圾箱更像是一道美丽的风景线。

在菲律宾的一些地方，村民自发组织起来为清洁自己的生活环境而努力，垃圾分类是这个运动中的主要内容。

不管穷国还是富国，垃圾分类都在成为世界性的潮流，而在这方面曾经世界领先的中国，这好的传统却几乎丢失了。垃圾分类对于一向勤俭持家的中国人并不陌生。也许你还记得五六十年代回收废品的情景：牙膏皮攒起来回收，橘子皮用来制药，生物垃圾用来做堆肥，废布头，墨水瓶等等都能得到再利用。分类后的垃圾，既避免了垃圾公害，又为工农业提供了原料。

如今我们的生活好了起来，于是我们便不再吝啬卖破烂换回的那几毛钱。勤俭节约，废物利用，这中华民族的传统美德，现在却在丢失。我们每个人都是垃圾的制造者，又是垃圾的受害者，但我们更应是垃圾公害的治理者，我们每个人都可以通过垃圾分类来战胜垃圾公害。

[编辑本段] 中国的垃圾分类

1996年12月15日，北京西城区大乘巷的居民在民间组织地球村的帮助下，从这天起开始垃圾分类。最初的分类桶是居委会成员用省下的年终奖购置的。分类后的垃圾由家委会联系的小贩和企业来清运。日复一日，年复一年，居民们从未中断。

作为民间垃圾分类的小小的火种，大乘巷居民的行动燃发了许多公民的热情，97年以来，北京的一些大学、中小学以及一些退休老人相继进行垃圾分类尝试。在中国少年报知心姐姐和一位从德国留学归来的女博士的帮助下，这些“手拉手地球村”的孩子们还用回收换来的钱建立了一所学校。

市民和孩子们的行为引起了政府有关部门的关注。宣武区环卫局率先行动，于97年秋开始宣武区垃圾分类回收系统的试点工作。宣武区文明办和街道以及民间组织地球村给予积极配合。

99年4月23日，宣武区白纸坊的建功南里小区社区像过节一样热闹，中国首家垃圾分类回收系统正式启动。从这天起，居民将改变垃圾混扔的方式而按照有机类，无机类和弃土类分类投放，政府环卫部门改变混运的方式而分类清运，分拣和回收。它意味着在这里丢失多年的老传统，终于被拣了回来。

在这场人与垃圾的战役中，人们把垃圾从敌人变成了朋友。有人曾经把垃圾比喻成放错地方的资源。让我们到宣武区再生资源分拣站看一看，垃圾一旦回到应有的位置，会有什么样的用处？

每天被我们丢弃的可乐瓶和被称为白色垃圾的塑料袋、一次性塑料餐盒，属于高分子聚合有机物，如果埋在地下的话，就是200年也烂不掉，它还会使土壤板结，降低土壤的肥力，甚至使土壤失去耕种的能力。在我们的生活中，经常会扔掉各种各样的废塑料。废塑料处理后还可制成纽扣、笔筒等用品。废塑料也是炼油的好原料。有人曾经形象地将它们比作“二次油田”。1吨废塑料至少能回炼600公斤的汽油和柴油。

在回收站，我们看到各种各样的废纸被送到这里，包括这些不起眼的小纸片……我们知道，好的纸张是用木材造成的，一吨废纸可再造700公斤好纸，可少砍17棵大树，还能减少生产纸浆过程中的。

可是由于我国废纸的回收率还很低，只有20%左右，每年不得不大量进口废纸 仅96年就进口废纸137万吨。大家也许还记得20世纪80年代，轰动一时的“洋垃圾”事件，那一船就是打着进口废纸的旗号混进来的。

洋垃圾被赶走了，却留下了反思，我们为什么要从别的国家进口废纸来做造纸的原料？为什么我们不能最大限度的回收废纸，而是听任他们混在垃圾里埋掉或者是烧掉？中国的林木资源只有世界平均值的1/4，中国的江河湖泊已由于早制的污水排放而严重污染。如果按照每人每周扔掉各种废纸平均半公斤的话，那么仅北京一个城市一周就要扔掉废纸6000多吨。

中国有着回收废品的历史传统，我们过去回收废物，或许只是受贫困经济制约的不得已的手段；在逐渐富裕的今天，我们回收废纸，则是保护环境的自觉意识和行动。因为我们清楚的知道，我们所捡回来的不止是一张张的废纸，那是我们的子孙安身立命的森林和河流。

垃圾，只有在混在一起的时候才是垃圾，一旦分类回收就都是宝贝，就连那种被成为微型杀手的废电池也是可以被化害为利的。在这个不起眼的照相馆，我们看到这样的废电池回收箱。而我们生活中用的电池，一般都含有汞或镉等有毒的重金属，这些重金属如果留在地下就很容易通过雨水的淋溶，进入到地下水当中。

这种污染是很难排除，生物学半衰期大概是30年，也就是你30年才能排出一半。因此这个对人的危害特别大。废电池里含有多种有用的金属矿才，回收利用的价值很高。

正因为废电池有严重的危害和特别的回收价值，许多国家严禁它们在与垃圾混置，日本的社区专门有这种黄色的桶，将纽扣电池等分别投放。

从97年以来，北京的一些市民和学生也行动起来，自发自觉地分类投放和搜集废电池，人民大学的青年志愿者还帮助京城一家连锁店设置了废电池回收箱。

作为对公民运动的积极回应，北京市环卫局成立了专门的废电池回收点，对废电池进行回收并集中进行无害化处理。

你知道什么是生物类垃圾吗？生物垃圾就是剩饭生菜，蛋壳果皮，菜帮菜叶一类的厨房垃圾。这些看似无奇的废物可以作什么呢，原来它们却可以用来制造很好的有机肥料。像槐柏树小区里这台大纳梦生物垃圾处理机，就可以将生物垃圾烘干，粉碎，制成高效的有机肥料。居民可以用它种花养草。

用他们施种出的蔬菜，比起化肥食品来，既安全又健康，在超市还挺受欢迎。生物垃圾通常占了垃圾总量的40%，如果他们都能变成有机肥，既省下用做填埋场的土地，又节约运送他们的车辆和能源，还防止他们滋生蚊蝇和细菌。有关专家商量建议政府在所有的小区安装上生物垃圾处理机并在新建小区建立处理生物垃圾的工作房。

那个时候，我们便可以看到，垃圾分类创造的是一个无垃圾的社会，一个使资源循环再生的社会，而这一切只需要我们的举手之劳。

只有这样才可以让我们的社会更加美丽。

垃圾分类Refuse sorting

第五篇：搬家物品分类简介

搬家之前，往往需要对自己的搬迁装箱用品进行详细的划分，这样做的目的就是防止在运输的过程之中由于车辆工具的晃动、刹车导致的惯性只是搬运的用品出现损坏、磨损、磕碰等现象，也是对消费者私人用品的一种保护措施，同时也反应了一家正规搬运公司服务态度、做事细节是否合理、是否认证。对此，本文在这里与各位搬家行业的消费者与运输者共同分享搬家前用品归类的14个要点。

1、水花盆、盆栽前一天先浇上充足的水，为了不致于流失泥土先用报纸将花盆包好再放入厚纸•箱里面，轻轻盖上纸盖即可，若是盆栽，先要用木棒将枝杆绑好固定，然后才放入纸箱内比较好。

2、书本、杂志•将书本十字型地捆好，转折的地方用厚纸皮保护。

3、锅类先用报纸包裹从大到小重叠。用绳穿过锅把打成十字交叉。•

4、照明器具先将灯具装箱，并且在灯具周围放些报纸让其固定;不用封盒，使搬运者能看见微波炉、烤箱装臬后，割开一孔让人能看见馐内的物品。音响用毛巾等物品包好装箱来保护，用胶带固定放片匣等主机。•

5、床头柜拆取下业的螺丝零件装塑胶袋里封口，用双面胶在床头板粘住，以免遗落。•桌子先用厚纸皮将四个桌角用胶带固定保护，再用绳包裹桌角以防止损坏。

6、橱柜先将抽屉里的物品取出，再用胶带将各抽屉贴好固定;取出的物品再装入纸箱、搬运起来非常方便。

7、梳妆台为了让搬运者知道有面镜子，所以要用透明发泡布将镜面包好，化妆品用纸包好分别装入塑胶袋内。•

8、画类用美工刀在纸袋的两边各割上三条痕，就可将所有的广告用纸或画卷好置于纸袋的两侧搬运。袋子里还可放其他的东西。•

9、冰箱搬家前一天将插头拔去，除霜以去水份，搬移新居定位后，请放置30分钟后再行通电。

10、电视机先用棉被捆邦于萤幕上保护;再用胶带将电视插头绑好固定。•

11、电脑把你的所有文档都存入软盘或压缩文件，用电脑专用的箱子和保护材料装好，要注意远离电视、音响和其他一些可能产生磁场的电器;若没有，要用泡沫块装好并放入纸箱里(比如聚笨乙•烯沫塑料、毯子、折皱的纸等)，在外面注明电脑。•打印机•用原来的箱子装好，把调色板和托盘从激光器或喷墨打印机上取下业，再用一张纸插•入针打印机的压纸卷筒内。

12、狗与猫车长途运送的时候，动物可能会因晕车而发生呕吐的现象，所以搬家的前一天晚上以及搬家当天早晨尽量不喂东西。

13、鸟在鸟笼里放入含水的脱水棉，为了不会惊动鸟，盖上布后再轻轻地搬移。•

14、玻璃用品的归类，观赏鱼把鱼装入一些大的塑料袋内，袋内水和空气各半。把袋子放入二个绝缘容器内。较大•的鱼可放入封闭的水桶内，并要尽量保持恒温。

搬家前用品归类的14个要点就介绍到这里，希望对需要搬迁的用户有所帮助，事前做好这些用品的分类明细工作，搬运到新的目的地之后，在摆放、重新安置的过程中就不会出现混乱不堪、没有头绪等盲目性，同时也能更快的让新的居室环境重新被布置出来。

参考资料：http://www.xiexiebang.com/newsinfo.asp?id=335