MOS管与bipolar优缺点比较（范文）

第一篇：MOS管与bipolar优缺点比较（范文）

]功率MOSFET与双极性晶体管的性能比较及优势

当前，功率MOSFET较双极性晶体管(BJT)器件更受欢迎。如果把功率MOSFET和BJT作一番比较，可以发现功率MOSFET是一种高输入阻抗、电压控制的器件。而BJT则是一种低阻抗、电流控制的器件。在功率应用中采用MOSFET具有众多好处。

我 们可以通过下列几个方面来比较一下这两种器件的优劣，首先是驱动电路，功率MOSFET的驱动电路比较简单。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以 保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动。其次，MOSFET的开关速度比较迅 速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。

其三，MOSFET没有二次击穿失效机理，它在 温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的电阻 温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且还有一个好处是，MOSFET的漏电极和源极之间形成的寄生二极管可以 充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。

使用功率MOSFET时需要考虑的因素功率MOSFET可以被看作接近理 想的器件，没有BJT的某些局限性，因此功率MOSFET比前者更受欢迎。但是，尽管功率MOSFET比BJT有所进步，但在应用时仍然需要特别注意其功 率耗散管理、开关损失最小化和MOSFET门驱动的优化。MOSFET实质上有两种工作模式，即开关模式或线性模式。

所谓开关模式，就 是器件充当一个简单的开关，在开与关两个状态之间切换。线性工作模式一般是指，器件工作在某个特性曲线中的线性部分，但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET保持连续性的工作状态，此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是，在开关电路 中，MOSFET的漏电流是由外部元件确定的，而在线性电路设计中却并非如此。

功率MOSFET可以用于多种应用之中，包括马达控制、电源和镇流器等的开关电路，每种类型的电路都利用了MOSFET的某些独特的电气特性。当为某个具体应用选择功率MOSFET时，设计人员不仅要考虑最大 漏极到源极电压和器件的漏电流，而且需要考虑其它参数会对应用产生什么影响。目标是确保所选择的器件不仅是最佳的技术选择，而且也是性价比最高的选择。

由于在许多设计中电路板空间非常有限，所以通常需要首先确定可以选用哪些封装类型，这些封装能够在不超出确定的目标成本的情况下支持设计的 电气要求。功率MOSFET既有单器件也有双器件形式，采用多种表面贴装和通孔封装类型，支持各种应用。除了封装技术以外，初步考虑还必须包括器件最大工 作电压和电流，以及是否需要容忍某些应用中可能发生的雪崩情形，即开关电感性负载。

雪崩情形可能发生在关断过程中，此时在漏极和源极之 间可能因感生负载而出现高浪涌电压。这些能量水平随后可能超过MOSFET的最大额定值。为此，最高通道温度150°C时的雪崩能量通常被列在制造商的数 据表之中。当使用这些器件的时候，必须注意不要超过这个最大额定雪崩能量。特殊应用中的功率水平将促使设计人员检查器件的最大功率耗散，以及安装在电路上 会对器件产生什么影响。

至于元件的额定功率，必须记住，它的散热能力受到封装以外的诸多因素影响。其中包括器件放置在电路板上其它器件 中间会耗散大量功率，封装的周围温度水平，空气流动情况，以及散热器的容量(可以加到电路板上的额外的铜面积，用于冷却较小的SO8或TSSOP类型的元 件)等。

一项具体设计的工作效率将突显需要考虑的其它MOSFET参数，其中包括导通阻抗和栅-源电荷。设计人员经常仅把导通阻抗看作 是MOSFET的质量因数，其实如果利用导通阻抗和栅-源电荷的乘积作为选择器件的指南可能会更有用处。因为这就需要考虑源电荷对于开关控制的影响，它可 能影响MOSFET在具体设计中的总体效率。

源电荷数量实际上由两部分组成：栅-源电荷和栅-漏电荷，它们被列在数据表之中，用于确定 驱动MOSFET门电压所需的电荷数量。多数高功率MOSFET的栅-漏电荷多于栅-源电荷，在选择MOSFET的驱动方式时(即使用驱动IC的时候)必 须考虑这点。一旦选定了器件的驱动方法，就需要仔细研究设计的布局，它包括考虑驱动IC上单独的源和返回路径，用于功率和信号输入，将有助于提高电路的总 体抗干扰性。在需要高速开关的应用中，往往需要大驱动电流，由于电路设计及功率MOSFET本身中的电感效应，流入电路的电流水平可能 导致损耗增加。这些额外的寄生效应可能限制器件有效地开关的速度。通过重视电路布局使这些效应降至最低，以及利用经过优化以降低电感的MOSFET，能够 改善电路性能。

另外一个需要考虑的因素是，除了谨慎的电路布局以外，许多应用也能因MOSFET门驱动信号的优化而得益，因为它使信号 传输时间降至最短。这将使MOSFET在开通或者关闭时的功率损耗下降。根据不同的电路配置，经常需要能够以高转换速度提供峰值电流的驱动器，以确保获得 最佳可能电路效率。

双极性晶体管VS MOSFET

自 从IR(INTERNATIONAL RECTIFIED国际整流器公司)发明了第一个MOSFET（METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR金属氧化物半导体场效应管）以来，MOSFET的性能的不断提高，其在各种应用领域得以大量使用；鉴于MOSFET的各种优良特性和 良好的前景，各大电子元器件厂家纷纷投入大的人力研发自己的专利技术。IR的Direct FET™技术，Infineon Cool MOS的S-FET™技术,AATI的TrenchDMOS™„；伴随之而来的专利的封装技术。研发的重点依然在Rds(ON)的降低，栅极总电荷Qg的 减少等。

而双极性晶体管“似乎”被人们越来越“看不起”，被很多人看作是“旧技术”；甚至有人断言：不久的将来，MOSFET将完全取代BIPOLAR TRANSISTOR，尤其当需要高速度，高效率的时候。这种观点是站不住脚的；首先，我们可以理解新技术的产生对业界产生的推动以及带来新的设计线路和 设计方法；但是没有一种元器件、一种设计方法可以满足所有的应用。其次，需要看到双极性晶体管也在向更高性能不断发展，在某些领域同样有着不可替代的作 用。比如ZETEX，不断的推出新的高性能的BIPOLAR TRANSISTOR，每一种元器件和技术都有它的优点和缺点,都有它的应用领域，本文我们将从几个大家关心的方面进行讨论。

1．击穿电压：

1)对于MOSFET来说，BVDSS（漏源击穿电压）在400V~1000V而言，到80年代末，已经基本发展到极至，目前已经缺乏技术飞跃的可能性，Rds(ON)的改善，往往 仅靠早期的大封装（诸如TO-220,D-Pack等）增大硅晶片的面积来达到；我们知道PLANER技术的缺点就是Rds(ON)的迅速上 升，Rds(ON)∝BV2.6，功耗增大，这成为MOSFET向高压发展的瓶颈。

2)而对双极性晶体管来说，由于采用的是少子的PLANER导电，相对MOSFET来说，做到高压容易多了。尤其是作为饱和开关的时候，集电极区阻抗的电 导调制效应，极大的降低了Rce(sat),而MOSFET没有类似的电导调制效应。Rce(sat)∝BV2（图1）

此主题相关图片如下：

图1 ZETEX 3rd 晶体管的Rce(on)vs BV 例： ZETEX的FMMT459，Bvces=450V,Ic=150mA,Rce(sat)typ=1.4ohm,SOT-23封装；而同样的参数的 MOSFET，需要DPAK这样的大的封装。下图（图2）是20V击穿电压条件下，晶体管和MOSFET的导通电阻比较：

此主题相关图片如下：

图2 20V器件的导通电阻比较 3)另一个值得关注的问题是双极性晶体管击穿电压的双向性;而MOSFET的击穿电压是单向的，这主要是由于体二极管造成的；对MOSFET来说，如果存在反 压击穿问题，就需要并联反向二极管或者用两个MOSFET形成MOSFET对，而这当然会引起导通损耗增大。

2．大电流：

1）对MOSFET来说，高压MOS由于受到Rds(ON)的影响，目前作大电流受到一定的限制；而在低压MOSFET中，现在大多厂家均掌握 Trench MOSFET，纵向技术的发展，极低的Rds(ON)，使得Id很容易就达到几十A，甚至上百A，各种利于散热的专利封装空前涌现。低压大电流MOS已经 在通讯、消费、汽车、工控、便携等电子设备里广泛使用；同时涌现出一批专攻低压大电流MOS的公司，比如台系排行第三的ANPEC（茂达电子），低压(<100V)MOS竟然连续几年占其业绩的50％以上！

2）对于双极性晶体管来说，根据Ic=B*Ib来看，其增大电流Ic的方法就是增大发达倍数B。第一种方法就是用达林顿管，通过几个晶体管的放大倍数相 乘，达到小的基极电流控制大的集电极电流的目的。其次就是开发大的放大倍数（B）的晶体管，诸如ZETEX的Super-B Transistor,单个晶体管就可以达到Ic=10A.（continuous）

3．驱动电压：

1）对于电压型的MOSFET来说，近年来很多厂家推出了许多Vgs(th)低于1V的MOSFET；但是这仅仅是开门电压，并不意味着它们可以在 Vgs＝Vgs(th)下稳定良好的工作，因为要真正达到全增强（FULL ENHANCEMENT），达到象规格书上标注的Rds(ON),大多标准的MOSFET需要10V左右的Vgs，低Vgs(th)的器件也差不多要 3－5V左右。由此看，大多MOSFET不能用MCU或DSP直接输出控制。尤其是当耐压增大的时候，绝缘层变厚，需要的导通阀值电压迅速上升。此 外，Vth受温度影响较大，4－6mV/度。

第二篇：MOS管的分类简介

MOS管的分类简介

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。5.1 结型场效应管（JFET）

1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。

结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。5.2 绝缘栅场效应管

1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。

2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。

3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

第三篇：MOS管驱动电路总结doc要点

MOS管驱动电路总结

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。

1，MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制100//造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2，MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3，MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4，MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5，MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。

这三种应用在各个领域都有详细的介绍，这里暂时不多写了。以后有时间再总结 问题提出：

现在的MOS驱动，有几个特别的需求，1，低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2，宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3，双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。

于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。

电路图如下：

图1 用于NMOS的驱动电路

图2 用于PMOS的驱动电路

这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：

Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。

Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

这个电路提供了如下的特性：

1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3，gate电压的峰值限制

4，输入和输出的电流限制

5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

一种低电压高频率采用自举电路的BiCMOS驱动电路 西安电子科技大学 CAD所 潘华兵 来新泉 贾立刚 引言 在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。（2）低输出电压技术：随着半导体制造技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。

这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不断提高，对于开关元件的性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压2.5～3.6V），因此，电源芯片的工作电压较低。

MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC－DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。

在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的，适合于低电压、高开关频率升压型DC－DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压1.5V，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。

自举升压电路

自举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。具体工作原理如下。

当VIN为高电平时，NMOS管N1导通，PMOS管P1截止，C点电位为低电平。同时N2导通，P2的栅极电位为低电平，则P2导通。这就使得此时A点电位约为VDD，电容Cboot两端电压UC≈VDD。由于N3导通，P4截止，所以B点的电位为低电平。这段时间称为预充电周期。

当VIN变为低电平时，NMOS管N1截止，PMOS管P1导通，C点电位为高电平，约为VDD。同时N2、N3截止，P3导通。这使得P2的栅极电位升高，P2截止。此时A点电位等于C点电位加上电容Cboot两端电压，约为2VDD。而且P4导通，因此B点输出高电平，且高于VDD。这段时间称为自举升压周期。

实际上，B点电位与负载电容和电容Cboot的大小有关，可以根据设计需要调整。具体关系将在介绍电路具体设计时详细讨论。在图2中给出了输入端IN电位与A、B两点电位关系的示意图。

驱动电路结构

图3中给出了驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计，上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容，Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。

本驱动电路的设计思想是，利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB>VDD+VTH，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而在输出低电平时，下拉驱动管本身就工作在线性区，可以保证输出低电平位GND。因此无需增加自举电路也能达到设计要求。

考虑到此驱动电路应用于升压型DC－DC转换器的开关管驱动，负载电容CL很大，一般能达到几十皮法，还需要进一步增加输出电流能力，因此增加了晶体管Q1作为上拉驱动管。这样在输入端由高电平变为低电平时，Q1导通，由N4、Q1同时提供电流，OUT端电位迅速上升，当OUT端电位上升到VDD－VBE时，Q1截止，N4继续提供电流对负载电容充电，直到OUT端电压达到VDD。

在OUT端为高电平期间，A点电位会由于电容Cboot 上的电荷泄漏等原因而下降。这会使得B点电位下降，N4的导通性下降。同时由于同样的原因，OUT端电位也会有所下降，使输出高电平不能保持在VDD。为了防止这种现象的出现，又增加了PMOS管P5作为上拉驱动管，用来补充OUT端CL的泄漏电荷，维持OUT端在整个导通周期内为高电平。

驱动电路的传输特性瞬态响应在图4中给出。其中（a）为上升沿瞬态响应，（b）为下降沿瞬态响应。从图4中可以看出，驱动电路上升沿明显分为了三个部分，分别对应三个上拉驱动管起主导作用的时期。1阶段为Q1、N4共同作用，输出电压迅速抬升，2阶段为N4起主导作，使输出电平达到VDD，3阶段为P5起主导作用，维持输出高电平为VDD。而且还可以缩短上升时间，下降时间满足工作频率在兆赫兹级以上的要求。

需要注意的问题及仿真结果

电容Cboot的大小的确定

Cboot的最小值可以按照以下方法确定。在预充电周期内，电容Cboot 上的电荷为VDDCboot。在A点的寄生电容（计为CA）上的电荷为VDDCA。因此在预充电周期内，A点的总电荷为

Q_{A1}=V_{DD}C_{boot}+V_{DD}C_{A}（1）B点电位为GND，因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为0。

在自举升压周期，为了使OUT端电压达到VDD，B点电位最低为VB＝VDD+Vthn。因此在B点的寄生电容Cpar上的电荷为

Q_{B}=(V_{DD}+V_{thn})Cpar（2）

忽略MOS管P4源漏两端压降，此时Cboot上的电荷为VthnCboot，A点寄生电容CA的电荷为（VDD+Vthn）CA。A点的总电荷为

QA2=V_{thn}C_{BOOT}+(V_{DD}+V_{thn})C_{A}（3）

同时根据电荷守恒又有

Q_{B}=Q_{A}-Q_{A2}（4）

综合式（1）～（4）可得

C_{boot}=frac{V_{DD}+V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{v_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}=frac{V_{B}}{v_{DD}-v_{thn}}Cpar+frac{V_{thn}}{v_{DD}-v_{thn}}C_{A}（5）从式（5）中可以看出，Cboot随输入电压变小而变大，并且随B点电压VB变大而变大。而B点电压直接影响N4的导通电阻，也就影响驱动电路的上升时间。因此在实际设计时，Cboot的取值要大于式（5）的计算结果，这样可以提高B点电压，降低N4导通电阻，减小驱动电路的上升时间。

P2、P4的尺寸问题

将公式（5）重新整理后得：

V_{B}=({V_{DD}-V_{thn})frac{C_{boot}}{Cpar}-V_{thn}frac{C_{A}}{Cpar}（6）

从式（6）中可以看出在自举升压周期内，A、B两点的寄生电容使得B点电位降低。在实际设计时为了得到合适的B点电位，除了增加Cboot大小外，要尽量减小A、B两点的寄生电容。在设计时，预充电PMOS管P2的尺寸尽可能的取小，以减小寄生电容CA。而对于B点的寄生电容Cpar来说，主要是上拉驱动管N4的栅极寄生电容，MOS管P4、N3的源漏极寄生电容只占一小部分。我们在前面的分析中忽略了P4的源漏电压，因此设计时就要尽量的加大P4的宽长比，使其在自举升压周期内的源漏电压很小可以忽略。但是P4的尺寸以不能太大，要保证P4的源极寄生电容远远小于上拉驱动管N4的栅极寄生电容。

阱电位问题

如图3所示，PMOS器件P2、P3、P4的N-well连接到了自举升压节点A上。这样做的目的是，在自举升压周期内，防止他们的源/漏--阱结导通。而且这还可以防止在源/漏--阱正偏时产生由寄生SRC引起的闩锁现象。

上拉驱动管N4的阱偏置电位要接到它的源极，最好不要直接接地。这样做的目的是消除衬底偏置效应对N4的影响。

Hspice仿真验证结果

驱动电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证。在表1中给出了电路在不同工作电压、不同负载条件下的上升时间tr和下降时间tf 的仿真结果。在图5中给了电路工作在输入电压1.5V、工作频率为5MHz、负载电容60pF条件下的输出波形。

结合表1和图5可以看出，此驱动电路能够在工作电压为1.5V，工作频率为5MHz，并且负载电容高达60pF的条件下正常工作。它可以应用于低电压、高工作频率的DC－DC转换器中作为开关管的驱动电路。

结论

本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。该电路已应用于某种高性能压型DC－DC芯片，并已投片。

第四篇：财管优缺点总结

1.公司制企业的优缺点：

优点：（1）无限存续；（2）容易转让所有权；（3）有限债务责任。缺点：（1）双重课税；（2）组建公司的成本高；（3）存在代理问题。

2.营运资本管理的目标有以下三个：

（1）有效地运用流动资产，力求其边际收益大于边际成本；（2）选择最合理的筹资方式，最大限度的流动资金的资本成本；（3）加速流动资金周转，以尽可能少的流动资金支持同样的营业收入并保持公司支付债务的能力。

3.股东财富最大化的优点：

（1）股东财富最大化目标考虑了现金流量的时间价值和风险因素。（2）股东财富最大化在一定程度上能够克服企业在追求利润上的短期行为。

（3）股东财富最大化反映了资本与收益的关系。

4.增强短期偿债能力的表外因素：

（1）可运用的银行贷款指标；（2）准备很快变现的非流动资产；（3）偿债能力的声誉。

5.降低短期偿债能力的表外因素：

（1）与担保有关的或有负债；（2）经营租赁合同中的承诺付款；（3）建造合同、长期资产购置合同中的分期付款。

6.影响长期偿债能力的其他因素：

（1）长期租赁；（2）债务担保；（3）未决诉讼。

7.相对价值法市盈率模型的优缺点：

优点：（1）计算市盈率数据容易取得，并且计算简单；

（2）市盈率把价格和收益联系起来，直观地反映投入和产出的关系；（3）市盈率涵盖了风险补偿率、增长率、股利支付率的影响，具有很高的综合性。

局限性：（1）如果收益是负值，市盈率就失去了意义；

（2）市盈率除了受企业本身基本面的影响以外，还受到整个经济景气程度的影响。β值显著大于1的企业，经济繁荣时评估价值被夸大，经济衰退时评估价值被缩小；β值显著小于1的企业，经济繁荣时评估价值偏低，经济衰退时评估价值偏高；周期性的企业，企业价值可能被歪曲。

适用范围：市盈率模型最适合连续盈利，并且β值接近于1的企业。

8.市价/净资产比率模型(市净率模型)的适用性 优点：（1）市净率极少为负值，可用于大多数企业；（2）净资产账面价值的数据容易取得，并且容易理解；

（3）净资产账面价值比净利稳定，也不像利润那样经常被人为操纵；（4）如果会计标准合理并且各企业会计政策一致，市净率的变化可以反映企业价值的变化。

局限性：（1）账面价值受会计政策选择的影响，如果各企业执行不同的会计标准或会计政策，市净率会失去可比性；

（2）固定资产很少的服务性企业和高科技企业，净资产与企业价值的关系不大，其市净率比较没有实际意义；

（3）少数企业的净资产是负值，市净率没有意义，无法用于比较。适用范围：这种方法主要适用于需要拥有大量资产、净资产为正值的企业。

9.市价/收入比率模型(收入乘数模型)的适用性

优点：（1）它不会出现负值，对于亏损企业和资不抵债的企业，也可以计算出一个有意义的价值乘数；

（2）它比较稳定、可靠，不容易被操纵；

（3）收入乘数对价格政策和企业战略变化敏感，可以反映这种变化的后果。

局限性：不能反映成本的变化，而成本是影响企业现金流量和价值的重要因素之一。

适用范围：主要适用于销售成本率较低的服务类企业，或者销售成本率趋同的传统行业的企 业。

10.项目评价的净现值法优缺点：

优点：具有广泛的适用性，在理论上也比其他方法更完善。

缺点：净现值是个金额的绝对值，在比较投资额不同的项目时有一定的局限性。

11.现值指数与净现值的比较：

现值指数是一个相对数指标，反映投资的效率；而净现值指标是绝对数指标，反映投资的效益。

12.回收期法的优缺点：

优点：回收期法计算简便，并且容易为决策人所理解,可以大体上衡量项目的流动性和风险。

缺点：不仅忽视了时间价值，而且没有考虑回收期以后的收益。

13.会计报酬率法的优缺点：

优点：它是一种衡量盈利性的简单方法，使用的概念易于理解；使用财务报告的数据，容易取得；考虑了整个项目寿命期的全部利润。缺点：使用账面收益而非现金流量，忽视了折旧对现金流量的影响；忽视了净收益的时间分布对于项目经济价值的影响。

14.共同年限法和等额年金法的比较：

共同年限法比较直观，易于理解，但是预计现金流量的工作很难。等额年金法应用简单，但不便于理解。

两种方法存在共同的缺点：（1）有的领域技术进步快，目前就可以预期升级换代不可避免，不可能原样复制；（2）如果通货膨胀比较严重，必须要考虑重置成本的上升，这是一个非常具有挑战的任务，对此两种方法都没有考虑；（3）从长期来看，竞争会使项目净利润下降，甚至被淘汰，对此分析时没有考虑。

15.固定或持续增长的股利政策

优点：① 稳定的股利向市场传递公司正常发展的信息，有利于树立公司良好的形象，增强投资者对公司的信心，稳定股票的价格。② 有利于投资者安排股利收入和支出。

缺点：①股利支付与盈余脱节。②不能像剩余股利政策那样保持较低的资本成本。

16.固定股利支付率政策 优点：能使股利与公司盈余紧密地配合，以体现多盈多分，少盈少分，无盈不分的原则。

缺点：各年的股利变动较大，极易造成公司不稳定的感觉，对稳定股票价格不利。

17.低正常股利加额外股利政策

优点：（1）这种股利政策使公司具有圈套的灵活性。当公司盈余较少或投资需要较多资金时，可维持设定的较低但正常的股利，股东不会有股利跌落感；而当盈余有较大幅度的增加时，则可适度增发股利，把经济繁荣的部分利益分配给股东，使他们增强对公司的信心，这有利于稳定股票的价格。

（2）这种股利政策可使那些依靠股利度日的股东每年至少可以得到较低、但比较稳定的股利收入，从而吸引住这部分股东。

18.股票的各种发行方式优缺点： 公开间接发行

优点：发行范围广，发行对象多，易于足额筹集资本；股票的变现性强，流通性好；还有助于提高发行公司的知名度和扩大影响力 缺点：手续繁杂，发行成本高。不公开直接发行

优点：弹性较大，发行成本低。缺点：发行范围小，股票变现性差

19.股票的不同销售方式优缺点 自行销售方式

优点：发行公司可直接控制发行过程，实现发行意图，并节省发行费用 缺点：筹资时间较长，发行公司要承担全部发行风险，并需要发行公司有较高的知名度、信誉和实力 委托销售方式――包销

优点：可及时筹足资本，免于承担发行风险 缺点：损失部分溢价，发行成本高 委托销售方式――代销

优点：可获部分溢价收入；降低发行费用。缺点：承担发行风险。

20.普通股融资的优缺点: 优点：（1）没有固定利息负担；（2）没有固定到期日；（3）筹资风险小；（4）能增加公司的信誉；（5）筹资限制较少；

（6）在通货膨胀时普通股筹资容易吸收资金。缺点：（1）普通股的资本成本较高；（2）可能会分散公司的控制权；

（3）信息披露成本大，也增加了公司保护商业秘密的难度；（4）股票上市会增加公司被收购的风险；

（5）会降低普通股的每股收益，从而可能引起股价的下跌。

21.长期贷款筹资的特点： 优点：筹资速度快，借款弹性好 缺点：财务风险较大，限制条款较多

22.债券的优缺点

优点：筹资规模较大，具有长期性和稳定性的特点，有利于资源优化配置；

缺点：发行成本高，信息披露成本高，限制条件多。

23.优先股筹资的优缺点

优点：①与债券相比，股利的支付不是一种硬约束，即使不支付股利也不会导致公司破产；

②与普通股相比，发行优先股一般不会稀释股东权益；

③优先股没有到期期限，不会减少公司的现金流，不需要偿还本金。缺点：①优先股股利不可以在税前扣除，其税后资本成本高于负债筹资成本。

②优先股股利支付虽然没有法律约束，但是经济上的约束使公司倾向于按时支付其股利。因此，优先股的股利通常被视为固定成本，从普通股的角度来看，与负债筹资没有什么差别，均会增加公司的财务风险并进而增加普通股的成本。

24.认股权证筹资的优缺点

优点：可以降低相应债券的利率；

缺点：（1）稀释每股收益和每股股价；（2）灵活性较差；（3）附带认股权证债券的承销费用高于普通的债务融资。

25.可转换债券筹资的优缺点

优点：①与普通债券相比，可转换债券使得公司能够以较低的利率取得资金；

②与普通股相比，可转换债券使得公司取得了以高于当前股价出售普通股的可能性；③有利于稳定股价。

缺点：①股价上涨风险；②股价低迷风险；③筹资成本高于纯债券。

26.平行结转分步法的优缺点：

优点：①各步骤可以同时计算产品成本，简化和加速了成本计算工作； ②能够直接提供按原始成本项目反映的产成品成本资料，无需进行成本还原。

缺点： ①不能提供各个步骤的半成品成本资料；②不能为各个生产步骤在产品的实物和资金管理提供资料；③各生产步骤的产品成本不包括所耗半成品费用，不能全面地反映该步骤产品的生产耗费水平。

27.逐步结转分步法的优缺点：

优点：（1）能够提供各生产步骤的半成品成本资料；（2）为各生产步骤的在产品实物管理和资金管理提供资料；（3）能够全面地反映各生产步骤的生产耗费水平。

缺点：（1）使用综合结转分步法时不能按原始成本项目反映产品成本；（2）各生产步骤不能同时计算产品成本；（3）成本结转工作量大，特别是采用综合结转时，对成本进行还原增加了成本核算工作。

第五篇：自我鉴定与优缺点

工作自我鉴定

进入公司参加工作已经有几个月的时间了，短短的几个月试用期经已接近尾声。工作以来，在单位领导的精心培育和教导下，通过自身的不断努力，无论是思想上、学习上还是工作上，都取得了长足的发展和巨大的收获，下面就是我试用期自我鉴定，也是对自己的工作的表现。

回复1：工作自我鉴定工作上，无论在总台、还是在客服部门，都是以客人为先，尽量满足客人的要求。那时候是学习GPS的操作技能，不管在哪个部门，都严格要求自己，刻苦钻研业务，就是凭着这样一种坚定的信念，争当行家里手。为我以后的工作顺利开展打下了良好的基础。

在学习上，严格要求自己，端正工作态度，作到了理论联理实际；从而提高了自身的一专多能的长处及思想文化素质，包括生活中也学到了养成良好的生活习惯，生活充实而有条理，有严谨的生活态度和良好的生活作风，为人热情大方，诚实守信，乐于助人，拥有自己的良好做事原则，能与同事们和睦相处。思想上，自觉遵守公司的的规章制度，坚持参加公司的每次的培训。要求积极上进，爱护公司的一砖一瓦，一直严谨的态度和积极的热情投身于学习和工作中，虽然有成功的泪水，也有失败的辛酸，然而日益激烈的社会竟争也使我充分地认识到成为一名德智体全面发展的优秀工作者的重要性。

在这段时间里我虽然是学校那学习了一些理论知识，但这一现状不能满足工作的需求。为了尽快掌握服务行业，每天坚持来到公司学习公司制度及理论知识等等，到了工作时间，就和那些前辈们学习实际操作及帮忙做点小事情，到了晚上思家的心情与日俱增，那时台长知道后常给我们开会，聊聊工作的不便及心中的不满加上自身不足，以给予工作上支持精神上的鼓励，经过较长时间的锻炼、克服和努力,使我慢慢成为一名合格的员工,就样度过这几个月的工作，让我收获最多的也就是在服务的时候，它让我了解到了人们最基本的交际礼仪，对待客人要热情、友好、耐心。

虽然只有短短的几个月，但中间的收获是不可磨灭的，这与单位的领导和同事们的帮助是分不开的。我始终坚信一句话“一根火柴再亮，也只有豆大的光。但倘若用一根火柴去点燃一堆火柴，则会熊熊燃烧”。我希望用我亮丽的青春，去点燃每一位客人，感召激励着同事们一起为我们的事业奉献、进取、创下美好明天。

以下是一份企业在职员工的工作自我鉴定范文，如果你需要实习自我鉴定范文，那么请点击这里。工作以来，在单位领导的精心培育和教导下，通过自身的不断努力，无论是思想上、学习上还是工作上，都取得了长足的发展和巨大的收获，现将工作总结如下：思想上，积极参加政治学习，坚持四项基本原则，拥护党的各项方针政策，自觉遵守各项法规。工作上，本人自xxxx年工作以来，先后在某某部门、某某科室、会计科等科室工作过，不管走到哪里，都严格要求自己，刻苦钻研业务，争当行家里手。就是凭着这样一种坚定的信念，我已熟练掌握储蓄、会计、计划、信用卡、个贷等业务，成为XX行业务的行家里手。记得，刚进XX行，为了尽快掌握XX行业务，我每天都提前一个多小时到岗，练习点钞、打算盘、储蓄业务，虽然那时住处离工作单位要坐车1个多小时，但我每天都风雨无阻，特别是冬天，冰天雪地，怕挤不上车，我常常要提前两、三个小时上班，就是那时起我养成了早到单位的习惯，现在每天都是第一个到行里，先打扫卫生，再看看业务书或准备准备一天的工作，也是这个习惯，给了我充足的时间学习到更多的业务知识，为我几年来工作的顺利开展打下了良好的基础。我工作过的岗位大部分在前台，为了能更好的服务客户，针对不同层次、不同需求的客户，我给予不同的帮助和服务，记得有一位第一次到我行客户，当我了解到他要贷款买二手房时，由于他不知该怎么办，只是有个想法，我便详细地向他介绍了个贷的所有手续。除了在服务客户上我尽心尽力，在行里组织的各项活动中我也积极响应，经常参加单位组织的各项竞赛，展示自我，并取得了优异的成绩，受到了单位的嘉奖。学习上，自从参加工作以来，我从没有放弃学习理论知识和业务知识。由于我毕业财校属于中专，刚工作我就利用业余时间自学大专，并于xx年毕业，但我没有满足于现状，又于xx年自修东北大学金融本科，由于学习勤奋刻苦，成绩优良，学习中受到老师

当你已满公司规定的一段时间的试用期后，当你已达到公司试用期的标准时，紧接着便是要转正的工作了。这时给自己最好的总结就是要进行这段时间的工作自我鉴定。如何写好工作转正自我鉴定呢？以下是试用期转正自我鉴定范文。

时间匆匆转走，现在的工作已经渐渐变得顺其自然了，这或许应该是一种庆幸，是让我值得留恋的一段经历。一个多月的试用期下来，自己努力了，也进步了不少，学到了很多以前没有的东西，我想这不仅是工作，更重要的是给了我一个学习和锻炼的机会。

在各部门的帮助和支持下，我做好统筹及上传下达工作，把工作想在前，做在前，无论是工作能力，还是思想素质都有了进一步的提高，较好地完成了公司宣传、人事管理、职工培训、档案管理、后勤服务及公司保卫等多方面的任务。为了加强对人、财、物的管理，我完善了过去的各种管理制度，突出制度管理，严格照章办事，进一步明确了工作职责，完善了公章使用、纸张使用、电脑使用、请假、值班等各种常规管理，充分体现了对事不对人的管理思想，各项工作井然有序。

做好办公室工作，有较高的理论素质和分析解决问题的能力。通过各种途径进行学习，为此各办公室都配备了电脑，利用网上资源学习与工作有关的知识，不断开阔视野，丰富头脑，增强能力，以便跟上形势的发展，适应工作的需要。提高了理论水平、业务素质和工作能力。

工作上我认真、细心且具有较强的责任心和进取心，勤勉不懈，具有工作热情；性格开朗，乐于与他人沟通，有很强的团队协作能力；责任感强，确实完成领导交付的工作，和公司同事之间能够通力合作，关系相处融洽而和睦，配合各部门负责人成功地完成各项工作。

在xxx上班的日子里，我渐渐喜欢上了这个地方，喜欢上了这份工作，想在这里慢慢成长成材，成为一名合格的正式xxx里的职工，一个月的学习与工作，让我成长了很多，今后我会继续努力，一如既往地保持着优良的作风，不断地完善自己，作出一番成绩。

如何巧妙介绍自己的优缺点

评析：“关于考生自己”是公务员面试常见题材。“人贵有自知之明”。一个人对自己的看法能不能体现出真实性、准确性、客观性、全面性，是素质能力体现的一个重要因素。在对自己的评价中，首先要充分肯定自己，这样可以充分突出自己的竞争能力和竞争优势，也给考官们一个坚定、自信的良好印象。但是，要切记：在对自己评价的表述中要真实，不能虚假。考官一般都是人力资源或人事组织部门的专家。在面试之前或面试之中，根据掌握的信息基本上可以归纳出应试者的能力特征。如果应试者忽略了这一点，为了达到求职目标而夸夸其谈，可能会适得其反。在任何一场面试中，品格特征是考官们最为看重的。如果失去了真实，应试者努力也不会取得理想的结果。在对自己的评价中，要注意运用非语言交流技巧，最主要的是把肯定和炫耀区别开来。人不可能没有缺点，在谈及缺点的时候要概括集中，不要出现过多的缺点描述，过多的否定自己，明明是谦虚，也会影响考官的判断。谈及缺点时，除了说明现已清醒地认识到了不足，要特别着重表明有改变缺点的信心和方法。在对自己的评价中，不要泛泛而谈，最好用事实说明问题。

常见问题解答：

1、你认为你自己有哪些优点，你认为你比较适合做哪些工作？

参考答案：该题没有标准答案，考生要根据自己的情况应答，以下是几种优点与其所对应的工作，供考生参考。

第一，性格内向，办事认真，适合做文秘、财会工作；

第二，性格外向，善于交际，适合做公关、营销工作；

第三，勤奋好学，善于总结，适合做教学、科研工作；

第四，责任心强，善于助人，适合做服务、保障工作；

第五，公正无私，处事公道，适合做执法、行管工作；

第六，吃苦耐劳，爱岗敬业，是做好一切工作的基础；

第七，和谐处人，服从领导，是做好一切工作的前提；

第八，专业过硬，学用结合，是做好一切工作的条件；

第九，适应环境，虚心好学，是做好一切工作的要素。

2、你有何特长？

参考答案：该题没有标准答案，考生要根据自己的情况应答，以下是几种特长的描述，供考生参考。

第一，我的性格较偏向文静，待人热情，彬彬有礼，办事稳重认真，有事业心。我觉得这个特长为做办公室、文秘等工作打下了基础；

第二，我的计算机操作能力较强，通过了计算机二级（或其它级别）等级考试，喜欢编程，对计算机网络、办公自动化知识有所了解，我觉得这个特长是做好公务员工作必备的技能之一；

第三，我善于写作，文字写作基础扎实（如果发表过文章可以列出），写作是公务的基本功之一；

第四，我在文体方面有特长（有什么特长，取得过什么级别及证书），车辆驾驶有什么级别的驾驶证，我觉得几个特长对做好公务员工作有所帮助；

第五，外语（或其它语种）有特长（取得过什么级别及证书），随着改革开放的进展，我的这个特长将来会有用武之地；

第六，我的语言表达能力强，普通话说的好，我觉得这个特长是做好公务员工作必备的基本功之一。

3、能谈谈你的缺点吗？

参考答案：该题没有标准答案，考生要根据自己的情况应答，关键是回答缺点既要要结合本人实际，又要回避本岗位的特点，把缺点转化为优点，以下是几种供缺点的回答，考生参考。

第一，我不太善于过多的交际，尤其是和陌生人交往有一定的难度。这虽然是缺点，但是说明你交友慎重；

第二，我办事比较死板，有时容易和人较真。这虽然是缺点，但是说明你比较遵守单位既定的工作规范，有一定的原则性；

第三，我什么知识或专业都想学，什么也没学精。这虽然是缺点，但是说明你比较爱学习，知识面比较广；

第四，我对社会上新兴的生活方式或流行的东西接受比较慢。这虽然是缺点，但是说明你比较传统，不盲目跟随潮流；

第五，我对我认为不对的人或事，容易提出不同意见，导致经常得罪人。这虽然是缺点，但是说明你比较有主见，有一定的原则性；

第六，我办事比较急，准确性有时不够。这虽然是缺点，但是说明你完成工作速度较快；

第七，对自己从事工作存在的困难，自己琢磨的多，向同事或领导请教的少。这虽然是缺点，但是说明你独立完成工作任务的能力较强；

4、如果你遇到了挫折你将怎么办？

参考答案：第一，对挫折要有一个正确的认识。事业有成一帆风顺时许多人的美好想法,其实很难做到一帆风顺,要接受这样一个现实,人的一生不可能是一帆风顺的,成功的背后会有许许多多的艰辛,痛苦甚至挫折.在人生的一段时期遇到一些挫折是很正常的.只有经验知识和经历的积累才能塑造出一个成功者，许多伟大的成功者，都经受过挫折的磨难（举例说明）；

第二，要敢于面对.哪里跌倒要从哪里爬起来,不要惧怕困难,要敢于向困难挑战；

第三，要认真分析失败的原因,寻根究源,俗话说失败乃成功之母,在挫折中掌握教训,为下一次奋起提供经验.还有在平时的工作生化中要加强学习,人的一生是有限的,不可能经历所有的事,要在别人的经验吸取教训.最后可能由于当局者迷或者知识经历的不足,自己对于挫折并没有特别好的处理方法,这是可以求教自己的亲人朋友,群策群力渡过难关。