第一篇：ito靶材的制备
ITO靶材
ITO靶材简介
ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶的理论密度为 7115g/ cm3。优质的成品 IT O靶应具有 ≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前质量最好的 ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。
靶材制备技术
日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把 ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的 ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold（莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本 Energy（能源公司）、日本 SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。
ITO靶材的制造技术
高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。99%。
目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。
真空热压法
真空热压是利用热能与机械能将材料陶瓷致密化的工艺，可制备出密度达91%~96%的高密度ITO陶瓷靶。热压法的工艺流程是利用加热加工模具后，注入试料，以压力将模型固定于加热板，控制试料之熔融温度及时间，以达融化后硬化、冷却，再予以取出模型成品即可。热压法是加压成型和加热烧结同时进行的工艺，此工艺的优点是：(1)热压时，因为粉末处于热塑性状态，形变阻力小，易于塑性流动和致密化，所以所需的成型压力较小。(2)由于同时加温、加压，有助于粉末颗粒的接触、扩散和流动等传质过程，降低了烧结温度和缩短烧结时间，抑制了晶粒的长大。(3)热压法容易获得接近理论密度、气孔率接近于零的烧结体，容易得到细晶粒的组织。此方法的主要缺点为：由于受热压设备压力和模具尺寸所限，靶材尺寸较小，目前靶材最大尺寸为400×300mm；对模具材料要求高(一般为高纯高强石墨)，模具寿命短，损耗大，且在高温下与ITO靶材容易发生还原反应。热压机需要进口，而且不适于工业化连续生产，生产效率低，产品成本高；靶材晶粒均一性差。
日本索尼公司的专利中，采用真空热压法制备ITO靶材的烧结工艺为：烧结温度1 100℃，压力为100 kg/ cm2，保温30 min，制得的靶材的平均粒径0.7μm，靶材致密度为98%。美国学者B.L.Gehman[6]在ITO粉中添加微量元素(如A1、Si、Mg等)，在Ar气中，用石墨模具进行热压，得到一组不同密度的靶材，最高相对密度为96.0%，最低为85.6%。
目前国内ITO靶材生产厂家普遍采用热压法生产ITO靶材，此法生产的ITO靶材由于尺寸小、晶粒大小不均匀，只能用于低挡TN-LCD、建筑玻璃镀膜和冰柜玻璃镀膜等低端领域。
热等静压法
热等静压法(hot isostatic pressing，HIP)既可以认为是加压下的烧结，也可以认为是高温下的压制。相对于传统的无压烧结而言，热等静压法可以在相对较低的温度下(一般约为物料熔点的0.5~0.7倍)获得完全致密化，而且可以很好地控制组织结构，抑制晶粒生长，获得均匀的、各向同性的组织，可以“净成型”加工成具有一定复杂外形的产品。热均压工艺是将原料粉末成型以后，以金属或玻璃材料包覆其外，然后再同时加温、加压，使得粉末陶瓷致密化。热等静压法制备ITO靶材的工艺流程主要为：将单相的 ITO 固溶体粉末在一定的还原气氛（如 H2、N2 与 H2 的混合气体）和温度（300～500℃）下进行部分还原，还原度控制在 0。02～0。2之间，再用模压或冷等静压以及两者兼用的成型方法（100～300MPa）将还原后的粉体压制成初坯，将初坯置于不锈钢的包套中并在两者之间辅以隔离材料，然后对包套抽真空并且封口，最后置于热等静压炉中在800～1050℃，50～200MPa的压力下进行2～6h热等静压制备出ITO靶材。
热等静压法是国外最常用制备ITO溅射靶材的方法，热等静压法的优点是：(1)能克服在石墨模具中热压的缺点，不易还原。(2)由于制品在加热加压状态下，各个方向同时受压，所制得的产品密度极高(几乎达到理论密度)，可制成大尺寸产品。(3)热等静压强化了压制和烧结过程，降低了烧结温度，避免了晶粒长大，可获得极好的物理力学性能。其缺点是：由于使用均方性气体压力，没有剪应力及模具摩擦力，因此保形性非常优良，但靶材尺寸受设备压力和压缸限制，无法制备大尺寸靶材；设备昂贵，投资成本高；生产效率低，生产成本高，产品竞争力不强。
日本东曹公司采用热等静压方法，将O2导入烧结容器中，罐体内部采用镀氧化铝、镀氮化硼(BN)以及它们的多层喷镀，镀层的厚度为100~800μm，烧结温度为1 100℃，烧结压力为100 kg/cm2，烧结时间为2~4h。此方法制得的ITO靶材的致密度为90%~100%，大多数形成了95%~99%的极高密度的烧结体。德国莱博德材料有限公司M·施罗特，采用热等静压法制造ITO靶材。他采用由部分还原的In2O3、SnO2粉末，该粉末具有氧化皮外层，内包金属相核，这种粉末采用热压或热等静压，容易进行致密烧结，制成的ITO靶具有高的机械强度和溅射靶的基质，可达到理论密度值96%以上的相对密度。
中南工业大学粉末冶金国家重点实验室张树高、黄伯云利用热等静压的方法制造ITO靶材，采用质量比为9：1的In2O3和SnO2原料粉末，其平均粒径为30~200nm，纯度为99·99%;先进行冷等静压，压力为200~280MPa，保压时间10分钟;然后进行热等静压，热等静压温度为1100~1300℃，保温时间0.5~6h，气氛压力为100~120MPa，可以制造出高密度、高纯度、大尺寸的ITO靶材。
常压烧结法
常压烧结法是上世纪90年代初期兴起的一种靶材制备方法，它是采用预压方式(或粉浆浇铸方式)制备高密度的靶材素坯，在一定气氛和温度下对靶材素坯进行烧结，通过对烧结温度和烧结气氛控制，使靶材素坯晶粒的生长得到有效控制，达到靶材的高致密化及晶粒分布的均匀性。常压烧结法的主要工艺为：将具有一定摇实密度(Tap Density)的In2O3粉末与SnO2粉末混合，制备成浆料进行粉浆浇铸或者在加入少量成型剂的情况下进行模压或冷等静压(成型压力一般为100～300MPa)或两者兼而用之；用粉浆浇铸或者添加了成型剂的坯料要在300～500℃的温度范围进行长时间的脱水与脱脂处理，最后在压力至少达到1atm的纯氧或空气气氛下进行烧结，烧结的温度为1450～1550℃，所获得的靶材为单一ITO固溶体相，其相对密度为95%以上，ITO烧结体的晶粒尺寸为1～20μm，抗弯强度50～200MPa，靶体的比电阻约为1×10-4Ω·cm，热导率约为1.5×10-2～47×10-2cal·cm-1·s-1。
常压烧结法的主要优点有：靶材尺寸不受设备限制，能生产大尺寸靶材，且设备投入少、生产成本低，生产效率高，靶材性能优良，易实现工业化生产。适合高端显示器用镀膜靶材性能要求。缺点是：该法与其它方法相比是最难烧结的方法，要获得致密的烧结体，往往要提高原料粉末的烧结活性或添加烧结助剂。而活性剂以及烧结助剂很难再从烧结体中去除。对粉末的烧结活性有很高的要求，因此对粉体的形状、粒度以及粒度分布要求较严，为了达到要求一般对粉末进行球磨、气流粉碎以及沉降分级处理。制备的靶材一般较薄，所以对靶材变形的控制要求很严，一般要求有很好的净成型能力。
常压烧结法制ITO靶材的难点体现在密度的提高，因为在高温下(特别是温度高于1200℃)ITO固溶体中的 In2O3与 SnO2 会分解，并且以气态方式升华：由此可见在低氧压特别是欠氧的气氛中，由于In2O3、SnO2 的分解以及In2O3、SnO以气态的方式挥发，气态物质从ITO固溶体中逃逸形成了很多气流通道和孔隙，阻碍了ITO靶材密度的提高。因而在ITO靶材的烧结过程中通入一定压力的纯氧或空气气氛来提高氧的分压，抑制上述的分解与挥发过程对于获得高密度的靶材至关重要。
常压烧结法对粉末的烧结活性有很高的要求，日本新日矿集团的专利中，采用烧结法工艺制备ITO靶材，素坯使用冷等静压工艺，在1000kg/cm2的压力下成型，素坯的密度可达3.98 g/cm3，素坯在烧结前须在80℃下干燥24 h，然后在1 650℃、纯O2气氛下烧结9 h，制的靶材。常压烧结法对靶材变形的控制要求很严，传统的常压烧结是将素坯直接放在刚玉垫板上烧结，由于素坯的底面与刚玉垫板存在摩擦，导致上下两面收缩不一致，样品变形。为解决这个问题，日本东曹公司的专利是：在刚玉板上铺一层5 mm厚的氧化铝粉末，素坯放置在粉末上，烧结气氛为O2，在1 550℃烧结5 h，其靶材致密度可达99.5%。
中色(宁夏)东方集团公司在 2008 年年中，已经基本掌握了ITO 靶材的烧结工艺，现可生产出 300mm×600mm×(6～10)mm，相对密度≥99%，稳定在 99.5%左右的大尺寸、高密度 ITO 烧结靶材。经过德国贺利士公司、深圳南玻镀膜公司、蚌埠华益镀膜公司等用户试用，各项性能指标均达到或接近日本日矿和韩国三星康宁靶材水平。
冷等静压法
冷等静压技术(Cold Isostatic Pressing，简称CIP，是在常温下，通常用橡胶或塑料作包套模具材料，以液体为压力介质，液体传递超高压使粉末成型，为进一步烧结，煅造或热等静压工序提供坯体。一般使用压力为100~ 630MPa。在低压氧气气氛气压保护下，将ITO粉体采用冷等静压压成大块陶瓷胚体，然后在0.1~0.9MPa纯氧环境中，用1500~1600℃高温烧结，可以生产密度达理论密度95%的陶瓷靶。
冷等静压法制备靶材的特点是：与机械压制相比，由于冷等静压制压力大，工件受力均匀，特别适宜压制大尺寸的粉末制品。压制的粉末制品具有密度高，密度均匀，压制的粉末不需添加润滑剂等优点。生产成本较低，适于批量生产，但是使用高温带压纯氧，生产带有一定的危险。RXYQ-16-55高温高氧烧结炉已由浙江长兴益丰特种陶瓷窑业有限公司研制成功。
日本同和鈜业株式会社的江岛、光一郎发明的ITO靶材制备方法，采用比表面积15m2/g的纳米粉末，采用冷等静压法压出相对密度45%的坯体，在1500℃左右温度下烧制10h，可制备出相对密度为99%以上的溅射靶。日本东曹株式会社的内海健太郎、黑泽聪、星野浩采用平均粒径为0.1~1.5μm的In2O3和SnO2混合粉末，添加PVA等粘合剂，先在300~500℃的温度下干燥5~20h进行脱粘合剂处理然后在1500~1600℃下，纯氧气氛中烧结5~30h，制备出的ITO靶材相对密度为99%以上。
李锦桥设计出制备ITO靶材的专用设备，将ITO粉体冷等静压压成大块溅射靶坯体，然后在0.1~0.5MPa纯氧环境中，在1500~l600℃高温烧结，可以生产密度达理论密度95%的溅射靶。这种高温高氧烧结炉已由浙江长兴益丰特种溅射靶窑业有限公司研制成功。该炉定型设计后有望工业化批量生产，为我国ITO溅射靶国产化打下基础。另外，李晶等也进行了冷等静压烧结法制备ITO靶材制备靶材的研究。他们先采用化学沉淀法制备复合粉末，通过冷等静压进行粉末压制，压制出相对密度约为60%的生坯，然后将此压坯在1600℃下烧结6h，可得到相对密度>90%的ITO靶材。总之，采用冷等静压制坯，纯氧气氛和1550~1650℃条件下烧结的方法是目前国外采用较多的烧结方法。
放电等离子烧结
放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，通过样品及间隙的部分电流激活晶粒表面，在孔隙间局部放电，产生等离子体，粉末颗粒表面被活化、发热；同时，通过模具的部分电流加热模具，使模具开始对试样传热，试样温度升高，开始收缩，产生一定密度，并随着温度的升高而增大，直至达到烧结温度后收缩结束，致密度达到最大。与常规烧结方式相比，SPS方法具有操作简单、高速烧结、降低烧结温度、再现性高、安全可靠、节省空间、节省能源及成本低等特点。已经被成功地应用于梯度功能材(FGM)、金属基复合材料(MMC)、纤维增强陶瓷(FRC)、纳米材料、多孔材料、磁性材料、金属间化合物和高致密度、细晶粒陶瓷等各种新材料的制备。SPS烧结，利用未添加任何烧结助剂的粉体在中性气氛下，在较低的温度下制备元素分布均匀，具有较高致密度和较好热学性能和电学性能的ITO靶材。放电等离子烧结(SPS)是在脉冲电流作用下，粉末颗粒间放电，产生瞬间高温进行烧结。
与常规烧结方式相比，SPS法具有操作简单、高速烧结、再现性高、安全可靠、节省空间、节省能源及成本低等优点。能在很低的烧结温度下，保温很短的时间制备高密度的材料。
K.Yamazaki用SPS方法初步制备出超细晶粒的WC2Co系金属陶瓷。T.Nishimura用SPS方法制备了α2Si3N4和β2Si3N4陶瓷,烧结温度为1500~1600℃,烧结时间5~7min,达到理论密度的98%以上,晶粒尺寸为150~200nm。杜大明等也用此法获得了致密的氮化硅陶瓷。高濂等用SPS方法制备了20%Al2O32ZrO2陶瓷,烧结压力为45MPa,得到理论密度高于98%的细晶粒样品,断裂韧性KIC(压痕法测定)接近10MPa·m1/2。另外,用SPS方法在1450℃时烧结得到了弯曲强度达1000MPa的纳米5vol% SiC2Al2O3陶瓷。Cs.Balázsi用放电等离子烧结获得了几乎完全致密的碳纳米管增韧氮化硅复合陶瓷,其力学性能明显优于热等静压法制得的制品。我国从2000年起,武汉理工大学、北京工业大学、清华大学、北京科技大学、中科院上海硅酸盐所等单位也相继引进了日本制造的SPS设备,开展了用SPS技术制备新材料的研究工作,主要用来烧结纳米材料和陶瓷材料。
各种制备方法都有优点与缺点，我们综合自己掌握的知识与技术选择合适的方法进行改进技术弥补缺点充分利用优点制备靶材，得到靶材的各项性能符合我们制备薄膜的要求，进而节约资源与降低成本，使得ITO薄膜的应用范围更加广泛。
ITO靶材的研究现状及发展趋势
ITO靶材制备的研究现状
从目前ITO产业的现状来看，以日本Japan Energy、TOSOH及Mitsui三家厂商囊括了80％以上的ITO 靶材市场，而Japan Energy在TFT及PDP方面市场占有率较大，TOSOH在Color Filter方面较强，Mitsui则分配较为平均。日本企业生产的靶材以大尺寸、高性能占据着显示器中高端领域，主要以常压烧结法作为靶材主要生产方法，常压烧结法也是目前ITO 靶材生产的主流技术。我国虽然是世界第一产铟大国，铟产量占世界产量的70%(原生铟)，但是目前我国在铟的深加工方面却处于初级阶段，从亚洲金属网相关分析来看，全球84%铟用于ITO行业，(其次的几个消费领域分别是：合金领域，占全球铟用量量的8%；化合物消费领域占5%，半导体行业占 2%，研究行业占 1%)，全球 90%以上的平板显示器件生产都集中在亚洲，因此，目前韩国、中国、台湾地区，都在积极研发和引进常压烧结技术，韩国三星已经在这方面取得了突破性的进展，打破了日本企业在方面的技术垄断地位。由于日本企业的技术封锁，我国的常压烧结技术目前处于初级研发阶段，因此技术突破还须时日。目前国内可供应商品靶材的单位主要有以下几家：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。株洲冶炼集团有限责任公司，是我国早期开展ITO靶材研究工作的主要单位之一，该公司与华中科大联合建立了博士后工作站，专门从事ITO粉末及靶材的研究，经过近十年的研究，采用热等静压法所研制的ITO靶材相对密度≥99%，最大尺寸达到320mm×300mm。宁夏九0五集团在纳米级铟锡氧化物(ITO)粉体和高性能ITO靶材的研究与制造方面，率先在国内研制出了平均粒径小于40nm的ITO超细粉体，并采用热等静压法制备出相对密度大于98%的ITO靶材。威海蓝狐公司开发出相对密度≥99%，平板靶材最大尺寸380mm×200mm;筒形ITO靶材密度≥99%。韶关西格玛技术有限公司依托于中南大学粉末冶金研究所，成立了相关公司，专业从事氧化物纳米粉末及其相关制品的设计开发、生产、销售和服务，其研制的ITO靶材相对密度≥99%晶粒度5~15μm，电阻率0.14×10-3Ω·cm，外观为黑色。柳州华锡公司利用其在铟原材料上优势，也积极开展ITO靶材的研究工作，并与桂林电子科技大学开展了大尺寸超高密度ITO靶材制备的新工艺研究。目前该公司所公布的ITO靶材的性能指标如下：相对密度>99%，电阻率≤0.25×10-3Ω·cm，规格300mm×300mm×(5~10)mm，颜色为灰黑色。
ITO靶材的发展趋势
近年来，随着平板显示器尺寸大型化的发展，对ITO靶材尺寸及密度的要求也越来越高，热压设备与技术已远远不能满足其要求。因此，以烧结工艺生产大尺寸、高密度ITO靶材已成为国内各大靶材生产厂家研发的重点。LCD经过长时间的发展后，产品质量不断提升，成本也不断下降，对ITO靶材的要求也随之提高，因此，配合LCD的发展，未来ITO靶材发展大致有以下的趋势。目前 LCD、PDP 及 OLED 等显示技术的发展，要求提升 ITO靶材品质，降低成本，所以ITO靶材呈现以下的发展趋势。
1)尺寸大型化
随着液晶模块产品轻薄化和低价化趋势的不断发展，相应的ITO玻璃基板也出现了明显的大型化的趋势，因此ITO靶材单片尺寸大型化不可避免。为了满足大面积镀膜的工艺要求，技术先进企业采用大尺寸靶材，以减少靶材的拼接接缝数量，提高效率和品质。这主要是由于靶材之间的缝隙破坏了靶材表面电子的定向运动，并且，在缝隙处容易集聚大量的电荷，从而容易引起靶材的放电现象，造成靶材过早黑化。靶材的黑化会造成很多问题，如面电阻增大，膜厚增加，透过率降低，靶材的溅射率降低，导电功率加大和电压升高等。
2)低电阻率
随着LCD愈来愈精细化发展的趋向，以及它的驱动程序不同，需要更小电阻率的透明导电膜，要求改善ITO靶材性能，改进溅射技术和装备。目前ITO靶材所形成的ITO膜电阻，在基极温度350℃时，已达到1。1×10-4Ω·cm以下，而高端液晶显示用ITO膜，要求更低的电阻。
3)高密度化
密度作为ITO靶材最重要的技术指标，直接影响到靶材的使用效率和ITO膜的品质，若使用低密度靶材，有效溅射面积会减少、溅射速度也会降低，靶材的使用周期会缩短，造成成本升高，ITO膜品质下降；使用高密度靶则表面变化较小，膜品质高，使用周期长。
4)靶材本体一体化。如前所述，靶材将朝大面积发展，以往技术能力不足时，必须使用多片靶材拼焊成大面积，但由于接合处会造成镀膜质量下降，因此目前大多以一体成形为主，以提升镀膜质量与使用率。未来新世代LCD玻璃基板尺寸的加大，对靶材生产厂家是一项严苛的挑战。
5)提高使用率
提高ITO靶材的溅射使用效率，一直是该领域研究的热点和难点之一。平面ITO溅射靶使用效率约为20～25%，而采用非平面式溅射靶将可使其使用率提升至40%～60%。目前，靶材生产企业都在积极研究开发旋转式ITO靶材以及管状ITO靶材，此技术的研发与应用势必会给ITO产业带来新的技术革新。
目前在ITO 靶材技术方面，虽然还是日本企业领先和掌握着先进技术，但国内多家厂商在积极研究开发自主的应用技术。国家目前对铟的出口采取了许可证制度，使得国际铟呈现出了局部短缺的现象，ITO 靶材的生产格局将有可能发生大变化，国内的靶材生产厂家遇到了前所未有的良好机遇。若高性能ITO 靶材生产技术能够本土化，势必会对ITO 产业的发展产生深远的影响，提升我国企业在平板显示领域的整体竞争力。
现有靶材的不足
目前国内生产并能供应的 I T O靶材的尺寸都相对比较小。几个厂家提供的靶材尺寸如下：宁夏有色金属冶炼厂 2 0 0 ×1 5 0 ×(6 ～1 0)mm；广西柳州华锡集团有限责任公司2 5 0×2 0 0 mm。这些都是小尺寸靶材，虽然这些靶材满足了一定的生产需要，但是，根据时代发展的要求和科学技术部《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南》(1 9 9 9)所指出的方向，即电子专用材料近期产业化的重点是：ITO大型靶材和ITO导电玻璃。在镀制I T O膜过程中，为了满足大面积镀膜的工艺要求，必须将多块小的靶材进行连接，S D P 一 8 5 O VTMB设备用两片构成一副完整的靶材，ARI s O一 8 0 0设备用四片，这样势必影响靶材的利用率，更严重地影响镀膜的质量。这是因为，靶材之间的缝隙破坏了靶材表面电子的定向运动，并且，在缝隙处容易集聚大量的电荷，从而容易引起靶材的放电现象，造成靶材过早黑化。靶材的黑化会造成很多问题，如面电阻增大，膜厚增加，透过率降低，靶材的溅射率降低，导电功率加大和电压升高，由此，整个靶材的面放电增多等等，降低靶材的利用率。因此，着手研究生产大面积靶材有着及其重要的意义。
ITO靶材制作的难点就是氧化铟锡在高温下的分解和挥发行为，这种物性使得制备靶材工艺难度大大增加。如何保持粉末特性和控制烧结体内晶粒尺寸的优点，为靶材具有良好微观结构提供了条件。如何让提高ITO靶材的质量，满足镀膜技术和要求日益提高的客观需要。
生产大面积靶材所面临的难题
生产靶材的工艺大多采用热等静压方式，这种生产有受压缸尺寸的限制，不能生产出大尺寸的靶材，而要增大压缸的尺寸，则成本会成倍的增长。另外，在生长大尺寸的靶材时，如何确保大尺寸溅射靶材的微观结构与组织的均一性以及避免产生缺陷，也是一个有待解决的课题，溅射靶材的微观结构的均一性对于溅射时的成膜速率、淀积薄膜的质量及厚度分布等均有很大的影响。细晶粒结构的溅射靶材的成膜速率大于粗晶粒靶材。所以，如何生产大尺寸并保持微观结构与组织均匀性，合成搞密度靶材是靶材研制的难题。
第二篇：打破技术壁垒 加快ITO target靶材产业化进程
打破技术壁垒 加快ITO target靶材产业化进程
时间:2010-7-15 1:35:52,点击:1820
前全球信息产业快速发展，我们应抓住ITO材料市场需求猛增的大好时机，加速ITO靶材的研发和产业化进程，打破发达国家设置的技术壁垒，促进ITO靶材国产化。
平板显示器上游的关键材料ITO靶材的生产，落后于我国平板显示器产业发展。打造相对完整的平板彩电产业链，以着力提高自主发展能力为核心，提高ITO靶材的生产品质，是我国平板显示器产业发展首要解决的问题之一。
中国大陆今年ITO靶材需求量将超过300吨
2007年的统计数据表明：生产低端TN导电玻璃的ITO靶材的厂商主要有：韩国的三星康宁、美国的优美可(Umicore)、日本三井和德国的贺力士，国内的生产厂家也有少量生产。国内年总需求量120吨。
生产中档STN的ITO靶材的厂商主要有：日本能源、韩国的三星康宁、美国的优美可(Umicore)、日本三井和德国的贺力士。年需求量为200吨。
用于生产高端TFT-LCD的ITO靶材均来自日本的东曹、日立、住友、VMC，日本在高端ITO靶材生产技术方面一直处于领先地位，几乎垄断了大部分TFT液晶市场。据不完全统计，年需求量为24吨。随着2009年计划7-9条TFT面板产生线的投产，2010年国内用于高端TFT-LCD的ITO靶材将增加到120吨-140吨。
国内目前能生产TFT-LCD大尺寸液晶面板生产厂家主要有京东方、上广电、龙腾光电、深超科技、天马公司5家，产能占全球的5%，所用ITO靶材目前全部依赖进口。除这5家将在未来几年大规模扩大产能外，彩虹集团、四川长虹、广东佛山南海等内地厂商和我国台湾厂商高世代TFT生产线也将逐步落户大陆，高密度ITO靶材的需求量呈快速递增趋势，目前正以每年15%～20%的速度增长。
据台湾业者粗略统计，2008年各国业者对ITO靶材年均需求量，韩国约320吨，中国台湾约为300吨，日本则约为250吨。目前中国大陆用于生产TFT-LCD的生产线有5条，预计2009年将再增加6条，如全部投产将需求ITO靶材150吨/年以上，因此，中国大陆2009年合计需ITO靶材将超过300吨。至此，国内对ITO靶材的需求将超过日本，成为世界第三大ITO靶材的消费大国。
高端ITO靶材全部依赖进口
中国是全球中低端ITO导电玻璃的主要生产地，也是ITO靶材的主要需求市场之一。自1994年以来华锡集团就开始热压技术的研发，株冶、宁夏905工厂、山东蓝狐材料等众多厂家与高等院校多年来不断努力，但至今尚无法掌握高品质ITO靶材制作所需之气氛烧结技术。从1998年起，我国的笔段型液晶显示器、点阵显示器产量已跃居世界第一，国内目前能生产TFT-LCD大尺寸液晶面板的生产厂家主要有京东方、上广电、龙腾光电3家，产能占全球的5%，可是，所用ITO靶材全部依赖进口。我国铟储量和产量均居世界第一，然而铟金属却主要外销，对其深加工高新技术产品尚处于起步阶段。为使资源增值，合理利用铟资源的重要途径之一是生产ITO靶材。目前ITO靶材生产通常采用冷等静压烧结法制备的ITO磁控溅射靶材，相对密度小于99%，未突破下游行业需求指标(单相结构、相对密度大于99.5%)，产品只限部分用于生产低端的TN导电玻璃。
自主开发ITO靶材意义重大
目前工业ITO靶材都是以ITO粉末为原料经高温烧结而成，其烧结成型方法主要有3种：热压法HP、冷等静压法CIP、高温气氛烧结法MMP。
国内目前ITO靶材的生产，多采用高成本的热等静压工艺。该技术工艺生产的靶材，一旦产品规格超过200mm×200mm，就会出现断裂、密度低等问题，而且在使用过程中，经常出现靶材中毒现象。这也是我国靶材行业落后于先进国家的主要原因之一。
自主开发生产ITO靶材对于促进我国平板显示产业发展意义重大，主要表现在以下几方面：
第一，打破技术壁垒，让高端靶材不再依赖进口。国外对ITO靶材生产技术进行严密封锁使我国对这一关键的信息功能材料的制造技术严重滞后，致使ITO靶材不得不长期依赖进口，严重阻碍了我国信息产业链的建立，限制了我国信息产业向高端发展。因此，必须优先发展具有我国自主知识产权的ITO靶材制备技术，加快ITO产业化建设，促进高端ITO靶材国产化进程。
第二，有利于资源保护，提高铟产品高附加值。突破限制我国平板显示器产业链健康发展的瓶颈制约，对提高我国信息产业的核心竞争力，开发对稀缺金属原材料的深加工具有重大的战略意义和深远历史意义。
第三，填补我国ITO靶材在中、高端平板显示器制造领域应用的空白。
第四，有利于ITO靶材平板生产工艺研究开发与人才培养。
第五，有利于提高国内ITO靶材原料加工、镀膜等整体技术水平。
目前全球信息产业快速发展，我们应抓住ITO材料市场需求猛增的大好时机，加速ITO靶材的研发和产业化进程，打破发达国家设置的技术壁垒，促进ITO靶材国产化，改变目前ITO靶材主要依赖进口的现状，实现我国成为光电产业领先国家的目标。
第三篇：靶材产业实施方案
靶材产业实施方案
——产业投资建设规划
靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。
我国相关产业发展的主要任务是贯彻落实科学发展观和走新型工业化道路原则，加快结构调整。相关产业要持续结构调整和产业升级，加强和改进投资管理，建立企业自我约束机制，完善有利于发展的市场环境，进一步加强和改善宏观调控，避免投资盲目扩张，促进相关产业健康发展。
为加快调整优化区域产业发展，结合区域产业发展实际，制定本方案。
第一章
指导路线
以产业转型升级为发展主线；以质量效率型、集约增长型为主要发展方式；以创新驱动为主要发展途径。促进区域产业总体保持中高速增长，产业迈向中高端水平，实现产业发展质量和效益全面提升。
第二章
发展原则
1、因地制宜，示范引领。着眼区域实际，充分考虑经济社会发展水平，逐步研究制定适合区域特点的能效标准。制定合理技术路线，采用适宜技术、产品和体系，总结经验，开展多种示范。
2、机制创新，部门协同。创新管理体制和运营监管机制，强化部门协同，持续推进产业发展，实现可持续发展。
3、开放融合。树立全球视野，对标国际先进，把握“一带一路”重大战略契机，聚焦产业重点领域，探索发展合作新模式，在全球范围配置产业链、创新链和价值链，更大范围、更高层次上参与产业竞争合作，走开放式创新和国际化发展的道路。
4、深化改革，开放发展。加快重点产业领域的供给侧改革，充分发挥市场对产业资源配置的决定性作用。探索建区域产业协同发展的体制机制，积极参与“一带一路”建设，鼓励企业“走出去”，发展更高层次的开放型经济。
5、市场主导，政府引导。发挥市场配置资源的决定性作用，尊重企业主体地位，激发企业活力和创造力，创新经营模式和业态，推动联合重组，增加有效供给，促进优胜劣汰；健全公平开放透明的市场规则，完善支持政策，搭建服务平台，优化产业发展环境。
第三章
产业环境分析
靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。
高纯度溅射靶材主要应用于电子元器件制造的物理气相沉积（PhysicalVaporDeposition，PVD）工艺。PVD 镀膜目前主要有三种形式，分别是溅射镀膜、蒸发镀膜以及离子镀膜。
为推动国内靶材产业发展，增强产业创新能力和国际竞争力，带动传统产业改造和产品升级换代，我国制定了一系列靶材行业相关支持政策。
靶材行业产业链主要包括金属提纯、靶材制造、溅射镀膜和终端应用等环节。其中，靶材制造和溅射镀膜环节是整个靶材产业链中的关键环节。
靶材产业下游包括半导体、光伏电池、平板显示器等等，其中，半导体芯片行业用的金属靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。
靶材主要应用在平板显示、记录媒体、光伏电池、半导体等领域。其中，在靶材应用领域中，半导体芯片对靶材的金属材料纯度、内部
微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准，需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品。
因此，半导体芯片对靶材的要求是最高的，价格也最为昂贵。
半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。
目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要 110nm 以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。
靶材在半导体材料中占比约为 2.5-3%，由于半导体靶材市场与晶圆产量存在直接关系，中国大陆晶圆厂产能占全球比例在 15%左右，推算出 2019 年国内半导体用靶材市场约为 10.3 亿元。
目前，全球的靶材制造行业，特别是高纯度的靶材市场，呈现寡头垄断格局，主要由几家美日大企业把持，如日本的三井矿业、日矿金属、日本东曹、住友化学、日本爱发科，以及美国霍尼韦尔、普莱克斯等。
日矿金属是全球最大的靶材供应商，靶材销售额约占全球市场的30%，霍尼韦尔在并购 JohnsonMattey、整合高纯铝、钛等原材料生产
厂后，占到全球市约 20%的份额，此外，东曹和普莱克斯分别占 20%和10%。
目前，国内靶材厂商主要聚焦在低端产品领域，在半导体、平板显示器和太阳能电池等市场还无法与国际巨头全面竞争。
但是，依靠国内的巨大市场潜力和利好的产业政策，以及产品价格优势，它们已经在国内市场占有一定的市场份额，并逐步在个别细分领域抢占了部分国际大厂的市场空间。
近年来，我国政府制定了一系列产业政策，如 863 计划、02 专项基金等来加速溅射靶材供应的本土化进程，推动国产靶材在多个应用领域实现从无到有的跨越。这些都从国家战略高度扶植并推动着溅射靶材产业的发展壮大。
第四章
区位环境分析
预计全年地区生产总值增长 xx%左右，一般公共预算收入增长 xx%，固定资产投资增长 xx%，规模以上工业增加值增长 xx%，主要经济指标增速均达到或超过区域平均水平。xx 年是全面建成小康社会和“十三五”规划收官之年，是打赢三大攻坚战关键之年，是具有里程碑意义的一年，做好今年经济社会发展工作意义重大。当今世界正处于百年未有之大变局，全球治理体系正在深刻变革，经济仍处在国际金融危
机后的深度调整期，高风险与低增长并存，不确定不稳定因素明显增多。我国经济结构性、体制性、周期性问题相互交织，“三期叠加”影响持续深化，发展环境错综复杂，但经济稳中向好、长期向好的基本趋势没有变、也不会变。今年经济社会发展主要预期目标是：地区生产总值增长 xx%左右，一般公共预算收入增长 xx%，规模以上工业增加值增长 xx%，固定资产投资增长 xx%，社会消费品零售总额增长 xx%，进出口总额增长 xx%，城镇登记失业率控制在 xx%以内，城乡居民人均可支配收入分别增长 xx%和 xx%，居民消费价格涨幅控制在 xx%左右，万元生产总值能耗、PMxx平均浓度下降和化学需氧量、二氧化硫、氨氮、氮氧化物减排完成省下达的目标任务。
当前时期，地区仍处于可以大有作为的重要战略机遇期。和平与发展的时代主题没有变，世界多极化、经济全球化、文化多样化、社会信息化深入发展，世界经济缓慢复苏，新一轮科技革命和产业变革蓄势待发，全球治理体系深刻变化。我国经济长期向好的基本面没有变，经济发展进入新常态，发展方式加快转变，新的增长动力加快孕育，经济中高速增长、迈向中高端水平的趋势明显。未来五年，地区将由低中等收入向中上等收入跨越，由乡村社会向城市社会转型，产业由中低端向中高端水平提升，工业化由中期阶段向中后期阶段发展，人民生活由总体小康向全面小康迈进，进入新的发展阶段，保持经济持续较快发展的空间广阔、潜力巨大。
必须清醒看到，世界经济仍在深度调整，复苏进程艰难曲折。我国“三期叠加”特征明显，新旧增长动力逐步转换，发展不平衡、不协调、不可持续问题仍然突出。在工业化中期阶段进入新常态，面临的挑战更加复杂严峻，主要是稳增长压力大，传统增长动力减弱，新兴增长动力难以接续；转型升级难度大，传统产业面临困境，先进制造业和现代服务业发展滞后，创新能力薄弱；资源约束趋紧，土地、能源、人才等供需矛盾突出，环境质量有所下降；公共服务供给不足，公共产品和公共服务水平与全国差距大，贫困量多面广程度深，短板瓶颈明显；开放型经济水平不高，区位优势和通道作用未能充分发挥。
加快形成以创新为引领和支撑的经济体系和发展模式，打造经济增长新引擎，使创新成为引领全面振兴的第一动力，推进创新型建设。
（一）强化企业创新主体地位
坚持企业在创新中的主体地位和主导作用，支持科技型中小微企业健康发展，大力培育和发展创新型企业，建设一批创新型领军企业，形成以高新技术企业为重点，科技型龙头企业、科技型中小微企业协同发展新格局。
（二）发挥创新示范引领作用
打造创新高地，引领、示范和带动全省加快实现创新驱动发展。
（三）提升创新保障能力
以提升创新基础能力，完善创新政策支持体系为重点，加强创新保障体系建设，切实增强科技创新能力。
（四）激发人才创新创造活力
坚持人才资源是第一资源，切实把人才资源开发放在科技创新最优先的位置，重点在用好、吸引、培养上下功夫，加快创新型人才队伍建设，开创人才引领创新、创新驱动发展、发展集聚人才的良好局面。
第五章
目标
xx 年，区域产业主营业务收入达到 xx 亿元，同比增长 xx%；完成固定资产投资 xx 亿元，同比增长 xx%。
第六章
任务重心
(一)完善市场机制，充分发挥市场的决定性作用
推进咨询、检测等相关服务机构发展。加强第三方评价监管，提升评价机构的公信力。加快产业市场的培育。推进产业领域市场主体
信用评级。完善信用评级指标体系，建立信用评级与银行授信、项目招投标等工作的联动机制，促进供应链落地实施。
(二)实施创新驱动，加强技术创新
加快实施产业创新驱动战略，引导大中型企业建立技术中心，围绕市场需求，开发具有自主知识产权的产品和技术，大力进行引进技术的消化吸收和创新。积极推进多种形式的产、学、研结合。鼓励企业加强与高等院校和科研院所的交流合作，建立长期稳定的合作关系或共同组建技术开发机构，以项目和课题为纽带，共同组织攻关，提高技术创新能力。鼓励企业加大对技术开发中心的投入，加快技术中心人才的选拔培养，促进技术开发中心工作的规范化、制度化。
(三)强化政策落实，优化产业结构
以新型工业化为牵引，加快推进消费升级，开展示范试点，推进新型产业发展，不断扩大应用市场。协调各部门职能部门，出台相应的政策措施，加快结构调整步伐。促进全行业整体素质的提高和经济效益的增长。
(四)着力推进品牌建设
强化本土品牌培育、宣传与推介，支持企业建设和完善研发平台，开展产学研用协同创新，攻克核心技术。鼓励企业加大技术改造力度，实现降本增效。强化企业质量主体责任，健全产品质量管理体系，推进信用体系建设，加大对质量违法和假冒品牌行为的打击和惩处力度。
第七章
保障方案
(一)加快自主创新
围绕综合利用、协同处置、绿色发展等行业共性和基础性的重大问题，建立以企业为主体、市场为导向、产学研用相结合的技术创新体系。支持专业科研设计单位和高等院校建立行业研究中心，提高行业关键技术及核心装备研发制造能力。推进商业模式创新。
(二)优化投资环境
优化服务机制。完善产业发展的服务机制，优化政策引导、市场监管、质量监督服务职能，提高管理和服务水平。
优化发展模式。根据规划产业布局，结合园区发展规划等相关规划的实施，积极引导产业关联项目或企业向重点园区聚集，集群发展。加快编制产业园区总体规划，优化投资布局，落实重点项目建设用地，促成产业发展高地、成本洼地。
优化配套建设。落实产业园区和重点项目相关配套建设，利用多种合作模式，合作共建，推进项目落地。
(三)扩大国内外合作
鼓励企业与国外公司加强合作，支持有条件的企业在境外设立研发中心，充分利用国际资源提升发展水平。加强与“一带一路”沿线国家合作，支持有条件的企业开拓海外业务，推进产业发展走出去。
(四)增强规划指导作用
按照国家要求，分解落实约束性发展指标，强化考核，确保规划有效实施，发挥规划投资指导作用。强化规划与产业政策、标准体系、运行监管的配合，发挥好规划对行业发展规范、引领作用。完善规划实施跟踪评价和定期评估制度，结合实施中重大问题适时调整规划内容。
(五)扶持产业中小企业
落实鼓励、支持和引导民营经济发展的一系列政策措施。推进中小企业公共服务平台网络建设，进一步减免或取消涉及小微企业的行政事业性收费，增加采购预算中面向小微企业的份额。健全中小微企业金融服务体系，加快各类特色融资超市建设。
(六)加大金融支撑
各级金融机构要强化对符合条件的项目龙头企业的信贷支持力度，从授信总量扩大、利率优惠、信贷品种拓展等方面，切实为项目龙头企业提供高质量的配套金融服务。建立健全项目产业化信用担保体系，鼓励有条件的地区建立龙头企业贷款担保基金。优先支持龙头企业上市融资，将具备上市条件的龙头企业纳入重点培育计划，并提供相应的帮助和指导。
(七)加强市场监督管理
健全监管组织和法规政策体系，明确监管范围，完善监管规则，创新监管方式，规范监管行为。
(八)注重规划引导
各地区要针对本地区产业发展特点和市场需求现状，加强对产业发展规划的引导，做好本地区规划与相关规划的衔接，发挥规划的指导性，强化规划的约束性和权威性，引导行业持续健康发展。
第八章
重点项目
—— 重点项目：x xxx 投资管理公司 x xx 项目
一、项目投资单位概况
（一）项目投资主体
xxx 投资管理公司
（二）项目负责人
xxx
（三）项目单位简介
本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。
公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。
展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。
二、项目背景
当前时期，是实现“两个百年”奋斗目标承前启后、继往开来的重要时期，世情、国情、省情都在发生深刻变化，地区发展既面临难得历史机遇，也面临诸多风险挑战。
从国际看，和平与发展的时代主题没有变，世界多极化、经济全球化、文化多样化、社会信息化深入发展，世界经济在深度调整中曲折复苏，新一轮科技革命和产业变革蓄势待发，全球治理体系深刻变革，发展中国家群体力量继续增强，国际力量对比逐步趋向平衡。同时，国际金融危机深层次影响在相当长时期依然存在，全球经济贸易增长乏力，保护主义抬头，地缘政治关系复杂变化，传统安全威胁和非传统安全威胁交织，外部环境不稳定不确定因素增多。
从国内看，经济长期向好基本面没有改变，但发展进入新常态，面临增速放缓、结构优化和动力转换的考验。经济发展加快向更高级阶段演化，增长速度从高速转向中高速，发展方式从规模速度型转向质量效益型，结构调整从增量扩能为主转向调整存量、做优增量并举，发展动力从主要依靠资源和低成本劳动等要素投入转向主要依靠创新驱动。区域战略更加注重促进区域协调发展，更加注重加快欠发达地区发展。国家治理加快向现代化目标推进，更加注重改革的系统性、整体性和协同性，更加注重政府、市场和社会多元治理，更加注重治理过程的制度化、规范化和程序化。
从地区看，面临诸多有利条件：发展基础更加坚实。经过长期发展，地区物质技术基础日益雄厚，基础设施日益完备，生态环境日益改善，产业核心竞争力特别是科教水平不断提升，人力资本累积效应逐步显现。发展区位优势凸显。随着交通设施不断完善和国家“一带一路”、长江经济带战略深入推进，地区将由沿海开放的内陆变为内陆开放的前沿，具有巨大的商圈辐射优势和产业投资市场价值。发展潜能依然巨大。地区处在工业化、城镇化中期阶段，在推动消费主导型需求结构、服务业主导型产业结构、城镇主导型城乡结构形成过程中，新型工业化、信息化、新型城镇化、农业现代化和绿色化同步发展孕育巨大潜能，全面深化改革、全面推进依法治省将极大地释放制度新红利、激活发展新动力。
同时，也面临诸多挑战，发展不充分、不协调、不平衡的基本情况还没从根本上改变，诸多矛盾叠加、风险挑战并存的局面有待进一步扭转。经济总量不大、人均水平较低、综合实力不强，城镇化率、服务业比重和外贸依存度均低于全国平均水平。创新能力不强、发展方式粗放、城乡区域发展不平衡、资源环境约束趋紧、收入差距较大、消除贫困任务艰巨等问题突出。公共服务、社会保障、安全生产、社会治理等存在薄弱环节。县域经济、开放型经济、非公有制经济和金融服务业仍是发展短板。改革攻坚日益触及深层次体制矛盾和利益调整，经济环境不优等问题不同程度存在，改革举措落地需下更大功夫。
按照区域空间发展格局，精准确定功能分区，精准打造发展平台和载体，突出对接重点，推进深度融合，加快一体化步伐，努力在协同发展中构筑新优势。
（一）推动重点领域率先实现突破
围绕区域协同发展的主要目标任务，着力推动交通一体化发展、生态环境共建共享和产业对接协作，在交通、生态、产业三个重点领域率先实现突破。
（二）打造区域协同创新共同体
吸引区域创新资源，推动创新平台建设，完善创新机制，打造区域协同创新共同体。
（三）创新协同发展体制机制
推进要素市场一体化。推进金融市场一体化，积极推动设立区域发展银行，共同出资建立区域产业结构调整基金，推进异地存储、支付清算、保险理赔、信用担保、融资租赁等业务同城化。推进信用数
据库一体化，加快区域企业信用信息数据库的对接。推进信息市场一体化，在区域统一规划部署下，加快建设区域一体化网络基础设施，建设新一代宽带无线移动通信网。推进人力资源市场一体化，在全省率先建立与区域劳务对接、就业协作机制，拓展区域石区域高层次人才自由流动渠道。
三、项目概况
（一）项 目名称
xxx 投资管理公司 xx 项目
（二）项目建设地点
xx 经济技术开发区
（三）产品及服务方案
项目主要产品为 xxx，根据市场情况，预计年产值 298947.46 万元。
（四）项目投资估算
项目预计总投资 106673.15 万元，其中：固定资产投资 86215.74万元，流动资金 20457.41 万元
（五）投资效益分析
项目计划年产值收入 298947.46 万元，净利润 22437.69 万元，综合纳税 11923.23 万元，财务内部收益率 21.65%，全部投资回收期6.08 年。
（六）项目建设期限和进度
项目建设期限规划 27 个月。
该项目采取分期建设，目前项目实际完成投资 70404.28 万元。
（七）主要建设内容和规模
项目总用地面积 146666.52平方米（折合约 220.00 亩），符合规划建设要求。项目总建筑面积 114466.55平方米。
—— 重点项目：x xxx 有限公司 x xx 项目
一、项目建设单位
（一）建设单位
xxx 有限公司
（二）公司基本情况
公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。
未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。
公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。
二、机遇与挑战
当前时期我国仍处于可以大有作为的重要战略机遇期，但战略机遇期内涵发生深刻变化，我省发展也同样面临着有利条件和困难风险挑战。
从有利因素看，国家实施“一带一路”战略，拓展了对外合作新空间。
从不利因素看，国际金融危机深层次影响继续存在，新一轮科技革命和产业变革蓄势待发，面临的竞争更加激烈；国际市场需求不足，对我省重点行业发展形成约束传导。国内对部分行业产能过剩的治理以及投资增长放缓，直接或间接影响一些行业发展，也对扩大投资产生影响。
聚焦重点领域，坚持高端化、集聚化、特色化，重点打造新一代信息技术、新能源及节能环保、高端装备制造、生物医药及医疗装备、汽车及新能源汽车、家用电器、安全食品加工、文化和旅游等主导产业，形成一批具有全球竞争优势的产业集群，基本形成以战略性新兴产业为引领、先进制造业为主体、现代服务业为支撑、现代农业为基础的现代高效产业体系。
（一）发展壮大战略性新兴产业
按照“龙头企业—大项目—产业链—产业集群—产业基地”的发展思路，以战略性新兴产业集聚发展基地为突破口，引导人才、技术、资本、土地等资源要素向战略性新兴产业集聚，努力将战略性新兴产业打造成为推动产业转型升级的新引擎。
（二）改造提升传统优势产业
落实“中国制造 2025”和“互联网+”行动计划，加快传统产业新兴化，通过技术工艺创新、信息技术融合和商业模式创新，深入实施“机器换人”行动计划、工业“强基”工程和质量品牌提升行动，支持企业瞄准国内外标杆企业推进技术改造，推动生产方式向柔性、智能、精细转变，加快工业化和信息化融合。
（三）提速发展现代服务业
以建设服务业集聚区为突破口，推动生产性服务业专业化和高端化发展、生活性服务业精细化和优质化发展、高技术服务业集聚化和集群化发展，全面推动服务业发展提速、比重提高、水平提升。
（四）优化发展现代农业
按照服务城市、改善生态、兴业富民的要求，优化农业空间布局，加强农田水利基础设施建设，推进单功能的传统农业向多功能的现代农业转型升级，着力打造具有鲜明地域特色的都市现代农业体系。
三、项目概况
（一）项目名称
xx 项目
（二）项目选址
xx 经济技术开发区
（三）项目用地规模
项目总用地面积 113333.22平方米（折合约 170.00 亩），项目建设遵循“合理和集约用地”的原则，科学设计、合理布局，符合规划建设要求。
项目总建筑面积 114466.55平方米。
（四）项目总投资及资金构成
项目预计总投资 62374.50 万元，其中：固定资产投资 50452.67万元，流动资金 11921.83 万元
（五）资金筹措
该项目现阶段投资均由企业自筹。
（六）项目预期经济效益规划目标
项目预期达产年营业收入 178793.35 万元，税后净利润 14484.80万元，达产年纳税总额 11893.00 万元，财务内部收益率 15.73%，全部投资回收期 4.79 年。
（七）进度规划
本期工程项目建设期限规划 13 个月。
第四篇：钛靶材项目可行性研究报告
北京智博睿信息咨询有限公司 www.xiexiebang.com
钛靶材项目
可 行 性 研 究 报 告
编制单位：北京智博睿信息咨询有限公司
报告用途：发改委立项、申请资金、申请土地、银行贷款、境内外融资等 北京智博睿信息咨询有限公司 www.xiexiebang.com
本报告是针对行业投资可行性研究咨询服务的专项研究报告，此报告为个性化定制服务报告，我们将根据不同类型及不同行业的项目提出的具体要求，修订报告目录，并在此目录的基础上重新完善行业数据及分析内容，为企业项目立项、上马、融资提供全程指引服务。
可行性研究报告是在制定某一建设或科研项目之前，对该项目实施的可能性、有效性、技术方案及技术政策进行具体、深入、细致的技术论证和经济评价，以求确定一个在技术上合理、经济上合算的最优方案和最佳时机而写的书面报告。
可行性研究报告主要内容是要求以全面、系统的分析为主要方法，经济效益为核心，围绕影响项目的各种因素，运用大量的数据资料论证拟建项目是否可行。对整个可行性研究提出综合分析评价，指出优缺点和建议。为了结论的需要往往还需要加上一些附件，如试验数据、论证材料、计算图表、附图等，以增强可行性报告的说服力。
可行性研究是确定建设项目前具有决定性意义的工作，是在投资决策之前，对拟建项目进行全面技术经济分析论证的科学方法，在投资管理中，可行性研究是指对拟建项目有关的自然、社会、经济、技术等进行调研、分析比较以及预测建成后的社会经济效益。在此基础上，综合论证项目建设的必要性，财务的盈利性，经济上的合理性，技术上的先进性和适应性以及建设条件的可能性和可行性，从而为投资决策提供科学依据。
报告用途：发改委立项、申请资金、申请土地、银行贷款、境内外融资等 北京智博睿信息咨询有限公司 www.xiexiebang.com
投资可行性报告咨询服务分为政府审批核准用可行性研究报告和融资用可行性研究报告。审批核准用的可行性研究报告侧重关注项目的社会经济效益和响；融资用报告侧重关注项目在经济上是否可行。具体概括为：政府立项审批，产业扶持，银行贷款，融资投资、投资建设、境外投资、上市融资、中外合作，股份合作、组建公司、征用土地、申请高新技术企业等各类可行性报告。
报告通过对项目的市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等方面的研究调查，在行业专家研究经验的基础上对项目经济效益及社会效益进行科学预测，从而为客户提供全面的、客观的、可靠的项目投资价值评估及项目建设进程等咨询意见。
另：提供国家发改委甲、乙、丙级工程咨询资质 北京智博睿信息咨询有限公司
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可行性研究报告大纲（具体可根据客户要求进行调整）第一章 钛靶材项目总论
1.1钛靶材项目概况
1.1.1钛靶材项目名称
1.1.2钛靶材项目建设单位 1.1.3钛靶材项目拟建设地点
1.1.4钛靶材项目建设内容与规模
报告用途：发改委立项、申请资金、申请土地、银行贷款、境内外融资等 北京智博睿信息咨询有限公司 www.xiexiebang.com
1.1.5钛靶材项目性质
1.1.6钛靶材项目总投资及资金筹措
1.1.7钛靶材项目建设期
1.2钛靶材项目编制依据和原则
1.2.1钛靶材项目编辑依据 1.2.2钛靶材项目编制原则 1.3钛靶材项目主要技术经济指标 1.4钛靶材项目可行性研究结论
第二章 钛靶材项目背景及必要性分析
2.1钛靶材项目背景
2.1.1钛靶材项目产品背景 2.1.2钛靶材项目提出理由 2.2钛靶材项目必要性
2.2.1钛靶材项目是国家战略意义的需要
2.2.2钛靶材项目是企业获得可持续发展、增强市场竞争力的需要
2.2.3钛靶材项目是当地人民脱贫致富和增加就业的需要
第三章 钛靶材项目市场分析与预测
3.1产品市场现状
报告用途：发改委立项、申请资金、申请土地、银行贷款、境内外融资等 北京智博睿信息咨询有限公司 www.xiexiebang.com
3.3市场形势分析预测
3.4行业未来发展前景分析
第四章 钛靶材项目建设规模与产品方案 4.1钛靶材项目建设规模
4.2钛靶材项目产品方案
4.3钛靶材项目设计产能及产值预测
第五章 钛靶材项目选址及建设条件
5.1钛靶材项目选址
5.1.1钛靶材项目建设地点 5.1.2钛靶材项目用地性质及权属 5.1.3土地现状
5.1.4钛靶材项目选址意见 5.2钛靶材项目建设条件分析
5.2.1交通、能源供应条件 5.2.2政策及用工条件
5.2.3施工条件
5.2.4公用设施条件 5.3原材料及燃动力供应
5.3.1原材料
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5.3.2燃动力供应
第六章 技术方案、设备方案与工程方案 6.1项目技术方案
6.1.1项目工艺设计原则
6.1.2生产工艺
6.2设备方案
6.2.1主要设备选型的原则 6.2.2主要生产设备 6.2.3设备配置方案 6.2.4设备采购方式 6.3工程方案
6.3.1工程设计原则
6.3.2钛靶材项目主要建、构筑物工程方案
6.3.3建筑功能布局 6.3.4建筑结构
第七章 总图运输与公用辅助工程 7.1总图布置
7.1.1总平面布置原则
7.1.2总平面布置
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7.1.3竖向布置
7.1.4规划用地规模与建设指标
7.2给排水系统
7.2.1给水情况
7.2.2排水情况
7.3供电系统 7.4空调采暖
7.5通风采光系统
7.6总图运输
第八章 资源利用与节能措施
8.1资源利用分析
8.1.1土地资源利用分析
8.1.2水资源利用分析
8.1.3电能源利用分析
8.2能耗指标及分析 8.3节能措施分析
8.3.1土地资源节约措施
8.3.2水资源节约措施
8.3.3电能源节约措施
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第九章 生态与环境影响分析
9.1项目自然环境
9.1.1基本概况
9.1.2气候特点
9.1.3矿产资源
9.2社会环境现状
9.2.1行政划区及人口构成 9.2.2经济建设
9.3项目主要污染物及污染源分析 9.3.1施工期 9.3.2使用期
9.4拟采取的环境保护标准 9.4.1国家环保法律法规
9.4.2地方环保法律法规
9.4.3技术规范
9.5环境保护措施
9.5.1施工期污染减缓措施 9.5.2使用期污染减缓措施
9.5.3其它污染控制和环境管理措施
9.6环境影响结论
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第十章 钛靶材项目劳动安全卫生及消防 10.1劳动保护与安全卫生
10.1.1安全防护 10.1.2劳动保护 10.1.3安全卫生 10.2消防
10.2.1建筑防火设计依据
10.2.2总面积布置与建筑消防设计
10.2.3消防给水及灭火设备
10.2.4消防电气 10.3地震安全
第十一章 组织机构与人力资源配置
11.1组织机构
11.1.1组织机构设置因素分析 11.1.2项目组织管理模式
11.1.3组织机构图
11.2人员配置
11.2.1人力资源配置因素分析 11.2.2生产班制 11.2.3劳动定员
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表11-1劳动定员一览表
11.2.4职工工资及福利成本分析
表11-2工资及福利估算表 11.3人员来源与培训
第十二章 钛靶材项目招投标方式及内容
第十三章 钛靶材项目实施进度方案
13.1钛靶材项目工程总进度
13.2钛靶材项目实施进度表
第十四章 投资估算与资金筹措
14.1投资估算依据
14.2钛靶材项目总投资估算
表14-1钛靶材项目总投资估算表单位：万元
14.3建设投资估算
表14-2建设投资估算表单位：万元
14.4基础建设投资估算
表14-3基建总投资估算表单位：万元
14.5设备投资估算
表14-4设备总投资估算单位：万元
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14.6流动资金估算
表14-5计算期内流动资金估算表单位：万元
14.7资金筹措
14.8资产形成第十五章 财务分析
15.1基础数据与参数选取
15.2营业收入、经营税金及附加估算
表15-1营业收入、营业税金及附加估算表单位：万元 15.3总成本费用估算
表15-2总成本费用估算表单位：万元
15.4利润、利润分配及纳税总额预测
表15-3利润、利润分配及纳税总额估算表单位：万元 15.5现金流量预测
表15-4现金流量表单位:万元
15.6赢利能力分析
15.6.1动态盈利能力分析
16.6.2静态盈利能力分析
15.7盈亏平衡分析
15.8财务评价
表15-5财务指标汇总表
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第十六章 钛靶材项目风险分析
16.1风险影响因素
16.1.1可能面临的风险因素
16.1.2主要风险因素识别
16.2风险影响程度及规避措施 16.2.1风险影响程度评价
16.2.2风险规避措施
第十七章 结论与建议 17.1钛靶材项目结论
17.2钛靶材项目建议
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第五篇：2013中国国际靶材产品及应用技术展览会11
2013第三届上海国际靶材产品及真空镀膜技术展览会 时 间：2013年5月22-24日 地 点：上海光大会展中心(展馆)
主办单位： 支持单位：
中国表面工程协会 中国电子科技集团有限公司 中国科学协会电子工程分会 中国电子信息工业集团公司 中国电子学会电子材料分会 中国电子器材产业总公司
国际协办： 中国能源学会光伏专业委员会 国际电子联合会 欧洲光伏产业协会 全球半导体设备协会
日本半导体制造装置协会 美国半导体行业协会(SIA)日本电子情报技术产业协会
展会背景
随着中国经济的持续高速发展，靶材及真空镀膜应用半导体芯片制造、平板显示器、太阳能、电池、微型元器件、玻璃镀膜、装饰材料功能镀膜工业等各个行业。随着材料表面技术的飞速发展,世界对靶材及镀膜工业需求规模日益强盛。快速增长的市场,离不开高品质的行业盛会推动行业的进一步发展,在得到相关主管部门和行业协会的大力支持下,第三届上海国际真空镀膜技术及靶材产品展览会定于2013年5月22日至24日在上海光大会展中心举行。届时,组委会将邀请众多国内外靶材技术、产品、镀膜设备、新材料等最新技术和产品将在会上展出。在展览会期间,组委会还将组织一系列前瞻性、实用性、导向性的技术交流和新品发布等活动,为用户、企业、研究机构和贸易团体提供一个广阔的交流平台。大会组委会将以最高规格、最大规模、最完善的工作组织方案为您打造供需双方最佳展示交流采购平台,热忱欢迎新老朋友踊跃报名参加。上届回顾
上届展会于2012年4月在上海光大会展中心成功举办，展览面积将近1万平方米，汇集了美国、日本、法国、英国、德国、意大利、瑞士、西班牙、芬兰、瑞典、新加坡、韩国、澳大利亚、中国台湾、香港及中国大陆的近三百家企业,共有来自18个国家与地区8910人次莅临参观。展会汇集全球领先的表面工程材料、设备与技术，展览期间有中国表面工程协会主办的“国际表面工程研讨会，研讨会报告嘉宾云集国内外权威专家，他们介绍表面工程领域先进技术、行业现状、发展趋势和先进管理经验，引起了业界强烈反响，参会代表近500人。85%的参展企业及参会代表表示：见到了许多潜在用户，又了解到了一些本行业先进产品及技术，还与同行进行了广泛的交流，参加本次展览及会议超出了预期效果。参展范围
镀膜材料：靶材产品、光学镀膜材料、金属膜料、陶瓷靶材、合金靶材、氧化物靶材、硼化物靶材、碳化物靶材、贵金属靶材、稀有金属靶材、钛，铌，锆，镍，钽，钨，钼，铪，铬银等单一金属靶材、高纯合金靶材、蒸发材料、溅射靶材、特种靶材等各类靶材。
镀膜材料设备：冷等静压机，热等静压机，高温钎焊炉，烧结炉，中频感应炉，电子束区熔炉，电子束熔炼炉，大面靶材钎焊炉，高温真空热压炉，轧机等 镀膜设备：真空离子镀膜机、真空蒸发镀膜机、真空镀膜机、磁控溅射镀膜机、光学镀膜机、光纤镀膜、CVD设备、MOCVD设备、薄膜沉积设备、玻璃镀膜设备、蒸镀设备、离子束沉积设备、电子枪、离子源、蒸发沉积掩膜、晶振片、镀膜夹具、配件、仪器、镀膜测试与监控设备、膜厚监测仪、镀膜牢固度测试器等；PVD涂层、TiN涂层、TiC涂层、TiCN涂层、ZrN涂层、CrN涂层、MoS2涂层、TiAlN涂层、TiAlCN涂层、TiN-AlN涂层、CNx涂层、DLC涂层、ta－C涂层等多元复合涂层；
收费标准：（双面开口展位加收原展位费的20%）
1．标准展位9m2（3m×3m）配置：展出场地、三面展板（2.5m高）、楣牌制作、一张洽谈桌、二把椅子、九平方地毯、220V电源插座一个、二支射灯、保安、清洁服务；
2．光地（36m2起租）配置： 展出场地、保安、清洁服务；
3．国内企业：13800元/个展台/展期 光地1400元/平方米/展期 4.国外企业USD3000/展台/展期 光地USD300/平方米/展期 ◆会刊：
1．为配合展商在展览期间宣传及让客户了解展商并在会后能与之沟通联系，组委会将精心编制大会会刊，会刊除向现场参观的专业人士派发外，还向行业主管部门、代理商、销售商、用户单位、协（学）会等单位寄发，企业可根据具体情况认登会刊版面。
2.会刊版面收费： 封 面25000元 封 一 15000元 彩 页6000元
封 底20000元 封 二 10000元 黑 白3000元 ◆其它广告：
1．参观券：规格85mm×195mm，收费18000元/万张，三万张起印。2．观众入场证件广告40000元/1万个,共3万个。3．充气拱门：20000元/展期，放置在展厅主入口处。4．黄金赞助12万元、铂金赞助16万元、详细资料备索。◆参展提示：
1．索取参展报名表认真填写《参展申请及合约》表并加盖章传真至组委会。2．展位顺序分配原则：“先申请，先付款，先安排”。
3．参展商申请展位后在5个工作日内将展位费用50%或全款电汇至大会指定的帐号，余款在2013年5月1日前付清, 款汇后回单传真至组委会以便核查。
4．如因不可抗力因素或不以主办方主观意志为转移的因素：如重大流行疫情或与政府举办的重大活动有冲突及其它原因, 延期举办此次展览会 ,则主办方有权要求参展方继续参展，并且不承担退还乙方己付参展费用的责任。5．为了保证大会整体形象，组委会保留调整部分参展商展位的最终权力。
◆展览联系: 上海斌博展览策划有限公司
地 址：上海市浦东新区德平路58弄9号601 邮 箱:jiangshengya2012@163.com 邮 编：200136
电 话：+86-21-36513753 手 机：*** 传 真：+86-21-33275182 联系人：姜 楠
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