稀奥科（范文）

第一篇：稀奥科（范文）

企业简介

内蒙古稀奥科镍氢动力电池有限公司是由内蒙古包钢稀土高科技股份有限公司（股票代码600111）、美国能源转换器件公司（ECD）/美国欧文尼克电池公司（OBC）、美国和光交易公司（WKC）共同投资建设的中美合资企业，注册资本为3200万美元。工厂位于国内唯一以“稀土”冠名的国家级高新技术产业开发区--包头稀土高新技术产业开发区内，占地面积60000平方米，厂房土建面积9200平方米。公司现有员工100余人，其中大专以上学历约占70%，硕士研究生9名，中级以上技术职称占47.5%。专业实力

公司拥有美国Ovonic电池公司在世界范围内的镍氢动力电池专有技术和专利，采用日本三樱工业株式会社（Sanoh）的镍氢动力电池生产工艺，镍氢电池极板、镍氢动力电池装配自动化生产线及质量检测设备全部从美国、日本引进，已形成年产700万只D型镍氢电池的设计生产能力，是目前国内产能最大、技术装备水平最高的镍氢动力电池专业生产企业。所生产镍氢动力电池产品性能卓越，一致性好，主要性能指标世界领先、国内一流，广泛用作电动车、电动工具、铁路、渔业船舶、矿山、通讯等领域的配套电源。

主营产品

公司主要产品为“奥科”牌系列镍氢动力电池和电池组块，组块方式可根据用户要求设计。

品质保证

稀奥科公司的镍氢动力电池生产线系全套引进国外设备，是目前国内设备最先进、自动化程度最高、检测手段最为齐全的镍氢动力电池生产线质量认证

公司已通过ISO9001质量体系认证，镍氢动力电池产品获欧盟CE认证、欧盟ROHS认证、北美UL认证，经美国ECD/OBC公司授权可在全球各地区销售。

发展愿景

公司将秉承“求真务实、高能高效”的企业精神，恪守“卓越来自精细，业绩源于勤奋；压力产生动力，沟通创造和谐”的工作作风，以先进的技术、科学的管理、周到的服务、良好的信誉，与国内外企业和朋友真诚合作，共谋发展

第二篇：油漆、稀料管理制度规定

山东博优机械科技股份有限公司

油漆、稀料管理制度规定

1、目的为了安全地对油漆进行控制和管理，确保环境、职业健康安全管理体系有效运行，特制定本管理规定。

2、范围管理规定适用于公司质量、环境、职业健康安全体系中所有油漆及的控制和管理。

3、职责

3.1 公司统一进行油漆的采购、保管和发放工作。

3.2 定期检查油漆是否按本管理规定的要求控制管理。

3.3 分包、分项外包的单位所涉及的油漆亦应按本管理规定严格执行控制。

4、程序

4.1存储油漆的库房必须设置在干燥、阴凉、通风的地方。

4.3库房内必须配备充足的并与各种油漆相适应的消防器材。

4.4油漆应分类分项堆放，化学性质或防护、灭火方法相互抵触的化学品不得在同一库房内存放。

4.5油漆桶的商标要一律向外。

4.6油漆应根据需求，随用随购，尽量减少库存。

4.7油漆应定期检查并翻转堆放，以免储存日久沉淀接块，影响使用。

4.8库房地面必须防潮、防渗、库房内必须保持清洁。

4.9油漆装卸时，必须轻拿轻放，严禁碰撞或在地上滚动。及时检查封闭是否良好，发现问题及时采取补救措施。

4.10碰撞、相互接触容易引起燃烧、爆炸或造成其他危险的物品以及化学性质或防护、灭火方法相抵触的物品，不得混合装运。

第三篇：稀磁半导体的研究

稀磁半导体的研究

摘要：稀磁半导体因兼具有磁性材料的信息存储功能和半导体材料的信息处理功能，使其成为微电子学研究的热点。本文将就稀磁半导体的性质和应用，以及研究现状和发展趋势等做一简单介绍。

关键词：稀磁半导体 自旋电子学 半导体物理学

1.引言

信息的海量存储和高速互联，把人们带入了信息时代。目前支撑信息技术存在和发展的两大决定性因素分别是信息的存储和信息的处理。信息的存储是利用了磁性材料中电子的自旋属性，而信息的处理则依靠半导体芯片中电子的电荷属性得以实现。而随着近年来制作工艺水平的迅速提高，这种电荷和自旋彼此孤立的微电子学器件也即将达到物理极限[1]。因此一直以来，研究人员有个自然的想法：能否构造将磁、电集于一体的半导体器件。同时利用自旋和电荷自由度最为成功的的电子器件是由多层铁磁金属膜制备的磁盘读写头,而几乎所有的半导体

[2]器件都是利用载流子的电荷来完成其功能的。这是因为通常半导体材料如硅、砷化镓等都是非磁性材料。长期以来，人们试图将少量的磁性原子掺入非磁性半导体材料中,期待得到磁性半导体材料,制备出集磁、光、电于一体的,低功耗的新型半导体电子器件。

2.稀磁半导体简介

稀磁半导体（DMS）又称半磁半导体，是指在非磁性半导体材料基体中通过掺入少量磁性过渡族金属元素或稀土金属元素使其获得铁磁性能的一类新型功能材料[3]。因稀磁半导体既利用了电子的自旋属性和电荷属性，所以稀磁半导体制作的器件既具有磁性材料器件的信息存储功能，又具有半导体器件的信息处理功能。常用的制备方法有离子注入法（Ion implantation）、分子束外延法（MBE）、金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）等多种工艺[4]。

3.稀磁半导体的性质

稀磁半导体呈现出强烈的自旋相关的光学性质和输运性质，如巨塞曼效应、巨法拉第旋转、自旋共振隧穿和自旋霍尔效应等．这些效应为人们研究制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础[5]。

3.1.巨塞曼效应和巨法拉第旋转

巨塞曼效应是指由载流子和磁性离子之间的sp-d交换相互作用引起的电子和空穴的巨大的自旋劈裂效应[6]。采用圆偏振抽运光照射半导体材料，当一束线偏振的探测光透过材料后其偏振面会发生偏转，透射光偏振面的偏转角称为法拉第角(反射光称为克尔角)．当材料是稀磁半导体时，偏转角要比非磁性半导体材料大1～2数量级．该现象被称为巨法拉第旋转．可以从法拉第角随时间变化的规律来研究载流子和磁离子自旋的弛豫和输运，以及如何用外电场、外磁场和光场来操纵自旋。

3.2.自旋共振隧穿和自旋霍尔效应 近年来稀磁半导体材料在磁场下的输运性质有大量的研究，主要研究的是稀磁半导体结的隧穿和霍尔效应。隧穿输运方面主要是研究通过磁性半导体结的自旋注入．自旋注入是实现半导体材料自旋电子器件的首要问题。室温下半导体材料中的自旋注入，目前实验上有两种实现途径：一类是通过铁磁金属和半导体界面注入；另一类是通过稀磁半导体结隧穿注入．在输运性质方面，人们还在铁磁半导体中发现了反常霍尔效应(或自旋霍尔效应)和各向异性磁电阻[7]。反常霍尔效应给我们提供了关于磁性半导体薄膜载流子自旋极化和散射机制的信息．通常稀磁半导体材料的磁化强度相当小，由于反常霍尔效应灵敏度较高，因此可间接反映磁化强度的大小，甚至确定居里温度。

4.稀磁半导体的研究进展

关于磁性半导体的研究可以追溯到上个世纪60年代，即关于浓缩磁性半导体的研究。所谓浓缩磁性半导体即在每个晶胞相应的晶格位置上都含有磁性元素原子的磁性半导体。例如Eu 或Cr 的硫族化合物:岩盐结构(NaCl—type)的EuS 和EuO 以及尖晶石结构(Spinel s)的CdCr2 S4 和CdCr2 Se4等 ,这些浓缩磁性半导体也被称为第一代磁性半导体[8]。但由于这类浓缩磁性半导体的居里温度太低，且高质量的浓缩磁性半导体薄膜及其异质结构的生长制备和加工方面存在着难以克服的困难，因此,迄今为止这些岩盐结构和尖晶石结构的磁性半导体主要用于基础研究和概念型器件的研究。

进入上个世纪80 年代,人们开始关注稀磁半导体，即少量磁性元素与II—VI族非磁性半导体形成的合金，如(Cd ,Mn)Te 和(Zn ,Mn)Se 等[9]。这些II—VI 族稀磁半导体被称为第二代磁性半导体。这类稀磁半导体虽然相对容易制备，但替代二价阳离子的二价Mn 离子是稳定的,产生的载流子不仅很少,而且也很难控制,所以这种稀磁半导体经常是绝缘体。这严重地限制了其实际应用。尽管如此,人们对II—VI族稀磁半导体的研究和探索一直没有放弃,近年来,又不断地取得了一些新的进展。

上世纪80年代末和90年代中期,利用低温分子束外延技术(L T—MBE)生长的Mn 掺杂III—V 族稀磁半导体(In ,Mn)As 和(Ga ,Mn)As 等引起了人们的高度关注,并称以(Ga ,Mn)As 为代表的III—V 族稀磁半导体为第三代磁性半导体。这些III—V 族稀磁半导体很容易与III—V 族非磁性半导体GaAs、AlAs、(Ga ,Al)As 和(In , Ga)As 等结合形成异质结构,并且与呈现巨磁阻(GMR)效应的金属多层膜类似,其异质结构中也存在着自旋相关的散射、层间相互作用耦合、隧穿磁阻等现象。目前这类稀磁半导体的居里温度还不能满足实际工作要求。因此,提高稀磁半导体的居里温度、探索新的磁性半导体材料已经成为目前半导体自旋电子学研究的一个热点[10]。

5.稀磁半导体的应用

稀磁半导体因具有一系列良好的属性，因此近年来得到了较大的关注。随着研究的一步步深入，稀磁半导体也逐渐能够应用到光电子学或微电子学的器件制备中：（1）利用稀磁半导体的巨法拉第旋转效应可制备非倒易光学器件,也可用于制备光调谐器、光开关和传感器件；（2）利用磁性和半导体性实现自旋的注入与输运,可造出新型的自旋电子器件,如自旋过滤器和自旋电子基发光二极管等;（3）通过改变磁性离子的浓度可得到所需要的带隙,从而获得相应的光谱效应。由于其响应波长可覆盖从紫外线到远红外线的宽范围波段,这种DMS 是制备光电器件、光探测器和磁光器件的理想材料；（4）稀磁半导体的磁光效应为光电子技术开辟了新的途径。利用其磁性离子和截流子自旋交换作用(sp-d 作用)所引起的巨g 因子效应,可制备一系列具有特殊性质的稀磁半导体超晶格和量子阱器件。除了以上这些具体的应用之外，利用与自旋相关的输运、磁阻效应和磁光效应等，还可制造出一些新材料和人造纳米结构,包括异质结构(HS)、量子阱(QW)和颗粒结构。总之，随着研究的深入和制备技术的进步，稀磁半导体在半导体微电子学，光电子学，固体物理学等方面的应用将非常普遍[11]。

6.结语

稀磁半导体材料具有极高的应用价值,其研究已愈来愈受到人们的重视，各国已开展了大量的实验工作,研究重点已由先前的纯理论研究慢慢转向将基础研究与应用研究相结合。随着MBE 等技术的发展,制备高质量的稀磁半导体量子阱和超晶格成为可能,使DMS材料在光电子器件上的应用将具有更广阔的前景，并将对信息和自动化工业的发展产生重要的推动作用[12]。

参考文献

[1]邓正,赵侃等.电荷自旋注入机制分离的新型稀磁半导体[J].物理.2013（10）.[2]常凯，夏建白.稀磁半导体-—自旋和电荷的桥梁[J].物理.2004,(06).[3]刘学超，陈之战等.ZnO基稀磁半导体磁性机理研究进展[J].无机材料学

报.2009,1(24）.[4]钟红梅.自旋电子学研究[J].红外.2004,(03).[5]侯登录.稀磁半导体的制备与性质[J].物理实验.2005,8(25).[6]王颖,湛永钟等.稀磁半导体材料的研究进展及应用前景[J].材料导 报.2007,7(21).[7]马军.稀磁半导体超晶格中的隧道磁电阻[J].科学技术与工程.2013,3(13).[8]赵建华, 邓加军等.稀磁半导体的研究进展[J].物理学进展.2007,2(27).[9]许小红，李小丽等.氧化物稀磁半导体的研究进展[J].物理学进 展.2012,4(32).[10]颜冲，于军等.自旋电子学研究进展[J].固体电子学研究与进 展.2005,1(25）.[11]张亚萍，潘礼庆.氧化物稀磁半导体材料的理论与实验研究进展[J].材料导

报.2009(17).[12]黄林琳，许天才.稀磁半导体的研究现状[J].化学工程与装备.2010(09).

第四篇：人生70古来稀美文

7月25日，我早早醒来。当意识到这一天是什么日子的时候，我忍不住呻吟起来。就在那短短的片刻，我70岁了。我迈过了宿命的栏杆，《圣经》上讲的人生之旅，我已经走完了。家人们聚在一起为我祝寿。我想，我们到底在庆祝什么呢？大概是幸存吧，我猜。

可我意识到，苍老的迹象不容回避。如果我弯腰太久，背就会咔咔作响。每天早晨醒来，它总是僵硬不堪。我发现坐着穿袜子比较容易。大清早我就得吃这样那样的药丸，简直是我每天的死亡闹钟。我猜，只吃这么点药，我还算运气好的。

死亡本身也提上了我的日程，它最终降临到了我这代人身上。父母、姑妈、伯父的去世固然哀痛，但如果他们年龄到了，就是意料中的事。只有当你的同龄人接连消失时，你才会惊醒，才会带着全新的感受阅读讣告，看看他们到底活了多少岁。这些日子我们出席了比往常更多的葬礼和追悼会，悲恸是免不了的，但同时却有些奇怪的欣慰感：这么多熟悉的面孔，这么多共同的回忆，想到逝者生前过得很好，悲痛在不知不觉中淡去。然而，当我离开时，我意识到，自己的日子不会太远了。是时候把房子收拾收拾了，我对自己说。接着乐观情绪又占了上风。要做好永远活下去的打算，有人说，要把每一天当成人生最后一天来过。建议当然很好，可在阴云密布的日子里，实践起来很难。

那些出席我葬礼的人，会认为我这一生过得不错吗？我问自己。多年以来，许多大学授予我名誉博士学位。在这类场合，你往往得当着所有毕业生的面，站在讲台上，听一名教员大声宣读对你的嘉奖令，或授予你学位的理由，这挺像是对追悼会的预演。我经常站在那里想，我是不是已经死了。嘉奖令里都是些恭维话，必然是这样，总不能批评你正在授予荣誉的人吧。因此，它们只阐述了我们是什么人的部分真相。真正的人生，大都藏在公众的视线之外。即便是大明星也一样，连狗仔队也无法揭示他们完整的自我。我们，本应是最了解自己的人，可不见得能随时面对真相。然而，随着死亡的脚步逼近，诚实地对待自己所过的人生，并不会带来什么太大的损失。

亚里士多德建议我们试着躺到灵床上，想象自己到了人生最后一天该如何评价自己的人生。有时，我会叫研讨班里的经理人们做个类似的测试。“请设想一下，当你垂垂老矣，马上就要告别人世。在追悼会上，你希望你最好的朋友为你宣读怎样的悼词呢？请简短地写出来。”当然，他们会发现这很难，因为他们才刚刚步入事业中期。实际上，30岁以下的人，没亲历过死亡的人，没体验过任何丧亲之痛的人，根本无法设想这类情况，只会把它写成白日梦或笑话。年纪较大的人才能完成这个练习。他们必须想象，80岁的时候，自己站在生命的尽头。当他们回首过往，会意识到，很多现在占用他们时间和精力的事情，从长远的观点来看都是毫无意义的。朋友的悼词，多半会略过他们事业的，集中在过世者是一位什么样的人上再缅怀一两件往事，最后，以逝者留给亲人什么样的记忆告终。死者生前是什么样的人，往往比他们做了什么更重要。

随着年龄的增长，你想打动的人也越发少了。因此你看到了真相，或许就有胆量说出来，过你想过的生活，把时间花在你重视的人身上。圣奥古斯丁认为，生活就像充满诱惑的阶梯，你要向上爬，就必须要把诱惑踩在脚下。爬得越高，抛弃的诱惑越多。和爬大多数的梯子不一样，年纪越大，经历越多，人生之梯反倒越爬越轻松，因为大部分诱惑很早以前就被抛之身后了。

躺在床上，我再次意识到生活是多么短暂，忙忙碌碌地奋斗是多么不合逻辑，可其中又有一些片段弥足珍贵。总而言之，我意识到生活待我不薄。慈爱的双亲抚养我长大，碰上了我钟爱的妻子，生下一双了不起的孩子，该获得的成功一样没拉下，有良朋益友，身体健康。在人生最后阶段，能在爱我的人陪伴下，做自己爱做的事，一定是天赐之福。我不应该再吹毛求疵。

第五篇：棉花稀植栽培技术分析论文

摘要：本文介绍通过千棵千斤稀植高产栽培示范，总结出适合江淮地区高产棉花品种配套适宜的栽培技术。

关键词：棉花；稀植；高产栽培

为了最大地发挥高产棉花生产潜力，探索高产棉花栽培模式，通过千棵千斤稀植高产栽培示范，总结出适合江淮区域高产棉花品种栽培技术措施，作为高产棉花品种配套适宜的栽培技术，最终达到最佳产量，为农民产棉增收提供科学依据。

1技术措施

以选用优良杂交棉种为前提条件，培育壮苗为基础，通过提高移栽质量促早发，加强田间配套栽培管理为途径，采取高肥水投入、全程化控等手段，以病虫害综合防治为保证，实现千棵千斤棉的高产目的。

2目标产量

2.1产量籽棉500kg，皮棉200kg。

2.2产量结构1000株/667m2，成铃85个/株以上，单铃重6g以上，衣分40%。

2.3肥料运筹采取稳氮磷、增钾补微的策略，坚持前适、中重、后补的原则。每667m2棉田准备N:P2O5:K2O=35～40:7.5～12:32～35kg，移栽时基苗肥占总施肥量的25%左右；花铃肥分两次施用，用量占总施肥量的60%～65%，第一次初花期用量20%，剩余盛花期使用；8月上旬增施长桃肥，用量占总施肥量的10%～15%。磷肥在移栽时一次性施入，钾肥分2次，基肥和第1次花铃肥各施50%。硼、锌肥等微量元素肥料在移栽时施入。

2.4耕作栽培方式采用育苗移栽，常规露地栽培。

2.5全程化控稀植千斤棉花成功的关键措施之一就是掌握化控时间、次数和用量。大多抗虫杂交棉在蕾期就要开始系统化调，按照“早、轻、勤”和“前轻、中适、后重，少量多次”的原则进行。

3田间管理技术

3.1选用优良抗虫杂交棉种，适时播种，培育壮苗选择杂交优势强、增产潜力大、单株结铃多、単铃重高、抗逆性、适应性强的品种。

壮苗的标准：苗高10～15cm，真叶3～4片，白根盘满钵，叶片清秀无病斑。

3.1.1苗床选择背风向阳，排水条件好，无病害的田头地角。

3.1.2营养土的配方营养钵要求氮、磷、钾养分齐全。苗床的大小以宽1.3m长8～9m。肥料：过磷酸钙4kg、三元复合肥3kg、菜饼4kg（无饼肥的，腐熟人粪尿一担）。

3.1.3制钵备播①大钵育苗制钵器直径6.5～7cm。②制钵的关键是水分，一般可直观来判断，常用的方法是手捏床土不沾、能成型，或手紧握成团齐胸落地松散为准。③提倡提前制钵，反对边制钵边播种。边制钵边播种，要上午制钵，15：00之前播完，再盖好土，消毒，盖膜。这样才能保持膜内高温,高湿,出苗快，出苗齐。否则傍晚盖膜，膜内温度低，出苗慢，第二天如遇到低温阴雨天气，影响出苗率。④钵土“三消毒”，一是制钵前的消毒，二是点籽前的消毒，三是对盖籽土的消毒。

3.1.4适时播种与点籽俗话说得好：“清明早，立夏迟，谷雨出苗正当时”。播种时气温已稳定在15℃以上为宜，一般4月中上旬，“冷尾暖头”抢晴天播种，上午点籽。

3.1.5苗床管理技术①高温高湿催齐苗。播种至齐苗前，要严密覆盖，高温高湿催齐苗，床温保持30～35℃。②散湿保苗。出苗70%～80%，床内温度保持在25～30℃。为防止湿度过大、温度过高，可在膜的两侧每隔2.5m左右揭开小口通风，高温时两边掀开，两头通风散湿，采用晴天通风，晚上覆盖方法，保温保湿促苗生长。出真叶后，揭开膜晒床2～3d，晒白为止，同时进行药剂防病，不能浇水，夜间盖好。③炼苗与“蹲苗”。

3.2提高移栽质量，缩短缓苗期，促苗早发总的原则是“一看二分”，看产量目标而定；分品种、分地质；目的是发挥个体优势，发挥杂交优势。每667m2密度在1000株，实行“宽行窄株，等行移栽”的模式，行距120cm×55cm（130cm×50cm），走“小群体，大个体”之路，充分发挥抗虫杂交棉的个体优势。

3.2.1适时移栽，做到“三栽、三不栽”①苗龄不到不栽（30d以上），真叶3～4片为宜，一般30d以上的棉苗抗逆性强，发根力强，易于成活，缓苗期短。②气温不稳定在20℃不栽（温度过低，僵苗不发），③土不爽不栽（湿土移栽，根系湿度大，氧气少，会僵苗不发，尤其是寒潮过后的第二天上午，不能移栽），有“宁等一日迟，不抢一日湿”的说法。

3.2.2高质量移栽技术棉花缓苗期是棉花移栽后的正常现象，但缓苗期的长短是可以人为控制的。基肥至移栽前后，大田667m2施45%三元复合肥15kg，尿素5kg，钾肥10kg，饼肥25kg，进口硼肥250g，加少量锌肥,混合,开沟埋施；移栽后，钵面要低于地面1～2cm，先埋土2/3，随即浇活棵水，待水下渗后，再将土盖平，钵体不能露肩。

3.2.3巧施、轻施提苗肥早施、轻施提苗肥，促平衡生长。苗期如遇干旱天气，应及时补施提苗肥，3kg尿素，3kg钾肥浇泼一次，离根10cm左右，或雨后撒施于行间。总之，苗肥要早、轻、勤，看苗看天，适量为准。

3.2.4开好“三沟”“三沟”配套可降低地下水位。

3.2.5浅中耕锄草破土增温，通氧、通气，有利于棉苗根系深扎扩展，提高吸水吸肥能力，减少杂草与棉苗争光争肥；适当减少免中耕化学除草次数，防止土壤板结。这些管理都是防止后期早衰的重要措施。

3.3蕾期栽培管理蕾期管理要以调节好肥、水为中心，配合中耕、化调、整枝等措施，合理运用促进与控制技术，促控结合，实现发棵稳长，搭起丰产架子。在水肥棉田要以控为主，控中有促。在旱薄棉田要以促为主，天控人促。

3.3.1稳施蕾肥由于蕾期要求棉株稳长，因此在施肥上要适当控制，特别是要控制氮肥的施用，要以有机肥、磷、钾肥为主。

3.3.2及时清沟沥水，降低地下水位“水是棉花的病”。要及时开好“三沟”，降低地下水位，促根深扎，扩大根群，提高根系吸收能力，增强抗病能力，减少枯、黄萎病和缺钾性生理性病害的发生，防止“水控花”和“水发花”的发生，促进棉苗“旺”中有“稳”，长而不疯。

3.3.3搞好中耕培土，防除杂草，破板结蕾期中耕对控制棉苗徒长，促进根系深扎、发棵稳长、防止早衰具有重要作用。一般蕾期中耕松土2～3次，深度5cm。中耕可以结合施蕾肥进行。蕾期养根是防止早衰的关键。蕾期至初花期应结合中耕进行培土。棉花高培土（10～13cm）是一项高产栽培的农业措施，它的作用是提高地温，增加活土层，有利于微生物活动，提高保肥能力；有利于保墒、抗旱、排水；增强抗风防倒伏能力；有利于行间通风，减少烂铃。

3.3.4全程化控，肥促化控大多抗虫杂交棉在蕾期要开始系统化调，按照“早、轻、勤”和“前轻、中适、后重，少量多次”的原则进行。沿江棉区蕾期正值梅雨季节，科学合理化调，争取蕾多、蕾大，减少蕾铃脱落，增结伏前桃和伏桃；同时要稳搭丰产架子。具体做法是：在主茎8～9片真叶期（6月15日前后）667m2用缩节胺0.5g进行第一次轻控，并单独使用。喷大苗不喷小苗,喷高苗不喷低苗，喷旺苗不喷弱苗，快速喷雾，做到长中有控，控中有长，真正达到肥促化控，合理化调的作用。雨水多的年份，7d后用同样的剂量在喷1次（加次不加量），保证叶片变色而茎秆不变形的安全施用。三类苗或遇长期干旱年份，则不宜进行化控，要以促为主。

3.3.5及时整枝及时整枝可以控制营养生长，减少养分消耗，调节营养物质的运转与分配，改善田间通风透光条件，降低田间湿度，减少后期烂铃等。一般6月中下旬，能分清叶枝和果枝时，将第一台果枝以下的叶枝去掉。

3.3.6病虫害防治蕾期虫害主要有盲蝽蟓、红蜘蛛，病害主要有枯萎病、缺钾性生理性病害。病害以预防为主，增施有机肥和钾肥，降低地下水位，增强棉株抗逆性。虫害应根据当地农技部门的病虫情报进行防治。

苗期棉蓟马在防治盲蝽象时兼治。蕾、花期棉蓟马打药时每次加入20%定虫脒或吡虫啉防治。

在棉花生长前期，有条件的地方可在田地中铺设3cm左右厚的麦草或稻草，防止下雨后土壤板结，可使土壤保持疏松，起到减轻枯、黄萎病病的效果。

3.4中后期栽培管理棉花中后期田间管理以肥水管理为中心，结合化调、整枝、病虫害防治等措施，确保棉花高产。初花期以促、控相结合，盛花期后以促为主，加强后期管理，增后劲，防早衰。目标做到“四保，三增，三防”，即保根、保叶、保花、保蕾；增铃数、增铃重、增衣分；防早衰、防烂桃、防贪青。

3.4.1早施、重施花铃肥，普施盖顶肥，补施壮桃肥花铃肥要分2次施用：第一次在初花期（7月上旬，以见花为准），以有机肥、钾肥和少量氮肥为主。一般饼肥25kg，钾肥15～20kg（钾肥全部施完），尿素10～15kg，混合浅埋；第二次结铃始盛期，棉株有一二个硬桃时，一般7月下旬，667m2施尿素15～20kg，浅埋或撒施。花铃肥做2次施，既满足开花结铃早的需要，也满足结铃峰期长和成铃多的需要，防止“隐性”脱肥。普施盖顶肥，在打顶后1周（8月中旬），667m2撒施尿素10～15kg左右。长江中下游无霜期长，秋季降温慢，秋桃多，高产棉田在8月下旬应补施壮桃肥，每667m2撒施尿素8kg左右，是壮桃，防早衰，夺高产的重要措施。叶面喷肥（也叫根外追肥），花铃期后，根系吸收能力减弱，可结合治虫，进行叶面喷肥。一般氮、磷、钾等化学肥料都可以用作根外追肥。

3.4.2合理化控，适时打顶花铃期后要进行二三次化调，第一次在初花期，7月上旬末（在蕾期化调10～15d左右），667m2用缩节胺2g；第二次在7月下旬，667m2用缩节胺3g左右，此次要看长势长相、天气进行，遇伏旱要少用或不用。第三次在打顶后（7～10d），当顶部果枝长出二三个果节时，及时进行化学封顶，控制无效花蕾，一般667m2用缩节胺4g左右。

适时打顶：棉花适时打顶，可控制顶端优势和株高，避免出现无效花蕾，减少养分消耗，使中下部和内围的蕾铃得到充足的养分，提高成铃率和铃重，增加霜前花产量。