第一篇：核心芯片技术产业上市公司有哪些
核心芯片技术产业上市公司有哪些
来源：中国IC技术交易网
（一）、芯片设计
DSP与CPU被公认为芯片工业的两大核心技术。国内CPU产品研发水平最高的以“龙芯”为代表，DSP以“汉芯为代表。专家指出，从2000年开始，我国每年就使用近100亿元的国外DSP芯片，到2005年前我国DSP市场的需求量在30亿美元以上，年增长将达到40%以上。[1]、综艺股份（600770）：
公司参股49%的北京神州龙芯集成电路设计有限公司(和中科院计算技术研究所于02年8月共同设立，注册资本1亿元)，从事开发、销售具有自主知识产权的“龙芯”系列微处理器芯片等。龙芯1号、2号的推出，打破了我国长期依赖国外CPU产品的无“芯”的历史。世界排名第五的集成电路生产厂商意法半导体公司已决定购买龙芯2E的生产和全球销售权。目前龙芯课题组正进行龙芯3号多核处理器的设计，具有突出的节能、高安全性等优势。
[2]、大唐电信（600198）：
公司控股95%的子公司大唐微电子是国内EMV卡的真正龙头，具有EMV卡芯片自主设计能力，具备完全的知识产权，芯片产品获得EMV认证的进展至少领先国内竞争对手1.5年。因此，一旦国内EMV卡大规模迁移启动，公司将最先受益，并有望随市场一起爆发性增长，从而推动公司业绩增长超出预期。
[3]、同方股份（600100）：
公司控股86%子公司北京同方微电子有限公司（简称“同方微电子”），是清华控股有限公司和同方股份有限公司共同组建的专业集成电路设计公司，同方微电子主要从事集成电路芯片的设计、开发和销售，并提供系统解决方案。目前主要产品为智能卡芯片及配套系统，包括非接触式存储卡芯片、接触和非接触的CPU卡芯片及射频读写模块等。公司成功承担了国家第二代居民身份证专用芯片开发及供货任务，是主要供货商之一。公司控股55%子公司清芯光电股份有限公司是一家生产高亮度GaN基LED外延片、芯片的高科技企业，产品质量达到世界先进水平。公司以掌握高亮度LED最新核心技术的国际化团队为核心，以清华大学的技术力量及各种资源为依托，打造世界一流光电企业。公司具有自行设计、制造LED外延生长的关键设备－MOCVD的能力。[4]、ST沪科（600608）：
公司控股70.31%子公司苏州国芯科技有限公司是中国信息产业部与摩托罗拉公司在中国合作的结晶，接受摩托罗拉先进水平的低功耗、高性能32位RISC嵌入式CPU M*Core? 技术及其SoC设计方法;以高起点建立苏州国芯自主产权的32位RISCC*Core?。在M*Core M210/M310的基础上自主研发了具有自主知识产权的C*Core?系列32位CPU核C305/C310/CS320/C340/C340M；建立了以C*Core?为核心的C*SoC100/200/300设计平台；并获得多项国家专利和软件著作权。公司控股75%子公司上海交大创奇微系统科技有限公司主营微电子集成电路芯片与系统，电子产品，通讯设备系统的设计，研发，生产，销售，系统集成，计算机软件的开发，32位DSP是交大研究中心和交大创奇联合开发，而16位DSP是由研究中心开发，交大创奇负责产业化。
（二）、芯片制造
[1]、张江高科（600895）： 2003年8月22日，张江高科发布公告称公司已通过境外全资子公司WLT以1.1111美元/股的价格认购了中芯国际4500万股A系列优先股，约占当时中芯国际股份的5%。2004年3月5日，张江高科再次发布公告，披露公司全资子公司 WLT以每股3.50美元的价格再次认购中芯国际3428571股 C系列优先股，此次增资完成后公司共持有中芯国际A系列优先股45000450股，C系列优先股3428571股。中芯国际在内地芯片代工市场中已占到 50%以上的份额，是目前国内规模最大、技术最先进的集成电路制造公司，它到2003年上半年已跃居全球第五大芯片代工厂商。[2]、上海贝岭（600171）：
公司是我国集成电路行业的龙头，主营集成电路的设计、制造和技术服务，并涉足硅片加工、电子标签及指纹认证等领域。公司拥有较多自主知识产权，2002年以来至今申请和授权的知识产权超过220项。形成了芯片代工、设计、应用，系统设计的产业链。公司投入巨资建成8英寸0.25微米的集成电路生产线，并且还联手大股东华虹集团成立了上海集成电路研发中心，对提升公司竞争力有较好的帮助。上海华虹NEC是世界一流水平的集成电路制造企业，拥有目前国际上主流的 0.25及0.18微米芯片加工技术，是国家“909”工程的核心项目，具备相当实力。[3]、士兰微（600460）：
公司是国内集成电路设计行业的龙头，仅次于大唐微电子排名第二，公司已掌握和拥有的技术可从事中高端产品的开发，核心技术在国内同行业中处于较高水平，具有明显的竞争优势。公司拥有集成电路领域利润最为丰厚的两块业务-芯片设计与制造，具有设计与制造的协同优势。目前专业从事CMOS、BiCMOS以及双极型民用消费类集成电路产品的设计、制造和销售。公司研发生产的集成电路有12大类100余种，年产集成电路近2亿只。公司已具备了0.5-0.6微米的CMOS芯片的设计能力，有能力设计20万门规模的逻辑芯片。[4]、方大A（000055）：
十五期间，方大承担并完成国家半导体照明产业化重大科技攻关项目，开发并研制成功的Tiger系列半导体照明芯片被列为国家重点新产品。方大建有深圳市半导体照明工程研究和开发中心。十一五期间，承担国家“863”半导体照明工程重大项目“高效大功率氮化镓LED芯片及半导体照明白光源制造技术”、广东省科技计划项目“氮化镓基蓝光外延片表面粗化的金属有机物气相沉积生长技术”和深圳市科技计划项目“80密耳半导体照明用蓝光LED芯片的研制”等。[5]、华微电子（600360）：
公司是国内功率半导体器件的龙头企业，通过自有品牌的运作方式，公司已完成了从芯片制造、封装、销售的整个产业链的布局，公司目前的几种主要器件产品均在国内市场有较高的占有率，这些都将有助于公司较同行更能抵御行业整体波动的影响。节能灯替代白炽灯的步伐进一步加快，公司作为国内节能灯用功率器件主要供应商，将受益于国内节能灯行业的发展。同时，公司6英寸MOSFET生产线已通线试产，实现进口替代的各种条件基本成熟。
（三）、芯片封装测试
[1]、通富微电（002156）：
公司主要从事集成电路的封装测试业务，是国内目前实现高端封装测试技术MCM、MEMS量化生产的封装测试厂家，技术实力居领先地位。公司为IC封装测试代工型企业，以来料加工形式接受芯片设计或制造企业的委托订单，为其提供封装测试服务，按照封装量收取加工费，其IC封测规模在内资控股企业中居于前列。[2]、长电科技（600584）：
公司是我国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。已拥有与国际先进技术同步的IC三大核心技术研发平台，形成年产集成电路75亿块、大中小功率晶体管250亿只、分立器件芯片120万片的生产能力，已成为中国最大的半导体封测企业，正全力挤身世界前五位，公司部分产品被国防科工委指定为军工产品，广泛应用于航空、航天、军事工程、电子信息、自动控制等领域。[3]、华天科技（002185）：
公司主要从事半导体集成电路、半导体元器件的封装测试业务，是国内重点集成电路封装测试企业之一。公司的封装能力和技术水平在内资企业中位居第三，为我国西部地区最大的集成电路封装基地和富有创新精神的现代化高新技术企业。公司被评为我国最具成长性封装测试企业，受到了政策税收的大力支持，自主开发一系列集成电路封装技术，进军集成电路封装高端领域。[4]、太极实业（600667）： 太极实业与韩国海力士的合作，通过组建合资公司将使公司进入更具成长性和发展前景的半导体集成电路产业，也为公司未来的产业结构转型创造了契机。投资额为3.5亿美元的海力士大规模集成电路封装测试项目，建成后可形成每月12万片12英寸晶圆测试和7500万片12英寸晶圆封装的生产配套能力。太极实业参与该项目，将由现在单一的业务模式转变为包括集成电路封装测试在内的双主业模式。[5]、苏州固锝（002079）：
公司的主要产品为各类半导体二极管（不包括光电二极管），具备全面的二极管晶圆、芯片设计制造及二极管封装、测试能力, 保持国内半导体分立器件行业前10名、二极管分行业领先地位。公司加大技术含量和毛利率更高的产品---QFN封装产品的投入，使公司逐步从单纯的半导体分立器件的生产企业向集成电路封装企业转变。公司是国内最早从事QFN封装研究并实现产业化的企业，目前能够生产各种QFN/DFN封装的集成电路产品，是国内最大的QFN/DFN集成电路封装企业。
（四）芯片相关
[1]、康强电子（002119）：
公司主要从事半导体封装用引线框架和键合金丝的生产，公司引线框架的销量行业第一，键合金丝销量行业第二，全国的覆盖率高达60%，是电子领域中细分龙头。公司的集成电路框架及电力电子器件框架、表面贴装元器件框架和TO-92、TO-3P等分立器件框架，产销规模连续十一年居国内同行第一，具业内领先地位。[2]、三佳科技（600520）：
公司主营半导体集成电路专用模具和化学建材专用模具的设计、研发及生产，是两市唯一的模具制造上市公司，具有独特的行业优势。公司生产的集成电路塑封模具和塑料异型材挤出模具产销量均为全国第一，国内市场占有率分别为15%和30%以上。现拥有年产化学建材挤出模具1500套、挤出下游设备100套/台、半导体塑封压机200台、半导体塑封模具200副、半导体自动化（切筋成型）封装系统60台、集成电路引线框架40亿只的生产能力。
[3]、有研硅股（600206）：
公司是国内具有国际先进水平的半导体材料研究、开发、生产重要基地，技术力量雄厚，公司先后研制出了我国第一根6英寸、8英寸和12英寸硅单晶，使我国成为世界上少数几个具有拉制12英寸硅单晶技术的国家之一.
第二篇：AT89C52芯片
AT89C52 AT89C52是一个低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，AT89C52单片机在电子行业中有着广泛的应用。主要功能特性
1、兼容MCS51指令系统 2、8kB可反复擦写(大于1000次）Flash ROM； 3、32个双向I/O口； 4、256x8bit内部RAM； 5、3个16位可编程定时/计数器中断；
6、时钟频率0-24MHz； 7、2个串行中断，可编程UART串行通道； 8、2个外部中断源，共8个中断源； 9、2个读写中断口线，3级加密位；
10、低功耗空闲和掉电模式，软件设置睡眠和唤醒功能；
11、有PDIP、PQFP、TQFP及PLCC等几种封装形式，以适应不同产品的需求。引脚功能及管脚电压
AT89C52为8 位通用微处理器，采用工业标准的C51内核，在内部功能及管脚
PDIP封装的AT89C52引脚图
排布上与通用的8xc52 相同，其主要用于会聚调整时的功能控制。功能包括对会聚主IC 内部寄存器、数据RAM及外部接口等功能部件的初始化，会聚调整控制，会聚测试图控制，红外遥控信号IR的接收解码及与主板CPU通信等。主要管脚有：XTAL1（19 脚）和XTAL2（18 脚）为振荡器输入输出端口，外接12MHz 晶振。RST/Vpd（9 脚）为复位输入端口，外接电阻电容组成的复位电路。VCC（40 脚）和VSS（20 脚）为供电端口，分别接+5V电源的正负端。P0~P3 为可编程通用I/O 脚，其功能用途由软件定义，在本设计中，P0 端口（32~39 脚）被定义为N1 功能控制端口，分别与N1的相应功能管脚相连接，13 脚定义为IR输入端，10 脚和11脚定义为I2C总线控制端口，分别连接N1的SDAS（18脚）和SCLS（19脚）端口，12 脚、27 脚及28 脚定义为握手信号功能端口，连接主板CPU 的相应功能端，用于当前制式的检测及会聚调整状态进入的控制功能。P0 口 P0 口是一组8 位漏极开路型双向I/O 口，也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8 个TTL逻辑门电路，对端口P0 写“1”时，可作为高阻抗输入端用。在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8 位）和数据总线复用，在访问期间激活内部上拉电阻。在Flash 编程时，P0 口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。P1 口
P1 是一个带内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P1 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对端口写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内部存在上拉
电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。与AT89C51 不同之处是，P1.0 和P1.1 还可分别作为定时/计数器2 的外部计数输入（P1.0/T2）和输入（P1.1/T2EX），Flash 编程和程序校验期间，P1 接收低8 位地址。表.P1.0和P1.1的第二功能 引脚号 功能特性
T2，时钟P1.0 输出 T2EX（定P1.1 时/计数器2）
P2 口
P2 是一个带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口，P2 的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对端口P2 写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL)。在访问外部程序存储器或16 位地址的外部数据存储器（例如执行MOVX @DPTR 指令）时，P2 口送出高8 位地址数据。在访问8 位地址的外部数据存储器（如执行MOVX @RI 指令）时，P2 口输出P2 锁存器的内容。Flash 编程或校验时，P2亦接收高位地址和一些控制信号。P3 口
P3 口是一组带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口。P3 口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对P3 口写入“1”时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3 口将用上拉电阻输出电流（IIL）。P3 口除了作为一般的I/O 口线外，更重要的用途是它的第二功能,P3 口还接收一些用于Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。RST复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个机器周期以上高电平将使单片机复位。ALE/PROG 当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址锁存允许）输出脉冲用于锁存地址的低8 位字节。一般情况下，ALE 仍以时钟振荡频率的1/6 输出固定的脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE 脉冲。对Flash 存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（PROG）。如有必要，可通过对特殊功能寄存器（SFR）区中的8EH 单元的D0 位置位，可禁止ALE 操作。该位置位后，只有一条MOVX 和MOVC指令才能将ALE 激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置ALE 禁止位无效。PSEN 程序储存允许（PSEN）输出是外部程序存储器的读选通信号，当AT89C52 由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次PSEN 有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，将跳过两次PSEN信号。EA/VPP 外部访问允许。欲使CPU 仅访问外部程序存储器（地址为0000H—FFFFH），EA 端必须保持低电平（接地）。需注意的是：如果加密位LB1 被编程，复位时内部会锁存EA端状态。如EA端为高电平（接Vcc端），CPU 则执行内部程序存储器中的指令。Flash 存储器编程时，该引脚加上+12V 的编程允许电源Vpp，当然这必须是该器件是使用12V 编程电压Vpp。XTAL1 振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端。XTAL2 振荡器反相放大器的输出端。特殊功能寄存器
在AT89C52 片内存储器中，80H-FFH 共128 个单元为特殊功能寄存器（SFR），SFR 的地址空间映象如表2 所示。并非所有的地址都被定义，从80H—FFH 共128 个字节只有一部分被定义，还有相当一部分没有定义。对没有定义的单元读写将是无效的，读出的数值将不确定，而写入的数据也将丢失。不应将数据写入未定义的单元，由于这些单元在将来的产品中可能赋予新的功能，在这种情况下，复位后这些单元数值总是“0”。
AT89C52除了有AT89C51所有的定时/计数器0 和定时/计数器1 外，还增加了一个定时/计数器2。定时/计数器2 的控制和状态位位于T2CON（参见表3）T2MOD（参见表4），寄存器对（RCAO2H、RCAP2L）是定时器2 在16 位捕获方式或16 位自动重装载方式下的捕获/自动重装载寄存器。编辑本段数据存储器
AT89C52 有256 个字节的内部RAM，80H-FFH 高128 个字节与特殊功能寄存器（SFR）地址是重叠的，也就是高128字节的RAM 和特殊功能寄存器的地址是相同的，但物理上它们是分开的。
当一条指令访问7FH 以上的内部地址单元时，指令中使用的寻址方式是不同的，也即寻址方式决定是访问高128 字节RAM 还是访问特殊功能寄存器。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器。
例如，下面的直接寻址指令访问特殊功能寄存器0A0H（即P2 口）地址单元。MOV 0A0H，#data 间接寻址指令访问高128 字节RAM，例如，下面的间接寻址指令中，R0 的内容为0A0H，则访问数据字节地址为0A0H，而不是P2 口（0A0H）。MOV @R0，#data 堆栈操作也是间接寻址方式，所以，高128 位数据RAM 亦可作为堆栈区使用。·定时器0和定时器1：
AT89C52的定时器0和定时器1 的工作方式与AT89C51 相同。片上资源
定时器2基本特性： 定时器2 是一个16 位定时/计数器。它既可当定时器使用，也可作为外部事件计数器使用，其工作方式由特殊功能寄存器T2CON（如表3）的C/T2 位选择。定时器2 有三种工作方式：捕获方式，自动重装载（向上或向下计数）方式和波特率发生器方式，工作方式由T2CON 的控制位来选择。定时器2 由两个8 位寄存器TH2 和TL2 组成，在定时器工作方式中，每个机器周期TL2 寄存器的值加1，由于一个机器周期由12 个振荡时钟构成，因此，计数速率为振荡频率的1/12。
在计数工作方式时，当T2 引脚上外部输入信号产生由1 至0 的下降沿时，寄存器的值加1，在这种工作方式下，每个机器周期的5SP2 期间，对外部输入进行采样。若在第一个机器周期中采到的值为1，而在下一个机器周期中采到的值为0，则在紧跟着的下一个周期的S3P1 期间寄存器加1。由于识别1 至0 的跳变需要2 个机器周期（24 个振荡周期），因此，最高计数速率为振荡频率的1/24。为确保采样的正确性，要求输入的电平在变化前至少保持一个完整周期的时间，以保证输入信号至少被采样一次。捕获方式：
在捕获方式下，通过T2CON 控制位EXEN2 来选择两种方式。如果EXEN2=0，定时器2 是一个16 位定时器或计数器，计数溢出时，对T2CON 的溢出标志TF2 置位，同时激活中断。如果EXEN2=1，定时器2 完成相同的操作，而当T2EX 引 脚外部输入信号发生1 至0 负跳变时，也出现TH2 和TL2 中的值分别被捕获到RCAP2H 和RCAP2L 中。另外，T2EX 引脚信号的跳变使得T2CON 中的EXF2 置位，与TF2 相仿，EXF2 也会激活中断。
自动重装载（向上或向下计数器）方式：
当定时器2工作于16位自动重装载方式时，能对其编程为向上或向下计数方式，这个功能可通过特殊功能寄存器T2CON（见表5）的DCEN 位（允许向下计数）来选择的。复位时，DCEN 位置“0”，定时器2 默认设置为向上计数。当DCEN置位时，定时器2 既可向上计数也可向下计数，这取决于T2EX 引脚的值，当DCEN=0 时，定时器2 自动设置为向上计数，在这种方式下，T2CON 中的EXEN2 控制位有两种选择，若EXEN2=0，定时器2 为向上计数至0FFFFH 溢出，置位TF2 激活中断，同时把16 位计数寄存器RCAP2H 和RCAP2L重装载，RCAP2H 和RCAP2L 的值可由软件预置。若EXEN2=1，定时器2 的16 位重装载由溢出或外部输入端T2EX 从1 至0 的下降沿触发。这个脉冲使EXF2 置位，如果中断允许，同样产生中断。定时器2 的中断入口地址是：002BH ——0032H。
当DCEN=1 时，允许定时器2 向上或向下计数，如图6 所示。这种方式下，T2EX 引脚控制计数器方向。T2EX 引脚为逻辑“1”时，定时器向上计数，当计数0FFFFH 向上溢出时，置位TF2，同时把16 位计数寄存器RCAP2H 和RCAP2L 重装载到TH2 和TL2 中。T2EX 引脚为逻辑“0”时，定时器2 向下计数，当TH2 和TL2 中的数值等于RCAP2H 和RCAP2L中的值时，计数溢出，置位TF2，同时将0FFFFH 数值重新装入定时寄存器中。
当定时/计数器2 向上溢出或向下溢出时，置位EXF2 位。波特率发生器：
当T2CON（表3）中的TCLK 和RCLK 置位时，定时/计数器2 作为波特率发生器使用。如果定时/计数器2 作为发送器或接收器，其发送和接收的波特率可以是不同的，定时器1 用于其它功能，如图7 所示。若RCLK 和TCLK 置位，则定时器2工作于波特率发生器方式。
波特率发生器的方式与自动重装载方式相仿，在此方式下，TH2 翻转使定时器2 的寄存器用RCAP2H 和RCAP2L 中的16位数值重新装载，该数值由软件设置。在方式1 和方式3 中，波特率由定时器2 的溢出速率根据下式确定：
方式1和3的波特率=定时器的溢出率/16定时器既能工作于定时方式也能工作于计数方式，在大多数的应用中，是工作在定时方式（C/T2=0）。定时器2 作为波特率发生器时，与作为定时器的操作是不同的，通常作为定时器时，在每个机器周期（1/12 振荡频率）寄存器的值加1，而作为波特率发生器使用时，在每个状态时间（1/2 振荡频率）寄存器的值加1。波特率的计算公式如下： 方式1和3的波特率=振荡频率/{32*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 式中（RCAP2H，RCAP2L）是RCAP2H 和RCAP2L中的16 位无符号数。
定时器2 作为波特率发生器使用的电路如图7 所示。T2CON 中的RCLK 或TCLK=1 时，波特率工作方式才有效。在波特率发生器工作方式中，TH2 翻转不能使TF2 置位，故而不产生中断。但若EXEN2 置位，且T2EX 端产生由1 至0 的 负跳变，则会使EXF2 置位，此时并不能将（RCAP2H，RCAP2L）的内容重新装入TH2 和TL2 中。所以，当定时器2 作为波特率发生器使用时，T2EX 可作为附加的外部中断源来使用。需要注意的是，当定时器2 工作于波特率器时，作为定 时器运行（TR2=1）时，并不能访问TH2 和TL2。因为此时每个状态时间定时器都会加1，对其读写将得到一个不确定的数值。
然而，对RCAP2 则可读而不可写，因为写入操作将是重新装载，写入操作可能令写和/或重装载出错。在访问定时器2或RCAP2 寄存器之前，应将定时器关闭（清除TR2）。可编程时钟输出：
定时器2 可通过编程从P1.0 输出一个占空比为50%的时钟信号，如图8 所示。P1.0 引脚除了是一个标准的I/O 口外，还可以通过编程使其作为定时/计数器2 的外部时钟输入和输出占空比50%的时钟脉冲。当时钟振荡频率为16MHz 时，输 出时钟频率范围为61Hz—4MHz。
当设置定时/计数器2 为时钟发生器时，C/T2（T2CON.1）=0，T2OE（T2MOD.1）=1，必须由TR2（T2CON.2）启动或停止定时器。时钟输出频率取决于振荡频率和定时器2 捕获寄存器（RCAP2H，RCAP2L）的重新装载值，公式如下： 输出时钟频率=振荡器频率/{4*[65536-(RCP2H,RCP2L)]} 在时钟输出方式下，定时器2 的翻转不会产生中断，这个特性与作为波特率发生器使用时相仿。定时器2 作为波特率发生器使用时，还可作为时钟发生器使用，但需要注意的是波特率和时钟输出频率不能分开确定，这是因为它们同使用RCAP2L和RCAP2L。UART串口
AT89C52的UART 工作方式与AT89C51 工作方式相同。时钟振荡器
AT89C52 中有一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器，引脚XTAL1 和XTAL2 分别是该放大器的输入端和输出端。
这个放大器与作为反馈元件的片外石英晶体或陶瓷谐振器一起构成自激振荡器，振荡电路参见图10。
外接石英晶体（或陶瓷谐振器）及电容C1、C2 接在放大器的反馈回路中构成并联振荡电路。对外接电容C1、C2 虽然没有十分严格的要求，但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器工作的稳定性、起振的难易程序及温度稳 定性，如果使用石英晶体，我们推荐电容使用30pF±10pF，而如使用陶瓷谐振器建议选择40pF±10pF。
用户也可以采用外部时钟。采用外部时钟的电路如图10 右图所示。这种情况下，外部时钟脉冲接到XTAL1 端，即内部时钟发生器的输入端，XTAL2 则悬空。由于外部时钟信号是通过一个2 分频触发器后作为内部时钟信号的，所以对外部时钟信号的占空比没有特殊要求，但最小高电平持续时间和最大的低电平持续时间应符合产品技术条件的要求。中断
AT89C52 共有6 个中断向量：两个外中断（INT0 和INT1），3 个定时器中断（定时器0、1、2）和串行口中断。所有这些中断源如图9 所示。
这些中断源可通过分别设置专用寄存器IE 的置位或清0 来控制每一个中断的允许或禁止。IE 也有一个总禁止位EA，它能控制所有中断的允许或禁止。注意表5 中的IE.6 为保留位，在AT89C51 中IE.5 也是保留位。程序员不应将“1”写入这些位，它们是将来AT89 系列产品作为扩展用的。
定时器2 的中断是由T2CON 中的TF2 和EXF2 逻辑或产生的，当转向中断服务程序时，这些标志位不能被硬件清除，事实上，服务程序需确定是TF2 或EXF2 产生中断，而由软件清除中断标志位。
定时器0 和定时器1 的标志位TF0 和TF1 在定时器溢出那个机器周期的S5P2 状态置位，而会在下一个机器周期才查询到该中断标志。然而，定时器2 的标志位TF2 在定时器溢出的那个机器周期的S2P2 状态置位，并在同一个机器周期内查询到该标志。低功耗模式
空闲节电模式
在空闲工作模式状态，CPU 自身处于睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态，这种方式由软件产生。此时，同时将片内RAM 和所有特殊功能寄存器的内容冻结。空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止。由硬件复位终止空闲状态只需两个机器周期有效复位信号，在此状态下，片内硬件禁止访问内部RAM，但可以访问端口引脚，当用复位终止空闲方式时，为避免可能对端口产生意外写入，激活空闲模式的那条指令后一条指令不应是一条对 端口或外部存储器的写入指令。掉电模式
在掉电模式下，振荡器停止工作，进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令，片内RAM 和特殊功能寄存器的内容在终止掉电模式前被冻结。退出掉电模式的唯一方法是硬件复位，复位后将重新定义全部特殊功能寄存器，但不改变RAM中的内容，在Vcc恢复到正常工作电平前，复位应无效，且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作。编程和加密
Flash存储器的编程
AT89C52单片机内部有8k字节的Flash PEROM，这个Flash 存储阵列出厂时已处于擦除状态（即所有存储单元的内容均为FFH），用户随时可对其进行编程。编程接口可接收高电压（+12V）或低电压（Vcc）的允许编程信号。低电压编程模式适合于用户在线编程系统，而高电压编程模式可与通用EPROM 编程器兼容。AT89C52 单片机中，有些属于低电压编程方式，而有些则是高电压编程方式，用户可从芯片上的型号和读取芯片内的签名字节获得该信息。
AT89C52 的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片内的PEROM 程序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。编程方法
编程前，须按表9 和图11 所示设置好地址、数据及控制信号，AT89C52 编程方法如下：
1． 在地址线上加上要编程单元的地址信号。2． 在数据线上加上要写入的数据字节。3． 激活相应的控制信号。
4． 在高电压编程方式时，将EA/Vpp 端加上+12V 编程电压。
5． 每对Flash 存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个ALE/PROG 编程脉冲。每个字节写入周期是自身定时的，通常约为1.5ms。重复1—5 步骤，改变编程单元的地址和写入的数据，直到全部文件编程结束。程序存储器的加密
AT89C52 有3 个程序加密位，可对芯片上的3 个加密位LB1、LB2、LB3 进行编程（P）或不编程（U）来得到。
当加密位LB1 被编程时，在复位期间，EA 端的逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后一直没有复位，则锁存起的初始值是一个随机数，且这个随机数会一直保存到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存的EA 电平值必须与该引脚当前的逻辑电平一致。此外，加密位只能通过整片擦除的方法清除。数据查询
AT89C52 单片机用Data Palling 表示一个写周期结束为特征，在一个写周期中，如需读取最后写入的一个字节，则读出的数据的最高位（P0.7）是原来写入字节最高位的反码。写周期完成后，所输出的数据是有效的数据，即可进入下一个字节的写周期，写周期开始后，Data Palling 可能随时有效。Ready/Busy：字节编程的进度可通过“RDY/BSY 输出信号监测，编程期间，ALE 变为高电平“H”后，P3.4（RDY/BSY）端电平被拉低，表示正在编程状态（忙状态）。编程完成后，P3.4 变为高电平表示准备就绪状态。
程序校验：如果加密位LB1、LB2 没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据，采用如图12的电路。加密位不可直接校验，加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来验证。
芯片擦除：利用控制信号的正确组合（表6）并保持ALE/PROG 引脚10mS 的低电平脉冲宽度即可将PEROM 阵列（4k字节）和三个加密位整片擦除，代码阵列在片擦除操作中将任何非空单元写入“1”，这步骤需再编程之前进行。读片内签名字节：AT89C52 单片机内有3 个签名字节，地址为030H、031H 和032H。用于声明该器件的厂商、型号和编程电压。读AT89C52 签名字节需将P3.6 和P3.7 置逻辑低电平，读签名字节的过程和单元030H、031H 及032H 的正常校验相仿，只返回值意义如下：
（030H）=1EH 声明产品由ATMEL公司制造。（031H）=52H 声明为AT89C52 单片机。（032H）=FFH 声明为12V 编程电压。（032H）=05H 声明为5V 编程电压。
第三篇：常用芯片总结
常用芯片总结
1.音频pcm编码DA转换芯片cirrus logic的cs4344，cs4334
4334是老封装，据说已经停产，4344封装比较小，非常好用。还有菲利谱的8211等。
2.音频放大芯片4558，LM833，5532,此二芯片都是双运放。
3.244和245，由于244是单向a=b的所以只是单向驱动。而245是用于数据总线等双向驱动选择。同时245的封装走线非常适合数据总线，它按照顺序d7-d0。
4.373和374，地址锁存器，5.max232和max202，max3232 TTL电平转换
6.网络接口变压器。需要注意差分信号的等长和尽量短的规则。
7.amd29系列的flash，有bottom型和top型，主要区别是loader区域设置在哪里？bottom型的在开始地址空间，top型号的在末尾地址空间，我感觉有点反，但实际就是这么命名的。
8.74XX164，它是一个串并转换芯片，可以把串行信号变为并行信号，控制数码管显示可以用到。
9.网卡控制芯片CS8900,ax88796，rtl8019as，dm9000ae当然这些都是用在isa总线上的。24位AD：CS5532，LPC2413,ADS1240,ADS1241效果还可以仪表运放：ITL114，不过据说功耗有点大
音频功放：一般用LM368
音量控制IC： PT2257，Pt2259.PCM双向解/编码 ：/ CW6691.cirruslogic公司比较多
2.4G双工通讯IC CC2500
1.cat809，max809，这些是电源监控芯片，当低于某一电压以后比如3.07v等出现一个100ms的低电平，实现复位功能。当然这个要求是低复位。max810，cat810等就是出现一个100ms的高电平。还有一些复位芯片，既有高又有低复位输出，同时还有带手动触发复位功能，型号可以查找一下。
2.pericom的pt7v（pi6cx100-27）压控振荡器，脉冲带宽调制。
1、语音编解码TP3054/3057，串行接口，带通滤波。
2、现在用汉仁的网卡变压器HR61101G接在RTL8019AS上，兼容的有VALOR的FL1012、PTT的PM24-1006M。
3、驱动LED点阵用串行TPIC6B595，便宜的兼容型号HM6B59
5交换矩正： mt 88168*16
双音频译码器： 35300
我们原来使用单独的网络变压器，如常用的8515等。现在我们用YDS的一款带网络变压器的RJ45接口。其优点：1.体积仅比普通的RJ45稍微大一点。
2.价格单买就6元，我觉得量稍微大点应该在4-5左右或者更低。
3.连接比较方便只要把差分信号注意就可以了。
缺点：用的人不多，不知道是因为是新，还是性能不好，我们用了倒没什么问题。不过没有做过抗雷击等测试，我觉得既然YDS做了这样的产品，性能应该问题不大。我觉得最好再加一点典型电路的原理图等。比如说网络接口，串口232，485通讯，I2C级连，RAM连接，FLASH连接，电压转换，时钟电路，打印接口电路，以及如何在没有典型电路的时候，把芯片和已有系统有效连接等。首先要有开关电源需求，额定电流，功率，几路输出，主路设计等等如何测试其性能指标达到要求。
便宜的液晶驱动芯片HT1621
要求一般的485芯片SN308
2CH375A USB主控芯片 南京沁恒的数据采集，我用tlc2543, AD7656,AD976
运放OP27,很好用，经受住时间考验，连续3年
我介绍一下我现在用的光耦,就是光电隔离:
TLP521-1 TLP521-2 TLP521-4 线性光耦hcr210不错
其实我只用过TLP521-1,很好用的,TLP521-2 的价格比 TLP521-1要贵两倍多,不只为什么,恩 LED导通电流是小了一点，它们由于速率有点低所以推荐高速光耦
6N1361M
6N13710M
单通道HDLC协议控制器：MT8952；
音频放大器LM2904；
512k*8带软件保护可段/整片擦除的flah28SF040；
关于电压转换芯片的一点体会：AD7865做电机控制的使用很不错，四路350K，14位精度，单电压，＋/-10V输入，推荐使用AD7864的升级用。掉电保存可以选择NVRAM，带电池的，maxim有很多
74ALVC164245，电平转换芯片，3.3V电平和5V电平总线接口用
74HCT14：复位隔离缓冲
ULN2003：达林顿输出的驱动芯片，带继电器灭弧的二极管，驱动继电器不错
MAX708：复位芯片，带高低电平和手动复位功能
CPU：虽然不推荐选用***货，但是多一个选择也不错，SuperH系列的CPU性能不错
1：usb控制器，cypress公司的cy7c63723，cy7c68013，63723是otp的建议初次搞usb接口的不要使用，调试起来很麻烦。
2：cpld，fpga用xilinx的型号很全
3：2.4g rf收发芯片nrf2401a
看门狗 813、705、706等
1、LI358/LM324 小信号放大器，通用型的当然你要求太高就的另选了。
2、24C08/24C16 EEPROM 感觉还可以！
3、MPS3100
1，可做充电器的电压升降的IC，SP34063,感觉使用起来还是听方便的2，RF IC，NRF2401，NREF2402，还有功能更强的集成增强型8051内核的好象是 NRF24E1，不过我没用过
3，音频功放TPA021
13.HT12D，是与“HT12E”对应的解码芯片。也有红外的解码芯片。
4.IRF640N，MOSFET,电力场效应管
电能（ATT7022A、SA9904B）、压力（PGA309）、温度（DS18B20、K型热电偶MAX6675）、湿度（SHT10）、液位(LM1042)、烟雾（NIS-09C+MC145018）、红外（HS0001）、距离（TDC-GP1）、转速（KM115-1),codec（AMBE-2000）、can（SJA1000）、gps（u-blox)、无线数传(nRF905、nRF9e5)
cirruslogic--cs5460计量芯片，0.1级
ADE7758三相电力计量芯片0.5级
ATT7022三相电能计量芯片0.5级，可作多功能表
24bit的有AD7712AN
温度传感器：AD592CN，环境稳定25度时精度，+/-0.5度
第四篇：IC芯片知识
IC基础知识简述
熔茗2010-09-14 14:42:36
我们通常所说的“芯片”是指集成电路,它是微电子技术的主要产品.所谓微电子是相对“强电”、“弱电”等概念而言,指它处理的电子信号极其微小.它是现代信息技术的基础,我们通常所接触的电子产品,包括通讯、电脑、智能化系统、自动控制、空间技术、电台、电视等等都是在微电子技术的基础上发展起来的。
我国的信息通讯、电子终端设备产品这些年来有长足发展,但以加工装配、组装工艺、应用工程见长,产品的核心技术自主开发的较少,这里所说的“核心技术”主要就是微电子技术.就好像我们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子所用的砖瓦还不能生产.要命的是,“砖瓦”还很贵.一般来说,“芯片”成本最能影响整机的成本。微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造。
集成电路(IC)常用基本概念有:
晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高。
前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序。光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路。
线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元。
封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接。存储器:专门用于保存数据信息的IC。
逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。
1.IC产业发展背景
随着全球信息化,网络化和知识化经济浪潮的到来,集成电路产业的战略地位越来越重要,它已成为事关国民经济,国防建设,人民生活和信息安全的基础性,战略性产业.特别是近几年来,在世界半导体产业环境不断改善,集成电路的性能以惊人的速度向快速和微型方面发展,其发展潜力,高技术含量和广阔的市场都令人叹为观止.与此同时,中国集成电路产业也已经开始快速发展,正在努力向世界技术前沿靠拢.也就是说,我们中国的IC产业已经初具规模,并且正处在一个摆脱一味只是集中在制造和消费方面而向核心技术领域转型的一个关键阶段,所有的IC精英们正在齐心协力打造中国自己的“中国芯”,争取早日扭转在内核技术上受制于人的局面,这是每一个IC精英义不容辞的责任,同时也是这次产业调研的最大目的,希望能够让同学们领悟到这一点.对于国内一些IC企业的考察和调研,则主要集中在进来的发展战略与定位上.在当前的市场竞争环境中,压力主要来自于哪些方面 如何对自身以及同类的本土I
C企业定位 如何定位与国外IC企业的合作或者竞争关系 如何看待本土人才的流失及采取什么对策培养和建立人才储备 是如何推进本土企业国际化进程的 ……我们希望通过调研能够归纳得出一些关于中国IC企业界对自身的定位以及了解他们如何与国际上IC企业合作或者竞争的模式,从而对中国IC产业发展的契机有一些更加接近实际,更加深入的思考.2.中国目前IC产业的一些发展
2.1 产业规模急剧扩大
目前,我国已建和在建的8英寸,12英寸芯片生产线有17条,成为全球新的芯片代工基地.芯片设计公司从最初的几十家增至400多家,特别是上海的中芯国际,宏力半导体,华虹NEC和苏州的和舰等一批大型芯片制造企业的投产,增强了我国芯片产业的整体实力.统计显示,近年来,我国芯片产业规模年均增幅超过40%.2004年上半年,我国芯片市场总规模达1370亿元,芯片总产量超过94亿块.近几年中国集成电路产业的迅猛发展离不开市场需求的强劲拉动.中国电子信息制造业规模不断扩大,计算机,消费电子,网络通信,汽车电子等主要需求领域都呈现出了高速增长的势头.2004年,中国电子信息产业销售收入达到2.65万亿元,比2003年增长40%,集成电路市场规模已经达到2908亿元,同比增长40.2%,高于去年全球增幅12个百分点.2004年正成为中国IC设计产业由萌芽期进入成长期的重要里程碑.到2004年底,中国集成电路设计业拥有421家企业,从业人员上升到约1.65万人,总销售额达到了81.5亿元人民币,同比增长率达到41.5%,增长主要来自显示驱动芯片,智能卡芯片,无线通信芯片和多媒体芯片.预计今后四年的年复合增长率将达到65%左右,2008年销售额可望达到800亿.2.2 产业结构日趋合理
芯片产业结构日趋合理,芯片制造业成为产业增长的主引擎.在地区布局上,我国芯片产业形成了几大重镇:
以上海为龙头的长三角地区,产业链最完整,产业集聚度最高.以北京,天津为核心的环渤海区,具有研发,人才优势.中芯国际在此建成了我国第一条12英寸生产线,初步构筑了产业高地.以广州,深圳为中心的珠三角,是我国最大的信息产品制造和出口基地,依托巨大的市场需求,开始进军芯片产业.以成都,西安为中心城市的中西部地区,人力,电力,水资源丰富,并拥有传统的电子工业基础,随着英特尔,中芯国际的芯片封装企业落户成都,英飞凌研发中心落户西安,该地区的芯片产业开始崛起.2.3 技术创新能力增强
芯片制造工艺和技术水准迅速提升,特别是中芯国际北京12英寸生产厂的建成投产,使我国芯片生产技术从0.25微米,0.18微米进入到0.13微米,0.11微米的国际前沿水准.从“中国制造”到“中国创造”,随着我国企业自主创新能力的增强,催生了一批完全拥有自主知识产权的“中国芯”,如方舟,龙芯,爱国者,星光,网芯,展讯,中视一号等.特别引人瞩目的是,2004年上半年,位于上海张江高科技园区的展讯公司研制出我国第一块完全拥有自主知识产权,国际领先的第三代(3G)手机芯片,打破了手机芯片核心技术被国外通信公司垄断的局面.2004年底,复旦大学微电子研究院研制出基于清华大学DMB-T标准系统,拥有完全自主知识产权的“中视一号”数字电视芯片,是我国数字电视产业化进程的重大突破.2.4 出现领军企业
权威预测显示,作为全球芯片产业增长最快的地区和全球最具发展潜力的市场,2010年前,中国将成为仅次于美国的全球第二大芯片市场.伴随市场需求的扩张,产业规模的升级,技术水准的提高,中国有望出现一批具备较强国际竞争力的品牌产品和强势企业.我国的芯片产业体制和机制创新取得突破,政府引导,企业参与,市场运作的格局初步形成.除了国家的产业引导资金,越来越多的海外资本,民间资本投入芯片产业,资本运营初步进入良性循环.目前,有近10家芯片企业在境内外上市,其中在香港和纽约上市的中芯国际,使中国芯片产业开始牵动国际资本市场的神经.销售额超过1亿元的公司达到了16家,它们分别是晶门科技,大唐微电子,杭州士兰,珠海炬力,中国华大,绍兴芯谷科技,中星微,无锡华润矽科,华大电子,希格玛,展讯通信,国微电子,上海华虹,北京华虹,复旦微电子和深圳中兴微电子,其中晶门科技和大唐微电子的销售额超过了10亿.2004年还初步形成了与IC设计业相关的上下游产业链.设计企业已与晶圆代工企业和封装测试企业建立了相对固定的良好业务关系,中芯国际,华虹NEC,上海先进,上海贝岭,无锡上华,首刚NEC,绍兴华越,南通富士通,上海长丰等代工和封装企业所提供的各种加工工艺和相应技术服务已基本满足了设计业的需求.3.中国IC产业存在的问题
3.1中国的IC产业缺乏核心技术
通过产业调研发现,就目前来看,目前,由于西方国家的出口限制,我国在芯片技术,设备上受制于人的局面尚未完全扭转.国内芯片设计公司规模偏小,技术落后,缺乏自主知识产权.2003年,全国芯片设计公司前十强的产值之和仅..4亿美元,而美国排名第十的芯片设计企业产值为6.5亿美元.国内芯片制造企业几乎都是“代工厂”,自主创新能力薄弱,拥有自主产品和自主品牌的公司凤毛麟角.据了解,我国电子信息产业研发投入超过销售额10%的企业寥寥无几,只有华为,中兴通讯少数几家.绝大多数企业的研发投入低于2%,与外国公司差距悬殊.如韩国三星2003年研发投入近30亿美元,占销售额的8%.真正能在IC设计市场上盈利的更多的是从事低端设计的公司.消费类产品的订单是国内IC设计公司追逐的目标,但消费类产品的技术含量往往不高.而事实上,国内近年来尽管在高端产品如CPU取得了一些突破.但技术含量仍然有限.（转）
第五篇：免费芯片申请网站、
经验表明,以下网址注册成功后都可以申请,可以先上网页熟悉一下各公司的产品线,以后做实验可以依自己需求申请,振兴中大电子靠你们啦!注意不要abuse滥申请,不然拉你入黑名单!
//最慷慨成功注册有可以申请一批芯片注意是一批好大方从国内ti样品中心寄过来
//种类多模拟数字一大堆也可以申请arm7系列的ADuC7027 等有个电视节目叫《任讲吾嬲》这公司可以用任申吾嬲来形容芯片一般从东南亚某国寄过来菲律宾吧
//种类也很多.通常他网页上用中文说明可以申请的就可以申请
//连arm9都可以申请但是是BGA封装的焊不了嗯这公司不错提供了高档处理器申请芯片从美国寄过来
//模拟的多点 ad da吧
//电源转换二级管放大器比较器多想当年连1117都申请香港寄来
//电源管理北京寄过来
//国产芯片的好咚咚阿有usbusb-uart转换pci接口等芯片从南京寄过来
//美国AD公司中文主页//ATMEL公司中文主页//美信公司中文主页
//德州仪器公司中文主页
点击咨询 