第一篇：传感器测试实验报告
实验一
直流激励时霍尔传感器位移特性实验 一、实验目得: 了解霍尔式传感器原理与应用。
二、基本原理: 金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时，在垂直于磁场与电流得方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应.具有这种效应得元件成为霍尔元件，根据霍尔效应,霍尔电势 U H =K H IＢ，当保持霍尔元件得控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度得磁场中沿水平方向移动,则输出得霍尔电动势为,式中 k—位移传感器得灵敏度。这样它就可以用来测量位移.霍尔电动势得极性表示了元件得方向.磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。
三、需用器件与单元: 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V 直流电源、测微头、数显单元.四、实验步骤: 1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上,将传感器引线插头插入实验模板得插座中,实验板得连接线按图 9—1 进行。1、3 为电源±５V,２、4 为输出。
2、开启电源,调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置,再调节 Rw1 使数显表指示为零。
图９-１
直流激励时霍尔传感器位移实验接线图 3、测微头往轴向方向推进,每转动 0、2mｍ记下一个读数，直到读数近似不变,将读数填入表９-1。
表９－1 X（ｍm)
Ｖ（mv)
作出 V—Ｘ曲线,计算不同线性范围时得灵敏度与非线性误差。
五、实验注意事项: 1、对传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。
2、不要将霍尔传感器得激励电压错接成±1５Ｖ,否则将可能烧毁霍尔元件。
六、思考题:
本实验中霍尔元件位移得线性度实际上反映得时什么量得变化？ 七、实验报告要求: 1、整理实验数据,根据所得得实验数据做出传感器得特性曲线． 2、归纳总结霍尔元件得误差主要有哪几种,各自得产生原因就是什么,应怎样进行补偿。
实验二
集成温度传感器得特性 一、实验目得: 了解常用得集成温度传感器基本原理、性能与应用。
二、基本原理: 集成温度传器将温敏晶体管与相应得辅助电路集成在同一芯片上,它能直接给出正比于绝对温度得理想线性输出,一般用于－５0℃－+150℃之间测量，温敏晶体管就是利用管子得集电极电流恒定时,晶体管得基极—发射极电压与温度成线性关系。为克服温敏晶体管 U ｂ 电压生产时得离散性、均采用了特殊得差分电路。集成温度传感器有电压型与电流型二种,电流输出型集成温度传感器，在一定温度下,它相当于一个恒流源。因此它具有不易受接触电阻、引线电阻、电压噪声得干扰。具有很好得线性特性。本实验采用得就是国产得 AD５９0.它只需要一种电源(+４Ｖ-+30Ｖ)．即可实现温度到电流得线性变换,然后在终端使用一只取样电阻（本实验中为 R2)即可实现电流到电压得转换。它使用方便且电流型比电压型得测量精度更高。
三、需用器件与单元：
温度控制器、加热源、温度模块、数显单元、万用表。
四、实验步骤: 1、将主控箱上总电源关闭,把主控箱中温度检测与控制单元中得恒流加热电源输出与温度模块中得恒流输入连接起来。
2、将温度模块中得温控 Pｔ10０与主控箱得Ｐｔ1０0 输入连接起来。
３、将温度模块中左上角得 AD590 接到 a、b 上(正端接 a,负端接ｂ),再将 b、d 连接起来.4、将主控箱得+5V 电源接入ａ与地之间。
5、将 d 与地与主控箱得电压表输入端相连(即测量１K 电阻两端得电压).6、开启主电源，将温度控制器得 SV 窗口设定为(设置方法见附录２）,以后每隔设定一次,即Δt=,读取数显表值,将结果填入下表。
表１0-1 T（℃)
Ｖ（mＶ)
7、根据上表计算 AＤ5９0 得非线性误差。
五、实验注意事项：
1、加热器温度不能加热到 120℃以上，否则将可能损坏加热器。
2、不要将 AD５90 得+、—端接反，因为反向电压可能击穿 AD590。
六、思考题：
大家知道在一定得电流模式下 PN 结得正向电压与温度之间具有较好得线性关系,因此就有温敏二极管,您若有兴趣可以利用开关二极管或其它温敏二极管在５0℃-１0０℃之间，作温度特性,然后与集成温度传感器相同区间得温度特性进行比较,从线性瞧温度传感器线性优于温敏二极管,请阐明理由.七、实验报告要求：
1、简单说明 AＤ590 得基本原理,讨论电流输出型与电压输出型集成温度传感器得优缺点。
2、总结实验后得收获、体会。
实验 三
光电二极管与光敏电阻得特性研究
一、实验目得: 了解光电二极管与光敏电阻得特性与应用。
二、基本原理: :（1)光电二极管：
光电二极管就是利用 PＮ结单向导电性得结型光电器件，结构与一般二极管类似。PN 结安装在管得顶部，便于接受光照。外壳上有以透镜制成得窗口以使光线集中在敏感面上，为了获得尽可能大得光生电流,PN 结得面积比一般二极管要大.为了光电转换效率高，PＮ结得深度比一般二极管浅。光电二极管可工作在两种状态。大多数情况下工作在反向偏压状态。在这种情况下,当无光照时,处于反偏得二极管工作在截止状态,这时只有少数载流子在反向偏压得作用下，渡越阻挡层形成微小得反向电流，即暗电流。反向电流小得原因就是在 PN 结中，P 型中得电子与Ｎ型中得空穴（少数载流子)很少.当光照射在 PＮ结上时,PN 结附近受光子轰击,吸收其能量而产生电子空穴对,使P区与N区得少数载流子浓度大大增加,在外加反偏电压与内
电场得作用下,P区得少数载流子渡越阻挡层进入Ｎ区,N区得少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过 PN 结得反向电流大为增加，形成了光电流，反向电流随光照强度增加而增加。另一种工作状态就是在光电二极管上不加电压,利用 PN 结受光照强度增加而增加.N 结受光照时产生正向电压得原理,将其作为微型光电池用.这种工作状态一般用作光电检测.光电二极管常用得材料有硅、锗、锑化铟、砷化铟等,使用最广泛得就是硅、锗光电二极管.光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好得温度稳定性与低工作电压得优点,因而得到了广泛得应用。
图为光电流信号转换电路，Vo＝IpR，Ｉp 为光电流,Ｒ就是反馈电阻。
(2)光敏电阻: 光敏电阻就是利用光得入射引起半导体电阻得变化来进行工作得.光敏电阻得工作原理就是基于光电导效应:在无光照时,光敏电阻具有很高得阻值；在有光照时,当光电子得能量大于材料禁带宽度,价带中得电子吸收光子能量后跃迁到导带，激发出可以导电得电子－空穴对,使电阻降低,光线愈强,激发出得电子—空穴对越多,电阻值越低;光照停止后,自由电子与空穴复合,导电能力下降，电阻恢复原值。制作光敏电阻得材料常用硫化镉（CｄS)、硒化镉（CdＳe)、硫化铅(ＰｂSe)锑化铟(ＩnSb)等。
由于光导效应只限于光照表面得薄层,所以一般都把半导体材料制成薄膜,并赋予适当得电阻值，电极构造通常做成梳形，这样,光敏电阻与电极之间得距离短,载流子通过电极得时间少，而材料得载流子寿命又较长,于就是就有很高得内部增益 G,从而获得很高得灵敏度。光敏电阻具有灵敏度高,光谱响应范围宽,重量轻，机械强度高,耐冲击,抗过载能力强,耗散功率大，以及寿命长等特点．光敏电阻得阻值 R 与光得强度呈现强烈得非线性． 三、实验器件与单元: :
光电模块,主控箱,万用表,０～20mA 恒流源。
四、实验内容与步骤：
1、将主控箱得 0~20mA 恒流源调节到最小。
2、把 0～20mＡ恒流源得输出与光电模块上得恒流输入连接起来,以驱动 LED 光源。
３、1、硅光电池实验：将恒流源从 0 开始每隔２mA 记录一次,填入下列相应得表格,光电二极管得强度指示在光电模块得右边数显上。
3、２、光敏电阻实验:由于光敏电阻光较弱时变化较大，所以在０~2ｍA 之间,每隔０、5mA记录一次，以后每隔 2ｍA 做一次实验,测得得数据填入下列相应表格。光敏电阻得大小用万用表测量光电模块上得光敏电阻输出端。
（1)光电二极管: I（mＡ）
V（mv)
(2）光敏电阻:
Ｉ（mA)
R
五、实验注意事项：
注意要将主控箱上恒流输出得正负端与光电模块上得正负端对应接好，否则,光发送端将不能发光。
六、思考题: :
1、当将硅光电池作为光探测器时应注意那些问题？ 2、讨论光敏电阻主要应用在什么场合。
七、实验报告要求：
1、根据实验数据做出光敏电阻与硅光电池得特性曲线图。
2、简述光敏电阻与硅光电池得基本特性。
实验四 四
电容式传感器得位移特性实验 一、实验目得: 了解电容式传感器结构及其特点。
一、基本原理: 利用平板电容 C＝εS/d 与其它结构得关系式通过相应得结构与测量电路可以选择ε、S、d 中三个参数中，保持两个参数不变,而只改变其中一个参数,则可以有测谷物干燥度(ε变）测微小位移（变 d)与测量液位（变 S)等多种电容传感器。变面积型电容传感器中,平板结构对极距特别敏感,测量精度受到影响,而圆柱形结构受极板径向变化得影响很小,且理论上具有很好得线性关系,(但实际由于边缘效应得影响，会引起极板间得电场分布不均,导致非线性问题仍然存在，且灵敏度下降,但比变极距型好得多。)成为实际中最常用得结构,其中线位移单组式得电容量 C 在忽略边缘效应时为：
(1)式中
——外圆筒与内圆柱覆盖部分得长度;
——外圆筒内半径与内圆柱外半径.当两圆筒相对移动时,电容变化量为
(2）
于就是，可得其静态灵敏度为:
(3)可见灵敏度与有关，越接近,灵敏度越高,虽然内外极筒原始覆盖长度与灵敏度无关，但不可太小,否则边缘效应将影响到传感器得线性。
本实验为变面积式电容传感器,采用差动式圆柱形结构,因此可以很好得消除极距变化对
测量精度得影响,并且可以减小非线性误差与增加传感器得灵敏度.二、需用器件与单元: 电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、数显单元、直流稳压源。
三、实验步骤: 1、将电容式传感器装于电容传感器实验模板上，将传感器引线插头插入实验模板得插座中。
2、将电容传感器实验模板得输出端 Vo１与数显单元Ｖi 相接(插入主控箱 Vi 孔）Rw 调节到中间位置。
3、接入±15V 电源,旋动测微头改变电容传感器动极板得位置,每隔０。2mm 记下位移Ｘ与输出电压值,填入表 8-１。
表 8-1 电容传感器位移与输出电压值 X（mｍ）
V(ｍv）
4、根据表 8－１数据计算电容传感器得系统灵敏度Ｓ与非线性误差。
五、实验注意事项: １、传感器要轻拿轻放,绝不可掉到地上。
2、做实验时,不要接触传感器,否则将会使线性变差。
图 8-1 电容传感器位移实验接线图 六、思考题: 1、简述什么就是传感器得边缘效应，它会对传感器得性能带来哪些不利影响。
２、电容式传感器与电感式传感器相比,有哪些优缺点? 七、实验报告要求: 1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器得特性曲线,并利用最小二乘法做出拟合直线，计算该传感器得非线性误差． ２、根据实验结果,分析引起这些非线性得原因，并说明怎样提高传感器得线性度。
实验一
电容式传感器得位移特性实验
班级：
姓名：
学号：
１、实验目得 了解电容式传感器结构及其特点。、实验器件 电容传感器、电容传感器实验模板、测微头、数显单元、直流稳压源。、基本原理 4、实验结果：电容传感器位移与输出电压值 Ｘ（（mm)
V(ｍv）
根据实验数据计算电容传感器得系统灵敏度 S 与非线性误差 实验二 二
直流激励时霍尔传感器位移特性实验 班级：
：
姓名：
学号:
1、、实验目得 了解霍尔式传感器原理与应用.2、、实验器件 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、±15V 直流电源、测微头、数显单元。
3、、基本原理 4、、实验结果 X(mm)
Ｖ（（mv)
作出 V—X 曲线,计算不同范围时得灵敏度与非线性误差 实验三 三
集成温度传感器得特性 班级:
姓名：
学号:
1、、实验目得 了解常用得集成温度传感器基本原理、性能与应用。
2、、实验器件 温度控制器、加热源、温度模块、数显单元、万用表。
3、、实验原理 4、、实验结果 T（（℃））
V(mv)
根据上表计算 AD590 得非线性误差 实验 四
光电二极管得特性研究
班级:
姓名:
学号：
１、实验目得 了解光电二极管得特性与应用。
2、、实验器件 光电模块，主控箱,万用表，0~20mA 恒流源。
3、、实验原理及步骤 4、、实验结果 I(mA）
V(mv)
根据实验数据作出硅光电池得特性曲线图
第二篇：酒精传感器实验报告
课
程： 传感器应用
班
级： 12物联网 姓
名：
学
号：
指导老师：
酒精传感器实验报告
一、实验名称：酒精传感器
二、实验目的：
１、能够读懂电子产品原理图，了解气敏传感器以及各电子元件的作用。２、能够具备电子产品的焊接技能以及故障分析、判断能力。
三、功能描述：
本设计介绍了一种酒精浓度检测仪的设计方法，主要利用MQ3还原性气体传感器作为酒精气体传感器，通过分压电阻转换为成比例的电压，再利用线性显示驱动LM3914驱动不同颜色的发光二极管和蜂鸣器提示检测得到的酒精浓度大小。根据自动检测系统的组成结构，该酒精浓度检测仪包含酒精气体传感器，信号处理电路和执行指示机构等部分。对于酒精气体传感器，只要是一般性的还原性气体传感器都能够使用。具体的信号传递与结构如下图所示。
四、硬件电路设计：
电路的前端部分MQ3传感器和分压电路按照常规设计即可，执行驱动声光指示的电路需要驱动多个发光管以及一个蜂鸣器，即需要将分压电路得出的电压转换成LED线段显示同时在某点驱动蜂鸣器发声。因此本设计拟采用LED通用电平显示驱动芯片LM3914作为执行机构。
１、MQ-3气敏电阻传感器
本设计采用的是表面电阻控制型气敏传感器MQ-3，该气体传感器的敏感材料是活性很高的金属氧化物半导体，最常用的如SnO2。金属氧化物半导体在空气中被加热到一定温度时，氧原子被吸附在带负电荷的半导体表面，半导体表面的电子会被转移到吸附氧上，氧原子就变成了氧负离子，同时在半导体表面形成一个正的空间电荷层，导致表面势垒升高，从而阻碍电子流动，电阻较大。当N型半导体的表面在高温下遇到离解能力较小（易失去电子）的还原性气体时，气体分子中的电子将向气敏电阻表面转移，使气敏电阻中的自由电子浓度增加，电阻率降低，电阻减小。其应用于家庭、工厂、商业场所的气体泄漏监测装置，防火/安全探测系统。气体泄漏报警器，气体检漏仪。特点：高灵敏度、快速响应恢复、优异的稳定性、长寿命、驱动电路简单、电信号输出强。如下图所示。
酒精传感器实验报告
２、LED通用电平显示驱动芯片LM3914 通用电平显示驱动芯片LM3914片内有10个电压比较器，10个1K欧姆精密电阻串联组成的分压器分别向各电压比较器提供比较基准；直线驱动10个发光二极管（LED）组成的10段“线”或“点”式条图显示器；对被测量的变化反映迅速真实；无阻尼现象；抗干扰能力强。
利用10个发光二极管作为输入端电平变化的显示，输入端电平信号可以是通过各类传感器和变换电路而探测的各种物理量，如电压、电流、温度、湿度、亮度、响度、音频、距离、磁场强度、重量等等。用它做成的电平显示器，既醒目、直观，又方便、实用，并且能反映瞬间变化的信号，用途十分广泛。例如，在电路设计制作中，它既可以通过探头和处理电路实现温度控制和显示，用于烘箱、冰箱、空调、热塑封机等设备上，也可以通过分压变换电路实现电压高低的直观显示，用于仪器、仪表、音响及办公设备上。
核心电路采用了塑封双列直插的18脚LED点条显示驱动集成电路LM3914，电路构成及管脚功能如下图所示。LM3914内部含有10个相同的电压比较器，它们的输出端可以分别直接驱动外接的10只发光二极管(VDl—VDl0)作条状显示，也可以实现点状显示。它们的反相输入端并联在一起，并通过一个缓冲器接到输入端5脚。而10个同相输入端分别接到由10个精密电阻串联而成的多级分压器上。而这个分压器的两端在内部没有与其它电路或公共端相连，而是直接由6、4脚引出，通常将之称为悬浮式，这样使得应用电路的设计更加灵活和方便。
以一个分辨率为0.125V的10级线性电压表为例说明其工作原理。这个电压表的最大量程为1.25V，将9、11脚相连，设定为点状显示，这样比较省电。分压器就用内部基准电压源，6、7脚相连，4、8脚相连并接地，则分压器每个1k电阻上的压降为0.125V，因此最下面的一个比较器1同相输入端的电位为0.125V，比较器2同相输入端电位为0.25V，依此类推，最上面的一个比较器10基准电压设定为1.25V。当5脚输入电压小于0.125V时，10个LED都不发光，3
酒精传感器实验报告
当输入电压大于0.125V但小于0.25V时，比较器1反相输入端电位高于同相输入端，则比较器1输出低电位，使VD1发光；当输入电压大于0.25V但小于0.375V时，则VD2发光；依此类推，当输入1.25V电压时，VDl0发光。以上是用10个LED作0-1.25V十级显示，每级0.125V；若将6脚外接10V标准电压源，4脚接地。可以作0-10V十级显示的电压表，若将6脚接10V，4脚接5V电压，少比3脚电源电压VCC低2V。
３、电路及工作原理分析
本设计采用5V电源供电，前端是MQ-3型酒精气体浓度传感器，利用电阻分压电路将酒精浓度由电阻量转化为电压量，在通过驱动芯片LM3914按照电压大小驱动输出相应的发光管，当到达一定阈值时蜂鸣器被触发，发出报警声。调试时通过电位器RP调节测量的灵敏度。具体的电路原理如下图所示。
酒精传感器实验报告
4、PCB制版
酒精传感器实验报告
酒精传感器实验报告
五、功能调试：
1、检查电源回路
在通电之前，用数字万用表的二极管通断档测量电源正负接入点之间的电阻，应该成高阻态。如果出现短路现象，应立即排查，防止通电烧元件的事故。同时，目测IC的正负电源是否接反。当一切正常后方可通电调试。
2、电压直接调节
本设计主要是通过电阻分压电路测量酒精气体浓度变化的，而LM3914也是根据输入电压的大小决定点亮LED的数量的，因此可以先调试传感器之后的电路时是否正常。使用稳压电源的一组5V使系统通电后，将可调稳压电源的另一组输出调至0.2V左右，其电源正通过一个1K的电阻接入图中的A点，其电源负与系统电源负短接。再调节电源从0.2V-5V，观察输出LED和蜂鸣器的变化。正确的变化应该是，LED1-LED9挨个被点亮，在LED5和LED6被点亮之间蜂鸣器将发出声音，并一直持续。
如果没有一个LED被点亮，可能是LM3914的周边电路没有配合好，或者是电路某点有开路；如果是最终有几个红色LED未被点亮，可能是电位器RP的阻值偏小，调大一些再试；蜂鸣器未发出声响，可能原因是后面的发生电路开路，或者三极管烧坏。
3、酒精液体校准
按照传感器的使用要求，先通电将传感器预热。然后使用乙醇液体作为酒精气体的散发源，先使用50%的乙醇水溶液，再根据具体情况调节乙醇含量，最终得到200ppm的酒精调试系统。
4、电位器调节灵敏度
调试完成，根据具体的需要调节电位器RP，控制系统测试的灵敏度，要注意传感器的电阻参数
六、结束语：
第三篇：传感器与测试技术
传感器与测试技术
一、判断题
1、传感器是与人感觉器官相对应的原件。B 错误
2、敏感元件，是指传感器中能直接感受或响应被测量的部分。A 正确
3、信息革命的两大重要支柱是信息的采集和处理。A 正确
4、传感元件把各种被测非电量转换为R,L,C的变化后，必须进一步转换为电流或电压的变化，才能进行处理，记录和显示。A 正确
5、弹性敏感元件在传感器技术中有极重要的地位。A 正确
6、敏感元件加工新技术有薄膜技术和真空镀膜技术。B 错误
2、传感器动态特性可用瞬态响应法和频率相应法分析。A 正确
4、传感器的输出--输入校准曲线与理论拟合直线之间的最大偏差与传感器满量程输出之比，称为该传感器的“非线性误差”。A 正确
5、选择传感器时，相对灵敏度必须大于零。B 错误
6、用一阶系统描述的传感器，其动态响应特征的优劣也主要取决于时间常数τ，τ越大越好。B 错误
7、一阶装置动态特性的主要参数是时间常数，一般希望它越大越好。B 错误
8、LTI系统的灵敏度是时间的线性函数。B 错误
9、一个复杂的高阶系统总是可以看成是由若干个零阶、一阶和二阶系统并联而成的。B 错误
10、无论何种传感器，若要提高灵敏度，必然会增加非线性误差。B 错误
11、幅频特性优良的传感器，其动态范围大，故可以用于高精度测量。B 错误
12、传感器的阈值，实际上就是传感器在零点附近的分辨力。B 错误
13、非线性误差的大小是以一拟合直线作为基准直线计算出来的，基准直线不同，所得出的线性度就不一样。A 正确
14、外差检测的优点是对光强波动和低频噪声不敏感。A 正确
15、传感器在稳态信号作用下，输入和输出的对应关系称为静态特性；在动态的信号作用下，输入和输出的关系称为动态特性。A 正确
16、传感器动态特性的传递函数中，两个各有G1(s）和G2(s)传递函数的系统串联后，如果他们的阻抗匹配合适，相互之间仍会影响彼此的工作状态。B 错误
17、对比波长大得多的长度变化，物理扰动P随时间变化的速率与振荡频率f成正比。A 正确
18、灵敏度是描述传感器的输出量（一般为非电学量）对输入量（一般为电学量）敏感程度的特性参数B 错误
19、传递函数表示系统本身的传输、转换特性，与激励及系统的初始状态无关。A 正确 20、应变计的灵敏度k恒大金属线材的灵敏度系数ko。A 正确
21、对应变式传感器来说，敏感栅愈窄，基长愈长的应变计，其横向效应引起的误差越大。A 正确
22、零值法的优点是，测量精度主要取决于读数桥的精度，而不受电桥供电电压波动以及放大器放大系数波动等的影响，因此测量精度较高。但由于需要进行手调平衡，故一般用于静态测量。A 正确
23、传感器的灵敏度是指输出量与相应的被测量（输入量）之比。B 错误
24、金属材料灵敏度比半导体大50～100倍。B 错误
25、一个复杂的高阶系统可以看成是由若干个一阶和二阶系统串联而成的。B 错误
26、传感器的灵敏度定义为传感器输入量变化值与相对应的输出量变化值之比。B 错误
41、应变式传感器的温度误差主要是应变式温度传感器件的测量部分引起的。B 错误
43、固有频率属于传感器的动态特性指标。A 正确
1、应变计的非线性度一般要求在0.05％或1％以内。A 正确
2、电阻丝式应变传感计的横向效应可以用H=ky/kx=(n-1)ls/[2nl1+(n-1)ls]表示，可见ls（r）愈小，l1愈大，H愈小。即敏感栅愈窄，基长愈长的应变计，其横向效应引起的误差越小。A 正确
3、等臂电桥当电源电压及电阻相对变化一定时，电桥的输出电压及其电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无关。A 正确
4、应变计粘合剂不但要求粘接力强，而且要求粘合层的剪切弹性模量大，能真实地传递试件的应变。另外，粘合层应有高的绝缘电阻、良好的防潮性防油性能以及使用简便等特点。A 正确
5、热敏电阻的温度系数随温度减小而减小，所以低温时热敏电阻温度系数小，灵敏度高，故热敏电阻常用于低温（-100~300）测量。B 错误
6、因环境温度改变而引起的附加电阻变化或者造成的视应变，除与环境温度变化有关外，还与应变计本身的性能参数k、α。βs以及被测构件的线膨胀系数βg有关。A 正确
7、应变计的灵敏度K恒小于金属材料的灵敏度系数K0。A 正确
8、电阻应变仪的差值法一般用于动态测量，零值法一般用于静态测量。A 正确
9、应变计灵敏度k横小于金属线材的灵敏度系数k。A 正确
10、想要提高电桥的电压灵敏度Ku，必须提高电源电压，但不受应变计允许功耗的限制。B 错误
11、等臂电桥，电桥的输出电压及其电压灵敏度与各桥臂阻值总是成正比关系。B 错误
12、电阻应变片是一种能将机械构件上的应变的变化转化为电阻变化的传感器。A 正确
13、等臂电桥，当电源电压及电阻相对变化一定时，电桥的输出电压及其电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无关。A 正确
14、应变计的测量范围很大。A 正确
15、半导体应变计具有较小的非线性，输出信号较强，故抗干扰能力较好。B 错误
16、绝缘电阻是指应变计的引线与被测试件之间的电阻值，一般以兆欧计。A 正确
17、自补偿应变计是一种特殊的应变计，当温度变化时产生的附加应变为零或抵消。A 正确
18、热敏电阻的温度随温度减小而增大，所以低温时热敏电阻温度系数大，灵敏度高，故热敏电阻常用于高温测量。B 错误
19、应变计的动态特性测量按正弦规律变化的应变波形时，应变计反应的波幅将高于真实应变波。B 错误
20、电阻应变效应包括横向效应。
B 错误
21、应变计按照半导体式可分为体型和薄膜型。B 错误
22、热敏电阻主要有正温度系数型、负温度系数型、临界温度系数型三种类型。A 正确
23、热敏电阻只有正温度系数型、负温度系数型两种。B 错误
24、根据敏感元件材料的不同，应变计可分为金属式和半导体式两大类。A 正确
25、热敏电阻的电阻温度系数大，电阻与温度的关系近似于线性或为平滑曲线。
A 正确
26、实验表明，应变计的灵敏度K恒小于金属线材的灵敏度系数ko。A 正确
27、敏感栅愈窄，基长愈长的应变计，其横向效应引起的误差越小。A 正确
28、电阻应变计的第一对称形式的直流电桥的电压灵敏度不但与供电电压U有关而且与电桥电阻有关B 错误
29、半导体温度传感器中热敏电阻都有色环，负温度系数型热敏电阻其标记为红色。B 错误
30、热敏电阻的温度系数随温度减小而增大，低温时热敏电阻温度系数大，灵敏度高，高温时温度系数小，灵敏度低。A 正确
31、热敏电阻的温度系数随温度的增大而增大，所以高温时热敏电阻的温度系数大，灵敏度高。B 错误
32、应变器的核心元件是电阻应变计。A 正确
33、扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的。B 错误
41、压缩式压电加速度传感器属于压电加速度传感器的一种。A 正确
49、试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一，使得应变丝产生附加变形而造成的电阻变化导致应变式传感器的温度产生误差。A 正确
53、应变计的测量范围很小。B 错误
5、组合式压力传感器是用于测量大压力的。B 错误
1、APD在使用时，须在元件两端加上近于击穿的反偏压。A 正确
2、压电谐振式感器可以不利用压电晶体谐振器的共振频率随被测物理量变化进行测量的。B 错误
3、应变式测力传感器中应变计是传感器的基础，弹力体是传感器的核心。B 错误
4、感湿特征量随环境温度的变化越大,环境温度变化所引起的相对湿度的误差就越小。B 错误
5、半导体湿度传感器的响应时间分为吸湿响应时间和脱湿响应时间，大多数湿度传感器都是脱湿响应时间大于吸湿响应时间。A 正确
6、湿度传感器在升湿和降湿往返变化时的吸湿特性曲线不重合，所构成的曲线叫湿滞回线。A 正确
7、压缩式压电加速度传感器中为便于装配和增大电容量常用两片极化方向相同的晶片，电学上串联输出。B 错误
8、SAW气敏传感器中，吸附膜吸收了环境中的某种特定气体，使基片表面性质发生变化，导致SAW振荡器振荡频率发生变化，通过测量频率的变化就可检测特定气体成分的含量。A 正确
9、感湿特征量变化越大，环境温度变化所引起的相对湿度的误差就越小。B 错误
10、压电传感器的系统功耗小，抗干扰能力强，稳定性好，是传感技术重点发展的方向之一。（A 正确）
11、磁电感应式感器是利用压电晶体谐振器的共振频率随被测物理量得变化而变化进行测量的。B 错误
12、某些晶体沿一定方向伸长或压缩时，在其表面会产生电荷（束缚电荷），这种效应称为压电效应。（A 正确）
13、热释电效应也是晶体的一种自然物理效应。A 正确
14、热电偶产生的热电动势是由两种导体的接触电动势和单一导体的温差电动势组成的。A 正确
15、一般压电材料都有一定的温度系数，温度变化引起的频偏往往超过压力变化引起的频偏，不必对温度变化引起的频偏进行补偿。B 错误
16、SAW压力传感器可用以监视心脏病人的心跳，用射频振荡器把信息发射出去实现遥测。A 正确
17、在环境湿度保持恒定的情况下，湿度传感器特征量的相对变化量与对应的温度变化量之比，称为特征量温度系数。A 正确
18、压电式传感器的测量线路中，电荷放大器的低频特性要比电压放大器好的多。A 正确
19、一般压电材料都有一定的温度系数，但不必对温度变化引起的。B 错误 20、晶体的压电效应是一种机电耦合效应。A 正确
21、压电谐振式传感器是利用压电晶体谐振器的共振频率随被测物理量变化而变化进行测量的。A 正确
28、石英晶体测量加速度基于压电效应。A 正确
1、光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。A 正确
2、半导体色敏传感器件利用了半导体特有的特性，构成彩色识别元件。A 正确
3、半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内各类辐射光的波长。B 错误
4、光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。A 正确
5、CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。A 正确
7、数值孔径是反映纤芯接收光量的多少,标志光纤接收性能的一个重要参数。A 正确
8、在阶跃型光纤中，数值孔径越大光信号越易畸变。A 正确
9、光纤传感器中的弯曲损耗是有害的，必须消除。B 错误
10、光纤纤芯折射率高于包层的折射率。A 正确
11、根据全内反射原理，设计光纤纤芯的折射率要小于包层的折射率。B 错误
12、在光纤纤维传中传播模式很多对信息传输是不利的，因为同一光信号采取很多模式传播，就会使这一光信号分为不同时间到达接收端的多个小信号，从而导致合成信号的畸变。A 正确
13、暗市场传感器与亮市场传感器的不同之处在于:它使用从包层进入纤芯的光产生输出信号。B 错误
14、光电效应能否产生，取决于光子的能量是否大于该物质表面的溢出功。A 正确
15、为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。A 正确
16、光谱灵敏度为光电器件对单色辐射通量的反应与入射的单色辐射通量之比。A 正确
17、外光电效应分为光电导效应和光生伏特效应。B 错误
18、热释电效应是介质的固有电极化强度发生变化，使屏蔽电荷失去平衡，多余的屏蔽电荷被释放出来的现象。A 正确
19、入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应，也称内光电导效应。A 正确 20、光电效应分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。A 正确
21、光敏电阻的工作原理是基于光电导效应。A 正确
22、内光电效应分为两类，光电导效应和光生伏特效应。B 错误
23、光在半导体材料传播是不会产生衰减。B 错误
24、在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。A 正确
25、基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。A 正确
26、本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体。B 错误
27、光敏电阻具有灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小，重量轻机械强度高，耐冲击，抗过载能力强，耗散功率小等特点。B 错误
28、当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时，光电池的性能是相当稳定的，寿命也很长。A 正确
29、采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm。B 错误 30、光纤集光能力的大小与入射到光纤端面的光线是否都能进入光纤息息相关。A 正确
31、光敏二极管是利用光生伏特效应制成的。A 正确
32、光敏电阻的暗电阻大。A 正确
33、入射光强改变物质导电率的物理现象叫光生伏特效应。
B 错误
34、当温度升高时，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都下降，因此光电流随温度升高而减小。A 正确
35、光电池作为测量元件使用时，应利用短路电流与照度有较好线性关系的特点，可当做光电检测使用。A 正确
36、光电管属于外光电传感器。A 正确
37、在阶跃折射率光纤的纤芯-包层界面折射率突然从n1减小到n2，而在整个包层中折射率保持恒定。A 正确
38、渐变折射率光纤的折射率从纤芯中央开始向外随径向距离增加而逐渐增大，而包层中折射率保持不变。B 错误
39、光电器件有一定的惰性，在一定幅度的正弦调制光照射下，当频率较高时，灵敏度与频率无关；若频率降低，灵敏度就会逐渐降低。B 错误
40、光纤耦合器是使光信号能量实现分路/合路的器件。A 正确
41、在阶跃型光纤中，数值孔径越大光纤性能越好。B 错误
43、湿度传感器感湿特征量之值与外加交流电压的关系称为电压特性。A 正确
44、外光电效应制成的光电器有真空光电管、半导体光敏电阻。B 错误
45、位移光纤传感器中的两个光栅，适当的减小其中一个光栅栅元宽度可使灵敏度提高，动态范围也将大大的提高。B 错误
46、半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色的波长。A 正确
47、光电池研制的最主要问题是提高光电池的光电转换效率。A 正确
48、硅光电池的光谱响应波长范围比锗光的光谱响应波长范围广。B 错误
49、光电器件的灵敏度、暗电流或光电流与温度的关系称为温度特性，通常由曲线表示或温度特性给出。A 正确
50、当光通量一定时，阳极电流与阳（阴）电压的关系，叫光电管的伏安特性曲线。B 错误
51、硒光电池比硅光电池更稳定。B 错误
52、有机粘合剂通常用于低温、常温和中温，无机粘合剂用于高温。A 正确
53、半导体色敏传感器可用来直接测量从可见光到红外波段内的单设辐射的波长。A 正确
54、光电倍增管具有灵敏度高，谱响应范围宽，体积小，重量轻，机械强度高，耗散功率大，以及寿命长的等特点。B 错误
55、按传播模式多少可以将光纤分为单模和多模。A 正确
56、光纤耦合器又称分歧机，在电信网路、有线电视网络、用户回路系统。A 正确
57、当电源电压及电阻相对变化一定时，等臂电桥的输出电压及其电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无关。A 正确
58、只有当入射光频率高于红限频率时，光电效应才能够产生。A 正确
59、光敏电阻的亮电阻和暗电阻之差越大，说明性能越好，灵敏度越高。A 正确 60、在阶跃型光纤中，数值孔径越大“V值”越大。A 正确 61、半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色的波长，它有两个深度相同的PN结构成。B 错误
62、光纤的纤芯强度取决于纤芯和包层的光学性能。B 错误
63、通常外光电效应有红限频率，而内光电效应无红限频率。B 错误 64、金膜能吸收汞生成汞齐,是良好的检测汞的涂层材料。A 正确
65、入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。A 正确
66、若光电倍增管用来监控连续光源,电容可以省去。使用中往往将电源负极接地,正极直接接到放大器的输入端。若将稳定的光源加以调制,则需要电容器耦合。在脉冲应用时,最好把电源正极接地利于降低噪声，输出可通过电容和下一级放大器耦合。B 错误 77、光敏电阻的工作原理是基于光生伏特效应的。B 错误
1、弹性敏感元件的弹性储能高，具有较强的抗压强度，受温度影响大，具有良好的重复性和稳定性等。B 错误
2、法布利干涉仪一种极灵敏的位置和长度测量装置，它是能用于现代科学的最灵敏的位移测量装置之一。A 正确
1、最适合做开关型温度传感器的是负温度传感器。B 错误
1、最适合做开关型温度传感器的是负温度传感器。B 错误
44、传感器能感知的输入变化量越小，表示传感器的分辨力就越低。B 错误
二、单选题
3、一个复杂的高阶系统总是可以看成是由若干个零阶、一阶和二阶系统（B 串联）而成的。
34、下列哪一项是金属式应变计的主要缺点。A 非线性明显
14、传感器的输出量通常为（B 电量信号）。
27、不属于传感器静态特性指标的是（D 固有频率）。
28、应变式传感器的温度误差产生的主要原因：（D 试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一, 使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化。）
29、构件作纯弯曲形变时，构件面上部的应变为拉应变，下部为压应变，且两者是什么关系？（C 绝对值相同符号相反）
30、下面的哪个温度补偿方法是不存在的（C 电阻补偿法）
31、传感器能感知的输入变化量越小，表示传感器的（D 分辨力越高）
32、按照依据的基准线不同，下面那种线性度是最常用的（D 最小二乘法线性度）
33、输入逐渐增加到某一值，与输入逐渐减小刀同一输入值时的输出值不相等是属于传感器静态特性的哪一种（D 迟滞性）。
34、符合对粘合剂的要求是：（A 机械滞后小）。
35、下列哪种温度补偿方法是常用和效果较好的补偿方法：（电桥补偿法）。
36、下面哪一个不是相位检测方法（B 内差检测）。
37、为了减小热电偶测温时的测量误差，需要进行的温度补偿方法不包括（D 差动放大法）。
38、电阻应变片的线路温度补偿方法不包括(C 补偿线圈补偿法)。
39、属于传感器动态特性指标的是（D 固有频率）。40、电阻应变计的电阻相对变化ΔR/R与应变ΔL/L=ε之间在很大范围内是线性的则k=（A ΔR/R/ε）。
35、下列哪一项不是半导体应变计的主要优点（C 准确度高）。
36、下列哪一项是半导体式应变计的主要优点（B 灵敏度高）。
37、电桥测量电路的作用是把传感器的参数转换为（B 电压）的输出。
38、下面那一项不是半导体应变计的优点（C 横向效应小）。
39、以下属于应变计温度误差产生的原因是：（D 敏感栅金属丝电阻本身随温度发生变化）。40、下列哪一项不是金属式应变计的主要缺点（D 响应时间慢）。
42、应变式传感器的温度误差产生的主要原因：（D 应变丝产生附加变形而造成的电阻变化）。
43、不能用应变式传感器测量的是（A 温度）。
1、螺管型差动变压器的衔铁和铁芯用同种材料制成，通常选（A 电阻率大，导磁率高，饱和磁感应大的材料）。
2、组合式压力传感器用于测量（B 小压力）。
3、下列哪一项属于相位型传感器的缺点（C 结构较复杂，检测也需要复杂的手段）。
22、薄膜湿度传感器的响应时间为：（A 1～3s）。
23、下列对于压缩式电加速度传感器的描述正确的是：（D 按照压电式传感器的工作原理及其等效电路，传感器可看成电压发生器，也可看成电荷发生器）。
25、下列哪一项不是热释电材料的来源：（B 金属）。
26、下面哪项不是SAW传感器的优点：（A 分辨率低）。
27、压电式加速度传感器是（D 适于测量动态信号的）传感器。
31、下面哪个不是压电加速度传感器：（B 压电谐振式传感器）。
32、在强声场中测振，要选用灵敏度低的（A 压电式加速度）传感器。
33、石英晶体测量加速度基于哪个物理效应（B 压电效应）。
6、光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后，在PN结上产生（B 电动势）的效应。
42、光纤纤芯折射率要（A 高于）包层的折射率。
67、下面的哪些传感器不属于内光电传感器（A 光电管）。68、对光纤传感器的特点叙述错误的是：（C 频带宽动态范围小）。
69、下列关于光电管哪一项是正确的（B 当光通量一定时，阳极电压与阳极电流的关系，叫光电管的伏安特性曲线）。
70、下面的哪些传感器属于外光电传感器（A 光电管）。71、下面的哪些传感器不属于内光电传感器（A 光电管）。72、下列哪个是APD的优点：（B 灵敏度高）。
73、下面哪个不是光敏电阻的优点（D 耗散功率小）。
74、采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围(B 0.4-1.0μm)。75、下面哪个不是反射式光纤位移传感器的特点：（D 精度高）。76、半导体色敏传感器又称为（A 双结光电二极管）。78、反射式光纤位移传感器属于振幅型光纤传感器的一种，其测量位移与输出有如下关系（B 在一定范围内位移与输出信号成线性关系）。
79、下面哪个属于强度型光纤传感器（C 光纤测压传感器）。80、目前光纤传感器通常采用四种不同的干涉测量结构，以下哪一种不属于上述四种结构的是（D 伽利略）。
81、光电池种类很多，其中（D 硅光电池）的光电转换效率高，寿命长，价格便宜。82、数值孔径NA是光纤的一个重要参数，以下说法不正确的是（B 光纤的数值孔径与其几何尺寸有关）。
83、下面哪个不是光纤传感器具有的优点（B 频带宽动态范围小）。92、光敏电阻的工作原理基于（B 光电导效应）。
3、表明声波传感器可以通过测量频率的变化就可检测特定气体成分的含量，其选择性的吸附膜的选择非常重要，常用三乙醇胺薄膜选择性测量(D SO2)。
2、下列选择性吸附膜所对应的敏感气体正确的是（D 酞箐膜（敏感NO2））。
3、下列哪一项是非电阻型半导体气敏器件（A Ag2O）。
4、下列哪一项金属是最良好的检测汞的涂层材料（D 铁）。
5、对于我们日常生活中，所谓湿度的定义说法正确的是（D 气体的绝对湿度与同一温度下饱和水汽压Ps的百分比）。
2、下列选择性吸附膜所对应的敏感气体正确的是（D 酞箐膜（敏感NO2））。
3、下列哪一项是非电阻型半导体气敏器件（A Ag2O）。
4、下列哪一项金属是最良好的检测汞的涂层材料（D 铁）。
5、对于我们日常生活中，所谓湿度的定义说法正确的是（D 气体的绝对湿度与同一温度下饱和水汽压Ps的百分比）。
8、以下那个质量是直接影响传感器的性能和精度（B 弹性敏感元件）。
9、传感器一般包括敏感元件，还包括（A 转换元件）。
10、下列传感器不属于按基本效应分类的是（D 真空传感器）。
三、多选题
7、传感器按照工作原理通常分为（）。B 结构型；D 物理型
54电阻应变片的线路温度补偿方法有（）。
A 差动电桥补偿法；B 补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法；D 恒流源温度补偿电路法
11、下列属于按传感器的工作原理进行分类的传感器是（）。A 应变式传感器；C 压电式传感器；D 热电式传感器
12、传感器一般由（）组成。
A 敏感元件；B 转换元件；C 转换电路
13、传感技术的研究内容主要包括（）。A 信息获取；B 信息转换；C 信息处理
1、一个复杂的高阶系统总是可以看成是由（）串联而成的。A 零阶；B 一阶；C 二阶
42、存在灵敏度界限的原因是（）。
A 输入的变化量通过传感器内部被吸收，因而反映不到输出端上；C 传感器输出存在噪声
44、下列哪些是半导体应变计的优点（）。
A 灵敏度高；B 体积小、耗电省；D 机械滞后小，可测量静态应变、低频应变等。
45、因环境温度改变而引起的附加电阻变化或者造成的视应变，与下列哪些因素有关（）。A 环境温度变化；B 应变计本身的性能参数κ、α、β；C 被测构件的线膨胀系数βg
46、在应变式传感器应用中，温度的补偿方法主要有（）。
A 应变计自补偿法；B 电桥补偿法；C 辅助测温元件微型计算机补偿法；D 热敏电阻补偿法
47、半导体式应变计的主要特征有哪些（）。
A 测量应变的灵敏度和精度高；B 测量范围大；D 能适应各种环境
48、金属式应变计的主要缺点有哪些（）。A 非线性明显；D 抗干扰能力差
50、制作应变计敏感元件的金属材料应有如下要求（）。A k0大，并在尽可能大的范围内保持常数。；D 电阻率ρ大；E 电阻温度系数小
51、应变式传感器与其他类型传感器相比有以下特点（）。B 测量范围广、精度高。；C 频率响应特性较好。；E 能在恶劣的环境条件下工作。
52、通常用应变式传感器测量（）。B 速度；C 加速度；D 压力
4、电感式传感器可以对（）等物理量进行测量。A 位移；B 振动；C 压力；D 流量
24、下面哪项是SAW传感器的优点：（）。B 灵敏度高；D 可靠
29、下列关于热释电效应说法正确的是（）。
A 利用热释电效应的光电传感器包含光-热、热-电，两个阶段的信息变换过程。B 热-电阶段是利用某种效应将热转变为电信号。；C 光-热阶段是吸收了光以后温度升高。30、在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于（）。B 内光电效应；D 光导效应
84、光电器件的温度特性可以是下列哪些元素与温度的关系（）。B 灵敏度；C 暗电流； D 光电流
85、设计光纤微弯传感器时，下面说法正确的是（）。A 在光纤微变传感器中的变形器前后一定要有模式除去器。；D 暗视场信号放大倍数比亮视场的放大倍数大。
86、下面的哪些传感器属于内光电传感器（）。C 光敏电阻； D 光电二/三极管； E 光电池
87、光纤传感器中常用的光探测器有以下哪几种（）。A 光敏二极管； B 光电倍增管；C 光敏晶体管 88、下面基于外光电效应的光电器件有（）。A 光电管； B 光电倍增管
89、对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（）。A 当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。；
D 温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。90、发射光纤和传送光纤的分布有哪几种（）。
A 随机分布 B 半球形对开分布 C 共轴内发射分布 D 共轴外发射分布 91、下面哪些是光敏电阻的优点（）。A 体积小；B 重量轻；C 机械强度高 1
第四篇：压电式传感器实验报告（范文模版）
压电式传感器测振动实验
一、实验目的：了解压电传感器的测量振动的原理和方法。
二、基本原理：压电式传感器由惯性质量块和受压的压电片等组成。（观察实验用压电加速度计结构）工作时传感器感受与试件相同频率的振动，质量块便有正比于加速度的交变力作用在晶片上，由于压电效应，压电晶片上产生正比于运动加速度的表面电荷。
三、需用器件与单元：振动台、压电传感器、检波、移相、低通滤波器模板、压电式传感器实验模板。双踪示波器。
四、实验步骤：
1、压电传感器装在振动台面上。
2、将低频振荡器信号接入到台面三源板振动源的激励源插孔。
3、将压电传感器输出两端插入到压电传感器实验模板两输入端，与传感器外壳相连的接线端接地，另一端接R1。将压电传感器实验模板电路输出端Vo1，接R6。将压电传感器实验模板电路输出端V02，接入低通滤波器输入端Vi，低通滤波器输出V0与示波器相连。
3、合上主控箱电源开关，调节低频振荡器的频率和幅度旋钮使振动台振动，观察示波器波形。
4、改变低频振荡器的频率，观察输出波形变化。
光纤式传感器测量振动实验
一、实训目的： 了解光纤传感器动态位移性能。
二、实训仪器： 光纤位移传感器、光纤位移传感器实验模块、振动源、低频振荡器、通信接口（含上位机 软件）。
三、相关原理： 利用光纤位移传感器的位移特性和其较高的频率响应，用合适的测量电路即可测量振动。
四、实训内容与操作步骤
1、光纤位移传感器安装如图所示，光纤探头对准振动平台的反射面，并避开振动平台中间孔。
2、根据“光纤传感器位移特性试验”的结果，找出线性段的中点，通过调节安装支架高度将光纤探头与振动台台面的距离调整在线性段中点（大致目测）。
3、参考“光纤传感器位移特性试验”的实验连线，Vo1与低通滤波器中的Vi相接，低通输出Vo接到示波器。
4、将低频振荡器的幅度输出旋转到零，低频信号输入到振动模块中的低频输入。
5、将频率档选在6~10Hz左右，逐步增大输出幅度，注意不能使振动台面碰到传感器。保持振动幅度不变，改变振动频率，观察示波器波形及锋-峰值。保持频率振动不变，改变振动幅度，观察示波器波形及锋-峰值。
第五篇：测试实验报告小结
(一)>> swa1 请输入合成信号的个数：Nn= 2
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [5 6 3;10 20 4;] A = >>
第二次 > swa1 请输入合成信号的个数：Nn= 3
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [6 2 1;10 4 3;50 20 6;] A = 50
第三次
请输入合成信号的个数：Nn= 4
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [10 6 1;9 5 3;20 14 6;13 10 8;] A = >>
(二)方波
1.>> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 3
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 1
Type =
>> >> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 4
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 1
Type =
>> >> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 5
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 1
Type =
>>
三角波 1 >> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 3
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 2
Type =
>> n =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 2
Type =
> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 6
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 2
Type =
>>
锯齿波 1>> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 3
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 3
Type =
>> >> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 6
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 3
Type =
>> >> swa2 请输入合成信号的谐波最高次数：Nn= 9
Nn =
请输入合成信号的类型（1－方波 2－三角波 3－锯齿波）Nn= 3
Type =
>>
(三)>> DFA 请输入周期系数Tm= 1
Tm =
是否加窗cflag=(0-不加窗 1－加窗)0
cflag =
0
请输入合成信号的个数：Nn= 2
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [6 5 2;8 6 3;] A = >>
加
>> DFA 请输入周期系数Tm= 1
Tm =
是否加窗cflag=(0-不加窗 1－加窗)1
cflag =
请输入合成信号的个数：Nn= 2
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [6 5 2;8 6 3;] A = >>>> dfa 请输入周期系数Tm= 1
Tm =
是否加窗cflag=(0-不加窗 1－加窗)0
cflag =
0
请输入合成信号的个数：Nn= 3
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）3列（频率－Hz）:A= [10 20 5;30 40 9;20 30 9;] A =
>>
2列（相位－度）
加 >> dfa 请输入周期系数Tm= 1
Tm =
是否加窗cflag=(0-不加窗 1－加窗)1
cflag =
请输入合成信号的个数：Nn= 3
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [10 20 5;30 40 9;20 30 9;] A =
>>>> dfa 请输入周期系数Tm= 1
Tm =
是否加窗cflag=(0-不加窗 1－加窗)0
cflag =
0
请输入合成信号的个数：Nn= 4
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）
2列（相位－度）
3列（频率－Hz）:A= [6 5 2;9 6 3;10 5 4;20 10 9;] A = >>
加 >> dfa 请输入周期系数Tm=
Tm =
是否加窗cflag=(0-不加窗 1－加窗)1
cflag =
请输入合成信号的个数：Nn= 4
Nn =
请输入对应信号的幅值，相位，频率矩阵A(Nn*3),其中1列（幅值）3列（频率－Hz）:A= [6 5 2;9 6 3;10 5 4;20 10 9;] A = >>
2列（相位－度）
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